CN115902723A - 磁场检测装置 - Google Patents

Abstract

本发明的磁场检测装置具备基板、第一凸部、第二凸部、第一磁阻效应膜、第二磁阻效应膜、第一布线和第二布线。基板包括平坦面。第一凸部和第二凸部各自包括第一斜面和第二斜面，并且各自设置在平坦面上，第一斜面对平坦面倾斜，第二斜面对平坦面和第一斜面的双方倾斜。第一磁阻效应膜设置在第一斜面上，第二磁阻效应膜设置在第二斜面上。第一布线连接设置在第一凸部的第一斜面上的第一磁阻效应膜与设置在第二凸部的第一斜面上的第一磁阻效应膜，第二布线连接设置在第一凸部的第二斜面上的第二磁阻效应膜与设置在第二凸部的第二斜面上的第二磁阻效应膜。第一布线与第二布线在第一斜面和第二斜面的至少一方上交叉。

Description

磁场检测装置

技术领域

本发明涉及一种具备磁阻效应元件的磁场检测装置。

背景技术

迄今为止，已经提出了一些使用磁阻效应元件的磁场检测装置。例如在专利文献1中，公开了沿着导体的电流流动方向的中心线的方向与沿着磁阻效应元件的长方向的中心线的方向不同的磁场检测装置(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-1118号公报

发明内容

然而，对于这样的磁场检测装置，要求进一步小型化。

因此，期望提供一种适合小型化同时保持高可靠性的磁场检测装置。

作为本发明的一种实施方式的磁场检测装置，具有基板、第一凸部、第二凸部、第一磁阻效应膜、第二磁阻效应膜、第一布线和第二布线。基板包括平坦面。第一凸部和第二凸部各自包括第一斜面和第二斜面，并且各自设置在平坦面上，第一斜面对平坦面倾斜，第二斜面对平坦面和第一斜面的双方倾斜。第一磁阻效应膜设置在第一斜面上，第二磁阻效应膜设置在第二斜面上。第一布线连接设置在第一凸部的第一斜面上的第一磁阻效应膜与设置在第二凸部的第一斜面上的第一磁阻效应膜，第二布线连接设置在第一凸部的第二斜面上的第二磁阻效应膜与设置在第二凸部的第二斜面上的第二磁阻效应膜。在此，第一布线与第二布线在第一斜面和第二斜面的至少一方上交叉。

根据作为本发明的一种实施方式的磁场检测装置，在小型化的同时能够避免第一布线与第二布线之间的短路，发挥高的动作可靠性。再有，本发明的效果并不限定于此，也可以是以下所述的任何一个效果。

附图说明

图1是表示作为本发明的一种实施方式的磁场检测装置的整体结构例的概略主视图。

图2是图1所示的磁场检测装置的电路图。

图3是图1所示的元件形成区域的平面结构的平面示意图。

图4是图1所示的元件形成区域的截面结构的截面示意图。

图5是图3所示的磁阻效应膜的层积截面的截面示意图。

图6是用于说明图5所示的磁化固定层的磁化方向与磁化自由层的磁化方向的关系的平面模式图。

图7A是图1所示的磁场检测装置的制造方法的一个工序的截面示意图。

图7B是继图7A之后的一个工序的截面示意图。

图7C是继图7B之后的一个工序的截面示意图。

图7D是继图7C之后的一个工序的截面示意图。

图7E是继图7D之后的一个工序的截面示意图。

图7F是继图7E之后的一个工序的截面示意图。

图7G是继图7F之后的一个工序的截面示意图。

图7H是继图7G之后的一个工序的截面示意图。

图7I是继图7H之后的一个工序的截面示意图。

图7J是继图7I之后的一个工序的截面示意图。

图7K是继图7J之后的一个工序的截面示意图。

图8是作为参考例的磁场检测装置的元件形成区域的平面结构的平面示意图。

图9A是图8所示的元件形成区域的截面结构的截面示意图。

图9B是图8所示的磁场检测装置的制造方法的一个工序的截面示意图。

图10是表示作为本发明的第一变形例的磁场检测装置的一部分的结构例的概略主视图。

图11是表示作为本发明的第二变形例的磁场检测装置的一部分的结构例的概略主视图。

图12是表示作为本发明的第三变形例的磁场检测装置的一部分的结构例的概略主视图。

图13是表示图12所示的作为第三变形例的磁场检测装置的一部分的结构例的概略剖视图。

图14A是用于说明图12所示的作为第三变形例的磁场检测装置的作用效果的第一说明图。

图14B是用于说明图12所示的作为第三变形例的磁场检测装置的作用效果的第二说明图。

图15是表示作为本发明的第四变形例的磁场检测装置的一部分的结构例的概略主视图。

图16是表示图15所示的作为第四变形例的磁场检测装置的一部分的结构例的概略剖视图。

符号说明

100磁场检测装置

1基板

2A、2B磁场检测单元

3端子部

4凸部

40头顶部

41、42斜面

5下层布线群

51～53下层布线

6上层布线群

61～63上层布线

31磁化固定层

32中间层

33磁化自由层

7L、7R桥接电路

8L、8R差分检测器

9运算电路

DA、DB伪图案

Is1～Is4置位电流

Ir1～Ir4复位电流

MR1～MR4磁阻效应膜

YZ1～YZ4元件形成区域

具体实施方式

下面参照附图对用于实施本发明的实施方式进行详细说明。以下说明的实施方式全都表示本发明所优选的一个具体例子。因此，在以下的实施方式中所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置位置以及连接形态等，仅仅是一个例子，并不旨在限定本发明。因此，对以下的实施方式的构成要素中的、在表示本发明的最上位概念的独立权利要求中没有记载的构成要素，作为任意的构成要素进行说明。再有，各个附图仅是示意图，图示并不一定严密。另外，在各个附图中，对实质上同一的结构附加同一的符号，并且省略或简化重复的说明。再有，说明按以下的顺序进行。

1.一种实施方式

具备包括第一磁阻效应膜和第二磁阻效应膜的桥接电路的磁场检测装置的例子，其中，第一磁阻效应膜设置在第一斜面上，第二磁阻效应膜设置在第二斜面上。

2.变形例

<1.一种实施方式>

[磁场检测装置100的结构]

最初，参照图1～图6，对作为本发明的一种实施方式的磁场检测装置100的结构进行说明。

(磁场检测装置100的整体结构)

图1是表示磁场检测装置100的整体结构例的概略主视图。磁场检测装置100是能够分别检测例如Y轴方向的磁场变化和Z轴方向的磁场变化的双轴磁检测罗盘。磁场检测装置100例如能够作为检测地磁的电子罗盘使用。

如图1所示，磁场检测装置100例如具备基板1、磁场检测单元2A,2B和端子部3。基板1沿着平行于X轴方向和Y轴方向的XY面延伸。将基板1的厚度方向作为Z轴方向。X轴方向、Y轴方向和Z轴方向互相正交。磁场检测单元2A,2B在基板1的XY面的中央区域相邻设置。端子部3设置在基板1中的设置有磁场检测单元2A,2B的中央区域以外的周边区域。端子部3与磁场检测单元2A,2B导通。端子部3是可以使磁场检测单元2A,2B与外部装置电连接的电极。

磁场检测单元2A具有元件形成区域YZ1和元件形成区域YZ4。元件形成区域YZ1和元件形成区域YZ4例如各自在Y轴方向上延伸且在X轴方向上相邻配置。在元件形成区域YZ1和元件形成区域YZ4中，形成有多个后述的磁阻效应膜MR1,MR4。磁场检测单元2A进一步具有导线C1和导线C4，导线C1与元件形成区域YZ1在Z轴方向上互相重叠且在Y轴方向上延伸，导线C4与元件形成区域YZ4在Z轴方向上互相重叠且在Y轴方向上延伸。导线C1,C4构成为：可以分别供给沿着+Y方向流动的置位电流Is1,Is4。置位电流Is1,Is4形成用于进行分别包含在磁阻效应膜MR1,MR4中的磁化自由层的磁化的置位动作的置位磁场。导线C1,C4进一步构成为：可以分别供给沿着-Y方向流动的复位电流Ir1,Ir4。复位电流Ir1,Ir4形成用于进行分别包含在磁阻效应膜MR1,MR4中的磁化自由层的磁化的复位动作的复位磁场。

磁场检测单元2B具有元件形成区域YZ2和元件形成区域YZ3。元件形成区域YZ2和元件形成区域YZ3例如各自在Y轴方向上延伸且在X轴方向上相邻配置。在元件形成区域YZ2和元件形成区域YZ3中，形成有多个后述的磁阻效应膜MR2,MR3。磁场检测单元2B进一步具有导线C2和导线C3，导线C2与元件形成区域YZ2在Z轴方向上互相重叠且在Y轴方向上延伸，导线C3与元件形成区域YZ3在Z轴方向上互相重叠且在Y轴方向上延伸。导线C2,C3构成为：可以分别供给沿着-Y方向流动的置位电流Is2,Is3。置位电流Is2,Is3形成用于进行分别包含在磁阻效应膜MR2,MR3中的磁化自由层的磁化的置位动作的置位磁场。导线C2,C3进一步构成为：可以分别供给沿着+Y方向流动的复位电流Ir2,Ir3。复位电流Ir2,Ir3形成用于进行分别包含在磁阻效应膜MR2,MR3中的磁化自由层的磁化的复位动作的复位磁场。

图2是表示磁场检测装置100的电路结构例的电路图。

(磁场检测装置100的电路结构)

如图2所示，磁场检测装置100具有桥接电路7L,7R、差分检测器8L,8R和运算电路9。在磁场检测装置100中，通过使用这2个桥接电路7L,7R，能够检测Y轴方向和Z轴方向的磁场变化。

桥接电路7L包括4个磁阻效应元件11～14。桥接电路7L由串联的磁阻效应元件11和磁阻效应元件12与串联的磁阻效应元件13和磁阻效应元件14互相并联而成。更具体地说，在桥接电路7L中，磁阻效应元件11的一端与磁阻效应元件12的一端在连接点P1连接，磁阻效应元件13的一端与磁阻效应元件14的一端在连接点P2连接，磁阻效应元件11的另一端与磁阻效应元件14的另一端在连接点P3连接，磁阻效应元件12的另一端与磁阻效应元件13的另一端在连接点P4连接。在此，连接点P3与电源Vcc连接，连接点P4与接地端子GND连接。连接点P1和连接点P2各自与例如差分检测器8L的输入侧端子连接。

磁阻效应元件11～14可以分别检测作为检测对象的信号磁场的变化。例如磁阻效应元件11,13随着+Y方向的信号磁场或+Z方向的信号磁场的施加而电阻值减少，随着-Y方向的信号磁场或-Z方向的信号磁场的施加而电阻值增加。另一方面，磁阻效应元件12,14随着+Y方向的信号磁场或+Z方向的信号磁场的施加而电阻值增加，随着-Y方向的信号磁场或-Z方向的信号磁场的施加而电阻值减少。因此，磁阻效应元件11,13与磁阻效应元件12,14根据信号磁场的变化输出相位相差例如180°的信号。从桥接电路7L取出的信号流入差分检测器8L。在连接点P3与连接点P4之间被施加电压时，差分检测器8L检测连接点P1与连接点P2之间的电位差即磁阻效应元件11和磁阻效应元件14各自产生的电压下降的差分，并且将其作为差分信号SL向运算电路9输出。

桥接电路7R包括4个磁阻效应元件21～24。桥接电路7R由串联的磁阻效应元件21和磁阻效应元件22与串联的磁阻效应元件23和磁阻效应元件24互相并联而成。更具体地说，在桥接电路7R中，磁阻效应元件21的一端与磁阻效应元件22的一端在连接点P5连接，磁阻效应元件23的一端与磁阻效应元件24的一端在连接点P6连接，磁阻效应元件21的另一端与磁阻效应元件24的另一端在连接点P7连接，磁阻效应元件22的另一端与磁阻效应元件23的另一端在连接点P8连接。在此，连接点P7与电源Vcc连接，连接点P8与接地端子GND连接。连接点P5和连接点P6各自与例如差分检测器8R的输入侧端子连接。

磁阻效应元件21～24可以分别检测作为检测对象的信号磁场的变化。例如磁阻效应元件21,23随着+Y方向的信号磁场或+Z方向的信号磁场的施加而电阻值减少，随着-Y方向的信号磁场或-Z方向的信号磁场的施加而电阻值增加。另一方面，磁阻效应元件22,24随着+Y方向的信号磁场或+Z方向的信号磁场的施加而电阻值增加，随着-Y方向的信号磁场或-Z方向的信号磁场的施加而电阻值减少。因此，磁阻效应元件21,23与磁阻效应元件22,24根据信号磁场的变化输出相位相差例如180°的信号。从桥接电路7R取出的信号流入差分检测器8R。在连接点P7与连接点P8之间被施加电压时，差分检测器8R检测连接点P5与连接点P6之间的电位差即磁阻效应元件21和磁阻效应元件24各自产生的电压下降的差分，并且将其作为差分信号SR向运算电路9输出。

(元件形成区域YZ1～YZ4的结构)

图3是元件形成区域YZ1～YZ4的一部分的扩大平面示意图。图4是元件形成区域YZ1～YZ4的一部分的扩大截面示意图。图4是表示沿着图3所示的IV-IV线的箭头方向的截面。

如图3和图4所示，元件形成区域YZ1～YZ4具有基板1、多个凸部4、多个磁阻效应膜MR-A、多个磁阻效应膜MR-B、下层布线群5和上层布线群6。通过下层布线群5和上层布线群6，多个磁阻效应膜MR-A互相串联。通过下层布线群5和上层布线群6，多个磁阻效应膜MR-B互相串联。

基板1具有沿着XY平面延伸的平坦面1S。基板1能够由例如Al₂O₃、SiO₂、SiN等形成。

多个凸部4设置在平坦面1S上，并且从平坦面1S向上方即+Z方向突出。多个凸部4能够由例如氧化硅(SiO_x)等绝缘材料形成。多个凸部4例如各自在V轴方向上延伸，并且在W轴方向上相邻排列。再有，在图3和图4所示的例中，多个凸部4在平坦面1S上互相分开配置。因此，在W轴方向上相邻的2个凸部4之间，基板1的平坦面1S露出。再有，V轴方向和W轴方向虽然平行于XY面，但是并非与X轴方向和Y轴方向的双方平行。具体地说，V轴方向和W轴方向例如对X轴方向和Y轴方向的双方呈45°的角度。并且，V轴方向与W轴方向互相正交。

多个凸部4各自具有斜面4A和斜面4B。斜面4A和斜面4B是不与平坦面1S平行的面。也就是说，斜面4A和斜面4B对平坦面1S倾斜。斜面4A和斜面4B形成在V轴方向上延伸的头顶部4T，并且以随着从头顶部4T互相远离而接近于平坦面1S的方式倾斜。因此，可以说斜面4A和斜面4B互相不平行，互相倾斜。再有，斜面4A是对应于本发明的“第一斜面”的一个具体例子，斜面4B是对应于本发明的“第二斜面”的一个具体例子。

多个磁阻效应膜MR-A设置在各凸部4的斜面4A上。多个磁阻效应膜MR-A沿着斜面4A的长方向即V轴方向排列。多个磁阻效应膜MR-A各自在V轴方向上延伸使得V轴方向为长方向。同样，多个磁阻效应膜MR-B设置在各凸部4的斜面4B上。多个磁阻效应膜MR-B沿着斜面4B的长方向即V轴方向排列。多个磁阻效应膜MR-B各自在V轴方向上延伸使得V轴方向为长方向。再有，磁阻效应膜MR-A是对应于本发明的“第一磁阻效应膜”的一个具体例子，磁阻效应膜MR-B是对应于本发明的“第二磁阻效应膜”的一个具体例子。

下层布线群5分别设置在磁阻效应膜MR-A,MR-B的下层即磁阻效应膜MR-A与斜面4A之间和磁阻效应膜MR-B与斜面4B之间。下层布线群5包括多根下层布线51～53。多根下层布线51各自互相连接相邻设置在相同凸部4的斜面4A上的2个磁阻效应膜MR-A的下面。多根下层布线52各自互相连接相邻设置在相同凸部4的斜面4B上的2个磁阻效应膜MR-B的下面。多根下层布线53各自互相连接设置在不同凸部4的斜面4A上的2个磁阻效应膜MR-A的下面。

上层布线群6分别设置在磁阻效应膜MR-A,MR-B的上层即从磁阻效应膜MR-A看与斜面4A相反的一侧和从磁阻效应膜MR-B看与斜面4B相反的一侧。上层布线群6包括多根上层布线61～63。多根上层布线61各自互相连接相邻设置在相同凸部4的斜面4A上的2个磁阻效应膜MR-A的上面。多根上层布线62各自互相连接相邻设置在相同凸部4的斜面4B上的2个磁阻效应膜MR-B的上面。多根上层布线63各自互相连接设置在不同凸部4的斜面4B上的2个磁阻效应膜MR-B的上面。

像这样，设置在斜面4A上的多个磁阻效应膜MR-A由下层布线53、上层布线61、下层布线51串联成1个磁阻效应膜阵列。也就是说，磁阻效应膜MR-A被夹在上层布线61与下层布线51之间或上层布线61与下层布线53之间。再有，包括多个磁阻效应膜MR-A的磁阻效应膜阵列的始端的下层布线53SP和终端的下层布线53E分别连接于互相不同的端子部3。

同样，设置在斜面4B上的多个磁阻效应膜MR-B由上层布线63、下层布线52、上层布线62串联成1个磁阻效应膜阵列。也就是说，磁阻效应膜MR-B被夹在上层布线63与下层布线52之间或上层布线62与下层布线52之间。再有，包括多个磁阻效应膜MR-B的磁阻效应膜阵列的始端的上层布线63SP和终端的上层布线63E分别连接于互相不同的端子部3。

在此，下层布线53与上层布线63在斜面4A和斜面4B的至少一方上交叉，形成交叉点XP。在交叉点XP上，下层布线53与上层布线63也可以实质上正交。再有，在图3所示的例中，在斜面4A和斜面4B的双方设置有交叉点XP。另一方面，下层布线53与上层布线63没有在基板1的平坦面1S上互相交叉。这里所说的“交叉”，是指：在向层积方向即Z轴方向看的状态下，上层布线63横切下层布线53的位置关系。并且，“交叉”包括：在与下层布线53的宽度方向的两端缘中的至少一方在Z轴方向上互相重叠的位置上设置有上层布线63。也就是说，在本实施方式中，即使在上层布线63与下层布线53并排延伸的情况下，如果下层布线53的宽度方向的边缘处于在Z轴方向上与上层布线63互相重叠的位置，那么下层布线53与上层布线63交叉。

下层布线51～53和上层布线61～63可以由例如Al(铝)、Cu(铜)、Ag(银)和Au(金)及其合金等高导电性非磁性金属形成。另外，下层布线51～53和上层布线61～63全都可以是单层构造，也可以是由多层构成的多层构造。并且，下层布线51～53和上层布线61～63各自的构成材料可以相同，也可以不同。

在元件形成区域YZ1形成的多个磁阻效应膜MR-A通过互相串联构成桥接电路7L的磁阻效应元件11。另外，在元件形成区域YZ1形成的多个磁阻效应膜MR-B通过互相串联构成桥接电路7R的磁阻效应元件21。

在元件形成区域YZ2形成的多个磁阻效应膜MR-A通过互相串联构成桥接电路7L的磁阻效应元件12。另外，在元件形成区域YZ2形成的多个磁阻效应膜MR-B通过互相串联构成桥接电路7R的磁阻效应元件22。

在元件形成区域YZ3形成的多个磁阻效应膜MR-A通过互相串联构成桥接电路7L的磁阻效应元件13。另外，在元件形成区域YZ3形成的多个磁阻效应膜MR-B通过互相串联构成桥接电路7R的磁阻效应元件23。

在元件形成区域YZ4形成的多个磁阻效应膜MR-A通过互相串联构成桥接电路7L的磁阻效应元件14。另外，在元件形成区域YZ4形成的多个磁阻效应膜MR-B通过互相串联构成桥接电路7R的磁阻效应元件24。

再有，通过上述磁场检测装置100与可以检测X轴方向的磁场变化的磁场检测单元(为了方便起见，称为磁场检测单元2C。)的组合，能够实现检测3轴向的磁场变化的3轴磁检测罗盘。这里所说的磁场检测单元2C除了例如在平行于平坦面1S的面上形成多个磁阻效应膜之外，可以具有与上述磁场检测装置100实质上相同的构造。

在此，将构成磁阻效应元件11的磁阻效应膜MR-A和构成磁阻效应元件21的磁阻效应膜MR-B即在元件形成区域YZ1形成的磁阻效应膜MR-A和磁阻效应膜MR-B统称为磁阻效应膜MR1。另外，将构成磁阻效应元件12的磁阻效应膜MR-A和构成磁阻效应元件22的磁阻效应膜MR-B即在元件形成区域YZ2形成的磁阻效应膜MR-A和磁阻效应膜MR-B统称为磁阻效应膜MR2。另外，将构成磁阻效应元件13的磁阻效应膜MR-A和构成磁阻效应元件23的磁阻效应膜MR-B即在元件形成区域YZ3形成的磁阻效应膜MR-A和磁阻效应膜MR-B统称为磁阻效应膜MR3。并且，将构成磁阻效应元件14的磁阻效应膜MR-A和构成磁阻效应元件24的磁阻效应膜MR-B即在元件形成区域YZ4形成的磁阻效应膜MR-A和磁阻效应膜MR-B统称为磁阻效应膜MR4。在图5中，示意性地表示磁阻效应膜MR1～MR4的叠层结构的截面。

如图5所示，磁阻效应膜MR1～MR4具有层积有包括磁性层的多个功能膜的自旋阀构造。具体地说，磁阻效应膜MR1～MR4具有依次层积有磁化固定层31、中间层32、磁化自由层33的叠层结构。磁化固定层31具有固定在所定方向上的磁化J31。中间层32是非磁性体。在磁化自由层33中，根据信号磁场的磁通量的方向而磁化J33的方向产生变化。磁化固定层31、中间层32和磁化自由层33全都是沿着斜面4A或斜面4B扩展的薄膜。磁化自由层33的磁化J33的方向可以在沿着斜面4A或斜面4B的面内旋转。再有，如上所述，磁阻效应膜MR1～MR4全都在V轴方向上延伸。因此，磁阻效应膜MR1～MR4各自显示V轴方向的形状异向性。因此，初始状态的磁化自由层33的磁化J33的方向与V轴方向大致平行。

另外，磁阻效应膜MR1～MR4的各个磁化J31的固定方向设定为分别如图6所示。图6是用于分别对磁阻效应膜MR1～MR4说明磁化固定层31的磁化J31的方向与初始状态的磁化自由层33的磁化J33的方向的关系的平面模式图。如图6的(A)所示，在磁阻效应膜MR1中，例如磁化J31的方向是+W方向且磁化J33的方向是+V方向。另外，如图6的(B)所示，在磁阻效应膜MR2中，例如磁化J31的方向是-W方向且磁化J33的方向是-V方向。另外，如图6的(C)所示，在磁阻效应膜MR3中，例如磁化J31的方向是+W方向且磁化J33的方向是-V方向。并且，如图6的(D)所示，在磁阻效应膜MR4中，例如磁化J31的方向是-W方向且磁化J33的方向是+V方向。

像这样，磁阻效应膜MR1～MR4的各个磁化J31的固定方向大致平行于与V轴方向正交的W轴方向。因此，磁阻效应膜MR1～MR4对信号磁场显示高灵敏度的灵敏度方向是W轴方向。然而，相对于磁阻效应膜MR1,MR3的磁化固定层31各自具有固定在+W方向上的磁化J31，磁阻效应膜MR2,MR4的磁化固定层31各自具有固定在-W方向上的磁化J31。为此，在通过信号磁场的施加而磁阻效应膜MR1,MR3的各个电阻值增大时，磁阻效应膜MR2,MR4的各个电阻值减少。反之，在通过信号磁场的施加而磁阻效应膜MR1,MR3的各个电阻值减少时，磁阻效应膜MR2,MR4的各个电阻值增大。

再有，构成磁阻效应膜MR1～MR4的各个磁化固定层31、中间层32和磁化自由层33全都可以是单层构造，也可以是由多层构成的多层构造。

磁化固定层31由例如Co(钴)、CoFe(钴铁合金)和CoFeB(钴铁硼合金)等强磁性材料构成。再有，在磁阻效应膜MR1～MR4中，也可以以分别与磁化固定层31邻接的方式，在与中间层32相反的一侧设置反强磁性层(未图示)。这样的反强磁性层由铂锰合金(PtMn)、铱锰合金(IrMn)等反强磁性材料构成。反强磁性层在磁阻效应膜MR1～MR4中，有下列作用：+W方向的自旋磁矩与-W方向的自旋磁矩完全处于相互抵消的状态，从而使邻接的磁化固定层31的磁化J31的方向固定在+W方向上或-W方向上。

在自旋阀构造发挥作为磁隧道结(MTJ：Magnetic Tunnel Junction)膜的功能的情况下，中间层32是由例如氧化镁(MgO)构成的非磁性的隧道阻挡层，是具有根据量子力学可以通过隧道电流的厚度的薄层。再有，中间层32也可以由例如钌(Ru)、金(Au)等铂族元素、铜(Cu)等非磁性金属构成。在这种情况下，自旋阀构造发挥作为巨磁电阻效应(GMR：Giant Magneto Resistive effect)膜的功能。

磁化自由层33是软质强磁性层，由实质上相同的材料形成。磁化自由层33由例如CoFe、NiFe或CoFeB等构成。

[磁场检测装置100的动作和作用]

在本实施方式的磁场检测装置100中，根据差分信号SL和差分信号SR，能够在运算电路9中检测施加于磁场检测装置100的信号磁场的变化。

(置位·复位动作)

然而，在磁场检测装置100中，在进行信号磁场的检测动作之前，期望将各个磁阻效应元件的磁化自由层的磁化在所定的方向上对齐。这是为了进行更正确的信号磁场的检测动作。具体地说，将大小已知的外部磁场交替施加在所定的方向和与之相反的方向上。并且称之为磁化自由层33的磁化J33的置位·复位动作。

在本实施方式的磁场检测装置100中，如图1所示，通过对导线C1～C4分别供给置位电流Is1～Is4来进行置位动作。通过对导线C1～C4供给置位电流Is1～Is4，在导线C1～C4的周围分别产生置位磁场。其结果是：在磁场检测单元2A中，能够将-X方向的置位磁场分别施加在磁阻效应元件11,21的磁阻效应膜MR1和磁阻效应元件14,24的磁阻效应膜MR4上。由此，磁阻效应膜MR1,MR4的磁化自由层33的磁化J33朝向-X方向，进行置位动作。另一方面，在磁场检测单元2B中，能够将+X方向的置位磁场分别施加在磁阻效应元件12,22的磁阻效应膜MR2和磁阻效应元件13,23的磁阻效应膜MR3上。由此，磁阻效应膜MR2,MR3的磁化自由层33的磁化J33朝向+X方向，进行置位动作。

另外，通过对导线C1～C4分别供给复位电流Ir1～Ir4来进行复位动作。通过对导线C1～C4供给复位电流Ir1～Ir4，在导线C1～C4的周围分别产生复位磁场。其结果是：在磁场检测单元2A中，能够将+X方向的复位磁场分别施加在磁阻效应膜MR1,MR4上。由此，磁阻效应膜MR1,MR4的磁化自由层33的磁化J33朝向+X方向，进行复位动作。另一方面，在磁场检测单元2B中，能够将-X方向的复位磁场分别施加在磁阻效应膜MR2,MR3上。由此，磁阻效应膜MR2,MR3的磁化自由层33的磁化J33朝向-X方向，进行复位动作。

[磁场检测装置100的制造方法]

其次，参照图7A～7I，对磁场检测装置100的制造方法进行说明。图7A～7I是磁场检测装置100中的特别是下层布线群5、磁阻效应膜MR-A,MR-B和上层布线群6的制造方法的各个工序的截面示意图。

最初，在准备基板1之后，如图7A所示，在平坦面1S上，将分别在V轴方向上延伸的多个凸部4排列在W轴方向上。之后，以覆盖基板1和多个凸部4的整体的方式形成导电材料膜5Z。

其次，如图7B所示，以覆盖导电材料膜5Z的方式，形成磁阻效应膜MRZ。

其次，如图7C所示，通过使用光刻法等对磁阻效应膜MRZ选择性地刻蚀，形成所定形状的磁阻效应膜MR-A,MR-B。之后，以填埋磁阻效应膜MR-A,MR-B周围的方式形成绝缘膜Z1。

其次，如图7D所示，以覆盖磁阻效应膜MR-A,MR-B和绝缘膜Z1的方式，依次层积形成第一抗蚀层RS1与第二抗蚀层RS2，从而形成2层抵抗RS。

其次，如图7E所示，在选择性地曝光2层抵抗RS之后，用显影液除去2层抵抗RS中的例如被曝光的部分。由此，形成选择性地覆盖导电材料膜5Z的2层抗蚀图案RP。2层抗蚀图案RP由第一抗蚀图案RP1与第二抗蚀图案RP2的2层构造构成。

其次，如图7F所示，使用2层抗蚀图案RP作为掩模，对绝缘膜Z1和导电材料膜5Z选择性地刻蚀。也就是说，除去绝缘膜Z1和导电材料膜5Z中的没有被2层抗蚀图案RP覆盖的部分。由此，在各凸部4的斜面4A,4B上形成下层布线群5。再有，在图7F所示的截面中，分别在各凸部4的斜面4A上形成下层布线51，并且分别在各凸部4的斜面4B上形成下层布线52。之后，以填埋除去了绝缘膜Z1和导电材料膜5Z的部分的方式形成绝缘膜Z2，并且剥离2层抗蚀图案RP。

其次，如图7G所示，在磁阻效应膜MR-A,MR-B上形成2层抗蚀图案RP-2。这时，2层抗蚀图案RP-2的W轴方向的宽度分别比下层布线51,52的W轴方向的宽度窄。

其次，如图7H所示，以覆盖2层抗蚀图案RP-2、绝缘膜Z1和绝缘膜Z2的整体的方式形成绝缘膜Z3。

其次，通过除去2层抗蚀图案RP-2，如图7I所示，出现形成在绝缘膜Z3上的多个开口Z3K。在多个开口Z3K中，磁阻效应膜MR-A,MR-B的上面露出。

之后，如图7J所示，以填埋设置在绝缘膜Z3上的多个开口Z3K的方式形成上层布线群6(在图7J中，表示上层布线群6中的上层布线61,62)。最后，如图7K所示，以覆盖绝缘膜Z3和上层布线群6的整体的方式形成绝缘膜Z4等，结束磁场检测装置100的制造。

[磁场检测装置100的效果]

像这样，在本实施方式的磁场检测装置100中，下层布线53与上层布线63在斜面4A和斜面4B的至少一方上交叉，而在平坦面1S上下层布线53与上层布线63没有交叉。也就是说，如图3所示，交叉点XP位于斜面4A和斜面4B的至少一方上，而在平坦面1S上不存在交叉点XP。因此，能够降低产生下层布线53与上层布线63的短路的可能性。这是因为如下所述，形成在平坦面1S上的下层布线53容易产生毛刺，而形成在斜面4A或斜面4B上的下层布线53不易产生毛刺。因此，通过不使上层布线63与形成在平坦面1S上的下层布线53交叉，而使形成在斜面4A或斜面4B上的下层布线53与上层布线63交叉，能够避免下层布线53与上层布线63通过下层布线53的毛刺无意中导通。

图8是作为参考例的磁场检测装置1000的元件形成区域的示意主视图，对应于本实施方式的图3。如图8所示，作为参考例的磁场检测装置1000具有形成在基板1的平坦面1S上的交叉点XP1和XP2。图9A是沿着图8所示的IX-IX截线的箭头方向的截面的截面示意图。如图9A所示，在交叉点XP1，形成有通过毛刺BR的短路部分SH。毛刺BR产生在下层布线52,53中的平坦面1S上的端部。该毛刺BR产生在下层布线52,53的图案化时。图9B是磁场检测装置1000的制造方法的一个工序的截面示意图，特别表示刚刚实施完下层布线52,53的选择性刻蚀之后的状态。参考例的磁场检测装置1000的下层布线52,53与本实施方式的磁场检测装置100的下层布线群5同样，通过使用2层抗蚀图案RP作为掩模选择性地刻蚀导电材料膜而图案化。然而，在参考例的磁场检测装置1000中，下层布线52,53的一部分以不仅覆盖斜面4A,4B而且覆盖平坦面1S上的一部分的方式延伸。一般来说，附着于平坦面上的抗蚀图案的厚度通常比附着于斜面上的抗蚀图案的厚度厚。因此，如图9B所示，形成在平坦面1S上的第一抗蚀图案RP1的厚度通常比形成在斜面4A,4B上的第一抗蚀图案RP1的厚度厚。如果使用包括这样的第一抗蚀图案RP1的2层抗蚀图案RP选择性地刻蚀导电材料膜，那么如图9B所示，除去的导电材料膜将再次附着于第一抗蚀图案RP1的端面，形成与下层布线52,53的端面接触的毛刺BR。在剥离2层抗蚀图案RP之后，毛刺BR通常作为残渣残留在平坦面1S上。之后，如果形成上层布线63，那么毛刺BR与上层布线63成为接触状态。因为毛刺BR也与下层布线52,53的端面接触，所以结果导致上层布线63与下层布线52,53导通。

对此，在本实施方式的磁场检测装置100中，在平坦面1S上不存在交叉点XP。因此，即使形成了毛刺BR，在Z轴方向与毛刺BR互相重叠的位置上没有设置上层布线群6。因此，能够避免下层布线群5与上层布线群6的短路。

由于以上原因，在磁场检测装置100中，能够提高每单位面积的磁阻效应元件的存在密度，同时抑制短路的产生。因此，本实施方式的磁场检测装置100能够在不损坏动作可靠性的情况下，谋求尺寸的小型化。

<2.变形例>

以上，虽然列举实施方式说明了本发明，但是本发明并不限定于上述实施方式，可以做出各种变化。例如，在上述实施方式中，虽然使用4个磁阻效应元件形成了全桥电路，但是在本发明中，也可以例如使用2个磁阻效应元件形成半桥电路。另外，多个磁阻效应膜的形状和尺寸可以彼此相同，也可以不同。另外，各个构成要素的尺寸、各个构成要素的设计等仅是示例，并不限定于此。

(第一变形例)

在上述实施方式中，如图3所示，仅在凸部4的斜面4A,4B上设置有上层布线群6与下层布线群5在Z轴方向上互相重叠的区域。然而，本发明是包括例如图10所示的作为第一变形例的磁场检测装置100A的概念。图10是表示作为本发明的第一变形例的磁场检测装置100A的一部分的概略主视图。在图10的磁场检测装置100A中，在没有形成凸部4的平坦面1S上设置有上层布线63与下层布线53在Z轴方向上互相重叠的区域。但是，在磁场检测装置100A中，在平坦面1S上，上层布线63与下层布线53没有互相交叉，而是沿着实质上相同的方向(例如W轴方向)并列延伸。也就是说，上层布线63包括设置在平坦面1S上且在W轴方向上延伸的平坦部63S，下层布线53包括设置在平坦面1S上且在W轴方向上延伸的平坦部53S。再有，平坦部53S也可以包括作为突起部的毛刺，该毛刺立设在V轴方向的两端缘附近且与平坦面1S正交的厚度方向(Z轴方向)上。在图10所示的磁场检测装置100A中，平坦部53S与下层布线53中的设置在斜面4A上的部分53A连接成俯视时为大致L字状。同样，平坦部63S与上层布线63中的设置在斜面4B上的部分63B连接成俯视时为大致L字状。下层布线53的平坦部53S以在Z轴方向上互相重叠的方式设置在上层布线63的平坦部63S与平坦面1S之间。并且，平坦部53S的V轴方向的宽度W53比与平坦部53S在Z轴方向上互相重叠的平坦部63S的V轴方向的宽度W63宽，平坦部63S的V轴方向的两端缘相比平坦部53S的V轴方向的两端缘位于内侧。因此，在与下层布线53的两端缘在Z轴方向上互相重叠的位置不存在上层布线63。因此，即使在下层布线53的平坦部53S的两端缘产生毛刺，也能够避免通过这样的毛刺的上层布线63与下层布线53的短路。因此，可以获得本发明的效果。另外，在磁场检测装置100A中，斜面4A,4B全都沿着设置在平坦面1S上的下层布线53的平坦部53S和上层布线63的平坦部63S延伸的W轴方向倾斜。因此，与下层布线53的平坦部53S和上层布线63的平坦部63S沿着斜方向例如与W轴方向和V轴方向的双方不同的方向延伸的情况相比，能够有效地利用有限的面积设计下层布线53和上层布线63，有助于磁场检测装置100A的小型化。另外，通过有效地设计下层布线53和上层布线63，结果有可能缩短下层布线53和上层布线63各自的长度。进一步说，在形成在V轴方向上延伸的斜面4A,4B上的下层布线51～53时的刻蚀处理时，能够降低再附着物的附着。再有，W轴方向是对应于本发明的“第一方向”的一个具体例子，V轴方向是对应于本发明的“第二方向”的一个具体例子。并且，平坦部53S是对应于本发明的“第一平坦部”的一个具体例子，平坦部63S是对应于本发明的“第二平坦部”的一个具体例子。另外，部分53A是对应于本发明的“第一倾斜部”的一个具体例子。

(第二变形例)

再有，虽然在图10所示的作为第一变形例的磁场检测装置100A中，平坦部53S与平坦部63S互相重叠，但是本公开并不限定于此。例如图11所示的作为第二变形例的磁场检测装置100B那样，设置在平坦面1S上的平坦部53S和平坦部63S也可以在不互相重叠的位置各自沿着W轴方向延伸。另外，虽然在图10所示的磁场检测装置100A中，平坦部53S与下层布线53中的设置在斜面4A上的部分53A连接成俯视时为大致L字状，但是本发明并不限定于此。如图11所示，平坦部53S也可以与下层布线53中的设置在斜面4A上的部分53A连接成俯视时为大致T字状。同样，虽然在图10所示的磁场检测装置100A中，平坦部63S与上层布线63中的设置在斜面4B上的部分63B连接成俯视时为大致L字状，但是本发明并不限定于此。如图11所示，平坦部63S也可以与上层布线63中的设置在斜面4B上的部分63B连接成俯视时为大致T字状。再有，图11是表示作为本发明的第二变形例的磁场检测装置100B的一部分的概略主视图。根据图11的磁场检测装置100B，由于上述的结构，可以有效地设计下层布线53和上层布线63，结果有可能缩短下层布线53和上层布线63各自的长度。特别是与图10所示的磁场检测装置100A不同，根据图11的磁场检测装置100B，能够将平坦部53S与设置在斜面4A上的部分53A的延伸方向(V轴方向)的端部以外的中途部分连接。另外，根据图11的磁场检测装置100B，能够将平坦部63S与设置在斜面4B上的部分63B的延伸方向(V轴方向)的端部以外的中途部分连接。因此，与图10所示的磁场检测装置100A相比，下层布线群5和上层布线群6的设计自由度能够得到更加提高，并且也有利于降低布线电阻。进一步说，根据图11的磁场检测装置100B，在形成在V轴方向延伸的斜面4A,4B上的下层布线51～53时的刻蚀处理时，能够降低再附着物的附着。在此，平坦部53S的延伸方向可以与部分53A的延伸方向实质上正交。这是因为与平坦部53S的延伸方向对部分53A的延伸方向倾斜的情况(大于0°且小于90°的情况)相比，能够更加降低再附着物的附着量。因此，能够更充分地降低导致下层布线53与上层布线63无意中导通的可能性。

(第三变形例)

另外，在图3所示的一种实施方式的磁场检测装置100中，设置在斜面4A,4B上的下层布线群5和上层布线群6为电连接多个磁阻效应膜MR-A,MR-B的导体。然而，本公开并不限定于此。例如图12和图13所示的作为第三变形例的磁场检测装置100C那样，也可以在斜面4B上，设置1个以上的伪图案DB。图12是表示作为本发明的第三变形例的磁场检测装置100C的一部分的概略主视图。另外，图13是沿着图12所示的XIII-XIII线的箭头方向的剖视图。如图12和图13所示，通过在斜面4B上设置1个以上的伪图案DB，在W轴方向上夹着平坦面1S相邻对向的斜面4A上形成下层布线51,53时，能够抑制在下层布线51,53的边缘产生毛刺，或者即使产生毛刺，也能够减小它们的尺寸。

在此，如图14A和图14B所示的作为参考例的样态那样，对在W轴方向上夹着平坦面1S相邻对向的斜面4A和斜面4B中，在斜面4A上形成下层布线53，另一方面在斜面4B上没有形成下层布线、伪图案的情况进行说明。更具体地说，如图14A和图14B所示，对在W轴方向上相邻的2个凸部4L和凸部4R中，在纸面左侧的凸部4L的斜面4A上形成下层布线53和磁阻效应膜MR-A，而在纸面右侧的凸部4R的斜面4B上没有形成下层布线和磁阻效应膜的情况进行说明。在这种情况下，首先，在形成覆盖基板1和多个凸部4的整体的导电材料膜5Z与磁阻效应膜MR-A,MR-B和绝缘膜Z1之后，如图14A所示，形成选择性覆盖导电材料膜5Z的2层抗蚀图案RP。2层抗蚀图案RP设置在凸部4L的斜面4A,4B上。其次，如图14B所示，使用2层抗蚀图案RP作为掩模，选择性地刻蚀绝缘膜Z1和导电材料膜5Z。也就是说，除去绝缘膜Z1和导电材料膜5Z中的没有被2层抗蚀图案RP覆盖的部分。由此，在凸部4L的斜面4A和斜面4B上，分别形成下层布线53和下层布线52。这时，再附着物RD堆积在设置在斜面4A上的2层抗蚀图案RP的端面等上。再附着物RD主要是形成在对向的凸部4R的斜面4B上的绝缘膜Z1和导电材料膜5Z被刻蚀时的飞散物。即使在剥离2层抗蚀图案RP之后，这样的再附着物也作为毛刺残存在形成在凸部4L的斜面4A上的下层布线53的边缘。这样的毛刺有可能阻碍作为下层布线53的上层的上层布线群6的形成，或者有可能导致下层布线53与上层布线群6无意中短路。因此，通过如作为本变形例的磁场检测装置100C那样在斜面4B上设置伪图案DB，能够有效地抑制在与设置有伪图案DB的斜面4B对向的斜面4A上形成的下层布线53处产生毛刺。

再有，如图13所示，在与平坦面1S正交的高度方向(Z轴方向)上，例如以平坦面1S为基准的伪图案DB的上端位置DBH可以与以平坦面1S为基准的下层布线53的上端位置53H实质上相等。这是因为与在Z轴方向上上端位置DBH与上端位置53H不同的情况相比，能够更有效地抑制在下层布线53处产生毛刺。

伪图案DB例如是没有与磁阻效应膜MR-A,MR-B等电子器件、下层布线群5和上层布线群6等进行通信、电力供应的布线连接的构造物。也就是说，虽然例如伪图案DB可以由导电材料构成，但是伪图案DB与下层布线群5和上层布线群6的双方绝缘。再有，伪图案DB的构成材料例如也可以与下层布线群5的构成材料和上层布线群6的构成材料相同。这是因为这样可以与下层布线群5或上层布线群6同时形成伪图案DB，能够提高制造的容易性。另外，虽然在本变形例中，在斜面4B上设置了1个以上的伪图案DB，但是在本发明中，也可以在斜面4B上设置可以作为实际布线利用的1个以上的图案。再有，该可以作为实际布线利用的1个以上的图案是与下层布线群5和上层布线群6的双方绝缘的第三布线。也就是说，本发明的“图案”是包括不作为实际布线利用的伪图案与可以作为实际布线利用的图案双方的概念。

(第四变形例)

进一步说，在本发明中，也可以在对向的2个斜面的双方上形成伪图案。例如图15和图16所示的作为第四变形例的磁场检测装置100D那样，可以在斜面4B上设置1个以上的伪图案DB，并且在斜面4A上也设置1个以上的伪图案DA。图15是表示作为本发明的第四变形例的磁场检测装置100D的一部分的概略主视图。另外，图16是沿着图15所示的XVI-XVI线的箭头方向的剖视图。在这种情况下，在与平坦面1S正交的高度方向(Z轴方向)上，例如以平坦面1S为基准的伪图案DA的上端位置DAH可以与以平坦面1S为基准的伪图案DB的上端位置DBH实质上相等。

像磁场检测装置100D那样，通过在互相对向的斜面4A和斜面4B上分别设置伪图案DA和伪图案DB，能够在形成下层布线群5时，使以覆盖平坦面1S和凸部4的方式形成的抗蚀图案的分布密度均质化。也就是说，能够降低覆盖平坦面1S和凸部4的抗蚀图案以高密度形成的区域与覆盖平坦面1S和凸部4的抗蚀图案以低密度形成的区域的密度差。其结果是能够以更高的精度控制进行曝光、显影时的抗蚀图案的尺寸、形状。因此，能够降低使用该抗蚀图案形成的下层布线群5的尺寸的偏差。另外，在形成以横断夹在相邻的2个凸部4之间的区域的平坦面1S的方式形成的下层布线53的情况下，能够降低从斜面4A或斜面4B受到的曝光光晕的影响。如果有来自这样的斜面4A或斜面4B的曝光光晕，那么用于将下层布线53图案化的抗蚀图案的形状有可能变形，在这种情况下，下层布线53的尺寸精度有可能降低。因此，像磁场检测装置100D那样，通过在互相对向的斜面4A和斜面4B上分别设置伪图案DA和伪图案DB，能够降低曝光时的光晕，从而防止下层布线53的尺寸精度的下降。另外，虽然在本变形例中，在斜面4A上设置了1个以上的伪图案DA且在斜面4B上设置了1个以上的伪图案DB，但是在本发明中，也可以分别在斜面4A,4B上设置可以作为实际布线利用的1个以上的图案。再有，该可以作为实际布线利用的1个以上的图案是与下层布线群5和上层布线群6的双方绝缘的第三布线。也就是说，本发明的“图案”是包括不作为实际布线利用的伪图案与可以作为实际布线利用的图案双方的概念。

另外，虽然在图3所示的平面模式图中，各凸部4的平面形状是以V轴方向为长方向的矩形，但是本实施方式的凸部4的平面形状并不限定于此。凸部4也可以具有例如长方向的两端部各自为半圆形状即跑道形状的轮廓。另外，在图4中，虽然例示了斜面4A,4B全都是平面的情况，但是斜面4A,4B也可以全都是弯曲面。另外，在图4所示的例中，虽然头顶部4T为斜面4A与斜面4B的交叉角的顶点，但是头顶部4T也可以具有圆形的截面。

再有，本发明也能够采用以下结构。

(1)

一种磁场检测装置，具备：

基板，包括平坦面；

第一凸部和第二凸部，各自包括第一斜面和第二斜面，并且各自设置在所述平坦面上，所述第一斜面对所述平坦面倾斜，所述第二斜面对所述平坦面和所述第一斜面的双方倾斜；

第一磁阻效应膜，设置在所述第一斜面上；

第二磁阻效应膜，设置在所述第二斜面上；

第一布线，连接设置在所述第一凸部的所述第一斜面上的所述第一磁阻效应膜与设置在所述第二凸部的所述第一斜面上的所述第一磁阻效应膜；以及

第二布线，连接设置在所述第一凸部的所述第二斜面上的所述第二磁阻效应膜与设置在所述第二凸部的所述第二斜面上的所述第二磁阻效应膜，

所述第一布线与所述第二布线在所述第一斜面和所述第二斜面的至少一方上交叉。

(2)

所述(1)所述的磁场检测装置，其中，

在所述平坦面上，所述第一凸部与所述第二凸部互相分开配置，

所述第一布线与所述第二布线没有在所述平坦面上交叉，而在所述第一斜面和所述第二斜面的至少一方上交叉。

(3)

所述(1)或所述(2)所述的磁场检测装置，其中，

所述第一布线与所述第二布线实质上正交。

(4)

所述(1)或所述(2)所述的磁场检测装置，其中，

所述第一布线包括第一平坦部，所述第一平坦部设置在所述平坦面上且在第一方向上延伸，

所述第二布线包括第二平坦部，所述第二平坦部设置在所述平坦面上且在所述第一方向上延伸，

所述第一平坦部设置在所述第二平坦部与所述平坦面之间，

在与所述第一方向正交且平行于所述平坦面的第二方向上，所述第一平坦部的宽度比所述第二平坦部的宽度宽，

所述第二平坦部的所述第二方向的两端缘相比所述第一平坦部的所述第二方向的两端缘位于内侧。

(5)

所述(4)所述的磁场检测装置，其中，

所述第一斜面和所述第二斜面全都沿着所述第一方向倾斜。

(6)

所述(5)所述的磁场检测装置，其中，

所述第一平坦部包括突起部，所述突起部立设在所述第二方向的两端缘附近且与所述平坦面正交的厚度方向上。

(7)

所述(1)至所述(5)中的任一项所述的磁场检测装置，其中，

所述第一布线连接设置在所述第一凸部的所述第一斜面上的所述第一磁阻效应膜的下面与设置在所述第二凸部的所述第一斜面上的所述第一磁阻效应膜的下面，

所述第二布线连接设置在所述第一凸部的所述第二斜面上的所述第二磁阻效应膜的上面与设置在所述第二凸部的所述第二斜面上的所述第二磁阻效应膜的上面。

(8)

所述(1)至所述(7)中的任一项所述的磁场检测装置，其中，

所述第一布线包括第一平坦部和第一倾斜部，所述第一平坦部设置在所述平坦面上且在第一方向上延伸，所述第一倾斜部设置在所述第一斜面或所述第二斜面上且在第二方向上延伸，

所述第一平坦部与所述第二方向的所述第一倾斜部的中途部分连接。

(9)

所述(8)所述的磁场检测装置，其中，

所述第一方向与所述第二方向实质上正交。

本公开含有涉及在2022年1月26日在日本专利局提交的日本优先权专利申请JP2022-009846中公开的主旨，其全部内容包括在此，以供参考。

本领域的技术人员应该理解，虽然根据设计要求和其他因素可能出现各种修改，组合，子组合和可替换项，但是它们均包含在附加的权利要求或它的等同物的范围内。

Claims (9)

1.一种磁场检测装置，具备：

基板，包括平坦面；

第一凸部和第二凸部，各自包括第一斜面和第二斜面，并且各自设置在所述平坦面上，所述第一斜面对所述平坦面倾斜，所述第二斜面对所述平坦面和所述第一斜面的双方倾斜；

第一磁阻效应膜，设置在所述第一斜面上；

第二磁阻效应膜，设置在所述第二斜面上；

第一布线，连接设置在所述第一凸部的所述第一斜面上的所述第一磁阻效应膜与设置在所述第二凸部的所述第一斜面上的所述第一磁阻效应膜；以及

第二布线，连接设置在所述第一凸部的所述第二斜面上的所述第二磁阻效应膜与设置在所述第二凸部的所述第二斜面上的所述第二磁阻效应膜，

所述第一布线与所述第二布线在所述第一斜面和所述第二斜面的至少一方上交叉。

2.根据权利要求1所述的磁场检测装置，其中，

在所述平坦面上，所述第一凸部与所述第二凸部互相分开配置，

所述第一布线与所述第二布线没有在所述平坦面上交叉，而在所述第一斜面和所述第二斜面的至少一方上交叉。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的磁场检测装置，其中，

所述第一布线与所述第二布线实质上正交。

4.根据权利要求1或权利要求2所述的磁场检测装置，其中，

所述第一布线包括第一平坦部，所述第一平坦部设置在所述平坦面上且在第一方向上延伸，

所述第二布线包括第二平坦部，所述第二平坦部设置在所述平坦面上且在所述第一方向上延伸，

所述第一平坦部设置在所述第二平坦部与所述平坦面之间，

在与所述第一方向正交且平行于所述平坦面的第二方向上，所述第一平坦部的宽度比所述第二平坦部的宽度宽，

所述第二平坦部的所述第二方向的两端缘相比所述第一平坦部的所述第二方向的两端缘位于内侧。

5.根据权利要求4所述的磁场检测装置，其中，

所述第一斜面和所述第二斜面全都沿着所述第一方向倾斜。

6.根据权利要求5所述的磁场检测装置，其中，

所述第一平坦部包括突起部，所述突起部立设在所述第二方向的两端缘附近且与所述平坦面正交的厚度方向上。

7.根据根据权利要求1至权利要求5中的任一项所述的磁场检测装置，其中，

所述第一布线连接设置在所述第一凸部的所述第一斜面上的所述第一磁阻效应膜的下面与设置在所述第二凸部的所述第一斜面上的所述第一磁阻效应膜的下面，

所述第二布线连接设置在所述第一凸部的所述第二斜面上的所述第二磁阻效应膜的上面与设置在所述第二凸部的所述第二斜面上的所述第二磁阻效应膜的上面。

8.根据权利要求1至权利要求7中的任一项所述的磁场检测装置，其中，

所述第一布线包括第一平坦部和第一倾斜部，所述第一平坦部设置在所述平坦面上且在第一方向上延伸，所述第一倾斜部设置在所述第一斜面或所述第二斜面上且在第二方向上延伸，

所述第一平坦部与所述第二方向的所述第一倾斜部的中途部分连接。

9.根据权利要求8所述的磁场检测装置，其中，

所述第一方向与所述第二方向实质上正交。

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