CN116053933A - 一种半导体激光器装置 - Google Patents

Abstract

本发明提出一种半导体激光器装置，包括第一、第二发光单元，第一、第二整形单元，第一、第二反射单元，合束单元和耦合单元；第一、第二发光单元具有沿第一方向并排排列的第一、第二激光器单管；第一、第二激光器单管沿第二方向射出光束；其中以底座为基准，设高度最高的第一激光器单管的高度为h1，高度最低的第二激光器单管的高度为h2，则h1≤h2；第一整形单元的高度低于第二整形单元的高度；第一反射单元的高度低于第二反射单元的高度；合束单元用于将第一反射单元和第二反射单元射出的光束偏振合束；耦合单元用于将合束单元射出的光束耦合至输出光纤。本发明解决了现有激光器装置存在较多闲置空间的问题。

Description

一种半导体激光器装置

技术领域

本发明涉及激光器技术领域，尤其涉及一种半导体激光器装置。

背景技术

半导体激光器装置是一种能够用于发射激光的装置，通过放置在其中的半导体激光单元产生激光；为了提高半导体激光器输出功率，需要放置多个半导体激光单元,并在激光器中设置多种镜片使半导体激光单元产生的激光能够合束输出。随着半导体激光单元的数量越多，半导体激光器装置的体积越大，重量越重。

由于光纤激光器和固体激光器轻量化的需求，作为其中主要的重量，需要轻量化的半导体激光器装置来实现。目前主要通过使用密度小的材料实现轻量化的要求。现有的技术方案，参照图1，用多个半导体激光器单管2组成两个发光单元1，两个发光单元1的中心光斑高度一致。

在实现本发明过程中，发明人发现现有技术中至少存在以下问题：现有的在设计半导体激光器装置的过程中，为了避免光学部件的干涉，光路设计不够密集，会造成半导体激光器内部产生很大的闲置空间3。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

为此，本发明的目的在于提出一种半导体激光器装置，解决现有半导体激光装置光路不够密集，内部有较多闲置空间的问题。

为达到上述目的，本发明提出的一种半导体激光器装置，包括：

第一发光单元，安装在底座上，所述第一发光单元具有至少一个沿第一方向并排排列的第一激光器单管，所述第一激光器单管沿第二方向射出光束；

第二发光单元，安装在所述底座上，所述第二发光单元具有至少一个沿第一方向并排排列的第二激光器单管，所述第二激光器单管沿第二方向射出光束；其中以底座为基准，设高度最高的所述第一激光器单管的高度为h1，高度最低的所述第二激光器单管的高度为h2，则h1≤h2；

第一整形单元，用于对所述第一发光单元射出的光束进行整形；

第二整形单元，用于对所述第二发光单元射出的光束进行整形，所述第一整形单元的高度低于所述第二整形单元的高度；

第一反射单元，用于将所述第一整形单元射出的光束沿第一方向反射出去；

第二反射单元，用于将所述第二整形单元射出的光束沿第一方向反射出去，所述第一反射单元的高度低于所述第二反射单元的高度；

合束单元，用于将所述第一反射单元和所述第二反射单元射出的光束偏振合束；

耦合单元，用于将所述合束单元射出的光束耦合至输出光纤。

根据本发明的半导体激光器装置，通过将第一发光单元和第二发光单元设置在不同的高度层面，第一整形单元和第二整形单元设置在不同的高度层面，第一反射单元和第二反射单元设置在不同的高度层面，形成光路的上下错位排布，形成了三维空间密集光路，相比现有的激光器装置，同一发光单元中相邻的激光器单管之间沿第一方向的距离得以缩减，两个发光单元之间沿第二方向的距离得以缩减，在激光器单管数量一致的前提下，缩小了整个激光器装置的体积，提高了内部空间利用效率，降低了激光器装置的重量。

根据本发明的一个实施例，所述第一激光器单管射出的光束与所述第二激光器单管射出的光束同向或者反向。

根据本发明的一个实施例，所述第一发光单元设置在一台阶结构上，各个所述第一激光器单管设置在不同的台阶上，所述第二发光单元设置在另一台阶结构上，各个所述第二激光器单管设置在不同的台阶上。

根据本发明的一个实施例，所述第一发光单元设置在一平台上，各个所述第一激光器单管设置在同一平面上，所述第二发光单元设置在另一平台上，各个所述第二激光器单管设置在同一平面上。

