CN116031338A - 微led单元的剥离及转移方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种微LED单元的剥离及转移方法，包括：提供第一基板，其第一面设有第一、第二微LED单元；提供第二基板，其表面覆设有键合层；使第一基板的第一面与键合层的表面相对设置；以激光照射第一微LED单元与第一基板的结合区域，使第一微LED单元与第一基板分离，并与键合层结合；使第一、第二基板沿指定方向相对运动一定距离后，再以激光照射第二微LED单元与第一基板的结合区域，使第二微LED单元与第一基板分离，并与键合层结合，该指定方向为与键合层表面平行的方向。本申请能够在微LED单元的激光剥离及转移过程中，实现微LED单元排列形式和间距的调整，进而有效简化微LED显示装置的制作工艺流程，降低成本。

Description

微LED单元的剥离及转移方法

技术领域

本申请具体涉及一种微LED单元的剥离及转移方法，属于半导体技术领域。

背景技术

微LED是指Micro LED或Mini LED，其相较于传统LED，尺寸由毫米级降低至微纳米级，在被集成为高密度、小尺寸的阵列并应用于显示领域时，具有高亮度、高分辨率、高对比度、低能耗、长使用寿命等优势，同时在响应速度和热稳定性等方面也有优异表现。

制作微LED阵列首先需要在蓝宝石、单晶氮化镓、碳化硅等衬底上生长半导体材料，并通过半导体工艺形成独立的发光单元，然后将独立发光单元从衬底上剥离下来，再转移到合适的转移基底上。其中，将发光单元从衬底上剥离下来的方式主要有化学剥离、机械剥离、热剥离和激光剥离等。激光剥离技术主要是利用半导体材料与衬底对激光的吸收不同，且部分半导体材料能在吸收激光后分解的特点，来实现剥离的目的。相比其他方式，激光剥离技术具有效率高、无污染、器件损伤小、成品率高等特点，因此能更好地满足工业化生产的要求。

然而，现有技术中，在将独立发光单元从衬底上激光剥离，并转移到转移基底上的过程中，通常无法直接调整各独立发光单元的排列形式和间距，而需要在后续工艺中开展这一工作，导致工艺的复杂化和成本的增加。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种微LED单元的剥离及转移方法，以克服现有技术中的不足。

为实现前述发明目的，本申请采用的技术方案包括：

本申请的一个方面提供了一种微LED单元的剥离及转移方法，其包括：

提供第一基板，所述第一基板的第一面至少设置有第一微LED单元和第二微LED单元；

提供第二基板，所述第二基板表面覆设有键合层；

使所述第一基板的第一面与键合层的表面相对设置；

以指定光线照射所述第一微LED单元与第一基板的结合区域，使所述第一微LED单元与第一基板分离，并与所述键合层结合；

使所述第一基板和第二基板沿指定方向相对运动，直至所述第二微LED单元与第一微LED单元在指定方向上的距离达到设定值，之后以所述指定光线照射第二微LED单元与第一基板的结合区域，使所述第二微LED单元与第一基板分离，并与所述键合层结合，其中所述指定方向为与键合层表面平行的方向。

本申请的另一个方面提供了一种微LED结构，其由所述微LED单元的剥离及转移方法制备。

相比于现有技术，本申请能够在微LED单元的激光剥离及转移过程中，实现微LED单元排列形式和彼此间距的调整，进而有效简化微LED显示装置的制作工艺流程，降低微LED显示装置的制作难度，提高微LED显示装置的生产效率，节约成本。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。

图1是实施例1中一种微LED单元的剥离及转移方法的流程图；

图2是实施例1中一种微LED阵列在第二基板上的第一种排列形式的示意图；

图3是实施例1中一种微LED阵列在第二基板上的第二种排列形式的示意图；

图4是实施例1中一种微LED阵列在第二基板上的第三种排列形式的示意图；

图5是实施例1中一种微LED阵列在第二基板上的第四种排列形式的示意图；

图6是实施例1中一种微LED阵列在第二基板上的第五种排列形式的示意图；

图7是实施例1中一种微LED阵列在第二基板上的第六种排列形式的示意图；

图8是实施例2中一种微LED单元的剥离及转移方法的流程图。

具体实施方式

鉴于现有技术的缺陷，本申请提出了一种微LED单元的剥离及转移方法，其可在将微LED单元与生长衬底剥离并转移到临时基板上的过程中，实现微LED阵列的排列形式和微LED单元间距的调整，从而简化微LED的制作工艺，降低成本。

