CN116030047A - 一种电容器工艺过程中识别掩膜合格的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种电容器工艺过程中识别掩膜合格的方法，本发明通过采集电容器被掩膜纸带包裹时的图像，提取图像轮廓，找到非掩膜轮廓区域，根据非掩膜轮廓区域，确定非掩膜轮廓区域的高度，基于非掩膜轮廓区域的高度，确定掩膜的合格等级，实现一种自动识别掩膜合格的方法，其可适用于生产流水线过程，自动识别出不合格产品，无需人工检测，缩小劳动成本，且检测标准统一。

Description

一种电容器工艺过程中识别掩膜合格的方法

技术领域

本发明涉及识别电容器掩膜合格的技术领域，具体而言，涉及一种电容器工艺过程中识别掩膜合格的方法。

背景技术

电容器的生产工艺在《喷金》前需进行掩膜处理，根据经验，掩膜纸带小于电容器芯子0.5mm～1.5mm，但在具体工艺过程中，掩膜纸带大小以及掩膜纸带包裹住电容器的形态，均会影响喷金的质量。现有均是通过人工方式去检验掩膜纸带大小以及包裹住电容器的形态，从而将质量不合格的产品挑出，其存在劳动成本大，且检测无法标准化的问题。

发明内容

针对现有技术中的上述不足，本发明提供的：一种电容器工艺过程中识别掩膜合格的方法解决了现有通过人工方式去检验掩膜纸带大小以及包裹住电容器的形态，存在劳动成本大，且检测无法标准化的问题，实现一种通用的标准的且能用于流水线的识别电容器掩膜合格的方法。

为了达到上述发明目的，本发明采用的技术方案为：一种电容器工艺过程中识别掩膜合格的方法，包括：

采集电容器被掩膜纸带包裹时的图像；

提取图像轮廓，得到非掩膜轮廓区域；

根据非掩膜轮廓区域的像素点坐标，得到非掩膜轮廓区域的高度；

根据非掩膜轮廓区域的高度，得到掩膜的合格等级。

进一步地，所述提取图像轮廓，得到非掩膜轮廓区域包括：

提取图像轮廓，得到轮廓像素点集；

对轮廓像素点集的坐标进行矫正，得到矫正轮廓像素点集；

根据矫正轮廓像素点集，找到非掩膜轮廓区域。

进一步地，所述提取图像轮廓，得到轮廓像素点集包括：

从图像上提取第一轮廓像素点；

对图像灰度处理，并对灰度图提取第二轮廓像素点；

取第一轮廓像素点和第二轮廓像素点坐标的交集，得到轮廓像素点集。

上述进一步地方案的有益效果为：根据原始图像RGB的距离，筛选出第一轮廓像素点，根据灰度图上灰度的距离，筛选出第二轮廓像素点，通过取第一轮廓像素点和第二轮廓像素点的交集，确定轮廓像素点集，避免噪点影响提取轮廓的精度。

进一步地，所述从图像上提取第一轮廓像素点包括：

从图像上任取一像素点，判断其邻域内像素点是否满足第一条件公式，若是，则继续下一步，若否，则丢弃该像素点，选择下一像素点进行判断，其中，第一条件公式为：

其中，为图像上第个像素点的R通道值，为图像上第个像素点的G通道值，为图像上第个像素点的B通道值，为图像上第个像素点邻域内的第个像素点的R通道值，为图像上第个像素点邻域内的第个像素点的G通道值，为图像上第个像素点邻域内的第个像素点的B通道值，为颜色阈值；

判断满足第一条件公式的邻域像素点的数量是否满足第二条件公式，若是，则继续下一步，若否，则丢弃该像素点，选择下一像素点从第一条件公式进行判断，其中，第二条件公式为：

