CN115903940A - 应用于激光退火系统的温度控制方法和激光退火系统 - Google Patents

Abstract

本发明的实施例提供一种应用于激光退火系统的温度控制方法和激光退火系统，涉及激光退火领域。该方法中，温度检测模块检测晶圆表面的温度，并生成指示晶圆表面的温度的温度信号；温度控制模块根据温度信号和预设温度值生成模拟电压信号，并向激光发生模块发送模拟电压信号；在激光发生模块的激光照射位置进入晶圆表面的退火区域时，激光发生模块根据模拟电压信号产生目标功率的激光，目标功率的激光用于对晶圆进行退火，并且使得晶圆表面的温度达到预设温度值；在激光发生模块的激光照射位置离开晶圆表面的退火区域时，激光发生模块根据预设模拟电压产生预设功率的激光，预设功率小于目标功率。本方案能够提升激光退火温度的稳定性和准确性。

Description

应用于激光退火系统的温度控制方法和激光退火系统

技术领域

本发明涉及激光退火领域，具体而言，涉及一种应用于激光退火系统的温度控制方法和激光退火系统。

背景技术

随着超大规模集成电路制造技术、新型薄膜晶体管显示技术和大面积有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，OLED）显示技术的日益成熟和规模化，激光退火技术逐渐取代传统的退火技术（例如，炉管退火、快速热退火、尖峰退火、快闪退火等）成为新一代主流退火技术。

在微纳光学和微纳制造领域，激光退火可以实现对样品微小区域的精准退火，对热量进行精确的控制，从而实现更加精细的结构的制备。在钙钛矿电池、学属微纳结构、氧化钛纳米材料、二维材料等等众多需要微纳加工的方向，都是激光退火的重要应用领域。在成熟的半导体工业界，激光退火设备将更加广泛的应用于各类半导体器件的工艺制作。

目前，在使用激光对晶圆进行激光退火时，温度控制不够稳定和准确。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种应用于激光退火系统的温度控制方法和激光退火系统，能够提升激光退火温度的稳定性和准确性。

为了实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本发明提供一种应用于激光退火系统的温度控制方法。所述激光退火系统包括：温度检测模块、温度控制模块和激光发生模块。第一方面所述的方法包括：S110，温度检测模块对晶圆表面的温度进行检测，并生成用于指示晶圆表面的温度的温度信号，以及将温度信号发送至温度控制模块；S120，温度控制模块根据温度信号和预设温度值生成模拟电压信号，并向激光发生模块发送模拟电压信号；其中，模拟电压信号用于指示激光发生模块产生目标功率的激光；S130，在激光发生模块的激光照射位置进入晶圆表面的退火区域时，激光发生模块根据模拟电压信号产生目标功率的激光；其中，目标功率的激光用于对晶圆进行退火，并且使得晶圆表面的温度达到预设温度值；S140，在激光发生模块的激光照射位置离开晶圆表面的退火区域时，激光发生模块根据预设模拟电压产生预设功率的激光，预设功率小于目标功率。

第二方面，本发明提供一种激光退火系统，包括：温度检测模块、温度控制模块和激光发生模块；其中，温度检测模块，用于对晶圆表面的温度进行检测，并生成用于指示晶圆表面的温度的温度信号，以及将温度信号发送至温度控制模块；温度控制模块，用于根据温度信号和预设温度值生成模拟电压信号，并向激光发生模块发送模拟电压信号；其中，模拟电压信号用于指示激光发生模块产生目标功率的激光；在激光发生模块的激光照射位置进入晶圆表面的退火区域时，激光发生模块，用于根据模拟电压信号产生目标功率的激光；其中，目标功率的激光用于对晶圆进行退火，并且使得晶圆表面的温度达到预设温度值；在激光发生模块的激光照射位置离开晶圆表面的退火区域时，激光发生模块，还用于根据预设模拟电压产生预设功率的激光，预设功率小于目标功率。

可选的，激光退火系统还包括阻挡件；其中，在激光发生模块的激光照射位置离开晶圆表面的退火区域时，阻挡件，用于遮挡激光发生模块产生的激光。

可选的，预设功率与目标功率之间的差值小于预设值。

可选的，温度检测模块包括光学倍镜、固体半导体检测器；光学倍镜用于对晶圆表面反射的光线进行聚焦，并将聚焦后的光线照射固体半导体检测器；固体半导体检测器，用于通过光学倍镜获取晶圆表面反射的光线，并根据获取的晶圆表面反射的光线确定晶圆表面的温度，以及生成温度信号。

可选的，固体半导体检测器包括铟镓砷探测器。

可选的，晶圆设置于可移动工件台上，激光发生模块生成的激光以非垂直入射角度照射晶圆。

可选的，激光退火系统还包括相机；在激光发生模块产生的激光对晶圆进行退火时，相机用于拍摄晶圆表面的图像；激光发生模块用于根据图像中激光的光斑形状进行调整，以使激光发生模块产生的激光的形状为圆形。

第三方面，本发明提供一种计算机可读存储介质，包括计算机程序，当所述计算机程序在计算机上运行时，使得第一方面所述的方法被执行。

应理解，当利用激光退火系统对晶圆进行退火时，激光会在晶圆表面进行扫描，也即是激光会不断地进入和离开晶圆表面的退火区域。在上述第一方面所述的方法中，在激光发生模块的激光照射位置进入晶圆表面的退火区域时，激光发生模块根据模拟电压信号产生目标功率的激光，以对晶圆进行退火；在激光发生模块的激光照射位置离开晶圆表面的退火区域时，激光发生模块根据预设模拟电压产生预设功率的激光，预设功率小于目标功率。换句话说，激光发生模块的激光照射位置离开晶圆表面的退火区域时，并不会关闭激光而是将激光的功率调小，这样既能够有效地避免激光的功率过大起伏而导致的激光的温度控制不稳定和准确，又能够有效地降低功耗。因此，本发明实施例提供的技术方案能够提升在利用激光对晶圆进行退火时激光退火温度的稳定性和准确性。

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举本发明实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明实施例提供的激光退火系统的模块示意图；

图2为本发明实施例提供的一种应用于激光退火系统的温度控制方法的流程示意图；

图3示出了本发明实施例提供的一种应用于激光退火系统的温度控制装置的功能模块图。

附图标记说明：100-激光退火系统；110-温度检测模块；111-光学倍镜；112-固体半导体检测器；120-温度控制模块；130-激光发生模块；131-二氧化碳激光器；132-光学镜片；140-阻挡件；150-相机；160-工控机；200-晶圆；300-温度控制装置；310-收发单元；320-处理单元。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明的实施例中的特征可以相互结合。

本发明实施例提供一种技术方案，该技术方案包括应用于激光退火系统的温度控制方法和激光退火系统。下面将结合附图，对本发明提供的技术方案进行说明。

首先，介绍本发明实施例提供的一种激光退火系统。请参照图1，图1为本发明实施例提供的激光退火系统的模块示意图。该激光退火系统100包括：温度检测模块110、温度控制模块120和激光发生模块130。在一个实施例中，温度检测模块110，用于对晶圆200表面的温度进行检测，并生成用于指示晶圆200表面的温度的温度信号，以及将温度信号发送至温度控制模块120；温度控制模块120，用于根据温度信号和预设温度值生成模拟电压信号，并向激光发生模块130发送模拟电压信号；其中，模拟电压信号用于指示激光发生模块130产生目标功率的激光；在激光发生模块130的激光照射位置进入晶圆200表面的退火区域时，激光发生模块130，用于根据模拟电压信号产生目标功率的激光；其中，目标功率的激光用于对晶圆200进行退火，并且使得晶圆200表面的温度达到预设温度值；在激光发生模块130的激光照射位置离开晶圆200表面的退火区域时，激光发生模块130，还用于根据预设模拟电压产生预设功率的激光，预设功率小于目标功率。关于该实施例的具体描述请参照下文图2所示的方法实施例。

在一个实施例中，晶圆200设置于可移动工件台上。更具体的，如图1所示，所述晶圆200设置于加热盘上，所述加热盘设置于可移动工件台上。在利用激光发生模块130对晶圆200进行退火时，可移动工件台可以移动从而带动晶圆200移动，以使激光在晶圆200表面进行扫描，也即是激光会不断地进入和离开晶圆200表面的退火区域。

在可选的实施例中，激光发生模块130生成的激光以非垂直入射角度照射晶圆200。其中，激光发生模块130生成的激光以75°布鲁斯特角倾斜照射晶圆200。

在一个实施例中，如图1所示，温度检测模块110包括光学倍镜111和固体半导体检测器112。其中，激光在照射到晶圆200表面后，将产生热辐射波（也即是反射的光线）并向光学倍镜111照射。光学倍镜111可以用于对晶圆200表面反射的光线（也即是激光）进行聚焦，并将聚焦后的光线照射向固体半导体检测器112。

在一个实施例中，固体半导体检测器112包括：铟镓砷（InGaAs）探测器和高温计。其中，铟镓砷探测器与高温计耦合，铟镓砷探测器用于接收经过光学倍镜111聚焦后的晶圆200表面反射的光线，然后高温计用于通过铟镓砷探测器对该光线的温度进行检测，从而获取晶圆200表面的温度的数字信号，并通过数模转换将所述数字信号转换为指示所述晶圆200表面的温度的温度信号。在该实施例中，通过设置能够对晶圆200表面反射的光线进行聚焦的光学倍镜111，使得固体半导体检测器112接收的晶圆200表面反射的光线更加聚集，从而使得固体半导体检测器112所检测出的温度更加准确，进而能够提升激光退火温度的准确性。

在一个实施例中，光学倍镜111为焦距可调的倍镜。

在一个实施例中，固体半导体检测器112包括2个铟镓砷探测器。此时，该实施例可以认为是一种双热播辐射侦测方式。

在一个实施例中，固体半导体检测器112的检测频率大于25千赫兹（KHZ）。

在一个实施例中，图1所示的激光退火系统100还包括阻挡件140，激光发生模块130包括二氧化碳（CO2）激光器131和光学镜片132。所述阻挡件140可以用于阻挡激光发生模块130生成的激光。例如，阻挡件140包括快门（shutter），快门可以设置于光学镜片132前。通过驱动快门的开启和关闭，可以允许二氧化碳激光器131生成的激光通过或者阻挡二氧化碳激光器131生成的激光。其中，二氧化碳激光器131生成的激光经过光学镜片132的整形、聚焦后将通过阻挡件140入射到所述晶圆200的表面。

在一个实施例中，图1所示的激光退火系统100还包括相机150。在激光发生模块130产生的激光对晶圆200进行退火时，可以利用相机150拍摄晶圆200表面的图像。并且，可以根据所述图像中激光的光斑形状对激光发生模块130进行调整，例如通过对激光发生模块130的参数（包括聚焦参数和整形参数等）进行调整，以使激光发生模块130产生的激光的形状为圆形。所述相机150包括但不限于电荷耦合器件（charge coupled device，CCD）照相机。可以理解，通过相机150收集晶圆200上的光斑大小、尺寸、形状以及激光的光强，能够起到调整激光光斑形状，使得激光光斑更加均匀的效果。

在一个实施例中，温度控制模块120包括比例、积分和微分（ProportionalIntegral Derivative，PID）温度控制器。PID控制器可以获取预设温度值，以及接收来自温度检测模块110的温度信号，以及根据所述温度信号和所述预设温度值生成所述模拟电压信号。其中，图1所示的激光退火系统100还包括工控机160，所述工控机160中可以存储有预设温度值。PID控制器可以从工控机160处获取该预设温度值。可以理解，工控机160可以被人工操作，从而修改其中存储的预设温度值的大小。

在一个实施例中，PID控制器的控制频率至少为10千赫兹，也即是说，PID以至少10千赫兹的频率根据所述温度信号和所述预设温度值生成所述模拟电压信号，并向所述激光发生模块130发送所述模拟电压信号。并且，PID控制器对所述激光发生模块130的功率的调节为闭环调节。

在图1示出的激光退火系统100的基础上，本发明实施例还提供一种温度控制方法，可以应用于上述激光退火系统100。具体的，图1所示的激光退火系统100可以包括一个用于控制其他模块（包括上述的温度检测模块110、温度控制模块120和激光发生模块130等）的上位机，所述温度控制方法可以由该上位机执行以实现所述温度控制方法。

请参见图2，图2为本发明实施例提供的一种应用于激光退火系统的温度控制方法的流程示意图。该方法可以包括以下步骤S110~S140，下面分别说明。

S110，温度检测模块110对晶圆200表面的温度进行检测，并生成用于指示晶圆200表面的温度的温度信号，以及将温度信号发送至温度控制模块120。

在可选的实施例中，温度检测模块110包括光学倍镜111、固体半导体检测器112。光学倍镜111用于对晶圆200表面反射的光线进行聚焦，并将聚焦后的光线照射固体半导体检测器112。其中，S110包括：固体半导体检测器112通过光学倍镜111获取晶圆200表面反射的光线，并根据获取的晶圆200表面反射的光线确定晶圆200表面的温度，以及生成温度信号。在该实施例中，通过设置能够对晶圆200表面反射的光线进行聚焦的光学倍镜111，使得固体半导体检测器112接收的晶圆200表面反射的光线更加聚集，从而使得固体半导体检测器112所检测出的温度更加准确，进而能够提升激光退火温度的准确性。

在一个可选的实施例中也可以通过光电倍增管来检测温度。但是光电倍增管存在着以下问题：

1，光电倍增管的灵敏度因强光照射或因照射时间过长而降低，停止照射后又部分地恢复，且光阴极表面各点灵敏度不均匀。因此，光电倍增管的温度检测精度不稳地。

2，光电倍增管需要搭配信号放大器使用，同时需要将该信号经过现场可编程逻辑门阵列（Field Programmable Gate Array，FPGA）算法处理来调节激光器功率输出。因此，光电倍增管的温度检测方式复杂。

3，光电倍增管的温度检测方式需要性能更强的处理器。

4，光电倍增管的温度检测方式结构复杂，且光电倍增管与放大器假如出现任何一个衰减或者放大异常问题，则设备温度线性经常需要重新调节，每一次调节后，工艺都需要长时间验证。

因此，相较于通过光电倍增管来检测温度，本发明实施例采用的固体半导体检测器112能够提升温度检测以及温度控制的准确性和稳定性，并简化系统100的结构。

S120，温度控制模块120根据温度信号和预设温度值生成模拟电压信号，并向激光发生模块130发送模拟电压信号。

具体的，温度控制模块120确定温度信号和预设温度值的差值，然后利用PID调节算法并根据所述温度信号和预设温度值的差值生成所述模拟电压信号，最后向激光发生模块130发送模拟电压信号。换句话说，温度信号和预设温度值的差值可以认为是所述PID调节算法的误差信号，所述模拟电压信号可以认为是所述PID调节算法的控制输出量。

其中，模拟电压信号用于指示激光发生模块130产生目标功率的激光。

S130，在激光发生模块130的激光照射位置进入晶圆200表面的退火区域时，激光发生模块130根据模拟电压信号产生目标功率的激光。

其中，目标功率的激光用于对晶圆200进行退火，并且使得晶圆200表面的温度达到预设温度值。

S140，在激光发生模块130的激光照射位置离开晶圆200表面的退火区域时，激光发生模块130根据预设模拟电压产生预设功率的激光，预设功率小于目标功率。

可以理解，在S130和S140中，激光发生模块130的激光照射位置离开晶圆200表面的退火区域时，不会关闭激光而是将激光的功率调小。等到激光发生模块130的激光照射位置再次进入晶圆200表面的退火区域时，将会再次将激光的功率调高至目标功率。

在一个实施例中，在激光发生模块130的激光照射位置离开晶圆200表面的退火区域时，还可以改变所述预设温度值的大小、改变所述预设模拟电压的大小、改变光路衰减器旋转角度等参数。

在可选的实施例中，预设功率与目标功率之间的差值小于预设值。其中，预设值的大小可以根据激光退火的需求设置，例如，当激光退火的需求高（也即是需要更好的退火质量时），预设值可以设置的较小。当激光退火的需求低，预设值可以设置的较大，从而节省功耗。

在可选的实施例中，激光退火系统还包括阻挡件140。其中，图2所示的方法还包括：S150,在激光发生模块130的激光照射位置离开晶圆200表面的退火区域时，利用阻挡件140遮挡激光发生模块130产生的激光。在该实施例中，所述阻挡件140可以用于阻挡激光发生模块130生成的激光。例如，阻挡件140包括快门，快门可以设置于光学镜片132前。通过驱动快门的开启和关闭，可以允许二氧化碳激光器131生成的激光通过或者阻挡二氧化碳激光器131生成的激光。如此一来，可以避免在不需要对晶圆200进行退火时，激光照射到晶圆200表面，从而提升退火效果。

在可选的实施例中，激光退火系统还包括相机150。图2所示的方法还包括：S160,在激光发生模块130产生的激光对晶圆200进行退火时，利用相机150拍摄晶圆200表面的图像；S170,根据图像中激光的光斑形状对激光发生模块130进行调整，以使激光发生模块130产生的激光的形状为圆形。在该实施例中，通过相机150收集晶圆200上的光斑大小、尺寸、形状以及激光的光强，能够起到调整激光光斑形状，使得激光光斑更加均匀的效果。

应理解，在上述方法实施例中，在激光发生模块130的激光照射位置进入晶圆200表面的退火区域时，激光发生模块130根据模拟电压信号产生目标功率的激光，以对晶圆200进行退火；在激光发生模块130的激光照射位置离开晶圆200表面的退火区域时，激光发生模块130根据预设模拟电压产生预设功率的激光，预设功率小于目标功率。换句话说，激光发生模块130的激光照射位置离开晶圆200表面的退火区域时，并不会关闭激光而是将激光的功率调小，这样既能够有效地避免激光的功率过大起伏而导致的激光的温度控制不稳定和准确，又能够有效地降低功耗。因此，本发明实施例提供的技术方案能够提升在利用激光对晶圆200进行退火时激光退火温度的稳定性和准确。并且根据上文说明，本发明实施例提供的技术方案还具有采样频率快、闭环调温快等特点。以及能够根据需求调整预设温度值，以及通过PID调节方式可以满足温度稳定性。因此，整个方法为激光退火系统提供了精确地温度控制，从而满足客户对工艺的需求。

为了执行上述实施例及各个可能的方式中的相应步骤，下面给出一种温度控制装置的实现方式，请参阅图3，图3示出了本发明实施例提供的一种应用于激光退火系统的温度控制装置300的功能模块图。该温度控制装置300可以用于实现上述图2所示的方法。需要说明的是，本实施例所提供的一种温度控制装置300，其基本原理及产生的技术效果和上述实施例相同，为简要描述，本实施例部分未提及之处，可参考上述的实施例中相应内容。该温度控制装置300可以包括：收发单元310和处理单元320。

可选地，图1所示的激光退火系统100可以包括一个用于控制其他模块（包括温度检测模块110、温度控制模块120和激光发生模块130等）的上位机。上述单元可以软件或固件（Firmware）的形式存储于存储器中或固化于本发明提供的图1所示的激光退火系统100的上位机的操作系统（Operating System，OS）中，并可由所述上位机中的处理器执行。同时，执行上述单元所需的数据、程序的代码等可以存储在存储器中。

可以理解的是，收发单元310和处理单元320可以用于支持所述上位机执行上述方法实施例中相关的步骤，和/或用于本文所描述的技术的其他过程，比如上述图1所示的方法实施例以及上述记载的各个方法实施例，对此不作限定。

基于上述方法实施例，本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器运行时执行上述方法实施例。具体地，该存储介质可以为通用的存储介质，如移动磁盘、硬盘等，该存储介质上的计算机程序被运行时，能够执行上述实施例中的方法，从而解决“目前，在使用激光对晶圆进行激光退火时，温度控制不够稳定和不够准确”的问题，能够提升激光退火温度的稳定性和准确性。

以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种应用于激光退火系统的温度控制方法，其特征在于，所述激光退火系统包括：温度检测模块、温度控制模块和激光发生模块；其中，所述方法包括：

S110，所述温度检测模块对晶圆表面的温度进行检测，并生成用于指示所述晶圆表面的温度的温度信号，以及将所述温度信号发送至所述温度控制模块；

S120，所述温度控制模块根据所述温度信号和预设温度值生成模拟电压信号，并向所述激光发生模块发送所述模拟电压信号；其中，所述模拟电压信号用于指示所述激光发生模块产生目标功率的激光；

S130，在所述激光发生模块的激光照射位置进入所述晶圆表面的退火区域时，所述激光发生模块根据所述模拟电压信号产生所述目标功率的激光；其中，所述目标功率的激光用于对所述晶圆进行退火，并且使得所述晶圆表面的温度达到所述预设温度值；

S140，在所述激光发生模块的激光照射位置离开所述晶圆表面的退火区域时，所述激光发生模块根据预设模拟电压产生预设功率的激光，所述预设功率小于所述目标功率。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光退火系统还包括阻挡件；其中，所述方法还包括：

S150，在所述激光发生模块的激光照射位置离开所述晶圆表面的退火区域时，利用所述阻挡件遮挡所述激光发生模块产生的激光。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设功率与所述目标功率之间的差值小于预设值。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述温度检测模块包括光学倍镜、固体半导体检测器；所述光学倍镜用于对所述晶圆表面反射的光线进行聚焦，并将聚焦后的光线照射所述固体半导体检测器；

其中，所述温度检测模块对晶圆表面的温度进行检测，并生成用于指示所述晶圆表面的温度的温度信号的步骤，包括：

所述固体半导体检测器通过所述光学倍镜获取所述晶圆表面反射的光线，并根据获取的晶圆表面反射的光线确定所述晶圆表面的温度，以及生成所述温度信号。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述固体半导体检测器包括铟镓砷探测器。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圆设置于可移动工件台上，所述激光发生模块生成的激光以非垂直入射角度照射所述晶圆。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光退火系统还包括相机；所述方法还包括：

S160，在所述激光发生模块产生的激光对所述晶圆进行退火时，利用所述相机拍摄所述晶圆表面的图像；

S170，根据所述图像中激光的光斑形状对所述激光发生模块进行调整，以使所述激光发生模块产生的激光的形状为圆形。

8.一种激光退火系统，其特征在于，包括温度检测模块、温度控制模块和激光发生模块；其中，所述温度检测模块，用于对晶圆表面的温度进行检测，并生成用于指示所述晶圆表面的温度的温度信号，以及将所述温度信号发送至所述温度控制模块；

所述温度控制模块，用于根据所述温度信号和预设温度值生成模拟电压信号，并向所述激光发生模块发送所述模拟电压信号；其中，所述模拟电压信号用于指示所述激光发生模块产生目标功率的激光；

在所述激光发生模块的激光照射位置进入所述晶圆表面的退火区域时，所述激光发生模块，用于根据所述模拟电压信号产生所述目标功率的激光；其中，所述目标功率的激光用于对所述晶圆进行退火，并且使得所述晶圆表面的温度达到所述预设温度值；

在所述激光发生模块的激光照射位置离开所述晶圆表面的退火区域时，所述激光发生模块，还用于根据预设模拟电压产生预设功率的激光，所述预设功率小于所述目标功率。

9.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，还包括阻挡件；其中，在所述激光发生模块的激光照射位置离开所述晶圆表面的退火区域时，所述阻挡件，用于遮挡所述激光发生模块产生的激光。

10.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，所述预设功率与所述目标功率之间的差值小于预设值。

Images