CN116057472A - 制造过程的偏差确定方法、校准方法、检查工具、制造系统和样品 - Google Patents

制造过程的偏差确定方法、校准方法、检查工具、制造系统和样品 Download PDF

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Abstract

本公开涉及一种用于确定制造过程中的偏差的方法，该方法包括以下步骤：a.提供具有层的样品，该层具有周期性结构，该周期性结构使用制造过程制造并且旨在使得层的对应部分完全反射波长在一波长范围内并且入射角在一角度范围内的光；b.使用波长在所述波长范围内并且入射角在所述角度范围内的光来照射样品；c.检测从样品的层反射和/或散射的光；以及d.从所检测的光确定制造过程中的偏差。

Description

制造过程的偏差确定方法、校准方法、检查工具、制造系统和样品
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年8月5日提交的EP申请20189673.5和于2021年6月9日提交的EP申请21178570.4的优先权，其全部内容通过引入并入本文。
技术领域
本发明涉及一种用于确定制造过程中的偏差的方法、制造过程的校准方法、检查工具、制造系统和要在前述方法和检查工具中使用的样品。
背景技术
光刻装置是将期望图案施加到衬底上的机器。光刻装置可以用于例如制造集成电路(IC)。光刻装置可以例如将图案形成装置(例如，掩模)处的图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投射到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
随着半导体制造过程的不断进步，在几十年内，电路元件的尺寸不断减小，而每个设备的功能元件(诸如晶体管)的数量已稳定增加，遵循通常被称为‘摩尔定律’的趋势。为了跟上摩尔定律，半导体工业正在追求使得能够产生越来越小的特征的技术。为了将图案投射在衬底上，光刻装置可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定可以在衬底上形成图案的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻装置相比，使用波长在范围4nm至20nm内(例如，6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻装置可以用于在衬底上形成更小特征。
在集成电路(IC)的制造过程中，检查尚未完成或已完成的电路部件，以确保其根据设计制造并且没有缺陷。可以采用利用光学(例如，散射测量)显微镜或带电粒子(例如，电子)射束显微镜的检查系统，诸如扫描电子显微镜(SEM)。
SEM的缺点在于：测量由于样品的噪声、速度和/或充电而受到限制。光散射测量技术的缺点在于：与感兴趣部分的信号贡献相比较，由于来自样品的其他部分的信号贡献，所以信噪比通常相对较低。
发明内容
考虑到上述问题，本发明的目的是提供一种检查工具和对应方法，其允许改善对制造过程的偏差的确定。
根据本发明的一个实施例，提供了一种用于确定制造过程中的偏差的方法，包括以下步骤：
a.提供具有层的样品，该样品具有周期性结构，该周期性结构使用制造过程制造并且旨在使得层的对应部分完全反射波长在一波长范围内并且入射角在一角度范围内的光；
b.使用波长在所述波长范围内并且入射角在所述角度范围内的光来照射样品；
c.检测从样品的层反射和/或散射的光；以及
d.从所检测的光确定制造过程中的偏差。
根据本发明的另一实施例，提供了一种制造过程的校准方法，包括以下步骤：
a.执行根据本发明的方法以确定制造过程中的偏差；以及
b.基于所确定的制造过程中的偏差来生成用于调整制造过程参数的校正信号。
根据本发明的另一实施例，提供了一种检查工具，该检查工具包括：
-样品保持器，用于保持样品；
-照射系统，用于照射样品保持器中的样品；
-检测系统，用于检测从样品保持器中的样品反射或散射的光；以及
-处理单元，被配置为确定用于制造具有层的样品的制造过程中的偏差，该层具有周期性结构，该周期性结构旨在使得层的对应部分完全反射来自检测系统的输出的波长在一波长范围内并且入射角在一角度范围内的光，
其中照射系统被配置为发射波长在所述波长范围内并且入射角在所述角度范围内的光。
