CN115968228A - 一种显示基板、其制作方法及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供了一种显示基板、其制作方法及显示装置，通过在非像素区域内设置与发光功能层接触设置的辅助导通层，通过激光照射位于辅助电极上方的发光功能层和辅助导通层所在区域，被照射区域的发光功能层成熔融状态，辅助导通层的活泼金属扩散至熔融的发光功能层，在发光功能层内形成低阻导通区，从而将辅助电极与第二电极电连接，可以降低第二电极的电阻，从而降低第二电极的压降，从而实现各个像素区域的压降均匀分布，提高显示基板的发光均匀性和显示品质。

Description

一种显示基板、其制作方法及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板、其制作方法及显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)显示基板具备主动发光、温度特性好、功耗小、响应快、可弯曲、超轻薄和成本低等优点，已广泛应用于显示设备中。

经发明人研究发现，现有的OLED显示基板中的阴极电阻较大，使得OLED显示基板的显示亮度不均匀，进而影响了显示品质。

发明内容

本发明实施例提供了一种显示基板、其制作方法及显示装置，用以解决由于整个阴极电阻较大导致的OLED显示基板的显示亮度不均匀且显示品质降低的技术问题。

本发明实施例提供了一种显示基板，包括：

衬底基板；所述衬底基板具有多个像素区域以及位于相邻所述像素区域之间的非像素区域；

第一电极，设置在所述衬底基板的像素区域内；

辅助电极，设置在所述衬底基板的非像素区域内，且所述辅助电极和所述第一电极间隔设置；

像素界定层，设置在所述第一电极和所述辅助电极背离所述衬底基板的一侧；所述像素界定层具有露出所述第一电极的像素开口以及露出所述辅助电极的凹槽；

发光功能层，设置在所述像素界定层背离所述衬底基板的一侧；

第二电极，设置在所述发光功能层背离所述衬底基板的一侧；

辅助导通层，设置在所述第二电极和所述像素界定层之间，且设置在所述非像素区域内，所述辅助导通层和所述发光功能层接触设置，所述辅助导通层的材料包括活泼金属；其中，

所述辅助导通层的活泼金属被配置为在激光照射下扩散至熔融的所述发光功能层，以将所述辅助电极与所述第二电极电连接。

可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述辅助导通层设置在所述发光功能层和所述第二电极之间。

可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述辅助导通层设置在所述发光功能层和所述像素界定层之间。

可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述辅助导通层设置在所述发光功能层的内部。

可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述辅助导通层的形状为网格状。

可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述辅助导通层的材料包括Li、Na、K、Mg至少其中之一，所述辅助导通层的厚度为

可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，所述辅助电极和所述第一电极同层同材料设置。

相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示基板。

相应地，本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，包括：

在衬底基板上形成间隔设置的第一电极和辅助电极；其中，所述第一电极位于像素区域内，所述辅助电极位于非像素区域内；

在所述第一电极和所述辅助电极背离所述衬底基板的一侧形成像素界定层；所述像素界定层具有露出所述第一电极的像素开口以及露出所述辅助电极的凹槽；

形成设置在所述像素界定层背离所述衬底基板的一侧的辅助导通层和发光功能层；其中，所述辅助导通层设置在所述非像素区域，且所述辅助导通层和所述发光功能层接触设置，所述辅助导通层的材料包括活泼金属；

形成设置在所述辅助导通层和所述发光功能层背离所述衬底基板一侧的第二电极；

采用激光照射位于所述辅助电极上方的所述发光功能层和所述辅助导通层所在区域，所述辅助导通层的活泼金属扩散至被所述激光照射而熔融的所述发光功能层内，以将所述辅助电极与所述第二电极电连接。

可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，形成设置在所述像素界定层背离所述衬底基板的一侧的辅助导通层和发光功能层，具体为：

