CN116018033A - Qled器件的制备方法及显示基板、显示装置 - Google Patents

Qled器件的制备方法及显示基板、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN116018033A
CN116018033A CN202111222067.6A CN202111222067A CN116018033A CN 116018033 A CN116018033 A CN 116018033A CN 202111222067 A CN202111222067 A CN 202111222067A CN 116018033 A CN116018033 A CN 116018033A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
forming
quantum dot
qled device
electrode layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111222067.6A
Other languages
English (en)
Inventor
罗强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Technology Group Co Ltd
Original Assignee
TCL Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Technology Group Co Ltd filed Critical TCL Technology Group Co Ltd
Priority to CN202111222067.6A priority Critical patent/CN116018033A/zh
Priority to PCT/CN2022/117331 priority patent/WO2023065864A1/zh
Publication of CN116018033A publication Critical patent/CN116018033A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请公开了一种QLED器件的制备方法及显示基板、显示装置。所述QLED器件的制备方法包括如下步骤：提供基板；在所述基板上形成第一电极层；在还原性气体氛围下在第一电极层上形成量子点发光层；在所述量子点发光层上形成电子功能层；在所述电子功能层上形成第二电极层。本申请得到的器件能够减弱氧气对于量子点发光层的不利影响，提高器件发光效率或寿命。

Description

QLED器件的制备方法及显示基板、显示装置
技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及QLED器件的制备方法及显示基板、显示装置。
背景技术
QLED器件是由阳极、量子点发光层、电子传输层和阴极构成的多功能层复合结构，当受到电或光刺激时，电子和空穴分别从各自电极注入，两者在量子点发光层复合发光。量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)由于其具有发射波长可调、发射带宽窄、发光效率高以及低成本等优点，得到越来越多的关注。
然而，在蓝光(450nm)照射下，O2会与量子点发光层发生界面反应，形成硫酸盐，氢氧化物，氧化物，从而降低器件发光效率或寿命。
因此，亟待提供一种QLED器件，能够很好的降低氧气对于量子点发光层的不利影响。
发明内容
为了克服现有技术的不足，本申请提供了一种QLED器件的制备方法，可以提高量子点发光层的发光效率或寿命。
本申请提供一种QLED器件的制备方法，包括如下步骤：
提供基板；
在所述基板上形成第一电极层；
在还原性气体氛围下在所述第一电极层上形成量子点发光层；
在所述量子点发光层上形成电子功能层；
在所述电子功能层上形成第二电极层。
进一步地，所述还原性气体选自CO、NO、H2、H2S、乙烯和乙炔中的一种或几种组合。
进一步地，在形成所述量子点发光层的过程中，使用还原性气体催化剂加速该过程；所述还原性气体催化剂选自Cu、Pt和Au中的一种或几种组合。
进一步地，所述在所述量子点发光层上形成电子功能层，包括：在紫外光照射下在所述量子点发光层上形成电子功能层。
进一步地，在所述在还原性气体氛围下在所述第一电极层上形成量子点发光层的步骤之前，还包括：在所述第一电极层上形成空穴功能层，所述空穴功能层位于所述第一电极层与所述量子点发光层之间。
进一步地，所述在所述第一电极层上形成空穴功能层的步骤包括：
在所述第一电极层上形成空穴注入层；或在所述第一电极层上形成空穴传输层；或在所述第一电极层上依次形成空穴注入层、空穴传输层。
