CN116045951B - 一种基于刻蚀带状结构抑制光纤陀螺反向噪声的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及集成光学陀螺技术领域,尤其涉及一种基于刻蚀带状结构抑制光纤陀螺反向噪声的方法,包括通过光纤陀螺中波导的双端尾纤的直径
Figure ZY_1
和第一数值孔径NA1确定第一等效曲率半径R,以及获取铌酸锂波导材料的第二数值孔径NA2,根据第二数值孔径NA2确定汇聚点的第二等效曲率半径r,以及根据第一等效曲率半径R和第二等效曲率半径r确定刻蚀圆环的刻蚀参数,并根据刻蚀参数对双端尾纤进行刻蚀,此时通过将双端尾纤分别进行和铌酸锂波导材料的第二端面对准并熔接,减小了光纤截面面积,从而减少了反射面,降低了噪声。

Description

一种基于刻蚀带状结构抑制光纤陀螺反向噪声的方法
技术领域
本发明涉及集成光学陀螺技术领域,尤其涉及一种基于刻蚀带状结构抑制光纤陀螺反向噪声的方法。
背景技术
在光学陀螺的制造过程中,光纤和波导的连接点通常采用锥透镜连接,此种连接方式存在较严重的光反射问题,在光反射问题的驱使下使得干涉条纹间距产生变化,严重影响了光学陀螺的测量精度。
发明内容
本发明旨在至少解决相关技术中存在的技术问题之一。为此,本发明提供一种基于刻蚀带状结构抑制光纤陀螺反向噪声的方法,包括以下步骤:
步骤S1,通过光纤陀螺中波导的双端尾纤的直径
Figure SMS_1
和第一数值孔径NA1确定第一等效曲率半径R;
步骤S2,获取铌酸锂波导材料的第二数值孔径NA2,根据所述第二数值孔径NA2确定汇聚点的第二等效曲率半径r;
步骤S3,根据所述第一等效曲率半径R和所述第二等效曲率半径r确定刻蚀圆环的刻蚀参数,并根据所述刻蚀参数对所述双端尾纤和单端尾纤进行刻蚀。
进一步地,所述步骤S1,根据公式(1)计算所述第一等效曲率半径R:
Figure SMS_2
进一步地,所述步骤S2,根据公式(2)计算所述第二等效曲率半径r:
Figure SMS_3
进一步地,所述步骤S3中,根据公式(3)计算所述刻蚀圆环的圆环面积
Figure SMS_4
Figure SMS_5
其中,
Figure SMS_6
表示光路波长,/>
Figure SMS_7
表示每个相近波带的相位差。
进一步地,在所述步骤S3中,所述刻蚀圆环的刻蚀参数包括刻蚀圆环的刻蚀圈数
Figure SMS_8
,根据公式(4)计算所述刻蚀圈数/>
Figure SMS_9
:/>
Figure SMS_10
进一步地,还包括步骤S4,将所述双端尾纤的刻蚀圆环均和铌酸锂波导材料的第一端面对准并熔接。
进一步地,所述步骤S4中,在进行熔接时,控制每熔接点的损耗小于或等于0.2Db。
进一步地,还包括步骤S5,所述单端尾纤的刻蚀圆环和铌酸锂波导材料的第二端面对准并熔接。
本发明实施例中的上述一个或多个技术方案,至少具有如下技术效果之一:
通过光纤陀螺中波导的双端尾纤的直径
Figure SMS_11
和第一数值孔径NA1确定第一等效曲率半径R,以及获取铌酸锂波导材料的第二数值孔径NA2,根据第二数值孔径NA2确定汇聚点的第二等效曲率半径r,以及根据第一等效曲率半径R和第二等效曲率半径r确定刻蚀圆环的刻蚀参数,并根据刻蚀参数对双端尾纤进行刻蚀,此时通过将双端尾纤进行均和铌酸锂波导材料的第二端面对准并熔接,减小了光纤截面面积,从而减少了反射面,降低了噪声。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
为了更清楚地说明本发明或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明提供的基于刻蚀带状结构抑制光纤陀螺反向噪声的方法的步骤流程图。
图2是本发明提供的单端尾纤和双端尾纤与铌酸锂波导材料熔接的结构示意图。
附图标记:1.单端尾纤,2.单端尾纤的刻蚀圆环,3.铌酸锂波导材料,4.双端尾纤的刻蚀圆环,5.双端尾纤,6.铌酸锂波导材料的第一端面,7.铌酸锂波导材料的第二端面。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明中的附图,对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。以下实施例用于说明本发明,但不能用来限制本发明的范围。
在本发明实施例的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明实施例和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明实施例的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明实施例的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明实施例中的具体含义。
在本发明实施例中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明实施例的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
下面结合图1-图2描述本发明的基于刻蚀带状结构抑制光纤陀螺反向噪声的方法包括以下步骤:
步骤S1,将光纤陀螺中波导的双端尾纤5的直径
Figure SMS_12
和第一数值孔径NA1确定第一等效曲率半径R。
具体而言,一种优选的方案,可根据公式(1)计算第一等效曲率半径R:
Figure SMS_13
步骤S2,获取铌酸锂波导材料3的第二数值孔径NA2,根据第二数值孔径NA2确定汇聚点的第二等效曲率半径r。
具体而言,一种优选的方案,可根据公式(2)计算第二等效曲率半径r:
Figure SMS_14
步骤S3,根据第一等效曲率半径R和第二等效曲率半径r确定刻蚀圆环的刻蚀参数,并根据刻蚀参数对双端尾纤5和单端尾纤1进行刻蚀。
具体而言,一种优选的方案,可根据公式(3)计算刻蚀圆环的圆环面积
Figure SMS_15
Figure SMS_16
。/>
其中,
Figure SMS_17
光路波长,/>
Figure SMS_18
表示每个相近波带的相位差。
具体而言,在步骤S3中,刻蚀圆环的刻蚀参数包括刻蚀圆环的刻蚀圈数
Figure SMS_19
,一种优选的方案,可根据公式(4)计算刻蚀圈数/>
Figure SMS_20
Figure SMS_21
具体而言,每一圈刻蚀的圆环面积
Figure SMS_22
需相等。
一种优选的方案,还包括步骤S4,将双端尾纤的刻蚀圆环4均和铌酸锂波导材料的第一端面6对准并熔接。
具体而言,步骤S4中,在进行熔接时,控制每熔接点的损耗小于或等于0.2Db。
一种优选的方案,还包括步骤S5,单端尾纤的刻蚀圆环2和铌酸锂波导材料的第二端面7对准并熔接,连接Y波导从而实现降低反向噪声的作用。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (3)

