CN116027926A - 触控基板、显示模组以及触控显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开提供一种触控基板、显示模组以及触控显示装置，该触控基板包括基底、触控电极层、导电桥和静电聚集结构。触控电极层位于基底上，且包括多个触控电极。导电桥，至少部分相邻的触控电极通过导电桥电性连接。导电桥包括弯折部以及静电聚集结构与弯折部连接，以分散弯折部上的静电。本公开通过将多个静电聚集结构与导电桥中的弯折部连接，可以分散集中在弯折部的静电，从而改善触控基板被静电击伤的问题。

Description

触控基板、显示模组以及触控显示装置

技术领域

本公开涉及触控技术领域，具体地，涉及一种触控基板、显示模组以及触控显示装置。

背景技术

具有触控功能的电子产品愈发受到市场的欢迎，具有触控功能的电子产品中用于实现触控功能的主要结构为触控基板，触控基板在制备和使用过程中表面会产生静电。然而，当前的触控基板因受自身设计的限制，容易被静电击伤，导致触控功能异常。因此，如何改善触控基板被静电击伤成为一个亟需解决的重要问题。

发明内容

本公开提供一种触控基板和触控显示装置，该触控基板包括基底、触控电极层、导电桥和多个静电聚集结构。本公开通过将多个静电聚集结构与导电桥中的弯折部连接，可以分散集中在弯折部的静电，从而改善在触控基板上有较多的静电荷时触控基板被静电击伤的问题。

本公开第一方面提供的触控基板包括基底、触控电极层、导电桥和多个静电聚集结构。触控电极层位于基底上，且包括多个触控电极。导电桥，至少部分相邻的触控电极通过导电桥电性连接。导电桥包括弯折部以及静电聚集结构，静电聚集结构与弯折部连接，以分散弯折部上的静电。

在上述方案中，静电储存结构用来存储静电荷，从而防止弯折部产生尖端放电现象。这种方式可以改善触控基板中的导电桥中的弯折部被静电击伤的问题，进而提升触控基板使用稳定性和可靠性。

在本公开第一方面的一个具体实施方式中，静电聚集结构包括至少一个尖端，该尖端的尖锐度不小于弯折部的尖锐度。

在上述方案中，由于尖端放电的原理，静电荷会优先集中在尖锐度更大的静电聚集结构中，因此在弯折部连接包括尖锐度更大的第二尖端的静电聚集结构可以保护弯折部，改善弯折部容易被静电击伤的问题。

在本公开第一方面的一个具体实施方式中，静电聚集结构包括至少一个放射部，放射部背离弯折部的一端形成放电尖端。

例如，放射部的形状为线性。

例如，在同一个静电聚集结构中，放射部的数量为至少三个，且相邻放射部之间的间距相等。

在本公开第一方面的一个具体实施方式中，放射部的一端连接在弯折部上，放射部的另一端背离弯折部放射延伸；或者静电聚集结构还包括至少一个主体部，主体部与弯折部连接，放射部的一端与主体部连接，放射部的另一端背离主体部放射延伸。

例如，放射部位于主体部背离弯折部的一侧。

在本公开第一方面的一个具体实施方式中，静电聚集结构包括至少一个主体部，主体部包括至少一个尖端，尖端的尖锐度大于弯折部的尖锐度。

在本公开第一方面的一个具体实施方式中，主体部设置为导线，导线的两端分别与弯折部连接，以与弯折部围设有开口；或者，主体部为设置为导电块，导电块的一侧边缘与弯折部拼接。

例如，主体部为透明材料。

在本公开第一方面的一个具体实施方式中，静电聚集结构与导电桥同层且同材料构成。

本公开第二方面提供一种显示模组，该显示模组包括层叠设置的显示基板和第一方面提供的触控基板，显示基板包括多个子像素，相邻两个子像素之间具有间隙区，导电桥在显示基板上的正投影位于间隙区内。

