CN115852486A - 一种无机晶体材料及其制备方法和应用 - Google Patents
一种无机晶体材料及其制备方法和应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115852486A CN115852486A CN202211153149.4A CN202211153149A CN115852486A CN 115852486 A CN115852486 A CN 115852486A CN 202211153149 A CN202211153149 A CN 202211153149A CN 115852486 A CN115852486 A CN 115852486A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crystal
- shares
- inorganic
- crystalline material
- vertex
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 115
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910001387 inorganic aluminate Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 claims description 20
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 18
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 15
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 15
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 11
- 229910018516 Al—O Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 9
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 claims description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 4
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 4
- UYVZCGGFTICJMW-UHFFFAOYSA-N [Ir].[Au] Chemical compound [Ir].[Au] UYVZCGGFTICJMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 10
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000001857 fluorescence decay curve Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000010117 shenhua Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
技术领域
本申请涉及一种无机晶体材料,属于晶体材料领域。
背景技术
~580nm黄光波段激光黄光激光可以应用于钠信标激光器、生物医疗、激光显示等多个领域,由于其独特的优点而受到人们极大的重视。目前黄光激光的实现方式大多是通过非线性手段,装置系统非常复杂,成本高昂,转换效率较低。而利用半导体激光二极管(LD)泵浦掺Dy3+的增益介质可以直接获得黄光激光,装置简单、结构紧凑,还可以避免非线性转换过程带来的损耗。
LD泵浦的全固态激光器的发展一是靠应用需求推动,二是靠技术发展推动。上世纪90年代之前激光器主要依靠灯泵,而后数十瓦级功率的LD的成功研制与发展很大程度地促进了全固态激光器和激光晶体的发展。Dy3+在蓝光波段的吸收峰与GaN基LD的波长相匹配,从而带动了Dy3+黄光激光晶体的研究。铝酸盐作为激光晶体的基质材料具有物化性能好、硬度高、热性能优良、不溶于酸碱等优点,其典型代表有Y3Al5O12、YAlO3、CaGdAlO4、CaYAlO4晶体等,这些铝酸盐一般具有较高的熔点且同成分融化,适合采用提拉法生长。但Dy3+吸收较弱对实现黄光激光输出非常不利,因此,深入研究与开发用于LD泵浦源直接泵浦实现黄光激光输出的新型激光晶体材料,是获得高光束质量和高性能黄光波段激光的理想解决方案。
发明内容
根据本申请的第一个方面,提供了一种全新的晶体材料Dy4Al2O9,并采用提拉法生长出该晶体。该晶体是一种优良的激光基质晶体,采用448nm泵浦,在可见光波段产生峰值波长为580nm的超强荧光,该晶体可用于产生~580nm的黄光激光。