根据本发明的又一实施例，提供了一种制造系统，包括用于执行制造过程的至少一部分的光刻装置和根据本发明的检查工具。
根据本发明的另一实施例，提供了一种具有层的样品，该样品具有周期性结构，该周期性结构旨在使得层的对应部分完全反射波长在一波长范围内并且入射角在一角度范围内的光，其中样品适于用于根据本发明的方法或根据本发明的检查工具。
根据本发明的又一实施例，提供了一种用于确定制造过程中的偏差的方法，该方法包括以下步骤：
a.提供具有层的样品，该层具有周期性结构，该周期性结构使用制造过程制造并且旨在使得层的对应部分完全反射波长在一波长范围内并且入射角在一角度范围内的光；
b.使用波长在所述波长范围内并且入射角在所述角度范围内的光来照射样品；
c.检测透射通过样品的光；以及
d.从所检测的光确定制造过程中的偏差。
根据本发明的再另一实施例，提供了一种制造过程的校准方法，包括以下步骤：
a.提供具有层的样品，该层具有周期性结构，该周期性结构使用制造过程制造并且旨在使得层的对应部分完全反射波长在一波长范围内并且入射角在一角度范围内的光；
b.使用波长在所述波长范围内并且入射角在所述角度范围内的光照射样品；
c.检测透射通过样品的光；
d.从所检测的光确定制造过程中的偏差；以及
e.基于所确定的制造过程中的偏差来生成用于调整制造过程参数的校正信号。
根据本发明的另一实施例，提供了一种检查工具，包括：
-样品保持器，用于保持样品；
-照射系统，用于照射样品保持器中的样品；
-检测系统，用于检测透射通过样品保持器中的样品的光；以及
-处理单元，被配置为确定用于制造具有层的样品的制造过程中的偏差，该层具有周期性结构，该周期性结构旨在使得层的对应部分完全反射来自检测系统的输出的波长在一波长范围内并且入射角在一角度范围内的光，
其中照射系统被配置为发射波长在所述波长范围内并且入射角在所述角度范围内的光。
根据本发明的又一实施例，提供了一种制造系统，包括用于执行制造过程的至少一部分的光刻装置和检查工具，该检查工具包括：
-样品保持器，用于保持样品；
-照射系统，用于照射样品保持器中的样品；
-检测系统，用于检测透射通过样品保持器中的样品的光；以及
-处理单元，被配置为确定用于制造具有层的样品的制造过程中的偏差该层具有周期性结构，该周期性结构旨在使得层的对应部分完全反射来自检测系统的输出的波长在一波长范围内并且入射角在角度范围内的光，
其中照射系统被配置为发射波长在所述波长范围内并且入射角在所述角度范围内的光。
附图说明
现在，参考所附示意图仅通过示例对本发明的实施例进行描述，其中
-图1描绘根据本发明的实施例的光刻装置的示意性概图；
-图2描绘根据本公开的实施例的用于说明示例性检查系统的示意图；
-图3示意性地描绘要使用图2的检查系统进行检查的示例性样品的截面；以及
-图4示意性地描绘可以与图3的样品一起使用的2D周期性结构的示例。
具体实施方式
现在，详细参考示例性实施例，其示例在附图中图示。以下描述参考附图，其中除非另有说明，否则不同附图中的相同附图标记表示相同或相似元件。在示例性实施例的以下描述中阐述的实现方式并不代表与本发明一致的所有实现方式。相反，它们仅仅是与所附权利要求中所述的与本发明有关的各方面一致的装置和方法的示例。
为了清楚起见，附图中的部件的相对尺寸可能会被放大。如本文中所使用的，除非另有明确说明，否则术语“或”涵盖所有可能组合，除不可行之外。例如，如果陈述部件可以包含A或B，则除非另有明确说明或不可行，否则部件可以包含A、或B、或A和B。作为第二示例，如果陈述部件可以包含A、B或C，则除非另有说明或不可行，否则部件可以包含A、或B、或C、或A和B、或A和C、或B和C、或A和B和C。
在本文件中，术语“辐射”和“射束”用于涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外线辐射(例如，其中波长为365nm、248nm、193nm、157nm或126nm)和EUV辐射(极紫外辐射，例如，波长范围介于约5nm与100nm之间)。
如上下文中所采用的术语“掩模版”，“掩模”或“图案形成装置”可以广义地解释为是指可以用于使入射辐射射束具有经图案化的横截面的通用图案形成装置，该经图案化的横截面与要在衬底的目标部分中产生的图案相对应。在该上下文中，还可以使用术语“光阀”。除了经典掩模(透射式掩模或反射式掩模；二进制掩模、相移掩模、混合掩模等)以外，其他这种图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。
