CN115885378A - 高频模块以及通信装置 - Google Patents

Abstract

高频模块(1A)具备：模块基板(91)，具有主面(91a)；第1电路部件以及第2电路部件，配置在主面(91a)；树脂构件(92)，覆盖第1电路部件以及第2电路部件；金属屏蔽层(95)，覆盖树脂构件(92)的表面；金属屏蔽板(70)，配置在主面(91a)上，并且在俯视模块基板(91)的情况下配置在第1电路部件与第2电路部件之间；以及过孔导体(96)，形成在模块基板(91)的内部，并被设定为接地电位，金属屏蔽板(70)与金属屏蔽层(95)相接，并在主面(91a)与过孔导体(96)连接，金属屏蔽板(70)的厚度(70t)大于金属屏蔽层(95)的厚度(95t)，且为过孔导体(96)的外径(96d)以下。

Description

高频模块以及通信装置

技术领域

本发明涉及高频模块以及通信装置。

背景技术

在便携式电话等移动通信设备中，特别是伴随着多频段化的发展，构成高频前端电路的电路元件的配置结构逐渐复杂化。

在专利文献1公开了一种收发机(收发电路)的电路结构，该收发机(收发电路)具备多个发送机(发送路径)以及多个接收机(接收路径)和配置在该多个发送机以及多个接收机与天线之间的开关共用器(天线开关)。上述多个发送机各自具有发送电路、PA(发送功率放大器)、以及输出电路，上述多个接收机各自具有接收电路、LNA(接收低噪声放大器)、以及输入电路。输出电路包含发送滤波器、阻抗匹配电路、以及双工器等，输入电路包含接收滤波器、阻抗匹配电路、以及双工器等。根据上述结构，通过开关共用器的切换动作，能够执行同时发送、同时接收、或同时收发。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2014-522216号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在由搭载于移动通信设备的高频模块构成专利文献1公开的收发机(收发电路)的情况下，可想到配置在包含发送路径、接收路径、以及天线开关的收发路径各自的电路部件中的至少两者进行电磁场耦合。在该情况下，被PA(发送功率放大器)放大的高输出的发送信号的谐波成分叠加于发送信号，存在发送信号的品质下降的情况。此外，由于上述电磁场耦合，收发间的隔离度下降，存在上述谐波、或者发送信号和其它高频信号的交调失真等无用波流入到接收路径而使接收灵敏度劣化的情况。此外，由于上述电磁场耦合，两个接收信号相互干扰，存在接收灵敏度劣化的情况。

本发明是为了解决上述课题而完成的，其目的在于，提供一种抑制了发送信号或接收信号的品质劣化的高频模块以及通信装置。

用于解决问题的技术方案

本发明的一个方式涉及的高频模块具备：模块基板，具有主面；第1电路部件以及第2电路部件，配置在主面；树脂构件，覆盖主面、第1电路部件以及第2电路部件的至少一部分；金属屏蔽层，覆盖树脂构件的表面，并被设定为接地电位；金属屏蔽板，配置在主面上，并且在俯视模块基板的情况下配置在第1电路部件与第2电路部件之间；以及过孔导体，形成在模块基板的内部，在与主面交叉的方向上延伸，并被设定为接地电位，金属屏蔽板与金属屏蔽层相接，在主面与过孔导体连接，金属屏蔽板的厚度大于金属屏蔽层的厚度，且为过孔导体的外径以下。

发明效果

根据本发明，能够提供一种抑制了发送信号或接收信号的品质劣化的高频模块以及通信装置。

附图说明

图1是实施方式涉及的高频模块以及通信装置的电路结构图。

图2是实施例1涉及的高频模块的俯视图以及剖视图。

图3A是示出金属屏蔽板的第1例的外观立体图。

图3B是示出金属屏蔽板的第2例的外观立体图。

图3C是示出金属屏蔽板的第3例的外观立体图。

图4是示出过孔导体的变形例1的剖视图。

图5是示出过孔导体的变形例2的剖视图。

图6是实施例2涉及的高频模块的俯视图以及剖视图。

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式进行详细说明。另外，以下说明的实施方式示出了总括性或具体的例子。此外，在以下的实施方式、实施例以及变形例中示出的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本发明。此外，对于以下的实施例以及变形例中的构成要素之中未记载于独立权利要求的构成要素，作为任意的构成要素而进行说明。此外，附图所示的构成要素的大小或大小之比未必严谨。在各图中，对于实质上相同的结构标注相同的附图标记，有时省略或简化重复的说明。

此外，以下，平行以及垂直等示出要素间的关系性的用语、以及矩形形状等示出要素的形状的用语和数值范围并非仅表示严格的含义，而是意味着实质上等同的范围，例如，还包含几％程度的差异。

在以下的各图中，x轴以及y轴是在与模块基板的主面平行的平面上相互正交的轴。此外，z轴是与模块基板的主面垂直的轴，其正方向示出上方向，其负方向示出下方向。

此外，在本公开的电路结构中，所谓“连接”，不仅包含通过连接端子以及/或布线导体直接连接的情况，还包含经由其它电路部件电连接的情况。此外，所谓“连接在A与B之间”，意味着在A与B之间与A以及B的双方连接。

此外，在本公开的模块结构中，所谓“俯视”，意味着从z轴正侧将物体正投影到xy平面而进行观察。所谓“部件配置在基板的主面”，除了包含部件以与基板的主面接触的状态配置在主面上的情况以外，还包含部件不与主面接触地配置在主面的上方的情况、以及部件的一部分从主面侧埋入到基板内而进行配置的情况。所谓“A配置在B与C之间”，意味着将B内的任意的点和C内的任意的点连结的多个线段中的至少一个通过A。此外，“平行”以及“垂直”等示出要素间的关系性的用语、以及“矩形”等示出要素的形状的用语并非仅表示严格的意思，而是意味着实质上等同的范围，例如包含几％程度的误差。

此外，以下，所谓“发送路径”，意味着是如下的传输线路，即，包含传输高频发送信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等。此外，所谓“接收路径”，意味着是如下的传输线路，即，包含传输高频接收信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等。此外，所谓“收发路径”，意味着是如下的传输线路，即，包含传输高频发送信号以及高频接收信号这两者的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或该电极直接连接的端子等。

(实施方式)

[1.高频模块1以及通信装置5的电路结构]

图1是实施方式涉及的高频模块1以及通信装置5的电路结构图。如同图所示，通信装置5具备高频模块1、天线2、RF信号处理电路(RFIC)3、以及基带信号处理电路(BBIC)4。

RFIC3是对由天线2收发的高频信号进行处理的RF信号处理电路。具体地，RFIC3通过下变频等对经由高频模块1的接收信号路径输入的高频接收信号进行信号处理，并向BBIC4输出进行该信号处理而生成的接收信号。此外，RFIC3通过上变频等对从BBIC4输入的发送信号进行信号处理，并将进行该信号处理而生成的高频发送信号输出到高频模块1的发送信号路径。

BBIC4是使用与在高频模块1传播的高频信号相比为低频的中间频带进行信号处理的电路。由BBIC4处理的信号例如作为图像显示用的图像信号而进行使用，或者作为经由了扬声器的通话用的声音信号而进行使用。

此外，RFIC3还具有基于所使用的通信频段(频带)对高频模块1具有的开关40、41以及42的连接进行控制的作为控制部的功能。具体地，RFIC3通过控制信号(未图示)对高频模块1具有的开关40～42的连接进行切换。具体地，RFIC3将用于控制开关40～42的数字控制信号输出到PA控制电路15。高频模块1的PA控制电路15根据从RFIC3输入的数字控制信号，将数字控制信号输出到开关40～42，由此对开关40～42的连接以及不连接进行控制。

此外，RFIC3还具有对高频模块1具有的功率放大器10的增益、供给到功率放大器10的电源电压Vcc以及偏置电压Vbias进行控制的作为控制部的功能。具体地，RFIC3将数字控制信号输出到高频模块1的控制信号端子130。PA控制电路15根据经由控制信号端子130输入的数字控制信号，将控制信号、电源电压Vcc或偏置电压Vbias输出到功率放大器10，由此对功率放大器10的增益进行调整。另外，控制部也可以设置在RFIC3的外部，例如，也可以设置在BBIC4。

天线2与高频模块1的天线连接端子100连接，对从高频模块1输出的高频信号进行辐射，此外，接收来自外部的高频信号并向高频模块1输出。

另外，在本实施方式涉及的通信装置5中，天线2以及BBIC4不是必需的构成要素。

接着，对高频模块1的详细的结构进行说明。

如图1所示，高频模块1具备功率放大器10、低噪声放大器20、PA控制电路15、发送滤波器31以及33、接收滤波器32以及34、匹配电路50、51、52、53以及54、开关40、41以及42、天线连接端子100、发送输入端子110、接收输出端子120、和控制信号端子130。

天线连接端子100与天线2连接。发送输入端子110是用于从高频模块1的外部(RFIC3)接收发送信号的端子。接收输出端子120是用于将接收信号供给到高频模块1的外部(RFIC3)的端子。

功率放大器10是对通信频段A以及通信频段B的发送信号进行放大的发送放大器。功率放大器10的输入端子与发送输入端子110连接，功率放大器10的输出端子经由开关41与匹配电路51以及53连接。

低噪声放大器20是以低噪声对通信频段A以及通信频段B的接收信号进行放大的接收放大器。低噪声放大器20的输入端子经由开关42与匹配电路52以及54连接，低噪声放大器20的输出端子与接收输出端子120连接。

PA控制电路15根据经由控制信号端子130输入的数字控制信号MIPI等对功率放大器10的增益进行调整。另外，PA控制电路15也可以由半导体IC(Integrated Circuit，集成电路)形成。半导体IC例如包含CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)。具体地，通过SOI(Silicon On Insulator，绝缘体上的硅)工艺来形成。由此，能够廉价地制造半导体IC。另外，半导体IC也可以包含GaAs、SiGe以及GaN中的至少任一者。由此，能够输出具有高品质的放大性能以及噪声性能的高频信号。

发送滤波器31配置在将功率放大器10和开关40连结的发送路径AT，使被功率放大器10放大的发送信号中的、通信频段A的发送带的发送信号通过。此外，发送滤波器33配置在将功率放大器10和开关40连结的发送路径BT，使被功率放大器10放大的发送信号中的、通信频段B的发送带的发送信号通过。

接收滤波器32配置在将低噪声放大器20和开关40连结的接收路径AR，使从天线连接端子100输入的接收信号中的、通信频段A的接收带的接收信号通过。此外，接收滤波器34配置在将低噪声放大器20和开关40连结的接收路径BR，使从天线连接端子100输入的接收信号中的、通信频段B的接收带的接收信号通过。

另外，上述的发送滤波器31以及33、接收滤波器32以及34例如可以是声表面波滤波器、使用了BAW(Bulk Acoustic Wave，体声波)的弹性波滤波器、LC谐振滤波器、以及电介质滤波器中的任一者，进而，并不限定于此。

发送滤波器31以及接收滤波器32构成将通信频段A作为通带的双工器30。此外，发送滤波器33以及接收滤波器34构成将通信频段B作为通带的双工器35。

另外，双工器30以及35各自可以是以时分复用(TDD：Time Division Duplex，时分双工)方式进行传输的一个滤波器。在该情况下，在上述一个滤波器的前级以及后级中的至少一者配置对发送以及接收进行切换的开关。

匹配电路50配置在将天线连接端子100和开关40连结的收发路径CTR，获得天线2和开关40、双工器30以及35的阻抗匹配。匹配电路50具有至少一个电感器。另外，匹配电路50可以串联配置于收发路径CTR，也可以连接在收发路径CTR与接地之间。

匹配电路51配置在将功率放大器10和发送滤波器31连结的发送路径AT，获得功率放大器10和发送滤波器31的阻抗匹配。匹配电路51具有至少一个电感器。另外，匹配电路51可以串联配置于发送路径AT，也可以连接在发送路径AT与接地之间。

匹配电路53配置在将功率放大器10和发送滤波器33连结的发送路径BT，获得功率放大器10和发送滤波器33的阻抗匹配。匹配电路53具有至少一个电感器。另外，匹配电路53可以串联配置于发送路径BT，也可以连接在发送路径BT与接地之间。

匹配电路52配置在将低噪声放大器20和接收滤波器32连结的接收路径AR，获得低噪声放大器20和接收滤波器32的阻抗匹配。匹配电路52具有至少一个电感器。另外，匹配电路52可以串联配置于接收路径AR，也可以连结在接收路径AR与接地之间。

匹配电路54配置在将低噪声放大器20和接收滤波器34连结的接收路径BR，获得低噪声放大器20和接收滤波器34的阻抗匹配。匹配电路54具有至少一个电感器。另外，匹配电路54可以串联配置于接收路径BR，也可以连接在接收路径BR与接地之间。

另外，也可以是代替匹配电路51以及53或者除匹配电路51以及53以外在功率放大器10与开关41之间的发送路径配置有匹配电路。

开关40具有公共端子40a、选择端子40b以及40c，公共端子40a经由匹配电路50与天线连接端子100连接，选择端子40b与双工器30连接，选择端子40c与双工器35连接。也就是说，开关40是配置在天线连接端子100与双工器30以及35之间的天线开关，(1)对天线连接端子100和双工器30的连接以及不连接进行切换，且(2)对天线连接端子100和双工器35的连接以及不连接进行切换。另外，开关40由能够同时进行上述(1)以及上述(2)的连接的多连接型的开关电路构成。

另外，也可以代替匹配电路52以及54或者除匹配电路52以及54以外在低噪声放大器20与开关42之间的接收路径配置匹配电路。

此外，也可以代替匹配电路50或者除匹配电路50以外在将开关40和双工器30连结的收发路径以及将开关40和双工器35连结的收发路径配置有匹配电路。

开关41具有公共端子41a、选择端子41b以及41c，配置在将功率放大器10和发送滤波器31以及33连结的发送路径，对功率放大器10和发送滤波器31的连接、以及功率放大器10和发送滤波器33的连接进行切换。开关41例如由如下的SPDT(Single Pole DoubleThrow，单刀双掷)型的开关电路构成，即，公共端子41a与功率放大器10的输出端子连接，选择端子41b经由匹配电路51与发送滤波器31连接，选择端子41c经由匹配电路53与发送滤波器33连接。

开关42具有公共端子42a、选择端子42b以及42c，配置在将低噪声放大器20和接收滤波器32以及34连结的接收路径，对低噪声放大器20和接收滤波器32的连接、以及低噪声放大器20和接收滤波器34的连接进行切换。开关42例如由如下的SPDT型的开关电路构成，即，公共端子42a与低噪声放大器20的输入端子连接，选择端子42b经由匹配电路52与接收滤波器32连接，选择端子42c经由匹配电路54与接收滤波器34连接。

另外，发送路径AT是传输通信频段A的发送信号并将发送输入端子110和开关40的公共端子40a连结的信号路径。此外，发送路径BT是传输通信频段B的发送信号并将发送输入端子110和开关40的公共端子40a连结的信号路径。此外，接收路径AR是传输通信频段A的接收信号并将接收输出端子120和开关40的公共端子40a连结的信号路径。此外，接收路径BR是传输通信频段B的接收信号并将接收输出端子120和开关40的公共端子40a连结的信号路径。此外，收发路径CTR是传输通信频段A的发送信号以及接收信号和通信频段B的发送信号以及接收信号并将天线连接端子100和开关40的公共端子40a连结的信号路径。

在具有上述电路结构的高频模块1中，功率放大器10、开关41、匹配电路51、以及发送滤波器31构成朝向天线连接端子100输出通信频段A的发送信号的第1发送电路。此外，功率放大器10、开关41、匹配电路53、以及发送滤波器33构成朝向天线连接端子100输出通信频段B的发送信号的第2发送电路。

此外，低噪声放大器20、开关42、匹配电路52、以及接收滤波器32构成从天线2经由天线连接端子100输入通信频段A的接收信号的第1接收电路。此外，低噪声放大器20、开关42、匹配电路54、以及接收滤波器34构成从天线2经由天线连接端子100输入通信频段B的接收信号的第2接收电路。

根据上述电路结构，本实施方式涉及的高频模块1能够执行(1)通信频段A的高频信号的收发、(2)通信频段B的高频信号的收发、以及(3)通信频段A的高频信号和通信频段B的高频信号的同时发送、同时接收、或者同时收发中的至少任一者。

另外，在本发明涉及的高频模块中，发送电路以及接收电路也可以不经由开关40而与天线连接端子100连接，上述发送电路以及上述接收电路也可以经由不同的端子与天线2连接。此外，作为本发明涉及的高频模块的电路结构，只要具有发送路径、接收路径、以及收发路径中的至少两个路径和配置在该两个路径的各匹配电路即可。此外，只要具有第1发送电路以及第2发送电路中的任一者即可。此外，只要具有第1接收电路以及第2接收电路中的任一者即可。

在此，在具有上述电路结构的高频模块1中，若配置在发送路径、接收路径、以及收发路径各自的电路部件中的至少两个进行电磁场耦合，则被功率放大器放大的高输出的发送信号的谐波成分叠加于发送信号，存在发送信号的品质下降的情况。此外，由于上述电磁场耦合，收发间的隔离度下降，存在如下的情况，即，上述谐波、或者发送信号和其它高频信号的交调失真等无用波流入到接收路径而使接收灵敏度劣化。此外，由于上述电磁场耦合，两个接收信号相互干扰，存在接收灵敏度劣化的情况。

相对于此，在本实施方式涉及的高频模块1中，具有抑制上述电磁场耦合的结构。以下，对本实施方式涉及的高频模块1的抑制上述电磁场耦合的结构进行说明。

[2.实施例1涉及的高频模块1A的电路部件配置结构]

图2是实施例1涉及的高频模块1A的俯视图以及剖视图。在图2的(a)示出了从z轴正方向侧观察模块基板91的主面91a的情况下的电路部件的配置图。此外，在图2的(b)示出了图2的(a)的II-II线处的剖视图。高频模块1A具体地示出了构成实施方式涉及的高频模块1的各电路部件的配置结构。另外，在图2的(a)用虚线示出了配置在模块基板91的主面91b的外部连接端子150以及接地端子150g。

如图2所示，本实施例涉及的高频模块1A除了图1所示的电路结构以外，还具有模块基板91、金属屏蔽板70、金属屏蔽层95、过孔导体96、树脂构件92、以及外部连接端子150。

模块基板91是在主面91a上安装第1发送电路以及第2发送电路和第1接收电路以及第2接收电路的基板。作为模块基板91，例如，可使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics：LTCC)基板、高温共烧陶瓷(HighTemperature Co-firedCeramics：HTCC)基板、部件内置基板、具有再布线层(RedistributionLayer：RDL)的基板、或者印刷基板等。另外，也可以在模块基板91上形成有天线连接端子100、发送输入端子110、接收输出端子120以及控制信号端子130。

树脂构件92配置在模块基板91的主面91a，对构成第1发送电路以及第2发送电路和第1接收电路以及第2接收电路的电路部件的至少一部分和模块基板91的主面91a进行覆盖，具有确保上述电路部件的机械强度以及耐湿性等的可靠性的功能。

外部连接端子150配置在模块基板91的主面91b。高频模块1A经由多个外部连接端子150与配置在高频模块1A的z轴负方向侧的外部基板进行电信号的交换。此外，多个外部连接端子150中的接地端子150g被设定为外部基板的接地电位。另外，如图2所示，外部连接端子150可以是形成在主面91b的平面电极，此外，也可以是形成在主面91b上的凸块电极。

金属屏蔽层95覆盖树脂构件92的表面，并被设定为接地电位。金属屏蔽层95例如是通过溅射法形成的金属薄膜。

过孔导体96形成在模块基板91的内部，并在与主面91a交叉的方向上延伸。过孔导体96被设定为高频模块1A的接地电位。在本实施例中，过孔导体96在与主面91a正交的方向上延伸，并贯通模块基板91。

金属屏蔽板70是从主面91a朝向树脂构件92的z轴正方向侧的顶面竖立设置的金属壁体。金属屏蔽板70在主面91a与过孔导体96连接。此外，金属屏蔽板70与金属屏蔽层95相接。另外，金属屏蔽板70可以和构成金属屏蔽层95的屏蔽面之中与树脂构件92的顶面相接的屏蔽面相接，此外，也可以和与树脂构件92的侧面相接的屏蔽面相接。此外，金属屏蔽板70和过孔导体96可以直接相接，此外，也可以如图2的(b)所示，经由形成在主面91a上的接地电极94连接。与金属屏蔽板70连接的过孔导体96与接地端子150g连接。

在此，在俯视模块基板91的情况下，金属屏蔽板70和与金属屏蔽板70连接的接地端子150g重叠。由此，金属屏蔽板70以经由了过孔导体96的最短距离与接地端子150g连接，因此能够抑制金属屏蔽板70与接地端子150g之间的寄生电感。因而，能够强化金属屏蔽板70的接地，能够提高屏蔽效果。

另外，过孔导体96也可以是一端与金属屏蔽板70连接且另一端与接地端子150g连接的贯通过孔导体。

由此，能够更加抑制寄生电感，能够强化金属屏蔽板70的接地，能够更加提高屏蔽效果。

此外，如图2的(a)所示，在俯视模块基板91的情况下，金属屏蔽板70和(4个)接地端子150g重叠的部分的面积优选大于金属屏蔽板70的不与(4个)接地端子150g重叠的部分的面积。

由此，能够更加抑制寄生电感，能够强化金属屏蔽板70的接地，能够更加提高屏蔽效果。

根据金属屏蔽板70的上述结构，金属屏蔽板70在其上方以及下方的至少两处与接地连接，因此可强化电磁场屏蔽功能。另外，关于金属屏蔽板70的详细的构造，使用图3A～图3C在后面叙述。

在此，如图2所示，金属屏蔽板70的厚度70t大于金属屏蔽层95的厚度95t，且为过孔导体96的外径96d以下。

此外，金属屏蔽板70将主面91a划分为区域P和区域Q。如图2的(a)所示，功率放大器10、匹配电路51、53、以及开关41是第1电路部件的一个例子，配置在主面91a的区域P。此外，低噪声放大器20、双工器30以及35、匹配电路50、52以及54、和开关40以及42是第2电路部件的一个例子，配置在主面91a的区域Q。另外，匹配电路51配置在将发送输入端子110和开关40的公共端子40a连结的发送路径AT，包含第1电感器。此外，匹配电路52配置在将接收输出端子120和开关40的公共端子40a连结的接收路径AR，包含第2电感器。

也就是说，金属屏蔽板70配置在主面91a上，并且在俯视模块基板91的情况下，配置在第1电路部件与第2电路部件之间。

在本实施例中，第1电路部件是配置在发送路径AT或BT的电路部件，第2电路部件是配置在接收路径AR、BR或收发路径CTR的电路部件。

另外，也可以是，配置在区域P的第1电路部件是配置在接收路径AR或BR的电路部件，配置在区域Q的第2电路部件是配置在发送路径AT、BT或收发路径CTR的电路部件。

此外，也可以是，配置在区域P的第1电路部件为配置在收发路径CTR的电路部件，配置在区域Q的第2电路部件为配置在发送路径AT、BT、接收路径AR或BR的电路部件。

根据上述结构，能够抑制配置在发送路径、接收路径、以及收发路径各自的电路部件中的至少两个进行电磁场耦合。此时，金属屏蔽板70的厚度70t大于金属屏蔽层95的厚度95t。由此，与屏蔽外来噪声的能力相比较，能够提高抑制在高频模块1A的电路部件中产生的高频噪声流入到高频模块1A的其它电路部件的能力。此外，过孔导体96的外径96d为金属屏蔽板70的厚度70t以上。假如，若过孔导体96的外径96d小于金属屏蔽板70的厚度70t，则不能将金属屏蔽板70的电位可靠地设定为高频模块1A的接地。相对于此，根据本结构，能够强化金属屏蔽板70的接地。因而，能够抑制靠近的两个电路部件间的强烈的信号干扰，因此能够提高发送路径、接收路径、以及收发路径之间的隔离度，能够高精度地抑制发送信号或接收信号的品质劣化。

此外，在本实施例中，特别地，也可以是，第1电路部件为第1电感器，第2电路部件为第2电感器。

由此，能够抑制第1电感器和第2电感器进行电磁场耦合，因此能够抑制被功率放大器放大的高输出的发送信号、其谐波、或者发送信号和其它高频信号的交调失真等无用波流入到接收路径而使接收灵敏度劣化。

此外，在本实施例中，特别地，也可以是，第1电路部件为功率放大器10，第2电路部件为低噪声放大器20。

由此，能够抑制功率放大器10和低噪声放大器20进行电磁场耦合，因此能够抑制被功率放大器放大的高输出的发送信号、其谐波、或者发送信号和其它高频信号的交调失真等无用波流入到接收路径而使接收灵敏度劣化。

此外，在本实施例涉及的高频模块1A中，低噪声放大器20以及开关42也可以包含于一个半导体IC60。由此，能够减小主面91a的部件安装面积。因而，能够将高频模块1A小型化。进而，半导体IC60也可以包含开关40以及41中的至少一者。

[3.金属屏蔽板的构造]

接着，对本实施例涉及的高频模块1A具有的金属屏蔽板70的构造进行说明。

图3A是金属屏蔽板70A的外观立体图。同图所示的金属屏蔽板70A是实施例1涉及的金属屏蔽板70的一个例子。金属屏蔽板70A从主面91a(未图示)朝向树脂构件92(未图示)的顶面(在z轴方向上)竖立设置。在金属屏蔽板70A与主面91a之间，形成有在金属屏蔽板70A的法线方向(x轴方向)上贯通的孔72。

此外，金属屏蔽板70A具有主体部71和接合部73，主体部71从主面91a朝向树脂构件92的顶面(在z轴方向上)竖立设置，接合部73在主面91a侧与主面91a平行地延伸设置，并与主面91a上的接地电极(未图示)接合。

根据金属屏蔽板70A的构造，在主体部71与主面91a之间形成有孔72，因此在主面91a上形成树脂构件92的工序中，能够确保金属屏蔽板70A的附近的液体状树脂的良好的流动性。因而，能够抑制在金属屏蔽板70A的附近产生未形成树脂构件92的空隙等。此外，金属屏蔽板70A和主面91a通过接合部73接合，因此金属屏蔽板70A的配置精度、以及金属屏蔽板70A和主面91a的接合强度提高。

图3B是金属屏蔽板70B的外观立体图。同图所示的金属屏蔽板70B是实施例1涉及的金属屏蔽板70的一个例子。金属屏蔽板70B从主面91a(未图示)朝向树脂构件92(未图示)的顶面(在z轴方向上)竖立设置。在金属屏蔽板70B与树脂构件92的顶面之间，形成有在金属屏蔽板70B的法线方向(x轴方向)上贯通的孔72。

此外，金属屏蔽板70B具有主体部71和接合部73，主体部71从主面91a朝向树脂构件92的顶面(在z轴方向上)竖立设置，接合部73在主面91a侧与主面91a平行地延伸设置，并与主面91a上的接地电极(未图示)接合。

根据金属屏蔽板70B的构造，在主体部71与上述顶面之间形成有孔72，因此在主面91a上形成树脂构件92的工序中，能够确保金属屏蔽板70B的附近的液体状树脂的良好的流动性。因而，能够抑制在金属屏蔽板70B的附近产生未形成树脂构件92的空隙等。进而，在与主面91a相接的区域(主体部71的下方区域)未形成孔72，因此隔着金属屏蔽板70B配置在主面91a上的电路部件间的隔离度提高。此外，金属屏蔽板70B和主面91a通过接合部73接合，因此金属屏蔽板70B的配置精度、以及金属屏蔽板70B和主面91a的接合强度提高。

图3C是金属屏蔽板70C的外观立体图。同图所示的金属屏蔽板70C是实施例1涉及的金属屏蔽板70的一个例子。金属屏蔽板70C从主面91a(未图示)朝向树脂构件92(未图示)的顶面(在z轴方向上)竖立设置。在主面91a与树脂构件92的顶面之间，形成有在金属屏蔽板70C的法线方向(x轴方向)上贯通的孔72。

此外，金属屏蔽板70C具有主体部71和接合部73，主体部71从主面91a朝向树脂构件92的顶面(在z轴方向上)竖立设置，接合部73在主面91a侧与主面91a平行地延伸设置，并与主面91a上的接地电极(未图示)接合。在金属屏蔽板70C中，多个主体部71隔着孔72离散地配置，此外，多个接合部73隔着孔72离散地配置。

根据金属屏蔽板70C的构造，在主面91a与上述顶面之间形成有孔72，因此在主面91a上形成树脂构件92的工序中，能够确保金属屏蔽板70C的附近的液体状树脂的良好的流动性。因而，能够抑制在金属屏蔽板70C的附近产生未形成树脂构件92的空隙等。此外，金属屏蔽板70C和主面91a通过接合部73接合，因此金属屏蔽板70C的配置精度、以及金属屏蔽板70C和主面91a的接合强度提高。

另外，金属屏蔽板70的构造例并不限于上述的金属屏蔽板70A～70C。例如，孔72也可以从主面91a朝向上述顶面而配置有多个。此外，延伸设置接合部73的方向并不限于如图3A～图3C所示的x轴负方向，也可以是x轴正方向，进而，金属屏蔽板70也可以具有在x轴负方向上延伸设置的接合部73以及在x轴正方向上延伸设置的接合部73这两者。

[4.变形例涉及的过孔导体的构造]

另外，过孔导体96的构造并不限定于如图2所示的从主面91a贯通到主面91b的构造。

图4是示出过孔导体96的变形例1的剖视图。如同图所示，过孔导体96具有如下的结构，即，在主面91a以及91b的法线方向上延伸的多个柱状导体96a、96b以及96c在上述法线方向上使重心轴错开地进行级联连接。进而，在模块基板91中配置在最靠z轴正方向的柱状导体96a的形成区域A1和在模块基板91中配置在最靠z轴负方向的柱状导体96c的形成区域A3也可以在俯视模块基板91的情况下不重叠。也就是说，变形例涉及的过孔导体96也可以在俯视模块基板91的情况下不具有与柱状导体96a～96c共同地重叠的区域。另外，柱状导体96a和柱状导体96b经由模块基板91内的在y轴方向上延伸存在的导体图案96P连接，柱状导体96b和柱状导体96c经由模块基板91内的在y轴方向上延伸存在的导体图案96P连接。

图5是示出过孔导体96的变形例2的剖视图。如同图所示，过孔导体96具有如下的结构，即，在主面91a以及91b的法线方向上延伸的多个柱状导体96a、96b1、96b2、96b3、96c1以及96c2在上述法线方向上进行级联连接。具体地，在最靠近主面91a的模块基板91的第1层配置柱状导体96a，在最靠近主面91b的模块基板91的第3层配置柱状导体96c1以及96c2，在第1层与第3层之间的第2层配置柱状导体96b1、96b2以及96b3。柱状导体96a和柱状导体96b1、96b2以及96b3通过形成在第1层与第2层之间的导体图案96P连接。此外，柱状导体96b1、96b2以及96b3和柱状导体96c1以及96c2通过形成在第2层与第3层之间的导体图案96P连接。

在此，配置在第2层的柱状导体96b1、96b2以及96b3和配置在第3层的柱状导体96c1以及96c2的合计的数量(在本例子中为5个)大于配置在第1层并与金属屏蔽板70连接的柱状导体96a的数量(在本例子中为一个)。

由此，能够抑制随着从金属屏蔽板70远离而接地变弱，从而寄生电感变大的情况。

另外，模块基板90的层数只要为2以上即可。此外，只要第1层的柱状导体的数量小于第1层以外的全部的柱状导体的数量这样的条件成立，则配置在各层的柱状导体的个数是任意的。

[5.实施例2涉及的高频模块1B的电路部件配置结构]

实施例1涉及的高频模块1A具有在模块基板91的单面配置了电路部件的结构，相对于此，实施例2涉及的高频模块1B具有在模块基板91的双面配置了电路部件的结构。以下，本实施例涉及的高频模块1B与实施例1涉及的高频模块1A相比较，不同点在于，在主面91a还配置有金属屏蔽板75，低噪声放大器20、开关40以及42、和连接导体160以及160g配置于主面91b。以下，对于本实施例涉及的高频模块1B，对于与实施例1涉及的高频模块1A相同的结构，省略说明，以不同的结构为中心进行说明。

图6是实施例2涉及的高频模块1B的俯视图以及剖视图。在图6的(a)示出了从z轴正方向侧对模块基板91的相互对置的主面91a以及91b中的主面91a进行观察的情况下的电路部件的配置图。在图6的(b)示出了从z轴正方向侧观察主面91b的情况下的透视了电路部件的配置的图。在图6的(c)示出了图6的(a)以及(b)的VIC-VIC线处的剖视图。高频模块1B具体地示出了构成实施方式涉及的高频模块1的各电路部件的配置结构。

如图6所示，本实施例涉及的高频模块1B除了图1所示的电路结构以外，还具有模块基板91、金属屏蔽板70以及75、金属屏蔽层95、过孔导体96、树脂构件92以及93、外部连接端子150、以及连接导体160。

模块基板91是如下的基板，即，具有相互对置的主面91a(主面)以及主面91b(背面)，对第1发送电路以及第2发送电路和第1接收电路以及第2接收电路进行安装。作为模块基板91，例如，可使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(Low TemperatureCo-firedCeramics：LTCC)基板、高温共烧陶瓷(High Temperature Co-firedCeramics：HTCC)基板、部件内置基板、具有再布线层(Redistribution Layer：RDL)的基板、或者印刷基板等。另外，也可以在模块基板91上形成有天线连接端子100、发送输入端子110、接收输出端子120以及控制信号端子130。

树脂构件93配置在模块基板91的主面91b，对构成第1发送电路以及第2发送电路和第1接收电路以及第2接收电路的电路部件的至少一部分、和模块基板91的主面91b进行覆盖，具有确保上述电路部件的机械强度以及耐湿性等的可靠性的功能。

外部连接端子150配置在主面91a以及主面91b中的主面91b侧，并配置在树脂构件93的表面。高频模块1B经由多个外部连接端子150与配置在高频模块1B的z轴负方向侧的外部基板进行电信号的交换。此外，多个外部连接端子150中的接地端子150g被设定为外部基板的接地电位。另外，如图6所示，外部连接端子150可以是形成在树脂构件93的表面的平面电极，此外，也可以是形成在主面91b上或树脂构件93的表面的凸块电极。

与金属屏蔽板70连接的过孔导体96与连接导体160g连接。连接导体160g是配置在主面91b的连接导体160中的被设定为接地电位的连接导体，将过孔导体96和接地端子150g连接。

金属屏蔽板75是从主面91a朝向树脂构件92的z轴正方向侧的顶面竖立设置的金属壁体。金属屏蔽板75在主面91a与过孔导体96连接。此外，金属屏蔽板75与金属屏蔽层95相接。另外，金属屏蔽板75可以和构成金属屏蔽层95的屏蔽面之中与树脂构件92的顶面相接的屏蔽面相接，此外，也可以和与树脂构件92的侧面相接的屏蔽面相接。此外，金属屏蔽板75和过孔导体96可以直接相接，此外，也可以经由形成在主面91a上的接地电极连接。与金属屏蔽板75连接的过孔导体96与连接导体160g连接。

在此，优选地，在俯视模块基板91的情况下，金属屏蔽板70和经由连接导体160g与金属屏蔽板70连接的接地端子150g重叠。由此，金属屏蔽板70以经由了过孔导体96以及连接导体160g的最短距离与接地端子150g连接，因此能够抑制金属屏蔽板70与接地端子150g之间的寄生电感。因而，能够强化金属屏蔽板70的接地，能够提高屏蔽效果。

此外，优选地，在俯视模块基板91的情况下，金属屏蔽板75和经由连接导体160g与金属屏蔽板75连接的接地端子150g重叠。由此，金属屏蔽板75以经由了过孔导体96以及连接导体160g的最短距离与接地端子150g连接，因此能够抑制金属屏蔽板75与接地端子150g之间的寄生电感。因而，能够强化金属屏蔽板75的接地，能够提高屏蔽效果。

另外，过孔导体96也可以是一端与金属屏蔽板70或75连接且另一端与连接导体160g连接的贯通过孔导体。

由此，能够更加抑制寄生电感，能够强化金属屏蔽板70或75的接地，能够更加提高屏蔽效果。

此外，金属屏蔽板70将主面91a划分为两个区域。如图6的(a)所示，功率放大器10、匹配电路51、53、以及开关41是第1电路部件的一个例子，配置在主面91a的一个区域。此外，匹配电路52以及54是第2电路部件的一个例子，配置在主面91a的另一个区域。此外，开关40是第3电路部件的一个例子，配置在主面91b。

也就是说，金属屏蔽板70配置在主面91a上，在俯视模块基板91的情况下，配置在第1电路部件与第2电路部件之间。

此外，金属屏蔽板75配置在主面91a上，并且在俯视模块基板91的情况下，配置在匹配电路50(第3电路部件)与匹配电路52以及54(第2电路部件)之间。也就是说，金属屏蔽板75配置在主面91a上，并且在俯视模块基板91的情况下，配置在第2电路部件与第3电路部件之间。

在本实施例中，第1电路部件是配置在发送路径AT或BT的电路部件，第2电路部件是配置在接收路径AR或BR的电路部件，第3电路部件是配置在收发路径CTR的电路部件。

另外，也可以是，配置在上述一个区域的第1电路部件是配置在发送路径AT或BT的电路部件，配置在上述另一个区域的第2电路部件是配置在收发路径CTR的电路部件，配置在主面91b的第3电路部件是配置在接收路径AR或BR的电路部件。

此外，也可以是，配置在上述一个区域的第1电路部件是配置在接收路径AR或BR的电路部件，配置在上述另一个区域的第2电路部件是配置在发送路径AT或BT、以及收发路径CTR中的一者的电路部件，配置在主面91b的第3电路部件是配置在发送路径AT或BT、以及收发路径CTR中的另一者的电路部件。

此外，也可以是，配置在上述一个区域的第1电路部件是配置在收发路径CTR的电路部件，配置在上述另一个区域的第2电路部件是配置在发送路径AT或BT、以及接收路径AR或BR中的一者的电路部件，配置在主面91b的第3电路部件是配置在发送路径AT或BT、以及接收路径AR或BR中的另一者的电路部件。

根据上述结构，能够抑制配置在发送路径、接收路径、以及收发路径各自的电路部件进行电磁场耦合。此外，构成高频模块1B的电路部件分开配置在模块基板91的两个面，因此能够将高频模块1B小型化。

此外，在主面91b中，在开关40与低噪声放大器20以及开关42之间配置有连接导体160g。由此，可强化配置在收发路径CTR的电路部件(第3电路部件)和配置在接收路径AR或BR的电路部件(第2电路部件)的隔离度，因此能够抑制无用波流入到接收路径而使接收灵敏度劣化。

[5.效果等1

以上，本实施例涉及的高频模块1A具备：模块基板91，具有主面91a；第1电路部件以及第2电路部件，配置在主面91a；树脂构件92，覆盖主面91a、第1电路部件以及第2电路部件的至少一部分；金属屏蔽层95，覆盖树脂构件92的表面，并被设定为接地电位；金属屏蔽板70，配置在主面91a上，并且在俯视模块基板91的情况下配置在第1电路部件与第2电路部件之间；以及过孔导体96，形成在模块基板91的内部，在与主面91a交叉的方向上延伸，并被设定为接地电位，金属屏蔽板70与金属屏蔽层95相接，在主面91a与过孔导体96连接，金属屏蔽板70的厚度70t大于金属屏蔽层95的厚度95t，且为过孔导体96的外径96d以下。

由此，能够抑制第1电路部件和第2电路部件进行电磁场耦合。在此，金属屏蔽板70的厚度70t大于金属屏蔽层95的厚度95t。由此，与屏蔽外来噪声的金属屏蔽层95的电磁场屏蔽能力相比较，能够提高抑制在高频模块1A的电路部件中产生的高频噪声流入到高频模块1A的其它电路部件的能力。此外，过孔导体96的外径96d为金属屏蔽板70的厚度70t以上。由此，能够强化金属屏蔽板70的接地。因而，能够抑制第1电路部件与第2电路部件之间的强烈的信号干扰，因此能够高精度地抑制发送信号或接收信号的品质劣化。

此外，也可以是，在高频模块1A中，金属屏蔽板70A从主面91a朝向树脂构件92的顶面竖立设置，在金属屏蔽板70A与主面91a之间形成有在金属屏蔽板70A的法线方向上贯通的孔72。

由此，在金属屏蔽板70A与主面91a之间形成有孔72，因此在主面91a上形成树脂构件92的工序中，能够确保金属屏蔽板70A的附近的液体状树脂的良好的流动性。因而，能够抑制在金属屏蔽板70A的附近产生未形成树脂构件92的空隙等。

此外，也可以是，在高频模块1A中，金属屏蔽板70B从主面91a朝向树脂构件92的顶面竖立设置，在金属屏蔽板70B与顶面之间，形成有在金属屏蔽板70B的法线方向上贯通的孔72。

由此，在金属屏蔽板70B与上述顶面之间形成有孔72，因此在主面91a上形成树脂构件92的工序中，能够确保金属屏蔽板70B的附近的液体状树脂的良好的流动性。因而，能够抑制在金属屏蔽板70B的附近产生未形成树脂构件92的空隙等。

此外，也可以是，在高频模块1A中，金属屏蔽板70具有：主体部71，从主面91a朝向树脂构件92的顶面竖立设置；以及接合部73，在主面91a侧与主面91a平行地延伸设置，在主面91a与过孔导体96连接。

由此，金属屏蔽板70和主面91a通过接合部73接合，因此金属屏蔽板70的配置精度、以及金属屏蔽板70和主面91a的接合强度提高。

此外，也可以是，在高频模块1A中，第1电路部件配置在传输发送信号的发送路径、传输接收信号的接收路径、和传输发送信号以及接收信号的收发路径中的任一者，第2电路部件配置在发送路径、接收路径以及收发路径中的除配置了第1电路部件的路径以外的路径中的任一者。

由此，在发送路径、接收路径、以及收发路径中的两个路径之间配置有金属屏蔽板70，因此能够抑制两个路径间的信号干扰。因而，能够提高发送路径、接收路径、以及收发路径之间的隔离度，能够高精度地抑制发送信号或接收信号的品质劣化。

此外，也可以是，高频模块1A还具备功率放大器10和低噪声放大器20，第1电路部件是与功率放大器10的输出端子连接的第1电感器，第2电路部件是与低噪声放大器20的输入端子连接的第2电感器。

由此，能够抑制第1电感器和第2电感器进行电磁场耦合，因此能够抑制被功率放大器10放大的高输出的发送信号、其谐波、或者发送信号和其它高频信号的交调失真等无用波流入到接收路径而使接收灵敏度劣化。

此外，也可以是，在高频模块1A中，第1电路部件是功率放大器10，第2电路部件是低噪声放大器20。

由此，能够抑制功率放大器10和低噪声放大器20进行电磁场耦合，因此能够抑制被功率放大器放大的高输出的发送信号、其谐波、或者发送信号和其它高频信号的交调失真等无用波流入到接收路径而使接收灵敏度劣化。

此外，也可以是，高频模块1A还具备：接地端子150g，配置在模块基板91的与主面91a对置的主面91b，并与过孔导体96连接，在俯视模块基板91的情况下，金属屏蔽板70和接地端子150g重叠。

由此，金属屏蔽板70以经由了过孔导体96的最短距离与接地端子150g连接，因此能够抑制金属屏蔽板70与接地端子150g之间的寄生电感。因而，能够强化金属屏蔽板70的接地，能够提高屏蔽效果。

此外，也可以是，在高频模块1A中，在俯视模块基板91的情况下，金属屏蔽板70和接地端子150g重叠的部分的面积大于金属屏蔽板70的不与接地端子150g重叠的部分的面积。

由此，能够更加抑制寄生电感，能够强化金属屏蔽板70的接地，能够更加提高屏蔽效果。

此外，也可以是，在高频模块1A中，过孔导体96是一端与金属屏蔽板70连接且另一端与接地端子150g连接的贯通过孔导体。

由此，能够更加抑制寄生电感，能够强化金属屏蔽板70的接地，能够更加提高屏蔽效果。

此外，也可以是，在高频模块1A中，模块基板91具有多个层，过孔导体96具有：一个以上的第1柱状导体，配置在多个层中的最靠近主面91a的第1层；以及一个以上的第2柱状导体，配置在多个层中的除第1层以外的全部的层，上述一个以上的第1柱状导体和上述一个以上的第2柱状导体连接，上述一个以上的第2柱状导体的数量大于上述一个以上的柱状导体的数量。

由此，能够抑制随着从金属屏蔽板70远离而接地变弱，从而寄生电感变大的情况。

此外，也可以是，在高频模块1B中，模块基板91还具有与主面91a对置的主面91b，高频模块1B还具备：第3电路部件，配置在主面91b；接地端子150g，配置在主面91b侧；以及连接导体160g，配置在主面91b，将过孔导体96和接地端子150g连接，第1电路部件配置在传输发送信号的发送路径、传输接收信号的接收路径、以及传输发送信号以及接收信号的收发路径中的任一者，第2电路部件配置在发送路径、接收路径以及收发路径中的除配置了第1电路部件的路径以外的路径中的任一者，第3电路部件配置在发送路径、接收路径以及收发路径中的除配置了第1电路部件以及第2电路部件的路径以外的路径。

根据上述结构，能够抑制配置在发送路径、接收路径、以及收发路径各自的电路部件进行电磁场耦合。此外，因为构成高频模块1B的电路部件分开配置在模块基板91的两个面，所以能够将高频模块1B小型化。

此外，通信装置5具备：RFIC3，对由天线2收发的高频信号进行处理；以及高频模块1，在天线2与RFIC3之间传输高频信号。

由此，能够提供一种抑制了发送信号或接收信号的品质劣化的通信装置5。

(其它实施方式等)

以上，列举实施方式、实施例以及变形例对本发明涉及的高频模块以及通信装置进行了说明，但是本发明涉及的高频模块以及通信装置并不限于上述实施方式、实施例以及变形例。将上述实施方式、实施例以及变形例中的任意的构成要素组合而实现的其它实施方式、在不脱离本发明的主旨的范围对上述实施方式、实施例以及变形例实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例、内置了上述高频模块以及通信装置的各种设备也包含于本发明。

例如，在实施例1涉及的高频模块1A中，构成高频模块1A的各电路部件配置在模块基板91的单个主面91a，但是各电路部件也可以分开配置于模块基板91的相互对置的主面91a以及主面91b。也就是说，构成高频模块1A的各电路部件可以在模块基板进行单面安装，此外，也可以进行双面安装。

例如，在上述实施方式、实施例以及变形例涉及的高频模块以及通信装置中，也可以在对附图公开的各电路元件以及信号路径进行连接的路径之间插入其它电路元件以及布线等。

产业上的可利用性

本发明作为配置于应对多频段的前端部的高频模块，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。

附图标记说明

1、1A、1B：高频模块；

2：天线；

3：RF信号处理电路(RFIC)；

4：基带信号处理电路(BBIC)；

5：通信装置；

10：功率放大器；

15：PA控制电路；

20：低噪声放大器；

30、35：双工器；

31、33：发送滤波器；

32、34：接收滤波器；

40、41、42：开关；

40a、41a、42a：公共端子；

40b、40c、41b、41c、42b、42c：选择端子；

50、51、52、53、54：匹配电路；

60：半导体IC；

70、70A、70B、70C、75：金属屏蔽板；

70t、95t：厚度；

71：主体部；

72：孔；

73：接合部；

91：模块基板；

91a、91b：主面；

92、93：树脂构件；

94：接地电极；

95：金属屏蔽层；

96：过孔导体；

96a、96b、96b1、96b2、96b3、96c、96c1、96c2：柱状导体；

96d：外径；

96P：导体图案；

100：天线连接端子；

110：发送输入端子；

120：接收输出端子；

130：控制信号端子；

150：外部连接端子；

150g：接地端子；

160、160g：连接导体；

A1、A3：形成区域；

AR、BR：接收路径；

AT、BT：发送路径；

CTR：收发路径；

P、Q：区域。

Claims (13)

1.一种高频模块，具备：

模块基板，具有主面；

第1电路部件以及第2电路部件，配置在所述主面；

树脂构件，覆盖所述主面、所述第1电路部件以及所述第2电路部件的至少一部分；

金属屏蔽层，覆盖所述树脂构件的表面，并被设定为接地电位；

金属屏蔽板，配置在所述主面上，并且在俯视所述模块基板的情况下配置在所述第1电路部件与所述第2电路部件之间；以及

过孔导体，形成在所述模块基板的内部，在与所述主面交叉的方向上延伸，并被设定为接地电位，

所述金属屏蔽板与所述金属屏蔽层相接，在所述主面与所述过孔导体连接，

所述金属屏蔽板的厚度大于所述金属屏蔽层的厚度，且为所述过孔导体的外径以下。

2.根据权利要求1所述的高频模块，其中，

所述金属屏蔽板从所述主面朝向所述树脂构件的顶面竖立设置，

在所述金属屏蔽板与所述主面之间形成有在所述金属屏蔽板的法线方向上贯通的孔。

3.根据权利要求1所述的高频模块，其中，

所述金属屏蔽板从所述主面朝向所述树脂构件的顶面竖立设置，

在所述金属屏蔽板与所述顶面之间形成有在所述金属屏蔽板的法线方向上贯通的孔。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频模块，其中，

所述金属屏蔽板具有：

主体部，从所述主面朝向所述树脂构件的顶面竖立设置；以及

接合部，在所述主面侧与所述主面平行地延伸设置，在所述主面与所述过孔导体连接。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的高频模块，其中，

所述第1电路部件配置在传输发送信号的发送路径、传输接收信号的接收路径、以及传输发送信号以及接收信号的收发路径中的任一者，

所述第2电路部件配置在所述发送路径、所述接收路径以及所述收发路径中的除配置了所述第1电路部件的路径以外的路径中的任一者。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的高频模块，其中，

还具备：

功率放大器；以及

低噪声放大器，

所述第1电路部件是与所述功率放大器的输出端子连接的第1电感器，

所述第2电路部件是与所述低噪声放大器的输入端子连接的第2电感器。

7.根据权利要求1～5中的任一项所述的高频模块，其中，

所述第1电路部件是功率放大器，

所述第2电路部件是低噪声放大器。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的高频模块，其中，

还具备：

接地端子，配置在所述模块基板的与所述主面对置的背面，与所述过孔导体连接，

在俯视所述模块基板的情况下，所述金属屏蔽板和所述接地端子重叠。

9.根据权利要求8所述的高频模块，其中，

在俯视所述模块基板的情况下，所述金属屏蔽板和所述接地端子重叠的部分的面积大于所述金属屏蔽板的不与所述接地端子重叠的部分的面积。

10.根据权利要求8所述的高频模块，其中，

所述过孔导体是一端与所述金属屏蔽板连接且另一端与所述接地端子连接的贯通过孔导体。

11.根据权利要求1～8中的任一项所述的高频模块，其中，

所述模块基板具有多个层，

所述过孔导体具有：

一个以上的第1柱状导体，配置在所述多个层中的最靠近所述主面的第1层；以及

一个以上的第2柱状导体，配置在所述多个层中的除所述第1层以外的全部的层，

所述一个以上的第1柱状导体和所述一个以上的第2柱状导体连接，

所述一个以上的第2柱状导体的数量大于所述一个以上的柱状导体的数量。

12.根据权利要求5～7中的任一项所述的高频模块，其中，

所述模块基板还具有与所述主面对置的背面，

所述高频模块还具备：

第3电路部件，配置在所述背面；

接地端子，配置在所述背面侧；以及

连接导体，配置在所述背面，将所述过孔导体和所述接地端子连接，

所述第1电路部件配置在传输发送信号的发送路径、传输接收信号的接收路径、以及传输发送信号以及接收信号的收发路径中的任一者，

所述第2电路部件配置在所述发送路径、所述接收路径以及所述收发路径中的除配置了所述第1电路部件的路径以外的路径中的任一者，

所述第3电路部件配置在所述发送路径、所述接收路径以及所述收发路径中的除配置了所述第1电路部件以及所述第2电路部件的路径以外的路径。

13.一种通信装置，具备：

RF信号处理电路，对由天线收发的高频信号进行处理；以及

权利要求1～12中的任一项所述的高频模块，在所述天线与所述RF信号处理电路之间传播所述高频信号。

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