CN116088113A - 一种基于倒装硅光芯片的端面耦合封装方法 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种基于倒装硅光芯片的端面耦合封装方法,包括:将硅光集成芯片粘接在陶瓷载板上;将高速过渡传输基板采用倒装工艺与硅光集成芯片实现信号互连;采用CCD位置监控系统对光纤与硅光集成芯片的光波导结构进行对准耦合,并采用光纤固定靠块和光纤固定垫块将光纤固定到陶瓷载板上,实现光纤精密耦合;将上述步骤完成的陶瓷载板向下翻转后,再将高速过渡传输基板粘接到金属管壳内;在陶瓷载板和金属管壳之间固定支撑陶瓷块,所述支撑陶瓷块以加固支撑陶瓷载板。本申请可实现硅光集成芯片倒装互连的同时,实现高精度的光纤与光波导结构的精确耦合对准,提高光纤耦合效率,减少辅助耦合的光检测设备、降低耦合组装成本。
Description
技术领域
本申请涉及光通信技术领域,特别涉及一种基于倒装硅光芯片的端面耦合封装方法。
背景技术
硅基集成芯片技术由于可以直接与CMOS集成电路实现集成,可实现高可靠,高集成度的光通信器件与模块,因此受到了业界的高度重视。随着5G、6G光通信系统的不断发展,其传输速率由10G、20G、甚至于100G,不断向更高速率的方向发展。而与之对应的在硅光集成芯片高速互连封装技术方面,由于传统的金丝互连难以支持更高的信号传输速率,为此需要采用能够传输更高速率的凸点倒装技术所取代。然而,对于倒装硅光集成芯片的封装,除了需要实现高速信号的互连封装外,光信号的互连传输(也就是采用光纤与芯片端面光波导进行耦合对准)也是其封装中的必不可少的封装技术之一。
对于传统的硅光集成芯片的封装,首先是将芯片和高速过渡传输基板正装贴装在一个载体上。然后采用金丝键合技术实现芯片电极与高速过渡传输基板间的高速信号互连。然后在芯片的另外一端采用特殊的工装夹具并借助CCD实时位置监控系统进行精准的对位,并结合给芯片加载控制信号,最终实现硅光集成芯片的有源耦合对准。最终实现对硅光集成芯片的光、电的集成封装。
然而,当硅光集成芯片与高速过渡传输基板间采用倒装工艺进行高速信号的传输封装时,在实际操作中却无法进行后续的光纤耦合对准了。因为,硅光集成芯片的高速互连电极与光波导结构是设计在同一个表面上的,当芯片电极与高速过渡传输基板进行倒装互连后,芯片电极和光波导结构是同时面向下方的。这样CCD实时位置监控系统无法对光波导结构进行定位,从而无法实现光纤与芯片光波导结构的耦合对准。为此,本发明专利提出了一种专门针对基于倒装硅光集成芯片光电封装方法。
发明内容
本申请实施例提供一种基于倒装硅光芯片的端面耦合封装方法,以解决相关技术中硅光集成芯片光电封装还是采用正装封装,即硅光集成芯片与高速过渡传输基板同时正装贴装在一个载体上,采用金丝键合实现高速信号的互连。再结合CCD实时位置监控系统实现光纤与光波导结构的耦合对准。其传输速率难以满足当前高速率信号传输系统的发展趋势。而对于倒装的硅光集成芯片在光纤耦合对准时,由于光波导结构被芯片遮挡住,无法实时监控光纤的位置,所以只能采取“盲对准”方法,其对准效率很低,耦合对准精度也很难保证的问题。
本申请实施例提供了一种基于倒装硅光芯片的端面耦合封装方法,所述方法包括以下步骤:
采用导电胶或紫外固化胶将硅光集成芯片粘接在陶瓷载板上;
将高速过渡传输基板采用倒装工艺与硅光集成芯片实现信号互连;
采用CCD位置监控系统对光纤与硅光集成芯片的光波导结构进行对准耦合,并采用光纤固定靠块和光纤固定垫块将光纤固定到陶瓷载板上,实现光纤精密耦合;
将上述步骤完成组装的陶瓷载板向下翻转后,再将高速过渡传输基板粘接到金属管壳内;
在陶瓷载板和金属管壳之间固定支撑陶瓷块,所述支撑陶瓷块以加固支撑陶瓷载板。
在一些实施例中:所述硅光集成芯片上设有连接高速过渡传输基板的第一高速互联电极焊盘和第一DC控制电极焊盘;
所述高速过渡传输基板上设有连接硅光集成芯片的第二高速互联电极焊盘和第二DC控制电极焊盘。
在一些实施例中:在硅光集成芯片的第一高速互联电极焊盘和第一DC控制电极焊盘上均植有倒装互连凸点;
