CN115833773A - 一种串行接口共模噪声抑制电路和电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种串行接口共模噪声抑制电路和电子设备，涉及集成电路技术领域。包括：T线圈电感和八字型电感；T线圈电感包括：第一电感线圈和第二电感线圈；八字型电感包括：第三电感线圈和第四电感线圈，八字型电感的两个电感线圈分别被配置为各包围T线圈电感中的一个电感线圈；第一电感线圈和第二电感线圈各自的输入端接收差分信号，并结合第三电感线圈和第四电感线圈的耦合作用，对差分信号中共模信号进行抑制。本发明所提串行接口共模噪声抑制电路，在拓展输出级带宽的基础上额外实现了对共模噪声的抑制，具有版图面积小、电路结构简单、不会使输出差模信号质量发生恶化或衰减，极大的减小了引入的插入损耗的优势，具有极高的实用性。

Description

一种串行接口共模噪声抑制电路和电子设备

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种串行接口共模噪声抑制电路和电子设备。

背景技术

近年来，随着信息技术的不断进步，人们对高速数据传输的需求越来越高。对于电子设备间的接口，在要求其具有很高传输速率的同时又希望其尽量减少对物理资源的占用，高速串行接口(SerDes)技术是合适的解决方案。近年来，随着工艺节点的不断演进和新的电路结构的提出，单通道数据率呈现每三到四年翻倍的趋势。

为了适应超高数据率传输的需要，需要对高速串行接口电路的带宽进行拓展。由于串口发射机的输出节点工作在最高的速率，并且需要驱动较大的负载电容，是高速串口发射机的带宽瓶颈，因此需要采用带宽拓展技术对输出级带宽进行拓展。目前超高速串口发射机的主流做法是在输出节点使用T线圈结构，利用多段电感将输出节点的寄生电容进行打散并吸收。

串口发射机输出端存在的另一个重要问题是电磁干扰。随着传输数据率的提升，差分信号由于其固有的共模噪声抑制特性和抗串扰特性而被广泛使用在高速串口收发机中。而差分信号中跳变沿上升下降时间的失配则会导致高速串口发射机中产生共模噪声，在两倍奈奎斯特频率及高次谐波处产生杂散分量，造成电磁干扰问题。

目前已有的做法是在发射机的输出级加上由电感和电容构成的无源滤波网络，在相应频率处对共模信号形成陷波特性。这种做法的缺点在于需要用到较多电感和电容，会占用芯片面积，且会对有用差模信号引入插入损耗。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明以提供解决上述问题或者部分地解决上述问题的一种串行接口共模噪声抑制电路和电子设备。

本发明实施例第一方面提供一种串行接口共模噪声抑制电路，所述串行接口共模噪声抑制电路包括：T线圈电感和八字型电感；

所述T线圈电感包括：第一电感线圈和第二电感线圈；

所述八字型电感包括：第三电感线圈和第四电感线圈，所述八字型电感的两个电感线圈分别被配置为各包围所述T线圈电感中的一个电感线圈；

所述第一电感线圈和所述第二电感线圈各自的输入端接收差分信号，并结合所述第三电感线圈和所述第四电感线圈的耦合作用，对所述差分信号中共模信号进行抑制，以及将共模信号被抑制的差分信号经所述第一电感线圈和所述第二电感线圈各自的输出端输出。

可选地，所述差分信号包括：共模信号；

所述T线圈电感被配置为在所述共模信号流经时，所述第一电感线圈和所述第二电感线圈中各自流经的电流方向相反，则所述第一电感线圈和所述第二电感线圈各自产生的磁场方向相反；

所述八字型电感被配置为在所述第一电感线圈和所述第二电感线圈中各自流经的电流方向相反时，所述第三电感线圈和所述第四电感线圈各自的磁通被叠加分别产生感应电流，再利用磁耦合使得所述第一电感线圈和所述第二电感线圈各自的等效电感值减小，进而使所述串行接口共模噪声抑制电路谐振在一个较高频率处对所述共模信号进行抑制。

可选地，所述差分信号包括：差模信号；

所述T线圈电感被配置为在所述差模信号流经时，所述第一电感线圈和所述第二电感线圈中各自流经的电流方向相同，则所述第一电感线圈和所述第二电感线圈各自产生的磁场方向相同；

所述八字型电感被配置为在所述第一电感线圈和所述第二电感线圈中各自流经的电流方向相同时，所述第三电感线圈和所述第四电感线圈各自的磁通被相互抵消而不产生感应电流，对所述第一电感线圈和所述第二电感线圈各自的等效电感值不产生影响，进而对所述差模信号实现电感峰化和带宽拓展。

可选地，所述第一电感线圈的电感值，与包围所述第一电感线圈的所述第三电感线圈的电感值之间，耦合系数可调；

所述第二电感线圈的电感值，与包围所述第二电感线圈的所述第四电感线圈的电感值之间，耦合系数可调；或者，

所述第一电感线圈的电感值，与包围所述第一电感线圈的所述第四电感线圈的电感值之间，耦合系数可调；

所述第二电感线圈的电感值，与包围所述第二电感线圈的所述第三电感线圈的电感值之间，耦合系数可调。

可选地，通过调整第一电感线圈和第二电感线圈的电感值，使得所述T线圈电感对所述差分信号中差模信号实现电感峰化和带宽拓展；

通过调整所述耦合系数，改变包围与被包围电感线圈之间的互感，从而改变所述T线圈电感的等效感值，进而调整所述共模信号的谐振点位于二倍奈奎斯特频率处，以对所述共模信号进行抑制。

可选地，所述串行接口共模噪声抑制电路还包括：电阻；

所述电阻跨接在所述第一电感线圈的输入端与所述第二电感线圈的输入端之间，所述电阻用于实现阻抗匹配，在所述共模信号流经所述T线圈电感时，所述电阻等效为开路，使得所述串行接口共模噪声抑制电路具有一个很高的Q值。

可选地，所述T线圈电感和所述八字型电感均由片上金属实现。

可选地，所述T线圈电感为差分T线圈，用于打散电路输出节点的寄生电容并进行吸收，从而起到拓展输出级带宽的作用。

可选地，对于所述差模信号有：

所述T线圈电感的感值不会受到影响，所述T线圈电感利用所述差模信号的谐振峰实现串行接口共模噪声抑制电路的带宽拓展，所述差模信号的谐振峰的频率f_diff由下式得到：

上式中，L表示所述T线圈电感的电感值，C表示负载电容的电容值；

对于共模信号有：

所述八字型电感中的磁通量相互叠加，在所述八字型电感中产生感应电流，与所述T线圈电感产生磁耦合使得其等效电感值下降，所述差模信号的谐振峰的频率f_comm由下式得到：

上式中，M表示所述八字型电感对所述T线圈电感产生的互感，所述M的表达式为：

其中φ₁₂为所述八字型电感中产生的感应电流在所述T线圈电感中产生的磁通量，I₂表示所述八字型电感中产生的感应电流；

通过调节所述T线圈电感以及所述八字型电感的大小和位置关系，进而改变所述T线圈电感与所述八字型电感之间的耦合系数k，所述k的表达式为：

上式中，L₁、L₂分别为所述T线圈电感中两个电感线圈的电感值；

通过改变所述耦合系数k改变所述T线圈电感与所述八字型电感之间的互感，从而改变所述T线圈电感的等效电感值：L-M，进而调整的谐振峰的频率f_comm位于二倍奈奎斯特频率处，即使得f_comm≈2f_diff。

本发明实施例第二方面提供一种电子设备，所述电子设备包括如第一方面任一所述的串行接口共模噪声抑制电路。

本发明提供的串行接口共模噪声抑制电路，包括：T线圈电感和八字型电感；T线圈电感包括：第一电感线圈和第二电感线圈；八字型电感包括：第三电感线圈和第四电感线圈，八字型电感的两个电感线圈分别被配置为各包围所述T线圈电感中的一个电感线圈；第一电感线圈和第二电感线圈各自的输入端接收差分信号，并结合第三电感线圈和第四电感线圈的耦合作用，对差分信号中共模信号进行抑制，以及将共模信号被抑制的差分信号经第一电感线圈和第二电感线圈各自的输出端输出。

本发明所提串行接口共模噪声抑制电路，T线圈电感与八字型电感进行堆叠，仅仅占用了传统输出级T线圈电感的面积，利用很小的面积代价在拓展输出级带宽的基础上额外实现了对共模噪声的抑制，具有版图面积小的优势。

此外，传统共模噪声抑制网络采用多级无源网络级联的方式，需要使用到多个电感电容等无源器件实现，在增大芯片面积的同时增加了电路的复杂度，并且还需要进行额外的输出级带宽拓展设计。而本发明所提串行接口共模噪声抑制电路，则利用八字型电感的耦合特性，将对差模信号的带宽拓展和对共模噪声的抑制在同一电路中进行处理，有效降低了电路复杂度，使得整个串行接口共模噪声抑制电路的电路结构简单。

最后，传统共模噪声抑制网络在对共模噪声进行抑制的同时会对有用的差模信号产生附加影响，包括产生附加相移和插入损耗，甚至可能对差模信号产生部分滤波特性，恶化输出差模信号质量。而本发明所提串行接口共模噪声抑制电路，对差模信号的作用与传统的T线圈电感输出级相同，并不会使输出差模信号质量发生恶化或衰减，极大的减小了引入的插入损耗。综上所述，本发明所提串行接口共模噪声抑制电路具有极高的实用性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例所提串行接口共模噪声抑制电路的结构示意图；

图2是本发明实施例中对应图1结构示意图的等效电路原理图；

图3是本发明实施例中对于差模信号情况下的等效半边电路原理图；

图4是本发明实施例中对于共模信号情况下的等效半边电路原理图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明提出的一种串行接口共模噪声抑制电路，包括：T线圈电感和八字型电感。其中T线圈电感包括：第一电感线圈和第二电感线圈；八字型电感包括：第三电感线圈和第四电感线圈，并且八字型电感的两个电感线圈分别被配置为各包围T线圈电感中的一个电感线圈。

第一电感线圈和第二电感线圈各自的输入端接收差分信号，并结合第三电感线圈和第四电感线圈的耦合作用，对差分信号中共模信号进行抑制，以及将共模信号被抑制的差分信号经第一电感线圈和第二电感线圈各自的输出端输出。

需要说明的是，本发明所提串行接口共模噪声抑制电路，T线圈电感和八字型电感均由芯片中的片上金属实现，并且T线圈电感为差分T线圈，在实际工作中T线圈电感作用是将电路输出节点较大的寄生电容打散为多个较小的寄生电容并进行吸收，起到拓展输出级带宽的作用。本发明以下全文以及附图的解释和说明均以寄生电容被打散成两份为例进行，而寄生电容打散为三份或更多份的具体结构以及原理，本领域技术人员，经过简单推导即可得到，并不表示本发明所提串行接口共模噪声抑制电路仅适用于将寄生电容被打散成两份的电子设备或者集成电路。

一般情况下，差分信号包括：共模信号和差模信号。

对于共模信号而言，在其流经T线圈电感时，T线圈电感被配置为第一电感线圈和第二电感线圈中各自流经的电流方向相反，则第一电感线圈和第二电感线圈各自产生的磁场方向相反。

在这种第一电感线圈和第二电感线圈中各自流经的电流方向相反的情况下，八字型电感被配置为第三电感线圈和第四电感线圈各自的磁通被叠加分别产生感应电流，再利用两者之间的磁耦合作用，使得第一电感线圈和第二电感线圈各自的等效电感值减小，进而使得串行接口共模噪声抑制电路谐振在一个较高频率处对共模信号进行抑制。

而对于差模信号而言，在其流经T线圈电感时，T线圈电感被配置为第一电感线圈和第二电感线圈中各自流经的电流方向相同，则第一电感线圈和第二电感线圈各自产生的磁场方向相同。

而在这种第一电感线圈和所述第二电感线圈中各自流经的电流方向相同的情况下，八字型电感被配置为第三电感线圈和第四电感线圈各自的磁通被相互抵消而不产生感应电流，其对第一电感线圈和第二电感线圈各自的等效电感值不会产生影响，T线圈电感对差模信号实现电感峰化和带宽拓展。

这样就通过八字型电感和T线圈电感的耦合实现了一个对于差模信号和共模信号电感值不同的电感。因此对T线圈电感的电感值与八字型电感的电感值之间的耦合系数进行设计，便能够对于差模信号实现电感峰化和带宽拓展，而对于共模信号恰好提供两倍奈奎斯特频率处及高次谐波处的谐振点，对共模噪声起到抑制作用。这种做法相比于传统结构中T线圈电感的带宽拓展技术，在很小的版图面积代价下额外实现了共模噪声抑制的功能。

基于上述考虑，就有：

第一电感线圈的电感值，与包围第一电感线圈的第三电感线圈的电感值之间，耦合系数可调；第二电感线圈的电感值，与包围第二电感线圈的第四电感线圈的电感值之间，耦合系数可调。

或者，第一电感线圈的电感值，与包围第一电感线圈的第四电感线圈的电感值之间，耦合系数可调；第二电感线圈的电感值，与包围第二电感线圈的第三电感线圈的电感值之间，耦合系数可调。通过调整第一电感线圈和第二电感线圈的电感值，即可使得T线圈电感对差分信号中差模信号实现电感峰化和带宽拓展；同样的，通过调整耦合系数，可以改变包围与被包围电感线圈之间的互感，从而改变T线圈电感的等效感值，进而调整共模信号的谐振点位于二倍奈奎斯特频率处，以对共模信号进行抑制。

为了进一步提高对共模信号的抑制，本发明所提串行接口共模噪声抑制电路还可以包括：电阻。该电阻跨接在第一电感线圈的输入端与第二电感线圈的输入端之间，该电阻用于实现阻抗匹配，在共模信号流经T线圈电感时，该电阻等效为开路，使得串行接口共模噪声抑制电路具有一个很高的Q值(Q值是衡量电感器件的主要参数。是指电感器在某一频率的交流电压下工作时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。电感器的Q值越高，其损耗越小，效率越高)。

参照图1，示例性的示出了本发明所提串行接口共模噪声抑制电路的结构示意图。图1中包括：T线圈电感10、八字型电感20以及电阻R；CESD1+、CESD1-、CESD2+、CESD2-分别表示被打散的两份寄生电容。

T线圈电感10的两个电感线圈的输入端分别接收差分信号，图1中用输入+和输入-表示差分信号，电阻R跨接在两个差分信号之间，即跨接在T线圈电感10的两个电感线圈的输入端之间。共模信号被抑制的差分信号由T线圈电感10的两个电感线圈的输出端(图1中用输出+和输出-分别表示)输出。

图2为对应图1结构示意图的等效电路原理图，k表示T线圈电感10的两个电感线圈之间的耦合系数；k1表示T线圈电感10的一个电感线圈与包围该电感线圈的八字型电感中电感线圈之间的耦合系数；k2表示T线圈电感10的另一个电感线圈与包围该另一个电感线圈的八字型电感中电感线圈之间的耦合系数。

对于差模信号，电阻R等效于阻值减半的对地电阻。该电阻R对于差分信号的阻值为R/2，一般取为50欧姆，实现与信道的阻抗匹配。由于T线圈电感中差分信号在八字型电感中产生的磁通相互抵消，八字型电感对T线圈电感的电感值没有影响，因此串行接口共模噪声抑制电路可退化为一个传统的串口发射机输出T线圈网络，此种情况下的等效电路如图3所示。图3中L1、L2分别表示T线圈电感中两个电感线圈各自的电感值。

对于共模信号，由于T线圈电感中共模信号在八字型电感的电感线圈中产生的磁通正向叠加，八字型电感和T线圈电感的耦合使得T线圈电感中电感线圈的等效电感值下降，串行接口共模噪声抑制电路能够谐振在一个较高频率处。此外，电阻R等效于开路，能够使串行接口共模噪声抑制电路具有一个很高的Q值，对共模噪声进行进一步有效抑制，此种情况下的等效电路如图4所示。图4中M1、M2分别表示八字型电感中两个电感线圈分别对T线圈电感中两个电感线圈各自的互感值，则由L1-M1和L2-M2也可知晓T线圈电感中电感线圈的等效电感值下降。

对于上述串行接口共模噪声抑制电路，其原理可概括如下：

对于差模信号有：T线圈电感的感值不会受到影响，T线圈电感利用差模信号的谐振峰实现串行接口共模噪声抑制电路的带宽拓展，差模信号的谐振峰的频率f_diff由下式得到：

上式中，L表示T线圈电感的电感值，C表示负载电容(即寄生电容)的电容值。

对于共模信号有：八字型电感中的磁通量相互叠加，在八字型电感中产生感应电流，与T线圈电感产生磁耦合使得其等效电感值下降，差模信号的谐振峰的频率f_comm由下式得到：

上式中，M表示八字型电感对T线圈电感产生的互感，其中M的表达式为：

其中φ₁₂为八字型电感中产生的感应电流在T线圈电感中产生的磁通量，I₂表示八字型电感中产生的感应电流。

通过调节T线圈电感以及八字型电感的大小和位置关系，进而改变T线圈电感与八字型电感之间的耦合系数k，其中k的表达式为：

上式中，L₁、L₂分别为T线圈电感中两个电感线圈的电感值。

通过改变耦合系数k改变T线圈电感与八字型电感之间的互感，从而改变T线圈电感的等效电感值：L-M，进而调整的谐振峰的频率f_comm位于二倍奈奎斯特频率处，即使得f_comm≈2f_diff。这样便可实现对于二阶谐波处共模噪声的抑制。

基于上述串行接口共模噪声抑制电路，本发明还提出一种电子设备，所述电子设备包括如上任一所述的串行接口共模噪声抑制电路。

通过上述示例，本发明所提串行接口共模噪声抑制电路，T线圈电感与八字型电感进行堆叠，仅仅占用了传统输出级T线圈电感的面积，利用很小的面积代价在拓展输出级带宽的基础上额外实现了对共模噪声的抑制，具有版图面积小的优势。

此外，传统共模噪声抑制网络采用多级无源网络级联的方式，需要使用到多个电感电容等无源器件实现，在增大芯片面积的同时增加了电路的复杂度，并且还需要进行额外的输出级带宽拓展设计。而本发明所提串行接口共模噪声抑制电路，则利用八字型电感的耦合特性，将对差模信号的带宽拓展和对共模噪声的抑制在同一电路中进行处理，有效降低了电路复杂度，使得整个串行接口共模噪声抑制电路的电路结构简单。

最后，传统共模噪声抑制网络在对共模噪声进行抑制的同时会对有用的差模信号产生附加影响，包括产生附加相移和插入损耗，甚至可能对差模信号产生部分滤波特性，恶化输出差模信号质量。而本发明所提串行接口共模噪声抑制电路，对差模信号的作用与传统的T线圈电感输出级相同，并不会使输出差模信号质量发生恶化或衰减，极大的减小了引入的插入损耗。综上所述，本发明所提串行接口共模噪声抑制电路具有极高的实用性。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。

上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本发明的保护之内。

Claims (10)

1.一种串行接口共模噪声抑制电路，其特征在于，所述串行接口共模噪声抑制电路包括：T线圈电感和八字型电感；

所述T线圈电感包括：第一电感线圈和第二电感线圈；

所述八字型电感包括：第三电感线圈和第四电感线圈，所述八字型电感的两个电感线圈分别被配置为各包围所述T线圈电感中的一个电感线圈；

所述第一电感线圈和所述第二电感线圈各自的输入端接收差分信号，并结合所述第三电感线圈和所述第四电感线圈的耦合作用，对所述差分信号中共模信号进行抑制，以及将共模信号被抑制的差分信号经所述第一电感线圈和所述第二电感线圈各自的输出端输出。

2.根据权利要求1所述的串行接口共模噪声抑制电路，其特征在于，所述差分信号包括：共模信号；

所述T线圈电感被配置为在所述共模信号流经时，所述第一电感线圈和所述第二电感线圈中各自流经的电流方向相反，则所述第一电感线圈和所述第二电感线圈各自产生的磁场方向相反；

所述八字型电感被配置为在所述第一电感线圈和所述第二电感线圈中各自流经的电流方向相反时，所述第三电感线圈和所述第四电感线圈各自的磁通被叠加分别产生感应电流，再利用磁耦合使得所述第一电感线圈和所述第二电感线圈各自的等效电感值减小，进而使所述串行接口共模噪声抑制电路谐振在一个较高频率处对所述共模信号进行抑制。

3.根据权利要求1所述的串行接口共模噪声抑制电路，其特征在于，所述差分信号包括：差模信号；

所述T线圈电感被配置为在所述差模信号流经时，所述第一电感线圈和所述第二电感线圈中各自流经的电流方向相同，则所述第一电感线圈和所述第二电感线圈各自产生的磁场方向相同；

所述八字型电感被配置为在所述第一电感线圈和所述第二电感线圈中各自流经的电流方向相同时，所述第三电感线圈和所述第四电感线圈各自的磁通被相互抵消而不产生感应电流，对所述第一电感线圈和所述第二电感线圈各自的等效电感值不产生影响，进而对所述差模信号实现电感峰化和带宽拓展。

4.根据权利要求1所述的串行接口共模噪声抑制电路，其特征在于，所述第一电感线圈的电感值，与包围所述第一电感线圈的所述第三电感线圈的电感值之间，耦合系数可调；

所述第二电感线圈的电感值，与包围所述第二电感线圈的所述第四电感线圈的电感值之间，耦合系数可调；或者，

所述第一电感线圈的电感值，与包围所述第一电感线圈的所述第四电感线圈的电感值之间，耦合系数可调；

所述第二电感线圈的电感值，与包围所述第二电感线圈的所述第三电感线圈的电感值之间，耦合系数可调。

5.根据权利要求4所述的串行接口共模噪声抑制电路，其特征在于，通过调整第一电感线圈和第二电感线圈的电感值，使得所述T线圈电感对所述差分信号中差模信号实现电感峰化和带宽拓展；

通过调整所述耦合系数，改变包围与被包围电感线圈之间的互感，从而改变所述T线圈电感的等效感值，进而调整所述共模信号的谐振点位于二倍奈奎斯特频率处，以对所述共模信号进行抑制。

6.根据权利要求1所述的串行接口共模噪声抑制电路，其特征在于，所述串行接口共模噪声抑制电路还包括：电阻；

所述电阻跨接在所述第一电感线圈的输入端与所述第二电感线圈的输入端之间，所述电阻用于实现阻抗匹配，在所述共模信号流经所述T线圈电感时，所述电阻等效为开路，使得所述串行接口共模噪声抑制电路具有一个很高的Q值。

7.根据权利要求1所述的串行接口共模噪声抑制电路，其特征在于，所述T线圈电感和所述八字型电感均由片上金属实现。

8.根据权利要求1所述的串行接口共模噪声抑制电路，其特征在于，所述T线圈电感为差分T线圈，用于打散电路输出节点的寄生电容并进行吸收，从而起到拓展输出级带宽的作用。

9.根据权利要求5所述的串行接口共模噪声抑制电路，其特征在于，对于所述差模信号有：

所述T线圈电感的感值不会受到影响，所述T线圈电感利用所述差模信号的谐振峰实现串行接口共模噪声抑制电路的带宽拓展，所述差模信号的谐振峰的频率f_diff由下式得到：

上式中，L表示所述T线圈电感的电感值，C表示负载电容的电容值；

对于共模信号有：

所述八字型电感中的磁通量相互叠加，在所述八字型电感中产生感应电流，与所述T线圈电感产生磁耦合使得其等效电感值下降，所述差模信号的谐振峰的频率f_comm由下式得到：

上式中，M表示所述八字型电感对所述T线圈电感产生的互感，所述M的表达式为：

其中φ₁₂为所述八字型电感中产生的感应电流在所述T线圈电感中产生的磁通量，I₂表示所述八字型电感中产生的感应电流；

通过调节所述T线圈电感以及所述八字型电感的大小和位置关系，进而改变所述T线圈电感与所述八字型电感之间的耦合系数k，所述k的表达式为：

上式中，L₁、L₂分别为所述T线圈电感中两个电感线圈的电感值；

通过改变所述耦合系数k改变所述T线圈电感与所述八字型电感之间的互感，从而改变所述T线圈电感的等效电感值：L-M，进而调整的谐振峰的频率f_comm位于二倍奈奎斯特频率处，即使得f_comm≈2f_diff。

10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1-9任一所述的串行接口共模噪声抑制电路。

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