本发明的一些实施例提供了一种微LED单元的剥离及转移方法，其包括：

提供第一基板，所述第一基板的第一面至少设置有第一微LED单元和第二微LED单元；

提供第二基板，所述第二基板表面覆设有键合层；

使所述第一基板的第一面与键合层的表面相对设置；

以指定光线照射所述第一微LED单元与第一基板的结合区域，使所述第一微LED单元与第一基板分离，并与所述键合层结合；

使所述第一基板和第二基板沿指定方向相对运动，直至所述第二微LED单元与第一微LED单元在指定方向上的距离达到设定值，之后以所述指定光线照射第二微LED单元与第一基板的结合区域，使所述第二微LED单元与第一基板分离，并与所述键合层结合，其中所述指定方向为与键合层表面平行的方向。

进一步的，在将所述第一基板的第一面与键合层的表面相对设置时，理想状况下，第一基板的第一面与键合层的表面应是相互平行的。因此，所述指定方向也是与第一基板的第一面平行的任意方向。

进一步的，所述第一基板和第二基板沿指定方向相对运动的形式可以有多种，例如沿直线型运动轨迹相对运动，或者沿曲线型运动轨迹相对运动。示例性的，第一基板和第二基板可以沿顺时针或逆时针方向相对旋转。

进一步的，若定义键合层的表面为基于XY坐标系的二维平面，则所述指定方向可以是与该XY平面中的X轴、Y轴或其他任意直线或曲线平行的方向。如此，通过简单调整第一基板和第二基板相对运动的方向和距离，就可以快速、准确的调整第二微LED单元与第一微LED单元在键合层上的排列形式和间距。

在一个实施例中，所述的微LED单元的剥离及转移方法具体包括：使所述指定光线自第一基板的第二面透射入第一基板，并照射所述第一微LED单元或第二微LED单元与第一基板的结合区域。

其中，所述第一基板可以选自蓝宝石衬底、玻璃基板等透光基板，且不限于此。所述第一微LED单元和第二微LED单元可以是由生长于第一基板上的半导体材料层直接加工形成，也可以是通过粘接、键合等方式结合在第一基板上。

进一步的，所述第一微LED单元、第二微LED单元可以包括基于GaN、AlGAN、InN、AlInGaN等III-V族化合物的Micro LED芯片或Mini LED芯片等，但不限于此。

进一步的，所述第一微LED单元或第二微LED单元与第一基板的结合区域的至少部分材料可以在所述指定光线的照射下分解，从而使所述第一微LED单元或第二微LED单元脱离。所述指定光线的波长、功率和照射时间等可以依据实际情况而定。

示例性的，所述第一微LED单元或第二微LED单元与第一基板的结合区域的部分材料为GaN，其在一定功率的激光照射下，可以分解为Ga和氮气，从而解除第一微LED单元或第二微LED单元与第一基板的连接，即，实现第一微LED单元或第二微LED单元的激光剥离。

在一个实施例中，所述的微LED单元的剥离及转移方法具体包括：在所述第一基板的第二面上设置掩膜版，并使所述指定光线透过掩膜版上的窗口后照射于第一微LED单元或第二微LED单元与第一基板的结合区域，直至使所述第一微LED单元或第二微LED单元与第一基板分离。

其中，所述掩膜版可以是由金属等无机材料或黑色树脂等有机材料或其复合材料形成，且在所述掩膜版的选定区域被移除或以透明材料制成，从而在所述掩膜版上形成可供所述指定光线透过的窗口。其中，所述窗口的大小和位置与要剥离的微LED单元的尺寸和在第一基板上的分布位置对应。

通过采用所述掩膜版辅助进行微LED单元的剥离，一方面可以提高剥离的准确性和精度，优化剥离效果，另一方面可以防止在剥离过程中因激光引起第一基板或第一基板上的其余微LED单元的损伤。

