CN113268164A - 一种触控结构及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种触控结构及显示装置,所述触控结构包括层叠设置在衬底基板上的金属层、第一绝缘层、触控电极层和第二绝缘层,其中,所述触控电极层包括相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极,所述金属层包括桥接部,所述桥接部被配置为在所述第一触控电极和所述第二触控电极的交叉处导电桥接所述第一触控电极或导电桥接所述第二触电极。采用本申请的方案,提高了触控结构的静电释放能力,减少了电路结构的损坏,四层掩膜设计也简化了结构,节约了成本。
Description
技术领域
本申请一般涉及显示技术领域,具体涉及OLED(有机发光二极管)显示技术领域,尤其涉及一种触控结构及显示装置。
背景技术
在现有的刚性OLED触控结构中,例如在触摸式手表中,常用ITO(氧化铟锡)双桥作为导通桥,此种设计有两层ITO层,共需要5道掩膜设计,成本较高。同时此种设计的ESD(静电释放)能力无法满足整机工作电压的要求,而为了提高ESD能力只能增加各层的膜厚,这也会进一步增加成本。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种触控结构,包括层叠设置在衬底基板上的金属层、第一绝缘层、触控电极层和第二绝缘层,其中,所述触控电极层包括相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极,所述金属层包括桥接部,所述桥接部被配置为在所述第一触控电极和所述第二触控电极的交叉处导电桥接所述第一触控电极或导电桥接所述第二触电极,其中,所述触控电极为透明电极块;所述桥接部在所述衬底基板上的投影为弯曲连接的至少三段线段,且相邻线段之间的夹角大于150度。
在一个实施方案中,所述桥接部弯曲连接的三段线段,包括第一段和连接第一段两端的第二段和第三段,其中,所述第一段的延伸方向平行于被桥接两电极的中心连线,所述第二段、第三段分别与第一段呈150-175度连接。
在一个实施方案中,所述第一段在衬底基板的投影位于连接部在基板投影的范围内,所述第二段一端与第一段的一端连接,所述第二段的另一端向着远离所述中心连线的方向偏移;所述第三段的一端与所述第一段的另一端连接,所述第三段的另一端向着远离所述中心连线的方向偏移。
在一个实施方案中,所述第二触控电极的边缘包括依次连接的第一部分、第二部分、第三部分和第四部分,其中第一部分和第四部分均与所述桥接部的第一段垂直设置,且所述第一部分和第四部分均与所述第二段或第三段空间交叉设置;所述第二部分与所述第一部分呈角度设置;所述第三部分与所述第二部分呈角度设置,所述第二部分和第三部分形成向所述第二触控电极中心内凹的结构。
在一个实施方案中,在所述第一触控电极和所述第二触控电极的交叉处设置两个桥接部。
在一个实施方案中,所述第一绝缘层上设置有通孔,所述桥接部通过通孔中的导电通路与所述触控电极导电桥接。
在一个实施方案中,所述桥接部的每一端通过两个以上的导电通路与被桥接的触控电极电连接。
在一个实施方案中,所述两个以上的导电通路中相邻导电通路之间的间距为2-4μm。
在一个实施方案中,所述桥接部的长度为0.12mm-0.14mm,宽度为3μm-3.3μm。
在一个实施方案中,所述导电通路截面为矩形,其尺寸为5~10μm×6~12μm。
在一个实施方案中,所述导电通路与桥接部接触的面超出了所述桥接部的宽度两侧各一定尺寸。
在一个实施方案中,所述桥接部长度方向的边沿超过所述导电通路的边沿。
在一个实施方案中,所述金属层还包括导电布线和对位标记。
本申请还提供一种显示装置,其包括了上述方案所述的触控结构。
本申请还提供一种触控结构的制作方法,所述方法包括:
在衬底基板上形成金属层,对所述金属层进行蚀刻,形成导电布线和桥接部;
在所述金属层上形成第一绝缘层,对所述第一绝缘层蚀刻,在对应所述桥接部的位置形成通孔。
在所述第一绝缘层上形成触控电极层,其中触控电极层填充所述通孔形成导电通路;对所述触控电极层进行蚀刻,形成多个第一触控电极、多个第二触控电极以及多个连接部,其中,连接部两端连接两个相邻的第一触控电极;相邻的第二触控电极通过导电通路与所述桥接部电连接;
在所述触控电极层上形成第二绝缘层。
