CN115876823B - 薄膜缺陷的检测方法、薄膜缺陷的检测装置及检测系统 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种薄膜缺陷的检测方法、薄膜缺陷的检测装置及检测系统。该方法包括：获取目标薄膜的参考数据，该参考数据包括生产要求指标；根据参考数据发送测试指令至测试设备，以使得测试设备根据上述测试指令，测试待测薄膜，得到测试信息；获取并分析测试信息，得到待测薄膜的检测数据；判断检测数据和参考数据是否满足预设条件，在判断结果指示为否的情况下，确定待测薄膜存在缺陷，并输出预警信号。从而能够在工艺生产开始前根据检测结果调整生产设备，避免在生产过程中检测出缺陷导致大量产品不良或产品的报废，造成机台产能和耗材等的浪费，并且该方案还适用于产品生产过程中的周期性监控，有效提高了检测效率和准确度，降低了成本。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种薄膜缺陷的检测方法、薄膜缺陷的检测装置、检测系统及计算机可读存储介质。
背景技术
薄膜沉积是半导体生产至关重要的工序之一，薄膜沉积的品质直接影响最终的产品良率和使用性能。目前，半导体行业采用了多种手段监控沉积薄膜的品质。现有的监控手段主要包括生产前检测、生产过程中检测以及最终成品检测。生产前检测包括采用非产品晶圆沉积薄膜，检测薄膜厚度（THK），薄膜电阻（RS），薄膜反射率（RF），颗粒物（PD）等，生产中检测包括采用非产品晶圆沉积薄膜或直接量测产品，薄膜厚度（THK），各种缺陷检测（颗粒物（PD），薄膜孔洞（void），短路（IBR），残留物等），最终成品检测包括量测产品，薄膜电阻（RS），短路（IBR），孔洞（void），外观色彩等其他电性能和物理性能检测。
其中，薄膜孔洞（void）是一种因原子异常堆积或晶粒生长或杂质引入等造成的在薄膜中形成的孔洞或凹陷形的缺陷，能够直接影响最终的产品良率和使用性能，从而针对薄膜中可能存在薄膜孔洞而进行的孔洞检测是必要的，然而现有技术中只在产品生产过程中和最终成品检测过程中进行孔洞检测，如图1所示，现有技术在生产过程中的孔洞检测方案首先是对产品抽样进行抽检，从而通过收集抽检产品的光电信号来判断该抽检产品是否存在薄膜孔洞（即光电信号检测），具体的，通常根据收集到的光电信号的强弱，进行人为判定确定是否对该抽检产品进行二次检测，其中，在没有检测到薄膜孔洞的情况下，判定该产品符合生产标准，不需要进行二次检测，而在检测到薄膜孔洞的情况下，判定该产品不符合生产标准，需要二次检测，进而对其进行二次检测，该二次检测具体为根据扫描电镜(SEM)对薄膜进行拍照得到扫描图像，再根据扫描图像人为判定扫描图像中的缺陷类型（即人眼识别缺陷类型），从而确定该缺陷类型中是否存在薄膜孔洞，在判定存在薄膜孔洞的情况下，将生产设备停机处理。
然而上述检测过程中可能会存在由于产品抽检导致的漏检现象，或由于产品上的薄膜孔洞对应的光电信号弱导致的检测不准（产品上的金属薄膜一般都会被其他薄膜覆盖，以防止金属薄膜被氧化，例如金属薄膜可以为金属铝层，金属铝层上覆盖的其他薄膜可以是钛层和氮化钛层的任意一层或钛层和氮化钛层的复合层，从而因为被覆盖的原因，导致光电信号弱），以及由于存在人为因素，导致的整个检测过程的检测效率较低，且误判率较高等问题，从而造成部分薄膜孔洞没有被识别，导致形成的产品不良的现象产生，且由于半导体生产是连续性，不间断生产，一片晶圆的生产时间可能是1-10min，而在生产过程中产品从生产结束到检测站点的时间较长，等到void被检出可能时间已经过去几个小时、几天甚至更长时间，从而在这段时间内生产的产品如果存在该薄膜孔洞，则会导致大量产品不良或报废，同时也浪费了这段时间的机台产能。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种薄膜缺陷的检测方法，以解决现有技术中产品生产前的检测不足导致的大量产品不良或报废的问题。
为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种薄膜缺陷的检测方法，包括：获取目标薄膜的参考数据，该参考数据包括生产要求指标；根据参考数据发送测试指令至测试设备，以使得该测试设备根据上述测试指令，对待测薄膜进行测试，得到待测薄膜的测试信息；获取并分析测试信息，得到待测薄膜的检测数据；判断检测数据和参考数据是否满足预设条件，在判断结果指示为否的情况下，确定待测薄膜存在缺陷，并输出预警信号。
可选地，根据参考数据发送测试指令至测试设备，包括：根据参考数据，确定与生产要求指标对应的测试类型；根据上述测试类型，发送测试指令至测试设备。
可选地，上述测试类型包括孔洞检测，根据上述测试类型发送测试指令至测试设备，包括：根据上述孔洞检测，发送扫描指令至扫描设备，以使该扫描设备根据上述扫描指令，对待测薄膜进行扫描，得到扫描结果。
可选地，根据上述孔洞检测，发送扫描指令至扫描设备，包括：确定与待测薄膜对应的扫描位置，该扫描位置包括位于待测薄膜表面的中心区域的第一位置和围绕该第一位置的多个第二位置；根据上述第一位置和上述多个第二位置，发送扫描指令。