其中，为满足第一条件公式的邻域内像素点的数量，为邻域内像素点的总数量；

在满足第二条件公式后，从图像上任取的像素点为第一轮廓像素点；

重复上述过程，根据第一条件公式和第二条件公式，从图像上筛选出所有第一轮廓像素点。

上述进一步地方案的有益效果为：在邻域内像素点满足第一条件公式时，则说明该邻域内像素点的RGB值与该像素点的RGB值存在一定成像区别，从而可以判断其可能为过度的轮廓点，若其为轮廓点，则应当存在多个邻域内像素点满足第一条件公式，但其不能超过，在超过后，该轮廓点则可能是一个噪点（一个噪点与其周边大多数的邻域内像素点的RGB距离都大于），因此，设立第二条件公式，一方面筛选轮廓点，另一方面从轮廓点中排除噪点，最后满足第一条件公式和第二条件公式的像素点为第一轮廓像素点。

进一步地，所述对图像灰度处理，并对灰度图提取第二轮廓像素点包括：

对图像灰度处理，得到灰度图；

从灰度图上任取一像素点，判断其邻域内像素点是否满足第三条件公式，若是，则继续下一步，若否，则丢弃该像素点，选择下一像素点进行判断，其中，第三条件公式为：

其中，为灰度图上第个像素点的灰度值，为灰度图上第个像素点邻域内的第个像素点的灰度值，为灰度阈值；

判断满足第三条件公式的邻域内像素点的数量是否满足第四条件公式，若是，则继续下一步，若否，则丢弃该像素点，选择下一像素点从第三条件公式进行判断，其中，第四条件公式为：

其中，为满足第三条件公式的邻域内像素点的数量，为邻域内像素点的总数量；

在满足第四条件公式后，从灰度图上任取的像素点为第二轮廓像素点；

重复上述过程，根据第三条件公式和第四条件公式，从灰度图上筛选出所有第二轮廓像素点。

上述进一步地方案的有益效果为：在邻域内像素点满足第三条件公式时，则说明该邻域内像素点的灰度值与该像素点的灰度值存在一定灰度区别，从而可以判断其可能为过度的轮廓点，若其为轮廓点，则应当存在多个邻域内像素点满足第三条件公式，但其不能超过，在超过后，该轮廓点则可能是一个噪点（一个噪点与其周边大多数的邻域内像素点的灰度值都大于），因此，设立第四条件公式，一方面筛选轮廓点，另一方面从轮廓点中排除噪点，最后满足第三条件公式和第四条件公式的像素点为第二轮廓像素点。

进一步地，所述对轮廓像素点集的坐标进行矫正，得到矫正轮廓像素点集包括：

从轮廓像素点集上找到两对距离最远的像素点，得到第一对像素点和第二对像素点；

根据电容器的长或宽，以及第一对像素点和第二对像素点中各像素点间的距离，将第一对像素点和第二对像素点进行区分，得到左上像素点、右上像素点、左下像素点和右下像素点；

从左上像素点、右上像素点、左下像素点和右下像素点中任取同左或同右的一对像素点为纵坐标，以另外同上或同下的一对像素点为横坐标，构建坐标系；

根据坐标系，将轮廓像素点集的坐标进行矫正，得到矫正轮廓像素点集。

进一步地，根据电容器的长或宽，以及第一对像素点和第二对像素点中各像素点间的距离，将第一对像素点和第二对像素点进行区分，得到左上像素点、右上像素点、左下像素点和右下像素点包括：

计算第一对像素点中两个像素点分别与第二对像素中两个像素点的距离，得到四个距离值；

根据电容器的长或宽，对四个距离值进行区分，得到第一宽距离值、第二宽距离值、第一长距离值和第二长距离值；

根据第一宽距离值、第二宽距离值、第一长距离值和第二长距离值，区分第一对像素点和第二对像素点中各像素点所在的位置，得到左上像素点、右上像素点、左下像素点和右下像素点。

进一步地，所述非掩膜轮廓区域包括：第一条上边缘轮廓像素点集、第二条下边缘轮廓像素点集、第一条掩膜与电容器上交界轮廓像素点集和第二条掩膜与电容器下交界轮廓像素点集。