采用本申请的方案,通过四层结构(四道掩膜设计)以及金属桥连实现了触控电路结构,金属桥连的方式相比于传统氧化铟锡桥连方式降低了电阻,提高了静电释放能力,减少了电路结构的损坏,另外,四层掩膜设计也简化了结构,节约了成本。本申请将金属桥接部放置于底层金属层,桥接部位于触控电极、第一绝缘层、第二绝缘层下方,即桥接部离整体盖板更远,有更厚的外层保护,从而更加增强了产品静电释放的能力。采用本申请的方案,静电释放能力可以满足整机工作电压的要求。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1为本申请触控结构主视图;
图2为图1菱形虚线框部分局部放大图;
图3为本申请触控结构的桥接部附近结构剖视图;
图4为图2中矩形虚线框部分的放大图;
图5为本申请触控结构金属层主视图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明,而非对该发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
如图1-5所述,本实施例的一种触控结构,包括层叠设置在衬底基板100上的金属层110、第一绝缘层120、触控电极层130和第二绝缘层140,其中,所述触控电极层130包括相互绝缘的第一触控电极131和第二触控电极132,所述金属层110包括桥接部112,所述桥接部112被配置为在所述第一触控电极131和所述第二触控电极132的交叉处导电桥接所述第一触控电极131或导电桥接所述第二触控电极132,其中所述第一触控电极131和所述第二触控电极132均为透明电极块。
在一个实施方案中,所述触控电极层130包括多个第一触控电极组和多个第二触控电极组,每个第一触控电极组包括沿第一方向依次连接的多个第一触控电极131,每个第二触控电极组包括沿第二方向依次连接的多个第二触控电极132,所述多个第一触控电极131和多个第二触控电极132交错设置。其中,第一触控电极组内多个第一触控电极131的连接通过同层设置的连接部1310实现,第二触控电极组内多个第二触控电极132的连接通过所述桥接部112实现。当然,也可以是多个第二触控电极132的连接通过连接部实现,第一触控电极131的连接通过桥接部实现。
所述桥接部112在所述衬底基板100上的投影为弯曲连接的至少三段线段,且相邻线段之间的夹角大于150度。
采用这样的方案,通过四层结构(四道掩膜设计)以及金属桥连实现了触控电路结构,金属桥连的方式相比于传统氧化铟锡桥连方式降低了电阻,提高了静电释放能力,减少了电路结构的损坏。四层掩膜设计也简化了结构和工序,节约了成本。并且,本申请中将金属桥接部112放置于底层金属层110,桥接部112位于触控电极层130、第一绝缘层120、第二绝缘层下方140,即桥接部112离整体盖板更远,有更厚的外层保护,从而更加增强了产品静电释放的能力。采用本申请的方案,静电释放能力可以满足整机工作电压(例如20kv)的要求。
在一个实施方案中,所述第一方向与所述第二方向交叉。在一个优选的方案中,所述第一方向与所述第二方向垂直。
如图2,在一个实施方案中,所述第一触控电极131可以为驱动电极Tx,所述第二触控电极132可以为感应电极Rx,或者第一触控电极131与第二触控电极132的定义置换,本申请对此不做限制。
在一个实施方案中,透明电极块状的第一触控电极131和第二触控电极132,可以具体为菱形,例如可以为正菱形,或者是横长的菱形,或者是纵长的菱形。在一些可能的实现方式中,第一触控电极131和第二触控电极132可以为三角形、正方形、梯形、平行四边形、五边形、六边形和其它多边形中的任意一种或多种,本申请在此不做限定。在触控结构应用于非直线边缘的倾斜,例如圆形表盘时,边缘位置的第一触控电极131和第二触控电极132可以为适应边缘形状的异形结构。
在一个实施方案中,所述第一绝缘层120上设置有通孔,所述桥接部112通过通孔中的导电通路133与所述第二触控电极132导电桥接。
在一个实施方案中,所述导电通路133与第二触控电极132为相同的材料制成。在一个优选的方案中,所述导电通路133与所述第二触控电极132在同一工序中制作完成。
在一个实施方案中,所述桥接部112每一端通过两个以上的导电通路133与所述第一触控电极131电连接。采用这样的方案,导电通路整体的电阻更小,提升了触控结构的静电释放能力。
在一个实施方案中,其中每个所述桥接部112的长度为0.12mm-0.134mm,宽度为3μm-3.3μm,优选地,长度为0.129mm,宽度为3.2μm。在一个实施方案中,所述桥接部112在宽度方向的尺寸小于所述导电通路133的尺寸。即,所述导电通路133在与桥接部112接触的面超出了所述桥接部112的宽度两侧一定尺寸。在一个实施方案中,所述导电通路133的截面为矩形,其尺寸为5-10μm×6-12μm。优选为,8μm×9μm。在一个实施方案中,所述导电通路133在宽度方向上超出所述桥接部112两侧分别为2-4μm,优选为2.9μm。
在一个实施方案中,所述桥接部112在长度方向的边沿超过所述导电通路133的边沿。在桥接部112每一端连接两个或以上的导电通路133时,所述桥接部112在长度方向的边沿超过所有导电通路133的边沿。在一个实施方案中,所述桥接部112在长度方向的边沿超过所述导电通路133的边沿的尺寸为2-5μm,优选为3μm。
在一个实施方案中,在桥接部112每一端连接两个或以上的导电通路133时,相邻导电通路133之间的距离为2-4μm,优选为3μm。
采用上述结构和参数的方案,保证了桥接部与导电通路之间的稳定电连接,并且降低了电阻,可以有效提升电路的静电释放能力。
在一个实施方案中,第一触控电极131和第二触控电极132可以为透明电极形式,透明电极可以采用透明导电材料,其材料为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化镓锌(GZO)氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铝锌(AZO)等。
在一个实施方案中,所述金属层110的材料为银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或多种,或上述金属的合金材料,如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)。
在一个实施方案中,所述衬底基板为刚性基板或柔性基板,例如玻璃衬底、聚酰亚胺(PI)衬底等。
在一个实施方案中,第一触控电极131和第二触控电极132可以为电极网格(Mesh)形式,电极网格由多条透明电极线交织形成,电极网格包括多个网格图案,每个网格图案是由多条透明电极线构成的多边形。在示例性实施方式中,一个网格图案中透明电极线所围成的区域包含显示结构层中子像素的区域,透明电极线所在位置位于相邻子像素之间。例如,当显示结构层为OLED显示结构层时,子像素的区域可以为发光结构层中像素界定层限定的发光区域,透明电极线所围成的区域包含发光区域,透明电极线位于像素界定层(PDL)的对应位置,即位于非发光区域中。在示例性实施方式中,透明电极线围成的网格图案的形状可以包括三角形、正方形、矩形、菱形、梯形、五边形和六边形中的任意一种或多种。在一些可能的实现方式中,金属线围成的网格图案可以为规则的形状,或者为不规则的形状,网格图案的边可以为直线,或者可以为曲线,本申请在此不做限定。所述虚拟电极的具体结构可以与所述触控电极131/132相同或不同。
如图4所示,在一个示例性方案中,所述桥接部112包括3个线段,分别为第一段1121以及分别连接第一段1121一端和另一端的第二段1122和第三段1123。所述第一段的延伸方向平行于被桥接两电极的中心连线,所述第二段、第三段分别与第一段呈角度连接。所述平滑弯曲指的是所述第一段1121与第二段1122/第三段1123的夹角在150-175度之间,优选在160-170度之间,更优选为165度。其中,所述第一段1121、第二段1122、第三段1123为直线段或曲线段。在另一些实施方案中,所述桥接部包括更多线段,相邻线段的夹角在150-180度之间。通过采用多个线段大角度连接的方式,可以有效避免电荷在线段连接处的聚集,提升了静电释放能力,线段数量越多越好,综合考虑静电释放效果和加工成本,所述线段为三个为好。在一个实施方案中,在相邻的两个第二触控电极132之间设置两个桥接部112。所述两个桥接部112中至少一个在所述衬底基板100表面的投影为平滑弯曲形状。
在一个优选的实施方案中,所述第一段1121在衬底基板的投影位于连接部1310在基板投影的范围内,所述第二段1122一端与第一段1121的一端连接,所述第二段1122的另一端向着远离所述中心连线的方向偏移;所述第三段1123的一端与所述第一段1121的另一端连接,所述第三段1123的另一端向着远离所述中心连线的方向偏移。
所述连接部112的投影呈大致平滑弯曲形状,采用这样的方案,整个桥接部112没有尖角结构,更加降低了静电电荷在部分位置聚集的风险,提高了静电能力。
在一个优选的实施方案中,两个桥接部112的投影均为平滑弯曲形状。例如,图2所示,两个桥接部112在所述衬底基板100表面的投影为内折平滑弯曲形状,即两个平滑弯曲形状的凸部相向设置。在一个更优选的方案中,所述两个桥接部112的投影对称设置。采用这样的方案,可以更有效地降低所述桥接部的可视性,提高了触控结构的显示效果。
在一个实施方案中,所述连接部的投影可以为弧形。
如图4所示,在一个实施方案中,所述第二触控电极132与所述第一触控电极131的连接部1310对置的边缘平行设置。
在一个实施方案中,所述第二触控电极132的边缘包括依次连接的第一部分1321、第二部分1322、第三部分1323、第四部分1324,其中第一部分1321与所述桥接部112的第一段1121垂直设置,且所述第一部分1321与所述第二段1122或第三段1123(见图中下面的第二触控电极132的边缘)呈空间交叉设置,所述空间交叉是指第一部分1321与第二段1122处于不同层,且在衬底基板100的投影有重叠。
所述第二部分1322与所述第一部分1321呈角度设置,其中所述第二部分1322的远端相比于与第一部分1321的连接端远离所述连接部。
所述第三部分1323与所述第二部分1322呈角度设置,其中所述第三部分1323的远端相比于与第二部分1322的连接端靠近所述连接部,所述第二部分1322和第三部分1323形成向着所述第二触控电极132中心的内凹结构。优选地,所述第三部分1323与所述第二部分1322呈对称布置。
所述第四部分1324与所述桥接部112的第一段1121垂直设置,优选地,所述第四部分1324与所述第一部分对称布置。优选地,所述第四部分1324与所述第二段1122或第三段1123空间交叉设置。
在一个方案中,所述连接部1310呈轴对称设置,相应低,被桥接的两个第二触控电极132相对的边缘呈对称布置。
采用这样的方案,所述桥接部112从所述连接部1310的最窄处空间跨越,并且第一段1121与最窄处垂直设置,这样使得桥接部112和连接部1310的相对面积更小,使得电路中产生的寄生电容更小,可以有效提高触控识别的精确度。
所述触控结构的金属层110还包括导电布线111,用于连接IC与第一触控电极131和第二触控电极132。在一个实施方案中,所述金属层110还包括对位金属标记113,用于在触控结构制作过程中实现对位。
本申请还提供一种显示面板,包括上述方案所述的触控结构。例如,所述显示面板包括背板、功能层以及上述触控结构,该功能层设置在该背板上,该触控结构设置在该功能层上。
本申请还提供一种显示装置,包括所述的显示面板。所示显示装置可以为刚性OLED显示装置,比如显示器、手机、手表等。
本申请还提供一种触控结构的制作方法,所述方法包括在衬底基板100上形成金属层110,例如通过镀敷,通过掩膜曝光显影形成图案,并对所述金属层110进行蚀刻,形成导电布线111、桥接部112和对位标记113。
在所述金属层110上形成第一绝缘层120,例如通过涂覆,之后采用掩膜曝光显影,并对所述第一绝缘层120蚀刻,在对应所述桥接部112的位置形成通孔。
在所述第一绝缘层120上形成触控电极层130,例如通过溅射,其中触控电极层130填充了所述通孔,形成了导电通路133。随后,通过掩膜曝光显影形成图案,并对所述触控电极层130进行蚀刻,形成多个第一触控电极131、多个第二触控电极132、多个连接部1310、以及虚拟电极(dummy电极,图中未示出),其中,连接部1310两端连接两个相邻的第一触控电极131。相邻的第二触控电极132断开设置,并且通过导电通路133与所述桥接部112电连接。
在所述触控电极层130上形成第二绝缘层140,例如通过涂覆。所述第二绝缘层140填充了所述第一触控电极131、第二触控电极132之间的空隙,实现了将所述第一触控电极131和第二触控电极132安全隔离,并对触控电极层进行保护的目的。
下面结合附图说明本申请的触控结构的一个具体实施例,所述触控结构为适应手表的大致圆形结构,包括圆形玻璃衬底基板100
设置在玻璃衬底基板100上的钼金属层110,所述钼金属层110包括导电布线111、桥接部112和对位标记113,其中,相邻第二触控电极132之间设置有两个所述桥接部112,并且两个所述桥接部112在所述玻璃衬底基板100表面的投影均呈三段结构的平滑弯曲形状,两个平滑弯曲形状的凸部相向设置。其中每个所述桥接部112的长度为0.12mm-0.13mm,宽度为3μm-3.3μm,优选地,长度为0.129mm,宽度为3.2μm。
设置在钼金属层110上的第一绝缘层120,所述第一绝缘层120的材料可以是聚酰亚胺(PI)、氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等。第一绝缘层120将所述导电布线111、桥接部112和对位标记113之间的空隙填充,并且在对应桥接部112的两端设置有通孔,桥接部112每一端对应的通孔数量可以是1个、2个或更多个。
设置在第一绝缘层120上的氧化铟锡制成的触控电极层130,所述触控电极层130包括多个第一触控电极组和多个第二触控电极组,以及填充所述通孔的导电通路133。每个第一触控电极组包括沿图中水平方向通过连接部1310依次连接的多个第一触控电极131;每个第二触控电极组包括沿图中竖直方向依次通过桥接部112连接的多个第二触控电极132,其中,第一触控电极131为驱动电极Tx,所述第二触控电极132为感应电极Rx。且第一触控电极131和第二触控电极为菱形,由于触控结构为圆形结构,在边缘处的触控电极131不可能保持为菱形,其形状为拉伸后的菱形或者菱形的局部构成的异形等。其中,所述多个第一触控电极131和多个第二触控电极132交错设置。
在所述触控电极层130上设置有第二绝缘层140,所述第二绝缘140层填充所述第一触控电极131和第二触控电极之间的空隙。所述第二绝缘层140的材料可以是聚酰亚胺PI、氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解,本申请中所涉及的发明范围,并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案,同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下,由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
Claims (14)
1.一种触控结构,其特征在于:包括层叠设置在衬底基板上的金属层、第一绝缘层、触控电极层和第二绝缘层,其中,所述触控电极层包括相互绝缘的第一触控电极和第二触控电极,所述金属层包括桥接部,所述桥接部被配置为在所述第一触控电极和所述第二触控电极的交叉处导电桥接所述第一触控电极或导电桥接所述第二触电极,其中,所述触控电极为透明电极块;所述桥接部在所述衬底基板上的投影为弯曲连接的至少三段线段,且相邻线段之间的夹角大于150度。
2.根据权利要求1所述的触控结构,其特征在于:所述桥接部弯曲连接的三段线段,包括第一段和连接第一段两端的第二段和第三段,其中,所述第一段的延伸方向平行于被桥接两电极的中心连线,所述第二段、第三段分别与第一段呈150-175度连接。
3.根据权利要求2所述的触控结构,其特征在于:所述第一段在衬底基板的投影位于连接部在基板投影的范围内,所述第二段一端与第一段的一端连接,所述第二段的另一端向着远离所述中心连线的方向偏移;所述第三段的一端与所述第一段的另一端连接,所述第三段的另一端向着远离所述中心连线的方向偏移。
4.根据权利要求2所述的触控结构,其特征在于:所述第二触控电极的边缘包括依次连接的第一部分、第二部分、第三部分和第四部分,其中第一部分和第四部分均与所述桥接部的第一段垂直设置,且所述第一部分和第四部分均与所述第二段或第三段空间交叉设置;所述第二部分与所述第一部分呈角度设置;所述第三部分与所述第二部分呈角度设置,所述第二部分和第三部分形成向所述第二触控电极中心内凹的结构。
5.根据权利要求2所述的触控结构,其特征在于:在所述第一触控电极和所述第二触控电极的交叉处设置两个桥接部。
6.根据权利要求1所述的触控结构,其特征在于:所述第一绝缘层上设置有通孔,所述桥接部通过通孔中的导电通路与所述触控电极导电桥接。
7.根据权利要求6所述的触控结构,其特征在于:所述桥接部的每一端通过两个以上的导电通路与被桥接的触控电极电连接。
8.根据权利要求7所述的触控结构,其特征在于:所述两个以上的导电通路中相邻导电通路之间的间距为2-4μm。
9.根据权利要求1-8任一项所述的触控结构,其特征在于:所述桥接部的长度为0.12mm-0.14mm,宽度为3μm-3.3μm。
10.根据权利要求6-8任一项所述的触控结构,其特征在于:所述导电通路截面为矩形,其尺寸为5~10μm×6~12μm。
11.根据权利要求6-8任一项所述的触控结构,其特征在于:所述导电通路与桥接部接触的面超出了所述桥接部的宽度两侧各一定尺寸。
12.根据权利要求6-8任一项所述的触控结构,其特征在于:所述桥接部长度方向的边沿超过所述导电通路的边沿。
13.根据权利要求1-8任一项所述的触控结构,其特征在于:所述金属层还包括导电布线和对位标记。
14.一种显示装置,其特征在于包括了权利要求1-13任一项所述的触控结构。
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