可选地，确定与上述待测薄膜对应的扫描位置，包括：确定待测薄膜表面的几何中心，将该几何中心作为上述第一位置；确定待测薄膜表面中以上述几何中心为中心点的圆形集合，该圆形集合中的多个圆形的半径不同；从上述圆形集合中的每个圆形上确定等间距的多个扫描点，将该多个扫描点作为上述多个第二位置。
可选地，获取并分析上述测试信息，得到待测薄膜的检测数据，还包括：获取上述扫描结果，该扫描结果包括第一图像，该第一图像用于显示待测薄膜的孔洞缺陷情况；获取第一图像的第一像素矩阵，该第一像素矩阵与上述参考数据对应；根据该第一像素矩阵和预设映射关系，得到检测数据，该预设映射关系包括置信度因子，该检测数据包括待测薄膜的孔洞缺陷情况。
可选地，获取并分析上述测试信息，得到待测薄膜的检测数据，还包括：获取扫描结果，该扫描结果包括第一图像，该第一图像用于显示待测薄膜的孔洞缺陷情况；对该第一图像进行图像去噪处理，得到第二图像；获取该第二图像的第二像素矩阵，该第二像素矩阵与上述参考数据对应；根据该第二像素矩阵和预设映射关系，得到上述检测数据，该预设映射关系包括置信度因子，该检测数据包括待测薄膜中孔洞的数量。
可选地，参考数据包括第一阈值，判断检测数据和参考数据是否满足预设条件，在判断结果指示为否的情况下，确定待测薄膜存在缺陷，包括：判断孔洞的数量是否高于第一阈值；在孔洞的数量高于第一阈值的情况下，确定待测薄膜存在缺陷。
根据本发明的另一个方面，提供了一种薄膜缺陷的检测装置，包括：获取模块，获取模块用于获取目标薄膜的参考数据，参考数据包括生产要求指标；发送模块，发送模块用于根据参考数据发送测试指令至测试设备，以使得测试设备根据测试指令，对待测薄膜进行测试，得到待测薄膜的测试信息；分析模块，分析模块用于获取并分析测试信息，得到待测薄膜的检测数据；判断模块，判断模块用于判断检测数据和参考数据是否满足预设条件，在判断结果指示为否的情况下，确定待测薄膜存在缺陷，并输出预警信号。
根据本发明的另一个方面，还提供了一种检测系统，包括：处理器；用于存储处理器可执行指令的存储器；检测设备，与处理器通信连接；其中，处理器被配置为执行指令，以实现如上述薄膜缺陷的检测方法，并输出控制信号，检测设备用于在接收控制信号的情况下，对待测薄膜进行检测。
应用本发明的技术方案，提供了一种薄膜缺陷的检测方法，采用上述检测方法，通过首先获取目标薄膜的参考数据，进而根据每个参考数据对测试设备发送测试指令，从而使得该测试设备检测待测薄膜上与参考数据相关的薄膜信息，从而得到待测薄膜的测试信息，进而获取上述测试信息之后，通过对上述测试信息进行分析，能够得到待测薄膜上相应位置的检测数据，从而判断上述检测数据和参考数据是否满足预设条件，在上述判断结果显示检测数据和参考数据之间的关系不满足预设条件的情况下，确定得到上述待测薄膜存在缺陷，输出预警信号。能够通过对生产产品前的设备进行检测，使得在生产前评估出薄膜品质，从而能够在工艺生产开始前根据该检测方法得到的有关待测薄膜的检测结果调整生产设备，避免在生产过程中检测出缺陷导致大量产品不良或产品的报废，同时造成机台产能和耗材等的浪费，进一步地，该方案还适用于产品生产过程中的周期性监控，使得生产过程中的所有薄膜都能够被检测到，避免了漏检风险，且由于该检测方法是基于大数据智能识别方法分析，从而实现识别薄膜缺陷的目的，从而还能够有效降低人力成本和时间成本，降低误判率，有效提高检测效率和准确度。
附图说明
构成本发明的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1是现有技术中的一种产品生产过程中的薄膜缺陷的检测方法的流程框图；
图2是根据一示例性实施例示出的一种薄膜缺陷的检测方法的流程框图；
图3示出了检测孔洞缺陷过程中拍照检测位置的一个实施例；
图4示出了检测孔洞缺陷过程中拍照检测位置的另一个实施例；
图5示出了采用扫描电镜（SEM）根据“米字型”定点拍照是扫描得到的第一图像；
图6示出了对图5所示的第一图像进行去噪处理之后，得到的第二图像；
图7示出了对图6所示的第二图像进行图像闭运算处理之后的图像；
图8是根据本发明实施例1的薄膜缺陷的检测方法的装置框图；
图9是根据本发明实施例的一种检测系统的装置框图。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
实施例1
根据本发明实施例，提供了一种薄膜缺陷的检测方法实施例，图2是根据本发明实施例的薄膜缺陷的检测方法的流程图，如图2所示，该方法包括：
步骤S102，获取目标薄膜的参考数据，参考数据包括生产要求指标；
步骤S104，根据参考数据发送测试指令至测试设备，以使得测试设备根据测试指令，对待测薄膜进行测试，得到待测薄膜的测试信息；
步骤S106，获取并分析测试信息，得到待测薄膜的检测数据；
步骤S108，判断检测数据和参考数据是否满足预设条件，在判断结果指示为否的情况下，确定待测薄膜存在缺陷，并输出预警信号。
其中，上述目标薄膜为理想情况下的生产得到的薄膜，该参考数据为根据上述目标薄膜预设的薄膜参数，该薄膜参数均符合该目标薄膜对应的产品的生产要求指标；上述待测薄膜是在生产设备还没有进行产品生产之前，在非产品晶圆（NPW）上形成的待测薄膜，该待测薄膜用于测试生产产品的上述生产设备是否能够生产出符合生产要求指标的产品。