一种无机晶体材料,所述无机晶体材料的化学式为Dy4Al2O9;属于单斜晶系,P21/c空间群;
可选地,所述无机晶体材料的晶体结构为:
在一个晶胞单元中有60个原子,由九个不相同的O点位、四个Dy点位和两个Al点位组成,其中Dy离子有一种6配位和三种7配位情况,而两个O离子都是6配位,由此Dy-O连接形成了十面体和八面体,Al1和Al2均为邻四面体配位,且相邻的两个Al-O四面体共用一个O离子,形成了弯曲的Al-O-Al桥。
具体地,晶胞中有四个不等价的Dy3+位点:在第一个Dy3+位置,Dy在第一个Dy3+位置,Dy3+与六个O2-原子结合,形成DyO6八面体,与五个AlO4四面体共顶点,与两个等效的DyO7六角锥体共边;
在第二个Dy3+位置,Dy3+与七个O2-原子结合,形成扭曲的DyO7六角锥体,与三个AlO4四面体共顶点,与两个等效的DyO6八面体共边,与两个AlO4四面体共边;
在第三个Dy3+位置,Dy3+与七个O2原子结合;
在第四个Dy3+位置,Dy3+与七个O2原子结合;
晶胞中有两个不等价的Al3+位点:在第一个Al3+位中,Al3+与四个O2-原子结合形成AlO4四面体,该四面体与两个等效的DyO7六角锥体共顶点,与两个等效的DyO6八面体共顶点,与一个AlO4四面体共顶点,与一个DyO7六角锥体共边;
在第二个Al3+位中,Al3+与四个O2-原子结合形成AlO4四面体,该四面体与一个DyO7六角棱锥共顶点,与三个等效的DyO6八面体共顶点,与一个AlO4四面体共顶点,与一个DyO7六角棱锥共边;
可选地,所述无机晶体材料为块状;
所述无机晶体材料至少有一个维度的尺寸为20~90mm。
可选地,所述无机晶体材料至少有一个维度的尺寸为20~85mm。
可选地,所述无机晶体材料的吸收光谱中,在445~455nm波段含有峰值波长为448nm的吸收峰。
可选地,所述无机晶体材料在448nm泵浦下的荧光光谱中,575~605nm波段含有一个峰值波长为580nm的发射峰。
该晶体材料Dy4Al2O9的物化性能良好(不吸潮、不溶于酸碱),熔点高,机械强度大、热导率高、激光损伤阈值高,声子能量高。
根据本申请的第二个方面,提供一种上述所述的无机晶体材料的制备方法。
上述所述的无机晶体材料的制备方法,所述制备方法采用提拉法,包括以下步骤:
将含有Dy2O3、Al2O3的原料进行混合压片、烧结,置于提拉炉内升温熔化,以扭结的铱金丝作为引种的籽晶,晶体在籽晶上结出之后进行晶体生长;
所述生长条件为:
降温速率为1~10℃/h,提拉速率为0.5~1mm/h,籽晶杆的转动速率为12~15rpm,生长结束后将晶体提离液面,以8~25℃/h的速率降至室温;
Dy2O3和Al2O3的摩尔比例为Dy2O3﹕Al2O3=2:1。
可选地,所述熔化的温度为1917℃~1947℃。
作为一种实施方式,所述无机晶体材料的制备方法至少包括以下步骤:
以Dy2O3和Al2O3为原料,所述原料中Dy2O3和Al2O3的摩尔比例为Dy2O3﹕Al2O3=2:1。将原料Dy2O3和Al2O3混合后,以扭结的铱金丝作为引种的籽晶进行晶体生长,生长条件为降温速率为0.5~1mm/h,籽晶杆的转动速率为12~15rpm,生长结束后将晶体提离液面,以8~25℃/h的速率降至室温,得到所述至少有一个维度的尺寸大于20mm的块体晶体材料。其中,Dy2O3的纯度为99.99%,Al2O3为纯度为99.99%。
根据本申请的第三个方面,提供一种上述所述的无机晶体材料或根据上述所述的制备方法制备得到的无机晶体材料的应用。
上述所述的无机晶体材料或根据上述所述的制备方法制备得到的无机晶体材料用于448nm泵浦下实现波长位于580nm黄光波段激光的输出。
根据本申请的第四个方面,提供一种激光器。
一种激光器,所述激光器包括上述所述的无机晶体材料和/或根据上述所述制备方法制备得到的无机晶体材料。
可选地,所述激光器还包括光纤耦合半导体端面泵浦模块、光束耦合系统、输入镜、输出镜;
所述光束耦合系统位于光纤耦合半导体端面泵浦模块后;
所述输入镜位于光束耦合系统后;
所述输出镜位于输入镜后;
所述无机晶体材料位于输入镜和输出镜之间。
可选地,所述光纤耦合半导体端面泵浦模块的泵浦源为448nm蓝光LD,采用端泵模式;
所述光束耦合系统的耦合镜为平面镜;
所述输入镜为凹面镜。
本申请能产生的有益效果包括:
1)本申请所提供的无机晶体材料,具有自激活性能,该自激活的Dy4Al2O9晶体在448nm泵浦下能够实现580nm黄光激光的高功率输出。
2)本申请所提供的无机晶体材料,该自激活的Dy4Al2O9晶体与普通的Dy3+掺杂铝酸盐晶体相比:Dy4Al2O9的声子能量较高(对该晶体进行拉曼光谱测试,得到声子能约为~888cm-1),这有利于增强晶体在黄光波段的荧光发射,从而增加激光发射功率和效率;Dy4Al2O9在黄光波段具有相当大发射截面,对于黄光激光输出是有利的;由于Dy离子的自激活作用,Dy4Al2O9晶体中无须进行其它离子的掺杂,避免了晶格失配等问题,有利于生长获得高质量的晶体。