在本公开第二方面的一个具体实施方式中，导电桥包括至少一条连接线，子像素的边缘具有拐角，连接线靠近拐角的位置形成为弯折部。

例如，弯折部可以为弧形。

本公开第三方面提供一种触控显示装置，该触控显示装置可以包括上述第一方面中的触控基板。

附图说明

图1为本公开一实施例提供的一种触控基板的平面结构示意图。

图2为本公开一实施例提供的一种触控基板的基底的局部截面示意图。

图3为图1所示的触控基板的S1区域的放大示意图。

图4为图2所示的触控基板沿A-A的截面示意图。

图5为图3所示的触控基板的S3区域的放大示意图。

图6为图5所示的触控基板的沿B-B的截面示意图。

图7为图3所示的触控基板的S4区域的放大示意图。

图8为本公开一实施例提供的一种触控基板的静电聚集结构的平面结构示意图。

图9为本公开一实施例提供的一种触控基板的静电聚集结构的平面结构示意图。

图10为本公开一实施例提供的一种触控基板的静电聚集结构的平面结构示意图。

图11为本公开一实施例提供的一种触控基板的静电聚集结构的平面结构示意图。

图12为本公开一实施例提供的一种触控基板的静电聚集结构的平面结构示意图。

图13为本公开一实施例提供的一种触控基板的静电聚集结构的平面结构示意图。

图14为本公开一实施例提供的一种触控基板的静电聚集结构的平面结构示意图。

图15为本公开一实施例提供的一种触控基板的静电聚集结构的平面结构示意图。

图16为本公开一实施例提供的一种触控基板的静电聚集结构的平面结构示意图。

图17为本公开一实施例提供的一种触控基板的静电聚集结构的平面结构示意图。

图18为本公开一实施例提供的一种触控基板的静电聚集结构的平面结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

在触控基板的制备过程中，触控基板的表面会覆盖一层保护膜，在撕膜过程中，会在触控基板表面产生大量的静电荷，这些静电荷会导致触控基板表面静电放电(Electrostatic Discharge，简称为：ESD)，静电放电是指具有不同静电电位的物体互相靠近或直接接触引起的电荷转移。触控基板通常采用金属网格(Metal Mesh)结构，触控基板表面静电放电时会形成高电压，强电场，瞬时大电流，导致触控基板中组成金属网格的连接线被击伤。特别是在导电桥中的连接线的拐角处，因为拐角处的尖锐度大，电场强度剧增，容易导致尖端放电，连接线的拐角处更容易被击伤，导致触控功能异常。此外，在触控产品使用过程中，手指和屏幕相互摩擦也会导致静电，也会导致触控基板中的连接线被击伤。

有鉴于此，本公开的实施例提供一种触控基板，该触控基板包括基底触控电极层、导电桥和多个静电聚集结构。触控电极层位于基底上，且触控电极层包括多个触控电极，具体地，触控电极可以是并列的多条第一电极和并列的多条第二电极，第一电极和第二电极交叉，第一电极在交叉处断开为多个第一子电极。导电桥位于第一电极和第二电极的交叉处，以连接相邻的第一子电极，也就是说，至少部分相邻的触控电极通过导电桥电性连接。其中，导电桥包括弯折部。多个静电聚集结构分别与弯折部连接。在该方案中，通过将多个静电聚集结构与导电桥中的弯折部连接，可以分散集中在弯折部的静电，从而改善在触控基板上有较多的静电荷时触控基板被静电击伤的问题。通过静电储存单元来存储静电荷，以分散弯折部上的静电，从而防止连接线的拐角处产生尖端放电现象。这种方式可以改善触控基板中的导电桥中的弯折部被静电击伤的问题，进而提升触控基板使用稳定性和可靠性。

下面，结合附图对根据本公开至少一个实施例中的触控基板和显示装置进行说明。此外，如附图所示，在本公开至少一个实施例中，以触控基板所在面为基准建立空间直角坐标系，以限定触控基板乃至电子装置中的各个元件的位置。在该空间直角坐标系中，X轴和Y轴平行于触控基板所在面，Z轴垂直于触控基板所在面。

