CN116056480A - 发光器件和包括该发光器件的电子设备 - Google Patents

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Abstract

公开了一种发光器件和包括该发光器件的电子设备。该发光器件包括：第一电极；第二电极，面对第一电极；以及中间层，在第一电极与第二电极之间，其中，中间层包括第一发射层和第二发射层，第一发射层包括第一空穴传输主体、第二电子传输主体和第一磷光掺杂剂，第二发射层包括第二空穴传输主体、第二电子传输主体和第二磷光掺杂剂，并且其中，(i)第一发射层的空穴迁移率比第一发射层的电子迁移率快，或者(ii)第一发射层中的第一空穴传输主体的空穴迁移率比第一发射层中的第一电子传输主体的电子迁移率快。

Description

发光器件和包括该发光器件的电子设备
本申请要求于2021年10月27日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0144966号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种发光器件和包括该发光器件的电子设备。
背景技术
与现有技术的器件相比，有机发光器件是具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异或合适的特性且产生全色图像的自发射器件。
有机发光器件可以包括位于基底上的第一电极以及顺序地堆叠在第一电极上的空穴传输区域、发射层、电子传输区域和第二电极。从第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区域朝向发射层移动，从第二电极提供的电子可以通过电子传输区域朝向发射层移动。作为载流子的空穴和电子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态，从而产生光。
发明内容
根据本公开的一个或更多个实施例的方面涉及一种发光器件和包括该发光器件的电子设备，发光器件通过在发射层中包括特定化合物组合而具有改善的效率和寿命特性。
附加的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过给出的公开的实施例的实践而获知。
根据一个或更多个实施例，一种发光器件包括：第一电极；
第二电极，面对第一电极；以及
中间层，在第一电极与第二电极之间，其中，
中间层包括第一发射层和第二发射层，
第一发射层包括第一空穴传输主体、第一电子传输主体和第一磷光掺杂剂，
第二发射层包括第二空穴传输主体、第二电子传输主体和第二磷光掺杂剂，并且其中，
(i)第一发射层的空穴迁移率比第一发射层的电子迁移率快，或者
(ii)第一发射层中的第一空穴传输主体的空穴迁移率比第一发射层中的第一电子传输主体的电子迁移率快。
根据一个或更多个实施例，一种电子设备包括发光器件。
附图说明
通过结合附图的以下描述，公开的某些实施例的以上和其它方面、特征及改善将更加明显，在附图中：
图1是根据实施例的发光器件的结构的示意图；
图2是根据实施例的发光器件的结构的示意图；
图3是根据实施例的发光器件的结构的示意图；
图4是根据实施例的发光器件的结构的示意图；
图5是根据实施例的电子设备的结构的示意图；
图6是根据实施例的电子设备的结构的示意图；
图7是根据实施例的利用发光器件的主体化合物的仅空穴器件的驱动电压-电流密度曲线图；以及
图8是根据实施例的利用发光器件的主体化合物的仅电子器件的驱动电压-电流密度曲线图。
具体实施方式
现在将更详细地参照实施例，其示例在附图中示出，其中，同样的附图标记始终指同样的元件，并且可以不提供其重复描述。在这方面，给出的实施例可以具有不同的形式并且不应被解释为限于在此所阐述的描述。因此，通过参照附图仅描述了实施例，以解释本说明书的方面。如在此所利用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者(例如，同时)、a和c两者(例如，同时)、b和c两者(例如，同时)、a、b和c中的全部或它们的变型。
因为公开可以具有不同的修改实施例，所以在附图中示出且在详细描述中描述了实施例。当参照参考附图描述的实施例时，公开的效果和特性以及实现这些效果和特性的方法将是明显的。然而，公开可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于在此所阐述的实施例。
在下文中，将参照附图更详细地描述本公开的实施例。相同或对应的组件将由相同的附图标记表示，因此将不提供其冗余描述。
将理解的是，虽然在此可以利用术语“第一”、“第二”等来描述一个或更多个合适的组件，但是这些组件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。
除非其在上下文中具有明显不同的含义，否则以单数利用的表述涵盖复数的表述。
如在此所利用的，术语“包括”、“包含”、“具有”和/或其变型说明存在所陈述的特征、整体、工艺、操作、元件、组件和/或它们的组合，但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、工艺、操作、元件、组件和/或它们的组合。
为了便于解释，可以夸大附图中的元件的尺寸。换句话说，因为为了便于解释而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，所以以下实施例不限于此。
当不同地实现某个实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，连续描述的两个工艺可以基本上并发地(例如，同时地)执行，或者可以以与所描述的顺序相反的顺序执行。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“连接到”另一层、区域或组件时，所述层、区域或组件可以直接连接到所述另一层、区域或组件，或者间接连接到所述另一层、区域或组件且存在一个或更多个居间层、区域或组件。例如，将理解的是，当层、区域或组件被称为“电连接到”另一层、区域或组件时，所述层、区域或组件可以直接电连接到所述另一层、区域或组件，或者间接电连接到所述另一层、区域或组件且存在一个或更多个居间层、区域或组件。
如在此所使用的术语“中间层”指发光器件的第一电极与第二电极之间的单个层和/或所有层。
根据实施例的发光器件包括：第一电极；
第二电极，面对第一电极；以及
中间层，位于第一电极与第二电极之间，其中，
中间层包括第一发射层和第二发射层，
第一发射层包括第一空穴传输主体、第一电子传输主体和第一磷光掺杂剂，
第二发射层包括第二空穴传输主体、第二电子传输主体和第二磷光掺杂剂。
在实施例中，(i)第一发射层的空穴迁移率可以比第一发射层的电子迁移率快。
第一发射层的空穴迁移率指第一发射层中的主体材料的空穴迁移率。例如，第一发射层的空穴迁移率可以指第一空穴传输主体和第一电子传输主体的空穴迁移率。
第一发射层的电子迁移率指第一发射层中的主体材料的电子迁移率。例如，第一发射层的电子迁移率可以指第一空穴传输主体和第一电子传输主体的电子迁移率。
根据实施例，(ii)第一发射层中的第一空穴传输主体的空穴迁移率可以比第一发射层中的第一电子传输主体的电子迁移率快。
在本说明书中，化合物(在下面的结构中表示为“化合物(Compound)”)的“空穴迁移率”是在25℃的室温下通过利用Keithley 2400和高阻抗静电计Keithley 6514的源计单元通过驱动具有
Figure BDA0003867489670000041
Figure BDA0003867489670000042
Figure BDA0003867489670000043
的结构的仅空穴器件(HOD)来测量的，通过利用HP4294A设定(例如，利用)100Hz来测量电容。
在本说明书中，化合物(在下面的结构中表示为“化合物(Compound)”)的“电子迁移率”是在25℃的室温下通过利用Keithley 2400和高阻抗静电计Keithley 6514的源计单元通过驱动具有
Figure BDA0003867489670000044
Figure BDA0003867489670000045
Figure BDA0003867489670000046
的结构的仅电子器件(EOD)来测量的，通过利用HP4294A设定(例如，利用)100Hz来测量电容。
Figure BDA0003867489670000051
在实施例中，“空穴传输主体”可以是包括空穴传输部分的化合物。
在实施例中，“电子传输主体”可以是具有双极性性质的化合物以及包括电子传输部分的化合物。
在本说明书中，“空穴传输主体”和“电子传输主体”可以根据空穴迁移率与电子迁移率之间的相对差异来理解。例如，即使当电子传输主体不包括电子传输部分时，表现出比空穴传输主体相对高的电子迁移率的双极性化合物也可以被理解为电子传输主体。
在发光器件中，(i)第一发射层的空穴迁移率比第一发射层的电子迁移率快，或者(ii)第一发射层中的第一空穴传输主体的空穴迁移率比第一电子传输主体的电子迁移率快，因此，空穴注入特性可以是稳定的，并且可以防止或减少在高场方向(high fielddirection)上发生的激子-极化子猝灭现象(exciton-polaron quenching phenomenon)。因此，在发光器件中，可以减少滚降现象，并且可以改善效率和寿命特性。
在实施例中，第一发射层的空穴迁移率(HM1)与第一发射层的电子迁移率(EM1)的比(HM1:EM1)可以满足2:1至1,000:1(例如，5:1至500:1)的范围。
例如，第一发射层的空穴迁移率可以满足1.0×10-5Vs/cm2至5.0×10-2Vs/cm2或1.0×10-5Vs/cm2至1.0×10-2Vs/cm2的范围，第一发射层的电子迁移率可以满足1.0×10- 7Vs/cm2至5.0×10-2Vs/cm2或1.0×10-7Vs/cm2至5.0×10-3Vs/cm2的范围。
在实施例中，第一发射层中的第一空穴传输主体的空穴迁移率(HM1A)与第一发射层中的第一电子传输主体的电子迁移率(EM1B)的比(HM1A:EM1B)可以满足2:1至1,000:1(例如，5:1至500:1)的范围。
例如，第一发射层中的第一空穴传输主体的空穴迁移率可以满足1.0×10-5Vs/cm2至1.0×10-2Vs/cm2的范围，第一发射层中的第一电子传输主体的电子迁移率可以满足1.0×10-7Vs/cm2至5.0×10-3Vs/cm2的范围。
在实施例中，第二发射层的电子迁移率可以比第一发射层的电子迁移率慢。
第二发射层的电子迁移率指第二发射层中的主体材料的电子迁移率。例如，第二发射层的电子迁移率可以指第二空穴传输主体和第二电子传输主体的电子迁移率。
在发光器件中，第二发射层的电子迁移率比第一发射层的电子迁移率慢，因此，第二发射层的电子注入特性可以较低且可以形成能垒，并且可以防止或减少在高场方向上发生的激子-极化子猝灭现象。因此，在根据一个或更多个实施例的发光器件中，可以减少滚降现象，并且可以改善效率和寿命特性。
在实施例中，第二发射层的电子迁移率(EM2)与第一发射层的电子迁移率(EM1)的比(EM2:EM1)可以是1.0×10-1Vs/cm2至1.0×10-3Vs/cm2。即，第二发射层的电子迁移率(EM2)可以比第一发射层的电子迁移率(EM1)慢1.0×10-1Vs/cm2至1.0×10-3Vs/cm2。
在实施例中，第二发射层的电子迁移率(EM2)与第一发射层的电子迁移率(EM1)的比(EM2:EM1)可以是1:1,000至1:2，例如，1:100至1:5。
例如，第二发射层的电子迁移率可以满足1.0×10-7Vs/cm2至5.0×10-2Vs/cm2或1.0×10-6Vs/cm2至1.0×10-3Vs/cm2的范围，第一发射层的电子迁移率可以满足1.0×10- 7Vs/cm2至5.0×10-2Vs/cm2、1.0×10-7Vs/cm2至5.0×10-3Vs/cm2或1.0×10-6Vs/cm2至5.0×10-3Vs/cm2的范围。
在实施例中，第一空穴传输主体和第二空穴传输主体可以彼此不同，并且
第一电子传输主体和第二电子传输主体可以彼此不同。
例如，发光器件包括具有不同结构的第一空穴传输主体、第二空穴传输主体、第一电子传输主体和第二电子传输主体，并且因此可以包括至少四种不同类型(种类)的主体。
在实施例中，第一空穴传输主体和第二空穴传输主体可以满足下面的不等式1：
不等式1
0.01eV<|LUMO(HT1)|-|LUMO(HT2)|<0.05eV，
其中，在不等式1中，
LUMO(HT1)是第一空穴传输主体的最低未占分子轨道(LUMO)能级，并且
LUMO(HT2)是第二空穴传输主体的LUMO能级。
例如，第一空穴传输主体的LUMO能级可以比第二空穴传输主体的LUMO能级深。
此外，在实施例中，第一电子传输主体和第二电子传输主体可以满足不等式2：
不等式2
0.01eV<|LUMO(ET1)|-|LUMO(ET2)|<0.05eV，
其中，在不等式2中，
LUMO(ET1)是第一电子传输主体的LUMO能级，并且
LUMO(ET2)是第二电子传输主体的LUMO能级。
例如，第一电子传输主体的LUMO能级可以比第二电子传输主体的LUMO能级深。
因为根据实施例的发光器件满足不等式1和不等式2，所以可以在第二发射层中形成能垒，因此，可以防止或减少在高场方向上发生的激子-极化子猝灭现象。因此，在发光器件中，可以减少滚降现象，并且可以改善效率和寿命特性。
在实施例中，第一空穴传输主体和第二空穴传输主体可以均独立地由式311-1至式311-6中的一个表示，并且
第一电子传输主体和第二电子传输主体可以均独立地由式312-1至式312-4和式313中的一个表示：
式311-1
Figure BDA0003867489670000071
式311-2
Figure BDA0003867489670000081
式311-3
Figure BDA0003867489670000082
式311-4
Figure BDA0003867489670000083
式311-5
Figure BDA0003867489670000084
式311-6
Figure BDA0003867489670000091
式312-1
Figure BDA0003867489670000092
式312-2
Figure BDA0003867489670000093
式312-3
Figure BDA0003867489670000094
式312-4
Figure BDA0003867489670000095
式313
Figure BDA0003867489670000101
式313A
Figure BDA0003867489670000102
其中，在式311-1至式311-6、式312-1至式312-4、式313和式313A中，
Ar301可以是未取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基或者未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基，
A301至A304可以均独立地是C3-C60碳环基或C1-C60杂环基，
X301可以是O、S、N-[(L304)xb4-R304]、C[(L304)xb4-R304][(L305)xb5-R305]或Si[(L304)xb4-R304][(L305)xb5-R305]，
X302、Y301和Y302可以均独立地是单键、O、S、N-[(L305)xb5-R305]、C[(L304)xb4-R304][(L305)xb5-R305]、Si[(L304)xb4-R304][(L305)xb5-R305]或S(＝O)2，
xb1至xb5可以均独立地是0、1、2、3、4或5，
xb6可以是1、2、3、4或5，
X321至X328可以均独立地是N或C[(L324)xb24-R324]，
Y321可以是*-O-*'、*-S-*'、*-N[(L325)xb25-R325]-*'、*-C[(L325)xb25-R325][(L326)xb26-R326]-*'、*-C[(L325)xb25-R325]＝C[(L326)xb26-R326]-*'、*-C[(L325)xb25-R325]＝N-*'或*-N＝C[(L326)xb26-R326]-*'，
k21可以是0、1或2，其中，当k21是0时，不存在Y321，
xb21至xb26可以均独立地是0、1、2、3、4或5，
A31、A32和A34可以均独立地是C3-C60碳环基或C1-C30杂环基，
A33可以是由式313A表示的基团，
X31可以是N[(L335)xb35-(R335)]、O、S、Se、C[(L335)xb35-(R335)][(L336)xb36-(R336)]或Si[(L335)xb35-(R335)][(L336)xb36-(R336)]，
xb31至xb36可以均独立地是0、1、2、3、4或5，
xb42至xb44可以均独立地是0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10，
L301至L306、L321至L326和L331至L336可以均独立地是单键、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C20亚烷基、未取代或取代有至少一个R10a的C2-C20亚烯基、未取代或取代有至少一个R10a的C2-C20亚炔基、未取代或取代有至少一个R10a的C3-C10亚环烷基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C10亚杂环烷基、未取代或取代有至少一个R10a的C3-C10亚环烯基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C10亚杂环烯基、未取代或取代有至少一个R10a的C6-C60亚芳基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60亚杂芳基、未取代或取代有至少一个R10a的二价非芳香缩合多环基或者未取代或取代有至少一个R10a的二价非芳香缩合杂多环基，
R301至R305、R311至R314、R321至R326和R331至R336可以均独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷基、未取代或取代有至少一个R10a的C2-C60烯基、未取代或取代有至少一个R10a的C2-C60炔基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷氧基、未取代或取代有至少一个R10a的C3-C10环烷基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C10杂环烷基、未取代或取代有至少一个R10a的C3-C10环烯基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C10杂环烯基、未取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳基、未取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳氧基、未取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳硫基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂芳基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂芳氧基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂芳硫基、未取代或取代有至少一个R10a的单价非芳香缩合多环基、未取代或取代有至少一个R10a的单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-N(Q1)(Q2)、-P(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)、-P(＝O)(Q1)(Q2)或-P(＝S)(Q1)(Q2)，
R321至R324中的两个或更多个取代基可以可选地结合在一起以形成未取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基或者未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基，
R10a可以是：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；
均未取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳氧基、C1-C60杂芳硫基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或它们的任何组合的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基或C1-C60烷氧基；
均未取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳氧基、C1-C60杂芳硫基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或它们的任何组合的C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳氧基或C1-C60杂芳硫基；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)，并且
Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可以均独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C1-C60烷基；C2-C60烯基；C2-C60炔基；C1-C60烷氧基；或者均未取代或取代有氘、-F、氰基、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合的C3-C60碳环基或C1-C60杂环基。
在实施例中，Ar301和A301至A304可以均独立地是苯基团、萘基团、菲基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、
Figure BDA0003867489670000121
基团、茚基团、芴基团、螺二芴基团、苯并芴基团、二苯并芴基团、吲哚基团、吡啶基团、嘧啶基团、咔唑基团、苯并咔唑基团、二苯并咔唑基团、氮杂咔唑基团、呋喃基团、苯并呋喃基团、二苯并呋喃基团、氮杂二苯并呋喃基团、萘并呋喃基团、苯并萘并呋喃基团、二萘并呋喃基团、噻吩基团、苯并噻吩基团、二苯并噻吩基团、氮杂二苯并噻吩基团、萘并噻吩基团、苯并萘并噻吩基团或二萘并噻吩基团。
在实施例中，L301至L306、L321至L326和L331至L336可以均独立地是：单键、亚苯基、亚并环戊二烯基、亚茚基、亚萘基、亚甘菊环基、亚庚搭烯基、亚引达省基、亚苊基、亚芴基、亚螺二芴基、亚螺芴苯并芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚
Figure BDA0003867489670000122
基、亚并四苯基、亚苉基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚蒄基、亚卵苯基、亚吡咯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚吡啶基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚异吲哚基、亚吲哚基、亚吲唑基、亚嘌呤基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚咔唑基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚苯并异噻唑基、亚苯并噁唑基、亚异苯并噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚噁二唑基、亚三嗪基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚二苯并噻咯基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚噻二唑基、亚咪唑并吡啶基或亚咪唑并嘧啶基；或者
均取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、甘菊环基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
Figure BDA0003867489670000131
基、并四苯基、芘基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基、卵苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)、-P(＝O)(Q31)(Q32)或它们的任何组合的亚苯基、亚并环戊二烯基、亚茚基、亚萘基、亚甘菊环基、亚庚搭烯基、亚引达省基、亚苊基、亚芴基、亚螺二芴基、亚螺芴苯并芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9,10]菲基、亚芘基、亚
Figure BDA0003867489670000132
基、亚并四苯基、亚苉基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚蒄基、亚卵苯基、亚吡咯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚吡啶基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚异吲哚基、亚吲哚基、亚吲唑基、亚嘌呤基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚咔唑基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚苯并异噻吩基、亚苯并噁唑基、亚异苯并噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚噁二唑基、亚三嗪基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚二苯并噻咯基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚噻二唑基、亚咪唑并吡啶基或亚咪唑并嘧啶基，
其中，Q31至Q33可以均独立地是：C1-C10烷基；C1-C10烷氧基；苯基；取代有C1-C10烷基的苯基；联苯基；三联苯基；萘基；吡啶基；嘧啶基；三嗪基；喹啉基；或异喹啉基。
在实施例中，L301至L306、L321至L326和L331至L336可以均独立地是由式3-1至式3-26中的一个表示的基团：
Figure BDA0003867489670000141
Figure BDA0003867489670000151
其中，在式3-1至式3-26中，
Z11至Z14可以均独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、
Figure BDA0003867489670000152
基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、三嗪基、苯并咪唑基、菲咯啉基或-Si(Q31)(Q32)(Q33)，
Q31至Q33可以均独立地是C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基，
d3可以是0、1、2或3，
d4可以是0、1、2、3或4，
d5可以是0、1、2、3、4或5，
d6可以是0、1、2、3、4、5或6，
d8可以是0、1、2、3、4、5、6、7或8，并且
*和*'均表示与相邻原子的结合位。
在式311-1至式311-6、式312-1至式312-4、式313和式313A中，xb21至xb26和xb31至xb36可以均独立地是0、1、2、3、4或5。
在实施例中，xb21至xb26和xb31至xb36可以均独立地是0、1或2。
例如，xb21至xb26和xb31至xb36可以均独立地是0或1。
在实施例中，R301至R305、R311至R314、R321至R324和R331至R336可以均独立地是：氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基或氰基；
C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基或C1-C20烷氧基；
均取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)、-P(＝O)(Q31)(Q32)或它们的任何组合的C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基或C1-C20烷氧基；
环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
Figure BDA0003867489670000162
基、吡咯基、呋喃基、噻吩基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基或咪唑并嘧啶基；或者
均取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
Figure BDA0003867489670000161
基、吡咯基、呋喃基、噻吩基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)、-P(＝O)(Q31)(Q32)或它们的任何组合的环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
Figure BDA0003867489670000171
基、吡咯基、呋喃基、噻吩基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基或咪唑并嘧啶基，
其中，Q31至Q33可以均独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C1-C20烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C20芳基、C1-C20杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、联苯基或三联苯基。
在实施例中，R301至R305、R311至R314、R321至R324和R331至R336可以均独立地是：氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基或氰基；均取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、苯基、联苯基或它们的任何组合的C1-C20烷基或C1-C20烷氧基；或者由式5-1至式5-26和式6-1至式6-55中的一个表示的基团：
Figure BDA0003867489670000181
Figure BDA0003867489670000191
Figure BDA0003867489670000201
Figure BDA0003867489670000211
其中，在式5-1至式5-26和式6-1至式6-55中，
Y31和Y32可以均独立地是O、S、C(Z33)(Z34)、N(Z33)或C(Z33)(Z34)，
Z31至Z34可以均独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、菲基、蒽基、苯并[9,10]菲基、吡啶基、嘧啶基、咔唑基或三嗪基，
e2可以是1或2，
e3可以是1、2或3，
e4可以是1、2、3或4，
e5可以是1、2、3、4或5，
e6可以是1、2、3、4、5或6，
e7可以是1、2、3、4、5、6或7，
e9可以是1、2、3、4、5、6、7、8或9，并且
*表示与相邻原子的结合位。
在实施例中，xb42至xb44可以均独立地是0、1、2、3、4、5、6、7或8。
例如，xb42至xb44可以均独立地是0、1、2、3或4。
例如，xb42至xb44可以均独立地是0、1或2。
在实施例中，第一空穴传输主体和第二空穴传输主体可以均独立地选自于化合物HH-1至化合物HH-21：
Figure BDA0003867489670000231
Figure BDA0003867489670000241
在实施例中，第一电子传输主体和第二电子传输主体可以均独立地选自于化合物EH-1至化合物EH-24：
Figure BDA0003867489670000251
Figure BDA0003867489670000261
在实施例中，第一空穴传输主体和第一电子传输主体可以形成激基复合物。
在实施例中，第二空穴传输主体和第二电子传输主体可以形成激基复合物。
在实施例中，第一磷光掺杂剂和第二磷光掺杂剂可以彼此相同或不同。
在实施例中，第一磷光掺杂剂和第二磷光掺杂剂可以均独立地具有约490nm至约580nm的最大发射波长。
例如，第一磷光掺杂剂和第二磷光掺杂剂可以均是绿色掺杂剂。
在实施例中，第一磷光掺杂剂和第二磷光掺杂剂可以均独立地具有约510nm至约545nm的最大发射波长。
在实施例中，第一磷光掺杂剂的最大发射波长可以是约520nm至约540nm。
在实施例中，第一磷光掺杂剂的最大发射波长与第二磷光掺杂剂的最大发射波长之间的差可以是约10nm或更小，例如，约5nm或更小或者约3nm或更小。
在实施例中，第一磷光掺杂剂的发射光谱与第二磷光掺杂剂的发射光谱之间的重合比可以是约80％或更大。例如，第一磷光掺杂剂的发射光谱与第二磷光掺杂剂的发射光谱之间的重合比可以是约85％或更大或者约90％或更大且约100％或更小。
例如，第一磷光掺杂剂的发射光谱与第二磷光掺杂剂的发射光谱彼此重叠的区域的面积可以是第一磷光掺杂剂的发射光谱区域的面积的约80％或更大。例如，第一磷光掺杂剂的发射光谱与第二磷光掺杂剂的发射光谱彼此重叠的区域的面积可以是第一磷光掺杂剂的发射光谱区域的面积的约85％或更大或者约90％或更大且约100％或更小。
在实施例中，第一磷光掺杂剂和第二磷光掺杂剂可以均独立地是由式411或式412表示的化合物：
式411
Figure BDA0003867489670000281
式412
Figure BDA0003867489670000282
在式411和式412中，
M41和M42可以均独立地是铂(Pt)、钯(Pd)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铑(Rh)、铱(Ir)、钌(Ru)、锇(Os)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)或铥(Tm)；
n41可以是1、2或3，
Ln42可以是有机配体，并且n42可以是0、1或2，
Y41至Y46可以均独立地是N或C，
A41至A46可以均独立地是C3-C60碳环基或C1-C60杂环基，
T41至T46可以均独立地是单键、*-O-*'或*-S-*'，
L41至L45可以均独立地是单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(R47)(R48)-*'、*-C(R47)＝*'、*＝C(R47)-*'、*-C(R47)＝C(R48)-*'、*-C(＝O)-*'、*-C(＝S)-*'、*-C≡C-*'、*-B(R47)-*'、*-N(R47)-*'、*-P(R47)-*'、*-Si(R47)(R48)-*'、*-P(＝O)(R47)-*'或*-Ge(R47)(R48)-*'，
m41至m45可以均独立地是0、1、2或3，
R41至R48可以均独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C20烷基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C20烷氧基、未取代或取代有至少一个R10a的C3-C10环烷基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C10杂环烷基、未取代或取代有至少一个R10a的C3-C10环烯基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C10杂环烯基、未取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳基、未取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳氧基、未取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳硫基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂芳基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂芳氧基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂芳硫基、未取代或取代有至少一个R10a的单价非芳香缩合多环基、未取代或取代有至少一个R10a的单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q41)(Q42)(Q43)、-N(Q41)(Q42)、-B(Q41)(Q42)、-C(＝O)(Q41)、-S(＝O)2(Q41)或-P(＝O)(Q41)(Q42)，
R47和R41；R47和R42；R47和R43；或者R47和R44可以可选地结合在一起以形成未取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基或者未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基，
b41至b46可以均独立地是1、2、3、4、5、6、7或8，
*和*'均表示与相邻原子的结合位，并且
R10a可以是：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；
均未被取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳基烷基、C1-C60杂芳氧基、C1-C60杂芳硫基、C2-C60杂芳基烷基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或它们的任何组合的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基或C1-C60烷氧基；
均未被取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳基烷基、C1-C60杂芳氧基、C1-C60杂芳硫基、C2-C60杂芳基烷基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或它们的任何组合的C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳基烷基、C1-C60杂芳氧基、C1-C60杂芳硫基或C2-C60杂芳基烷基；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)，
其中，Q11至Q13、Q21至Q23、Q31至Q33和Q41至Q43可以均独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C1-C60烷基；C2-C60烯基；C2-C60炔基；C1-C60烷氧基；或者均未被取代或取代有氘、-F、氰基、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合的C3-C60碳环基或C1-C60杂环基。
在实施例中，R41至R48可以均独立地是：
氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基或氰基；
C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基或C1-C20烷氧基；
均取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)、-P(＝O)(Q31)(Q32)或它们的任何组合的C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基或C1-C20烷氧基；
环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
Figure BDA0003867489670000301
基、吡咯基、呋喃基、噻吩基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基或咪唑并嘧啶基；或者
均取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C1-C20烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
Figure BDA0003867489670000311
基、吡咯基、呋喃基、噻吩基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)、-P(＝O)(Q31)(Q32)或它们的任何组合的环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、并环戊二烯基、茚基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
Figure BDA0003867489670000312
基、吡咯基、呋喃基、噻吩基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基或咪唑并嘧啶基，
其中，Q31至Q33可以均独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C1-C20烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C20芳基、C1-C20杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、联苯基或三联苯基。
在实施例中，R41至R48可以均独立地是：氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基或氰基；均取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、苯基、联苯基或它们的任何组合的C1-C20烷基或C1-C20烷氧基；或者由式5-1至式5-26和式6-1至式6-55中的一个表示的基团：
Figure BDA0003867489670000321
Figure BDA0003867489670000331
Figure BDA0003867489670000341
Figure BDA0003867489670000351
其中，在式5-1至式5-26和式6-1至式6-55中，
Y31和Y32可以均独立地是O、S、C(Z33)(Z34)、N(Z33)或Si(Z33)(Z34)，
Z31至Z34可以均独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺二芴基、菲基、蒽基、苯并[9,10]菲基、吡啶基、嘧啶基、咔唑基或三嗪基，
e2可以是1或2，
e3可以是1、2或3，
e4可以是1、2、3或4，
e5可以是1、2、3、4或5，
e6可以是1、2、3、4、5或6，
e7可以是1、2、3、4、5、6或7，
e9可以是1、2、3、4、5、6、7、8或9，并且
*表示与相邻原子的结合位。
在实施例中，b41至b46可以均独立地是1、2、3、4、5、6、7或8。
例如，b41至b46可以均独立地是1、2、3或4。
例如，b41至b46可以均独立地是1或2。
在实施例中，第一磷光掺杂剂和第二磷光掺杂剂可以均独立地选自于化合物G-1至化合物G-12：
Figure BDA0003867489670000361
在实施例中，基于100重量份的第一发射层，第一空穴传输主体的量可以是约0.1重量份至约99重量份(例如，约0.5重量份至约95重量份或者0.1重量份至约90重量份)，第一电子传输主体的量可以是约0.1重量份至约99重量份(例如，约0.5重量份至约95重量份或者0.1重量份至约90重量份)。
在实施例中，基于100重量份的第一发射层，第一磷光掺杂剂的量可以是约0.1重量份至约40重量份。例如，基于100重量份的第一发射层，第一磷光掺杂剂的量可以是约0.5重量份至约30重量份或者约0.1重量份至约20重量份。
在实施例中，基于第一发射层的重量，第一空穴传输主体的量和第一电子传输主体的量可以基本上彼此相等，或者第一空穴传输主体的量可以比第一电子传输主体的量大，或者第一电子传输主体的量可以比第一空穴传输主体的量大。
在实施例中，基于100重量份的第二发射层，第二空穴传输主体的量可以是约0.1重量份至约99重量份(例如，约0.5重量份至约95重量份或者0.1重量份至约90重量份)，第二电子传输主体的量可以是约0.1重量份至约99重量份(例如，约0.5重量份至约95重量份或者0.1重量份至约90重量份)。
在实施例中，基于100重量份的第二发射层，第二磷光掺杂剂的量可以是约0.1重量份至约40重量份。例如，基于100重量份的第二发射层，第二磷光掺杂剂的量可以是约0.5重量份至约30重量份、约0.1重量份至约20重量份或者约0.5重量份至约15重量份。
在实施例中，基于第二发射层的重量，第二空穴传输主体的量和第二电子传输主体的量可以基本上彼此相等，或者第二空穴传输主体的量可以比第二电子传输主体的量大，或者第二电子传输主体的量可以比第二空穴传输主体的量大。
在实施例中，第一发射层和第二发射层可以彼此直接接触。
在实施例中，发光器件可以发射具有约490nm至约580nm的最大发射波长的绿光。
在实施例中，发光器件的第一电极可以是阳极，
发光器件的第二电极可以是阴极，
中间层还可以包括在第一电极与发射层之间的空穴传输区域和在发射层与第二电极之间的电子传输区域，
空穴传输区域还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或它们的任何组合，并且
电子传输区域还可以包括空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或它们的任何组合。
在实施例中，第一发射层可以与空穴传输区域直接接触，第二发射层可以与电子传输区域直接接触。
在实施例中，中间层可以包括m个发射单元和在相邻的发射单元之间的m-1个电荷产生单元，并且
m个发射单元中的一个可以包括第一发射层和第二发射层。第一发射层和第二发射层分别与本说明书中所描述的第一发射层和第二发射层相同。
发光器件包括在m个发射单元之中的相邻的发射单元之间的m-1个电荷产生单元。
在实施例中，第m-1电荷产生单元包括在第m发射单元与第m-1发射单元之间。m可以是2或更大的自然数。例如，m可以是2至10的自然数。
例如，当m是2时，可以顺序地布置第一电极、第一发射单元、第一电荷产生单元和第二发射单元。在这种情况下，第一发射单元可以发射第一颜色光，第二发射单元可以发射第二颜色光，第一颜色光的最大发射波长和第二颜色光的最大发射波长可以彼此相同或不同。
在实施例中，当m是3时，可以顺序地布置第一电极、第一发射单元、第一电荷产生单元、第二发射单元、第二电荷产生单元和第三发射单元。在这种情况下，第一发射单元可以发射第一颜色光，第二发射单元可以发射第二颜色光，第三发射单元可以发射第三颜色光，第一颜色光的最大发射波长、第二颜色光的最大发射波长和第三颜色光的最大发射波长可以彼此相同或不同。
在实施例中，当m是4时，可以顺序地布置第一电极、第一发射单元、第一电荷产生单元、第二发射单元、第二电荷产生单元、第三发射单元、第三电荷产生单元和第四发射单元。在这种情况下，第一发射单元可以发射第一颜色光，第二发射单元可以发射第二颜色光，第三发射单元可以发射第三颜色光，第四发射单元可以发射第四颜色光，第一颜色光的最大发射波长、第二颜色光的最大发射波长、第三颜色光的最大发射波长和第四颜色光的最大发射波长可以彼此相同或不同。
在实施例中，从m个发射单元之中的至少一个发射单元发射的光的最大发射波长可以与从其余的发射单元之中的至少另一发射单元发射的光的最大发射波长不同。
在根据实施例的发光器件中，m个发射单元中的至少一个可以包括第一发射层和第二发射层。
例如，作为最靠近第一电极的第m个的第m发射单元可以包括空穴传输区域、发射区域和电子传输区域，发射区域可以包括第一发射层和第二发射层。
参照图3和图4，在m个发射单元之中，作为最靠近第一电极110的第m个的发射单元可以被称为第m发射单元。
在m个发射单元之中的最靠近第一电极110的发射单元被称为第一发射单元145(1)，最远离第一电极110的发射单元被称为第m发射单元145(m)，顺序地布置第一发射单元145(1)至第m发射单元145(m)。例如，第m-1发射单元145(m-1)布置在第一发射单元145(1)与第m发射单元145(m)之间。
m-1个电荷产生单元中的至少一个可以包括n型或n种类的电荷产生层、p型或p种类的电荷产生层以及/或者p型或p种类的空穴注入层。
在实施例中，在m-1个电荷产生单元之中，作为最靠近第一电极110的第m-1个的电荷产生单元可以被称为第m-1电荷产生单元。
在实施例中，第m-1电荷产生单元144(m-1)可以包括第m-1n型或n种类的电荷产生层、第m-1p型或p种类的电荷产生层以及/或者第m-1p型或p种类的空穴注入层。
例如，在第m-1电荷产生单元144(m-1)中，可以顺序地堆叠第m-1n型或n种类的电荷产生层、第m-1p型或p种类的电荷产生层以及第m-1p型或p种类的空穴注入层。
在实施例中，第m-1p型或p种类的电荷产生层(pCGL(m-1))可以与第m-1n型或n种类的电荷产生层(nCGL(m-1))和第m-1p型或p种类的空穴注入层(pHIL(m-1))直接接触。
根据另一实施例，电子设备可以包括如上所述的发光器件。电子设备还可以包括薄膜晶体管。在一些实施例中，电子设备还可以包括包含源电极和漏电极的薄膜晶体管，其中，发光器件的第一电极可以电连接到源电极或漏电极。在实施例中，电子设备还可以包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或它们的任何组合。电子设备的更多细节可以与本说明书中所描述的细节相同。
图1至图4的描述
图1和图2均是根据实施例的发光器件10的示意性剖视图。发光器件10包括第一电极110、中间层130和第二电极150，中间层130包括第一发射层135A和第二发射层135B。
此外，参照图3和图4，发光器件10的中间层130可以包括m个发射单元145(1)…145(m-1)和145(m)以及布置在相邻的发射单元之间的m-1个电荷产生单元，m个发射单元145(1)…145(m-1)和145(m)中的一个可以包括第一发射层135A和第二发射层135B。
在下文中，将参照图1至图4描述根据实施例的发光器件10的结构和制造发光器件10的方法。
第一电极110
在图1中，基底可以附加地位于第一电极110下面或第二电极150上方。作为基底，可以利用玻璃基底或塑料基底。在实施例中，基底可以是柔性基底，并且可以包括具有优异或合适的耐热性和耐久性的塑料(诸如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺或它们的任何组合)。
第一电极110可以通过例如在基底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成。当第一电极110是阳极时，用于形成第一电极110的材料可以是促进空穴注入的高逸出功材料。
第一电极110可以是反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)或它们的任何组合。在实施例中，当第一电极110是半透射电极或反射电极时，镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或它们的任何组合可以用作用于形成第一电极110的材料。
第一电极110可以具有由单个层组成的单层结构或者包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。
中间层130
中间层130可以位于第一电极110上。中间层130可以包括发射层。
中间层130还可以包括在第一电极110与发射层之间的空穴传输区域以及在发射层与第二电极150之间的电子传输区域。
除了一种或更多种合适的有机材料之外，中间层130还可以包括一种或更多种含金属化合物(诸如一种或更多种有机金属化合物)以及/或者一种或更多种无机材料(诸如量子点)等。
在实施例中，中间层130可以包括：i)两个或更多个发射单元，顺序地堆叠在第一电极110与第二电极150之间；以及ii)电荷产生层，位于两个或更多个发射单元之间。当中间层130包括如上所述的两个或更多个发射单元以及电荷产生层时，发光器件10可以是串联发光器件。
中间层130中的空穴传输区域
空穴传输区域可以具有：i)由单个层组成的单层结构，所述单个层由单种材料组成；ii)由单个层组成的单层结构，所述单个层包括多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)；或者iii)包括多个层的多层结构，所述多个层包括不同材料。
空穴传输区域可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或它们的任何组合。
例如，空穴传输区域可以具有包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，每种结构的层从第一电极110以相应陈述次序顺序地堆叠。
空穴传输区域可以包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或它们的任何组合：
式201
Figure BDA0003867489670000411
式202
Figure BDA0003867489670000412
其中，在式201和式202中，
L201至L204可以均独立地是未取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基或者未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基，
L205可以是*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q201)-*'、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C20亚烷基、未取代或取代有至少一个R10a的C2-C20亚烯基、未取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基或者未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基，
xa1至xa4可以均独立地是0至5的整数，
xa5可以是1至10的整数，
R201至R204和Q201可以均独立地是未取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基或者未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基，
R201和R202可以可选地经由单键、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C5亚烷基或者未取代或取代有至少一个R10a的C2-C5亚烯基彼此连接，以形成未取代或取代有至少一个R10a的C8-C60多环基(例如，咔唑基团等)(例如，化合物HT16)，
R203和R204可以可选地经由单键、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C5亚烷基或者未取代或取代有至少一个R10a的C2-C5亚烯基彼此连接，以形成未取代或取代有至少一个R10a的C8-C60多环基，并且
na1可以是1至4的整数。
在实施例中，式201和式202中的每个可以包括由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一个：
Figure BDA0003867489670000421
其中，在式CY201至式CY217中，R10b和R10c可以均独立地与关于R10a所描述的相同，环CY201至环CY204可以均独立地是C3-C20碳环基或C1-C20杂环基，式CY201至式CY217中的至少一个氢可以未被取代或取代有如上所述的R10a。
在实施例中，式CY201至式CY217中的环CY201至环CY204可以均独立地是苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团。
在实施例中，式201和式202中的每个可以包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个。
在实施例中，式201可以包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个和由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。
在实施例中，式201中的xa1可以是1，R201可以是由式CY201至式CY203中的一个表示的基团，xa2可以是0，R202可以是由式CY204至式CY207中的一个表示的基团。
在实施例中，式201和式202中的每个可以不包括(例如，可以排除)由式CY201至式CY203表示的基团中的任何一个。
在实施例中，式201和式202中的每个可以不包括(例如，可以排除)由式CY201至式CY203表示的基团中的任何一个，并且可以包括由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。
在实施例中，式201和式202中的每个可以不包括(例如，可以排除)由式CY201至式CY217表示的基团中的任何一个。
在实施例中，空穴传输区域可以包括化合物HT1至化合物HT46、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)和聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)中的至少一种或它们的任何组合：
Figure BDA0003867489670000441
Figure BDA0003867489670000451
Figure BDA0003867489670000461
Figure BDA0003867489670000471
Figure BDA0003867489670000481
空穴传输区域的厚度可以在约
Figure BDA0003867489670000482
至约
Figure BDA0003867489670000483
(例如，约
Figure BDA0003867489670000484
至约
Figure BDA0003867489670000485
)的范围内。当空穴传输区域包括空穴注入层、空穴传输层或它们的任何组合时，空穴注入层的厚度可以在约
Figure BDA0003867489670000486
至约
Figure BDA0003867489670000487
(例如，约
Figure BDA0003867489670000488
至约
Figure BDA0003867489670000489
)的范围内，空穴传输层的厚度可以在约
Figure BDA00038674896700004810
至约
Figure BDA00038674896700004811
(例如，约
Figure BDA00038674896700004812
至约
Figure BDA00038674896700004813
)的范围内。当空穴传输区域、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的空穴传输特性，而不显著增大驱动电压。
发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增大发光效率，电子阻挡层可以阻挡或减少电子从发射层到空穴传输区域的泄漏。可以包括在空穴传输区域中的材料可以包括在发射辅助层和电子阻挡层中。
p掺杂剂
除了这些材料之外，空穴传输区域还可以包括用于改善导电性质的电荷产生材料。电荷产生材料可以(例如，以由电荷产生材料组成的单个层的形式)均匀地或非均匀地分散在空穴传输区域中。
电荷产生材料可以是例如p掺杂剂。
在实施例中，p掺杂剂的最低未占分子轨道(LUMO)能级可以是约-3.5eV或更小。
在实施例中，p掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基化合物、包含元素EL1和元素EL2的化合物或者它们的任何组合。
醌衍生物的示例可以包括TCNQ和/或F4-TCNQ等。
含氰基化合物的示例可以包括HAT-CN和/或由式221表示的化合物等。
Figure BDA0003867489670000491
式221
Figure BDA0003867489670000492
在式221中，
R221至R223可以均独立地是未取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基或者未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基，并且
R221至R223中的至少一个可以均独立地是均取代有以下基团的C3-C60碳环基或C1-C60杂环基：氰基；-F；-Cl；-Br；-I；取代有氰基、-F、-Cl、-Br、-I或它们的任何组合的C1-C20烷基；或者它们的任何组合。
在包含元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可以是金属、准金属或它们的组合，元素EL2可以是非金属、准金属或它们的组合。
金属的示例可以包括：碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；以及镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)。
准金属的示例可以包括硅(Si)、锑(Sb)和碲(Te)。
非金属的示例可以包括氧(O)和卤素(例如，F、Cl、Br、I等)。
在实施例中，包含元素EL1和元素EL2的化合物的示例可以包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物或它们的任何组合。
金属氧化物的示例可以包括氧化钨(例如，WO、W2O3、WO2、WO3、W2O5等)、氧化钒(例如，VO、V2O3、VO2、V2O5等)、氧化钼(MoO、Mo2O3、MoO2、MoO3、Mo2O5等)和氧化铼(例如，ReO3等)。
金属卤化物的示例可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。
碱金属卤化物的示例可以包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和CsI。
碱土金属卤化物的示例可以包括BeF2、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、BeCl2、MgCl2、CaCl2、SrCl2、BaCl2、BeBr2、MgBr2、CaBr2、SrBr2、BaBr2、BeI2、MgI2、CaI2、SrI2和BaI2。
过渡金属卤化物的示例可以包括卤化钛(例如，TiF4、TiCl4、TiBr4、TiI4等)、卤化锆(例如，ZrF4、ZrCl4、ZrBr4、ZrI4等)、卤化铪(例如，HfF4、HfCl4、HfBr4、HfI4等)、卤化钒(例如，VF3、VCl3、VBr3、VI3等)、卤化铌(例如，NbF3、NbCl3、NbBr3、NbI3等)、卤化钽(例如，TaF3、TaCl3、TaBr3、TaI3等)、卤化铬(例如，CrF3、CrCl3、CrBr3、CrI3等)、卤化钼(例如，MoF3、MoCl3、MoBr3、MoI3等)、卤化钨(例如，WF3、WCl3、WBr3、WI3等)、卤化锰(例如，MnF2、MnCl2、MnBr2、MnI2等)、卤化锝(例如，TcF2、TcCl2、TcBr2、TcI2等)、卤化铼(例如，ReF2、ReCl2、ReBr2、ReI2等)、卤化亚铁(例如，FeF2、FeCl2、FeBr2、FeI2等)、卤化钌(例如，RuF2、RuCl2、RuBr2、RuI2等)、卤化锇(例如，OsF2、OsCl2、OsBr2、OsI2等)、卤化钴(例如，CoF2、CoCl2、CoBr2、CoI2等)、卤化铑(例如，RhF2、RhCl2、RhBr2、RhI2等)、卤化铱(例如，IrF2、IrCl2、IrBr2、IrI2等)、卤化镍(例如，NiF2、NiCl2、NiBr2、NiI2等)、卤化钯(例如，PdF2、PdCl2、PdBr2、PdI2等)、卤化铂(例如，PtF2、PtCl2、PtBr2、PtI2等)、卤化亚铜(例如，CuF、CuCl、CuBr、CuI等)、卤化银(例如，AgF、AgCl、AgBr、AgI等)和卤化金(例如，AuF、AuCl、AuBr、AuI等)。
后过渡金属卤化物的示例可以包括卤化锌(例如，ZnF2、ZnCl2、ZnBr2、ZnI2等)、卤化铟(例如，InI3等)和卤化锡(例如，SnI2等)。
镧系金属卤化物的示例可以包括YbF、YbF2、YbF3、SmF3、YbCl、YbCl2、YbCl3、SmCl3、YbBr、YbBr2、YbBr3、SmBr3、YbI、YbI2、YbI3和SmI3。
准金属卤化物的示例可以包括卤化锑(例如，SbCl5等)。
金属碲化物的示例可以包括碱金属碲化物(例如，Li2Te、Na2Te、K2Te、Rb2Te、Cs2Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe2、ZrTe2、HfTe2、V2Te3、Nb2Te3、Ta2Te3、Cr2Te3、Mo2Te3、W2Te3、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu2Te、CuTe、Ag2Te、AgTe、Au2Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)和镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe等)。
中间层130中的发射层
根据实施例的发光器件可以在中间层中包括发射层。发射层可以与上述相同，或者与参照发光器件所描述的相同。
当发光器件10是全色发光器件时，发射层可以根据子像素被图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在实施例中，发射层可以具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中，所述两个或更多个层彼此接触或彼此分开。在实施例中，发射层可以包括选自于红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中，所述两种或更多种材料在单个层中彼此混合以发射白光。
发射层可以包括主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或它们的任何组合。
基于100重量份的主体，发射层中的掺杂剂的量可以是约0.01重量份至约15重量份。
在实施例中，发射层可以包括量子点。
在一些实施例中，发射层可以包括延迟荧光掺杂剂。延迟荧光掺杂剂可以充当(例如，用作)发射层中的主体或掺杂剂。
发射层的厚度可以在约
Figure BDA0003867489670000521
至约
Figure BDA0003867489670000522
(例如，约
Figure BDA0003867489670000523
至约
Figure BDA0003867489670000524
)的范围内。当发射层的厚度在该范围内时，可以获得优异或合适的发光特性，而不显著增大驱动电压。
主体
主体可以包括由式301表示的化合物：
式301
[Ar301]xb11-[(L301)xb1-R301]xb21，
其中，在式301中，
Ar301和L301可以均独立地是未取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基或者未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基，
xb11可以是1、2或3，
xb1可以是0至5的整数，
R301可以是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷基、未取代或取代有至少一个R10a的C2-C60烯基、未取代或取代有至少一个R10a的C2-C60炔基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷氧基、未取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基、-Si(Q301)(Q302)(Q303)、-N(Q301)(Q302)、-B(Q301)(Q302)、-C(＝O)(Q301)、-S(＝O)2(Q301)或-P(＝O)(Q301)(Q302)，
xb21可以是1至5的整数，并且
Q301至Q303可以均独立地与参照Q1所描述的相同。
在实施例中，当式301中的xb11是2或更大时，两个或更多个Ar301可以经由单键彼此连接。
在实施例中，主体可以包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或它们的任何组合：
式301-1
Figure BDA0003867489670000525
式301-2
Figure BDA0003867489670000531
其中，在式301-1和式301-2中，
环A301至环A304可以均独立地是未取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基或者未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基，
X301可以是O、S、N-[(L304)xb4-R304]、C(R304)(R305)或Si(R304)(R305)，
xb22和xb23可以均独立地是0、1或2，
L301、xb1和R301可以分别与在本说明书中所描述的L301、xb1和R301相同，
L302至L304可以均独立地与参照L301所描述的相同，
xb2至xb4可以均独立地与参照xb1所描述的相同，并且
R302至R305和R311至R314可以均独立地与参照R301所描述的相同。
在实施例中，主体可以包括碱土金属配合物、后过渡金属配合物或它们的任何组合。在实施例中，主体可以包括Be配合物(例如，化合物H55)、Mg配合物、Zn配合物或它们的任何组合。
在实施例中，主体可以包括化合物H1至化合物H124、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、1,3-二-9-咔唑基苯(mCP)和1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)中的至少一种或它们的任何组合：
Figure BDA0003867489670000541
Figure BDA0003867489670000551
Figure BDA0003867489670000561
Figure BDA0003867489670000571
Figure BDA0003867489670000581
Figure BDA0003867489670000591
Figure BDA0003867489670000601
磷光掺杂剂
磷光掺杂剂可以包括至少一种过渡金属作为中心金属。
磷光掺杂剂可以包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或它们的任何组合。
磷光掺杂剂可以是电中性的。
在实施例中，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属化合物：
式401
M(L401)xc1(L402)xc2
式402
Figure BDA0003867489670000611
其中，在式401和式402中，
M可以是过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，
L401可以是由式402表示的配体，xc1可以是1、2或3，其中，当xc1是2或更大时，两个或更多个L401可以彼此相同或不同，
L402可以是有机配体，xc2可以是0、1、2、3或4，其中，当xc2是2或更大时，两个或更多个L402可以彼此相同或不同，
X401和X402可以均独立地是氮或碳，
环A401和环A402可以均独立地是C3-C60碳环基或C1-C60杂环基，
T401可以是单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q411)-*'、*-C(Q411)(Q412)-*'、*-C(Q411)＝C(Q412)-*'、*-C(Q411)＝*'或*＝C＝*'，
X403和X404可以均独立地是化学键(例如，共价键或配位键)、O、S、N(Q413)、B(Q413)、P(Q413)、C(Q413)(Q414)或Si(Q413)(Q414)，
Q411至Q414可以均独立地与参照Q1描述的相同，
R401和R402可以均独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C20烷基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C20烷氧基、未取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基、-Si(Q401)(Q402)(Q403)、-N(Q401)(Q402)、-B(Q401)(Q402)、-C(＝O)(Q401)、-S(＝O)2(Q401)或-P(＝O)(Q401)(Q402)，
Q401至Q403可以均独立地与参照Q1所描述的相同，
xc11和xc12可以均独立地是0至10的整数，并且
式402中的*和*'均表示与式401中的M的结合位。
在实施例中，在式402中，i)X401可以是氮，X402可以是碳，或者ii)X401和X402中的每个可以是氮。
在实施例中，当式401中的xc1是2或更大时，两个或更多个L401中的两个环A401可以可选地经由作为连接基的T402彼此连接，两个环A402可以可选地经由作为连接基的T403彼此连接(见化合物PD1至化合物PD4和化合物PD7)。T402和T403可以均独立地与参照T401所描述的相同。
式401中的L402可以是有机配体。在实施例中，L402可以包括卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮(化物)基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸(盐)基团)、-C(＝O)、异腈基团、-CN基团、含磷基团(例如，膦基团、亚磷酸(盐)基团等)或它们的任何组合。
磷光掺杂剂可以包括例如化合物PD1至化合物PD25中的一种或者它们的任何组合：
Figure BDA0003867489670000621
Figure BDA0003867489670000631
荧光掺杂剂
荧光掺杂剂可以包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合物或它们的任何组合。
在实施例中，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：
式501
Figure BDA0003867489670000632
其中，在式501中，
Ar501、L501至L503、R501和R502可以均独立地是未取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基或者未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基，
xd1至xd3可以均独立地是0、1、2或3，并且
xd4可以是1、2、3、4、5或6。
在实施例中，式501中的Ar501可以是其中三个或更多个单环基团缩合在一起的缩合环基团(例如，蒽基团、
Figure BDA0003867489670000633
基团或芘基团)。
在实施例中，式501中的xd4可以是2。
例如，荧光掺杂剂可以包括：化合物FD1至化合物FD36；DPVBi；DPAVBi中的至少一种；或它们的任何组合：
Figure BDA0003867489670000641
Figure BDA0003867489670000651
Figure BDA0003867489670000661
延迟荧光掺杂剂
发射层可以包括延迟荧光掺杂剂。
在本说明书中，延迟荧光掺杂剂可以选自于能够基于延迟荧光发射机理发射延迟荧光的化合物。
根据包括在发射层中的其它材料的种类或类型，包括在发射层中的延迟荧光掺杂剂可以充当(例如，用作)主体或掺杂剂。
在实施例中，延迟荧光掺杂剂的三重态能级(eV)与延迟荧光掺杂剂的单重态能级(eV)之间的差可以大于或等于0eV且小于或等于0.5eV。当延迟荧光掺杂剂的三重态能级(eV)与延迟荧光掺杂剂的单重态能级(eV)之间的差满足上述范围时，可以有效地发生延迟荧光掺杂剂从三重态到单重态的向上转换，因此，可以改善发光器件10的发光效率。
在实施例中，延迟荧光掺杂剂可以包括：i)包括至少一种电子供体(例如，诸如咔唑基团的富π电子的C3-C60环基团)和至少一种电子受体(例如，亚砜基、氰基或贫π电子的含氮C1-C60环基团)的材料；ii)包括其中两个或更多个环基团在共享硼(B)的同时缩合的C8-C60多环基的材料。
延迟荧光掺杂剂的示例可以包括化合物DF1至化合物DF9中的至少一种：
Figure BDA0003867489670000671
量子点
发射层可以包括量子点。
在本说明书中，如在此所使用的术语“量子点”指半导体化合物的晶体，并且可以包括能够根据晶体的尺寸发射一种或更多种合适的发射波长的光的任何合适的材料。
量子点的直径可以例如在约1nm至约10nm的范围内。
量子点可以通过湿化学工艺、金属有机(例如，有机金属)化学气相沉积工艺、分子束外延工艺和/或任何类似工艺来合成。
在湿化学工艺中，将前驱体材料与有机溶剂混合以生长量子点颗粒晶体。当量子点颗粒晶体生长时，有机溶剂自然地充当(例如，用作)配位在量子点颗粒晶体的表面上的分散剂且控制量子点颗粒晶体的生长，使得可以通过比气相沉积法(诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)和/或分子束外延(MBE))容易地执行的低成本工艺来控制或选择量子点颗粒晶体的生长。
量子点可以包括：II-VI族半导体化合物；III-V族半导体化合物；III-VI族半导体化合物；I-III-VI族半导体化合物；IV-VI族半导体化合物；IV族元素或化合物；或者它们的任何组合。
II-VI族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物，诸如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe和/或MgS；三元化合物，诸如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe和/或MgZnS；四元化合物，诸如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和/或HgZnSTe；或者它们的任何组合。
III-V族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物，诸如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs和/或InSb；三元化合物，诸如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs和/或InPSb；四元化合物，诸如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs和/或InAlPSb；或者它们的任何组合。在实施例中，III-V族半导体化合物还可以包括一种或更多种II族元素。还包括一种或更多种II族元素的III-V族半导体化合物的示例可以包括InZnP、InGaZnP和/或InAlZnP等。
III-VI族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物，诸如GaS、GaSe、Ga2Se3、GaTe、InS、InSe、In2S3、In2Se3和/或InTe；三元化合物，诸如InGaS3和/或InGaSe3；或者它们的任何组合。
I-III-VI族半导体化合物的示例可以包括：三元化合物，诸如AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、CuGaO2、AgGaO2和/或AgAlO2；或者它们的任何组合。
IV-VI族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物，诸如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe和/或PbTe等；三元化合物，诸如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe和/或SnPbTe等；四元化合物，诸如SnPbSSe、SnPbSeTe和/或SnPbSTe等；或者它们的任何组合。
IV族元素或化合物可以包括：单元素，诸如Si和/或Ge；二元化合物，诸如SiC和/或SiGe；或者它们的任何组合。
包括在诸如二元化合物、三元化合物和四元化合物的多元化合物中的每种元素可以以基本上均匀的浓度或基本上非均匀的浓度存在于颗粒中。
在实施例中，量子点可以具有单一结构或者核-壳双结构。在量子点具有单一结构的情况下，包括在对应的量子点中的每种元素的浓度是基本上均匀的。在实施例中，在具有核-壳双结构的量子点中，包含在核中的材料与包含在壳中的材料可以彼此不同。
量子点的壳可以充当(例如，用作)防止或减少核的化学变性以维持半导体特性的保护层，并且/或者充当(例如，用作)向量子点赋予电泳特性的荷电层。壳可以是单个层或多层。存在于量子点的核与壳之间的界面中的元素可以具有朝向量子点的中心减小的浓度梯度。
量子点的壳的示例可以是金属、准金属和/或非金属的氧化物、半导体化合物以及它们的任何组合。金属、准金属和/或非金属的氧化物的示例可以包括：二元化合物，诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和/或NiO；三元化合物，诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和/或CoMn2O4；或者它们的任何组合。半导体化合物的示例可以包括如在此所描述的：II-VI族半导体化合物；III-V族半导体化合物；III-VI族半导体化合物；I-III-VI族半导体化合物；IV-VI族半导体化合物；或者它们的任何组合。在一些实施例中，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或它们的任何组合。
量子点的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)可以是约45nm或更小，例如，约40nm或更小，例如，约30nm或更小，在这些范围内，可以增大色纯度或颜色再现性。在一些实施例中，因为通过量子点发射的光在所有方向上发射，所以可以改善宽视角。
在一些实施例中，量子点可以是球形纳米颗粒、角锥形纳米颗粒、多臂纳米颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米片。
因为可以通过控制量子点的尺寸来调节能带隙，所以可以从量子点发射层获得具有一种或更多种合适的波长带的光。因此，通过利用不同尺寸的量子点，可以实现发射一种或更多种合适的波长的光的发光器件。在实施例中，可以选择量子点的尺寸以发射红光、绿光和/或蓝光。在一些实施例中，量子点的尺寸可以被构造为通过组合一种或更多种合适的颜色的光来发射白光。
中间层130中的电子传输区域
电子传输区域可以具有：i)由单个层组成的单层结构，所述单个层由单种材料组成；ii)由单个层组成的单层结构，所述单个层包括多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)；或者iii)包括多个层的多层结构，所述多个层包括不同材料。
电子传输区域可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或它们的任何组合。
例如，电子传输区域可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构或者缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，并且每种结构的构成层从发射层以相应陈述次序顺序地堆叠。
在实施例中，电子传输区域(例如，电子传输区域中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可以包括包含至少一个贫π电子的含氮C1-C60环基团的无金属化合物。
在实施例中，电子传输区域可以包括由式601表示的化合物：
式601
[Ar601]xe11-[(L601)xe1-R601]xe21，
其中，在式601中，
Ar601和L601可以均独立地是未取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基或者未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基，
xe11可以是1、2或3，
xe1可以是0、1、2、3、4或5，
R601可以是未取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基、-Si(Q601)(Q602)(Q603)、-C(＝O)(Q601)、-S(＝O)2(Q601)或-P(＝O)(Q601)(Q602)，
Q601至Q603可以均独立地与参照Q1所描述的相同，
xe21可以是1、2、3、4或5，并且
Ar601、L601和R601中的至少一个可以均独立地是未取代或取代有至少一个R10a的贫π电子的含氮C1-C60环基团。
在实施例中，当式601中的xe11是2或更大时，两个或更多个Ar601可以经由单键彼此连接。
在实施例中，式601中的Ar601可以是取代或未取代的蒽基团。
在实施例中，电子传输区域可以包括由式601-1表示的化合物：
式601-1
Figure BDA0003867489670000711
其中，在式601-1中，
X614可以是N或C(R614)，X615可以是N或C(R615)，X616可以是N或C(R616)，X614至X616中的至少一个可以是N，
L611至L613可以均独立地与参照L601所描述的相同，
xe611至xe613可以均独立地与参照xe1所描述的相同，
R611至R613可以均独立地与参照R601所描述的相同，并且
R614至R616可以均独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、未取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基或者未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基。
在实施例中，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可以均独立地是0、1或2。
电子传输区域可以包括化合物ET1至化合物ET45、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq3、BAlq、TAZ和NTAZ中的至少一种或它们的任何组合：
Figure BDA0003867489670000721
Figure BDA0003867489670000731
Figure BDA0003867489670000741
电子传输区域的厚度可以是约
Figure BDA0003867489670000742
至约
Figure BDA0003867489670000743
例如，约
Figure BDA0003867489670000744
至约
Figure BDA0003867489670000745
约
Figure BDA0003867489670000746
至约
Figure BDA0003867489670000747
或约
Figure BDA0003867489670000748
至约
Figure BDA0003867489670000749
当电子传输区域包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或它们的任何组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以均独立地是约
Figure BDA00038674896700007410
至约
Figure BDA00038674896700007411
(例如，约
Figure BDA00038674896700007412
至约
Figure BDA00038674896700007413
)，电子传输层的厚度可以是约
Figure BDA00038674896700007414
至约
Figure BDA00038674896700007415
(例如，约
Figure BDA00038674896700007416
至约
Figure BDA00038674896700007417
)。当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区域的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的电子传输特性，而不显著增大驱动电压。
除了上述材料之外，电子传输区域(例如，电子传输区域中的电子传输层)还可以包括含金属材料。
含金属材料可以包括碱金属配合物、碱土金属配合物或它们的任何组合。碱金属配合物的金属离子可以是Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，碱土金属配合物的金属离子可以是Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属配合物或碱土金属配合物的金属离子配位的配体可以包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或它们的任何组合。
在实施例中，含金属材料可以包括Li配合物。Li配合物可以包括例如化合物ET-D1(Liq)或化合物ET-D2：
Figure BDA0003867489670000751
电子传输区域可以包括促进来自第二电极150的电子注入的电子注入层。电子注入层可以与第二电极150直接接触。
电子注入层可以具有：i)由单个层组成的单层结构，所述单个层由单种材料组成；ii)由单个层组成的单层结构，所述单个层包括多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)；或者iii)包括多个层的多层结构，所述多个层包括不同材料。
电子注入层可以包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合。
碱金属可以包括Li、Na、K、Rb、Cs或它们的任何组合。碱土金属可以包括Mg、Ca、Sr、Ba或它们的任何组合。稀土金属可以包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或它们的任何组合。
含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可以包括一种或更多种碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物和/或碘化物)和/或碲化物或者它们的任何组合。
含碱金属化合物可以包括一种或更多种碱金属氧化物(诸如Li2O、Cs2O和/或K2O)、碱金属卤化物(诸如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI和/或KI)或它们的任何组合。含碱土金属化合物可以包括碱土金属氧化物(诸如BaO、SrO、CaO、BaxSr1-xO(x是满足0<x<1的条件的实数)和/或BaxCa1-xO(x是满足0<x<1的条件的实数)等)。含稀土金属化合物可以包括YbF3、ScF3、Sc2O3、Y2O3、Ce2O3、GdF3、TbF3、YbI3、ScI3、TbI3或它们的任何组合。在实施例中，含稀土金属化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的示例可以包括LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La2Te3、Ce2Te3、Pr2Te3、Nd2Te3、Pm2Te3、Sm2Te3、Eu2Te3、Gd2Te3、Tb2Te3、Dy2Te3、Ho2Te3、Er2Te3、Tm2Te3、Yb2Te3和Lu2Te3。
碱金属配合物、碱土金属配合物和稀土金属配合物可以包括：i)碱金属、碱土金属和稀土金属的离子中的一个；以及ii)作为结合到金属离子的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或它们的任何组合。
电子注入层可以包括如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合(例如，由如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合组成)。在实施例中，电子注入层还可以包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
在实施例中，电子注入层可以包括：i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；或者ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)以及b)碱金属、碱土金属、稀土金属或它们的任何组合(例如，由i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)组成；或者由ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)以及b)碱金属、碱土金属、稀土金属或它们的任何组合组成)。在实施例中，电子注入层可以是KI:Yb共沉积层和/或RbI:Yb共沉积层等。
当电子注入层还包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合可以均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基质中。
电子注入层的厚度可以在约
Figure BDA0003867489670000771
至约
Figure BDA0003867489670000772
(例如，约
Figure BDA0003867489670000773
至约
Figure BDA0003867489670000774
)的范围内。当电子注入层的厚度在上述范围内时，可以获得令人满意的电子注入特性，而不显著增大驱动电压。
第二电极150
第二电极150可以位于具有如上所述的结构的中间层130上。第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极，作为用于第二电极150的材料，可以利用均具有低逸出功的金属、合金、导电化合物或它们的任何组合。
在实施例中，第二电极150可以包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或它们的组合。第二电极150可以是透射电极、半透射电极或反射电极。
第二电极150可以具有单层结构或者包括两个或更多个层的多层结构。
覆盖层
第一覆盖层可以位于第一电极110外部，并且/或者第二覆盖层可以位于第二电极150外部。更详细地，发光器件10可以具有：其中以该陈述的次序顺序地堆叠第一覆盖层、第一电极110、中间层130和第二电极150的结构；其中以该陈述的次序顺序地堆叠第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层的结构；或者其中以该陈述的次序顺序地堆叠第一覆盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层的结构。
在一个或更多个实施例中，在发光器件10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第一电极110(其是半透射电极或透射电极)和第一覆盖层朝向外部提取(例如，发射)。在一个或更多个实施例中，在发光器件10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第二电极150(其是半透射电极或透射电极)和第二覆盖层朝向外部提取(例如，发射)。
根据相长干涉的原理，第一覆盖层和第二覆盖层可以增大外部发射效率。因此，发光器件10的光提取效率增大，使得可以改善发光器件10的发射效率。
第一覆盖层和第二覆盖层中的每个可以包括(在589nm处)具有1.6或更大的折射率的材料。
第一覆盖层和第二覆盖层可以均独立地是包括有机材料的有机覆盖层、包括无机材料的无机覆盖层或者包括有机材料和无机材料的有机-无机复合覆盖层。
第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以均独立地包括一种或更多种碳环化合物、一种或更多种杂环化合物、一种或更多种含胺基化合物、一种或更多种卟啉衍生物、一种或更多种酞菁衍生物、一种或更多种萘酞菁衍生物、一种或更多种碱金属配合物、一种或更多种碱土金属配合物或者它们的任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可以可选地取代有包含O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或它们的任何组合的取代基。
在实施例中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以均独立地包括含胺基化合物。
在实施例中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以均独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或它们的任何组合。
在实施例中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以均独立地包括化合物HT28至化合物HT33中的至少一种、化合物CP1至化合物CP6中的至少一种、β-NPB或它们的任何组合：
Figure BDA0003867489670000781
Figure BDA0003867489670000791
膜
根据另一实施例，膜包括以上公开的化合物中一种或更多种。膜可以是例如光学构件(或者光控制构件或装置)(例如，滤色器、颜色转换构件、覆盖层、光提取效率增强层、选择性光吸收层、偏振层和/或含量子点层等)、阻光构件(例如，光反射层和/或光吸收层等)和/或保护构件(例如，绝缘层和/或介电层等)。
电子设备
发光器件可以包括在一个或更多个合适的电子设备中。在实施例中，包括发光器件的电子设备可以是发光设备和/或认证设备等。
除了发光器件之外，电子设备(例如，发光设备)还可以包括：i)滤色器；ii)颜色转换层；或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以位于从发光器件发射的光的至少一个行进方向上。在一些实施例中，从发光器件发射的光可以是蓝光或白光。发光器件可以与上述相同。在实施例中，颜色转换层可以包括量子点。量子点可以是例如如在此所描述的量子点。
电子设备可以包括第一基底。第一基底可以包括多个子像素区域，滤色器可以包括分别与子像素区域对应的多个滤色器区域，颜色转换层可以包括分别与子像素区域对应的多个颜色转换区域。
像素限定膜(在下文中，被称为“像素限定层”)可以位于子像素区域之中(例如，之间)以限定子像素区域中的每个。
滤色器还可以包括多个滤色器区域和位于滤色器区域之中(例如，之间)的遮光图案，颜色转换层可以包括多个颜色转换区域和位于颜色转换区域之中(例如，之间)的遮光图案。
滤色器区域(或颜色转换区域)可以包括：第一区域，发射第一颜色光；第二区域，发射第二颜色光；以及/或者第三区域，发射第三颜色光，第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。在实施例中，第一颜色光可以是红光，第二颜色光可以是绿光，第三颜色光可以是蓝光。在实施例中，滤色器区域(或颜色转换区域)可以包括量子点。例如，第一区域可以包括红色量子点，第二区域可以包括绿色量子点，第三区域可以不包括(例如，可以排除)量子点。量子点与本说明书中所描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域还可以均包括散射体。
在实施例中，发光器件可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射第二第一颜色光，第三区域可以吸收第一光以发射第三第一颜色光。在这方面，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可以具有不同的最大发射波长。例如，第一光可以是蓝光，第一第一颜色光可以是红光，第二第一颜色光可以是绿光，第三第一颜色光可以是蓝光。
除了如上所述的发光器件之外，电子设备还可以包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，其中，源电极或漏电极可以电连接到发光器件的第一电极或第二电极。
薄膜晶体管还可以包括栅电极、栅极绝缘膜等。
有源层可以包括晶体硅、非晶硅、有机半导体和/或氧化物半导体等。
电子设备还可以包括用于密封发光器件的密封部。密封部和/或颜色转换层可以位于滤色器与发光器件之间。密封部允许来自发光器件的光被提取(例如，发射)到外部，同时并发地(例如，同时地)防止或减小周围空气和/或湿气渗入到发光器件中。密封部可以是包括透明玻璃基底的密封基底或塑料基底。密封部可以是包括有机层和无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部是薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。
除了滤色器和/或颜色转换层之外，根据电子设备的用途，各种合适的功能层可以附加地位于密封部上。功能层可以包括触摸屏层和/或偏振层等。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容式触摸屏层和/或红外触摸屏层。认证设备可以是例如通过利用活体(例如，指尖、瞳孔等)的生物识别信息来认证个体的生物识别认证设备。
除了如上所述的发光器件之外，认证设备还可以包括生物识别信息收集器。
电子设备可以应用于一种或更多种合适的显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子日记(例如，记事簿)、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置和/或内窥镜显示器)、寻鱼器、一种或更多种合适的测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞机和/或船舶的仪表)和/或投影仪等。
图5和图6的描述
图5是根据本公开的实施例的发光设备的剖视图。
图5的发光设备包括基底100、薄膜晶体管(TFT)、发光器件和密封发光器件的封装部300。
基底100可以是柔性基底、玻璃基底或金属基底。缓冲层210可以布置在基底100上。缓冲层210可以防止或减少杂质渗透穿过基底100，并且可以在基底100上提供平坦表面。
TFT可以位于缓冲层210上。TFT可以包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
有源层220可以包括诸如硅和/或多晶硅的无机半导体、有机半导体以及/或者氧化物半导体，并且可以包括源区、漏区和沟道区。
用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅极绝缘膜230可以位于有源层220上，栅电极240可以位于栅极绝缘膜230上。
层间绝缘膜250位于栅电极240上。层间绝缘膜250可以放置在栅电极240与源电极260之间以使栅电极240与源电极260绝缘，并且放置在栅电极240与漏电极270之间以使栅电极240与漏电极270绝缘。
源电极260和漏电极270可以位于层间绝缘膜250上。层间绝缘膜250和栅极绝缘膜230可以形成为暴露有源层220的源区和漏区，源电极260和漏电极270可以与有源层220的源区和漏区的暴露部分接触。
TFT电连接到发光器件以驱动发光器件，并且被钝化层280覆盖。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或它们的任何组合。发光器件设置在钝化层280上。发光器件可以包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
第一电极110可以布置在钝化层280上。钝化层280不完全地覆盖漏电极270且暴露漏电极270的一部分，第一电极110连接到漏电极270的暴露部分。
包含绝缘材料的像素限定层290可以位于第一电极110上。像素限定层290暴露第一电极110的区域，中间层130可以形成在第一电极110的暴露区域中。像素限定层290可以是聚酰亚胺有机膜和/或聚丙烯酸有机膜。在一个或更多个实施例中，中间层130中的至少一些层可以延伸超过像素限定层290的上部，以以公共层的形式定位。
第二电极150可以位于中间层130上，覆盖层170可以附加地形成在第二电极150上。覆盖层170可以形成为覆盖第二电极150。
封装部300可以位于覆盖层170上。封装部300可以位于发光器件上以保护发光器件免受湿气和/或氧的影响。封装部300可以包括：无机膜，包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化铟锡、氧化铟锌或它们的任何组合；有机膜，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯和/或聚丙烯酸等)、环氧类树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(AGE)等)或它们的组合；或者无机膜和有机膜的组合。
图6是根据公开的实施例的发光设备的剖视图。
除了遮光图案500和功能区域400附加地位于封装部300上之外，图6的发光设备与图5的发光设备相同。功能区域400可以是：i)滤色器区域；ii)颜色转换区域；或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施例中，包括在图6的发光设备中的发光器件可以是串联发光器件。
制造方法
可以在一定区域中通过利用选自于真空沉积、旋涂、浇铸、朗格缪尔-布洛杰特(LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中的一种或更多种合适的方法来形成包括在空穴传输区域中的相应层、发射层和包括在电子传输区域中的相应层。
当通过真空沉积来形成包括在空穴传输区域中的相应层、发射层和包括在电子传输区域中的相应层时，根据将包括在待形成的层中的材料和待形成的层的结构，可以在约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8托至约10-3托的真空度和约
Figure BDA0003867489670000821
至约
Figure BDA0003867489670000822
的沉积速度下执行真空沉积。
术语的定义
如在此所使用的术语“C3-C60碳环基”指仅由3个至60个碳原子作为成环原子组成的环基团，如在此所使用的术语“C1-C60杂环基”指具有除了一个至六十个碳原子之外的杂原子作为成环原子的环基团。C3-C60碳环基和C1-C60杂环基可以均独立地是由一个环组成的单环基或者其中两个或更多个环彼此缩合的多环基。在实施例中，C1-C60杂环基具有3个至61个成环原子。
如在此所使用的术语“环基团”可以包括C3-C60碳环基和C1-C60杂环基。
如在此所使用的术语“富π电子的C3-C60环基团”指具有三个至六十个碳原子且不包括*-N＝*'作为成环部分的环基团，如在此所使用的术语“贫π电子的含氮C1-C60环基团”指具有一个至六十个碳原子且包括*-N＝*'作为成环部分的杂环基。
在实施例中，
C3-C60碳环基可以是：i)基团T1；或者ii)其中两个或更多个基团T1彼此缩合的缩合环基团(例如，C3-C60碳环基可以是环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、并环戊二烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、
Figure BDA0003867489670000831
基团、苝基团、戊芬基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蒄基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团和/或茚并蒽基团)，
C1-C60杂环基可以是：i)基团T2；ii)其中两个或更多个基团T2彼此缩合的缩合环基团；或者iii)其中至少一个基团T2和至少一个基团T1彼此缩合的缩合环基团(例如，C1-C60杂环基可以是吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、异苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
富π电子的C3-C60环基团可以是：i)基团T1；ii)其中两个或更多个基团T1彼此缩合的缩合环基团；iii)基团T3；iv)其中两个或更多个基团T3彼此缩合的缩合环基团；或者v)其中至少一个基团T3和至少一个基团T1彼此缩合的缩合环基团(例如，富π电子的C3-C60环基团可以是C3-C60碳环基、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团等)，
贫π电子的含氮C1-C60环基团可以是：i)基团T4；ii)其中两个或更多个基团T4彼此缩合的缩合环基团；iii)其中至少一个基团T4和至少一个基团T1彼此缩合的缩合环基团；iv)其中至少一个基团T4和至少一个基团T3彼此缩合的缩合环基团；或者v)其中至少一个基团T4、至少一个基团T1和至少一个基团T3彼此缩合的缩合环基团(例如，贫π电子的含氮C1-C60环基团可以是吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、异苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
基团T1可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基团、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛烷基团或苯基团，
基团T2可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、四嗪基团、吡咯烷基团、咪唑烷基团、二氢吡咯基团、哌啶基团、四氢吡啶基团、二氢吡啶基团、六氢嘧啶基团、四氢嘧啶基团、二氢嘧啶基团、哌嗪基团、四氢吡嗪基团、二氢吡嗪基团、四氢哒嗪基团或二氢哒嗪基团，
基团T3可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团，并且
基团T4可以是2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。
如在此所使用的术语“环基团”、“C3-C60碳环基”、“C1-C60杂环基”、“富π电子的C3-C60环基团”或“贫π电子的含氮C1-C60环基团”指根据参照术语所使用的式的结构缩合到任何环基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)的基团。在实施例中，“苯基团”可以是可以由本领域普通技术人员根据包括“苯基团”的式的结构容易地理解的苯并基团、苯基和/或亚苯基等。
单价C3-C60碳环基和单价C1-C60杂环基的示例可以包括C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基，二价C3-C60碳环基和二价C1-C60杂环基的示例可以包括C3-C10亚环烷基、C1-C10亚杂环烷基、C3-C10亚环烯基、C1-C10亚杂环烯基、C6-C60亚芳基、C1-C60亚杂芳基、二价非芳香缩合多环基和二价非芳香缩合杂多环基。
如在此所使用的术语“C1-C60烷基”指具有一个至六十个碳原子的直链或支链的脂肪族饱和烃单价基团，其示例可以包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如在此所使用的术语“C1-C60亚烷基”指具有与C1-C60烷基相同结构的二价基团。
如在此所使用的术语“C2-C60烯基”指在C2-C60烷基的中间中和/或端部(例如，末端)处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，其示例可以包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如在此所使用的术语“C2-C60亚烯基”指具有与C2-C60烯基相同结构的二价基团。
如在此所使用的术语“C2-C60炔基”指在C2-C60烷基的中间中和/或端部(例如，末端)处具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，其示例可以包括乙炔基和丙炔基。如在此所使用的术语“C2-C60亚炔基”指具有与C2-C60炔基相同结构的二价基团。
如在此所使用的术语“C1-C60烷氧基”指由-OA101(其中，A101是C1-C60烷基)表示的单价基团，其示例可以包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。
如在此所使用的术语“C3-C10环烷基”指具有3个至10个碳原子的单价饱和烃环基团，其示例可以包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(或双环[2.2.1]庚基)、双环[1.1.1]戊基、双环[2.1.1]己基和双环[2.2.2]辛基。如在此所使用的术语“C3-C10亚环烷基”指具有与C3-C10环烷基相同结构的二价基团。
如在此所使用的术语“C1-C10杂环烷基”指除了1个至10个碳原子之外还包括作为成环原子的至少一种杂原子的单价环基团，其示例可以包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如在此所使用的术语“C1-C10亚杂环烷基”指具有与C1-C10杂环烷基相同结构的二价基团。
如在此所使用的术语“C3-C10环烯基”指在其环中具有三个至十个碳原子和至少一个碳-碳双键且无芳香性的单价环基团，其示例可以包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如在此所使用的术语“C3-C10亚环烯基”指具有与C3-C10环烯基相同结构的二价基团。
如在此所使用的术语“C1-C10杂环烯基”指在其环结构中除了1个至10个碳原子之外具有作为成环原子的至少一种杂原子以及至少一个双键(例如，碳-碳双键)的单价环基团。C1-C10杂环烯基的示例可以包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如在此所使用的术语“C1-C10亚杂环烯基”指具有与C1-C10杂环烯基相同结构的二价基团。
如在此所使用的术语“C6-C60芳基”指具有具备六个至六十个碳原子的碳环芳香体系的单价基团，如在此所使用的术语“C6-C60亚芳基”指具有具备六个至六十个碳原子的碳环芳香体系的二价基团。C6-C60芳基的示例可以包括苯基、并环戊二烯基、萘基、甘菊环基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
Figure BDA0003867489670000871
基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基和卵苯基。当C6-C60芳基和C6-C60亚芳基均独立地包括两个或更多个环时，所述环可以彼此缩合。
如在此所使用的术语“C1-C60杂芳基”指具有杂环芳香体系的单价基团，杂环芳香体系具有除了1个至60个碳原子之外的作为成环原子的至少一种杂原子。如在此所使用的术语“C1-C60亚杂芳基”指具有杂环芳香体系的二价基团，杂环芳香体系具有除了1个至60个碳原子之外的作为成环原子的至少一种杂原子。C1-C60杂芳基的示例可以包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基和萘啶基。当C1-C60杂芳基和C1-C60亚杂芳基均独立地包括两个或更多个环时，所述环可以彼此缩合。
如在此所使用的术语“单价非芳香缩合多环基”指具有彼此缩合的两个或更多个环、仅碳原子(例如，具有8个至60个碳原子)作为成环原子且当作为整体考虑时在其整个分子结构中无芳香性的单价基团。单价非芳香缩合多环基的示例可以包括茚基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、茚并菲基、金刚烷基和茚并蒽基。如在此所使用的术语“二价非芳香缩合多环基”指具有与单价非芳香缩合多环基相同结构的二价基团。
如在此所使用的术语“单价非芳香缩合杂多环基”指具有彼此缩合的两个或更多个环、作为成环原子的1个至60个碳原子和至少一种杂原子且当作为整体考虑时在其整个分子结构中无芳香性的单价基团。单价非芳香缩合杂多环基的示例可以包括(例如，可以是)吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。如在此所使用的术语“二价非芳香缩合杂多环基”指具有与单价非芳香缩合杂多环基相同结构的二价基团。
如在此所使用的术语“C6-C60芳氧基”指由-OA102(其中，A102是C6-C60芳基)表示的单价基团，如在此所使用的术语“C6-C60芳硫基”指由-SA103(其中，A103是C6-C60芳基)表示的单价基团。
如在此所使用的术语“C7-C60芳基烷基”指由-A104A105(其中，A104可以是C1-C54亚烷基，并且A105可以是C6-C59芳基)表示的单价基团，如在此所使用的术语“C2-C60杂芳基烷基”指由-A106A107(其中，A106可以是C1-C59亚烷基，并且A107可以是C1-C59杂芳基)表示的单价基团。
如在此所使用的术语“R10a”指：
氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；
均未取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳基烷基、C2-C60杂芳基烷基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或它们的任何组合的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基或C1-C60烷氧基；
均未取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳基烷基、C2-C60杂芳基烷基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或它们的任何组合的C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳基烷基或C2-C60杂芳基烷基；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)。
如在此所使用的Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可以均独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C1-C60烷基；C2-C60烯基；C2-C60炔基；C1-C60烷氧基；均未取代或取代有氘、-F、氰基、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合的C3-C60碳环基或C1-C60杂环基；C7-C60芳基烷基；或者C2-C60杂芳基烷基。
如在此所使用的术语“杂原子”指除了碳原子之外的任何原子。杂原子的示例可以包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se或它们的任何组合。
如在此所使用的术语“第三行过渡金属”可以包括铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)和/或金(Au)等。
如在此所使用的术语“Ph”指苯基，如在此所使用的术语“Me”指甲基，如在此所使用的术语“Et”指乙基，如在此所使用的术语“tert-Bu”、“tBu”或“But”指叔丁基，如在此所使用的术语“OMe”指甲氧基。
如在此所使用的术语“联苯基”指“取代有苯基的苯基”。换句话说，“联苯基”是具有C6-C60芳基作为取代基的取代的苯基。
如在此所使用的术语“三联苯基”指“取代有联苯基的苯基”。换句话说，“三联苯基”是具有取代有C6-C60芳基的C6-C60芳基作为取代基的取代的苯基。
除非另外定义，否则如在此所使用的*和*'均指与对应式或部分中的相邻原子的结合位。
在下文中，将参照示例更详细地描述根据实施例的化合物和根据实施例的发光器件。在描述示例中所使用的表述“利用B代替A”指利用相同摩尔当量的B代替相同摩尔当量的A。
示例
评价示例1：空穴迁移率和电子迁移率评价
通过利用Keithley 2400和高阻抗静电计Keithley 6514的源测量单元驱动仅空穴器件和仅电子器件，在室温(25℃)下测量表1中所示的化合物的空穴迁移率和电子迁移率。结果示出在图7和图8中。用于评价的仅空穴器件和仅电子器件的结构如下。
仅空穴器件
Figure BDA0003867489670000891
仅电子器件
Figure BDA0003867489670000901
Figure BDA0003867489670000902
表1
化合物 空穴迁移率 电子迁移率
HH-1 <![CDATA[3.8×10<sup>-3</sup>Vs/cm<sup>2</sup>]]> <![CDATA[1.5×10<sup>-6</sup>Vs/cm<sup>2</sup>]]>
EH-8 <![CDATA[3.4×10<sup>-6</sup>Vs/cm<sup>2</sup>]]> <![CDATA[2.4×10<sup>-4</sup>Vs/cm<sup>2</sup>]]>
HH-19 <![CDATA[5.6×10<sup>-4</sup>Vs/cm<sup>2</sup>]]> <![CDATA[3.8×10<sup>-6</sup>Vs/cm<sup>2</sup>]]>
EH-1 <![CDATA[8.4×10<sup>-6</sup>Vs/cm<sup>2</sup>]]> <![CDATA[1.1×10<sup>-5</sup>Vs/cm<sup>2</sup>]]>
HH-1+EH-8 <![CDATA[2.3×10<sup>-3</sup>Vs/cm<sup>2</sup>]]> <![CDATA[1.1×10<sup>-4</sup>Vs/cm<sup>2</sup>]]>
HH-19+EH-1 <![CDATA[4.3×10<sup>-4</sup>Vs/cm<sup>2</sup>]]> <![CDATA[1.0×10<sup>-5</sup>Vs/cm<sup>2</sup>]]>
示例1和示例2以及对比示例1至对比示例10
将ITO玻璃基底切割为50mm×50mm×0.7mm的尺寸，用异丙醇和纯水进行超声清洁各10分钟，然后通过紫外线的照射且将其暴露于臭氧10分钟进行清洁。然后，将ITO玻璃基底装载到真空沉积设备上。首先，在基底上真空沉积HAT-CN以形成具有
Figure BDA0003867489670000903
的厚度的空穴注入层，然后在其上真空沉积NPB和TCTA以形成具有
Figure BDA0003867489670000904
的厚度的空穴传输层和空穴注入层。
在空穴传输层和空穴注入层上以5:5的重量比共沉积表2中所示的第一发射层材料，以形成具有
Figure BDA0003867489670000905
的厚度的第一发射层。在第一发射层上以5:5的重量比共沉积表2中所示的第二发射层材料，以形成具有
Figure BDA0003867489670000906
的厚度的第二发射层。
随后，在第二发射层上真空沉积T2T以形成具有
Figure BDA0003867489670000907
的厚度的空穴阻挡层。在空穴阻挡层上真空沉积TPM-TAZ以形成具有
Figure BDA0003867489670000912
的厚度的电子传输层。
在电子传输层上真空沉积Ag:Mg(10wt％)以形成具有
Figure BDA0003867489670000913
的厚度的Ag:Mg电极，在Ag:Mg(10wt％)电极上真空沉积CPL以形成具有
Figure BDA0003867489670000914
的厚度的覆盖层，从而完成表2的发光器件的制造。
Figure BDA0003867489670000911
评价示例2：示例1和示例2以及对比示例1至对比示例10的发光器件的评价
利用Keithley SMU 236和亮度计PR650测量根据示例1和示例2以及对比示例1至对比示例10制造的发光器件的驱动电压、发光效率和寿命(T95)，结果示出在表2中。
表2
Figure BDA0003867489670000921
Figure BDA0003867489670000931
Figure BDA0003867489670000932
Figure BDA0003867489670000941
示例3和示例4以及对比示例11至对比示例20
将其上形成有具有
Figure BDA0003867489670000942
阳极的玻璃基底(康宁公司(Corning Inc.)的产品)切割为50mm×50mm×0.7mm的尺寸，用异丙醇和纯水进行超声处理各5分钟，然后通过紫外线的照射且将其暴露于臭氧15分钟进行清洁。将所得玻璃基底装载到真空沉积设备上。
在玻璃基底的ITO/Ag/ITO阳极上真空沉积HAT-CN以形成具有
Figure BDA0003867489670000943
的厚度的空穴注入层，在空穴注入层上真空沉积NPB以形成具有
Figure BDA0003867489670000944
的厚度的空穴传输层，在空穴传输层上真空沉积TCTA以形成具有
Figure BDA0003867489670000945
的厚度的电子阻挡层，在电子阻挡层上以97:3的体积比共沉积HT56和FD23以形成具有
Figure BDA0003867489670000946
的厚度的发射层，在发射层上真空沉积T2T以形成具有
Figure BDA0003867489670000947
的厚度的空穴阻挡层，并且在空穴阻挡层上以1:1的体积比共沉积TPM-TAZ和Liq以形成具有
Figure BDA0003867489670000948
的厚度的电子传输层，从而形成第一发射单元。
在第一发射单元上以99:1的体积比共沉积BCP和Li以形成具有
Figure BDA0003867489670000949
的厚度的n型或n种类的电荷产生层，并且在n型或n种类的电荷产生层上真空沉积HAT-CN以形成具有
Figure BDA00038674896700009410
的厚度的p型或p种类的电荷产生层，从而形成第一电荷产生单元。
在第一电荷产生单元上真空沉积NPB以形成具有
Figure BDA00038674896700009411
的厚度的空穴传输层，在空穴传输层上真空沉积TCTA以形成具有
Figure BDA00038674896700009412
的厚度的电子阻挡层，在电子阻挡层上以97:3的体积比共沉积HT56和FD23以形成具有
Figure BDA00038674896700009413
的厚度的发射层，在发射层上真空沉积T2T以形成具有
Figure BDA0003867489670000951
的厚度的空穴阻挡层，在空穴阻挡层上以1:1的体积比共沉积TPM-TAZ和Liq以形成具有
Figure BDA0003867489670000952
的厚度的电子传输层，从而形成第二发射单元。
在第二发射单元上以99:1的体积比共沉积BCP和Li以形成具有
Figure BDA0003867489670000953
的厚度的n型或n种类的电荷产生层，并且在n型或n种类的电荷产生层上真空沉积HAT-CN以形成具有
Figure BDA0003867489670000954
的厚度的p型或p种类的电荷产生层，从而形成第二电荷产生单元。
在第二电荷产生单元上真空沉积NPB以形成具有
Figure BDA0003867489670000955
的厚度的空穴传输层，在空穴传输层上真空沉积TCTA以形成具有
Figure BDA0003867489670000956
的厚度的电子阻挡层，在电子阻挡层上以97:3的体积比共沉积HT56和FD23以形成具有
Figure BDA0003867489670000957
的厚度的发射层，在发射层上真空沉积T2T以形成具有
Figure BDA0003867489670000958
的厚度的空穴阻挡层，在空穴阻挡层上以1:1的体积比共沉积TPM-TAZ和Liq以形成具有
Figure BDA0003867489670000959
的厚度的电子传输层，从而形成第三发射单元。
在第三发射单元上以99:1的体积比共沉积BCP和Li以形成具有
Figure BDA00038674896700009510
的厚度的n型或n种类的电荷产生层，在n型或n种类的电荷产生层上真空沉积HAT-CN以形成具有
Figure BDA00038674896700009511
的厚度的p型或p种类的电荷产生层，从而形成第三电荷产生单元。
在第三电荷产生单元上真空沉积NPB以形成具有
Figure BDA00038674896700009512
的厚度的空穴传输层，在空穴传输层上真空沉积TCTA以形成具有
Figure BDA00038674896700009513
的厚度的电子阻挡层，在电子阻挡层上共沉积表3中所示的第一发射层材料以形成具有
Figure BDA00038674896700009514
的厚度的第一发射层。在第一发射层上共沉积表3中所示的第二发射层材料以形成具有
Figure BDA00038674896700009515
的厚度的第二发射层。在第二发射层上以1:1的体积比共沉积TPM-TAZ和Liq以形成具有
Figure BDA00038674896700009516
的厚度的电子传输层，从而形成第四发射单元。
在第四发射单元上真空沉积Yb至
Figure BDA00038674896700009517
的厚度，然后在其上以9:1的体积比共沉积Ag和Mg以形成具有
Figure BDA00038674896700009518
的厚度的阴极，从而完成串联发光器件的制造。
Figure BDA0003867489670000961
评价示例：示例3和示例4以及对比示例11至对比示例20的发光器件的评价
利用Keithley SMU 236和亮度计PR650测量根据示例3和示例4以及对比示例11至对比示例20制造的发光器件的驱动电压、发光效率和寿命(T95)，结果示出在表3中。
表3
Figure BDA0003867489670000962
Figure BDA0003867489670000971
参照表2和表3，证实了根据实施例的发光器件具有低于或等于对比示例的发光器件的驱动电压的驱动电压，并且具有优异或合适的发光效率和寿命特性。例如，证实了根据实施例的发光器件在高亮度下具有比对比示例的发光器件的发光效率和寿命特性显著优异的发光效率和寿命特性。
根据实施例的发光器件具有优异或合适的发光效率和寿命特性。
可以利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或者软件、固件和硬件的组合来实现在此所描述的根据本发明的实施例的电子设备和/或任何其它相关装置或组件。例如，设备的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或在单独的IC芯片上。此外，设备的各种组件可以在柔性印刷电路膜、带载封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上实现，或者形成在一个基底上。此外，设备的各种组件可以是在一个或更多个计算装置中的一个或更多个处理器上运行的进程或线程，所述一个或更多个计算装置执行计算机程序指令且与其它系统组件交互以执行在此所描述的各种功能。计算机程序指令存储在存储器中，存储器可以使用标准存储器装置(诸如，以随机存取存储器(RAM)为例)在计算装置中实现。计算机程序指令还可以存储在其它非暂时性计算机可读介质(诸如以CD-ROM、闪存驱动器等为例)中。此外，本领域技术人员应认识到的是，在不脱离实施例的范围的情况下，各种计算装置的功能可以组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以分布到一个或更多个其它计算装置上。
应理解的是，在此所描述的实施例应仅在描述性意义上考虑，而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的一个或更多个合适的改变。

Claims (20)

1.一种发光器件，所述发光器件包括：
第一电极；
第二电极，面对所述第一电极；以及
中间层，在所述第一电极与所述第二电极之间，
其中，
所述中间层包括第一发射层和第二发射层，
所述第一发射层包括第一空穴传输主体、第一电子传输主体和第一磷光掺杂剂，并且
所述第二发射层包括第二空穴传输主体、第二电子传输主体和第二磷光掺杂剂，并且
其中，
(i)所述第一发射层的空穴迁移率比所述第一发射层的电子迁移率快，或者
(ii)所述第一发射层中的所述第一空穴传输主体的空穴迁移率比所述第一发射层中的所述第一电子传输主体的电子迁移率快。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二发射层的电子迁移率比所述第一发射层的电子迁移率慢。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，
所述第一空穴传输主体和所述第二空穴传输主体彼此不同，并且
所述第一电子传输主体和所述第二电子传输主体彼此不同。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一空穴传输主体和所述第二空穴传输主体满足不等式1：
不等式1
0.01eV<|LUMO(HT1)|-|LUMO(HT2)|<0.05eV，
其中，在不等式1中，
LUMO(HT1)是所述第一空穴传输主体的最低未占分子轨道能级，并且
LUMO(HT2)是所述第二空穴传输主体的最低未占分子轨道能级。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电子传输主体和所述第二电子传输主体满足不等式2：
不等式2
0.01eV<|LUMO(ET1)|-|LUMO(ET2)|<0.05eV，
其中，在不等式2中，
LUMO(ET1)是所述第一电子传输主体的最低未占分子轨道能级，并且
LUMO(ET2)是所述第二电子传输主体的最低未占分子轨道能级。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，
所述第一空穴传输主体和所述第二空穴传输主体均独立地由式311-1至式311-6中的一个表示，并且
所述第一电子传输主体和所述第二电子传输主体均独立地由式312-1至式312-4和式313中的一个表示：
式311-1
Figure FDA0003867489660000021
式311-2
Figure FDA0003867489660000022
式311-3
Figure FDA0003867489660000023
式311-4
Figure FDA0003867489660000031
式311-5
Figure FDA0003867489660000032
式311-6
Figure FDA0003867489660000033
式312-1
Figure FDA0003867489660000034
式312-2
Figure FDA0003867489660000035
式312-3
Figure FDA0003867489660000041
式312-4
Figure FDA0003867489660000042
式313
Figure FDA0003867489660000043
式313A
Figure FDA0003867489660000044
其中，在式311-1至式311-6、式312-1至式312-4、式313和式313A中，
Ar301是未取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基或者未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基，
A301至A304均独立地是C3-C60碳环基或C1-C60杂环基，
X301是O、S、N-[(L304)xb4-R304]、C[(L304)xb4-R304][(L305)xb5-R305]或Si[(L304)xb4-R304][(L305)xb5-R305]，
X302、Y301和Y302均独立地是单键、O、S、N-[(L305)xb5-R305]、C[(L304)xb4-R304][(L305)xb5-R305]、Si[(L304)xb4-R304][(L305)xb5-R305]或S(＝O)2，
xb1至xb5均独立地是0、1、2、3、4或5，
xb6是1、2、3、4或5，
X321至X328均独立地是N或C[(L324)xb24-R324]，
Y321是*-O-*'、*-S-*'、*-N[(L325)xb25-R325]-*'、*-C[(L325)xb25-R325][(L326)xb26-R326]-*'、*-C[(L325)xb25-R325]＝C[(L326)xb26-R326]-*'、*-C[(L325)xb25-R325]＝N-*'或*-N＝C[(L326)xb26-R326]-*'，
k21是0、1或2，其中，当k21是0时，不存在Y321，
xb21至xb26均独立地是0、1、2、3、4或5，
A31、A32和A34均独立地是C3-C60碳环基或C1-C30杂环基，
A33是由式313A表示的基团，
X31是N[(L335)xb35-(R335)]、O、S、Se、C[(L335)xb35-(R335)][(L336)xb36-(R336)]或Si[(L335)xb35-(R335)][(L336)xb36-(R336)]，
xb31至xb36均独立地是0、1、2、3、4或5，
xb42至xb44均独立地是0、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10，
L301至L306、L321至L326和L331至L336均独立地是单键、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C20亚烷基、未取代或取代有至少一个R10a的C2-C20亚烯基、未取代或取代有至少一个R10a的C2-C20亚炔基、未取代或取代有至少一个R10a的C3-C10亚环烷基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C10亚杂环烷基、未取代或取代有至少一个R10a的C3-C10亚环烯基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C10亚杂环烯基、未取代或取代有至少一个R10a的C6-C60亚芳基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60亚杂芳基、未取代或取代有至少一个R10a的二价非芳香缩合多环基或者未取代或取代有至少一个R10a的二价非芳香缩合杂多环基，
R301至R305、R311至R314、R321至R326和R331至R336均独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷基、未取代或取代有至少一个R10a的C2-C60烯基、未取代或取代有至少一个R10a的C2-C60炔基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60烷氧基、未取代或取代有至少一个R10a的C3-C10环烷基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C10杂环烷基、未取代或取代有至少一个R10a的C3-C10环烯基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C10杂环烯基、未取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳基、未取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳氧基、未取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳硫基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂芳基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂芳氧基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂芳硫基、未取代或取代有至少一个R10a的单价非芳香缩合多环基、未取代或取代有至少一个R10a的单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-N(Q1)(Q2)、-P(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)、-P(＝O)(Q1)(Q2)或-P(＝S)(Q1)(Q2)，
R321至R324中的两个或更多个取代基可选地结合在一起以形成未取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基或者未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基，
R10a是：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；
均未取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳氧基、C1-C60杂芳硫基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或它们的任何组合的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基或C1-C60烷氧基；
均未取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳氧基、C1-C60杂芳硫基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或它们的任何组合的C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳氧基或C1-C60杂芳硫基；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)，并且
Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33均独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C1-C60烷基；C2-C60烯基；C2-C60炔基；C1-C60烷氧基；或者均未取代或取代有氘、-F、氰基、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合的C3-C60碳环基或C1-C60杂环基。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一空穴传输主体和所述第二空穴传输主体均独立地选自于化合物HH-1至化合物HH-21：
Figure FDA0003867489660000071
Figure FDA0003867489660000081
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电子传输主体和所述第二电子传输主体均独立地选自于化合物EH-1至化合物EH-24：
Figure FDA0003867489660000091
Figure FDA0003867489660000101
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一磷光掺杂剂和所述第二磷光掺杂剂彼此相同或不同。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一磷光掺杂剂和所述第二磷光掺杂剂均独立地具有490nm至580nm的最大发射波长。
11.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一磷光掺杂剂的最大发射波长与所述第二磷光掺杂剂的最大发射波长之间的差小于或等于10nm。
12.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一磷光掺杂剂的发射光谱与所述第二磷光掺杂剂的发射光谱之间的重合比大于或等于80％。
13.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一磷光掺杂剂和所述第二磷光掺杂剂均独立地是由式411或式412表示的化合物：
式411
Figure FDA0003867489660000111
式412
Figure FDA0003867489660000112
其中，在式411和式412中，
M41和M42均独立地是铂、钯、铜、银、金、铑、铱、钌、锇、钛、锆、铪、铕、铽或铥；
n41是1、2或3，
Ln42是有机配体，并且n42是0、1或2，
Y41至Y46均独立地是N或C，
A41至A46均独立地是C3-C60碳环基或C1-C60杂环基，
T41至T46均独立地是单键、*-O-*'或*-S-*'，
L41至L45均独立地是单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(R47)(R48)-*'、*-C(R47)＝*'、*＝C(R47)-*'、*-C(R47)＝C(R48)-*'、*-C(＝O)-*'、*-C(＝S)-*'、*-C≡C-*'、*-B(R47)-*'、*-N(R47)-*'、*-P(R47)-*'、*-Si(R47)(R48)-*'、*-P(＝O)(R47)-*'或*-Ge(R47)(R48)-*'，
m41至m45均独立地是0、1、2或3，
R41至R48均独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C20烷基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C20烷氧基、未取代或取代有至少一个R10a的C3-C10环烷基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C10杂环烷基、未取代或取代有至少一个R10a的C3-C10环烯基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C10杂环烯基、未取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳基、未取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳氧基、未取代或取代有至少一个R10a的C6-C60芳硫基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂芳基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂芳氧基、未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂芳硫基、未取代或取代有至少一个R10a的单价非芳香缩合多环基、未取代或取代有至少一个R10a的单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q41)(Q42)(Q43)、-N(Q41)(Q42)、-B(Q41)(Q42)、-C(＝O)(Q41)、-S(＝O)2(Q41)或-P(＝O)(Q41)(Q42)，
R47和R41；R47和R42；R47和R43；或者R47和R44可选地结合在一起以形成未取代或取代有至少一个R10a的C3-C60碳环基或者未取代或取代有至少一个R10a的C1-C60杂环基，
b41至b46均独立地是1、2、3、4、5、6、7或8，
*和*'均表示与相邻原子的结合位，
R10a是：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；
均未被取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳基烷基、C1-C60杂芳氧基、C1-C60杂芳硫基、C2-C60杂芳基烷基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或它们的任何组合的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基或C1-C60烷氧基；
均未被取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳基烷基、C1-C60杂芳氧基、C1-C60杂芳硫基、C2-C60杂芳基烷基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或它们的任何组合的C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳基烷基、C1-C60杂芳氧基、C1-C60杂芳硫基或C2-C60杂芳基烷基；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)，并且
Q11至Q13、Q21至Q23、Q31至Q33和Q41至Q43均独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C1-C60烷基；C2-C60烯基；C2-C60炔基；C1-C60烷氧基；或者均未被取代或取代有氘、-F、氰基、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合的C3-C60碳环基或C1-C60杂环基。
14.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一磷光掺杂剂和所述第二磷光掺杂剂均独立地选自于化合物G-1至化合物G-12：
Figure FDA0003867489660000141
15.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发光器件发射具有490nm至580nm的最大发射波长的绿光。
16.根据权利要求1所述的发光器件，其中，
所述发光器件的所述第一电极是阳极，
所述发光器件的所述第二电极是阴极，
所述中间层还包括在所述第一电极与所述第一发射层之间的空穴传输区域和在所述第二发射层与所述第二电极之间的电子传输区域，
所述空穴传输区域还包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或它们的任何组合，并且
所述电子传输区域还包括空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或它们的任何组合。
17.根据权利要求16所述的发光器件，其中，
所述第一发射层与所述空穴传输区域直接接触，并且
所述第二发射层与所述电子传输区域直接接触。
18.根据权利要求1所述的发光器件，其中，
所述中间层包括m个发射单元和在相邻的发射单元之间的m-1个电荷产生单元，并且
所述m个发射单元中的一个包括所述第一发射层和所述第二发射层。
19.一种电子设备，所述电子设备包括根据权利要求1所述的发光器件。
20.根据权利要求19所述的电子设备，所述电子设备还包括薄膜晶体管，其中，
所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且
所述发光器件的所述第一电极电连接到所述源电极或所述漏电极。
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