进一步地，所述根据非掩膜轮廓区域的像素点坐标，得到非掩膜轮廓区域的高度包括：

计算第一条上边缘轮廓像素点集与第一条掩膜与电容器上交界轮廓像素点集中像素点间的距离，得到第一非掩膜轮廓区域的高度；

计算第二条下边缘轮廓像素点集与第二条掩膜与电容器下交界轮廓像素点集中像素点间的距离，得到第二非掩膜轮廓区域的高度。

第一非掩膜轮廓区域的高度的公式为：

其中，为第一条上边缘轮廓像素点集中任取一像素点的第一非掩膜轮廓区域的高度，为第一条上边缘轮廓像素点集中任取一像素点的纵坐标，为第一条掩膜与电容器上交界轮廓像素点集中与第一条上边缘轮廓像素点集中任取一像素点的同一横坐标位置的像素点的纵坐标，为第一条上边缘轮廓像素点集中任取一像素点的第个邻域像素点的纵坐标，为第一条掩膜与电容器上交界轮廓像素点集中与第一条上边缘轮廓像素点集中任取一像素点的第个邻域像素点同一横坐标位置的像素点的纵坐标，为邻域像素点的数量；

所述第二非掩膜轮廓区域的高度的公式为：

其中，为第二条下边缘轮廓像素点集4中任取一像素点的第二非掩膜轮廓区域的高度，为第二条下边缘轮廓像素点集4中任取一像素点的纵坐标，为第二条掩膜与电容器下交界轮廓像素点集3中与第二条下边缘轮廓像素点集4中任取一像素点的同一横坐标位置的像素点的纵坐标，为第二条下边缘轮廓像素点集4中任取一像素点的第个邻域像素点的纵坐标，为第二条掩膜与电容器下交界轮廓像素点集3中与第二条下边缘轮廓像素点集4中任取一像素点的第个邻域像素点同一横坐标位置的像素点的纵坐标，为绝对值。

上述进一步地方案的有益效果为：根据两个集合中像素点纵坐标的差值，并且计算邻域范围内两个集合中像素点纵坐标的差值，以邻域范围内两个集合中像素点纵坐标的差值对本身的差值进行补偿，减少噪点的影响。

进一步地，所述根据非掩膜轮廓区域的高度，得到掩膜的合格等级包括：

根据所有非掩膜轮廓区域的高度，计算高度差值和高度平均值；

其中，为高度差值，为第个非掩膜轮廓区域的高度，为第个非掩膜轮廓区域的高度，为非掩膜轮廓区域的高度的数量；

其中，为高度平均值；

当高度差值和高度平均值均在合格范围内，掩膜属于合格等级，不在合格范围内，掩膜属于不合格等级；

在属于合格等级时，计算合格等级值：

其中，为合格等级值，为权重，为第个非掩膜轮廓区域的高度，为非掩膜轮廓区域的高度的数量；

根据合格等级值，得到掩膜的合格等级。

上述进一步地方案的有益效果为：高度差值和高度平均值均在合格范围内时，掩膜属于合格等级，但高度差值和高度平均值仅是评价掩膜合格的基本条件，通过掩膜的高度在整个长度范围的波动情况，从而确定其合格程度，合格等级值越高，掩膜的合格等级就越低，合格等级值越低，掩膜的合格等级就越高。

本发明实施例的技术方案至少具有如下优点和有益效果：

本发明通过采集电容器被掩膜纸带包裹时的图像，提取图像轮廓，找到非掩膜轮廓区域，根据非掩膜轮廓区域，确定非掩膜轮廓区域的高度，基于非掩膜轮廓区域的高度，确定掩膜的合格等级，实现一种自动识别掩膜合格的方法，其可适用于生产流水线过程，自动识别出不合格产品，无需人工检测，缩小劳动成本，且检测标准统一。

附图说明

图1为一种电容器工艺过程中识别掩膜合格的方法的流程图；

图2为掩膜纸带与电容器的对比图；

图3为掩膜纸带包裹住电容器时的示意图；

图4为第一对像素点和第二对像素点在图像上的示意图；

图5为非掩膜轮廓区域的示意图；

其中，1、第一条上边缘轮廓像素点集；2、第一条掩膜与电容器上交界轮廓像素点集；3、第二条掩膜与电容器下交界轮廓像素点集；4、第二条下边缘轮廓像素点集。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

