CN115962919A - 光电参数的异常检测方法和装置 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种光电参数的异常检测方法和装置，属于光电子技术领域。该异常检测方法包括：获取晶圆上各个发光二极管的光电参数的测试值和回测值；确定同一颗发光二极管的测试值和回测值的对比值，所述对比值用于指示测试值和回测值之间的变化幅度；将相邻两个发光二极管的所述对比值之差确定为跳动值；若所述跳动值超出设定幅度，则确定所述晶圆的测试值存在异常。本公开能提升晶圆上发光二极管的测试值异常的检测效率，降低人工工作强度，提升发光二极管的生产效率。
Description
技术领域
本公开涉及光电子技术领域，特别涉及一种光电参数的异常检测方法和装置。
背景技术
在采用测试机测试发光二极管的光电参数的过程中，受到测试机的测试探针状态变化的影响，光电参数(发光二极管的亮度和电压)的测试值也容易发生变化，使光电参数的测试值偏离真实值。
相关技术中，需要通过人工校对的方式确定光电参数的测试值是否存在偏差异常。然而，晶圆上通常有大量的发光二极管，逐个校对的方式会耗费许多人力，影响发光二极管的生产效率。
发明内容
本公开实施例提供了一种光电参数的异常检测方法和装置，能提升晶圆上发光二极管的测试值异常的检测效率，降低人工工作强度，提升发光二极管的生产效率。所述技术方案如下：
本公开实施例提供了一种光电参数的异常检测方法，所述异常检测方法包括：获取晶圆上各个发光二极管的光电参数的测试值和回测值，所述测试值和所述回测值为采用不同测试机分别测试得到的数据；确定同一颗发光二极管的测试值和回测值的对比值，所述对比值用于指示测试值和回测值之间的变化幅度；将相邻两个发光二极管的所述对比值之差确定为跳动值；若所述跳动值超出设定幅度，则确定所述晶圆的测试值存在异常。
在本公开实施例的一种实现方式中，所述光电参数为发光二极管的亮度值时，所述对比值为所述测试值与所述回测值之差与所述回测值的比值。
在本公开实施例的另一种实现方式中，所述光电参数为发光二极管的电压时，所述对比值为所述测试值与所述回测值之差。
在本公开实施例提供的另一种实现方式中，所述将相邻两个发光二极管的所述对比值之差确定为跳动值包括：将所述晶圆上同一列或同一行中相邻的两个发光二极管的所述对比值之差确定为跳动值。
在本公开实施例的另一种实现方式中，所述光电参数还包括发光二极管发出的光的波长，所述获取晶圆上各个发光二极管的光电参数的测试值和回测值之后，还包括：确定各发光二极管的波长差值，所述波长差值为所述测试值中的波长与所述回测值中的波长之差；若所述波长差值在设定范围外，则重新获取晶圆上各个发光二极管的光电参数的测试值和回测值。
本公开实施例提供了一种光电参数的异常检测装置，所述异常检测装置包括：获取模块，用于获取晶圆上各个发光二极管的光电参数的测试值和回测值，所述测试值和所述回测值为采用不同测试机分别测试得到的数据；第一确定模块，用于确定同一颗发光二极管的测试值和回测值的对比值，所述对比值用于指示测试值和回测值之间的变化幅度；第二确定模块，用于将相邻两个发光二极管的所述对比值之差确定为跳动值；判定模块，用于若所述跳动值超出设定幅度，则确定所述晶圆的测试值存在异常。
在本公开实施例的另一种实现方式中，所述光电参数为发光二极管的亮度值时，所述对比值为所述测试值与所述回测值之差与所述回测值的比值。
在本公开实施例的另一种实现方式中，所述光电参数为发光二极管的电压时，所述对比值为所述测试值与所述回测值之差。
在本公开实施例的另一种实现方式中，所述第二确定模块还用于将所述晶圆上同一列或同一行中相邻的两个发光二极管的所述对比值之差确定为跳动值。