在一个实施例中，所述的微LED单元的剥离及转移方法具体包括：对所述指定光线进行整形，使所述指定光线在照射到第一微LED单元或第二微LED单元与第一基板的结合区域时，形成的光斑的面积与所述第一微LED单元或第二微LED单元的面积的比值达到一定数值，例如优选为0.5～2∶1，从而使所述第一微LED单元或第二微LED单元与第一基板分离。其中，对指定光线进行整形的操作可以借助本领域习知的透镜、透镜组件或其他光学设备实现。

通过以整形后的指定光线来实施微LED单元的剥离操作，相较于采用掩膜版辅助剥离的方式，成本更低，且操作更为简单。

进一步的，所述的微LED单元的剥离及转移方法具体包括：使所述指定光线聚焦于第一微LED单元或第二微LED单元与第一基板的结合区域，从而使所述第一微LED单元或第二微LED单元与第一基板分离。

在一个实施例中，所述的微LED单元的剥离及转移方法具体包括：以所述指定光线照射第一微LED单元或第二微LED单元与第一基板的结合区域，使所述结合区域的至少部分材料分解并形成具有预定压力的气体，并使所述第一微LED单元或第二微LED单元至少在所述气体的压力作用下脱离第一基板，且转移到所述键合层上。

在一个实施例中，所述的微LED单元的剥离及转移方法具体包括：在真空条件下以所述指定光线照射第一微LED单元或第二微LED单元与第一基板的结合区域，使所述第一微LED单元或第二微LED单元与第一基板分离，并与所述键合层结合。通过在真空环境中实施这些操作，可以避免微LED单元在跌落到键合层上时，因受到空气阻力而发生翻转和漂移。另外，使用真空环境还可消除空气折射等因素对激光剥离造成的干扰。

在一个实施例中，所述的微LED单元的剥离及转移方法具体包括：在将所述第一基板的第一面与键合层的表面相对设置时，使所述第一微LED单元或第二微LED单元与键合层之间留有间隙。采用该方式可以免除将第一基板与第二基板贴合的操作。

进一步的，所述间隙应具有一定的宽度，例如大于第一微LED单元或第二微LED单元的厚度的两倍，以在第一基板和第二基板沿指定方向相对运动的过程中，杜绝结合在键合层上的第一微LED单元与结合在第一基板上的第二微LED单元碰撞的问题，但该宽度小于一阈值，以使从第一基板上剥离的微LED单元能迅速、平稳地与键合层接触并结合，避免微LED单元的运行距离过大而导致的转移效率降低、微LED单元翻转或偏离预定结合位置等缺陷。较为优选的，所述间隙的宽度为1～50μμm。

进一步的，所述第一基板设置于第二基板上方。如此，在微LED单元与第一基板剥离时，可以利用微LED单元与第一基板结合区域的材料分解所产生的气体压力和微LED单元自身的重力作用，使微LED单元更为迅捷地脱离第一基板并接触键合层。优选的，第一基板和第二基板处于同一真空环境中，以防止微LED单元在从第一基板转移到键合层上的过程中受到空气阻力而发生翻转和漂移。

在一个实施例中，所述第一微LED单元或第二微LED单元包括Micro LED或MiniLED。

在一个实施例中，所述指定光线包括激光。

在一个实施例中，所述第一微LED单元或第二微LED单元与键合层粘接结合。

在一个实施例中，所述键合层的材质包括聚酰亚胺、聚丙烯酸树脂、环氧树脂、聚二甲基硅氧烷或蜡等，且不限于此。

在一个实施例中，所述键合层的厚度为1～100μm。

本发明的一些实施例提供的一种微LED单元的剥离及转移方法包括：

在第一基板的第一面至少形成第一微LED单元和第二微LED单元，所述第一微LED单元和第二微LED单元在指定方向上具有第一距离；

在第二基板的表面形成键合层；

将所述第一基板的第一面与键合层的表面相对设置，且使所述第一微LED单元或第二微LED单元与键合层之间留有间隙；

以激光自所述第一基板的第二面透射入第一基板，并照射所述第一微LED单元与第一基板的第一结合区域，直至使所述第一结合区域的至少部分材料分解，从而使所述第一微LED单元与第一基板分离，且与所述键合层结合，所述第一基板的第二面与第一面相背设置；

之后，使所述第一基板和第二基板沿指定方向相对运动，直至所述第二微LED单元与第一微LED单元在指定方向上具有第二距离，且所述第二距离大于或小于第一距离，其后以激光照射第二微LED单元与第一基板的第二结合区域，直至使所述第二结合区域的至少部分材料分解，从而使所述第二微LED单元与第一基板分离，且与所述键合层结合；

其中，所述指定方向为与键合层表面平行的方向。

其中，所述激光的波长、功率、照射时间等可以依据各微LED单元与第一基板的结合区域的尺寸、材质等而定。示例性的，所述激光选用紫外激光，各微LED单元与第一基板的结合区域包含GaN等III-V族化合物，这些化合物可以在吸收紫外激光后分解。

本申请能够实现微LED单元的快捷、准确的剥离，并能够在进行微LED单元的剥离及转移的过程中，直接实现微LED单元排列形式和距离的调整，操作简单、准确性高，故而利于简化微LED显示装置的制作工艺流程，降低其制作难度及成本，还有助于提升微LED显示装置的良品率和品质。

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

如在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。

在本申请的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一和第二特征形成直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。

需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

实施例1请参阅图1，本实施例提供的一种微LED单元的剥离及转移方法包括如下步骤：

S1、提供正面(可定义为第一面101)形成有多个微LED单元的蓝宝石衬底10(可定义为第一基板)，并定义其中的一部分微LED单元为第一微LED单元111，另一部分微LED单元为第二微LED单元112。该蓝宝石衬底的直径可以为2、4或6英寸。相邻微LED单元的间距为W1，W1≥0。其中每一微LED单元可以包含一个或多个Micro LED芯片或Mini LED芯片。这些LED芯片可以是GaN基LED芯片，各芯片与蓝宝石衬底10的结合区域可以是其GaN缓冲层。其中，该蓝宝石衬底10也可以替换为玻璃等对紫外光透过的材料。

S2、至少通过旋涂、刮涂、喷涂或者干膜转移等本领域习知的方式在临时基板12(可定义为第二基板)的正面制作临时键合胶层13(简称“键合层”)。该键合层的材质可以选用但不限于聚酰亚胺、聚丙烯酸树脂、环氧树脂、聚二甲基硅氧烷和蜡中的一种或多种的组合，其厚度可以在1～100μm之间。

S3、将蓝宝石衬底10和临时基板12均沿水平方向设置，并使蓝宝石衬底10位于临时基板12上方，再将蓝宝石衬底10竖直翻转，使多个微LED单元与键合层13相对设置，且在微LED单元与键合层13之间留出一定的间隙，该间隙的宽度优选为1～50μm。

S4、在蓝宝石衬底10的背面(可定义为第二面102)上方设置掩膜版14，该掩膜版14上设置有多个可供光线透过的窗口，各窗口的形状及面积和相应的待剥离微LED单元与蓝宝石衬底的结合区域的形状及尺寸匹配。

S5、将掩膜版14上与第一微LED单元111匹配的窗口设置在与第一微LED单元111相应位置处，并以紫外激光15透过该窗口后聚焦在第一微LED单元111与蓝宝石衬底的结合区域，以使该结合区域中的GaN分解为Ga和氮气，进而使第一微LED单元111在氮气压力下脱离蓝宝石衬底，即从蓝宝石衬底上剥离，再在氮气压力和自身重力作用下转移到键合层13上，且与键合层13粘接。

S6、使蓝宝石衬底10和临时基板12沿一水平直线进行相对运动，该水平直线可以认为是与键合层13表面平行的一个XY平面内的X轴，该相对运动的距离为L，L＞0，并将掩膜版14上与第二微LED单元112匹配的窗口设置在与第二微LED单元111相应位置处。

S7、以紫外激光透过该窗口后聚焦在第二微LED单元111与蓝宝石衬底的结合区域，以使该结合区域中的GaN分解为Ga和氮气，进而使第二微LED单元111在氮气压力下脱离蓝宝石衬底，即从蓝宝石衬底上剥离，之后在氮气压力和自身重力作用下转移到键合层13上，且与键合层13粘接。如此可以使被转移到临时基板12上的相邻微LED单元的间距被调整为w2，w2＝2*W1-L。在本实施例中，前述相对运动是使蓝宝石衬底10和临时基板12沿前述X轴相互远离，故而W2＞W1。但在一些情况下，前述相对运动也可以是使蓝宝石衬底10和临时基板12沿前述X轴相互接近，因此w2＜w1。通过调整L的数值，可以在将多个微LED单元剥离并转移到临时基板12时，方便、快速且准确地将各微LED单元的间距调整至任意数值。

进一步的，前述相对运动的形式还可以包括使蓝宝石衬底10和临时基板12这两者沿前述XY平面内的Y轴相向或相背移动，或者沿不同于X、Y轴的任意直线移动，或者在前述XY平面内沿顺时针或逆时针相对旋转一定角度，从而使多个微LED单元在临时基板上的排列形式和彼此之间的距离满足设定需求。

示例性的，在利用本实施例的方法进行微LED单元的剥离及转移后，多个微LED单元在临时基板上的一些排列形式分别如图2-图7所示。进一步的，在图2所示的第一种排列形式中，多个微LED单元的排列方向一致，且在水平面上相互平行，相邻微LED单元的距离不超过5μm。在图3所示的第二种排列形式中，多个微LED单元的排列方向一致，但位置交错，相邻微LED单元的距离超过5μm。在图4所示的第三种排列形式中，多个微LED单元的排列方向不一致，且位置交错，相邻微LED单元的距离超过5μm。在图5所示的第四种排列形式中，单一重复单元所含微LED单元的数量为3的倍数，例如6颗，且这些微LED单元阵列排布，各微LED单元从蓝宝石衬底10转移到键合胶层13上时位置精度控制在5μm以内。在图6所示的第五种排列形式中，单一重复单元所含微LED单元的数量为3的倍数，例如9颗，且这些微LED单元阵列排布，各微LED单元从蓝宝石衬底10转移到键合胶层13上时位置精度控制在5μm以内。在图7所示的第六种排列形式中，单一重复单元所含微LED单元的数量为3的倍数，例如9颗，但这些微LED单元不具有阵列关系。

在本实施例中，前述步骤S1、S2的执行顺序也可以调换。以及，前述步骤S5、S7优选在真空条件下实施。

在本实施例中，前述掩膜版14上设置的窗口也可以为一个，且在步骤S5、S6中可以通过移动掩膜版14，使窗口分别到达不同的工位处，从而使激光能透过该窗口，先后聚焦到第一微LED单元与蓝宝石衬底的结合区域、第二微LED单元与蓝宝石衬底的结合区域，实现第一微LED单元、第二微LED单元的剥离。

实施例2请参阅图8，本实施例提供的一种微LED阵列的剥离及转移方法与实施例1基本相同，区别在于：省略了实施例1中的步骤S4，且未使用掩膜版辅助剥离微LED单元，而是对激光进行整形，使整形后的激光16能在第一微LED单元与蓝宝石衬底的结合区域、第二微LED单元与蓝宝石衬底的结合区域分别聚焦为较小面积的光斑，优选的，所述光斑的面积与微LED单元的面积的比值为0.5～2，从而可以更为精准地实现对目标微LED单元的剥离，避免对其他微LED单元造成损伤，并提高激光的能量利用效率。相较于实施例1，本实施例的方法成本更低。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (10)

1.一种微LED单元的剥离及转移方法，其特征在于包括：

提供第一基板，所述第一基板的第一面至少设置有第一微LED单元和第二微LED单元；

提供第二基板，所述第二基板表面覆设有键合层；

使所述第一基板的第一面与键合层的表面相对设置；

以指定光线照射所述第一微LED单元与第一基板的结合区域，使所述第一微LED单元与第一基板分离，并与所述键合层结合；

使所述第一基板和第二基板沿指定方向相对运动，直至所述第二微LED单元与第一微LED单元在指定方向上的距离达到设定值，之后以所述指定光线照射第二微LED单元与第一基板的结合区域，使所述第二微LED单元与第一基板分离，并与所述键合层结合，其中所述指定方向为与键合层表面平行的方向。

2.根据权利要求1所述的微LED单元的剥离及转移方法，其特征在于具体包括：使所述指定光线自第一基板的第二面透射入第一基板，并照射所述第一微LED单元或第二微LED单元与第一基板的结合区域。

3.根据权利要求2所述的微LED单元的剥离及转移方法，其特征在于具体包括：在所述第一基板的第二面上设置掩膜版，并使所述指定光线透过掩膜版上的窗口后照射于第一微LED单元或第二微LED单元与第一基板的结合区域，直至使所述第一微LED单元或第二微LED单元与第一基板分离。

4.根据权利要求2所述的微LED单元的剥离及转移方法，其特征在于具体包括：对所述指定光线进行整形，使所述指定光线在照射到第一微LED单元或第二微LED单元与第一基板的结合区域时，形成的光斑的面积与所述第一微LED单元或第二微LED单元的面积的比值为0.5～2：1，从而使所述第一微LED单元或第二微LED单元与第一基板分离。

5.根据权利要求3或4所述的微LED单元的剥离及转移方法，其特征在于具体包括：使所述指定光线聚焦于第一微LED单元或第二微LED单元与第一基板的结合区域，从而使所述第一微LED单元或第二微LED单元与第一基板分离。

6.根据权利要求1所述的微LED单元的剥离及转移方法，其特征在于具体包括：在将所述第一基板的第一面与键合层的表面相对设置时，使所述第一微LED单元或第二微LED单元与键合层之间留有间隙。

7.根据权利要求6所述的微LED单元的剥离及转移方法，其特征在于：所述间隙的宽度为1～50μm；和/或，所述第一基板设置于第二基板上方。

8.根据权利要求1-4、6-7中任一项所述的微LED单元的剥离及转移方法，其特征在于：以所述指定光线照射第一微LED单元或第二微LED单元与第一基板的结合区域，使所述结合区域的至少部分材料分解并形成具有预定压力的气体，并使所述第一微LED单元或第二微LED单元至少在所述气体的压力作用下脱离第一基板，且转移到所述键合层上；

和/或，在真空条件下以所述指定光线照射第一微LED单元或第二微LED单元与第一基板的结合区域，使所述第一微LED单元或第二微LED单元与第一基板分离，并与所述键合层结合。

9.根据权利要求1所述的微LED单元的剥离及转移方法，其特征在于：所述第一微LED单元或第二微LED单元包括Micro LED或MiniLED；和/或，所述指定光线包括激光；和/或，所述第一微LED单元或第二微LED单元与键合层粘接结合；和/或，所述键合层的材质包括聚酰亚胺、聚丙烯酸树脂、环氧树脂、聚二甲基硅氧烷或蜡；和/或，所述键合层的厚度为1～100μm。

10.一种微LED单元的剥离及转移方法，其特征在于包括：

在第一基板的第一面至少形成第一微LED单元和第二微LED单元，所述第一微LED单元和第二微LED单元在指定方向上具有第一距离；

在第二基板的表面形成键合层；

将所述第一基板的第一面与键合层的表面相对设置，且使所述第一微LED单元或第二微LED单元与键合层之间留有间隙；

以激光自所述第一基板的第二面透射入第一基板，并照射所述第一微LED单元与第一基板的第一结合区域，直至使所述第一结合区域的至少部分材料分解，从而使所述第一微LED单元与第一基板分离，且与所述键合层结合，所述第一基板的第二面与第一面相背设置；

之后，使所述第一基板和第二基板沿指定方向相对运动，直至所述第二微LED单元与第一微LED单元在指定方向上具有第二距离，且所述第二距离大于或小于第一距离，其后以激光照射第二微LED单元与第一基板的第二结合区域，直至使所述第二结合区域的至少部分材料分解，从而使所述第二微LED单元与第一基板分离，且与所述键合层结合；

其中，所述指定方向为与键合层表面平行的方向。

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