如图1所示，一种电容器工艺过程中识别掩膜合格的方法，包括以下步骤：

S1、采集电容器被掩膜纸带包裹时的图像；

图2为掩膜纸带与电容器的对比图，图3为掩膜纸带包裹住电容器时的图像。

S2、提取图像轮廓，得到非掩膜轮廓区域；

在步骤S2中，所述提取图像轮廓，得到非掩膜轮廓区域包括：

提取图像轮廓，得到轮廓像素点集；

对轮廓像素点集的坐标进行矫正，得到矫正轮廓像素点集；

根据矫正轮廓像素点集，找到非掩膜轮廓区域。

在本实施例中，所述提取图像轮廓，得到轮廓像素点集包括：

从图像上提取第一轮廓像素点；

所述从图像上提取第一轮廓像素点包括：

从图像上任取一像素点，判断其邻域内像素点是否满足第一条件公式，若是，则继续下一步，若否，则丢弃该像素点，选择下一像素点进行判断，其中，第一条件公式为：

其中，为图像上第个像素点的R通道值，为图像上第个像素点的G通道值，为图像上第个像素点的B通道值，为图像上第个像素点邻域内的第个像素点的R通道值，为图像上第个像素点邻域内的第个像素点的G通道值，为图像上第个像素点邻域内的第个像素点的B通道值，为颜色阈值；

判断满足第一条件公式的邻域像素点的数量是否满足第二条件公式，若是，则继续下一步，若否，则丢弃该像素点，选择下一像素点从第一条件公式进行判断，其中，第二条件公式为：

其中，为满足第一条件公式的邻域内像素点的数量，为邻域内像素点的总数量；

在满足第二条件公式后，从图像上任取的像素点为第一轮廓像素点；

重复上述过程，根据第一条件公式和第二条件公式，从图像上筛选出所有第一轮廓像素点。

对图像灰度处理，并对灰度图提取第二轮廓像素点；

所述对图像灰度处理，并对灰度图提取第二轮廓像素点包括：

对图像灰度处理，得到灰度图；

从灰度图上任取一像素点，判断其邻域内像素点是否满足第三条件公式，若是，则继续下一步，若否，则丢弃该像素点，选择下一像素点进行判断，其中，第三条件公式为：

其中，为灰度图上第个像素点的灰度值，为灰度图上第个像素点邻域内的第个像素点的灰度值，为灰度阈值；

判断满足第三条件公式的邻域内像素点的数量是否满足第四条件公式，若是，则继续下一步，若否，则丢弃该像素点，选择下一像素点从第三条件公式进行判断，其中，第四条件公式为：

其中，为满足第三条件公式的邻域内像素点的数量，为邻域内像素点的总数量；

在满足第四条件公式后，从灰度图上任取的像素点为第二轮廓像素点；

重复上述过程，根据第三条件公式和第四条件公式，从灰度图上筛选出所有第二轮廓像素点。

取第一轮廓像素点和第二轮廓像素点坐标的交集，得到轮廓像素点集。

在本实施例中，所述对轮廓像素点集的坐标进行矫正，得到矫正轮廓像素点集包括：

从轮廓像素点集上找到两对距离最远的像素点，得到第一对像素点和第二对像素点；

根据电容器的长或宽，以及第一对像素点和第二对像素点中各像素点间的距离，将第一对像素点和第二对像素点进行区分，得到左上像素点、右上像素点、左下像素点和右下像素点；

从左上像素点、右上像素点、左下像素点和右下像素点中任取同左或同右的一对像素点为纵坐标，以另外同上或同下的一对像素点为横坐标，构建坐标系；

在本实施例中，还可从左上像素点、右上像素点、左下像素点和右下像素点中任取同左或同右的一对像素点为横坐标，以另外同上或同下的一对像素点为纵坐标，构建坐标系；

根据坐标系，将轮廓像素点集的坐标进行矫正，得到矫正轮廓像素点集。

如图4所示，第一对像素点为A和C，第二对像素点为C和B，则可以根据A、B、C、D像素点之间的距离，并结合电容器的长或宽，从而确定出A、B、C、D像素点分别所在的方位，由于包裹后的图像本身为规则图像，则可以利用一侧的像素点，或者上下部分的像素点构建坐标系，将轮廓像素点集摆正成如图4所示的样子。

所述根据电容器的长或宽，以及第一对像素点和第二对像素点中各像素点间的距离，将第一对像素点和第二对像素点进行区分，得到左上像素点、右上像素点、左下像素点和右下像素点包括：

计算第一对像素点中两个像素点分别与第二对像素中两个像素点的距离，得到四个距离值；

根据电容器的长或宽，对四个距离值进行区分，得到第一宽距离值、第二宽距离值、第一长距离值和第二长距离值；

根据第一宽距离值、第二宽距离值、第一长距离值和第二长距离值，区分第一对像素点和第二对像素点中各像素点所在的位置，得到左上像素点、右上像素点、左下像素点和右下像素点。

所述非掩膜轮廓区域包括：第一条上边缘轮廓像素点集1、第二条下边缘轮廓像素点集4、第一条掩膜与电容器上交界轮廓像素点集2和第二条掩膜与电容器下交界轮廓像素点集3，如图5所示。

S3、根据非掩膜轮廓区域的像素点坐标，得到非掩膜轮廓区域的高度；

在步骤S3中，所述根据非掩膜轮廓区域的像素点坐标，得到非掩膜轮廓区域的高度包括：

计算第一条上边缘轮廓像素点集1与第一条掩膜与电容器上交界轮廓像素点集2中像素点间的距离，得到第一非掩膜轮廓区域的高度；

计算第二条下边缘轮廓像素点集4与第二条掩膜与电容器下交界轮廓像素点集3中像素点间的距离，得到第二非掩膜轮廓区域的高度。

根据图5可知，非掩膜轮廓区域应该包括上下两部分。

第一非掩膜轮廓区域的高度的公式为：

其中，为第一条上边缘轮廓像素点集1中任取一像素点的第一非掩膜轮廓区域的高度，为第一条上边缘轮廓像素点集1中任取一像素点的纵坐标，为第一条掩膜与电容器上交界轮廓像素点集2中与第一条上边缘轮廓像素点集1中任取一像素点的同一横坐标位置的像素点的纵坐标，为第一条上边缘轮廓像素点集1中任取一像素点的第个邻域像素点的纵坐标，为第一条掩膜与电容器上交界轮廓像素点集2中与第一条上边缘轮廓像素点集1中任取一像素点的第个邻域像素点同一横坐标位置的像素点的纵坐标，为邻域像素点的数量；

所述第二非掩膜轮廓区域的高度的公式为：

其中，为第二条下边缘轮廓像素点集4中任取一像素点的第二非掩膜轮廓区域的高度，为第二条下边缘轮廓像素点集4中任取一像素点的纵坐标，为第二条掩膜与电容器下交界轮廓像素点集3中与第二条下边缘轮廓像素点集4中任取一像素点的同一横坐标位置的像素点的纵坐标，为第二条下边缘轮廓像素点集4中任取一像素点的第个邻域像素点的纵坐标，为第二条掩膜与电容器下交界轮廓像素点集3中与第二条下边缘轮廓像素点集4中任取一像素点的第个邻域像素点同一横坐标位置的像素点的纵坐标，为绝对值。

S4、根据非掩膜轮廓区域的高度，得到掩膜的合格等级。

在步骤S4中，所述根据非掩膜轮廓区域的高度，得到掩膜的合格等级包括：

根据所有非掩膜轮廓区域的高度，计算高度差值和高度平均值；

其中，为高度差值，为第个非掩膜轮廓区域的高度，为第个非掩膜轮廓区域的高度，为非掩膜轮廓区域的高度的数量；

根据计算第一非掩膜轮廓区域的高度的公式和第二非掩膜轮廓区域的高度的公式，可知，第一非掩膜轮廓区域的高度和第二非掩膜轮廓区域的高度存在多个。

其中，为高度平均值；

当高度差值和高度平均值均在合格范围内，掩膜属于合格等级，不在合格范围内，掩膜属于不合格等级；

在属于合格等级时，计算合格等级值：

其中，为合格等级值，为权重，为第个非掩膜轮廓区域的高度，为非掩膜轮廓区域的高度的数量；

根据合格等级值，得到掩膜的合格等级。

以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种电容器工艺过程中识别掩膜合格的方法，其特征在于，包括：

