CN116038143A - 一种碳化硅晶圆切割工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种碳化硅晶圆切割工艺，属于半导体领域。一种碳化硅晶圆切割工艺,包括以下步骤:将晶圆贴合载板，通过在晶圆与载板之间涂布封堵，使得晶圆与所述载板相固定；通过电浆切割晶圆表面，形成切割道；通过激光对切割道底面进行隐形切割，破坏切割道底面的金属沉积以及晶圆；将晶圆贴合切割模框，切断所述封堵，移除载板；通过扩膜裂片使得切割道部分断裂，实现晶圆的切割。
Description
技术领域
本发明涉及半导体领域，具体涉及一种碳化硅晶圆切割工艺。
背景技术
随着半导体技术的不断普及，对超薄晶圆的加工工艺要求越来越高。超薄晶圆，一般厚度为20～250微米，用于半导体器件。在目前的晶圆切割工艺中，先将晶圆搭载在玻璃载板上，进行晶圆薄化以及背面加工工艺，而后从玻璃载板上取下晶圆，使用钻石刀(diamond saw)、镭射或电浆进行晶粒切割。但是虽然现有技术中提及了激光切割的方法，但是，经过金属镀膜的晶圆的切割道的底部会沉积金属，导致激光切割并不能完全切断晶圆。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提出了一种碳化硅晶圆切割工艺。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
一种碳化硅晶圆切割工艺,包括以下步骤:
将晶圆贴合载板，通过在晶圆与载板之间涂布封堵，使得晶圆与所述载板相固定；
通过电浆切割晶圆表面，形成切割道；
通过激光隐形切割破坏切割道底面的晶圆部分；
在晶圆表面沉积形成金属镀膜；
将晶圆贴附在切割模框上，去除封堵，解除晶圆与载板的固定，移除载板；
进行扩膜裂片，沿着切割道拉断晶圆；
再次将晶圆贴合在载板上，并移除切割模框；
切断切割道中沉积的金属镀膜。
进一步地，电浆切割完毕后，使用清洁液冲洗晶圆1上残留的氧电浆.
进一步地，电浆切割后，进行金属沉积工艺。
进一步地，所述切割道的深度应当小于晶圆的厚度.
本发明的有益效果：
通过上述切割工艺，通过电浆形成更狭窄的切割道，并且可避免刚性接触造成的晶圆崩裂，也不会产生高温导致的焦化物，显著提高了晶粒切割质量。
通过激光隐形切割进行裂片,能够改变有效避免晶圆的崩裂,并且能够同步破坏金属镀膜期间在切割道中沉积的金属，再通过扩膜裂片就能够沿着隐形切割形成的断裂处拉断晶圆以及金属。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
图1～2为本申请的工艺流程图；
图3为A处局部放大示意图；图4为图2局部放大示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
一种碳化硅晶圆切割工艺,包括以下步骤:
将晶圆贴合载板，通过在晶圆与载板之间涂布封堵，使得晶圆与所述载板相固定；
通过电浆切割晶圆表面，形成切割道；
通过激光隐形切割破坏切割道底面的晶圆部分；
在晶圆表面沉积形成金属镀膜；
将晶圆贴附在切割模框上，去除封堵，解除晶圆与载板的固定，移除载板；
进行扩膜裂片，沿着切割道拉断晶圆；
再次将晶圆贴合在载板上，并移除切割模框；
切断切割道中沉积的金属镀膜。
由于预先形成了切割道，再去做物理沉积时，金属镀膜在切割道底部沉积的部分厚度更薄，更容易被拉断。
此外，为了防止氧电浆残留，影响后续工艺，可以在施加氧电浆切割完毕后，使用清洁液冲洗晶圆1上残留的氧电浆，其中，清洁液可以含有臭氧与氢氟酸。
切割道4的深度应当小于晶圆1的厚度。
具体地说，封堵3的材质可以是聚酰亚胺。在对切割道4上的金属层以及晶圆1材料进行的激光切割，可以是飞秒激光，或者高能激光切割。其中所述的高能激光切割适用于对于相对高硬度的半导体材料，例如碳化硅。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。
Claims (5)
1.一种碳化硅晶圆切割工艺，其特征在于，包括以下步骤：
将晶圆贴合载板，通过在晶圆与载板之间涂布封堵，使得晶圆与所述载板相固定；
通过电浆切割晶圆表面，形成切割道；
通过激光隐形切割破坏切割道底面的晶圆部分；
在晶圆表面沉积形成金属镀膜；
将晶圆贴附在切割模框上，去除封堵，解除晶圆与载板的固定，移除载板；
进行扩膜裂片，沿着切割道拉断晶圆以及沉积的金属镀膜。
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆切割工艺，其特征在于，电浆切割完毕后，使用清洁液冲洗晶圆上残留的氧电浆。
3.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆切割工艺，其特征在于，电浆切割后，进行金属沉积工艺。
4.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆切割工艺，其特征在于，所述切割道的深度应当小于晶圆的厚度。
5.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆切割工艺，其特征在于，所述的涂布封堵的材质为聚酰亚胺。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211275636.8A CN116038143A (zh) | 2022-10-18 | 2022-10-18 | 一种碳化硅晶圆切割工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211275636.8A CN116038143A (zh) | 2022-10-18 | 2022-10-18 | 一种碳化硅晶圆切割工艺 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116038143A true CN116038143A (zh) | 2023-05-02 |
Family
ID=86112351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211275636.8A Pending CN116038143A (zh) | 2022-10-18 | 2022-10-18 | 一种碳化硅晶圆切割工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116038143A (zh) |
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2022
- 2022-10-18 CN CN202211275636.8A patent/CN116038143A/zh active Pending
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