进一步地，所述空穴注入层的材料包括PEDOT:PSS、MCC、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种；和/或
所述空穴传输层的材料包括PVK、Poly-TPD、CBP、TCTA和TFB中的一种或多种。
进一步地，所述第一电极层的材料选自铟锡氧化物、氟掺氧化锡、铟锌氧化物、石墨烯和纳米碳管中的一种或多种；和/或所述第二电极层的材料选自Al和Ag中的一种或多种。
进一步地，所述电子功能层的材料中包括金属氧化物。
进一步地，所述金属氧化物选自ZnO、SnO2、ITO、Fe2O3、CrO3、TiO2、WO3、CdO、CuO和MoO2中的一种或几种组合。
进一步地，所述量子点发光层的材料选自CdS、CdSe、CdTe、CdZnS、CdZnSe、CdSeS、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnCdSe、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、CuInS和CuInSe中的一种或几种组合。
进一步地，从形成所述量子点发光层的步骤至形成所述第二电极层的步骤，整个过程中均处于所述还原性气体氛围下。
相应的，本申请还提供一种显示基板，包括如上所述的QLED器件的制备方法制得的QLED器件。
此外，本申请还提供一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
本申请的有益效果在于：
本申请的QLED器件，通过在量子点发光层形成阶段持续通入还原性气体以与环境中的氧气进行反应，从而避免在量子点发光层的形成过程中量子点发光层与环境中的氧气发生界面反应，进而提高器件发光效率或寿命。本申请所制备的QLED器件，其器件性能更符合商业应用标准，使量子点电致发光技术应用与显示行业的目标更进一步。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是量子点的表面灰层积累而产生局部区域无法点亮的示意图；
图2是本申请提供的气体流量装置设于旋涂仪内的示意图；
图3是本申请提供的电子传输层在紫外光照条件下的电阻的变化曲线图；
图4是本申请提供的QLED器件的结构示意图。
附图标记说明：100、QLED器件；101、基板；110、阳极层；120、空穴注入层；130、空穴传输层；140、量子点发光层；150、电子传输层；160、阴极层。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种QLED器件的制备方法及QLED器件。以下分别进行详细说明。
发明人在实验中发现：随着环境中氧含量的升高，器件发光效率与寿命会逐渐降低，从而导致器件发光效率减低或寿命减短。
在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的发明人还发现，在顶发射器件制备过程中，在量子点发光层(QD层)引入还原性气体催化，能很好的解决因为量子点发光层与O2的界面反应导致发光效率低、寿命差的问题。
本申请实施例提供一种QLED器件的制备方法，包括如下步骤：
提供基板；
在所述基板上形成第一电极层；
在还原性气体氛围下在所述第一电极层上形成量子点发光层；
在所述量子点发光层上形成电子功能层；
在所述电子功能层上形成第二电极层。
在一实施例中，所述还原性气体可以选自CO、NO、H2、H2S、乙烯和乙炔中的一种或几种组合。在一实施例中，在形成所述量子点发光层的过程中，使用还原性气体催化剂加速该过程；所述还原性气体催化剂选自Cu、Pt和Au中的一种或几种组合。
发明人在实验中还发现：电子传输层(ETL层)较高的电阻不利于电子传输，导致空穴-电子注入平衡，最终也会导致器件发光效率降低或寿命减短。
在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的发明人还发现，在顶发射器件制备过程中，在金属氧化物层使用紫外光(UV)照射，能很好的改善电子传输层(ETL层)因电阻高而产生的电子传输性能弱的缺点。
在一实施例中，所述在所述量子点发光层上形成电子功能层，包括：在紫外光照射下在所述量子点发光层上形成电子功能层。
在一实施例中，在所述在还原性气体氛围下在所述第一电极层上形成量子点发光层的步骤之前，还包括：在所述第一电极层上形成空穴功能层，所述空穴功能层位于所述第一电极层与所述量子点发光层之间。
在一实施例中，所述在所述第一电极层上形成空穴功能层的步骤包括：
在所述第一电极层上形成空穴注入层；或在所述第一电极层上形成空穴传输层；或在所述第一电极层上依次形成空穴注入层、空穴传输层。
在一实施例中，所述空穴注入层的材料包括PEDOT:PSS、MCC、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种；和/或所述空穴传输层的材料包括PVK、Poly-TPD、CBP、TCTA和TFB中的一种或多种。
所述第一电极层的材料选自铟锡氧化物、氟掺氧化锡、铟锌氧化物、石墨烯和纳米碳管中的一种或多种；和/或所述第二电极层的材料选自Al和Ag中的一种或多种。所述电子功能层的材料中包括金属氧化物。进一步地，所述金属氧化物选自但不限于ZnO、SnO2、ITO、Fe2O3、CrO3、TiO2、WO3、CdO、CuO和MoO2中的一种或几种组合。例如，在一实施例中，所述电子传输层的材料包括所述金属氧化物，所述电子传输层的材料选自但不限于ZnO、SnO2、ITO、Fe2O3、CrO3、TiO2、WO3、CdO、CuO和MoO2中的一种或几种组合。
本申请通过在量子点发光层形成时持续通入还原性气体催化剂，以除去环境中的氧气，减弱甚至断绝氧气对量子点发光层的负面影响，进而增大器件发光效率与寿命；在电子功能层中的形成时引入紫外光(UV)照射，降低金属氧化物的电阻，进而可以增大电子传输效率，保证空穴-电子注入平衡，最终增大器件发光效率与寿命。
本申请实施例中，所述量子点发光层用量子点可以是合金量子点，也可以是核壳量子点。进一步地，所述量子点发光层的材料选自CdS、CdSe、CdTe、CdZnS、CdZnSe、CdSeS、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnCdSe、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、CuInS和CuInSe中的一种或几种组合。所述核壳量子点选自但不限于：II-IV族化合物(例如CdS、CdSe)和III-V(例如InP、InAs)族化合物。
本申请实施例中，所述第一电极层可以为阳极层，例如，所述第一电极层的材料选自铟锡氧化物(如ITO)、氟掺氧化锡、铟锌氧化物、石墨烯和纳米碳管中的一种或多种。所述第二电极层为阴极层，例如，所述第二电极层的材料选自Al和Ag中的一种或多种。
在一实施例中，所述QLED器件的制备方法，包括如下步骤：
提供一基板，在所述基板上形成一第一电极层；
在所述第一电极层上形成空穴功能层；
在所述空穴功能层上形成量子点发光层；其中，在所述量子点发光层的形成过程中，持续不断通入还原性气体以进行除氧处理；
在所述量子点发光层上形成电子功能层；其中，所述电子传输层经过紫外光(UV)照射；
在所述电子功能层上形成第二电极层；
封装。
在另一实施例中，所述QLED器件的制备方法，包括如下步骤：
提供一基板，在所述基板上形成一第一电极层；
在所述第一电极层上形成一空穴注入层；
在所述空穴注入层上形成一空穴传输层；
在所述空穴传输层上形成量子点发光层；其中，在所述量子点发光层的形成过程中，持续不断通入还原性气体以进行除氧处理；
在所述量子点发光层上形成电子传输层；其中，所述电子传输层经过紫外光(UV)照射；进一步地，所述电子传输层的材料选自ZnO、SnO2、ITO、Fe2O3、CrO3、TiO2、WO3、CdO、CuO和MoO2中的一种或几种组合；
在所述电子传输层上形成第二电极层；
封装；并且在所述QLED器件的制备方法中，在制备量子点发光层时通入所述还原性气体，直至封装结束后，关闭所述还原性气体的通入。
可见，从形成所述量子点发光层的步骤至形成所述第二电极层的步骤，整个过程中均处于所述还原性气体氛围下。
在一优选实施例中，QLED器件的制备方法，包括如下步骤：
首先，在基板上依次层叠制备阳极层、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)。所述阳极层的材料可以采用本领域常规材料；所述空穴注入层(HIL)的材料可以采用本领域常规材料；所述空穴传输层(HTL)的材料可以采用本领域常规材料。
接着，在所述空穴传输层上制备量子点发光层，在制备量子点发光层时，持续不断通入还原性气体催化剂进行除氧处理；因为在蓝光(450nm)照射下，旋涂QD层时会与环境中氧气发生界面反应，生成硫酸盐、氢氧化物、氧化物，进而破坏QD层原本的结构，最终降低器件发光效率与寿命。因此，本申请在制备量子点发光层的过程中持续不断通入还原性气体，能有效反应掉环境中氧气。值得注意的是，在实际制备过程中，由于手套箱体积过大，并且随着使用时长灰层积累，若在整个手套箱内通入还原性气体，则需大量气源并且会造成量子点表面灰层积累，量子点表面会出现大量脏污，最终无法点亮，发光效率可能为0，如附图1所示，图1中量子点表面出现无法点亮的区域，即发光效率为0。因此，可以仅将还原性气体通向QLED器件的表面区域，也就是制备膜层的区域，例如，可以将气体流量装置应装在旋涂仪内，只在旋涂仪内进行还原性气体的流通，如附图2所示。进一步地，在通入还原性气体的同时，还可以在环境中使用还原性气体催化剂，例如Cu、Pt、Au等贵金属，用以增强所述还原性气体的出样效果；具体地，可以在所述还原性气体的通入口使用还原性气体催化剂。
然后，在量子点发光层上继续制备电子传输层(ETL)，在制备电子传输层过程中，全程持续使用紫外光(UV照射)，这是因为ETL层材料一般为金属氧化物半导体材料，对紫外有极强的吸收率，吸收紫外光照后，材料会发生变化：UV光照还能促使价带中被束缚的电子受光能激发跃迁至导带，形成自由移动的电子，即导带中载流子数增大，材料导电率增大，电阻率降低，而且阻值并不会随着光照消失而再次增大，增大部分是因为氧气再次吸附导致，所以需等待器件封装完成后断开光照，如附图3。相反地，当无紫外光照时，材料表面吸附有氧气，氧气夺取材料表面电子，使材料表面形成电子耗尽层，导致晶界势垒升高，电子难以通过，载流子迁移率降低，电阻增大，此时通过紫外照射，促使吸附的氧气发生脱附，晶界势垒降低，载流子迁移率增大，材料电阻降低。
最后，在所述电子传输层上制备阴极，然后封装。
在上述QLED器件的制备方法中，还原性气体一直持续到封装结束后关闭。所述还原性气体可以为CO、NO、H2、H2S、乙烯、乙炔以及它们的混合气体。所述电子传输层(ETL)材料可以为ZnO、SnO2、ITO(氧化铟锡)、Fe2O3、CrO3、TiO2、WO3、CdO、CuO、MoO2等半导体材料。
本申请实施例还提供一种QLED器件，通过上述的QLED器件的制备方法制备得到。
在一实施例中，请参阅图4，所述QLED器件100包括依次层叠设置于基板101上的阳极层110、空穴注入层120、空穴传输层130、量子点发光层140、电子传输层150、阴极层160。具体地，所述阳极层110设置于所述基板101的一侧；所述空穴注入层120设置于所述阳极层110背离所述基板101的一侧；所述空穴传输层130设置于所述空穴注入层120背离所述阳极层110的一侧；所述量子点发光层140设置于所述空穴传输层130背离所述空穴注入层120的一侧；所述电子传输层150设置于所述量子点发光层140背离所述空穴传输层130的一侧；所述阴极层160设置于所述电子传输层150背离所述量子点发光层140的一侧。进一步地，所述QLED器件还包括封装层，位于所述阴极层160背离所述电子传输层150的一侧。
本申请还提供一种显示基板，包括上述制备得到的QLED器件。
本申请还提供一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
本申请先后进行过多次试验，现举一部分试验结果作为参考对发明进行进一步详细描述，下面结合具体实施例进行详细说明。
下列实施例以顶发射量子点器件为实验对象进行实施。
实施例1
本实施例提供一种QLED器件的制备方法，包括如下步骤：
在基板上依次层叠制备阳极、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)；
在所述空穴传输层上制备量子点发光层，在制备量子点发光层时，持续不断通入还原性气体进行除氧处理，因为在蓝光(450nm)照射下，旋涂QD层时会与环境中氧气发生界面反应，生成硫酸盐、氢氧化物、氧化物，破坏QD层原本的结构，最终降低器件发光效率与寿命，因此，在旋涂过程中持续不断通入还原性气体，能有效反应掉环境中氧气；例如将气体流量装置装在旋涂仪上，使得只在旋涂仪内进行还原性气体的流通；使用还原性气体催化剂，例如Cu、Pt、Au等贵金属，用以增强所述还原性气体的出样效果；
在基板上制备电子传输层(ETL)，在制备电子传输层过程中，全程持续使用紫外光(UV照射)，这是因为ETL层材料一般为金属氧化物半导体材料，对紫外有极强的吸收率，吸收紫外光照后，材料会发生两种变化：1.无紫外光照时，材料表面吸附有氧气，氧气夺取材料表面电子，使材料表面形成电子耗尽层，导致晶界势垒升高，电子难以通过，载流子迁移率降低，电阻增大，此时通过紫外照射，促使吸附的氧气发生脱附，晶界势垒降低，载流子迁移率增大，材料电阻降低；2.UV光照还能促使价带中被束缚的电子受光能激发跃迁至导带，形成自由移动的电子，即导带中载流子数增大，材料导电率增大，电阻率降低，而且阻值并不会随着光照消失而再次增大，增大部分是因为氧气再次吸附导致，所以需等待器件封装完成后断开光照，如附图3。
在基板上制备阴极，然后封装。还原性气体一直持续到封装结束后关闭。所述还原性气体可以为CO、NO、H2、H2S、乙烯、乙炔以及它们的混合气体。所述电子传输层(ETL)材料可以为ZnO、SnO2、ITO(氧化铟锡)、Fe2O3、CrO3、TiO2、WO3、CdO、CuO、MoO2等半导体材料。
实施例2
本实施例提供一种QLED器件，通过实施例1的QLED器件的制备方法制得，其中采用CO还原性气体进行除氧处理；请参阅图4，所述QLED器件100包括依次层叠设置于基板101上的阳极层110、空穴注入层120、空穴传输层130、量子点发光层140、电子传输层150、阴极层160。具体地，所述QLED器件的结构为：ITO/MCC/TFB/QDs(CO还原催化)/ZnO(UV)/Ag；其中电极通过蒸镀法制备；MCC、TFB、ODs、ZnO通过旋涂法制备。
实施例3
本实施例提供一种QLED器件，通过实施例1的QLED器件的制备方法制得，其中采用H2还原性气体进行除氧处理；请参阅图4，所述QLED器件100包括依次层叠设置于基板101上的阳极层110、空穴注入层120、空穴传输层130、量子点发光层140、电子传输层150、阴极层160。具体地，所述QLED器件结构为：ITO/MCC/TFB/QDs(H2还原催化)/ZnO(UV)/Ag。其中电极通过蒸镀法制备；MCC、TFB、ODs、ZnO通过旋涂法制备。
实施例4
本实施例提供一种QLED器件，通过实施例1的QLED器件的制备方法制得，其中采用乙烯还原性气体进行除氧处理；请参阅图4，所述QLED器件100包括依次层叠设置于基板101上的阳极层110、空穴注入层120、空穴传输层130、量子点发光层140、电子传输层150、阴极层160。具体地，所述QLED器件结构为：ITO/MCC/TFB/QDs(乙烯还原催化)/ZnO(UV)/Ag；其中电极通过蒸镀法制备；MCC、TFB、ODs、ZnO通过旋涂法制备。
对比例1
对比例1提供一种QLED器件，既无还原性气体催化剂也无紫外光照处理的QLED器件。所述QLED器件包括依次层叠设置于基板上的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、阴极层。具体地，该QLED器件结构为：ITO/MCC/TFB/QDs/ZnO/Ag。其中电极通过蒸镀法制备，MCC、TFB、ODs、ZnO通过旋涂法制备。
对比例2
对比例2提供一种QLED器件，其QLED器件制备方法同实施例1相比，无还原性气体但有紫外光照处理。所述QLED器件包括依次层叠设置于基板上的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、阴极层。具体地，所述QLED器件结构为：ITO/MCC/TFB/QDs/ZnO(UV)/Ag；其中电极通过蒸镀法制备，MCC、TFB、ODs、ZnO通过旋涂法制备。
对比例3
对比例3提供一种QLED器件，其QLED器件制备方法同实施例1相比，有还原性气体催化剂但无紫外光照处理。所述QLED器件包括依次层叠设置于基板上的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、阴极层。具体地，所述QLED器件结构为：ITO/MCC/TFB/QDs(CO还原催化)/ZnO/Ag；其中电极通过蒸镀法制备，MCC、TFB、ODs、ZnO通过旋涂法制备。
试验例1量子点发光二极管相关光电性能测试
分别测试实施例2、实施例3、实施例4以及对比例1、对比例2、对比例3制备的QLED器件在2mA电流下的CE@max、CE@1knit、T95@1knit，结果分别如表1所示。
表1
Figure BDA0003312995560000111
从表1中可以看出，分别引入还原性气体催化剂以及紫外光照处理都会增大器件的寿命T95@1knit以及在低亮度下的发光效率CE@1knit，当同时引入还原性气体催化剂和紫外光照处理后，器件寿命及低亮度下的发光效率进一步增大，并且不同种类气体中H2还原性气体催化剂效果最佳；说明引起还原性气体催化剂和紫外光照处理能减弱甚至隔绝旋涂环境中氧气与QD层的界面反应以及降低ETL层电阻，达到增加器件发光效率和寿命的目的。
本申请提供一种优化QLED器件的方法，主要针对QD层和TEL层，在QD层旋涂阶段进行还原性气体催化脱氧剂脱氧处理；在ETL层旋涂阶段，引入持续的紫外光(UV)照射。本申请得到的QLED器件可以减弱氧气对于QD层的不利影响以及ETL层电阻高电子传输效率低的缺点。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的QLED器件的制备方法及QLED器件进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (14)

1.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基板；
在所述基板上形成第一电极层；
在还原性气体氛围下在所述第一电极层上形成量子点发光层；
在所述量子点发光层上形成电子功能层；
在所述电子功能层上形成第二电极层。
2.根据权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述还原性气体选自CO、NO、H2、H2S、乙烯和乙炔中的一种或几种组合。
3.根据权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，在形成所述量子点发光层的过程中，使用还原性气体催化剂加速该过程；所述还原性气体催化剂选自Cu、Pt和Au中的一种或几种组合。
4.根据权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述在所述量子点发光层上形成电子功能层，包括：在紫外光照射下在所述量子点发光层上形成电子功能层。
5.根据权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，在所述在还原性气体氛围下在所述第一电极层上形成量子点发光层的步骤之前，还包括：在所述第一电极层上形成空穴功能层，所述空穴功能层位于所述第一电极层与所述量子点发光层之间。
6.根据权利要求5所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述在所述第一电极层上形成空穴功能层的步骤包括：
在所述第一电极层上形成空穴注入层；或在所述第一电极层上形成空穴传输层；或在所述第一电极层上依次形成空穴注入层、空穴传输层。
7.根据权利要求6所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层的材料包括PEDOT:PSS、MCC、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种；和/或
所述空穴传输层的材料包括PVK、Poly-TPD、CBP、TCTA和TFB中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述第一电极层的材料选自铟锡氧化物、氟掺氧化锡、铟锌氧化物、石墨烯和纳米碳管中的一种或多种；和/或
所述第二电极层的材料选自Al和Ag中的一种或多种。
9.根据权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述电子功能层的材料中包括金属氧化物。
10.根据权利要求9所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物选自ZnO、SnO2、ITO、Fe2O3、CrO3、TiO2、WO3、CdO、CuO和MoO2中的一种或几种组合。
11.根据权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述量子点发光层的材料选自CdS、CdSe、CdTe、CdZnS、CdZnSe、CdSeS、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnCdSe、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、CuInS和CuInSe中的一种或几种组合。
12.根据权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，从形成所述量子点发光层的步骤至形成所述第二电极层的步骤，整个过程中均处于所述还原性气体氛围下。
13.一种显示基板，包括如权利要求1～12任一项所述的QLED器件的制备方法制得的QLED器件。
14.一种显示装置，包括如权利要求13所述的显示基板。
CN202111222067.6A 2021-10-20 2021-10-20 Qled器件的制备方法及显示基板、显示装置 Pending CN116018033A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111222067.6A CN116018033A (zh) 2021-10-20 2021-10-20 Qled器件的制备方法及显示基板、显示装置
PCT/CN2022/117331 WO2023065864A1 (zh) 2021-10-20 2022-09-06 Qled器件的制备方法及显示基板、显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111222067.6A CN116018033A (zh) 2021-10-20 2021-10-20 Qled器件的制备方法及显示基板、显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116018033A true CN116018033A (zh) 2023-04-25

Family

ID=86030368

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111222067.6A Pending CN116018033A (zh) 2021-10-20 2021-10-20 Qled器件的制备方法及显示基板、显示装置

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN116018033A (zh)
WO (1) WO2023065864A1 (zh)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016204059A1 (ja) * 2015-06-15 2016-12-22 住友化学株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
CN111384270B (zh) * 2018-12-29 2021-07-30 Tcl科技集团股份有限公司 量子点发光二极管的制备方法
US10985336B1 (en) * 2020-01-06 2021-04-20 Sharp Kabushiki Kaisha Oxygen scavenging nanoparticles for air-processed quantum dot light emitting diodes
CN113066950A (zh) * 2021-03-23 2021-07-02 北海惠科光电技术有限公司 量子点层及其制备方法和电致发光二极管

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023065864A1 (zh) 2023-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Acharya et al. High efficiency quantum dot light emitting diodes from positive aging
US11870004B2 (en) Metal oxide nanoparticles surface-treated with metal ion, quantum dot-light-emitting device comprising the same and method for fabricating the same
US8729528B2 (en) Quantum dot-fullerene junction optoelectronic devices
KR101916904B1 (ko) 그래핀 양자점 중간층을 포함하는 전자 소자 및 그의 제조방법
US11302883B2 (en) Multiple-layer quantum-dot LED and method of fabricating same
KR20120038472A (ko) 안정적이고 모든 용액에 처리 가능한 양자점 발광 다이오드
WO2019165716A1 (zh) 发光器件及其制备方法、显示装置
WO2020134147A1 (zh) 一种量子点发光二极管
WO2020134161A1 (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
WO2020134163A1 (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
US20220238830A1 (en) Light-emitting element and light-emitting device
CN209912898U (zh) 量子点发光二极管
CN116018033A (zh) Qled器件的制备方法及显示基板、显示装置
CN111384263B (zh) 量子点发光二极管及其制备方法
US20220344550A1 (en) Light-emitting element, light-emitting device
CN113130778A (zh) 量子点发光二极管及其制备方法
US20220328780A1 (en) Electronic device and manufacturing method thereof
CN112582566B (zh) 一种封装结构及其制备方法与光电装置
US20230380202A1 (en) Light-emitting device
CN116017997A (zh) 发光器件及其制备方法
WO2020208774A1 (ja) 発光素子および表示装置
CN115867094A (zh) 光电器件及其制备方法、碳包覆氧化亚铜颗粒的制备方法
CN117042567A (zh) 电致发光二极管及其制备方法、显示设备
CN115835676A (zh) 一种电致发光器件及其制备方法
CN116981279A (zh) 一种空穴传输薄膜、电致发光器件及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication