CN115987083A - 降低电磁辐射的控制电路及其控制方法、及隔离电源系统 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种降低电磁辐射的控制电路及其控制方法、及隔离电源系统，降低电磁辐射的控制电路包括逆变电路、第一自适应控制电路、第一振荡电路和第一驱动电路；逆变电路用于输出第一电压信号和第二电压信号；第一振荡电路用于生成第一振荡信号；第一自适应控制电路的第一采样端接入第一电压信号，第一自适应控制电路的第二采样端接入第二电压信号，第一自适应控制电路的输入端与第一振荡电路的输出端电连接，第一自适应控制电路的输出端与第一驱动电路的输入端电连接，第一驱动电路的输出端与逆变电路的控制端电连接。通过第一自适应控制电路调整逆变电路的输出，使得第一电压信号和第二电压信号的相位相同，降低共模电压大小，进而降低控制电路的电磁辐射。

Description

降低电磁辐射的控制电路及其控制方法、及隔离电源系统
技术领域
本发明涉及隔离电源技术领域，尤其涉及降低电磁辐射的控制电路及其控制方法、及隔离电源系统。
背景技术
隔离电源将系统的输入和输出分开，通过隔离栅而非电气连接传输功率和数据。这对于在恶劣的工业环境（如电动车辆、通信系统、医疗设备等）中保证系统安全和可靠性至关重要。
隔离电源包括逆变电路和变压器以将直流转换为交流再转换为直流，逆变电路一般为全桥电路，包括两对晶体管，通过两对晶体管的交替导通和关断进行逆变过程。隔离电源中的电磁辐射包括边缘辐射和偶极子辐射，边缘辐射由变压器初级侧和次级侧的电源和地之间的电流环路产生，可以通过退耦电容以及磁珠的方式来降低，而偶极子辐射是隔离电源难以消除的问题。
在全桥电路中，同一对晶体管因制造工艺的差别，开启或关断不对称，导致变压器的初级侧和次级侧之间的共模电压较大，共模电压通过变压器的初级侧和次级侧线圈之间的分布寄生电容而产生较大的共模电流，共模电流经逆变电路和变压器生成偶极子辐射。因此，逆变电路包括的一对晶体管的开启或关断的不对称（不同步）导致逆变电路的偶极子辐射较大，进而导致电磁辐射较大，极易对其他器件造成干扰。
发明内容
本发明提供了一种降低电磁辐射的控制电路及其控制方法、及隔离电源系统，以降低电路的共模电压，进而降低电路的电磁辐射。
根据本发明的一方面，提供了一种降低电磁辐射的控制电路，包括：逆变电路、第一自适应控制电路、第一振荡电路和第一驱动电路；
所述逆变电路的第一输出端用于输出第一电压信号，所述逆变电路的第二输出端用于输出第二电压信号；
所述第一振荡电路用于生成第一振荡信号；
所述第一自适应控制电路的第一采样端接入所述第一电压信号，所述第一自适应控制电路的第二采样端接入所述第二电压信号，所述第一自适应控制电路的输入端与所述第一振荡电路的输出端电连接，所述第一自适应控制电路的输出端与所述第一驱动电路的输入端电连接，所述第一自适应控制电路用于根据所述第一电压信号和所述第二电压信号的相位差，以及所述第一振荡信号生成第一相位控制信号；
所述第一驱动电路的输出端与所述逆变电路的控制端电连接，所述第一驱动电路用于根据所述第一相位控制信号调整所述逆变电路的输出，以使所述第一电压信号和所述第二电压信号的相位相同。
可选的，所述逆变电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，所述第一晶体管的第一极与直流电源电连接，所述第一晶体管的第二极与所述第二晶体管的第一极电连接，所述第一晶体管的第二极作为所述逆变电路的第一输出端，所述第二晶体管的第二极接地，所述第三晶体管的第一极与所述第一晶体管的第一极电连接，所述第三晶体管的第二极与所述第四晶体管的第一极电连接，所述第三晶体管的第二极作为所述逆变电路的第二输出端，所述第四晶体管的第二极接地；所述逆变电路的控制端包括第一控制端、第二控制端、第三控制端和第四控制端，所述第一晶体管的栅极作为所述第一控制端，所述第二晶体管的栅极作为所述第二控制端，所述第三晶体管的栅极作为所述第三控制端，所述第四晶体管的栅极作为所述第四控制端；
所述第一驱动电路的输出端包括第一驱动输出端、第二驱动输出端、第三驱动输出端和第四驱动输出端，所述第一驱动输出端与所述逆变电路的第一控制端电连接，所述第二驱动输出端与所述逆变电路的第二控制端电连接，所述第三驱动输出端与所述逆变电路的第三控制端电连接，所述第四驱动输出端与所述逆变电路的第四控制端电连接。
可选的，所述第一相位控制信号包括第一控制信号和第二控制信号，所述第一自适应控制电路的输出端包括第一输出端和第二输出端，所述第一自适应控制电路的第一输出端用于输出所述第一控制信号，所述第一自适应控制电路的第二输出端用于输出所述第二控制信号；
所述第一驱动电路包括第一驱动模块和第二驱动模块，所述第一驱动模块的第一输出端作为所述第一驱动输出端，所述第一驱动模块的第二输出端作为所述第三驱动输出端，所述第二驱动模块的第一输出端作为所述第二驱动输出端，所述第二驱动模块的第二输出端作为所述第四驱动输出端；所述第一驱动模块的输入端用于接入所述第一控制信号，所述第二驱动模块的输入端用于接入所述第二控制信号。
可选的，所述第一自适应控制电路包括：鉴相器、电荷泵和压控延迟线，所述鉴相器的第一输入端用于接入所述第一电压信号，所述鉴相器的第二输入端用于接入所述第二电压信号，所述鉴相器用于根据所述第一电压信号和所述第二电压信号的相位差生成第一时序控制信号和第二时序控制信号；
所述电荷泵的第一输入端用于接入所述第一时序控制信号，所述电荷泵的第二输入端用于接入所述第二时序控制信号，所述电荷泵用于根据所述第一时序控制信号和所述第二时序控制信号生成压控控制电压；
所述压控延迟线的输入端与所述电荷泵的输出端电连接，所述压控延迟线的第一输出端作为所述第一自适应控制电路的第一输出端，所述压控延迟线的第二输出端作为所述第一自适应控制电路的第二输出端，所述压控延迟线用于根据所述压控控制电压和所述第一振荡信号生成所述第一相位控制信号。
可选的，所述第一自适应控制电路还包括：滤波电路，所述滤波电路的输入端与所述电荷泵的输出端电连接，所述滤波电路的输出端与所述压控延迟线的输入端电连接。
根据本发明的另一方面，提供了一种隔离电源系统，包括变压器、整流电路和上述所述的降低电磁辐射的控制电路，所述变压器的第一输入端用于接入所述第一电压信号，所述变压器的第二输入端用于接入所述第二电压信号，所述变压器的输出端与所述整流电路的输入端电连接，所述整流电路的输出端与负载电连接。
可选的，所述隔离电源系统，还包括反馈电路，所述反馈电路的输入端与所述整流电路的输出端电连接，所述反馈电路的输出端与所述第一振荡电路的输入端电连接，所述反馈电路用于根据所述整流电路的输出端输出的电压和期望电压控制第一振荡电路输出的第一振荡信号的频率，以使整流电路的输出端输出的电压和所述期望电压的差值小于阈值电压。
可选的，所述整流电路为全桥整流电路，所述隔离电源系统还包括第二自适应控制电路、第二驱动电路和第二振荡电路；
所述整流电路的第一输出端用于输出第三电压信号，所述整流电路的第二输出端用于输出第四电压信号；
所述第二振荡电路用于生成第二振荡信号；
所述第二自适应控制电路的第一采样端接入所述第三电压信号，所述第二自适应控制电路的第二采样端接入所述第四电压信号，所述第二自适应控制电路的输入端与所述第二振荡电路的输出端电连接，所述第二自适应控制电路的输出端与所述第二驱动电路的输入端电连接，所述第二自适应控制电路用于根据所述第三电压信号和所述第四电压信号的相位差，以及所述第二振荡信号生成第二相位控制信号；
所述第二驱动电路的输出端与所述整流电路的控制端电连接，所述第二驱动电路用于根据所述第二相位控制信号调整所述整流电路的输出，以使所述第三电压信号和所述第四电压信号的相位相同。
根据本发明的另一方面，提供了一种降低电磁辐射的控制电路的控制方法，所述降低电磁辐射的控制电路包括：逆变电路、第一自适应控制电路、第一振荡电路和第一驱动电路；所述逆变电路的第一输出端用于输出第一电压信号，所述逆变电路的第二输出端用于输出第二电压信号；所述第一振荡电路用于生成第一振荡信号；所述第一自适应控制电路的第一采样端接入所述第一电压信号，所述第一自适应控制电路的第二采样端接入所述第二电压信号，所述第一自适应控制电路的输入端与所述第一振荡电路的输出端电连接，所述第一自适应控制电路的输出端与所述第一驱动电路的输入端电连接，所述第一驱动电路的输出端与所述逆变电路的控制端电连接；
所述控制方法包括：
所述振荡电路生成第一振荡信号；
所述第一自适应控制电路根据所述第一电压信号和所述第二电压信号的相位差，以及所述第一振荡信号生成第一相位控制信号；
所述第一驱动电路根据所述第一相位控制信号调整所述逆变电路的输出，以使所述第一电压信号和所述第二电压信号的相位相同。
可选的，所述逆变电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，所述第一晶体管的第一极与直流电源电连接，所述第一晶体管的第二极与所述第二晶体管的第一极电连接，所述第一晶体管的第二极作为所述逆变电路的第一输出端，所述第二晶体管的第二极接地，所述第三晶体管的第一极与所述第一晶体管的第一极电连接，所述第三晶体管的第二极与所述第四晶体管的第一极电连接，所述第三晶体管的第二极作为所述逆变电路的第二输出端，所述第四晶体管的第二极接地；所述逆变电路的控制端包括第一控制端、第二控制端、第三控制端和第四控制端，所述第一晶体管的栅极作为所述第一控制端，所述第二晶体管的栅极作为所述第二控制端，所述第三晶体管的栅极作为所述第三控制端，所述第四晶体管的栅极作为所述第四控制端；所述第一驱动电路的输出端包括第一驱动输出端、第二驱动输出端、第三驱动输出端和第四驱动输出端，所述第一驱动输出端与所述逆变电路的第一控制端电连接，所述第二驱动输出端与所述逆变电路的第二控制端电连接，所述第三驱动输出端与所述逆变电路的第三控制端电连接，所述第四驱动输出端与所述逆变电路的第四控制端电连接；
所述第一驱动电路根据所述第一相位控制信号调整所述逆变电路的输出，以使所述第一电压信号和所述第二电压信号的相位相同，包括：
在所述第二电压信号的相位超前所述第一电压信号电压的相位时，根据所述第一相位控制信号，控制所述逆变电路的第四控制端接收到有效信号的时间延长，或者，控制所述逆变电路的第一控制端接收到有效信号的时间提前，以使所述逆变电路的第四控制端晚于所述逆变电路的第一控制端接收到所述有效信号。
本发明实施例提供的降低电磁辐射的控制电路包括逆变电路、第一自适应控制电路、第一振荡电路和第一驱动电路；逆变电路用于输出第一电压信号和第二电压信号；第一振荡电路用于生成第一振荡信号；第一自适应控制电路的第一采样端接入第一电压信号，第一自适应控制电路的第二采样端接入第二电压信号，第一自适应控制电路的输入端与第一振荡电路的输出端电连接，第一自适应控制电路的输出端与第一驱动电路的输入端电连接，第一驱动电路的输出端与逆变电路的控制端电连接。第一电压信号和第二电压信号的相位差越大，逆变电路的共模电压也较大，导致电磁辐射较大。第一自适应控制电路根据第一电压信号和第二电压信号的相位差，生成第一相位控制信号以使第一驱动电路根据第一相位控制信号调整逆变电路的输出，最终使得第一电压信号和第二电压信号的相位相同。通过第一自适应控制电路来调整逆变电路的输出，使得第一电压信号和第二电压信号的相位相同，降低共模电压的大小，进而降低控制电路的电磁辐射。
应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种降低电磁辐射的控制电路的结构示意图；
图2是是本发明实施例提供的另一种降低电磁辐射的控制电路的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种鉴相器的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的一种电荷泵的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种逆变电路的工作波形图；