在本公开实施例的另一种实现方式中，所述光电参数还包括发光二极管发出的光的波长，所述异常检测装置还包括第三确定模块，所述第三确定模块用于确定各发光二极管的波长差值，所述波长差值为所述测试值中的波长与所述回测值中的波长之差；所述获取模块还用于若所述波长差值在设定范围外，则重新获取晶圆上各个发光二极管的光电参数的测试值和回测值。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
本公开实施例提供的异常检测方法，先获取晶圆上所有发光二极管的测试值和回测值，然后，确定同一颗发光二极管光电参数的对比值，对比值是用于指示测试值和回测值之间的变化幅度的数据，接着，确定相邻的两个发光二极管的跳动值，跳动值则是用于指示相邻两个发光二极管的对比值的变化幅度。通常情况下测试探针测试的测试值没有异常或错误时，相邻发光二极管的对比值的波动幅度也不大。因此，当相邻发光二极管的跳动值超出设定幅度时，表明相邻发光二极管的对比值的波动幅度较大，因而可以判断出晶圆的测试值存在异常。这样通过机器对数据进行自动识别判断测试值是否异常的方式，能有效降低人工工作强度，提升晶圆上发光二极管的测试值异常的检测效率，提升发光二极管的生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的一种光电参数的异常检测方法的流程图；
图2是本公开实施例提供的另一种光电参数的异常检测方法的流程图；
图3是本公开实施例提供的一种光电参数的异常检测装置；
图4是本公开实施例提供的一种计算机设备的结构框图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”、“第三”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则所述相对位置关系也可能相应地改变。
图1是本公开实施例提供的一种光电参数的异常检测方法的流程图。如图1所示，该异常检测方法通过上位机执行，包括：
步骤101：获取晶圆上各个发光二极管的光电参数的测试值和回测值。
其中，光电参数可以包括光的波长、发光二极管的亮度值和电压。测试值和回测值为采用不同测试机分别测试得到的数据。
步骤102：确定同一颗发光二极管的测试值和回测值的对比值。
其中，对比值用于指示测试值和回测值之间的变化幅度。
例如，当光电参数为电压时，对比值就是测试值中的电压与回测值中的电压的差值。电压的差值即为测试值和回测值之间的变化幅度。
步骤103：将相邻两个发光二极管的对比值之差确定为跳动值。
步骤104：若跳动值超出设定幅度，则确定晶圆的测试值存在异常。
本公开实施例中，若跳动值没有超出设定幅度，则表明晶圆的测试值不存在异常。
本公开实施例提供的异常检测方法，先获取晶圆上所有发光二极管的测试值和回测值，然后，确定同一颗发光二极管光电参数的对比值，对比值是用于指示测试值和回测值之间的变化幅度的数据，接着，确定相邻的两个发光二极管的跳动值，跳动值则是用于指示相邻两个发光二极管的对比值的变化幅度。通常情况下测试探针测试的测试值没有异常或错误时，相邻发光二极管的对比值的波动幅度也不大。因此，当相邻发光二极管的跳动值超出设定幅度时，表明相邻发光二极管的对比值的波动幅度较大，因而可以判断出晶圆的测试值存在异常。这样通过机器对数据进行自动识别判断测试值是否异常的方式，能有效降低人工工作强度，提升晶圆上发光二极管的测试值异常的检测效率，提升发光二极管的生产效率。
图2是本公开实施例提供的另一种光电参数的异常检测方法的流程图。如图2所示，该异常检测方法通过上位机执行，包括：
步骤201：获取晶圆上各个发光二极管的光电参数的测试值和回测值。
其中，光电参数可以包括光的波长、发光二极管的亮度值和电压。
本公开实施例中，光电参数可以包括发光二极管的亮度值和电压中的至少一个。
其中，晶圆生产完成后，可以通过测试机对晶圆上的发光二极管进行光电参数的测试，以得到发光二极管的光电参数的测试值。测试值可以存储在上位机的存储单元中，以待使用时获取。
示例性地，测试机和上位机可以有线或者无线连接，从而让上位机能获取测试机检测的测试值，并将测试值存储于存储单元中。
示例性地，在通过测试机测试晶圆时，对晶圆进行逐行或逐列测试，得到晶圆上每一列或每一行的发光二极管的光电参数的测试值，从而提升测试速度。
其中，回测值可以通过回测机对晶圆上的发光二极管进行光电参数的测试得到。回测值可以存储在上位机的存储单元中，以待使用时获取。
本公开实施例中，回测机与测试机均为可以测试发光二极管的光电参数的测试设备。
示例性地，回测机和上位机可以有线或者无线连接，从而让上位机能获取回测机检测的回测值，并将回测机值存储于存储单元中。
示例性地，在通过回测机测试晶圆时，对晶圆进行逐行或逐列测试，得到晶圆上每一列或每一行的发光二极管的光电参数的回测值，从而提升回测速度。
步骤202：确定各发光二极管的波长差值。
其中，波长差值为测试值中的波长与回测值中的波长之差。
步骤202a：若波长差值在设定范围内，则确定测试值和回测值为同一颗发光二极管的光电参数。
步骤202b：若波长差值在设定范围外，则重新获取晶圆上各个发光二极管的光电参数的测试值和回测值。
由于发光二极管的波长测试值较稳定，不易受外界因素干扰。因此，可以通过波长差值，判断此时的测试值与回测值是否来自于同一颗发光二极管。
其中，可以通过波长差值是否在设定范围内，来确定测试值和回测值是否为同一颗发光二极管的光电参数。
示例性地，设定范围可以是-50nm至50nm。
例如，当波长差值在-50nm至50nm内时，则确定测试值和回测值为同一颗发光二极管的光电参数。
例如，当若波长差值在-50nm至50nm外，则需要重新获取测试值和回测值。
其中，重新获取的测试值可以是通过测试机重新测试得到的光电参数的测试值。重新获取的回测值可以是通过回测机重新测试得到的光电参数的回测值。
步骤203：确定同一颗发光二极管的光电参数中亮度或电压的测试值和回测值的对比值。
本公开实施例中，当光电参数为发光二极管的亮度值时，对比值为测试值与回测值之差与回测值的比值。即对比值＝(测试值-回测值)/回测值。
本公开实施例中，当光电参数为发光二极管的电压时，对比值为测试值与回测值之差。即测试值＝测试值-回测值。
步骤204：将相邻两个发光二极管的对比值之差确定为跳动值。
其中，相邻两个发光二极管可以是指，晶圆上同一列或同一行中相邻的两个发光二极管。因而，跳动值为晶圆上同一列或同一行中相邻的两个发光二极管的对比值之差。
示例性地，晶圆上同一列中相邻的两个发光二极管，可以是在一列发光二极管中，从上至下的方向上相邻的两个发光二极管；或者是，一列发光二极管中，从下至上的方向上相邻的两个发光二极管。
示例性地，晶圆上同一行中相邻的两个发光二极管，可以是在一行发光二极管中，从左至右的方向上相邻的两个发光二极管；或者是，一行发光二极管中，从右至左的方向上相邻的两个发光二极管。
无论是同一行还是同一列的比较方式，在比较相邻两个发光二极管的对比值之差时，可以每个发光二极管仅比较1次，如第一个和第二个比较，第三个和第四个比较，依次类推；也可以每个发光二极管比较2次，如第一个和第二个比较，第二个和第三个比较，第三个和第四个比较，依次类推。
步骤205：若跳动值超出设定幅度，则确定晶圆的测试值存在异常。
当光电参数为亮度值时，晶圆上各发光二极管的测试值、回测值、对比值和跳动值如下表1。
表1
本公开实施例中，当光电参数为亮度值时，设定幅度可以是-1％至1％。
根据表1可知，表1中倒数第二行和倒数第三行的发光二极管的跳动值为-3.26％，超出了设定幅度，因此，可以判断上述表1中示例的晶圆的测试值存在异常。
当光电参数为电压时，晶圆上各发光二极管的测试值、回测值、对比值和跳动值如下表2。
表2
本公开实施例中，当光电参数为电压时，设定幅度可以是-0.003至0.003。
根据表2可知，表2中第29行和第30行的发光二极管的跳动值为0.006，超出了设定幅度，因此，可以判断上述表2中示例的晶圆的测试值存在异常。
本公开实施例中，当检测到测试值存在异常后，还可以通过技术人员再次判断测试值是否存在异常，以保证不会出错。
同时，还可以对存在异常的测试值进行修正，具体可以通过重新测试对应的发光二极管的光电参数的测试值，以对应错误的测试值进行替换修正。
图3是本公开实施例提供的一种光电参数的异常检测装置。如图3所示，该光电参数的异常检测装置包括：获取模块301，用于获取晶圆上各个发光二极管的光电参数的测试值和回测值，测试值和回测值为采用不同测试机分别测试得到的数据；第一确定模块302，用于确定同一颗发光二极管的测试值和回测值的对比值，对比值用于指示测试值和回测值之间的变化幅度；第二确定模块303，用于将相邻两个发光二极管的对比值之差确定为跳动值；判定模块304，用于若跳动值超出设定幅度，则确定晶圆的测试值存在异常。
可选地，光电参数为发光二极管的亮度值时，对比值为测试值与回测值之差与回测值的比值。
可选地，光电参数为发光二极管的电压时，对比值为测试值与回测值之差。
可选地，第二确定模块303还用于将晶圆上同一列或同一行中相邻的两个发光二极管的对比值之差确定为跳动值。
可选地，光电参数还包括发光二极管发出的光的波长，异常检测装置还包括第三确定模块305，第三确定模块用于确定各发光二极管的波长差值，波长差值为测试值中的波长与回测值中的波长之差；获取模块301还用于若波长差值在设定范围外，则重新获取晶圆上各个发光二极管的光电参数的测试值和回测值。
图4是本公开实施例提供的一种计算机设备的结构框图。如图4所示，该计算机设备包括：处理器501和存储器502。
处理器501可以包括一个或多个处理核心，比如4核心处理器、8核心处理器等。处理器501可以采用DSP(Digital Signal Processing，数字信号处理)、FPGA(Field－Programmable Gate Array，现场可编程门阵列)、PLA(Programmable Logic Array，可编程逻辑阵列)中的至少一种硬件形式来实现。处理器501也可以包括主处理器和协处理器，主处理器是用于对在唤醒状态下的数据进行处理的处理器，也称CPU(Central ProcessingUnit，中央处理器)；协处理器是用于对在待机状态下的数据进行处理的低功耗处理器。在一些实施例中，处理器501可以在集成有GPU(Graphics Processing Unit，图像处理器)，GPU用于负责显示屏所需要显示的内容的渲染和绘制。一些实施例中，处理器501还可以包括AI(Artificial Intelligence，人工智能)处理器，该AI处理器用于处理有关机器学习的计算操作。
存储器502可以包括一个或多个计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质可以是非暂态的。存储器502还可包括高速随机存取存储器，以及非易失性存储器，比如一个或多个磁盘存储设备、闪存存储设备。在一些实施例中，存储器502中的非暂态的计算机可读存储介质用于存储至少一个指令，该至少一个指令用于被处理器501所执行以实现本申请中方法实施例提供的光电参数的异常检测方法。
在一些实施例中，计算机设备还可选包括有：外围设备接口503和至少一个外围设备。处理器501、存储器502和外围设备接口503之间可以通过总线或信号线相连。各个外围设备可以通过总线、信号线或电路板与外围设备接口503相连。
本领域技术人员可以理解，图4中示出的结构并不构成对计算机设备的限定，可以包括比图示更多或更少的组件，或者组合某些组件，或者采用不同的组件布置。
本公开实施例还提供了一种非临时性计算机可读存储介质，该非临时性计算机可读存储介质存储有计算机指令，计算机指令用于使计算机执行上述实施例所述的光电参数的异常检测方法。例如，计算机可读存储介质可以是ROM、随机存取存储器(RAM)、CD-ROM、磁带、软盘和光数据存储设备等。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
以上，并非对本公开作任何形式上的限制，虽然本公开已通过实施例揭露如上，然而并非用以限定本公开，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本公开技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本公开技术方案的内容，依据本公开的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本公开技术方案的范围内。
Claims (10)
1.一种光电参数的异常检测方法，其特征在于，所述异常检测方法包括：
获取晶圆上各个发光二极管的光电参数的测试值和回测值，所述测试值和所述回测值为采用不同测试机分别测试得到的数据；
确定同一颗发光二极管的测试值和回测值的对比值，所述对比值用于指示测试值和回测值之间的变化幅度；
将相邻两个发光二极管的所述对比值之差确定为跳动值；
若所述跳动值超出设定幅度，则确定所述晶圆的测试值存在异常。
2.根据权利要求1所述的异常检测方法，其特征在于，所述光电参数为发光二极管的亮度值时，所述对比值为所述测试值与所述回测值之差与所述回测值的比值。
3.根据权利要求1所述的异常检测方法，其特征在于，所述光电参数为发光二极管的电压时，所述对比值为所述测试值与所述回测值之差。
4.根据权利要求1至3任一项所述的异常检测方法，其特征在于，所述将相邻两个发光二极管的所述对比值之差确定为跳动值包括：
将所述晶圆上同一列或同一行中相邻的两个发光二极管的所述对比值之差确定为跳动值。
5.根据权利要求1至3任一项所述的异常检测方法，其特征在于，所述光电参数还包括发光二极管发出的光的波长，所述获取晶圆上各个发光二极管的光电参数的测试值和回测值之后，还包括：
确定各发光二极管的波长差值，所述波长差值为所述测试值中的波长与所述回测值中的波长之差；
若所述波长差值在设定范围外，则重新获取晶圆上各个发光二极管的光电参数的测试值和回测值。
6.一种光电参数的异常检测装置，其特征在于，所述异常检测装置包括：
获取模块，用于获取晶圆上各个发光二极管的光电参数的测试值和回测值，所述测试值和所述回测值为采用不同测试机分别测试得到的数据；
第一确定模块，用于确定同一颗发光二极管的测试值和回测值的对比值，所述对比值用于指示测试值和回测值之间的变化幅度；
第二确定模块，用于将相邻两个发光二极管的所述对比值之差确定为跳动值；
判定模块，用于若所述跳动值超出设定幅度，则确定所述晶圆的测试值存在异常。
7.根据权利要求6所述的异常检测装置，其特征在于，所述光电参数为发光二极管的亮度值时，所述对比值为所述测试值与所述回测值之差与所述回测值的比值。
8.根据权利要求6所述的异常检测装置，其特征在于，所述光电参数为发光二极管的电压时，所述对比值为所述测试值与所述回测值之差。
9.根据权利要求6至8任一项所述的异常检测装置，其特征在于，所述第二确定模块还用于将所述晶圆上同一列或同一行中相邻的两个发光二极管的所述对比值之差确定为跳动值。
10.根据权利要求6至8任一项所述的异常检测装置，其特征在于，所述光电参数还包括发光二极管发出的光的波长，所述异常检测装置还包括第三确定模块，所述第三确定模块用于确定各发光二极管的波长差值，所述波长差值为所述测试值中的波长与所述回测值中的波长之差；所述获取模块还用于若所述波长差值在设定范围外，则重新获取晶圆上各个发光二极管的光电参数的测试值和回测值。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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