根据本发明的一个实施例，所述第一整形单元包括第一快轴准直透镜和第一慢轴准直透镜，所述第一激光器单管射出的光束沿第一方向依序穿过第一快轴准直透镜和第一慢轴准直透镜；

所述第二整形单元包括第二快轴准直透镜和第二慢轴准直透镜，所述第二激光器单管射出的光束沿第一方向依序穿过第二快轴准直透镜和第二慢轴准直透镜；

其中，以所述底座为基准，所述第一快轴准直透镜所在高度低于所述第二快轴准直透镜所在高度，所述第一慢轴准直透镜所在高度低于所述第二慢轴准直透镜的高度。

根据本发明的一个实施例，所述第一慢轴准直透镜在所述底座的正投影面与所述第二慢轴准直透镜在所述底座的正投影面相交。

根据本发明的一个实施例，所述第一反射单元包括至少一个第一小反射镜，所述第二反射单元包括至少一个第二小反射镜，其中，以所述底座为基准，所述第一小反射镜所在高度低于所述第二小反射镜所在高度。

根据本发明的一个实施例，所述合束单元包括：

第一大反射镜，设置在所述底座上，用于将所述第一反射单元或所述第二反射单元射出的光束沿第一方向反射出去；

升光镜，用于改变所述第一反射单元或所述第二反射单元射出的中心光斑高度，使得所述第一反射单元和所述第二反射单元射出的中心光斑高度一致；

偏振合束棱镜，用于将所述第一反射单元和所述第二发射单元射出的光束偏振合束。

根据本发明的一个实施例，所述耦合单元包括聚焦透镜。

根据本发明的一个实施例，所述耦合单元包括慢轴聚焦镜和快轴聚焦镜。

根据本发明的一个实施例，所述第一激光器单管的出射端的前方设置有第一布拉格光栅，所述第二激光器单管的出射端的前方设置有第二布拉格光栅。

根据本发明的一个实施例，所述合束单元还包括：

第二大反射镜，用于改变所述偏振合束棱镜射出的光束的方向。

根据本发明的一个实施例，所述合束单元还包括：

扩束镜，用于将所述第一反射单元或所述第二反射单元射出的光束的直径增大。

根据本发明的一个实施例，所述合束单元还包括：

第三大反射镜，用于改变所述第二大反射镜射出的光束的方向。

本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。其中：

图1是现有技术中半导体激光器装置的结构示意图。

图2是本发明一实施例提出的半导体激光器装置的结构示意图。

图3是图2的俯视图。

图4是图2的侧视图。

图5是本发明一实施例提出的半导体激光器装置的封装结构示意图。

图6是本发明半导体激光器装置第二实施例的示意图。

图7是本发明半导体激光器装置第三实施例的示意图。

图8是本发明半导体激光器装置第四实施例的示意图。

图9是本发明半导体激光器装置第五实施例的示意图。

图10是本发明半导体激光器装置第六实施例的示意图。

图11是图10的立体示意图。

图12是本发明半导体激光器装置第七实施例的示意图。

图13是本发明半导体激光器装置第八实施例的示意图。

附图标记说明：

1-发光单元，2-激光器单管，3-闲置空间，4-输出光纤，5-升光镜，6-第一大反射镜，7-第一发光单元，8-第一激光器单管，10-第二慢轴准直透镜，11-第一慢轴准直透镜，12-第一小反射镜，13-第二快轴准直透镜，14-第二激光器单管，15-第二发光单元，16-底座，17-聚焦透镜，18-第二大反射镜，19-偏振合束棱镜，20-第一快轴准直透镜，21-慢轴聚焦镜，22-快轴聚焦镜，23-第二小反射镜，24-第一布拉格光栅，25-第二布拉格光栅，26-第三大反射镜，27-扩束镜，28-管壳。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。相反，本发明的实施例包括落入所附加权利要求书的精神和内涵范围内的所有变化、修改和等同物。

图2至图5示出了本发明一实施例提出的半导体激光器装置的结构。结合图2-图5，本实施例提供的一种半导体激光器装置，包括底座16、第一发光单元7、第二发光单元15、第一整形单元、第二整形单元、第一反射单元、第二反射单元、合束单元和耦合单元，其中：