进一步地，在待测薄膜的检测数据和上述参考数据满足预设条件(即判断结果为是)的情况下，判定该生产设备能够生产出符合生产要求指标的产品，进而开始生产产品，并将上述薄膜缺陷的检测方法作为生产产品过程中的监控手段，能够对产品进行全部检查，以实现提高检测准确性的目的。
因此，采用上述薄膜缺陷的检测方法，通过首先获取目标薄膜的参考数据，进而根据每个参考数据对测试设备发送测试指令，从而使得该测试设备检测待测薄膜上与参考数据相关的薄膜信息，从而得到待测薄膜的测试信息，进而获取上述测试信息之后，通过对上述测试信息进行分析，能够得到待测薄膜上相应位置的检测数据，从而判断上述检测数据和参考数据是否满足预设条件，在上述判断结果显示检测数据和参考数据之间的关系不满足预设条件的情况下，确定得到上述待测薄膜存在缺陷，输出预警信号。能够通过对生产产品前的设备进行检测，使得在生产前评估出薄膜品质，从而能够在工艺生产开始前根据该检测方法得到的有关薄膜品质的检测结果调整生产设备，避免在生产过程中检测出缺陷导致大量产品不良或产品的报废，同时造成机台产能和耗材等的浪费，进一步地，该方案还适用于产品生产过程中的周期性监控，使得生产过程中的所有薄膜都能够被检测到，避免了漏检风险，且由于该检测方法是基于大数据智能识别方法分析，从而实现识别薄膜缺陷的目的，从而还能够有效降低人力成本和时间成本，降低误判率，有效提高检测效率和准确度。
在一些可选地实施方式中，根据参考数据发送测试指令至测试设备，包括：根据参考数据，确定与生产要求指标对应的测试类型；根据测试类型，发送测试指令至测试设备。
上述实施方式中，为了有针对性的对上述待测薄膜进行检测，首先通过获取预检测类型对应的符合生产要求指标的参考信息，从而能够根据该检测类型，对相应的测试设备发送测试指令，使得该测试设备进行运作，以实现驱动与参考数据相对应的测试设备进行检测的目的。
其中，上述检测类型可以包括薄膜厚度检测、薄膜电阻检测、薄膜反射率检测、薄膜颗粒物检测以及薄膜上的孔洞检测等。
在一些可选地实施方式中，测试类型包括孔洞检测，根据测试类型发送测试指令至测试设备，包括：根据孔洞检测，发送扫描指令至扫描设备，以使得扫描设备根据扫描指令，对待测薄膜进行扫描，得到扫描结果。
上述实施方式中，由于薄膜沉积过程中会产生孔洞，且在薄膜沉积过程中的孔洞产生的原因不尽相同，从而导致薄膜沉积过程中出现的有些孔洞是可以预防的，有些孔洞是难以预防，因此，在上述检测类型为孔洞检测的情况下，首先通过发送扫描指令至扫描设备，使得上述扫描设备对上述待测薄膜进行扫描，使得该扫描图像能够凸显出待测薄膜内部的缺陷情况，从而得到与孔洞检测相关的待测薄膜的扫描图像。
其中，产生上述孔洞缺陷的情况可以包括人为操作失误、维护保养部件异常、沉积来料不纯、半导体加热器heater加热异常、循环水异常、硬件老化以及沉积的工艺条件选择未最佳等，因此，通过获得上述扫描图像，能够得到待测薄膜的缺陷情况，从而方便后续进行分析，以得到孔洞产生的具体原因，从而相应进行调整，使得保证最终生产的产品质量。
在一些可选地实施方式中，根据孔洞检测，发送扫描指令至扫描设备，包括：确定与待测薄膜对应的扫描位置，扫描位置包括位于待测薄膜表面的中心区域的第一位置和围绕第一位置的多个第二位置；根据第一位置和多个第二位置，发送扫描指令。
上述实施方式中，上述扫描指令中包括有预先存储的与待测薄膜上对应的若干个扫描位置，由于该若干个扫描位置包括位于上述待测薄膜表面的中心区域的第一位置和围绕第一位置的多个第二位置，从而使得该若干个扫描位置能够覆盖待测薄膜的整个表面，使得根据该第一位置和多个第二位置下发扫描指令时，能够根据该扫描指令达到检测待测薄膜的整个表面的目的，避免对待测薄膜的边缘位置处的检测的遗漏，上述扫描设备可以为扫描电镜（SEM）。
其中，上述中心区域的第一位置可以是在该中心区域的中心位置处的一个第一位置，还可以是位置该中心区域的多个第一位置，且该多个第一位置为均匀的分布在上述中心区域的多个第一位置，使得扫描设备接收扫描指令之后，同样能够达到扫描整个这个中心区域的目的。
在一些可选地实施方式中，确定与待测薄膜对应的扫描位置，包括：确定待测薄膜表面的几何中心，将几何中心作为第一位置；确定待测薄膜表面中以几何中心为中心点的圆形集合，该圆形集合中的多个圆形的半径不同；从圆形集合中的每个圆形上确定等间距的多个扫描点，将多个扫描点的位置作为多个第二位置。
上述实施方式中，首先通过确定出该待测薄膜的几何中心的方式，进而以该几何中心为第一位置，从而围绕该第一位置设置多个第二位置，并使得该多个第二位置能够围绕上述第一位置，该第一位置和多个第二位置作为上述待测薄膜的关键位置，进一步地，上述多个第二位置可以是包含在一个圆形集合中的多个扫描元素，且该圆形集合中包括有环绕在该几何中心周围的多个同心圆环，该多个第二位置分别位置每个同心圆环中，且相邻两个第二位置等间距的设置，进一步地，上述第一位置和多个第二位置在待测薄膜表面山的位置呈现出“米字型”，示例性地，如图3所示，上述第一位置和多个第二位置构成的“米字型”为9点，即采用扫描电镜（SEM）对上述待测薄膜的9个位置处进行拍照，示例性地，如图4所示，上述第一位置和多个第二位置构成的“米字型”为17点，即采用扫描电镜（SEM）对上述待测薄膜的17个位置处进行拍照，使得扫描电镜（SEM）能够通过关键点位检测（CPI）扫描图像的上述关键位置，从而在不需要对上述待测薄膜的表面进行全检的情况下，同样可以评估整片晶圆上的待测薄膜的孔洞缺陷的情况，达到扫描设备能够扫描待测薄膜的整个表面的目的，且能够有效提高孔洞检测的检测效率。
在一些可选地实施方式中，获取并分析测试信息，得到待测薄膜的检测数据，包括：获取扫描结果，扫描结果包括第一图像，第一图像用于显示待测薄膜的孔洞缺陷情况，如图5所示；获取第一图像的第一像素矩阵，第一像素矩阵与参考数据对应；根据第一像素矩阵和预设映射关系，得到检测数据，预设映射关系包括检测置信度因子，检测数据包括待测薄膜中孔洞的数量。
上述实施方式中，由于上述扫描设备根据扫描指令得到的待测薄膜的测试数据为图像数据，从而难以直观的得到该待测薄膜上的孔洞的缺陷数量，以及该缺陷对待测薄膜的影响大小，从而在该实施方式中，通过获得上述第一图像的第一像素矩阵，从而在根据上述第一像素矩阵和预设映射关系得到检测数据之后，能够根据该检测数据得到影响待测薄膜质量的缺陷数量。
其中，上述预设映射关系中的参数包括有置信度因子，以及像素矩阵，从而能够根据上述参数得到多组向量信息，且通过将上述第一图像划分为多个区域，使得每个区域采用一组向量信息进行检测，从而统计出待测薄膜上的孔洞数量。
在一些可选地实施方式中，获取并分析测试信息，得到待测薄膜的检测数据，还包括：获取扫描结果，扫描结果包括第一图像，第一图像用于显示待测薄膜的孔洞缺陷情况，如图5所示；对第一图像进行图像去噪处理，得到第二图像，如图6所示；获取第二图像的第二像素矩阵，第二像素矩阵与参考数据对应；根据第二像素矩阵和预设映射关系，得到与检测数据，预设映射关系包括检测置信度因子，检测数据包括待测薄膜中孔洞的数量。
上述实施方式中，由于对待测薄膜进行直接拍照得到的上述第一图像为数字图像，由于数字图像在数字化和传输过程中常常受到成像设备与外界环境噪声干扰等影响，从而使得采集的第一图像的图像质量下降，不利于后续的特征提取，因此，上述实施方式中，通过将第一图像进行去噪处理，从而对图像噪点进行一定的抑制，或消除，得到质量较好的第二图像，进而根据第二图像，获取第二图像的第二像素矩阵，并在根据上述第二像素矩阵和预设映射关系得到检测数据之后，能够根据该检测数据得到影响待测薄膜质量的缺陷数量。
其中，可以采用高斯滤波对上述第一图像进行减噪，以排除干扰。示例性地，采用高斯滤波对整幅第一图像进行加权平均，使得每一个像素点的值都是基于自身像素点本身和领域的其他像素值经过加权平均后得到，具体的，采用一个模板（或称卷积、掩模）扫描第一图像中的每一个像素，并用模板确定的领域内像素的加权平均灰度值去替代模板中心像素点的值。进一步地，采用图像闭运算，由于图像闭运算通常会弥合较窄的间断和细长的沟壑，消除小的孔洞，保留较深的缝隙，同时填补轮廓线中的断裂，因此，采用图像闭运算，能使得采用高斯滤波减噪之后的第一图像的主要特征增强，并弱化干扰项，具体的，由于采用扫描电镜（SEM）拍照之后的第一图像上存在裂纹，通过该图像闭运算还能够平滑上述裂纹轮廓的一部分，从而得到比上述第二图像噪点较少的图像，如图7所示。
在一些可选地实施方式中，参考数据包括第一阈值，判断检测数据和参考数据是否满足预设条件，在判断结果指示为否的情况下，确定待测薄膜存在缺陷，包括：判断孔洞的数量是否高于第一阈值；在孔洞的数量高于第一阈值的情况下，确定待测薄膜存在缺陷。
可选地，第一阈值为上述待测薄膜中不影响产品生产的最大允许缺陷数量，上述实施方式中，通过判断实际检测到的孔洞数量是否超过上述第一阈值，从而判断得到待测薄膜中是否存在缺陷，具体的，在上述孔洞数量超过第一阈值的情况下，判断上述待测薄膜中的存在缺陷，从而输出警示信息，从而进一步调整生产产品的相关参数，直至实际检测到的孔洞数量不超过第一阈值的情况下，确定该待测薄膜的质量符合生产要求指标，可以进行生产。
实施例2
根据本发明实施例，还提供了一种用于实施上述薄膜缺陷的检测方法的装置，图8是根据本发明实施例1中的薄膜缺陷的检测装置的结构框图，该装置包括：获取模块202，发送模块204，分析模块206和判断模块208，下面对该装置进行详细说明：
获取模块202，用于获取目标薄膜的参考数据，参考数据包括生产要求指标；
发送模块204，用于根据参考数据发送测试指令至测试设备，以使得测试设备根据测试指令，对待测薄膜进行测试，得到待测薄膜的测试信息；
分析模块206，用于获取并分析测试信息，得到待测薄膜的检测数据；
判断模块208，用于判断检测数据和参考数据是否满足预设条件，在判断结果指示为否的情况下，确定待测薄膜存在缺陷，并输出预警信号。
此处需要说明的是，上述获取模块202，发送模块204，分析模块206和判断模块208对应于实施例1中的步骤S102至步骤S108，多个模块与对应的步骤所实现的实例和应用场景相同，但不限于上述实施例1所公开的内容。
实施例3
本发明的实施例可以提供一种检测系统，该检测系统可以是计算机终端群中的任意一个计算机终端设备。
可选地，在本实施例中，上述检测系统可以位于计算机网络的多个网络设备中的至少一个网络设备。
可选地，图9是根据一示例性实施例示出的一种检测系统的结构框图。如图9所示，该检测系统可以包括：一个或多个（图中仅示出一个）处理器41、用于存储处理器可执行指令的存储器42以及检测设备，与处理器通信连接；其中，处理器被配置为执行指令，以实现上述的薄膜缺陷的检测方法，并输出控制信号，检测设备用于在接收控制信号的情况下，对待测薄膜进行检测。
其中，存储器可用于存储软件程序以及模块，如本发明实施例中的薄膜缺陷的检测方法和装置对应的程序指令/模块，处理器通过运行存储在存储器内的软件程序以及模块，从而执行各种功能应用以及数据处理，即实现上述的薄膜缺陷的检测方法。存储器可包括高速随机存储器，还可以包括非易失性存储器，如一个或者多个磁性存储装置、闪存、或者其他非易失性固态存储器。在一些实例中，存储器可进一步包括相对于处理器远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至计算机终端。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
处理器可以通过传输装置调用存储器存储的信息及应用程序，以执行下述步骤：获取目标薄膜的参考数据，该参考数据包括生产要求指标；根据参考数据发送测试指令至测试设备，以使得该测试设备根据上述测试指令，对待测薄膜进行测试，得到待测薄膜的测试信息；获取并分析测试信息，得到待测薄膜的检测数据；判断检测数据和参考数据是否满足预设条件，在判断结果指示为否的情况下，确定待测薄膜存在缺陷，并输出预警信号。
可选地，上述处理器还可以执行如下步骤的程序代码：根据参考数据发送测试指令至测试设备，包括：根据参考数据，确定与生产要求指标对应的测试类型；根据上述测试类型，发送测试指令至测试设备。
可选地，上述处理器还可以执行如下步骤的程序代码：上述测试类型包括孔洞检测，根据上述测试类型发送测试指令至测试设备，包括：根据上述孔洞检测，发送扫描指令至扫描设备，以使该扫描设备根据上述扫描指令，对待测薄膜进行扫描，得到扫描结果。
可选地，上述处理器还可以执行如下步骤的程序代码：根据上述孔洞检测，发送扫描指令至扫描设备，包括：确定与待测薄膜对应的扫描位置，该扫描位置包括位于待测薄膜表面的中心区域的第一位置和围绕该第一位置的多个第二位置；根据上述第一位置和上述多个第二位置下发扫描指令。
可选地，上述处理器还可以执行如下步骤的程序代码：确定与上述待测薄膜对应的扫描位置，包括：确定待测薄膜表面的几何中心，将该几何中心作为上述第一位置；确定与待测薄膜表面中以上述几何中心为中心点的圆形集合；从上述圆形集合中的每个圆形中确定等间距的多个扫描点，将该多个扫描点作为上述多个第二位置。
可选地，上述处理器还可以执行如下步骤的程序代码：获取并分析上述测试信息，得到待测薄膜的检测数据，还包括：获取上述扫描结果，该扫描结果包括第一图像，该第一图像用于显示待测薄膜的孔洞缺陷情况；获取第一图像的第一像素矩阵，该第一像素矩阵与上述参考数据对应；根据该第一像素矩阵和预设映射关系，得到检测数据，该预设映射关系包括置信度因子，该检测数据包括待测薄膜的孔洞缺陷情况。
可选地，上述处理器还可以执行如下步骤的程序代码：获取并分析上述测试信息，得到待测薄膜的检测数据，还包括：获取扫描结果，该扫描结果包括第一图像，该第一图像用于显示待测薄膜的孔洞缺陷情况；对该第一图像进行图像去噪处理，得到第二图像；获取该第二图像的第二像素矩阵，该第二像素矩阵与上述参考数据对应；根据该第二像素矩阵和预设映射关系，得到上述检测数据，该预设映射关系包括置信度因子，该检测数据包括待测薄膜中孔洞的数量。
可选地，上述处理器还可以执行如下步骤的程序代码：参考数据包括第一阈值，判断检测数据和参考数据是否满足预设条件，在判断结果指示为否的情况下，确定待测薄膜存在缺陷，包括：判断孔洞的数量是否高于第一阈值；在孔洞的数量高于第一阈值的情况下，确定待测薄膜存在缺陷。
本领域普通技术人员可以理解，图8所示的结构仅为示意。图8其并不对上述检测系统的结构造成限定。例如，还可包括比图8中所示更多或者更少的组件（如网络接口、显示装置等），或者具有与图8所示不同的配置。
本领域普通技术人员可以理解上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令终端设备相关的硬件来完成，该程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，存储介质可以包括：闪存盘、只读存储器（Read-Only Memory，ROM）、随机存取器（Random Access Memory，RAM）、磁盘或光盘等。
实施例4
在示例性实施例中，还提供了一种包括指令的计算机可读存储介质，当计算机可读存储介质中的指令由终端的处理器执行时，使得终端能够执行上述任一项的薄膜缺陷的检测方法。可选地，计算机可读存储介质可以是非临时性计算机可读存储介质，例如，非临时性计算机可读存储介质可以是ROM、随机存取存储器（RAM）、CD-ROM、磁带、软盘和光数据存储设备等。
可选地，在本实施例中，上述计算机可读存储介质可以用于保存上述实施例1所提供的薄膜缺陷的检测方法所执行的程序代码。
可选地，在本实施例中，上述计算机可读存储介质可以位于计算机网络中计算机终端群中的任意一个计算机终端中，或者位于移动终端群中的任意一个移动终端中。
可选地，在本实施例中，计算机可读存储介质被设置为存储用于执行以下步骤的程序代码：获取目标薄膜的参考数据，该参考数据包括生产要求指标；根据参考数据发送测试指令至测试设备，以使得该测试设备根据上述测试指令，对待测薄膜进行测试，得到待测薄膜的测试信息；获取并分析测试信息，得到待测薄膜的检测数据；判断检测数据和参考数据是否满足预设条件，在判断结果指示为否的情况下，确定待测薄膜存在缺陷，并输出预警信号。
可选地，在本实施例中，计算机可读存储介质被设置为存储用于执行以下步骤的程序代码：根据参考数据发送测试指令至测试设备，包括：根据参考数据，确定与生产要求指标对应的测试类型；根据上述测试类型，发送测试指令至测试设备。
可选地，在本实施例中，计算机可读存储介质被设置为存储用于执行以下步骤的程序代码：上述测试类型包括孔洞检测，根据上述测试类型发送测试指令至测试设备，包括：根据上述孔洞检测，发送扫描指令至扫描设备，以使该扫描设备根据上述扫描指令，对待测薄膜进行扫描，得到扫描结果。
可选地，在本实施例中，计算机可读存储介质被设置为存储用于执行以下步骤的程序代码：根据上述孔洞检测，发送扫描指令至扫描设备，包括：确定与待测薄膜对应的扫描位置，该扫描位置包括位于待测薄膜表面的中心区域的第一位置和围绕该第一位置的多个第二位置；根据上述第一位置和上述多个第二位置下发扫描指令。
可选地，在本实施例中，计算机可读存储介质被设置为存储用于执行以下步骤的程序代码：确定与上述待测薄膜对应的扫描位置，包括：确定待测薄膜表面的几何中心，将该几何中心作为上述第一位置；确定与待测薄膜表面中以上述几何中心为中心点的圆形集合；从上述圆形集合中的每个圆形中确定等间距的多个扫描点，将该多个扫描点作为上述多个第二位置。
可选地，在本实施例中，计算机可读存储介质被设置为存储用于执行以下步骤的程序代码：获取并分析上述测试信息，得到待测薄膜的检测数据，还包括：获取上述扫描结果，该扫描结果包括第一图像，该第一图像用于显示待测薄膜的孔洞缺陷情况；获取第一图像的第一像素矩阵，该第一像素矩阵与上述参考数据对应；根据该第一像素矩阵和预设映射关系，得到检测数据，该预设映射关系包括置信度因子，该检测数据包括待测薄膜的孔洞缺陷情况。
可选地，在本实施例中，计算机可读存储介质被设置为存储用于执行以下步骤的程序代码：获取并分析上述测试信息，得到待测薄膜的检测数据，还包括：获取扫描结果，该扫描结果包括第一图像，该第一图像用于显示待测薄膜的孔洞缺陷情况；对该第一图像进行图像去噪处理，得到第二图像；获取该第二图像的第二像素矩阵，该第二像素矩阵与上述参考数据对应；根据该第二像素矩阵和预设映射关系，得到上述检测数据，该预设映射关系包括置信度因子，该检测数据包括待测薄膜中孔洞的数量。
可选地，在本实施例中，计算机可读存储介质被设置为存储用于执行以下步骤的程序代码：参考数据包括第一阈值，判断检测数据和参考数据是否满足预设条件，在判断结果指示为否的情况下，确定待测薄膜存在缺陷，包括：判断孔洞的数量是否高于第一阈值；在孔洞的数量高于第一阈值的情况下，确定待测薄膜存在缺陷。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
在本发明的上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的技术内容，可通过其它的方式实现。其中，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，单元或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性或其它的形式。
作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可为个人计算机、服务器或者网络设备等）执行本发明各个实施例方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、只读存储器（ROM，Read-Only Memory）、随机存取存储器（RAM，Random Access Memory）、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种薄膜缺陷的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：
获取目标薄膜的参考数据，所述参考数据包括生产要求指标；
根据所述参考数据发送测试指令至测试设备，以使得所述测试设备根据所述测试指令，对待测薄膜进行测试，得到所述待测薄膜的测试信息，所述待测薄膜是在生产设备还没有进行产品生产之前，在非产品晶圆上形成的待测薄膜，所述待测薄膜用于测试生产产品的生产设备是否能够生产出符合所述生产要求指标的产品；
获取并分析所述测试信息，得到所述待测薄膜的检测数据；
判断所述检测数据和所述参考数据是否满足预设条件，在判断结果指示为否的情况下，确定所述待测薄膜存在缺陷，并输出预警信号；
所述根据所述参考数据发送测试指令至测试设备，包括：
根据所述参考数据，确定与所述生产要求指标对应的测试类型；
根据所述测试类型，发送所述测试指令至所述测试设备；
所述测试类型包括孔洞检测，所述根据所述测试类型发送所述测试指令至所述测试设备，包括：
根据所述孔洞检测，发送扫描指令至扫描设备，以使得所述扫描设备根据所述扫描指令，对所述待测薄膜进行扫描，得到扫描结果；
所述根据所述孔洞检测，发送扫描指令至扫描设备，包括：
确定与所述待测薄膜对应的扫描位置，所述扫描位置包括位于所述待测薄膜表面的中心区域的第一位置和围绕所述第一位置的多个第二位置；
根据所述第一位置和所述多个第二位置，发送所述扫描指令；
所述扫描设备为扫描电镜，所述确定与所述待测薄膜对应的扫描位置，包括：
确定所述待测薄膜表面的几何中心，将所述几何中心作为所述第一位置；
确定所述待测薄膜表面中以所述几何中心为中心点的圆形集合，所述圆形集合中的多个圆形的半径不同；
从所述圆形集合中的每个圆形上确定等间距的多个扫描点，将所述多个扫描点的位置作为所述多个第二位置。
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述获取并分析所述测试信息，得到所述待测薄膜的检测数据，包括：
获取所述扫描结果，所述扫描结果包括第一图像，所述第一图像用于显示所述待测薄膜的孔洞缺陷情况；
获取所述第一图像的第一像素矩阵，所述第一像素矩阵与所述参考数据对应；
根据所述第一像素矩阵和预设映射关系，得到所述检测数据，所述预设映射关系包括检测置信度因子，所述检测数据包括所述待测薄膜中孔洞的数量。
3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述获取并分析所述测试信息，得到所述待测薄膜的检测数据，包括：
获取所述扫描结果，所述扫描结果包括第一图像，所述第一图像用于显示所述待测薄膜的孔洞缺陷情况；
对所述第一图像进行图像去噪处理，得到第二图像；
获取所述第二图像的第二像素矩阵，所述第二像素矩阵与所述参考数据对应；
根据所述第二像素矩阵和预设映射关系，得到与所述检测数据，所述预设映射关系包括检测置信度因子，所述检测数据包括所述待测薄膜中孔洞的数量。
4.根据权利要求2或3所述的检测方法，其特征在于，所述参考数据包括第一阈值，所述判断所述检测数据和所述参考数据是否满足预设条件，在判断结果指示为否的情况下，确定所述待测薄膜存在缺陷，包括：
判断所述孔洞的数量是否高于所述第一阈值；
在所述孔洞的数量高于所述第一阈值的情况下，确定所述待测薄膜存在缺陷。
5.一种薄膜缺陷的检测装置，其特征在于，包括：
获取模块，所述获取模块用于获取目标薄膜的参考数据，所述参考数据包括生产要求指标；
发送模块，所述发送模块用于根据所述参考数据发送测试指令至测试设备，以使得所述测试设备根据所述测试指令，对待测薄膜进行测试，得到所述待测薄膜的测试信息，所述待测薄膜是在生产设备还没有进行产品生产之前，在非产品晶圆上形成的待测薄膜，所述待测薄膜用于测试生产产品的生产设备是否能够生产出符合所述生产要求指标的产品；
分析模块，所述分析模块用于获取并分析所述测试信息，得到所述待测薄膜的检测数据；
判断模块，所述判断模块用于判断所述检测数据和所述参考数据是否满足预设条件，在判断结果指示为否的情况下，确定所述待测薄膜存在缺陷，并输出预警信号；
所述发送模块，包括：
确定子模块，所述确定子模块用于根据所述参考数据，确定与所述生产要求指标对应的测试类型；
发送子模块，所述发送子模块用于根据所述测试类型，发送所述测试指令至所述测试设备；
所述测试类型包括孔洞检测，所述发送子模块，包括：
扫描子模块，所述扫描子模块用于根据所述孔洞检测，发送扫描指令至扫描设备，以使得所述扫描设备根据所述扫描指令，对所述待测薄膜进行扫描，得到扫描结果；
所述扫描子模块，包括：
第一处理子模块，所述第一处理子模块用于确定与所述待测薄膜对应的扫描位置，所述扫描位置包括位于所述待测薄膜表面的中心区域的第一位置和围绕所述第一位置的多个第二位置；
第二处理子模块，所述第二处理子模块用于根据所述第一位置和所述多个第二位置，发送所述扫描指令；
所述扫描设备为扫描电镜，所述第一处理子模块，包括：
第三处理子模块，所述第三处理子模块用于确定所述待测薄膜表面的几何中心，将所述几何中心作为所述第一位置；
第四处理子模块，所述第四处理子模块用于确定所述待测薄膜表面中以所述几何中心为中心点的圆形集合，所述圆形集合中的多个圆形的半径不同；
第五处理子模块，所述第五处理子模块用于从所述圆形集合中的每个圆形上确定等间距的多个扫描点，将所述多个扫描点的位置作为所述多个第二位置。
6.一种检测系统，其特征在于，包括：
处理器；
用于存储所述处理器可执行指令的存储器；
检测设备，与所述处理器通信连接；
其中，所述处理器被配置为执行所述指令，以实现如权利要求1至4中任一项所述薄膜缺陷的检测方法，并输出控制信号，所述检测设备用于在接收所述控制信号的情况下，对待测薄膜进行检测。
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Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN117007611B (zh) * | 2023-09-28 | 2024-01-09 | 杭州百子尖科技股份有限公司 | 片状材料的周期性缺陷检测方法、装置、设备以及介质 |
| CN117664246B (zh) * | 2024-02-02 | 2024-04-19 | 徐州鸿丰高分子材料有限公司 | 一种高分子薄膜类产品性能分析评估方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005005477A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 荷電粒子線マスク検査方法及び荷電粒子線マスク検査装置 |
| JP2020154054A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP2022134358A (ja) * | 2021-03-03 | 2022-09-15 | 株式会社リガク | 異物検出装置及び異物検出方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6539106B1 (en) * | 1999-01-08 | 2003-03-25 | Applied Materials, Inc. | Feature-based defect detection |
| JP5604208B2 (ja) * | 2010-07-28 | 2014-10-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検出装置及びコンピュータプログラム |
| US10203295B2 (en) * | 2016-04-14 | 2019-02-12 | Lockheed Martin Corporation | Methods for in situ monitoring and control of defect formation or healing |
| CN103018265B (zh) * | 2012-11-28 | 2015-05-20 | 上海华力微电子有限公司 | 半导体缺陷定位的方法 |
| CN203385682U (zh) * | 2013-06-26 | 2014-01-08 | 江苏省交通科学研究院股份有限公司 | 一种工业x-ct用水泥基试件抗裂性能评估模具 |
| US10535131B2 (en) * | 2015-11-18 | 2020-01-14 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for region-adaptive defect detection |
| CN110261270B (zh) * | 2019-07-18 | 2023-02-21 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种硅片缺陷的分析方法及装置 |
| CN112630238B (zh) * | 2020-11-25 | 2023-12-26 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种空洞的量测方法 |
| TWI770906B (zh) * | 2021-03-26 | 2022-07-11 | 環球晶圓股份有限公司 | 晶圓表面缺陷檢測方法及其裝置 |
| CN113095438B (zh) * | 2021-04-30 | 2024-03-15 | 上海众壹云计算科技有限公司 | 晶圆缺陷分类方法及其装置、系统、电子设备和存储介质 |
| CN114334688A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-04-12 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 金属薄膜缺陷的检测方法 |
| CN217521061U (zh) * | 2022-05-21 | 2022-09-30 | 合肥本源量子计算科技有限责任公司 | 一种测试结构 |
-
2023
- 2023-01-19 CN CN202310055808.9A patent/CN115876823B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005005477A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 荷電粒子線マスク検査方法及び荷電粒子線マスク検査装置 |
| JP2020154054A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP2022134358A (ja) * | 2021-03-03 | 2022-09-15 | 株式会社リガク | 異物検出装置及び異物検出方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 基于数字图像处理的印刷电路板缺陷检测;李正明等;仪表技术与传感器(第08期);第87-89页 * |
Also Published As
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