附图说明
图1是提拉法生长获得的Dy4Al2O9的晶体。
图2是Dy4Al2O9的晶体结构示意图。
图3是根据单晶数据拟合得到的X-射线粉末衍射图谱与实际测量两组数据的对比。
图4是Dy4Al2O9晶体的室温吸收光谱。
图5是Dy4Al2O9晶体在448nm泵浦下的可见光波段的荧光光谱。
图6是Dy4Al2O9晶体在Dy3+:4F9/2能级的荧光衰减曲线。
图7是应用了Dy4Al2O9晶体的激光装置示意图。
具体实施方式
下面结合实施例详述本申请,但本申请并不局限于这些实施例。
如无特殊说明,本申请所用原料和试剂均来自商业购买,未经处理直接使用,所用仪器设备采用厂家推荐的方案和参数。
实施例中,晶体提拉法法生长所用的仪器是自制的晶体生长炉,所采用的坩埚是Ф60mm×60mm的铱金坩埚,所用的原料是纯度为99.99%的Dy2O3和Al2O3。
实施例中,样品的单晶结构解析在Mercury CCD单晶衍射仪进行X射线录谱,采用Olex2(Dolomanov et al.,2009)解结构,并用ShelXL(Sheldrick,2015)程序精修。
实施例中,样品的粉末X-射线分析在Miniflex600粉末衍射仪进行。
实施例中,样品的吸收光谱在Pekin-Elmer公司生产的Lambda950吸收光谱仪上测定;在448nm泵浦下的荧光光谱在英国爱丁堡公司生产的FLS980荧光光谱仪上测定。
实施例1 Dy4Al2O9大尺寸单晶样品的制备
Dy2O3和Al2O3和根据下列化学反应式配制原料:
2Dy2O3+Al2O3→Dy4Al2O9
按上述摩尔配比称量Dy2O3和Al2O3,其中Dy2O3用量为1.6mol,Dy2O3和Al2O3的摩尔比2:1,混合均匀后,放进Ф60mm×60mm的铱金坩埚,置入自制的晶体生长炉中,以200℃/h的速度缓慢升温至原料熔化,恒温半小时,使原料完全熔化(此时温度为1937℃),然后以底部扭结的铱金丝作为引种的籽晶,晶体在铱金丝上结出之后进行晶体生长,在生长过程中设置降温速率为7.5℃/h,提拉速度为0.9mm/h,籽晶杆的转动速率为13rpm,生长结束后将晶体提离液面,以20℃/h的速率降至室温,得到黄色的尺寸为直径22mm、长度85mm的透明晶体,如图1所示。
实施例2样品的晶体结构表征
从生长获得的块体晶体表面敲裂掉一小片,挑选结晶度完好、样品尺寸为0.6×0.4×0.1mm3的Dy4Al2O9单晶进行X-射线单晶衍射分析。
结果显示,Dy4Al2O9晶体属于单斜晶系,空间群P21/c,晶胞参数α=71.244°,β=90°,γ=90°,/> Z=4,密度为6.73g·cm-3。Dy4Al2O9晶体的结构如图2所示,在一个晶胞单元中有60个原子,由九个不相同的O点位、四个Dy点位和两个Al点位组成,其中Dy离子有一种6配位和三种7配位情况,而两个O离子都是6配位,由此Dy-O连接形成了十面体和八面体,Al1和Al2均为邻四面体配位,且相邻的两个Al-O四面体共用一个O离子,形成了弯曲的Al-O-Al桥。晶胞中有四个不等价的Dy3+位点;晶胞中四个不等价的Dy3+位点分别为:在第一个Dy3+位置,Dy在第一个Dy3+位置,Dy3+与六个O2-原子结合,形成DyO6八面体,与五个AlO4四面体共顶点,与两个等效的DyO7六角锥体共边;Dy-O键距离的分布范围为/>在第二个Dy3+位置,Dy3+与七个O2-原子结合,形成扭曲的DyO7六角锥体,与三个AlO4四面体共顶点,与两个等效的DyO6八面体共边,与两个AlO4四面体共边;Dy-O键距离的分布范围为/>在第三个Dy3+位置,Dy3+与七个O2原子结合;Dy-O键距离的分布范围为/>在第四个Dy3+位置,Dy3+与七个O2原子结合;Dy-O键距离的分布范围为/>晶胞中有两个不等价的Al3+位点:在第一个Al3+位中,Al3+与四个O2-原子结合形成AlO4四面体,该四面体与两个等效的DyO7六角锥体共顶点,与两个等效的DyO6八面体共顶点,与一个AlO4四面体共顶点,与一个DyO7六角锥体共边;Al-O键距离的分布范围为/>在第二个Al3+位中,Al3+与四个O2-原子结合形成AlO4四面体,该四面体与一个DyO7六角棱锥共顶点,与三个等效的DyO6八面体共顶点,与一个AlO4四面体共顶点,与一个DyO7六角棱锥共边;Al-O键距离的分布范围为/>
采用粉末X-射线衍射方法对晶体样品的结构进行了测定。根据晶体结构模拟得到的理论XRD衍射图谱与实际测得的衍射图谱对比如图3所示。由图可以看出,理论图谱与实际测量图谱中的衍射峰位置一致,表明所得样品为高纯度的晶体。
实施例3样品的光学性能测定
取样品加工出尺寸5.0×5.0×1.0mm3的晶体片,两面5.0×5.0mm2平行抛光,进行光谱性能测试研究。
结果显示,样品的吸收光谱均显示了12个Dy3+的特征吸收峰,峰值波长分别为321,353,386,448,479,752,804,897,1073,799,1291和1697nm,分别对应于Dy3+:6H15/2到4M17/2+6P3/2+4G9/2+4I9/2、6P7/2+4I11/2、6P5/2+4M19/2、4K17/2+4M21/2+4I13/2+4F7/2、4I15/2、4F9/2、6F3/2、6F5/2、6F7/2、6H7/2+6F9/2、6H9/2+6F11/2和6H11/2的跃迁,445-455nm的吸收峰较宽,峰值波长为448nm,该吸收波段与商业化的InGaN半导体泵浦源相匹配,使得该晶体非常适合采用商业化448nm二极管泵浦进行激光实验。
样品在448nm泵浦下的室温荧光光谱在570~600nm之间有一个宽的荧光发射波段,峰值波长为580nm,对应Dy3+:4F9/2→6H13/2跃迁,半峰宽(FWHM)12nm,采用F-L方程计算发射截面为3.55×10-21cm2@580nm,发射截面较大,有利于实现580nm附近的黄光激光输出。
根据样品荧光衰减曲线,拟合获得样品的Dy3+:4F9/2荧光寿命为0.33ms。
样品的吸收光谱、可见光波段的荧光光谱和荧光衰减曲线分别如图4、图5和图6所示。
综合研究实验结果表明:Dy4Al2O9晶体是一种非常有前途的、可实现580nm波段黄光激光输出的激光晶体材料。
实施例4在激光装置中的应用
取质量较好的晶体样品加工出尺寸为5mm×5mm×10mm的晶体棒,晶体两端5mm×5mm抛光,应用于激光装置。晶体放置在由温控台和铜块构成的冷却装置上,实验中将晶体维持在8℃的温度,控制精度在0.1℃。实验中铜台和晶体之间放置一层铟纸以便更好地散热。滤光片作用是滤去448nm的泵浦光,衰减片的作用是防止可见光光谱仪饱和。采用共轴端面泵浦,泵浦光经过双胶合消色差透镜、凹面镜1后聚焦在晶体中心。激光器谐振腔由两个凹面镜组成,凹面镜在448nm处的透过率大于96%,在580nm处的反射率大于99.7%,曲率半径为-200mm。实验的装置示意图如图7所示。结果显示,应用Dy4Al2O9晶体样品的激光装置能够实现580nm波段的激光输出。
本发明的自激活的Dy4Al2O9晶体与普通的Dy3+掺杂铝酸盐晶体(参考文献:鞠乔俊,沈华,姚文明,等.半导体激光抽运Dy:YAG黄光激光器[J].中国激光,2017,44(4):0401004.)相比有如下优点:
Dy4Al2O9晶体在蓝光波段吸收峰值波长更靠近蓝光LD的中心波长,根据文献Dy:YAG晶体中心波长为447.3nm,而Dy4Al2O9晶体的吸收波长位于448nm,接近蓝光LD的中心波长更有利于激光实验过程中晶体对泵浦光的吸收。
Dy4Al2O9晶体在黄光波段的发射半峰宽更宽,根据文献Dy:YAG晶体半峰全宽小于0.2nm,而Dy4Al2O9晶体的半峰宽为12nm,是其60倍之多,半峰宽更宽有利于调谐激光波长,提高输出激光的稳定性。
因此,本发明的自激活Dy4Al2O9晶体是非常优秀的黄光激光增益材料。
以上所述,仅是本申请的几个实施例,并非对本申请做任何形式的限制,虽然本申请以较佳实施例揭示如上,然而并非用以限制本申请,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本申请技术方案的范围内,利用上述揭示的技术内容做出些许的变动或修饰均等同于等效实施案例,均属于技术方案范围内。
Claims (10)
3.根据权利要求1所述的无机晶体材料,其特征在于,所述无机晶体材料的晶体结构为:
在一个晶胞单元中有60个原子,由九个不相同的O点位、四个Dy点位和两个Al点位组成,其中Dy离子有一种6配位和三种7配位情况,而两个O离子都是6配位,由此Dy-O连接形成了十面体和八面体,Al1和Al2均为邻四面体配位,且相邻的两个Al-O四面体共用一个O离子,形成了弯曲的Al-O-Al桥。
4.根据权利要求3所述的无机晶体材料,其特征在于,所述无机晶体材料的晶体结构为:
晶胞中有四个不等价的Dy3+位点;
晶胞中四个不等价的Dy3+位点分别为:在第一个Dy3+位置,Dy在第一个Dy3+位置,Dy3+与六个O2-原子结合,形成DyO6八面体,与五个AlO4四面体共顶点,与两个等效的DyO7六角锥体共边;
在第二个Dy3+位置,Dy3+与七个O2-原子结合,形成扭曲的DyO7六角锥体,与三个AlO4四面体共顶点,与两个等效的DyO6八面体共边,与两个AlO4四面体共边;
在第三个Dy3+位置,Dy3+与七个O2原子结合;
在第四个Dy3+位置,Dy3+与七个O2原子结合;
晶胞中有两个不等价的Al3+位点:在第一个Al3+位中,Al3+与四个O2-原子结合形成AlO4四面体,该四面体与两个等效的DyO7六角锥体共顶点,与两个等效的DyO6八面体共顶点,与一个AlO4四面体共顶点,与一个DyO7六角锥体共边;
在第二个Al3+位中,Al3+与四个O2-原子结合形成AlO4四面体,该四面体与一个DyO7六角棱锥共顶点,与三个等效的DyO6八面体共顶点,与一个AlO4四面体共顶点,与一个DyO7六角棱锥共边;
5.根据权利要求1所述的无机晶体材料,其特征在于,所述无机晶体材料为块状;
所述无机晶体材料至少有一个维度的尺寸为20~90mm。