形成设置在所述像素界定层背离所述衬底基板的一侧的发光功能层；

形成设置在所述发光功能层背离所述衬底基板一侧的辅助导通层；

或，

形成设置在所述像素界定层背离所述衬底基板的一侧的辅助导通层；

形成设置在所述发光功能层背离所述衬底基板一侧的发光功能层；

或，

形成设置在所述像素界定层背离所述衬底基板的一侧的发光功能层的一部分膜层；

形成设置在所述发光功能层的一部分膜层背离所述衬底基板一侧的辅助导通层；

形成设置在所述辅助导通层背离所述衬底基板的一侧的发光功能层的另一部分膜层。

本发明实施例的有益效果如下：

本发明实施例提供的一种显示基板、其制作方法及显示装置，通过在非像素区域内设置与发光功能层接触设置的辅助导通层，通过激光照射位于辅助电极上方的发光功能层和辅助导通层所在区域，被照射区域的发光功能层成熔融状态，辅助导通层的活泼金属扩散至熔融的发光功能层，在发光功能层内形成低阻导通区，从而将辅助电极与第二电极电连接，可以降低第二电极的电阻，从而降低第二电极的压降，从而实现各个像素区域的压降均匀分布，提高显示基板的发光均匀性和显示品质。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种显示基板的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种显示基板的平面示意图；

图3为本发明实施例提供的一种显示基板的制作方法流程示意图；

图4A-图4D分别为本发明实施例提供的显示基板在执行每一制作步骤之后的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。

目前，顶发射电致发光器件由于较高的开口率，相比底发射电致发光器件应用的较为广泛。顶发射电致发光器件对于阴极的透过率要求较高，因此需要较薄的透明阴极，而太薄的阴极会导致整个阴极电阻较大，各个像素区域的压降(IR Drop)明显，从而导致各处的压降不均匀，使得OLED显示基板的发光不均匀且显示品质不佳。

鉴于此，为了降低阴极电阻，提高显示的均匀性，本发明实施例提供了一种显示基板，如图1所示，包括：

衬底基板1；衬底基板1具有多个像素区域A1以及位于相邻像素区域A1之间的非像素区域B1；

第一电极2，设置在衬底基板1的像素区域A1内；

辅助电极3，设置在衬底基板1的非像素区域B1内，且辅助电极3和第一电极2间隔设置；

像素界定层4，设置在第一电极2和辅助电极3背离衬底基板1的一侧；像素界定层4具有露出第一电极2的像素开口，以及露出辅助电极3的凹槽；

发光功能层5，设置在像素界定层4背离衬底基板1的一侧；

第二电极6，设置在发光功能层5背离衬底基板1的一侧；

辅助导通层7，设置在第二电极6和像素界定层4之间，且设置在非像素区域B1内，辅助导通层7和发光功能层5接触设置，辅助导通层7的材料包括活泼金属；其中，

辅助导通层7的活泼金属被配置为在激光照射下扩散至熔融的发光功能层5，以实现辅助电极3与第二电极6电连接。

本发明实施例提供的上述显示基板，通过在非像素区域内设置与发光功能层接触设置的辅助导通层，通过激光照射位于辅助电极上方的发光功能层和辅助导通层所在区域，被照射区域的发光功能层成熔融状态，辅助导通层的活泼金属扩散至熔融的发光功能层，在发光功能层内形成低阻导通区，从而将辅助电极与第二电极电连接，可以降低第二电极的电阻，从而降低第二电极的压降，从而实现各个像素区域的压降均匀分布，提高显示基板的发光均匀性和显示品质。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图1所示，第一电极2可以是阳极，第二电极6可以是阴极。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图1所示，辅助导通层7可以设置在发光功能层5和第二电极6之间。这样在第二电极6制作完之后，采用激光照射辅助电极3上方的发光功能层5和辅助导通层7所在区域，使激光光斑控制在辅助电极3所在区域内，使激光作用区域的发光功能层5变熔融态，辅助导通层7的活泼金属可以向其下方的发光功能层5扩散，使该被照射的区域变为低阻导通区CC，从而将辅助电极3与第二电极6电连接，可以降低第二电极6的电阻。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示基板中，也可以将图1中的辅助导通层7设置在发光功能层5和像素界定层4之间，即发光功能层5设置在辅助导通层7上方，这样激光照射时，辅助导通层7内的活泼金属可以向其上方的发光功能层5发生扩散，将辅助电极3与第二电极6电连接。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示基板中，发光功能层可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层等，也可以将图1中的辅助导通层7设置在发光功能层5的内部，例如可以将辅助导通层7设置在发光层和电子传输层之间，可以将辅助导通层7设置在发光层和空穴传输层之间，等等。这样激光照射时，辅助导通层7内的活泼金属可以向其上方和下方的发光功能层5发生扩散，将辅助电极3与第二电极6电连接。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图2所示，图2为显示基板的平面示意图，辅助导通层7的形状为网格状。这样可以在网格状结构的网格线下方设置多个辅助电极3，进一步降低第二电极6的电阻。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示基板中，辅助导通层的材料可以包括Li、Na、K、Mg至少其中之一，这些活泼金属在激光照射下会发生扩散；辅助导通层的厚度可以为

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示基板中，辅助电极的材料可以包括钼、铝、铜、银、铌中的至少一种，辅助电极的厚度可以为100nm～700nm。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图1所示，辅助电极3和第一电极2可以同层同材料设置。这样，只需要在形成第一电极2时改变原有的构图图形，即可通过一次构图工艺形成辅助电极3与第一电极2的图形，不用增加单独制备辅助电极3的工艺，可以简化制备工艺流程，节省生产成本，提高生产效率。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图1所示，发光功能层5的厚度可以为330nm左右。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图1所示，像素界定层4的厚度可以为0.1μm～100μm，像素界定层4的材料可以为无机材料(氮化硅或氧化硅等)或有机材料(例如聚酰亚胺、聚四氟乙烯)等，还可以为光刻胶(如聚乙烯醇，月桂酸酯)等，本发明对此不作限定。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图1所示，第二电极6可以采用单层材料，例如包括IZO、ITO、AZO中的一种，厚度可以在300nm～1000nm；第二电极6也可以采用复合材料制成，复合材料包括：Mg或Al与IZO、ITO、AZO等材料组成的复合材料。

在具体实施时，本发明实施例中的衬底基板可以是制作完成的薄膜晶体管阵列基板，还可以包括形成在薄膜晶体管阵列基板上的平坦化层。平坦化层的材料可以采用树脂、聚酰亚安、有机硅、二氧化硅等材料，也可以采用氮化硅等材料。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，如图3所示，包括：

S301、在衬底基板上形成间隔设置的第一电极和辅助电极；其中，第一电极位于像素区域内，辅助电极位于非像素区域内；

S302、在第一电极和辅助电极背离衬底基板的一侧形成像素界定层；像素界定层具有露出第一电极的像素开口以及露出辅助电极的凹槽；

S303、形成设置在像素界定层背离衬底基板的一侧的辅助导通层和发光功能层；其中，辅助导通层设置在非像素区域，且辅助导通层和发光功能层接触设置，辅助导通层的材料包括活泼金属；

S304、形成设置在辅助导通层和发光功能层背离衬底基板一侧的第二电极；

S305、采用激光照射位于辅助电极上方的发光功能层和辅助导通层所在区域，辅助导通层的活泼金属扩散至被激光照射而熔融的发光功能层内，以将辅助电极与第二电极电连接。

本发明实施例提供的上述显示基板的制作方法，通过在非像素区域内设置与发光功能层接触设置的辅助导通层，通过激光照射位于辅助电极上方的发光功能层和辅助导通层所在区域，被照射区域的发光功能层成熔融状态，辅助导通层的活泼金属扩散至熔融的发光功能层，在发光功能层内形成低阻导通区，从而将辅助电极与第二电极电连接，可以降低第二电极的电阻，从而降低第二电极的IR Drop，从而实现各个像素区域的压降均匀分布，提高显示基板的发光均匀性和显示品质。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，形成设置在像素界定层背离衬底基板的一侧的辅助导通层和发光功能层，具体可以为：

形成设置在像素界定层背离衬底基板的一侧的发光功能层；

形成设置在发光功能层背离衬底基板一侧的辅助导通层。

下面对图1所示的显示基板的制作方法进行详细说明：

(1)在衬底基板1上通过一次构图工艺形成第一电极2和辅助电极3，接着再形成像素界定层4，像素界定层4具有露出第一电极2的像素开口41以及露出辅助电极3的凹槽42，如图4A所示。具体地，衬底基板1可以是在衬底上形成栅极层、有源层、源漏电极层、钝化层以及平坦层等的TFT阵列基板。

(2)通过热蒸镀或者喷墨打印的方式在第一电极2、辅助电极3和像素界定层4上方形成发光功能层5，如图4B所示。

(3)采用真空热蒸镀的方式在发光功能层5上形成辅助导通层7，如图4C所示。辅助导通层7的材料可选用活泼金属Li、Na、K、Mg等，厚度可为

(4)通过蒸镀或者溅射镀膜的方式在辅助导通层7上形成第二电极6，如图4D所示。第二电极6可以采用单层材料，例如包括IZO、ITO、AZO中的一种，厚度可以在300nm～1000nm；第二电极6也可以采用复合材料制成，复合材料包括：Mg或Al与IZO、ITO、AZO等材料组成的复合材料。

(5)将像素界定层4划分出的带有辅助电极3的区域设定为激光扫描的路径，控制激光的参数，使激光光斑作用在位于辅助电极3上方的发光功能层5和辅助导通层7所在区域，如图1和图2所示，图2中的箭头为激光扫描路径，激光照射区域的发光功能层5变成熔融态，辅助导通层7内的活泼金属向发光功能层5发生扩散，使该被激光照射的区域变为低阻导通区CC，使得第二电极6和辅助电极3电连接，如图1所示。

具体地，激光照射时的照射功率可以为0.1uW～10uW，激光照射的频率可以为1Hz～100Hz。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，形成设置在像素界定层背离衬底基板的一侧的辅助导通层和发光功能层，还可以为：

形成设置在像素界定层背离衬底基板的一侧的辅助导通层；

形成设置在发光功能层背离衬底基板一侧的发光功能层。这样激光照射时，辅助导通层内的活泼金属可以向其上方的发光功能层发生扩散，将辅助电极与第二电极电连接。

在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制作方法中，形成设置在像素界定层背离衬底基板的一侧的辅助导通层和发光功能层，还可以为：

形成设置在像素界定层背离衬底基板的一侧的发光功能层的一部分膜层(例如空穴注入层和空穴传输层)；

形成设置在发光功能层的一部分膜层背离衬底基板一侧的辅助导通层；

形成设置在辅助导通层背离衬底基板的一侧的发光功能层的另一部分膜层(例如发光层和电子传输层)。这样激光照射时，辅助导通层内的活泼金属可以向其上方和下方的发光功能层发生扩散，将辅助电极与第二电极电连接。

需要说明的是，在本发明实施例提供的上述显示基板的制作方法中，上述制作各膜层时的构图工艺可只包括光刻工艺，或，可以包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。常见的成膜工艺包括溅射(Sputter)、化学气相沉积(PECVD)、蒸镀、旋涂、印刷、喷墨打印。在具体实施时，可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：本发明实施例提供的上述显示基板。由于该显示装置解决问题的原理与前述显示基板相似，因此该显示装置的实施可以参见前述显示基板的实施，重复之处在此不再赘述。

在具体实施时，本发明实施例提供的上述显示装置可以为有机发光显示装置，在此不作限定。

在具体实施时，本发明实施例提供的上述显示装置可以为全面屏显示装置，或者也可以为柔性显示装置等，在此不作限定。

在具体实施时，本发明实施例提供的上述显示装置可以为全面屏的手机。当然，本发明实施例提供的上述显示装置也可以为平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。

本发明实施例提供的一种显示基板、其制作方法及显示装置，通过在非像素区域内设置与发光功能层接触设置的辅助导通层，通过激光照射位于辅助电极上方的发光功能层和辅助导通层所在区域，被照射区域的发光功能层成熔融状态，辅助导通层的活泼金属扩散至熔融的发光功能层，在发光功能层内形成低阻导通区，从而将辅助电极与第二电极电连接，可以降低第二电极的电阻，从而降低第二电极的压降，从而实现各个像素区域的压降均匀分布，提高显示基板的发光均匀性和显示品质。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明实施例的精神和范围。这样，倘若本发明实施例的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

衬底基板；所述衬底基板具有多个像素区域以及位于相邻所述像素区域之间的非像素区域；

第一电极，设置在所述衬底基板的像素区域内；

辅助电极，设置在所述衬底基板的非像素区域内，且所述辅助电极和所述第一电极间隔设置；

像素界定层，设置在所述第一电极和所述辅助电极背离所述衬底基板的一侧；所述像素界定层具有露出所述第一电极的像素开口以及露出所述辅助电极的凹槽；

发光功能层，设置在所述像素界定层背离所述衬底基板的一侧；

第二电极，设置在所述发光功能层背离所述衬底基板的一侧；

辅助导通层，设置在所述第二电极和所述像素界定层之间，且设置在所述非像素区域内，所述辅助导通层和所述发光功能层接触设置，所述辅助导通层的材料包括活泼金属；其中，

所述辅助导通层的活泼金属被配置为在激光照射下扩散至熔融的所述发光功能层，以将所述辅助电极与所述第二电极电连接。

2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述辅助导通层设置在所述发光功能层和所述第二电极之间。

3.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述辅助导通层设置在所述发光功能层和所述像素界定层之间。

4.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述辅助导通层设置在所述发光功能层的内部。

5.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述辅助导通层的形状为网格状。

6.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述辅助导通层的材料包括Li、Na、K、Mg至少其中之一，所述辅助导通层的厚度为

7.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述辅助电极和所述第一电极同层同材料设置。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的显示基板。

9.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成间隔设置的第一电极和辅助电极；其中，所述第一电极位于像素区域内，所述辅助电极位于非像素区域内；

在所述第一电极和所述辅助电极背离所述衬底基板的一侧形成像素界定层；所述像素界定层具有露出所述第一电极的像素开口以及露出所述辅助电极的凹槽；

形成设置在所述像素界定层背离所述衬底基板的一侧的辅助导通层和发光功能层；其中，所述辅助导通层设置在所述非像素区域，且所述辅助导通层和所述发光功能层接触设置，所述辅助导通层的材料包括活泼金属；

形成设置在所述辅助导通层和所述发光功能层背离所述衬底基板一侧的第二电极；

采用激光照射位于所述辅助电极上方的所述发光功能层和所述辅助导通层所在区域，所述辅助导通层的活泼金属扩散至被所述激光照射而熔融的所述发光功能层内，以将所述辅助电极与所述第二电极电连接。

10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，形成设置在所述像素界定层背离所述衬底基板的一侧的辅助导通层和发光功能层，具体为：

形成设置在所述像素界定层背离所述衬底基板的一侧的发光功能层；

形成设置在所述发光功能层背离所述衬底基板一侧的辅助导通层；

或，

形成设置在所述像素界定层背离所述衬底基板的一侧的辅助导通层；

形成设置在所述发光功能层背离所述衬底基板一侧的发光功能层；

或，

形成设置在所述像素界定层背离所述衬底基板的一侧的发光功能层的一部分膜层；

形成设置在所述发光功能层的一部分膜层背离所述衬底基板一侧的辅助导通层；

形成设置在所述辅助导通层背离所述衬底基板的一侧的发光功能层的另一部分膜层。

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