采集电容器被掩膜纸带包裹时的图像；

提取图像轮廓，得到非掩膜轮廓区域；

根据非掩膜轮廓区域的像素点坐标，得到非掩膜轮廓区域的高度；

根据非掩膜轮廓区域的高度，得到掩膜的合格等级。

2.根据权利要求1所述的电容器工艺过程中识别掩膜合格的方法，其特征在于，所述提取图像轮廓，得到非掩膜轮廓区域包括：

提取图像轮廓，得到轮廓像素点集；

对轮廓像素点集的坐标进行矫正，得到矫正轮廓像素点集；

根据矫正轮廓像素点集，找到非掩膜轮廓区域。

3.根据权利要求2所述的电容器工艺过程中识别掩膜合格的方法，其特征在于，所述提取图像轮廓，得到轮廓像素点集包括：

从图像上提取第一轮廓像素点；

对图像灰度处理，并对灰度图提取第二轮廓像素点；

取第一轮廓像素点和第二轮廓像素点坐标的交集，得到轮廓像素点集。

4.根据权利要求3所述的电容器工艺过程中识别掩膜合格的方法，其特征在于，所述从图像上提取第一轮廓像素点包括：

从图像上任取一像素点，判断其邻域内像素点是否满足第一条件公式，若是，则继续下一步，若否，则丢弃该像素点，选择下一像素点进行判断，其中，第一条件公式为：

其中，为图像上第个像素点的R通道值，为图像上第个像素点的G通道值，为图像上第个像素点的B通道值，为图像上第个像素点邻域内的第个像素点的R通道值，为图像上第个像素点邻域内的第个像素点的G通道值，为图像上第个像素点邻域内的第个像素点的B通道值，为颜色阈值；

判断满足第一条件公式的邻域像素点的数量是否满足第二条件公式，若是，则继续下一步，若否，则丢弃该像素点，选择下一像素点从第一条件公式进行判断，其中，第二条件公式为：

其中，为满足第一条件公式的邻域内像素点的数量，为邻域内像素点的总数量；

在满足第二条件公式后，从图像上任取的像素点为第一轮廓像素点；

重复上述过程，根据第一条件公式和第二条件公式，从图像上筛选出所有第一轮廓像素点。

5.根据权利要求3所述的电容器工艺过程中识别掩膜合格的方法，其特征在于，所述对图像灰度处理，并对灰度图提取第二轮廓像素点包括：

对图像灰度处理，得到灰度图；

从灰度图上任取一像素点，判断其邻域内像素点是否满足第三条件公式，若是，则继续下一步，若否，则丢弃该像素点，选择下一像素点进行判断，其中，第三条件公式为：

其中，为灰度图上第个像素点的灰度值，为灰度图上第个像素点邻域内的第个像素点的灰度值，为灰度阈值；

判断满足第三条件公式的邻域内像素点的数量是否满足第四条件公式，若是，则继续下一步，若否，则丢弃该像素点，选择下一像素点从第三条件公式进行判断，其中，第四条件公式为：

其中，为满足第三条件公式的邻域内像素点的数量，为邻域内像素点的总数量；

在满足第四条件公式后，从灰度图上任取的像素点为第二轮廓像素点；

重复上述过程，根据第三条件公式和第四条件公式，从灰度图上筛选出所有第二轮廓像素点。

6.根据权利要求2所述的电容器工艺过程中识别掩膜合格的方法，其特征在于，所述对轮廓像素点集的坐标进行矫正，得到矫正轮廓像素点集包括：

从轮廓像素点集上找到两对距离最远的像素点，得到第一对像素点和第二对像素点；

根据电容器的长或宽，以及第一对像素点和第二对像素点中各像素点间的距离，将第一对像素点和第二对像素点进行区分，得到左上像素点、右上像素点、左下像素点和右下像素点；

从左上像素点、右上像素点、左下像素点和右下像素点中任取同左或同右的一对像素点为纵坐标，以另外同上或同下的一对像素点为横坐标，构建坐标系；

根据坐标系，将轮廓像素点集的坐标进行矫正，得到矫正轮廓像素点集。

7.根据权利要求6所述的电容器工艺过程中识别掩膜合格的方法，其特征在于，所述根据电容器的长或宽，以及第一对像素点和第二对像素点中各像素点间的距离，将第一对像素点和第二对像素点进行区分，得到左上像素点、右上像素点、左下像素点和右下像素点包括：

计算第一对像素点中两个像素点分别与第二对像素中两个像素点的距离，得到四个距离值；

根据电容器的长或宽，对四个距离值进行区分，得到第一宽距离值、第二宽距离值、第一长距离值和第二长距离值；

根据第一宽距离值、第二宽距离值、第一长距离值和第二长距离值，区分第一对像素点和第二对像素点中各像素点所在的位置，得到左上像素点、右上像素点、左下像素点和右下像素点。

8.根据权利要求1或2所述的电容器工艺过程中识别掩膜合格的方法，其特征在于，所述非掩膜轮廓区域包括：第一条上边缘轮廓像素点集、第二条下边缘轮廓像素点集、第一条掩膜与电容器上交界轮廓像素点集和第二条掩膜与电容器下交界轮廓像素点集。

9.根据权利要求8所述的电容器工艺过程中识别掩膜合格的方法，其特征在于，所述根据非掩膜轮廓区域的像素点坐标，得到非掩膜轮廓区域的高度包括：

计算第一条上边缘轮廓像素点集与第一条掩膜与电容器上交界轮廓像素点集中像素点间的距离，得到第一非掩膜轮廓区域的高度；

计算第二条下边缘轮廓像素点集与第二条掩膜与电容器下交界轮廓像素点集中像素点间的距离，得到第二非掩膜轮廓区域的高度；

第一非掩膜轮廓区域的高度的公式为：

其中，为第一条上边缘轮廓像素点集中任取一像素点的第一非掩膜轮廓区域的高度，为第一条上边缘轮廓像素点集中任取一像素点的纵坐标，为第一条掩膜与电容器上交界轮廓像素点集中与第一条上边缘轮廓像素点集中任取一像素点的同一横坐标位置的像素点的纵坐标，为第一条上边缘轮廓像素点集中任取一像素点的第个邻域像素点的纵坐标，为第一条掩膜与电容器上交界轮廓像素点集中与第一条上边缘轮廓像素点集中任取一像素点的第个邻域像素点同一横坐标位置的像素点的纵坐标，为邻域像素点的数量；

所述第二非掩膜轮廓区域的高度的公式为：

其中，为第二条下边缘轮廓像素点集4中任取一像素点的第二非掩膜轮廓区域的高度，为第二条下边缘轮廓像素点集4中任取一像素点的纵坐标，为第二条掩膜与电容器下交界轮廓像素点集3中与第二条下边缘轮廓像素点集4中任取一像素点的同一横坐标位置的像素点的纵坐标，为第二条下边缘轮廓像素点集4中任取一像素点的第个邻域像素点的纵坐标，为第二条掩膜与电容器下交界轮廓像素点集3中与第二条下边缘轮廓像素点集4中任取一像素点的第个邻域像素点同一横坐标位置的像素点的纵坐标，为绝对值。

10.根据权利要求1所述的电容器工艺过程中识别掩膜合格的方法，其特征在于，所述根据非掩膜轮廓区域的高度，得到掩膜的合格等级包括：

根据所有非掩膜轮廓区域的高度，计算高度差值和高度平均值；

其中，为高度差值，为第个非掩膜轮廓区域的高度，为第个非掩膜轮廓区域的高度，为非掩膜轮廓区域的高度的数量；

其中，为高度平均值；

当高度差值和高度平均值均在合格范围内，掩膜属于合格等级，不在合格范围内，掩膜属于不合格等级；

在属于合格等级时，计算合格等级值：

其中，为合格等级值，为权重，为第个非掩膜轮廓区域的高度，为非掩膜轮廓区域的高度的数量；

根据合格等级值，得到掩膜的合格等级。

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