在本公开至少一个实施例中，如图1～图7所示，触控基板100包括基底110、触控电极层120、导电桥130和多个静电聚集结构150。

具体地，基底110可以是显示基板。该显示基板可以为有机发光(OLED)显示面板、液晶(LCD)显示面板或者电子纸显示面板等。

例如，以显示基板为OLED显示基板为例，在该显示基板中包括有机发光二极管和薄膜晶体管TFT，有机发光二极管组成柔性显示基板的子像素111的实体发光结构，薄膜晶体管作为子像素111的开关元件。有机发光二极管是一种利用多层有机薄膜结构产生电致发光的器件。具体地，有机发光二极管可以包括依次叠置的阳极层1111、发光功能层1112和阴极层1113。发光功能层1112至少包括发光层，可选地，发光功能层1112还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层等中的至少一个。有机发光二极管在电场的作用下，阳极层产生的空穴和阴极层产生的电子会发生移动，分别迁移到发光层。当空穴和电子在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光层中的发光分子最终产生可见光。

如图1～图4所示，触控基板100包括触控功能区11和环绕触控功能区11的边框区12。触控电极层120位于基底110上且位于触控功能区11内，触控电极层120包括多个触控电极，示例性地，多个触控电极可以是并列的多条第一电极121和并列的多条第二电极122，第一电极121和第二电极122交叉以在交叉处构成触控电容(相当于一个触控单元S2)。

触控单元S2的边界可以根据触控电容的感应区域进行划分。在本公开的实施例中，第一电极121和第二电极122中的一个可以为驱动电极，第一电极121和第二电极122中的另一个可以为感应电极，驱动电极和感应电极交叉的区域可以形成触控电容。向驱动电极施加扫描信号，如果用户的手指靠近该交叉点，驱动电极或者感应电极和用户的手指之间会形成寄生电容，该寄生电容会引起触控电容的电压浮动，即驱动电极和感应电极交叉点处形成的触控电容的电容值会发生改变，通过检测电压发生改变的感应电极，可以确定电容值发生变化的触控电容的位置，即可定位触摸位置，从而实现触控。

需要说明的是，在触控基板100中划分触控单元S2时，通常将整个触控功能区11全部都划分为多个触控单元S2，而触控单元S2的区域划分实际是对感应区域的界定，例如，可以根据该区域的触控灵敏度划分该区域属于哪个触控单元S2。例如，在相邻的第一触控电容和第二触控电容之间的一个区域，如果在被触控(例如用户的手指靠近)时，第一触控电容的电容值的变化率大于第二触控电容的电容值的变化率，那么该区域可以划分为第一触控电容所对应的触控单元S2中。如此，触控单元S2的边界实际上可能比触控电容所占的面积更大，本领域人员应当知晓的是，电容的检测范围通常会大于触控电容所占的面积，因此，即便是电容周边的区域仍可以算作该触控电容的检测区域，即，该电容及其周边的一些区域可以限定为一个触控单元S2。

在本公开至少一个实施例中，至少部分相邻的触控电极通过导电桥电性连接，示例性地，如图3和图4所示，第一电极121在与第二电极122交叉的区域断开为多个第一子电极1211，导电桥130位于第一电极121和第二电极122的交叉处，以连接相邻的第一子电极1211。

可选地，触控基板100还包括绝缘层140，绝缘层140位于触控电极层120远离基底110的一侧，并覆盖第一电极121和第二电极122，触控电极层120还包括位于绝缘层140背离第一电极121和第二电极122一侧的导电桥130，绝缘层140中设置有通孔，导电桥130通过通孔与第一子电极连接。

可选地，在另一种实施例中，绝缘层140位于触控电极层120和基底110之间，绝缘层140中设置有通孔，导电桥130设置在绝缘层140背离触控电极层120的一侧，并通过通孔与第一子电极1211连接。

在本公开的实施例中，对触控电极层120的材料不做限制，例如第一电极121、第二电极122和导电桥130等可以为单层结构，或者可以为叠层结构。例如，叠层结构为Ti-Al-Ti、Mo-Al-Mo或者ITO-Ag-ITO构成的叠层。示例性的，Ti-Al-Ti式的叠层结构为由三个膜层即Ti膜层、Al膜层和Ti膜层依次叠置形成的叠层。

