下面参照图1~图23对各实施例加以说明。
实施例1
图1表示本实施例的结构图。图中,用与图24相同的符号表示相同或相当的部分。在本实施例中,辅助线圈8设置于直流电弧炉5的侧壁,以产生与由供电电路的一部分做成的供电导体3在可动电极6的电弧发生点产生的磁场B1反方向的磁场B2。
该辅助线圈8是,从可控硅整流器2的正极侧(+),使与配设在电弧炉底7的供电导体相同的导体平行于供电电路所成的面,而且沿着直流电弧炉5的长度方向弯折形成∏字形状(E-F-G-H)。这里,所谓供电导体3,是连接可动电极6和平滑用的扼流圈4之间、平滑用扼流圈4和可控硅整流器2之间、还有连接可控硅整流器2和辅助线圈之间的导体3的总称。在下面各实施例中,导体、即供电导体。
由供电装置(可控硅整流器2)通过供电导体3在可移动电极6和炉底电极7之间施加直流电压,即在直流电弧炉5内产生直流电弧。这时,流过供电导体的直流电流I在直流电弧炉5内产生磁场B1,同样,直流电流I在辅助线圈8产生磁场B2。辅助线圈8被设置于供电电路,以产生与磁场B1反向的磁场B2。因此,磁场B1和B2互相抵销,磁场B1对可动电极6发生的直流电弧的影响消除了。
图2表示影响可动电极6发生的直流电弧的磁场B1和辅助线圈8产生的磁场B2的矢量图。在图中,供电导体3和辅助线圈8产生的磁场B1和B2成为大小相等、反方向作用的矢量。因此,磁场B1和B2互相抵销,可动电极6的电弧发生点发生的直流电弧不受磁场B1的影响,直流电弧放电方向可以控制在垂直下方。
实施例2
上述实施例1中辅助线圈8被固定于规定的位置,但是,在本实施例中,随着可动电极6的上下移动,辅助线圈8也上下移动。图3为本实施例的电弧控制装置的结构图。图中和图1相同的符号表示相同或相当的部分。辅助线圈8被设置于直流电弧炉5的侧壁,以产生与供电导体在可动电极6的电弧发生点产生的磁场反向的磁场,由辅助线圈移动装置9使辅助线圈8沿直流电弧炉上下移动。
在可动电极6上下移动时,用辅助线圈移动装置9使辅助线圈8移动,就能够使辅助线圈8产生的磁场B2跟踪电弧发生点。
在这种情况下,辅助线圈8设置得使所发生的磁场B2与供电导体3发生的磁场B1反向。从而,即使由于可移动电极6的移动导致电弧发生点的位置移动,在该位置供电导体3产生的磁场B1’和辅助线圈8产生的磁场B2大小相等、方向相反,因而磁场B1’和B2互相抵销,可移动电极6产生的直流电弧不受磁场B1’的影响。
图4表示对可移动电极6产生的直流电弧发生影响的磁场B1’和辅助线圈8产生的磁场B2的矢量图。在图中,可移动电极6向上移动时,供电导体3和辅助线圈8产生的磁场B1’和B2是大小相等,作用在相反方向上的矢量。
因此,磁场B1’和磁场B2的矢量一合成即互相抵销,可以控制得使其对可移动电极6产生的直流电弧没有影响。从而,在本实施例的结构下,即使由于可移动电极6的上下移动,使电弧发生位置有大的变化,也能够控制直流电弧的放电方向垂直向下,同时,能够将直流电弧的发生方向严格地控制在某一范围内,因此能够使直流电弧均等地对被熔解物放电,从而能够在短时间内高效率地进行熔炼。
实施例3
上面,在实施例1,供电电路的一水平方向上供电导体3的一部分被引导形成辅助线圈8,而在本实施例中将又一个辅助线圈8’经供电电路与已有的辅助线圈8隔着直流电弧炉5并联连接、配置于对面。亦即,在本实施例,在直流电弧炉5的侧壁设置辅助线圈8,以在与供电导体3于可移动电极6的电弧发生点发生的磁场方向相反的方向上产生磁场,同时与辅助线圈8夹着直流电弧炉5相对地设置另一辅助线圈8’。而且另一辅助线圈8’产生的磁场与供电导体3在可移动电极6的电弧发生点产生的磁场相同方向。
图5表示本实施例的结构图。与直流电弧炉5的一侧形成的辅助线圈8相对,又一辅助线圈8’配置于直流电弧炉5的另一侧,并且与辅助线圈8并联。确定线圈的方向,使辅助线圈8’产生的磁场B3与辅助线圈8产生的磁场B2相同方向。
直流电流I一流入供电导体3,供电电路即产生磁场B1。这时,直流电流I向辅助线圈8和辅助线圈8’分流,分别流过大小相等的电流I1和I2。设置辅助线圈8、8’,使得电流I1和I2分别流过辅助线圈8和辅助线圈8’产生的磁场B2和B3为磁场B1的1/2,并且与磁场B1的方向相反。
供电导体3发生的磁场B1和辅助线圈8、8’发生的合成磁场B2+B3是大小相等、方向相反的磁场,因此,磁场B1和合成磁场B2+B3的矢量合成互相抵销,可移动电极6对直流电弧的影响不存在了。
图6表示由可移动电极引起的对直流电弧发生影响的磁场B1和合成磁场B2+B3的矢量图。在图中,由供电导体3和辅助线圈8、8’产生的磁场B1和合成磁场B2+B3是大小相等、方向相反的矢量。因此,可以控制得使磁场B1和磁场B2+B3的矢量合成后互相抵销,可移动电极6对直流电弧没有影响。
从而,采用本实施例,可以将可移动电极电弧发生点P的直流电弧放电方向控制得垂直向下,可以在比用单侧辅助线圈更广的范围内充分消除磁场B1。
实施例4
如上所述,在实施例3中辅助线圈8、8’固定于规定位置,而在本实施例中,辅助线圈8、8’随着可移动电极6的上下移动而上下移动。
图7为本实施例的电弧控制装置的结构图。在图中,与图5相同的符号表示相同或相当的部分。辅助线圈8、8’借助于辅助线圈移动装置9沿着直流电弧炉5上下移动。
流过供电导体3的直流电流I发生磁场B1。这时,如果可移动电极6上下移动引起磁场B1上下移动,可以用辅助线圈移动装置9使辅助线圈8、8’跟踪直流电弧的位置移动。
在该情况下,设置辅助线圈,使得直流电流I1与I2相等,直流电流I1、I2产生的磁场B2、B3分别为磁场B1的1/2、且方向与磁场B1相反。从而,供电导体3产生的磁场B1和辅助线圈8、8’产生的磁场B2、B3的和大小相等、方向相反,磁场B1和合成磁场B2+B3的矢量合成后互相抵销,可移动电极6对直流电弧的影响消失。
图8表示本实施例中的可移动电极6产生的对直流电弧发生影响的磁场B1和合成磁场B2+B3的矢量图。在图中,可移动电极6向上移动的情况下供电导体3和辅助线圈8、8’发生的磁场B1’和合成磁场B2+B3为大小相等、方向相反的矢量。从而,可以控制得使磁场B1’和合成磁场B2+B3的矢量合成后互相抵销,可移动电极6对直流电弧的影响消失。
采用本实施例,即使由于可移动电极上下移动,直流电弧产生位置有很大变化,也能够将直流电弧放电方向控制于垂直向下方向,同时可以使直流电弧均等地对着电弧炉内的被熔解物体11放电,在短时间内高效率地将其熔解。
实施例5如上所述,在实施例3使辅助线圈8、8’的设置角度相对于磁场B1的方向成平行,而在本实施例中,两个辅助线圈8、8’在相对于供电电路成水平的方向上,像挟住可移动电极似的以某一角度设置于电弧炉底下。两个辅助线圈8、8’向着规定角度上方的可移动电极电弧发生点发生磁场,该磁场充分抵销供电导体在可移动电极的电弧发生点发生的磁场,使可移动电极产生的电弧垂直向下。
图9为本实施例的电弧控制装置的结构图。在本实施例,如图9所示,使辅助线圈8、8’的设置角度相对于磁场B1方向成某一角度θ,分流到各辅助线圈的直流电流I1和I2相等,并且设定辅助线圈8。8’的匝数,使直流电流I1、I2产生的磁场B2、B3分别为磁场B1的1/(2cosθ)。
图10为本实施例中对可移动电极6放电的直流电弧产生影响的磁场B1和相对于磁场B1的方向设置于某一角度θ的辅助线圈8、8’发生的磁场B2、与B3的合成矢量。
在图中,产生与磁场B1成θ角的磁场B2,B2沿着垂直于辅助线圈8平面的中心轴指向可移动电极电弧发生点P的方向,又产生沿着从该P点垂直指向辅助线圈8′平面中心的方向、与磁场B1成θ角的磁场B3。结果是,使磁场B2和B3的合成矢量作用于与磁场B1成180度的相反方向上,以使其互相抵销,从而可以使电弧放电的方向垂直朝下。
本实施例的结构是,辅助线圈8和8’设置于电弧炉的下部,使辅助线圈平面的垂直中心轴通过可移动电极电弧发生点P,且与磁场B1成θ角设置,因此与实施例3相同,可以将直流电弧放电的方向控制于垂直向下的方向,同时,可以减少电弧炉侧面的用于设置辅助线圈的空间,因而,便于出炉等炉前操作。
实施例6
如上所述,在实施例5,辅助线圈8、8’固定于规定位置,而在本实施例中,辅助线圈8、8’随着可移动电极6的上下移动而上下移动。图11为本实施例的电弧控制装置的结构图。图中与图9相同的符号表示相同或相当的部分。辅助线圈8、8’借助于辅助线圈移动装置9沿着直流电弧炉5在上下方向上移动。
图12为对本实施例的可移动电极6放电的直流电弧产生影响的磁场B1和与B1成θ角的,通过可移动电极电弧发生点P的、各辅助线圈8、8’平面的垂直中心轴方向上产生的磁场B2、B3的矢量图。
在图中,使辅助线圈8和辅助线圈8’在辅助线圈移动装置9的作用下随着可移动电极的上下移动而上下移动。使辅助线圈8平面的垂直中心轴通过可移动电极发生点P的方向上形成与磁场B1′成θ角的磁场B2;使从该P点沿着辅助线圈8’平面的垂直中心轴的方向上形成与磁场B1′成θ角的磁场B3。而磁场B2和B3的合成矢量作用于与磁场B1成180度的相反方向上,从而与B1’互相抵销,从而可以使直流电弧的放电方向垂直向下。
采用本实施例,即使由于可移动电极的上下移动,直流电弧发生位置大幅度变化,也能够控制使直流电弧的幅度方向垂直向下,同时能够使直流电弧均等地对电弧炉内的被熔解物体11放电,在短时间内高效率地进行熔炼。
实施例7
如上所述,在实施例3(参照图5),将相同匝数的辅助线圈8、8’夹着供电电路并联连接,来自单一的供电装置的电流I向这两个辅助线圈8、8’分流。在本实施例中,如图13所示,使辅助线圈(第1辅助线圈)8的匝数为辅助线圈(第2辅助线圈)8’的匝数的三倍,又使辅助线圈8’的缠绕方向,如图所示与辅助线圈8的缠绕方向相反。亦即,将依靠供电电路的用于产生磁场的辅助线圈8设置于直流电弧炉5的侧壁,以使其产生,与供电导体在可移动电极6的电弧发生点产生的磁场相反方向的磁场,并且设置另一辅助线圈8’,使供电电路在水平方向上夹着可移动电极,线圈缠绕方向与辅助线圈8相反,缠绕的匝数为辅助线圈8的三倍。
又,辅助线圈8、8’的各自的一端一起连接于炉底电极7,同时,另一端上由分别设置的供电装置、即构成第1供电电路的可控硅整流器2,和另一供电装置、即构成第2供电电路的可控硅整流器2’分别供给直流电流I1、I2。其他结构和实施例3相同。
流经供电导体3的直流电流I产生磁场B1。在这种情况下,设置辅助线圈,使得直流电流I1在辅助线圈8产生的磁场B2约为磁场B1的2/3,但方向相反。而直流电流I2在辅助线圈8’产生的磁场B3约为磁场B1的1/2,方向相同。从而供电导体3产生的磁场B1和辅助线圈8’产生的磁场B3的合成磁场与另一侧的辅助线圈8产生的磁场B2大小相等、方向相反,合成磁场B1+B3和磁场B2互相抵销,可移动电极6对直流电弧不再有影响。再用各供电装置2、2’对直流电流I1、I2的大小进行可变控制,以此可以改变合成磁场B1+B3。
图14表示本实施例中对可移动电极6产生的直流电弧发生影响的合成磁场B1+B3及B2的矢量图。在图中,供电导体3和辅助线圈8、8’产生的合成磁场B1+B3及磁场B2其矢量大小相等、方向相反,合成磁场B1+B3和磁场B2互相抵销,对可移动电极直流电弧不产生影响,因此,可以将直流电弧控制在垂直向下的方向。
而且,可以用供电装置控制改变直流电流I1、I2的大小,从而可以改变辅助线圈8、8’产生的磁场B2和B3的大小,可以控制与磁场B1合成的合成磁场的方向和大小。
采用本实施例,可以使流经各辅助线圈8、8’的直流电流发生变化,从而能够控制使可移动电极电弧发生点的直流电弧放电方向垂直向下,也可以控制使其与磁场B1垂直,而且可以朝两个方向上控制,因此能够使直流电弧机会均等地对电弧炉内的被熔解物体11放电,在短时间内高效率地进行熔炼。
实施例8
如上所述,在实施例7辅助线圈8、8’固定于规定位置,而在本实施例中,辅助线圈8、8’随着可移动电极6的上下移动而上下移动。图15为本实施例的电弧控制装置的结构图。在图中,与图13相同的符号表示相同或相当的部分。辅助线圈8、8’借助于辅助线圈移动装置9沿着直流电弧炉5上下移动。其他与实施例7相同。
本实施例的直流电弧炉由供电装置向可移动电极6施加直流电压,以使电弧炉内发生直流电弧,而供电导体3流过的直流电流I产生磁场B1。这时,如果由于可移动电极6上下移动引起磁场B1上下移动,可以使辅助线圈8、8’移动,跟踪直流电弧的位置。
在这种情况下,设置辅助线圈,使得直流电流I1在辅助线圈8产生的磁场B2约为磁场B1的2/3,且方向相反,而直流电流I2产生的磁场B3约为磁场B1的1/2且方向相同,从而供电导体3产生的磁场B1和辅助线圈8’产生的磁场B3的合成磁场与另一侧的辅助线圈8产生的磁场B2大小相等、方向相反,合成磁场B1+B3与磁场B2互相抵销,不对可移动电极的直流电弧产生影响。而借助于供电装置2、2’对直流电流I1、I2的大小进行控制,以此可以改变合成磁场B1+B3的大小。
图16表示影响本实施例的可移动电极6的直流电弧的磁场B1及磁场B2、B3的矢量图。在可移动电极6向上移动的情况下,供电导体3和辅助线圈8、8’产生的磁场B1’和磁场B3及B2的矢量合成是大小相等、方向相反的矢量,磁场B1’和B3及磁场B2的矢量合成互相抵销,对可移动电极6直流电弧不产生影响。
再者,如果使用供电装置控制直流电流I1、I2,就可以改变辅助线圈8、8’发生的磁场B2和B3的大小,从而可以改变与磁场B1的合成磁场。
采用本实施例,即使由于可移动电极的上下移动,直流电弧的发生位置有变化,也能够控制使直流电弧的放电方向垂直向下,对磁场B1的方向控制在垂直方向,且能够向两个方向控制,同时能够使直流电弧机会均等地对电弧炉内的被熔解物11放电,在短时间内高效率地进行熔炼。
实施例9
如上所述,在第7实施例,以可移动电极6为中心辅助线圈8、8’在供电电路的各水平方向上相对配置,而在本实施例,除了辅助线圈8、8’,如图17所示,还以可移动电极6为中心相对配置着(第3)辅助线圈8”、(第4)辅助线圈8。从而,在直流电弧炉5的周围以90度的间隔就配置着4个辅助线圈8、8’、8”、8,4个辅助线圈8、8’、8”、8的一端都一起连接于炉底电极7,另一端分别连接于构成各供电装置的可控硅整流器2、2’、2”、2的正极(+)。
还有,辅助线圈8由可控硅整流器2供给直流电流I1,辅助线圈8”由构成第3供电电路的可控硅整流器2”供给直流电流I3,辅助线圈8’由可控硅整流器2’供给直流电流I2,而辅助线圈8由构成第4供电电路的可控硅整流器2供给直流电流I4。辅助线圈8的匝数为其他辅助线圈8’、8”、8的匝数的3倍。
所产生的磁场B2的方向与供电电路所产生的磁场B1的方向相反。辅助线圈8右侧90度的辅助线圈8”产生的磁场B4的方向垂直于磁场B2,辅助线圈8”的右侧90度的辅助线圈8’产生的磁场B3的方向与磁场B1相同,而辅助线圈8’的右侧90度的辅助线圈8发生的磁场B5的方向与磁场B4相反。
流经供电导体3的直流电流I在供电电路产生磁场B1。在该情况下,与所述实施例7相同,辅助线圈8、8’发生的磁场B2、B3的大小可以由直流电流I1、I2控制,辅助线圈8”、8产生的磁场B4、B5的大小可以由直流电流I3、I4控制。
图18表示是对本实施例的可移动电极的直流电弧产生影响的磁场B1、以及B2、B3、B4、B5、的矢量的立体图。由于可以对直流电流I1、I2、I3、I4的大小分别加以控制,磁场B1+B3与B2的合成矢量、以及B4和B5的合成的全合成矢量B(={B2-(B1+B3)}+B5-B4)可以控制在所有方向上。图中的情况是B1+B3小于B2、且B4小于B5的情况,在该情况下,可以使影响直流电弧的磁场的矢量合成B发生于如图所示的方向上。
以本实施例的结构,可以将可移动电极的电弧发生点P的直流电弧放电方向控制在垂直向下的方向以及所有的方向。又可以使直流电流I1、I2、I3、I4依序改变,以此使直流电弧的放电方向旋转,使电弧炉内的被熔解物体11均等地得到熔炼。
实施例10
如上所述,在实施例9辅助线圈8、8”、8’、8固定于规定位置,而在本实施例中,辅助线圈8、8”、8’、8随着可移动电极6的上下移动而上下移动。图19为本实施例的电弧控制装置的结构图。在图中,与图17相同的符号表示相同或相当的部分。辅助线圈8、8”、8’8借助于辅助线圈移动装置9沿着直流电弧炉5上下移动。
流经供电导体3的直流电流I产生磁场B1于辅助线圈8。这时,在可移动电极6上下移动引起磁场B1上下移动时,可以用使辅助线圈8上下移动的方法跟踪直流电弧的位置。在这种情况下,与所述实施例7相同,辅助线圈8、8’发生的磁场B2、B3的大小可以由直流电流I1、I2控制,辅助线圈8”、8产生的磁场B4、B5的大小也可以由直流电流I3、I4控制。
图20表示是对本实施例10的可移动电极6的直流电弧产生影响的磁场B1、以及B2、B3、B4、B5、的矢量的立体图。在可移动电极6的上下移动的情况下,使辅助线圈8、8”、8’、8上下移动,可以对直流电流I1、I2、I3、I4的大小分别加以控制,磁场B1+B3与磁场B2的合成矢量、以及B4和B5的合成的全合成矢量B可以控制在所有方向上。图中的情况是可移动电极6向上移动时供电导体3发生的磁场B1’+B3小于B2、且B4小于B5的情况,在该情况下,可以使影响直流电弧的磁场的矢量合成B发生于如图所示的方向上。
从而,采用本实施例,即使由于可移动电极6上下移动而引起直流电弧发生位置的变化,也可以将直流电弧放电方向控制在垂直向下的方向以及所有的方向上。又可以使直流电流I1、I2、I3、I4依序改变,以此使直流电弧的放电方向旋转,使电弧炉内的被熔解物体11机会均等地得到熔炼。
实施例11
图21是本实施例的电弧控制装置的结构图。本装置中将使电压平滑用的扼流圈的一端和将交流电变化为直流电的可控硅整流器的负极用供电导体串联连接构成的4个供电电路,将这4个供电电路作为第1~第4供电电路,以可移动电极为中心以90度的间隔配置在直流电弧炉5的周围。各供电电路的配置,详细地说,就是,将2台构成供电电路的供电装置水平配置于、位于以直流电弧炉5为中心相隔180度的两侧的供电电路上,而且垂直配置于、位于以直流电弧炉5为中心相隔90度的两侧的供电电路上。
而且,在本实施例中所示所谓供电导体是可移动电极6和各平滑扼流圈4、4’、4”、4之间的连接导体3、3’、3”、3,各平滑扼流圈4、4’、4”、4和各可控硅整流器2、2’、2”、2之间的连接导体3、3’、3”、3,各可控硅整流器2、2’、2”、2和炉底电极7之间的连接导体
3、3’、3”、3的总称。从而,在实施例的说明中,将3、3’、3”、3作为供电导体加以说明。
第1供电电路由平滑用扼流圈4、和电弧炉用变压器1连接于交流输入侧的可控硅整流器2,用供电导体3串联连接构成,第2供电电路由平滑用扼流圈4’、和电弧炉用变压器1’连接于交流输入侧的可控硅整流器2’,用供电导体3’串联连接构成,第3供电电路由平滑用扼流圈4”、和电弧炉用变压器1”连接于交流输入侧的可控硅整流器2”,用供电导体3”串联连接构成,第4供电电路由平滑用扼流圈4、和电弧炉用变压器1连接于交流输入侧的可控硅整流器2,用供电导体3串联连接构成。
各供电电路的平滑用扼流圈4、4’、4”和4的另一端都连接于了移动电极6上,可控硅整流器2、2’、2”和2的正极都连接于炉底电极7。供电导体3、3’、3”和3流过的直流电流I1、I2、I3和I4产生磁场B1、B2、B3和B4。在这种情况下,如果I1、I2、I3、和I4相等,则供电导体3、3’、3”和3产生的磁场B1、B2、B3和B4大小相等,磁场的方向分别相差90度,磁场B1、B2、B3和B4互相抵销,不对可移动电极6的直流电弧发生影响。
图22是对实施例11的可移动电极6的直流电弧产生影响的磁场B1、B2、B3和B4的矢量图。图中,供电导体3、3’、3”和3产生的磁场B1、B2、B3和B4大小相等,磁场矢量的方向分别相差90度,磁场B1、B2、B3和B4互相抵销,不对可移动电极6的直流电弧产生影响,因此,可以控制使直流电弧垂直向下。
采用本实施例,不需要产生磁场的线圈,因此,电弧炉周围的供电导体简化,同时,可以将可移动电极电弧发生点的直流电弧放电方向控制为垂直向下。
实施例12
如上所述,实施例11中,流经供电导体3、3’、3”、3流过的直流电流I1、I2、I3、I4的电流大小相等,供电导体3、3’、3”和3产生的磁场B1、B2、B3和B4大小相等。在本实施例中,对流经供电导体3、3’、3”、3的直流电流I1、I2、I3、I4的电流大小加以控制,以改变磁场矢量。
下面参照图21对本实施例加以说明。本实施例考虑对流入供电导体3、3’、3”和3的直流电流I1、I2、I3和I4的电流大小加以控制。流经供电导体3的直流电流I1和流经供电导体3、3’、3”和3的直流电流I1、I2、I3和I4的电流大小不相等的情况下,供电导体3、3’、3”和3产生的磁场B1、B2、B3和B4与直流电流I1、I2、I3和I4成比例地大小不等、而方向分别相差90度。下面以图23对其动作加以说明。
假定I1=I3=I4>I2,供电导体3、3’、3”和3产生的磁场B1、B2、B3和B4大小为,B1=B3=B4>B2,且为方向各相差90度的矢量,磁场B1、B2、B3和B4的合成矢量B1234在B4的方向上以B1234的大小起作用,对可移动电极的直流电弧,在B4的方向上、以B1234的磁场大小施加磁场影响。从而,可以用控制直流电流I1、I2、I3和I4的方法将直流电弧控制在任意方向上。
采用本实施例,可以将可移动电极电弧发生点的直流电弧放电方向控制为垂直向下和所有方向。借助于使直流电流I1、I2、I3、I4依序变化的方法,可以使直流电弧的放电方向旋转,使电弧炉内的被熔解物体11均等地得到熔炼。上述说明中辅助线圈全部作成方形,但是也可以是其他形状,例如圆形和椭圆形。
采用本发明,供电导体和辅助线圈产生的磁场B1和B2为大小相等、方向相反的矢量,因此,磁场B1和B2互相抵销,可移动电极的电弧发生点发生的直流电弧不受磁场B1的影响,可以将直流电弧的放电方向控制于垂直向下的方向。
采用本发明,构成供电电路的供电导体被做成线圈形状,形成辅助线圈,因此供电电路中辅助线圈的设置变得容易了。
采用本发明,即使由于可移动电极的移动引起磁场位置的移动,由于磁场B1和磁场B2大小相等方向相反,因而磁场B1和B2互相抵销,可移动电极的直流电弧不受磁场B1的影响。
采用本发明,由于不需要产生磁场的线圈,可以将电弧炉周围的供电导体简化。