图1示意性地描绘了光刻装置LA。该光刻装置LA包括照射系统(还被称为照射器)IL，被配置为调节辐射射束B(例如，UV辐射、DUV辐射或EUV辐射)；掩模支撑件(例如，掩模台)MT，被构造为支撑图案形成装置(例如，掩模)MA并且连接到第一定位器PM，该第一定位器PM被配置为根据某些参数精确定位图案形成装置MA；衬底支撑件(例如，晶片台)WT，被构造为保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W并且连接到第二定位器PW，该第二定位器PW被配置为根据某些参数精确定位衬底；以及投射系统(例如，折射投射透镜系统)PS，被配置为通过图案形成装置MA将赋予辐射射束B的图案投射到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个管芯)上。
操作时，照射系统IL例如经由射束传送系统BD从辐射源SO接收辐射射束。照射系统IL可以包括用于引导、整形或控制辐射的各种类型的光学部件，诸如折射型部件、反射型部件、磁性型部件、电磁型部件、静电型部件、或其他类型的光学部件、或其任何组合。照射器IL可以用于调节辐射射束B，以使其在图案形成装置MA的平面处的横截面中具有期望空间和角度强度分布。
本文中所使用的术语“投射系统”PS应当以广义方式被解释为包括视所使用的曝光辐射或适合于诸如使用浸没液体或使用真空的其他因素而定的任何类型的投射系统，包括折射型光学系统、反射型光学系统、反折射型光学系统、磁型光学系统、电磁型光学系统和静电型光学系统，或它们的任何组合。本文中的术语“投射透镜”的任何使用可以被认为是与更通用的术语“投射系统”PS同义。
光刻装置LA可以是这样的类型，其中衬底的至少一部分可以被折射率相对较高的液体(例如水)覆盖，以便填充投射系统PS与衬底W之间的空间，这也被称为浸没光刻。关于浸没技术的更多信息在US6952253中给出，其通过引用并入本文。
光刻装置LA还可以是具有两个或更多个衬底支撑件WT(还被称为“双载物台”)的类型。在这种“多载物台”机器中，可以并行使用衬底支撑件WT，和/或可以在位于衬底支撑件WT中的一个衬底支撑件上的衬底W上执行准备后续曝光衬底W的步骤，同时另一衬底支撑件WT上的另一衬底W正在用于曝光另一衬底W上的图案。
除了衬底支撑件WT之外，光刻装置LA还可以包括测量载物台。测量载物台被布置为保持传感器和/或清洁设备。传感器可以被布置为测量投射系统PS的特性或辐射射束B的特性。测量载物台可以容纳多个传感器。清洁设备可以被布置为清洁光刻装置的一部分，例如，投射系统PS的一部分或提供浸没液体的系统的一部分。当衬底支撑件WT远离投射系统PS时，测量载物台可以在投射系统PS下面移动。
操作时，辐射射束B入射在保持在掩模支撑件MT上的图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过存在于图案形成装置MA上的图案(设计布局)进行图案化。在已经穿过图案形成装置MA之后，辐射射束B穿过投射系统PS，该投射系统PS将射束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置测量系统IF，可以精确移动衬底支撑件WT，例如，以便将不同的目标部分C定位在辐射射束B的路径中的经聚焦和对齐的位置处。同样，第一定位器PM以及可能的另一位置传感器(图1中未明确描绘)可以用于相对于辐射射束B的路径精确定位图案形成装置(例如，掩模)MA。可以使用掩模对齐标记M1、M2和衬底对齐标记P1、P2来对齐图案形成装置MA和衬底W。尽管如所图示的衬底对齐标记P1、P2占据专用的目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间中。当衬底对齐标记P1、P2位于目标部分C之间时，它们被称为划线(scribe-lane)对齐标记。
为了阐明本发明，使用笛卡尔坐标系。笛卡尔坐标系具有三个轴，即，x轴、y轴和z轴。三个轴中的每个轴都与其他两个轴正交。围绕x轴的旋转被称为Rx旋转。围绕y轴的旋转被称为Ry旋转。围绕z轴的旋转被称为Rz旋转。x轴和y轴限定水平面，而z轴在垂直方向上。笛卡尔坐标系不限制本发明，而仅用于说明。相反，可以使用诸如柱面坐标系之类的另一坐标系来阐明本发明。笛卡尔坐标系的方位可能不同，例如，使得z轴具有沿着水平面的分量。
现在，参考图2，图2是图示了本公开的实施例的示例性检查(EBI)系统100的示意图。如图2所示，检查系统100包括主腔室10、负载锁定腔室20、电子射束工具40和设备前端模块(EFEM)30。检查工具40位于主腔室10内。
EFEM 30包括第一装载端口30a和第二装载端口30b。EFEM 30可以包括一个或多个附加装载端口。第一装载端口30a和第二装载端口30b可以接纳晶片前开式传送盒(FOUP)，该FOUP包含衬底(例如，半导体晶片或由一种或多种其他材料制成的晶片)或待检查样品(晶片和样品下文统称为“晶片”)。EFEM 30中的一个或多个机器人臂(未示出)将样品输送到负载锁定腔室20。
负载锁定腔室20可以连接到负载/锁定真空泵系统(未示出)，该负载/锁定真空泵系统移除负载锁定腔室20中的气体分子以达到低于大气压的第一压力。在达到第一压力后，一个或多个机器人臂(未示出)将样品从负载锁定腔室20输送到主腔室10。主腔室10连接到主腔室真空泵系统(未示出)，该主腔室真空泵系统移除主腔室10中的气体分子以达到低于第一压力的第二压力。在达到第二压力之后，通过检查工具40对晶片进行检查。
控制器50可以电连接到检查工具40，也可以电连接到其他部件。控制器50可以是被配置为执行检查系统100的各种控制的计算机。控制器50还可以包括被配置为执行各种信号和图像处理功能的处理电路系统。虽然控制器50在图2中示出为在包括主腔室10、负载锁定腔室20和EFEM 30的结构的外部，但是应当领会，控制器50可以是该结构的一部分。
虽然本公开提供了容纳检查工具40的主腔室10的示例，但是应当指出，本公开的各方面在其最广泛的意义上不限于容纳检查工具的腔室。相反，应当领会，上述原理也可以应用于其他腔室。
现在，参考图3，该图3图示了要由检查系统100检查的示例性样品200的横截面。样品200包括具有顶层220的衬底210。顶层220已经设有使用至少部分由图1的光刻装置执行的制造过程而制造的周期性结构。该周期性结构旨在使得顶层220的对应部分完全反射波长在一波长范围内并且入射角在一角度范围内的光。
图4描绘了包括作为示例性周期性结构的二维周期性介电结构的样品200的一部分的透视图。然而，可以设想，周期性结构也可以是一维的意思，使得如平面图(即，顶视图)所见，周期性结构由交替的具有不同介电常数的材料线组成，以在单个方向上形成带隙。可替代地，周期性结构可以称为光子晶体。布拉格光栅是一维周期性结构的示例。对于二维周期性结构，存在两个正交方向，其中一种介电常数的材料与另一种不同介电常数的材料交替，以在两个方向上形成带隙，如平面图(即，顶视图)所见。二维周期性结构的示例是在衬底中形成的孔阵列。
图4描绘了这种示例。所示的是硅衬底210，但这可以是任何合适的衬底材料。衬底包括顶层220和相邻层230、240和250。顶层220设有节距预先确定的孔阵列260，以形成二维周期性结构。
角度范围可以被定义为具有以平均角β为中心的锥角α的锥体。在极端情况下，平均角β是相对于层220的顶部表面的90度，而锥角α是180度，这意味着具有周期性结构的层的对应部分旨在对于所有入射角是完全反射的。然而，还可以设想小于180度的锥角α和除了90度以外的平均角β。
本文中应当明确指出，层220的周期性结构在平行于层本身的方向上延伸，并且锥体基本垂直于层220延伸。尽管参考了光子晶体，但是本发明没有利用与光子晶体相关联的光学带隙，该光子晶体在照射光的入射方向上呈现周期性。事实上，当以3D来实现以较低维度(1D或2D)表现出带隙的周期性结构时，可能损失光学带隙。然而，本发明利用周期性结构保持其作为完全反射镜的能力的特性。因此，周期性结构可以可替代地被称为旨在用作全向反射镜，即，利用全向反射效应。
相反，例如，US2019/0148123A1公开了光子晶体的用途，并且采用了通过在周期性结构的平面中照射周期性结构来使用光学带隙，而非如本发明中那样基本垂直于周期性结构照射周期性结构来使用光学带隙。因此，层220具有长度、宽度和厚度，其中厚度小于宽度，并且宽度等于或小于长度；以及在长度和宽度方向上延伸的顶部表面和底部表面以及在厚度方向上延伸的侧表面。在US2019/0148123A1中，层的侧表面被照射，而在本发明中，顶部表面或底部表面被照射。
层220的对应部分的预期全反射率可以用于确定样品的制造过程中的偏差，特别是具有周期性结构的层的制造过程中的偏差。当具有在波长范围内的波长的光如箭头ILB所示被照射系统41以一角度范围内的入射角朝向层220引导时，该层的全反射率将使得所有的光如箭头OLB所示被反射，使得当该光被检测系统的检测器45捕获时，由检测器45捕获的光的强度应当等于由照射系统41透射的光的强度。
然而，当制造过程在周期性结构中引入误差时，诸如周期性结构中的不同的平面内尺寸、不同的节距、不同的位置、不同厚度或在层220中捕获的随机粒子，这会使得周期性结构失去其完全反射能力，从而导致朝向层220传输的光的一些光在其他方向上被吸收或散射，以使光的强度改变、或检测系统的其他部分也接收光。经反射的光的其他改变可以包括相位或偏振的改变。然后，与所检测的光中的预期理想情况的这些偏差可以被处理单元46用来确定制造过程中的偏差。
这与比如US5,607,800A1相反，在US5,607,800A1中，获得反射光谱作为特定图案的某种指纹，并且可以通过查看与理想指纹的偏差来确定偏差。因此，反射率是什么并不重要，即，不采用全向反射镜特征；并且不旨在获得全反射率。相反，作为波长的函数的反射率图案是相关的。
尽管图2仅描绘了对单个光束ILB的测量和对从样品的层反射的光的检测，但是可以设想，需要多个测量，其中改变以下各项中的至少一项：
-朝向样品发射的光的波长；
-朝向样品发射的光的入射角；以及
-朝向样品发射的光的强度。
尽管图2仅描绘了对从样品的层反射的光的检测，但是检测系统45可以可替代地或附加地包括检测器，例如，测量从样品的层散射的光。作为示例，检测器45'以虚线示出，该检测器45'可以与检测器45一起使用或可以代替检测器45使用。
检测系统45可以包括像素化检测器，其优点在于可以同时检测从该层反射的光以及从该层散射的光。
附加地或可替代地，检测系统可以包括样品下方的检测器45"，以检测透射通过样品200的光。
尽管样品200包括具有如上文所提及的周期性结构的顶层220，但可替代地或附加地，样品可以包括顶层220和顶层220下方的层230，其中如上文所提及的周期性结构形成在层230中。当层220具有用作参考的某种结构时，在顶层220下方的层230中使用周期性结构也可以用于确定两个层之间的位移，即，套刻。当只有层230具有周期性结构时，当层220是平片时，层230的厚度是可确定的。进一步地，当层220和230都具有周期性结构时，如果层220的层厚度足够小，则可以确定相对位移，即，套刻。
一旦确定了制造过程中的偏差，处理单元46或任何其他控制单元就可以基于所确定的制造过程中的偏差来生成校正信号，以用于调整制造过程参数。然后，校正信号的目的是改变制造过程，以便减小偏差。因此，这可以是迭代过程，以使制造过程中的偏差最小，从而提高制造过程的精度和/或产率。
在一个实施例中，生成校正信号包括：生成用于调整在制造过程期间使用的装置的参数的校正信号。在图1的光刻装置的情况下，装置的参数可以是光刻装置的照射系统或投射系统的参数。
在一个实施例中，生成校正信号包括：生成用于调整用作制造过程的输入的设计参数的校正信号。在图1的光刻装置的情况下，设计参数可以是由图案形成装置赋予辐射的图案与衬底上的对应预期结构之间的关系。
图1的光刻装置可以与图2的检查系统组合以形成制造系统，比如，通过将检查系统与光刻装置集成或至少检查工具与光刻装置集成。
尽管在本文中可以具体参考光刻装置在IC制造中的使用，但是应当理解，本文中所描述的光刻装置可以具有其他应用。可能的其他应用包括集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的制造。
尽管在本文中可以在光刻装置的上下文中具体参考本发明的实施例，但是本发明的实施例可以用于其他设备中。本发明的实施例可以形成掩模检查装置、量测装置、或测量或处理诸如晶片(或其他衬底)或掩模(或其他图案形成装置)之类的物体的任何装置的一部分。这些装置通常被称为光刻工具。这种光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。
尽管上文已经具体参考了本发明的实施例在光学光刻术的上下文中的使用，但是应当领会，在上下文允许的情况下，本发明不限于光学光刻术，并且可以用于其他应用，例如，压印光刻术。
在上下文允许的情况下，本发明的各实施例可以以硬件、固件、软件或其任何组合来实现。本发明的各实施例还可以被实现为存储在机器可读介质上的指令，这些指令可以由一个或多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于以机器(例如，计算设备)可读的形式存储或传输信息的任何机制。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁性存储介质；光学存储介质；闪存设备；电、光、声或其他形式的经传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)等。进一步地，固件、软件、例程、指令在本文中可以被描述为执行某些动作。然而，应当领会，这样的描述仅仅是为了方便，并且这样的动作实际上由执行固件、软件、例程、指令等的计算设备、处理器、控制器或其他设备产生，并且这样做时，可以使得致动器或其他设备与物理世界交互。
可以使用以下条款对这些实施例进行进一步描述：
1.一种用于确定制造过程中的偏差的方法，包括以下步骤：
a.提供具有层的样品，该样品具有周期性结构，该周期性结构使用制造过程制造并且旨在使得层的对应部分完全反射波长在一波长范围内并且入射角在一角度范围内的光；
b.使用波长在所述波长范围内并且入射角在所述角度范围内的光来照射样品；
c.检测从样品的层反射和/或散射的光；以及
d.从所检测的光确定制造过程中的偏差。
2.根据条款1所述的方法，其中具有周期性结构的层旨在使得层的对应部分完全反射波长在所述波长范围内并且具有所有入射角的光。
3.根据条款1或2所述的方法，其中周期性结构是周期性介电结构。
4.根据条款1至3中任一项所述的方法，其中周期性结构是一维周期性结构。
5.根据条款1至3中任一项所述的方法，其中周期性结构是二维周期性结构。
6.根据条款1至5中任一项所述的方法，其中样品包括具有周期性结构的顶层，该周期性结构旨在使得层的对应部分完全反射波长在所述波长范围内并且入射角在所述角度范围内的光。
7.根据条款1至6中任一项所述的方法，其中样品包括顶层和顶层下方的层，并且其中顶层下方的层具有周期性结构，该周期性结构旨在使得层的对应部分完全反射波长在所述波长范围内并且入射角在所述角度范围内的光。
8.根据条款1至7中任一项所述的方法，其中检测从样品的层反射的和/或散射的光包括测量以下参数中的至少一个参数：
-波长；
-幅度；
-相位；以及
-偏振。
9.根据条款1至8中任一项所述的方法，其中可以根据所检测的光确定的制造过程中的偏差包括以下参数中的一个或多个：
-临界尺寸；
-节距；
-放置；
-厚度；
-两个层之间的位移；
-随机粒子。
10.根据条款1至9中任一项所述的方法，还包括检测透射通过样品的光的步骤，其中确定制造过程中的偏差的步骤还基于所检测的透射通过样品的光。
11.根据条款1至10中任一项所述的方法，其中周期性结构形成全向反射镜。
12.根据条款1至11中任一项所述的方法，其中所述角度范围由基本垂直于具有周期性结构的层的锥体限定。
13.一种制造过程的校准方法，包括以下步骤：
a.执行根据条款1至12中任一项所述的方法以确定制造过程中的偏差；以及
b.基于所确定的制造过程中的偏差来生成用于调整制造过程参数的校正信号。
14.根据条款13所述的方法，其中生成校正信号包括：生成用于调整在制造过程期间使用的装置的参数的校正信号。
15.根据条款13所述的方法，其中生成校正信号包括：生成用于调整用作制造过程的输入的设计参数的校正信号。
16.根据条款1至15中任一项所述的方法，其中光刻装置用于制造过程。
17.根据条款16所述的方法，其中光刻装置包括：照射系统，该照射系统被配置为调节辐射射束；支撑件，该支撑件被构造成支撑图案形成装置，该图案形成装置能够在辐射的横截面中赋予辐射图案以形成经图案化的辐射射束；衬底台，该衬底台被构造成保持衬底；以及投射系统，该投射系统被配置为将经图案化的辐射射束投射到衬底的目标部分上。
18.根据条款14和17所述的方法，其中装置的参数是光刻装置的照射系统或投射系统的参数。
19.根据条款15和17所述的方法，其中设计参数是由图案形成装置赋予辐射的图案与衬底上的对应预期结构之间的关系。
20.一种检查工具，包括：
-样品保持器，用于保持样品；
-照射系统，用于照射样品保持器中的样品；
-检测系统，用于检测从样品保持器中的样品反射或散射的光；以及
-处理单元，被配置为确定用于制造具有层的样品的制造过程中的偏差，该层具有周期性结构，该周期性结构旨在使得层的对应部分完全反射来自检测系统的输出的波长在一波长范围内并且入射角在一角度范围内的光，
其中照射系统被配置为发射波长在所述波长范围内并且入射角在所述角度范围内的光。
21.根据条款20所述的检查工具，其中处理单元包括非瞬态计算机可读介质，该非瞬态计算机可读介质包括所检测的波长、幅度、相位和偏振中的一个或多个与以下参数中的一个或多个参数之间的关系：
-临界尺寸；
-节距；
-放置；
-厚度；
-两个层之间的位移；以及
-随机粒子。
22.根据条款20或21所述的检查工具，其中检测系统还被配置为用于检测透射通过样品的光。
23.根据条款20至22中任一项所述的检查工具，其中处理单元被配置为基于所确定的制造过程中的偏差来生成用于调整制造过程参数的校正信号。
24.根据条款23所述的检查工具，其中校正信号包括用于调整在制造过程期间使用的装置的参数的校正信号。
25.根据条款23所述的检查工具，其中校正信号包括用于调整用作制造过程的输入的设计参数的校正信号。
26.根据条款20至25中任一项所述的检查工具，其中所述角度范围由基本垂直于具有周期性结构的层的锥体限定。
27.一种制造系统，包括用于执行制造过程的至少一部分的光刻装置以及根据条款20至26中任一项所述的检查工具。
28.根据条款27所述的制造系统，其中光刻装置包括：照射系统，该照射系统被配置为调节辐射射束；支撑件，该支撑件被构造为支撑图案形成装置，该图案形成装置能够在辐射的横截面中向辐射赋予图案以形成经图案化的辐射射束；衬底台，该衬底台被构造为保持衬底；以及投射系统，该投射系统被配置为将经图案化的辐射射束投射到衬底的目标部分上。
29.根据条款28所述的制造系统，其中检查工具是根据条款24所述的检查工具，并且其中要由校正信号调整的装置的参数是光刻装置的照射系统或投射系统的参数。
30.根据条款28所述的制造系统，其中检查工具是根据条款25所述的检查工具，并且其中要由校正信号调整的设计参数是由图案形成装置赋予辐射的图案与衬底上的对应预期结构之间的关系。
31.根据条款27至30中任一项所述的制造系统，其中检查工具集成在光刻装置中。
32.一种具有层的样品，该层具有周期性结构，该周期性结构旨在使得层的对应部分完全反射波长在一波长范围内并且入射角在一角度范围内的光，其中样品适合用于根据条款1至19中任一项所述的方法或根据条款20至26中任一项所述的检查工具。
33.根据条款32所述的样品，其中有周期性结构的层旨在使得层的对应部分完全反射波长在所述波长范围内并且具有所有入射角的光。
34.根据条款32或33所述的样品，其中周期性结构是周期性介电结构。
35.根据条款32至34中任一项所述的样品，其中周期性结构是一维结构。
36.根据条款32至34中任一项所述的样品，其中周期性结构是二维结构。
37.根据条款32至36中任一项所述的样品，其中样品包括具有周期性结构的顶层，该周期性结构旨在使得层的对应部分完全反射波长在所述波长范围内并且入射角在所述角度范围内的光。
38.根据条款32至37中任一项所述的样品，其中样品包括顶层和顶层下方的层，并且其中顶层下方的层具有周期性结构，该周期性结构旨在使得层的对应部分完全反射波长在所述波长范围内并且入射角在所述角度范围内的光。
39.根据条款32至38中任一项所述的样品，其中周期性结构形成全向反射镜。
40.根据条款32至39中任一项所述的样品，其中角度范围由基本垂直于具有周期性结构的层的锥体限定。
41.一种用于确定制造过程中的偏差的方法，包括以下步骤：
a.提供具有层的样品，该层具有周期性结构，该周期性结构使用制造过程制造并且旨在使得层的对应部分完全反射波长在一波长范围内并且入射角在一角度范围内的光；
b.使用波长在所述波长范围内并且入射角在所述角度范围内的光来照射样品；
c.检测透射通过样品的光；以及
d.从所检测的光确定制造过程中的偏差。
42.根据条款41所述的方法，其中周期性结构形成全向反射镜。
43.根据条款41或42所述的方法，其中所述角度范围由基本垂直于具有周期性结构的层的锥体限定。
44.一种制造过程的校准方法，包括以下步骤：
a.执行根据条款41至43中任一项所述的方法以确定制造过程中的偏差；以及
b.基于所确定的制造过程中的偏差来生成用于调整制造过程参数的校正信号。
45.一种检查工具，包括：
-样品保持器，用于保持样品；
-照射系统，用于照射样品保持器中的样品；
-检测系统，用于检测透射通过样品保持器中的样品的光；以及
-处理单元，被配置为确定用于制造具有层的样品的制造过程中的偏差，该层具有周期性结构，该周期性结构旨在使得层的对应部分完全反射来自检测系统的输出的波长在一波长范围内并且入射角在一角度范围内的光，
其中照射系统被配置为发射波长在所述波长范围内并且入射角在所述角度范围内的光。
46.根据条款45所述的检查工具，其中所述角度范围由基本垂直于具有周期性结构的层的锥体限定。
47.一种制造系统，包括用于执行制造过程的至少一部分的光刻装置和根据条款45或46所述的检查工具。
虽然上文已经对本发明的特定实施例进行了描述，但是应当内购会，本发明可以以与所描述的方式不同的方式来实施。以上描述旨在说明而非限制。因此，对于本领域的技术人员而言，显而易见的是，在没有背离下文所阐述的权利要求的范围的情况下，可以对所描述的本发明进行修改。
已经结合各种实施例描述了本公开，考虑到本文中所公开的本发明的说明书和实践，本发明的其他实施例对本领域技术人员而言将是显而易见的。说明书和实施例仅被认为是示例性的，本发明的真实范围和精神由所附权利要求指示。
以上描述旨在说明而非限制。因此，对于本领域的技术人员而言，显而易见的是，在没有背离下文所阐述的权利要求的范围的情况下，可以根据描述进行修改。

Claims (15)

1.一种检查工具，包括：
-样品保持器，用于保持样品；
-照射系统，用于照射所述样品保持器中的样品；
-检测系统，用于检测从所述样品保持器中的样品反射和/或散射的光；以及
-处理单元，被配置为确定用于制造具有层的样品的制造过程中的偏差，所述层具有周期性结构，所述周期性结构旨在使得所述层的对应部分完全反射来自所述检测系统的输出的、波长在一波长范围内并且入射角在一角度范围内的光，
其中所述照射系统被配置为发射波长在所述波长范围内并且入射角在所述角度范围内的光。
2.根据权利要求1所述的检查工具，其中所述检测系统被配置为用于检测从所述样品的所述层反射和/或散射的光，包括测量以下参数中的至少一个参数：
-波长；
-幅度；
-相位；以及
-偏振。
3.根据权利要求1所述的检查工具，其中所述处理单元包括非瞬态计算机可读介质，所述非瞬态计算机可读介质包括所检测的波长、幅度、相位和偏振中的一个或多个与以下参数中的一个或多个参数之间的关系：
-临界尺寸；
-节距；
-放置；
-厚度；
-两个层之间的位移；以及
-随机粒子。
4.根据权利要求1所述的检查工具，其中所述检测系统还被配置为用于检测透射通过所述样品的光。
5.根据权利要求1所述的检查工具，其中所述处理单元被配置为基于所确定的制造过程中的偏差来生成用于调整制造过程参数的校正信号。
6.根据权利要求5所述的检查工具，其中所述校正信号包括用于调整所述制造过程期间使用的装置的参数的校正信号。
7.根据权利要求5所述的检查工具，其中所述校正信号包括用于调整用作所述制造过程的输入的设计参数的校正信号。
8.一种制造系统，包括用于执行制造过程的至少一部分的光刻装置以及根据权利要求1至7中任一项所述的检查工具。
9.根据权利要求8所述的制造系统，其中所述检查工具是根据权利要求6所述的检查工具，并且其中要由所述校正信号调整的所述装置的参数是所述光刻装置的所述照射系统或所述投射系统的参数。
10.根据权利要求8所述的制造系统，其中所述检查工具是根据权利要求7所述的检查工具，并且其中要由所述校正信号调整的所述设计参数是由所述图案形成装置赋予所述辐射的图案与所述衬底上的对应预期结构之间的关系。
11.一种用于确定制造过程中的偏差的方法，包括以下步骤：
a.提供具有层的样品，所述层具有周期性结构，所述周期性结构使用制造过程制造并且旨在使得所述层的对应部分完全反射波长在一波长范围内并且入射角在一角度范围内的光；
b.使用波长在所述波长范围内并且入射角在所述角度范围内的光来照射所述样品；
c.检测从所述样品的所述层反射和/或散射的光；以及
d.从所检测的光确定所述制造过程中的偏差。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述方法还包括生成校正信号的步骤，所述校正信号用于基于所确定的所述制造过程中的偏差来调整制造过程参数。
13.一种具有层的样品，所述层具有周期性结构，所述周期性结构旨在使得所述层的对应部分完全反射波长在一波长范围内并且入射角在一角度范围内的光，其中所述样品适于用于根据权利要求11和12中任一项所述的方法或根据权利要求1至7中任一项所述的检查工具。
14.根据权利要求13所述的样品，其中具有所述周期性结构的所述层旨在使得所述层的所述对应部分完全反射波长在波长范围内并且具有所有入射角的光。
15.根据权利要求13或14所述的样品，其中所述周期性结构是周期性介电结构。
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