在本公开至少一个实施例中，如图5和图6所示，在基底110为显示基板的情况下，为了不影响显示效果，触控电极层120中的第一电极121和第二电极122可以设置为网格状，网格状的开口与子像素111对应。

如图7所示，由于导电桥130和第二电极122重叠的位置有两层连接线131，为了使得整个触控区中的连接线的密度均匀，以避免在导电桥130的位置的显示的效果和未设置导电桥130的位置的显示效果存在明显的区别，因此需要将导电桥130中的连接线131的总面积设置的尽量小，因此导电桥130中的连接线的形状和触控电极层120中的连接线的形状不同。示例性地，导电桥130中的连接线的线宽可以为4～6um。导电桥130中的连接线131的两端用于连接相邻的两个第一子电极1211。

示例性地，如图3、图7和图8所示，导电桥130中包括多个连接线131，且连接线131沿Y轴方向的部分的总长度应尽量小。为了避开子像素111，导电桥130的多个连接线131可以设置为曲线。例如，连接线131以折线的形式避开子像素111的区域，由此产生多个弯折部132。在连接线131中，弯折部132实际是形成了一个尖端(第一尖端133)，从而容易在该尖端处聚集静电。示例性地，弯折部132是直角时，弯折部132可以是从直角的顶点向两个直角边延伸一定距离的两个线段组成的图案，弯折部132的第一尖端133为直角的顶点。

在本公开至少一个实施例中，导电桥130包括弯折部132，多个静电聚集结构150分别与弯折部132电连接。通过设置与弯折部132电连接的静电聚集结构，可以分散在弯折部132处的静电荷，以改善弯折部132在第一尖端133的位置会发生尖端放电现象。

在本公开至少一个实施例中，静电聚集结构150包括至少一个第二尖端153，用于将弯折部132中的第一尖端133的位置所聚集的静电荷分摊。可选地，静电聚集结构150中的第二尖端153的尖锐度不小于弯折部132的第一尖端133的尖锐度。由于尖端放电的原理，静电荷会优先集中在尖锐度更大的静电聚集结构150中的第二尖端153中，因此在弯折部132设置包括尖锐度更大的第二尖端153的静电聚集结构150可以保护弯折部132，改善弯折部132容易被静电击伤的问题。需要说明的是，静电聚集结构150中的第二尖端153是指尖锐度大的位置，例如尖锐细小物质的顶端。尖锐度是指尖端的尖锐程度，在尖端为直角或者锐角等尖角的情况下，尖角的角度越小，说明尖端的尖锐度越大。在尖端为曲线时，曲线的曲率越大，尖端的尖锐度越大。

静电聚集结构150中只要存在至少一个第二尖端153，就可以缓解弯折部132容易被静电击伤的问题，为了进一步提高静电聚集结构150的静电存储效果，可以在静电聚集结构150中设置多个第二尖端153，通过增多第二尖端153的数量，使静电荷优先分布在各个第二尖端153中，这种方式可以降低尖端放电对弯折部132中的第一尖端133带来的负面影响。图8～图18分别为图7中所示导电桥的S5区域的放大示意图。下面结合图8～图18对静电聚集结构150的多种实现形式进行说明。

在本公开至少一个实施例中，放射部背离弯折部放射延伸，放射部的一端连接在弯折部上，且放射部的另一端背离弯折部放射延伸。也就是说，静电聚集结构150包括至少一个放射部151，放射部151与弯折部132直接连接。放射部151为线性，在放射部151不与弯折部132连接的一端，尖锐度非常大，因此，放射部151不与弯折部132连接的一端为静电聚集结构的第二尖端153，静电会优先集中在放射部151不与弯折部132连接的一端。具体地，放射部151和弯折部132可以有多种相对位置关系。下面结合图8～图10对放射部151和弯折部132的多种相对位置关系进行说明。

示例性的，如图8所示，一个弯折部132上布置了5个放射部151，放射部151的形状为线性，且朝向弯折部132背离子像素111的一侧放射延伸。弯折部132背离子像素111的一侧的空间更大，放射部151朝向弯折部132背离子像素111的一侧放射延伸可以使放射部151更加分散。示例性地，如图9所示，放射部151也可朝向弯折部132朝向子像素111的一侧延伸。示例性地，如图10所示，放射部151也可以分别设置在弯折部132朝向子像素111的一侧和弯折部132背离子像素111的一侧。需要说明的是，子像素111为与弯折部132对应的子像素111，例如，弯折部132为直角时，该子像素111位于直角的两个直角边之间。

放射部151的长度以不挡住子像素所在的区域为佳，这样静电聚集结构150在改善弯折部132击伤的同时不影响显示基板的显示效果。

可选地，如图8～图10所示，在同一个静电聚集结构150中，放射部151的数量为至少三个，且相邻放射部151之间的间距相等。放射部151之间的间距相等可以让静电荷在多个放射部151上分布更加均匀。放射部151的数量越多，分摊至每个放射部151上的静电荷也就越少，这样弯折部132上的静电荷也就越少，尖端放电对弯折部132产生的负面作用也就越小。放射部151的数量可以根据设计需要适应性调整。

在本公开至少一个实施例中，静电聚集结构150可以包括至少一个主体部152。主体部152为包括至少一个尖端的导电图案。以主体部152为两端均连接到弯折部132上的折线为例，主体部152可以有多种形状，下面结合图11～图14对主体部152的多种实现方式进行说明。

在本公开至少一个实施例中，主体部152设置为导线，导线的两端与弯折部132连接，以与弯折部132围设有开口。进一步地，主体部152的第一尖端133位于主体部152和弯折部132的两个连接点之间。主体部152可以为非透明导电材料构成，也可为透明导电材料。

示例性地，主体部152设置在弯折部132背离子像素111的一侧。如图11所示，主体部152包括三个直角，也就是说，主体部152包括和弯折部132的第一尖端133的尖锐度基本相同的三个第二尖端153。如图12所示，主体部152包括五个直角，也就是说，主体部152包括和弯折部132的第一尖端133的尖锐度基本相同的五个第二尖端153。如图13所示，主体部152包括四个锐角，也就是说，主体部152包括小于弯折部132的第一尖端133的尖锐度的四个第二尖端153。

示例性地，主体部152设置在弯折部132背离子像素111的一侧。如图14所示，主体部152包括一个直角，也就是说，主体部152包括和弯折部132的第一尖端的尖锐度基本相同的一个第二尖端153。

在本公开至少一个实施例中，为了增加静电聚集结构150中第二尖端153的数量，静电聚集结构150还可以同时包括至少一个主体部152和至少一个放射部151，下面结合图15～图17对放射部151和弯折部132的多种相对位置关系进行说明。

示例性地，如图15所示，主体部152与弯折部132连接，放射部151与主体部152连接。可选地，放射部151位于主体部152背离弯折部132的一侧，放射部151也可以位于主体部152朝向弯折部132的一侧。由于主体部152的存在，使得放射部151可以在主体部152上面进行布置，而不是弯折部132上，主体部152的面积要大于弯折部132，可以在增加放射部151数量的同时，不增大放射部151之间的间距，这样可以避免相邻放射部之间的间距过小而导致用于形成静电聚集结构150的掩模的制造难度过大，进而可以降低生产成本。

可选地，主体部152包括至少一个第二尖端153，主体部152的第二尖端153的尖锐度和弯折部132的第一尖端133的尖锐度基本相同，第二尖端可以起到均摊弯折部132的电荷的作用。主体部152的存在间接提升了弯折部132可容纳的放射部151的数量，这种方式有利于更好的均摊电荷，进而降低在弯折部132尖端放电现象的风险。

示例性地，如图16所示，静电聚集结构150还可以包括两个主体部152和多个放射部151。其中，部分放射部151和主体部152连接，部分放射部151与弯折部132连接。这种方式静电聚集结构150的尖端数量多，有利于更好的均摊电荷。

在本公开至少一个实施例中，主体部152为透明导电材料构成，主体部152设置为导电块154，导电块154的一侧边缘与弯折部132连接。

示例性地，如图17所示，主体部152为导电块154，放射部151连接在导电块154的尖端，导电块154的面积大于导线的面积，可以使得单位面积的静电荷减少。在导电块154的顶端连接放射部151，可以进一步减少静电聚集结构中单位面积的静电荷，并使得静电荷存储在远离弯折部132的放射部151中，这种方式可以改善弯折部132容易被击伤的风险。

示例性地，如图18所示，弯折部132可以是圆弧形，这样可以减小弯折部132的第一尖端133的尖锐度，使得静电荷优先存储在包括尖锐度较大的第二尖端153的静电聚集结构150中。可选地，圆弧形的弯折部132的线宽可以为4～6um，弧角曲率半径可以为8～12um。

在本公开至少一个实施例中，静电聚集结构150与导电桥130同层且同材料构成。静电聚集结构150与导电桥130同层且同材料，可以在同一个工艺制程中形成导电桥130和静电聚集结构150，可以提高生产效率。

需要说明的是，静电聚集结构150也可以不与导电桥130同层，例如，静电聚集结构150可以通过通孔和弯折部132连接。

需要说明的是，静电聚集结构中的静电会在触控基板接地后被导出。

本公开至少一个实施例提供一种触控显示装置，该显示装置包括上述实施例提供的触控基板100。

该触控显示装置还可以为移动或便携式并执行无线通信的各种类型的计算机系统设备中的任何一种。在一些情况下，触控显示装置可以执行多种功能(例如，播放音乐，显示视频，存储图片以及接收和发送电话呼叫)。具体地，显示装置可以为电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件。

以上仅为本公开的较佳实施例而已，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (10)

1.触控基板，其特征在于，包括：

基底；

触控电极层，位于所述基底上，包括多个触控电极；

导电桥，至少部分相邻的所述触控电极通过所述导电桥电性连接；所述导电桥包括弯折部，以及

静电聚集结构，与所述弯折部连接，以分散所述弯折部上的静电。

2.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于，所述静电聚集结构包括至少一个尖端，所述尖端的尖锐度不小于所述弯折部的尖锐度。

3.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于，所述静电聚集结构包括至少一个放射部，所述放射部背离所述弯折部的一端形成放电尖端；

优选地，所述放射部的形状为线性；

优选地，在同一个静电聚集结构中，所述放射部的数量为至少三个，且相邻放射部之间的间距相等。

4.根据权利要求3所述的触控基板，其特征在于，所述放射部的一端连接在所述弯折部上，所述放射部的另一端背离所述弯折部放射延伸；或者

所述静电聚集结构还包括至少一个主体部，所述主体部与所述弯折部连接，所述放射部的一端与所述主体部连接，所述放射部的另一端背离所述主体部放射延伸；

优选地，所述放射部位于所述主体部背离所述弯折部的一侧。

5.根据权利要求1所述的触控基板，其特征在于，所述静电聚集结构包括至少一个主体部，所述主体部包括至少一个尖端，所述尖端的尖锐度大于所述弯折部。

6.根据权利要求4或5所述的触控基板，其特征在于，所述主体部设置为导线，所述导线的两端分别与所述弯折部连接，以与所述弯折部围设有开口；或者，所述主体部为设置为导电块，所述导电块的一侧边缘与所述弯折部拼接；

优选地，所述主体部为透明材料。

7.根据权利要求1-5任一项所述的触控基板，其特征在于，所述静电聚集结构与所述导电桥同层且同材料构成。

8.一种显示模组，其特征在于，包括层叠设置的显示基板和权利要求1-5中任一项所述的触控基板，所述显示基板包括多个子像素，相邻两个所述子像素之间具有间隙区，所述导电桥在所述显示基板上的正投影位于所述间隙区内。

9.根据权利要求8所述的一种显示模组，其特征在于，所述导电桥包括至少一条连接线，所述子像素的边缘具有拐角，所述连接线靠近所述拐角的位置形成为所述弯折部；

优选地，所述弯折部为弧形。

10.一种触控显示装置，其特征在于，包括如权利要求8-9中任一项所述的显示模组。

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