所述第一高速互联电极焊盘与第二高速互联电极焊盘之间通过倒装互连凸点连接;
所述第一DC控制电极焊盘与第二DC控制电极焊盘之间通过倒装互连凸点连接。
在一些实施例中:所述陶瓷载板上设有与第一DC控制电极焊盘连接的第三DC控制电极焊盘,以及与金属管壳连接的RF电极焊盘。
在一些实施例中:所述第一DC控制电极焊盘和第三DC控制电极焊盘均设有扇出结构,所述第三DC控制电极焊盘的扇出结构大于第一DC控制电极焊盘的扇出结构。
在一些实施例中:所述第三DC控制电极焊盘与第一DC控制电极焊盘之间通过金丝键合连接,所述金属管壳上设有与RF电极焊盘连接的玻璃绝缘子。
在一些实施例中:所述玻璃绝缘子通过焊料或者导电胶与高速过渡传输基板进行焊接或者粘接互连。
在一些实施例中:所述第一高速互联电极焊盘、第一DC控制电极焊盘和光波导结构均位于硅光集成芯片的底部。
在一些实施例中:所述光纤为单模光纤或多模光纤。
在一些实施例中:所述光纤固定靠块设有两个,两个光纤固定靠块分别竖直位于光纤的两侧且通过紫外固化胶相互连接;
所述光纤固定垫块水平位于光纤的顶部且通过紫外固化胶相互连接。
本申请提供的技术方案带来的有益效果包括:
本申请实施例提供了一种基于倒装硅光芯片的端面耦合封装方法,由于本申请的基于倒装硅光芯片的端面耦合封装方法首先采用导电胶或紫外固化胶将硅光集成芯片粘接在陶瓷载板上;然后将高速过渡传输基板采用倒装工艺与硅光集成芯片实现信号互连;接下来采用CCD位置监控系统对光纤与硅光集成芯片的光波导结构进行对准耦合,并采用光纤固定靠块和光纤固定垫块将光纤固定到陶瓷载板上,实现光纤精密耦合;再然后将上述步骤完成的陶瓷载板向下翻转后,再将高速过渡传输基板粘接到金属管壳内;最后在陶瓷载板和金属管壳之间固定支撑陶瓷块,支撑陶瓷块以加固支撑陶瓷载板。
因此,本申请的基于倒装硅光芯片的端面耦合封装方法先进行硅光集成芯片的光纤耦合,再将整体结构翻转后,再与金属管壳粘接的封装方法,这样避免了在光纤耦合时难以采用CCD位置监控系统对光纤与硅光集成芯片的光波导结构进行对准耦合的问题。本申请可实现硅光集成芯片倒装互连的同时,实现高精度的光纤与光波导结构的精确耦合对准,提高光纤耦合效率,减少辅助耦合的光检测设备、降低耦合组装成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例的结构主视图;
图2为本申请实施例的结构俯视图;
图3为本申请实施例的结构立体图;
图4为本申请实施例的结构爆炸图;
图5为本申请实施例的硅光集成芯片结构示意图;
图6为本申请实施例的高速过渡传输基板结构示意图。
附图标记:
1、硅光集成芯片;2、高速过渡传输基板;3、陶瓷载板;4、倒装互连凸点;5、光纤;6、光纤固定靠块;7、光纤固定垫块;8、金属管壳;9、支撑陶瓷块;1-1、第一高速互联电极焊盘;1-2、第一DC控制电极焊盘;1-3、光波导结构;2-1、第二高速互联电极焊盘;2-2、第二DC控制电极焊盘。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供了一种基于倒装硅光芯片的端面耦合封装方法,其能解决相关技术中硅光集成芯片光电封装还是采用正装封装,即硅光集成芯片与高速过渡传输基板同时正装贴装在一个载体上,采用金丝键合实现高速信号的互连。再结合CCD实时位置监控系统实现光纤与光波导结构的耦合对准。其传输速率难以满足当前高速率信号传输系统的发展趋势。而对于倒装的硅光集成芯片在光纤耦合对准时,由于光波导结构被芯片遮挡住,无法实时监控光纤的位置,所以只能采取“盲对准”方法,其对准效率很低,耦合对准精度也很难保证的问题。
参见图1至图4所示,本申请实施例提供了一种基于倒装硅光芯片的端面耦合封装方法,所述方法包括以下步骤:
步骤1、采用导电胶或紫外固化胶将硅光集成芯片1粘接在陶瓷载板3的顶部;陶瓷载板3作为光路对准承载平台、起到结构固定和芯片散热的作用。
步骤2、将高速过渡传输基板2采用倒装工艺与硅光集成芯片1实现信号互连;高速过渡传输基板2与硅光集成芯片1采用倒装工艺相互连接,实现高速电信号的有效传递,解决现有技术下引线键合技术在高速光电子器电学封装上面临的瓶颈问题。
步骤3、采用CCD位置监控系统对光纤5与硅光集成芯片1的光波导结构1-3进行对准耦合,并采用光纤固定靠块6和光纤固定垫块7将光纤5固定到陶瓷载板3上,实现光纤5与光波导结构1-3精密耦合及固定。
步骤4、将上述步骤完成组装的陶瓷载板3、硅光集成芯片1和高速过渡传输基板2向下翻转180度后,再将高速过渡传输基板2粘接到金属管壳8内。
步骤5、在陶瓷载板3和金属管壳8之间固定支撑陶瓷块9,该支撑陶瓷块9以加固支撑陶瓷载板3,该支撑陶瓷块9可以对陶瓷载板3提供可靠支撑。
本申请实施例的基于倒装硅光芯片的端面耦合封装方法先进行硅光集成芯片1的光纤耦合,再将陶瓷载板3、硅光集成芯片1和高速过渡传输基板2翻转后,再与金属管壳8粘接的封装方法,这样避免了在光纤5耦合时难以采用CCD位置监控系统对光纤5与硅光集成芯片1的光波导结构1-3进行对准耦合的问题。
本申请可实现硅光集成芯片1倒装互连的同时,实现高精度的光纤5与光波导结构1-3的精确耦合对准,提高光纤5耦合效率,减少辅助耦合的光检测设备、降低耦合组装成本。
在一些可选实施例中:参见图5和图6所示,本申请实施例提供了一种基于倒装硅光芯片的端面耦合封装方法,该方法的硅光集成芯片1上设有连接高速过渡传输基板2的第一高速互联电极焊盘1-1和第一DC控制电极焊盘1-2。高速过渡传输基板2上设有连接硅光集成芯片1的第二高速互联电极焊盘2-1和第二DC控制电极焊盘2-2。
在硅光集成芯片1的第一高速互联电极焊盘1-1和第一DC控制电极焊盘1-2上均植有倒装互连凸点4。第一高速互联电极焊盘1-1与第二高速互联电极焊盘2-1之间通过倒装互连凸点4连接。第一DC控制电极焊盘1-2与第二DC控制电极2-2焊盘之间通过倒装互连凸点4连接。第一高速互联电极焊盘1-1、第一DC控制电极焊盘1-2和光波导结构1-3均位于硅光集成芯片1的底部。
在一些可选实施例中:参见图5和图6所示,本申请实施例提供了一种基于倒装硅光芯片的端面耦合封装方法,该方法的陶瓷载板3上设有与第一DC控制电极焊盘1-1连接的第三DC控制电极焊盘,以及与金属管壳8连接的RF电极焊盘。
第一DC控制电极焊盘1-1和第三DC控制电极焊盘均设有扇出结构,第三DC控制电极焊盘的扇出结构大于第一DC控制电极焊盘1-2的扇出结构。第三DC控制电极焊盘与第一DC控制电极焊盘1-2之间通过金丝键合连接。金属管壳8上设有与RF电极焊盘连接的玻璃绝缘子,玻璃绝缘子通过焊料或者导电胶与高速过渡传输基板2进行焊接或者粘接互连。第一DC控制电极焊盘1-1的扇出结构对硅光集成芯片1进行单独的光纤耦合时,能够使用探针将电气信号加载到硅光集成芯片1上去,从而实现硅光集成芯片1的有源对准耦合。
陶瓷载板3上设置第三DC控制电极焊盘目的在于在将陶瓷载板3组装到金属管壳8中后,需要采用金丝键合的互连方式实现硅光集成芯片1→陶瓷载板3→金属管壳8→外部电气连接的有效连接。而且要求第三DC控制电极焊盘的扇出结构一定要大于第一DC控制电极焊盘的扇出结构至少2mm,这样才能保证第三DC控制电极焊盘进行金丝键合组装。
陶瓷载板3中还需要设置与金属管壳8连接的RF电极焊盘,陶瓷载板3通过RF电极焊盘与金属管壳8形成高速高频互连的高频过渡传输结构。此结构最终会与金属管壳8中的玻璃绝缘子通过焊接或者粘接的方式实现有效的互连。接下来还需要采用焊料或者导电胶将金属管壳8中的玻璃绝缘子与高速过渡传输基板2进行焊接或者粘接互连。从而实现外部高速高频信号能够通过高速过渡传输基板2有效传输给硅光集成芯片1。
在一些可选实施例中:参见图1至图4所示,本申请实施例提供了一种基于倒装硅光芯片的端面耦合封装方法,该方法的光纤5为单模光纤或多模光纤。光纤固定靠块6设有两个,两个光纤固定靠块6分别竖直位于光纤5的两侧且通过紫外固化胶相互连接。光纤固定垫块7水平位于光纤5的顶部且通过紫外固化胶相互连接。
本实施例采用两个光纤固定靠块6和光纤固定垫块7作为光纤5的固定结构,该方法可以有效控制光纤5与光纤固定靠块6和光纤固定垫块7间的胶层厚度,对耦合结构的可靠性提供了保证。
在本申请的描述中,需要说明的是,术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
需要说明的是,在本申请中,诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅是本申请的具体实施方式,使本领域技术人员能够理解或实现本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种基于倒装硅光芯片的端面耦合封装方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
将硅光集成芯片(1)粘接在陶瓷载板(3)上;
将高速过渡传输基板(2)采用倒装工艺与硅光集成芯片(1)实现信号互连;
采用CCD位置监控系统对光纤(5)与硅光集成芯片(1)的光波导结构(1-3)进行对准耦合,并采用光纤固定靠块(6)和光纤固定垫块(7)将光纤(5)固定到陶瓷载板(3)上;
将上述步骤完成的陶瓷载板(3)向下翻转后,再将高速过渡传输基板(2)粘接到金属管壳(8)内;
在陶瓷载板(3)和金属管壳(8)之间固定支撑陶瓷块(9),所述支撑陶瓷块(9)以加固支撑陶瓷载板(3)。
2.如权利要求1所述的一种基于倒装硅光芯片的端面耦合封装方法,其特征在于:
所述硅光集成芯片(1)上设有连接高速过渡传输基板(2)的第一高速互联电极焊盘(1-1)和第一DC控制电极焊盘(1-2);
所述高速过渡传输基板(2)上设有连接硅光集成芯片(1)的第二高速互联电极焊盘(2-1)和第二DC控制电极焊盘(2-2)。
3.如权利要求2所述的一种基于倒装硅光芯片的端面耦合封装方法,其特征在于:
在硅光集成芯片(1)的第一高速互联电极焊盘(1-1)和第一DC控制电极焊盘(1-2)上均植有倒装互连凸点(4);
所述第一高速互联电极焊盘(1-1)与第二高速互联电极焊盘(2-1)之间通过倒装互连凸点(4)连接;
所述第一DC控制电极焊盘(1-2)与第二DC控制电极焊盘(2-2)之间通过倒装互连凸点(4)连接。
4.如权利要求2所述的一种基于倒装硅光芯片的端面耦合封装方法,其特征在于:
所述陶瓷载板(3)上设有与第一DC控制电极焊盘(1-2)连接的第三DC控制电极焊盘,以及与金属管壳(8)连接的RF电极焊盘。
5.如权利要求4所述的一种基于倒装硅光芯片的端面耦合封装方法,其特征在于:
所述第一DC控制电极焊盘(1-2)和第三DC控制电极焊盘均设有扇出结构,所述第三DC控制电极焊盘的扇出结构大于第一DC控制电极焊盘(1-2)的扇出结构。
6.如权利要求4所述的一种基于倒装硅光芯片的端面耦合封装方法,其特征在于:
所述第三DC控制电极焊盘与第一DC控制电极焊盘(1-2)之间通过金丝键合连接,所述金属管壳(8)上设有与RF电极焊盘连接的玻璃绝缘子。
7.如权利要求6所述的一种基于倒装硅光芯片的端面耦合封装方法,其特征在于:
所述玻璃绝缘子通过焊料或者导电胶与高速过渡传输基板(2)进行焊接或者粘接互连。
8.如权利要求2所述的一种基于倒装硅光芯片的端面耦合封装方法,其特征在于:
所述第一高速互联电极焊盘(1-1)、第一DC控制电极焊盘(1-2)和光波导结构(1-3)均位于硅光集成芯片(1)的底部。
9.如权利要求1所述的一种基于倒装硅光芯片的端面耦合封装方法,其特征在于:
所述光纤(5)为单模光纤或多模光纤。
10.如权利要求1所述的一种基于倒装硅光芯片的端面耦合封装方法,其特征在于:
所述光纤固定靠块(6)设有两个,两个光纤固定靠块(6)分别竖直位于光纤(5)的两侧且通过紫外固化胶相互连接;
所述光纤固定垫块(7)水平位于光纤(5)的顶部且通过紫外固化胶相互连接。
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