底座16位于管壳28内部，主要起支撑作用，用于承载光学器件及支撑结构。

第一发光单元7安装在底座16上，第一发光单元7具有至少一个沿第一方向并排排列的第一激光器单管8，第一激光器单管8沿第二方向射出光束。第二发光单元15安装在底座16上，第二发光单元15具有至少一个沿第一方向并排排列的第二激光器单管14，第二激光器单管14沿第二方向射出光束；其中以底座16为基准，设高度最高的第一激光器单管8的高度为h1，高度最低的第二激光器单管14的高度为h2，则h1≤h2。如图2所示，第一方向是Y轴方向，第二方向是X轴方向，高度用Z轴方向表示。

在一个实施方式中，第一激光器单管8和第二激光器单管14均为边发射激光器。第一激光器单管8和第二激光器单管14的数量可以根据实际的需求来设定。第一激光器单管8的出射端的前方设置有第一布拉格光栅24，第二激光器单管14的出射端的前方设置有第二布拉格光栅25。布拉格光栅可以起到滤波和稳定波长的作用。第一激光器单管8射出的光束与第二激光器单管14射出的光束反向。第一发光单元7设置在一台阶结构上，各个第一激光器单管8设置在不同的台阶上，第二发光单元15设置在另一台阶结构上，各个第二激光器单管14设置在不同的台阶上。在一个发光单元中，各个激光器单管的高度沿Y轴正方向逐渐降低。

第一整形单元用于对第一发光单元7射出的光束进行整形。第二整形单元用于对第二发光单元15射出的光束进行整形，第一整形单元的高度低于第二整形单元的高度。在一个实施方式中，第一整形单元包括第一快轴准直透镜20和第一慢轴准直透镜11，第一激光器单管8射出的光束沿第一方向依序穿过第一快轴准直透镜20和第一慢轴准直透镜11。第二整形单元包括第二快轴准直透镜13和第二慢轴准直透镜10，第二激光器单管14射出的光束沿第一方向依序穿过第二快轴准直透镜13和第二慢轴准直透镜10。其中，以底座16为基准，第一快轴准直透镜20所在高度低于第二快轴准直透镜13所在高度，第一慢轴准直透镜11所在高度低于第二慢轴准直透镜10的高度。第一慢轴准直透镜11在底座16的正投影面与第二慢轴准直透镜10在底座16的正投影面相交。

第一反射单元用于将第一整形单元射出的光束沿第一方向反射出去。第二反射单元用于将第二整形单元射出的光束沿第一方向反射出去，第一反射单元的高度低于第二反射单元的高度。在一个实施方式中，第一反射单元包括至少一个第一小反射镜12，第二反射单元包括至少一个第二小反射镜23，其中，以底座16为基准，第一小反射镜12所在高度低于第二小反射镜23所在高度。底座16上安装有支撑台(图中未示出)，慢轴准直透镜和小反射镜是粘接在支撑台上的。

合束单元用于将第一反射单元和第二反射单元射出的光束偏振合束。在一个实施方式中，合束单元包括升光镜5、第一大反射镜6、第二大反射镜18和偏振合束棱镜19。

其中，第一大反射镜6设置在底座16上，用于将第一反射单元或第二反射单元射出的光束沿第一方向反射出去。升光镜5用于改变第一反射单元或第二反射单元射出的中心光斑高度，使得第一反射单元和第二反射单元射出的中心光斑高度一致。中心光斑指位于同一发光单元中位于中间位置的激光器单管的出光光斑。可以理解的是，升光镜的原理与潜望镜相同，由两块相互平行并与水平成45度角的平面镜组成，升光镜的进光口和出光口位置可以调换，既可以抬高中心光斑，也可以降低中心光斑。在本实施例中，升光镜5将第二反射单元射出的中心光斑降低，使第二反射单元射出的中心光斑高度与第一反射单元射出中心光斑高度相同。偏振合束棱镜19用于将第一反射单元和第二发射单元射出的光束偏振合束。偏振合束棱镜19内有偏振片，对第一发光单元7和第二发光单元15射出的光束先产生偏振，然后进行偏振合束。第二大反射镜18设置在底座16上，用于改变偏振合束棱镜19射出的光束的方向。

耦合单元用于将合束单元射出的光束耦合至输出光纤4。在一个实施方式中，耦合单元为聚焦透镜17。

本实施例中，第一大反射镜6安装在第二反射单元沿Y轴正方向的一侧，升光镜5和偏振合束棱镜19依序安装在第一大反射镜6沿X轴正方向的一侧，偏振合束棱镜19还需要满足安装在第一反射单元沿Y轴正方向的一侧，第二大反射镜18安装在偏振合束棱镜19沿Y轴正方向的一侧，聚焦透镜17和输出光纤4依序安装在第二大反射镜18沿X轴负方向的一侧。光路的路径如下：第二发光单元射出光束经过第一大反射镜6进行90°转折反射,升光镜5降低其光斑高度，使其中心光斑高度与第一发光单元的中心光斑高度相同，然后经偏振合束棱镜与第一发光单元光斑进行偏振合束，合束后光线方向与第一反射单元出光方向相同，经第二大反射镜18进行90°转折反射，将光路折返，再经聚焦透镜17耦合到输出光纤4上。输出光纤4与第一发光单元7同侧布置。由此，第一大反射镜6、升光镜5和偏振合束棱镜19沿X轴正向排布成一排，输出光纤4、聚焦透镜17和第二大反射镜18沿X轴正向排布成另一排，能够有效缩短占用底座的长度，减少管壳内的闲置空间。

根据本发明实施例的半导体激光器装置，通过将第一发光单元和第二发光单元设置在不同的高度层面，第一整形单元和第二整形单元设置在不同的高度层面，第一反射单元和第二反射单元设置在不同的高度层面，形成光路的上下错位排布，形成了三维空间密集光路，相比现有的激光器装置，同一发光单元中相邻的激光器单管之间沿第一方向的距离得以缩减，两个发光单元之间沿第二方向的距离得以缩减，在激光器单管数量一致的前提下，缩小了整个激光器装置的体积，提高了内部空间利用效率，降低了激光器装置的重量。

图6是本发明半导体激光器装置第二实施例的示意图。图6所示实施例与图3所示实施例的差别在于耦合单元不同。具体而言，图3所示实施例中，耦合单元采用单一的聚焦透镜17，设置在输出光纤4和第二大反射镜18之间。在图6所示实施例中，耦合单元采用了慢轴聚焦镜21和快轴聚焦镜22的组合，第二大反射镜18射出的光束沿X轴的反方向依序经过慢轴聚焦镜21和快轴聚焦镜22耦合至输出光纤4。与图3所示实施例相比，采用慢轴聚焦镜21和快轴聚焦镜22能够比单个聚焦透镜17获得更好的耦合效果。

图7是本发明半导体激光器装置第三实施例的示意图。图7所示实施例与图3所示实施例的差别在于大反射镜数量不同。具体而言，图3所示实施例中，大反射镜使用了第一大反射镜6和第二大反射镜18。而在图7所示实施例中，仅使用单个第一大反射镜6。从第一大反射镜6射出的光束沿X轴正方向依序经过升光镜5、偏振合束棱镜19和聚焦透镜17后耦合至输出光纤4。输出光纤4与第二发光单元15同侧布置。与图3所示实施例相比，减少了第二大反射镜，制造成本得以降低；第一大反射镜6、升光镜5、偏振合束棱镜19和聚焦透镜17沿X轴正向排布成一排，进一步缩短占用底座的长度，减少管壳内的闲置空间。

图8是本发明半导体激光器装置第四实施例的示意图。图8所示实施例与图7所示实施例的差别在于聚焦透镜17和输出光纤4的位置不同。具体而言，在图8所示实施例中，聚焦透镜17和输出光纤4设置在偏振合束棱镜19沿Y轴正方向的一侧。从第一大反射镜6射出的光束沿X轴正方向依序经过升光镜5和偏振合束棱镜19，再从偏振合束棱镜19沿Y轴正方向的一侧射出，经过聚焦透镜17耦合至输出光纤4。与图7所示实施例相比，输出光纤4的轴线与第一反射单元射出的光束共线，输出光纤4安装在底座的左侧，满足一些场合下的应用。

图9是本发明半导体激光器装置第五实施例的示意图。图9所示实施例与图3所示实施例的差别在于大反射镜的数量不同。具体而言，图3所示实施例中，大反射镜使用了第一大反射镜6和第二大反射镜18。而在图7所示实施例中，大反射镜包括第一大反射镜6、第二大反射镜18和第三大反射镜26。第一大反射镜6安装在第一反射单元沿Y轴正方向的一侧，升光镜5安装在第二反射单元沿Y轴正方向的一侧，第一大反射镜6将第一反射单元射出的光束沿X轴负方向经过偏振合束棱镜19，经过第二大反射镜18的反射，向Y轴的正方向传输，经过第三大反射镜26的反射，向X轴的正方向传输，经过聚焦透镜17耦合至输出光纤4；第二反射单元射出的光束沿Y轴正方向进入偏振合束棱镜19，与第一反射单元射出的光束进行偏振合束。输出光纤4与第二发光单元15同侧布置。

图10和图11是本发明半导体激光器装置第六实施例的示意图。图10所示实施例与图3所示实施例的区别在于第一发光单元和第二发光单元的设置位置不同。具体而言，图3所示实施例中，第一发光单元和第二发光单元分别设置底座的上下两侧。而在图10所示实施例中，第一发光单元和第二发光单元位于底座的同一侧，第一激光器单管8射出的光束与第二激光器单管14射出的光束同向。由此，与第一发光单元配套的第一整形单元和第一反射单元的位置也发生了改变。第一发光单元高度较低，使用了准直焦距较小的第一慢轴准直透镜11，第二发光单元高度较高，使用了准直焦距较大的第二慢轴准直透镜10。第一慢轴准直透镜11安装在第二小反射镜23的下方，第一慢轴准直透镜11与第一激光器单管8之间的距离小于第二慢轴准直透镜10与第二激光器单管14的距离，第一反射单元反射出的中心光斑的直径小于第二反射单元反射出的中心光斑的直径。为了更好的合束，在第一反射单元沿Y轴正方向的一侧设置了扩束镜27，用于将第一反射单元射出的中心光斑的直径增大，达到与第二反射单元射出的中心光斑直径相同。第一反射单元射出的光束经第一大反射镜6进行90°转折反射,与降低光斑高度后的第二发光单元的光斑经进行偏振合束，然后光束经聚焦透镜17耦合到输出光纤4上。输出光纤4与第一反射单元位于底座的同侧。

图12是本发明半导体激光器装置第七实施例的示意图。图11所示实施例与图10所示实施例的区别在于没有扩束镜。具体而言，第一慢轴准直透镜11与第一激光器单管8之间的距离等于第二慢轴准直透镜10与第二激光器单管14的距离，第一反射单元反射出的中心光斑的直径等于第二反射单元反射出的中心光斑的直径，因此不需要扩束镜。第二反射单元反射出的光束经升光镜5降低光斑，经第一大反射镜6的90°转折反射，进入偏振合束棱镜19，与从第一反射单元反射从的光束进行偏振合束，再经过第二大反射镜18的90°转折反射，经聚焦透镜耦合至输出光纤4。输出光纤4与第一发光单元位于底座的同侧。

图13是本发明半导体激光器装置第八实施例的示意图。图13所示实施例与图3所示实5施例的区别是同一个发光单元的激光器单管安装在同一平面上。图13所示实施例中，第一

发光单元7设置在一平台上，各个第一激光器单管8设置在同一平面上，第二发光单元15设置在另一平台上，各个第二激光器单管14设置在同一平面上。

基于本发明上述实施例提供的半导体激光器装置，通过将两个发光单元、两个整形单元

和两个反射单元设置在不同的高度层面，形成光路的上下错位排布，形成了三维空间密集光0路，缩小了整个激光器装置的体积，提高了内部空间利用效率，降低了激光器装置的重量。

此外，本发明上述实施例将合束单元和耦合单元中的光学部件沿X轴方向排列成至少一列，相比现有沿Y轴方向直线排布的方式，在输出功率一致的前提下，可以缩短底座的长度大约30％，减少管壳内的闲置空间，降低激光器装置重量大约35％。

需要说明的是，在本发明的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不5能理解为指示或暗示相对重要性。此外，在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含

义是两个或两个以上。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械

连接，也可以是电连接或彼此可通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可0以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特

征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，5或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”

和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为，表示包括一个或

更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分，并且0本发明的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根

据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本发明的实施例所属技术领域的技术人员所理解。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (14)

1.一种半导体激光器装置，其特征在于，包括：

第一发光单元(7)，安装在底座(16)上，所述第一发光单元(7)具有至少一个沿第一方向并排排列的第一激光器单管(8)，所述第一激光器单管(8)沿第二方向射出光束；

第二发光单元(15)，安装在所述底座(16)上，所述第二发光单元(15)具有至少一个沿第一方向并排排列的第二激光器单管(14)，所述第二激光器单管(14)沿第二方向射出光束；其中以底座(16)为基准，设高度最高的所述第一激光器单管(8)的高度为h1，高度最低的所述第二激光器单管(14)的高度为h2，则h1≤h2；

第一整形单元，用于对所述第一发光单元(7)射出的光束进行整形；

第二整形单元，用于对所述第二发光单元(15)射出的光束进行整形，所述第一整形单元的高度低于所述第二整形单元的高度；

第一反射单元，用于将所述第一整形单元射出的光束沿第一方向反射出去；

第二反射单元，用于将所述第二整形单元射出的光束沿第一方向反射出去，所述第一反射单元的高度低于所述第二反射单元的高度；

合束单元，用于将所述第一反射单元和所述第二反射单元射出的光束偏振合束；

耦合单元，用于将所述合束单元射出的光束耦合至输出光纤(4)。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，所述第一激光器单管(8)射出的光束与所述第二激光器单管(14)射出的光束同向或者反向。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，所述第一发光单元(7)设置在一台阶结构上，各个所述第一激光器单管(8)设置在不同的台阶上，所述第二发光单元(15)设置在另一台阶结构上，各个所述第二激光器单管(14)设置在不同的台阶上。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，所述第一发光单元(7)设置在一平台上，各个所述第一激光器单管(8)设置在同一平面上，所述第二发光单元(15)设置在另一平台上，各个所述第二激光器单管(14)设置在同一平面上。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，所述第一整形单元包括第一快轴准直透镜(20)和第一慢轴准直透镜(11)，所述第一激光器单管(8)射出的光束沿第一方向依序穿过第一快轴准直透镜(20)和第一慢轴准直透镜(11)；

所述第二整形单元包括第二快轴准直透镜(13)和第二慢轴准直透镜(10)，所述第二激光器单管(14)射出的光束沿第一方向依序穿过第二快轴准直透镜(13)和第二慢轴准直透镜(10)；

其中，以所述底座(16)为基准，所述第一快轴准直透镜(20)所在高度低于所述第二快轴准直透镜(13)所在高度，所述第一慢轴准直透镜(11)所在高度低于所述第二慢轴准直透镜(10)的高度。

6.根据权利要求5所述的半导体激光器装置，其特征在于，所述第一慢轴准直透镜(11)在所述底座(16)的正投影面与所述第二慢轴准直透镜(10)在所述底座(16)的正投影面相交。

7.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，所述第一反射单元包括至少一个第一小反射镜(12)，所述第二反射单元包括至少一个第二小反射镜(23)，其中，以所述底座(16)为基准，所述第一小反射镜(12)所在高度低于所述第二小反射镜(23)所在高度。

8.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，所述合束单元包括：

第一大反射镜(6)，设置在所述底座(16)上，用于将所述第一反射单元或所述第二反射单元射出的光束沿第一方向反射出去；

升光镜(5)，用于改变所述第一反射单元或所述第二反射单元射出的中心光斑高度，使得所述第一反射单元和所述第二反射单元射出的中心光斑高度一致；

偏振合束棱镜(19)，用于将所述第一反射单元和所述第二发射单元射出的光束偏振合束。

9.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，所述耦合单元包括聚焦透镜(17)。

10.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，所述耦合单元包括慢轴聚焦镜(21)和快轴聚焦镜(22)。

11.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，所述第一激光器单管(8)的出射端的前方设置有第一布拉格光栅(24)，所述第二激光器单管(14)的出射端的前方设置有第二布拉格光栅(25)。

12.根据权利要求8所述的半导体激光器装置，其特征在于，所述合束单元还包括：

第二大反射镜(18)，用于改变所述偏振合束棱镜(19)射出的光束的方向。

13.根据权利要求8所述的半导体激光器装置，其特征在于，所述合束单元还包括：

扩束镜(27)，用于将所述第一反射单元或所述第二反射单元射出的光束的直径增大。

14.根据权利要求12所述的半导体激光器装置，其特征在于，所述合束单元还包括：

第三大反射镜(26)，用于改变所述第二大反射镜(18)射出的光束的方向。

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