1.一种基于刻蚀带状结构抑制光纤陀螺反向噪声的方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1,通过光纤陀螺中波导的双端尾纤的直径
Figure QLYQS_1
和第一数值孔径NA1确定第一等效曲率半径R;
步骤S2,获取铌酸锂波导材料的第二数值孔径NA2,根据所述第二数值孔径NA2确定汇聚点的第二等效曲率半径r;
步骤S3,根据所述第一等效曲率半径R和所述第二等效曲率半径r确定刻蚀圆环的刻蚀参数,并根据所述刻蚀参数对所述双端尾纤和单端尾纤进行刻蚀;
步骤S4,将所述双端尾纤的刻蚀圆环均和铌酸锂波导材料的第一端面对准并熔接;
所述步骤S1,根据公式(1)计算所述第一等效曲率半径R:
Figure QLYQS_2
(1);
所述步骤S2,根据公式(2)计算所述第二等效曲率半径r:
Figure QLYQS_3
(2);
所述步骤S3中,根据公式(3)计算所述刻蚀圆环的圆环面积
Figure QLYQS_4
Figure QLYQS_5
(3);
其中,
Figure QLYQS_6
表示光路波长,/>
Figure QLYQS_7
表示每个相近波带的相位差;
在所述步骤S3中,所述刻蚀圆环的刻蚀参数包括刻蚀圆环的刻蚀圈数
Figure QLYQS_8
,根据公式(4)计算所述刻蚀圈数/>
Figure QLYQS_9
Figure QLYQS_10
(4)。
2.根据权利要求1所述的基于刻蚀带状结构抑制光纤陀螺反向噪声的方法,其特征在于,所述步骤S4中,在进行熔接时,控制每熔接点的损耗小于或等于0.2Db。
3.根据权利要求1所述的基于刻蚀带状结构抑制光纤陀螺反向噪声的方法,其特征在于,还包括步骤S5,所述单端尾纤的刻蚀圆环和铌酸锂波导材料的第二端面对准并熔接。
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