图6是本发明实施例提供的一种隔离电源系统的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的另一种隔离电源系统的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的一种降低电磁辐射的控制电路的控制方法的流程图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
图1为本发明实施例提供的一种降低电磁辐射的控制电路的结构示意图，参考图1，该降低电磁辐射的控制电路包括逆变电路10、第一自适应控制电路20、第一振荡电路30和第一驱动电路40；
逆变电路10的第一输出端VPP用于输出第一电压信号U1，逆变电路10的第二输出端VPN用于输出第二电压信号U2；
第一振荡电路30用于生成第一振荡信号；
第一自适应控制电路20的第一采样端接入第一电压信号U1，第一自适应控制电路20的第二采样端接入第二电压信号U2，第一自适应控制电路20的输入端与第一振荡电路30的输出端电连接，第一自适应控制电路20的输出端与第一驱动电路40的输入端电连接，第一自适应控制电路20用于根据第一电压信号U1和第二电压信号U2的相位差，以及第一振荡信号生成第一相位控制信号；
第一驱动电路40的输出端与逆变电路10的控制端电连接，第一驱动电路40用于根据第一相位控制信号调整逆变电路10的输出，以使第一电压信号U1和第二电压信号U2的相位相同。
示例性的，本实施例中逆变电路10可以为全桥电路，逆变电路10与直流电源VDD连接，将直流电源VDD提供的直流电压转换为交流电压经自身第一输出端VPP和第二输出端VPN输出。第一驱动电路40用于接收第一振荡信号，通过多级驱动后产生具有驱动能力的信号并传输至逆变电路10的控制端。
逆变电路10应用于隔离电源时，逆变电路10的第一输出端VPP和第二输出端VPN与变压器电连接。正常情况下，逆变电路10的第一输出端VPP和第二输出端VPN输出的电压的相位相同，即二者之间的相位差等于零，此时共模电压最小，等于Vd/2，其中Vd为直流电源VDD的电压值。因逆变电路10包括多个晶体管，且本应同时开启或者关闭的两个晶体管因制造工艺不同等因素导致晶体管不能同步开启或者关闭，导致逆变电路10的第一输出端VPP和第二输出端VPN输出的电压的相位相差较大，导致共模电压较大，进而导致电路产生的电磁辐射较大。本实施例提供的第一自适应控制电路20可以根据第一电压信号U1和第二电压信号U2的相位错位信息，即相位差生成第一相位控制信号。第一相位控制信号相当于对第一振荡信号加上延迟或超前时间生成的信号，其中延迟或超前时间的大小由第一电压信号U1和第二电压信号U2的相位差的大小决定。通过该反馈机制，第一电压信号U1和第二电压信号U2的相位差逐渐减小直至最终相同，进而将共模电压降至最低。值得注意的是，第一电压信号U1和第二电压信号U2的相位差小于设定阈值，即可认为第一电压信号U1和第二电压信号U2的相位差相同。
第一自适应控制电路根据第一电压信号和第二电压信号的相位差，生成第一相位控制信号以使第一驱动电路根据第一相位控制信号调整逆变电路的输出，最终使得第一电压信号和第二电压信号的相位相同。通过第一自适应控制电路来调整逆变电路的输出，使得第一电压信号和第二电压信号的相位相同，降低共模电压的大小，进而降低控制电路的电磁辐射。
继续参考图1，可选的，逆变电路10包括第一晶体管MP1、第二晶体管MN1、第三晶体管MP2和第四晶体管MN2，第一晶体管MP1的第一极与直流电源VDD电连接，第一晶体管MP1的第二极与第二晶体管MN1的第一极电连接，第一晶体管MP1的第二极作为逆变电路10的第一输出端VPP，第二晶体管MN1的第二极接地GND1，第三晶体管MP2的第一极与第一晶体管MP1的第一极电连接，第三晶体管MP2的第二极与第四晶体管MN2的第一极电连接，第三晶体管MP2的第二极作为逆变电路10的第二输出端VPN，第四晶体管MN2的第二极接地GND1；逆变电路10的控制端包括第一控制端G1、第二控制端G2、第三控制端G3和第四控制端G4，第一晶体管MP1的栅极作为第一控制端G1，第二晶体管MN1的栅极作为第二控制端G2，第三晶体管MP2的栅极作为第三控制端G3，第四晶体管MN2的栅极作为第四控制端G4；
第一驱动电路40的输出端包括第一驱动输出端、第二驱动输出端、第三驱动输出端和第四驱动输出端，第一驱动输出端与逆变电路10的第一控制端G1电连接，第二驱动输出端与逆变电路10的第二控制端G2电连接，第三驱动输出端与逆变电路10的第三控制端G3电连接，第四驱动输出端与逆变电路10的第四控制端G4电连接。
第一晶体管MP1、第二晶体管MN1、第三晶体管MP2和第四晶体管MN2可以为MOS管，也可以为三极管，本实施例对此不做具体限定。本实施例中示例性示出第一晶体管MP1和第三晶体管MP2均为PMOS管，第二晶体管MN1和第四晶体管MN2均为NMOS管。第一晶体管MP1和第四晶体管MN2可看成一对晶体管，第二晶体管MN1和第三晶体管MP2可看成一对晶体管。在逆变电路10工作时，控制两对晶体管交替导通，即需控制第一晶体管MP1和第四晶体管MN2同时开启或关闭，第二晶体管MN1和第三晶体管MP2同时开启或关闭。但是一对晶体管中两个晶体管因某一因素导致同时向控制端施加信号时，无法同步开启或关断，示例性的，第四晶体管MN2先于第一晶体管MP1关断，此时，输出的第二电压信号U2的相位超前第一电压信号U1的相位。第一自适应控制电路20根据第二电压信号U2和第一电压信号U1的相位差，生成第一相位控制信号，且经第一驱动电路40后，生成延时不同的一对信号输出至逆变电路10的第一控制端G1和第四控制端G4，示例性的，可以使得第四晶体管MN2接收到关断信号的时间晚于第一晶体管MP1接收到关断信号的时间，并通过多次调节最终使得第一晶体管MP1和第四晶体管MN2同步动作。值得注意的是，图1中暂未画出第一驱动电路40的四个输出端，在后续图2中示出。
本实施例中，示例性示出逆变电路包括四个晶体管，第一晶体管MP1的第二极作为逆变电路10的第一输出端VPP，用于输出第一电压信号U1，第三晶体管MP2的第二极作为逆变电路10的第二输出端VPN，用于输出第二电压信号U2。在其他实施例中，第一晶体管MP1的栅极可作为逆变电路10的第一输出端VPP，用于输出第一电压信号U1，第四晶体管MN2的栅极作为逆变电路10的第二输出端VPN，用于输出第二电压信号U2。或者，逆变电路10还包括第一电阻分压单元和第二电阻分压单元，第一电阻分压单元包括第一电阻和第二电阻，第二电阻分压单元包括第三电阻和第四电阻，第一晶体管MP1的第二极连接第一电阻的第一端，第一电阻的第二端与第二电阻的第一端电连接，第二电阻的第二端接地，第一电阻的第二端作为逆变电路10的第一输出端VPP，用于输出第一电压信号U1，同理，第三电阻的第一端与第三晶体管MP2的第二极电连接，第三电阻的第二端与第四电阻的第一端电连接，第四电阻的第二端接地，第三电阻的第二端作为逆变电路10的第二输出端VPN，用于输出第二电压信号U2，也即，逆变电路10输出的第一电压信号U1和第二电压信号U2为经电阻分压后的电压，电压值较小，避免因电压过大损坏第一自适应控制电路20中的器件。或者，逆变电路10还包括第一电容分压单元和第二电容分压单元，且第一电容分压单元的结构及连接关系与第一电阻分压单元的结构及连接关系类似，第二电容分压单元的结构及连接关系与第二电阻分压单元的结构及连接关系类似，区别在于第一电容分压单元和第二电容分压单元为电容分压。本实施例中仅示例性示出电阻分压或者电容分压的一种具体结构，在其他实施例中，电阻分压或电容分压还可以为其他分压结构，对此不做具体限定。
图2为本发明实施例提供的另一种降低电磁辐射的控制电路的结构示意图，参考图2，可选的，第一相位控制信号包括第一控制信号VA和第二控制信号VB，第一自适应控制电路20的输出端包括第一输出端和第二输出端，第一自适应控制电路20的第一输出端用于输出第一控制信号VA，第一自适应控制电路20的第二输出端用于输出第二控制信号VB；
第一驱动电路40包括第一驱动模块401和第二驱动模块402，第一驱动模块401的第一输出端作为第一驱动输出端H1，第一驱动模块401的第二输出端作为第三驱动输出端H3，第二驱动模块402的第一输出端作为第二驱动输出端H2，第二驱动模块402的第二输出端作为第四驱动输出端H4；第一驱动模块401的输入端用于接入第一控制信号VA，第二驱动模块402的输入端用于接入第二控制信号VB。
第一驱动模块401的第一输出端作为第一驱动输出端H1,与逆变电路10的第一控制端G1连接，用于控制第一晶体管MP1的导通和关断。第一驱动模块401的第二输出端作为第三驱动输出端H3，与逆变电路10的第三控制端G3电连接，用于控制第三晶体管MP2的导通和关断。第二驱动模块402的第一输出端作为第二驱动输出端H2，与逆变电路10的第二控制端G2电连接，用于控制第二晶体管MN1的导通和关断。第二驱动模块402的第二输出端作为第四驱动输出端H4，与逆变电路10的第四控制端G4电连接，用于控制第四晶体管MN2的导通和关断。
第一自适应控制电路20根据第一电压信号U1和第二电压信号U2的相位错位信息对输入的第一振荡信号处理生成并输出一对具有延时差的第一控制信号VA和第二控制信号VB。第一控制信号VA和第二控制信号VB分别输入至第一驱动电路40的第一驱动模块401和第二驱动模块402中，生成四个功率级驱动信号，并分别经四个驱动输出端输出至对应的晶体管的栅极，实现调节开关管的开启或关断顺序。其中，第一驱动输出端H1和第三驱动输出端H3输出的信号的相位相反，第二驱动输出端H2和第四驱动输出端H4输出的信号的相位相反。本实施例中示例性示出，第一驱动输出端H1连接的晶体管和第三驱动输出端H3连接的晶体管均为P型晶体管，第二驱动输出端H2连接的晶体管和第四驱动输出端H4连接的晶体管均为N型晶体管。
本实施例中，以第一晶体管MP1和第三晶体管MP2均为PMOS管，第二晶体管MN1和第四晶体管MN2均为NMOS管为例，在其他实施例中，可以设置第一晶体管MP1和第三晶体管MP2为N型晶体管，第二晶体管MN1和第四晶体管MN2为P型晶体管，或者第一晶体管MP1、第二晶体管MN1、第三晶体管MP2和第四晶体管MN2的类型均相同，本实施例对此不做具体限定。
继续参考图2，可选的，第一自适应控制电路包括：鉴相器201、电荷泵202和压控延迟线203，鉴相器201的第一输入端用于接入第一电压信号U1，鉴相器201的第二输入端用于接入第二电压信号U2，鉴相器201用于根据第一电压信号U1和第二电压信号U2的相位差生成第一时序控制信号Vp和第二时序控制信号Vn；
电荷泵202的第一输入端用于接入第一时序控制信号Vp，电荷泵202的第二输入端用于接入第二时序控制信号Vn，电荷泵202用于根据第一时序控制信号Vp和第二时序控制信号Vn生成压控控制电压；
压控延迟线203的输入端与电荷泵202的输出端电连接，压控延迟线203的第一输出端作为第一自适应控制电路20的第一输出端，压控延迟线203的第二输出端作为第一自适应控制电路20的第二输出端，压控延迟线203用于根据压控控制电压和第一振荡信号生成第一相位控制信号。
鉴相器201用于将第一电压信号U1和第二电压信号U2的相位差信息转换为电压信号即第一时序控制信号Vp和第二时序控制信号Vn。电荷泵通过第一时序控制信号Vp和第二时序控制信号Vn控制输入至压控延迟线203中的压控控制电压的大小，压控延迟线203用于根据压控控制电压的大小对输入的第一振荡信号处理后输出一对具有延时差的信号即第一控制信号VA和第二控制信号VB，其中，第一控制信号VA和第二控制信号VB中延时差的大小由压控控制电压的大小决定。值得注意的是，压控延迟线203的第一输出端作为第一自适应控制电路20的第一输出端，用于输出第一控制信号VA，压控延迟线203的第二输出端作为第一自适应控制电路20的第二输出端，用于输出第二控制信号VB。
继续参考图2，可选的，第一自适应控制电路20还包括：滤波电路204，滤波电路204的输入端与电荷泵202的输出端电连接，滤波电路204的输出端与压控延迟线203的输入端电连接。滤波电路204用于对电荷泵202输出的信号进行滤波，提高信号传输的可靠性。
作为一种可选的实施例，本实施例提供了一种鉴相器和电荷泵的具体结构，图3为本发明实施例提供的一种鉴相器的结构示意图，图4为本发明实施例提供的一种电荷泵的结构示意图，参考图2、图3和图4，可选的，鉴相器包括第一触发器2011、第二触发器2012和与非门2013，第一触发器2011和第二触发器2012的结构相同，第一触发器2011的输入端D1和第二触发器2012的输入端D2均与直流电源VDD电连接，第一触发器2011的时钟端CLK1作为鉴相器的第一输入端接入第一电压信号U1,第二触发器2012的时钟端CLK2作为鉴相器的第二输入端接入第二电压信号U2。第一触发器2011的输出端Q1用于输出第一时序控制信号Vp，第二触发器2012的输出端Q2用于输出第二时序控制信号Vn，同时第一触发器2011的输出端Q1和第二触发器2012的输出端Q2共同作为与非门2013的两个输入端，与非门2013的输出端分别连接第一触发器2011的复位端和第二触发器2012的复位端。电荷泵包括第一电源2021、第一开关2022、第二开关2023和第二电源2024，且第一电源2021、第一开关2022、第二开关2023和第二电源2024依次串联连接于直流电源VDD和地GND1之间。第一开关2022的控制端接入第一时序控制信号Vp，第二开关2023的控制端接入第二时序控制信号Vn。可选的，电荷泵还包括存储电容，存储电容的第一端与第一开关2022和第二开关2023的公共端L1电连接，存储电容的第二端接地GND1。第一开关2022和第二开关2023的公共端L1作为电荷泵的输出端，与滤波电路204连接。其中，滤波电路204包括电容。
当差分信号即第一电压信号U1和第二电压信号U2先后到来时，第一触发器2011和第二触发器2012的输出将先后被置为为高电平，当同时为高电平后（对应一对晶体管均导通或关断时）将通过与非门2013的输出产生复位信号分别输入至第一触发器2011和第二触发器2012，以对第一触发器2011的输出端Q1输出的信号和第二触发器2012的输出端Q2输出的信号置0。通过上述过程，鉴相器201根据第一电压信号U1和第二电压信号U2生成并输出一对脉宽不同的脉冲信号，也即第一时序控制信号Vp和第二时序控制信号Vn，进而鉴相器完成对输入的第一电压信号U1和第二电压信号U2的相位比较。当第一时序控制信号Vp或第二时序控制信号Vn为高电平时，对应控制第一开关2022或第二开关2023闭合，实现对存储电容上电容的充电和放电操作，进而改变电容上的电压也即压控控制电压的大小。
本实施例示例性示出第一自适应控制电路20调节第一电压信号U1和第二电压信号U2的相位过程，且以第四晶体管MN2的响应快于第一晶体管MP1、第二晶体管MN1的响应快于第三晶体管MP2为例，图5为本发明实施例提供的一种逆变电路的工作波形图，参考图2和图5，逆变电路的调节过程包括四个阶段：
第一时间段t1：第四晶体管MN2先于第一晶体管MP1关闭，第四晶体管MN2的阻抗增大更快，共模电压VPRI-CM低于Vd/2并出现较大幅度的变化，随后第二晶体管MN1先于第三晶体管MP2开启，第二晶体管MN1的阻抗减小更快，共模电压VPRI-CM高于Vd/2并出现较大幅度的变化。这段时间内鉴相器201采样到第一电压信号U1和第二电压信号U2的相位错位信息，输出具有相位差的第一时序控制信号Vp和第二时序控制信号Vn，使得电荷泵202进行充电操作，压控控制电压VFB增大，压控延时线203产生延时并对第一振荡信号进行处理，使得在下一阶段，通过第二驱动输出端H2产生的低电平作用于第二晶体管MN1的时间晚于第三驱动输出端H3产生的高电平作用于第三晶体管MP2的时间，同时，使得在下一阶段，通过第四驱动输出端H4产生的高电平作用于第四晶体管MN2的时间晚于通过第一驱动输出端H1产生的低电平作用于第一晶体管MP1的时间。
第二时间段t2：在该阶段第二晶体管MN1虽依然先于第三晶体管MP2关断，但由于在第一时间段t1结束之后对第二晶体管MN1栅极接收的信号加入延时，使得第二晶体管MN1先于第三晶体管MP2关断的时间减小，共模电压VPRI-CM的幅度有所降低，随后第四晶体管MN2先于第一晶体管MP1开启也表现了更小的共模电压VPRI-CM。第一自适应控制电路20继续采样，压控控制电压VFB增大，继续加入延时。
第三时间段t3：第四晶体管MN2继续增加延时，共模电压VPRI-CM的幅度继续降低，随后第二晶体管MN1先于第三晶体管MP2开启也表现了更小的共模电压VPRI-CM。第一自适应控制电路20继续采样，压控控制电压VFB增大，继续加入延时。
第四时间段t4：第四时间段t4前，第一自适应控制电路20完成对第一电压信号U1和第二电压信号U2的相位错位信息的检测并提供相应延时，第二晶体管MN1与第三晶体管MP2同时关断，随后第四晶体管MN2与第一晶体管MP1的开启也保持同步，因此共模电压VPRI-CM稳定在Vd/2，压控控制电压VFB保持稳定，第一自适应控制电路20维持当前延时不变，反馈调节过程完成。
上述实施例中的第一振荡电路30、第一驱动电路40均可采用现有技术中现有的电路，本实施例对此不做具体限定。图3中鉴相器和图4中电荷泵的结构均为示例性的一种可选结构，在其他实施例中还可选用可实现相位比较的任意一种鉴相器的现有结构，本实施例对此不做具体限定。
继续参考图2，因逆变电路10为全桥驱动电路，且全桥驱动电路结构对称，第二晶体管MN1和第四晶体管MN2的制备工艺相同，第一晶体管MP1和第三晶体管MP2的制备工艺相同，因此，第二晶体管MN1和第四晶体管MN2的响应速度相同，第一晶体管MP1和第三晶体管MP2的响应速度相同，也即，如果第四晶体管MN2的响应速度快于第一晶体管MP1的响应速度，则第二晶体管MN1的响应速度快于第三晶体管MP2的响应速度，通过上述的第一自适应控制电路20即可调节逆变电路10中晶体管动作不同步的情况。如果出现特殊情况，第二晶体管MN1和第四晶体管MN2的响应速度不相同，或者第一晶体管MP1和第三晶体管MP2的响应速度不同，示例性的，第四晶体管MN2的响应速度快于第一晶体管MP1的响应速度，同时，第三晶体管MP2的响应速度快于第二晶体管MN1的响应速度，此时可再设置一个第三自适应控制电路和一个第三驱动电路，使得第一驱动电路40用于根据第一控制信号和第二控制信号调节第四晶体管MN2和第一晶体管MP1的响应速度，第二驱动电路用于根据第三自适应控制电路输出的第五控制信号和第六控制信号调节第三晶体管MP2和第二晶体管MN1的响应速度。第三自适应控制电路和第三驱动电路的连接关系可参考第一自适应控制电路和第一驱动电路的连接关系，在此不再赘述。值得注意的是，降低电磁辐射的控制电路包括第三自适应控制电路和第三驱动电路时，第一驱动电路包括两个信号输出端，分别用于控制逆变电路10中的一对晶体管的导通和关断，第三驱动电路包括两个信号输出端，分别用于控制逆变电路10中另一对晶体管的导通和关断。
本发明实施例还提供了一种隔离电源系统，图6为本发明实施例提供的一种隔离电源系统的结构示意图，参考图6，隔离电源系统包括变压器50、整流电路60和上述实施例中的降低电磁辐射的控制电路01，变压器50的第一输入端用于接入第一电压信号U1，变压器50的第二输入端用于接入第二电压信号U2，变压器50的输出端与整流电路60的输入端电连接，整流电路60的输出端与负载电连接。
变压器50的第一输入端用于接入第一电压信号U1，也即变压器50的第一输入端与逆变电路10的第一输出端VPP电连接，变压器50的第二输入端用于接入第二电压信号U2，也即变压器50的第二输入端与逆变电路10的第二输出端VPN电连接。直流电源VDD的电压通过逆变电路10转换为交流电压，并经变压器50传输至整流电路60，整流电路60将交流电压转换为直流电压供给负载，通过变压器50实现高压侧和低压侧的之间的电力传输，有利于保证系统的安全性和可靠性。值得注意的是，整流电路60的输出端连接的地GND2与逆变电路10中晶体管连接的地GND1不同。
本实施例中隔离电源系统具备的有益效果与降低电磁辐射的控制电路10具备的有益效果相同，在此不再赘述。
继续参考图6，可选的，隔离电源系统还包括反馈电路70，反馈电路70的输入端与整流电路60的输出端电连接，反馈电路70的输出端与第一振荡电路30的输入端电连接，反馈电路70用于根据整流电路60的输出端输出的电压和期望电压控制第一振荡电路30输出的第一振荡信号的频率，以使整流电路60的输出端输出的电压和期望电压的差值小于阈值电压。
示例性的，期望电压为5V时而整流电路60输出端输出的电压为4.5V时，反馈电路70用于根据整流电路60的输出端输出的电压和期望电压的差值控制第一振荡电路30输出的第一振荡信号的频率，以使整流电路60输出端输出的电压增大，直至整流电路60的输出端输出的电压和期望电压的差值小于阈值电压，示例性的阈值电压可以为0.1V，当期望电压和整流电路60输出的电压的超值小于0.1V时，可认为整流电路60输出的电压等于期望电压，电压输出符合要求，不再对整流电路60输出的电压进行调整。通过反馈电路可以反馈调节整流电路60输出的电压的大小，使得整流电路60输出的电压等于负载所需的期望电压，满足负载的供电需求。
图7为本发明实施例提供的另一种隔离电源系统的结构示意图，参考图7，可选的，整流电路60为全桥整流电路，隔离电源系统还包括第二自适应控制电路80、第二驱动电路90和第二振荡电路100；
整流电路60的第一输出端VSP用于输出第三电压信号U3，整流电路60的第二输出端VSN用于输出第四电压信号U4；
第二振荡电路100用于生成第二振荡信号；
第二自适应控制电路80的第一采样端接入第三电压信号U3，第二自适应控制电路80的第二采样端接入第四电压信号U4，第二自适应控制电路80的输入端与第二振荡电路100的输出端电连接，第二自适应控制电路80的输出端与第二驱动电路90的输入端电连接，第二自适应控制电路80用于根据第三电压信号U3和第四电压信号U4的相位差，以及第二振荡信号生成第二相位控制信号；
第二驱动电路90的输出端与整流电路60的控制端电连接，第二驱动电路90用于根据第二相位控制信号调整整流电路60的输出，以使第三电压信号U3和第四电压信号U4的相位相同。
整流电路的具体结构与图2中逆变电路的结构相同，本实施例在此不再赘述。且第二自适应控制电路80、第二驱动电路90和第二振荡电路100的工作原理与第一自适应控制电路20、第一驱动电路40和第一振荡电路30的工作过程相同，本实施例对此不做具体限定。当整流电路60也为桥式电路时，通过第二自适应控制电路80调整整流电路60的输出，以使第三电压信号U3和第四电压信号U4的相位相同，进而降低整流电路60的第一输出端VSP和第二输出端VSN之间的共模电压的大小，进而降低整个隔离电源系统的电磁辐射。
本发明实施例还提供了一种降低电磁辐射的控制电路的控制方法，图8为本发明实施例提供的一种降低电磁辐射的控制电路的控制方法的流程图，降低电磁辐射的控制电路，包括：逆变电路、第一自适应控制电路、第一振荡电路和第一驱动电路；逆变电路的第一输出端用于输出第一电压信号，逆变电路的第二输出端用于输出第二电压信号；第一振荡电路用于生成第一振荡信号；第一自适应控制电路的第一采样端接入第一电压信号，第一自适应控制电路的第二采样端接入第二电压信号，第一自适应控制电路的输入端与第一振荡电路的输出端电连接，第一自适应控制电路的输出端与第一驱动电路的输入端电连接，第一驱动电路的输出端与逆变电路的控制端电连接；
参考图8，控制方法包括：
S10：振荡电路生成第一振荡信号。
S20：第一自适应控制电路根据第一电压信号和第二电压信号的相位差，以及第一振荡信号生成第一相位控制信号。
S30：第一驱动电路根据第一相位控制信号调整逆变电路的输出，以使第一电压信号和第二电压信号的相位相同。
具体的，当逆变电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，第一晶体管的第一极与直流电源电连接，第一晶体管的第二极与第二晶体管的第一极电连接，第一晶体管的第二极作为逆变电路的第一输出端，第二晶体管的第二极接地，第三晶体管的第一极与第一晶体管的第一极电连接，第三晶体管的第二极与第四晶体管的第一极电连接，第三晶体管的第二极作为逆变电路的第二输出端，第四晶体管的第二极接地；逆变电路的控制端包括第一控制端、第二控制端、第三控制端和第四控制端，第一晶体管的栅极作为第一控制端，第二晶体管的栅极作为第二控制端，第三晶体管的栅极作为第三控制端，第四晶体管的栅极作为第四控制端；第一驱动电路的输出端包括第一驱动输出端、第二驱动输出端、第三驱动输出端和第四驱动输出端，第一驱动输出端与逆变电路的第一控制端电连接，第二驱动输出端与逆变电路的第二控制端电连接，第三驱动输出端与逆变电路的第三控制端电连接，第四驱动输出端与逆变电路的第四控制端电连接。
在第二电压信号的相位超前第一电压信号电压的相位时，根据第一相位控制信号，控制逆变电路的第四控制端接收到有效信号的时间延长，或者，控制逆变电路的第一控制端接收到有效信号的时间提前，以使逆变电路的第四控制端晚于逆变电路的第一控制端接收到有效信号。
具体可参考图1，示例性的，第四晶体管MN2先于第一晶体管MP1关断时，通过第一自适应控制电路的延时控制，可使得第四晶体管MN2的栅极在下一阶段接收到有效信号（下一阶段为导通信号）的时间延后，而第一晶体管MP1的栅极接收到有效信号（也即导通信号）的时间可以提前或者保持不变。或者，将第一晶体管MP1的栅极接收到有效信号的时间提前，而第四晶体管MN2的栅极接收到有效信号的时间不变或延后。其中有效信号为控制第一晶体管MP1或第二晶体管MN1或第三晶体管MP3或第四晶体管MN2在下一阶段动作的信号，例如下一阶段，应控制第一晶体管MP1导通，则有效信号可以为高电平，如果下一阶段，应控制第一晶体管MP1关断，则有效信号可以为低电平。
本发明实施例提供的降低电磁辐射的控制电路的控制方法具备的有益效果与降低电磁辐射的控制电路具备的有益效果相同，本实施例在此不再赘述。
应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本发明中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本发明的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。
上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。

Claims (10)

1.一种降低电磁辐射的控制电路，其特征在于，包括：逆变电路、第一自适应控制电路、第一振荡电路和第一驱动电路；
所述逆变电路的第一输出端用于输出第一电压信号，所述逆变电路的第二输出端用于输出第二电压信号；
所述第一振荡电路用于生成第一振荡信号；
所述第一自适应控制电路的第一采样端接入所述第一电压信号，所述第一自适应控制电路的第二采样端接入所述第二电压信号，所述第一自适应控制电路的输入端与所述第一振荡电路的输出端电连接，所述第一自适应控制电路的输出端与所述第一驱动电路的输入端电连接，所述第一自适应控制电路用于根据所述第一电压信号和所述第二电压信号的相位差，以及所述第一振荡信号生成第一相位控制信号；
所述第一驱动电路的输出端与所述逆变电路的控制端电连接，所述第一驱动电路用于根据所述第一相位控制信号调整所述逆变电路的输出，以使所述第一电压信号和所述第二电压信号的相位相同。
2.根据权利要求1所述的降低电磁辐射的控制电路，其特征在于，所述逆变电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，所述第一晶体管的第一极与直流电源电连接，所述第一晶体管的第二极与所述第二晶体管的第一极电连接，所述第一晶体管的第二极作为所述逆变电路的第一输出端，所述第二晶体管的第二极接地，所述第三晶体管的第一极与所述第一晶体管的第一极电连接，所述第三晶体管的第二极与所述第四晶体管的第一极电连接，所述第三晶体管的第二极作为所述逆变电路的第二输出端，所述第四晶体管的第二极接地；所述逆变电路的控制端包括第一控制端、第二控制端、第三控制端和第四控制端，所述第一晶体管的栅极作为所述第一控制端，所述第二晶体管的栅极作为所述第二控制端，所述第三晶体管的栅极作为所述第三控制端，所述第四晶体管的栅极作为所述第四控制端；
所述第一驱动电路的输出端包括第一驱动输出端、第二驱动输出端、第三驱动输出端和第四驱动输出端，所述第一驱动输出端与所述逆变电路的第一控制端电连接，所述第二驱动输出端与所述逆变电路的第二控制端电连接，所述第三驱动输出端与所述逆变电路的第三控制端电连接，所述第四驱动输出端与所述逆变电路的第四控制端电连接。
3.根据权利要求2所述的降低电磁辐射的控制电路，其特征在于，所述第一相位控制信号包括第一控制信号和第二控制信号，所述第一自适应控制电路的输出端包括第一输出端和第二输出端，所述第一自适应控制电路的第一输出端用于输出所述第一控制信号，所述第一自适应控制电路的第二输出端用于输出所述第二控制信号；
所述第一驱动电路包括第一驱动模块和第二驱动模块，所述第一驱动模块的第一输出端作为所述第一驱动输出端，所述第一驱动模块的第二输出端作为所述第三驱动输出端，所述第二驱动模块的第一输出端作为所述第二驱动输出端，所述第二驱动模块的第二输出端作为所述第四驱动输出端；所述第一驱动模块的输入端用于接入所述第一控制信号，所述第二驱动模块的输入端用于接入所述第二控制信号。
4.根据权利要求1-3任一项所述的降低电磁辐射的控制电路，其特征在于，所述第一自适应控制电路包括：鉴相器、电荷泵和压控延迟线，所述鉴相器的第一输入端用于接入所述第一电压信号，所述鉴相器的第二输入端用于接入所述第二电压信号，所述鉴相器用于根据所述第一电压信号和所述第二电压信号的相位差生成第一时序控制信号和第二时序控制信号；
所述电荷泵的第一输入端用于接入所述第一时序控制信号，所述电荷泵的第二输入端用于接入所述第二时序控制信号，所述电荷泵用于根据所述第一时序控制信号和所述第二时序控制信号生成压控控制电压；
所述压控延迟线的输入端与所述电荷泵的输出端电连接，所述压控延迟线的第一输出端作为所述第一自适应控制电路的第一输出端，所述压控延迟线的第二输出端作为所述第一自适应控制电路的第二输出端，所述压控延迟线用于根据所述压控控制电压和所述第一振荡信号生成所述第一相位控制信号。
5.根据权利要求4所述的降低电磁辐射的控制电路，其特征在于，所述第一自适应控制电路还包括：滤波电路，所述滤波电路的输入端与所述电荷泵的输出端电连接，所述滤波电路的输出端与所述压控延迟线的输入端电连接。
6.一种隔离电源系统，其特征在于，包括变压器、整流电路和权利要求1-5任一项所述的降低电磁辐射的控制电路，所述变压器的第一输入端用于接入所述第一电压信号，所述变压器的第二输入端用于接入所述第二电压信号，所述变压器的输出端与所述整流电路的输入端电连接，所述整流电路的输出端与负载电连接。
7.根据权利要求6所述的隔离电源系统，其特征在于，还包括反馈电路，所述反馈电路的输入端与所述整流电路的输出端电连接，所述反馈电路的输出端与所述第一振荡电路的输入端电连接，所述反馈电路用于根据所述整流电路的输出端输出的电压和期望电压控制第一振荡电路输出的第一振荡信号的频率，以使整流电路的输出端输出的电压和所述期望电压的差值小于阈值电压。
8.根据权利要求7所述的隔离电源系统，其特征在于，所述整流电路为全桥整流电路，所述隔离电源系统还包括第二自适应控制电路、第二驱动电路和第二振荡电路；
所述整流电路的第一输出端用于输出第三电压信号，所述整流电路的第二输出端用于输出第四电压信号；
所述第二振荡电路用于生成第二振荡信号；
所述第二自适应控制电路的第一采样端接入所述第三电压信号，所述第二自适应控制电路的第二采样端接入所述第四电压信号，所述第二自适应控制电路的输入端与所述第二振荡电路的输出端电连接，所述第二自适应控制电路的输出端与所述第二驱动电路的输入端电连接，所述第二自适应控制电路用于根据所述第三电压信号和所述第四电压信号的相位差，以及所述第二振荡信号生成第二相位控制信号；
所述第二驱动电路的输出端与所述整流电路的控制端电连接，所述第二驱动电路用于根据所述第二相位控制信号调整所述整流电路的输出，以使所述第三电压信号和所述第四电压信号的相位相同。
9.一种降低电磁辐射的控制电路的控制方法，其特征在于，所述降低电磁辐射的控制电路，包括：逆变电路、第一自适应控制电路、第一振荡电路和第一驱动电路；所述逆变电路的第一输出端用于输出第一电压信号，所述逆变电路的第二输出端用于输出第二电压信号；所述第一振荡电路用于生成第一振荡信号；所述第一自适应控制电路的第一采样端接入所述第一电压信号，所述第一自适应控制电路的第二采样端接入所述第二电压信号，所述第一自适应控制电路的输入端与所述第一振荡电路的输出端电连接，所述第一自适应控制电路的输出端与所述第一驱动电路的输入端电连接，所述第一驱动电路的输出端与所述逆变电路的控制端电连接；
所述控制方法包括：
所述振荡电路生成第一振荡信号；
所述第一自适应控制电路根据所述第一电压信号和所述第二电压信号的相位差，以及所述第一振荡信号生成第一相位控制信号；
所述第一驱动电路根据所述第一相位控制信号调整所述逆变电路的输出，以使所述第一电压信号和所述第二电压信号的相位相同。
10.根据权利要求9所述的降低电磁辐射的控制电路的控制方法，其特征在于，所述逆变电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，所述第一晶体管的第一极与直流电源电连接，所述第一晶体管的第二极与所述第二晶体管的第一极电连接，所述第一晶体管的第二极作为所述逆变电路的第一输出端，所述第二晶体管的第二极接地，所述第三晶体管的第一极与所述第一晶体管的第一极电连接，所述第三晶体管的第二极与所述第四晶体管的第一极电连接，所述第三晶体管的第二极作为所述逆变电路的第二输出端，所述第四晶体管的第二极接地；所述逆变电路的控制端包括第一控制端、第二控制端、第三控制端和第四控制端，所述第一晶体管的栅极作为所述第一控制端，所述第二晶体管的栅极作为所述第二控制端，所述第三晶体管的栅极作为所述第三控制端，所述第四晶体管的栅极作为所述第四控制端；所述第一驱动电路的输出端包括第一驱动输出端、第二驱动输出端、第三驱动输出端和第四驱动输出端，所述第一驱动输出端与所述逆变电路的第一控制端电连接，所述第二驱动输出端与所述逆变电路的第二控制端电连接，所述第三驱动输出端与所述逆变电路的第三控制端电连接，所述第四驱动输出端与所述逆变电路的第四控制端电连接；
所述第一驱动电路根据所述第一相位控制信号调整所述逆变电路的输出，以使所述第一电压信号和所述第二电压信号的相位相同，包括：
在所述第二电压信号的相位超前所述第一电压信号电压的相位时，根据所述第一相位控制信号，控制所述逆变电路的第四控制端接收到有效信号的时间延长，或者，控制所述逆变电路的第一控制端接收到有效信号的时间提前，以使所述逆变电路的第四控制端晚于所述逆变电路的第一控制端接收到所述有效信号。
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