6.根据权利要求1所述的无机晶体材料,其特征在于,所述无机晶体材料的吸收光谱中,在445~455nm波段含有峰值波长为448nm的吸收峰。
7.根据权利要求1所述的无机晶体材料,其特征在于,所述无机晶体材料在448nm泵浦下的荧光光谱中,575~605nm波段含有一个峰值波长为580nm的发射峰。
8.权利要求1~7任一项所述的无机晶体材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法采用提拉法,包括以下步骤:
将含有Dy2O3、Al2O3的原料进行混合压片、烧结,置于提拉炉中升温熔化,以扭结的铱金丝作为引种的籽晶,晶体在籽晶上结出之后进行晶体生长;
所述生长条件为:
降温速率为1~10℃/h,提拉速率为0.5~1mm/h,籽晶杆的转动速率为12~15rpm,生长结束后将晶体提离液面,以8~25℃/h的速率降至室温;
Dy2O3和Al2O3的摩尔比例为Dy2O3﹕Al2O3=2:1;
优选地,所述熔化的温度为1917~1947℃。
9.权利要求1至7任一项所述的无机晶体材料,或根据权利要求8所述制备方法制备得到的无机晶体材料,用于448nm泵浦下实现波长位于580nm黄光波段激光的输出。
10.一种激光器,其特征在于,所述激光器包括权利要求1至7任一项所述的无机晶体材料,和/或根据权利要求8所述制备方法制备得到的无机晶体材料;
优选地,所述激光器还包括光纤耦合半导体端面泵浦模块、光束耦合系统、输入镜、输出镜;
所述光束耦合系统位于光纤耦合半导体端面泵浦模块后;
所述输入镜位于光束耦合系统后;
所述输出镜位于输入镜后;
所述无机晶体材料位于输入镜和输出镜之间;
优选地,所述光纤耦合半导体端面泵浦模块的泵浦源为448nm蓝光LD,采用端泵模式;
所述光束耦合系统的耦合镜为平面镜;
所述输入镜为凹面镜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211153149.4A CN115852486A (zh) | 2022-09-21 | 2022-09-21 | 一种无机晶体材料及其制备方法和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211153149.4A CN115852486A (zh) | 2022-09-21 | 2022-09-21 | 一种无机晶体材料及其制备方法和应用 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115852486A true CN115852486A (zh) | 2023-03-28 |
Family
ID=85661065
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211153149.4A Pending CN115852486A (zh) | 2022-09-21 | 2022-09-21 | 一种无机晶体材料及其制备方法和应用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115852486A (zh) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111118603A (zh) * | 2019-12-04 | 2020-05-08 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种晶体材料、其制备方法及作为激光晶体的应用 |
-
2022
- 2022-09-21 CN CN202211153149.4A patent/CN115852486A/zh active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111118603A (zh) * | 2019-12-04 | 2020-05-08 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种晶体材料、其制备方法及作为激光晶体的应用 |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
DIVYA VIJAYAN等: "SYNTHESIS AND OPTICAL CHARACTERIZATION OF NANOCRYSTALLINE Dy4Al2O9: Eu3+", 《JOURNAL OF CRITICAL REVIEWS》, vol. 7, no. 14, 30 January 2022 (2022-01-30), pages 961 - 968 * |
HIDEO KIMURA等: "Optical properties of Czochralski grown rare-earth garnet single crystals in solid solution", 《JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH》, vol. 250, no. 1, 1 March 2003 (2003-03-01), pages 251 - 255, XP004412924, DOI: 10.1016/S0022-0248(02)02256-X * |
LAWRENCE BERKELEY NATIONAL LAB. (LBNL), BERKELEY, CA (UNITED STATES): "Materials Data on Dy4Al2O9 by Materials Project", Retrieved from the Internet <URL:https://www.osti.gov/biblio/1739552> * |
V. B. MOTALOV等: "Activity Determination in the Alumina-Dysprosia System by Knudsen Effusion Mass Spectrometry", 《ECS TRANSACTIONS》, vol. 46, no. 1, 31 March 2020 (2020-03-31), pages 281 - 290 * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101284733B (zh) | 钇铝石榴石和氧化钇双晶相透明陶瓷及其制备方法 | |
Jia et al. | Study on crystal growth of large size Nd3+: Gd3Ga5O12 (Nd3+: GGG) by Czochralski method | |
CN107841789A (zh) | 一种镝铽共掺的铝酸钇可见波段激光晶体及其制备方法 | |
CN112144119A (zh) | 稀土掺杂氟硼酸钡钙激光晶体及其制备和实现激光的方法 | |
Kurunthatil Kuttiat et al. | Enriching the deep-red emission in (Mg, Ba) 3M2GeO8: Mn4+ (M= Al, Ga) compositions for light-emitting diodes | |
CN111118603B (zh) | 一种晶体材料、其制备方法及作为激光晶体的应用 | |
CN114108072B (zh) | 稀土离子掺杂的GdScO3激光晶体制备及其应用 | |
Zhang et al. | The effect of Y3+ doping upon Nd: S-FAP transparent ceramics for effective spectral performance improvement | |
CN109652856B (zh) | Tb3+自激活激光晶体、其制备方法和在可见波段固体激光器中的应用 | |
CN110158150B (zh) | 激活离子掺杂的ABAlO4单晶光纤及其制备方法与应用 | |
CN115852486A (zh) | 一种无机晶体材料及其制备方法和应用 | |
CN106801257A (zh) | 一种掺镱晶体及其生长方法和应用 | |
CN112941630B (zh) | 一种镝镥铝三掺的镓酸镧钙中红外激光晶体及其制备方法和应用 | |
CN103696007B (zh) | Nd, Er:GSAG激光晶体及其制备方法 | |
CN115418707A (zh) | 一种晶体材料及其制备方法和应用 | |
CN115491765A (zh) | 一种掺铥的铝酸钇钙2μm波段单晶光纤及其制备方法 | |
CN105821478A (zh) | 一种铥钬共掺镓酸钡镧激光晶体、制造方法及其应用 | |
CN113699582A (zh) | 一种掺铥bgso人眼安全激光晶体及其制备方法 | |
CN112952544B (zh) | 一种镝铽铝三掺的黄光激光晶体及其制备方法和应用 | |
CN114635179B (zh) | 一种宽谱带中红外Er,Dy:YAP激光晶体及其制备方法和应用 | |
CN109428257B (zh) | 一类铒离子掺杂的硅酸盐晶体及其1.5微米波段激光器件 | |
Song et al. | Preparation and characterization of Er3+/Yb3+ co-doped Na2O–Nb2O5–SiO2 transparent glass-ceramics | |
CN101387010A (zh) | 掺钕硅酸钪激光晶体及其制备方法 | |
CN102899721A (zh) | 铒掺杂硼酸锶镱晶体及其制备方法与用途 | |
CN108238722A (zh) | 一种钪铬钬掺杂铝硅酸盐透明玻璃陶瓷激光材料的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |