CN115831735A - 一种改善抛光平坦度及提高产能的贴附配凑方法 - Google Patents

一种改善抛光平坦度及提高产能的贴附配凑方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115831735A
CN115831735A CN202211233468.6A CN202211233468A CN115831735A CN 115831735 A CN115831735 A CN 115831735A CN 202211233468 A CN202211233468 A CN 202211233468A CN 115831735 A CN115831735 A CN 115831735A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon wafers
attached
attaching
substrate
polishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211233468.6A
Other languages
English (en)
Inventor
陈凯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Zhongxin Wafer Semiconductor Technology Co ltd
Original Assignee
Shanghai Zhongxin Wafer Semiconductor Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Zhongxin Wafer Semiconductor Technology Co ltd filed Critical Shanghai Zhongxin Wafer Semiconductor Technology Co ltd
Priority to CN202211233468.6A priority Critical patent/CN115831735A/zh
Priority to PCT/CN2023/081610 priority patent/WO2024077864A1/zh
Publication of CN115831735A publication Critical patent/CN115831735A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Abstract

本发明涉及半导体技术领域。一种改善抛光平坦度及提高产能的贴附配凑方法，其特征在于，一个抛光机上安装有四个可转动的陶瓷板，先在每个陶瓷板上贴附五枚硅片，使得贴附五枚硅片的抛光机的个数最大化；当剩下的硅片数是4的整数倍时，整数倍的数值小于5，每个陶瓷板上贴附4个硅片。本发明通过优化硅片的贴附方法，实现了五枚硅片贴附数的最大化，四枚贴硅片贴附数的最小化，进而有效的控制了抛光平坦度。

Description

一种改善抛光平坦度及提高产能的贴附配凑方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体是硅片贴附方法。
背景技术
TTV(Total Thickness Variation)作为硅片平坦度水平的主要代表数据，指的是硅片厚度的最大值和最小值的差值，TTV越小，代表着硅片平坦度水平越高。
目前200mm硅片抛光线贴附装置有5枚贴和4枚贴的构成方法。5枚贴指的是5枚硅片贴附在同一个陶瓷板上。4枚贴指的是4枚硅片贴附在同一个陶瓷板上。
相对于5枚贴的硅片组，4枚贴的硅片组的平坦度不稳定且容易恶化。传统的硅片贴附方式需要将硅片组的个数设置为4的整数倍，同一台抛光机上安装有同一生产批次的硅片。这种贴附方式存有4枚贴的硅片数多的问题，对平坦度及生产效率造成影响，难以管控。
目前缺乏一种可以控制平坦度的硅片贴附方法。
发明内容
针对现有技术存在的问题，本发明提供一种改善抛光平坦度及提高产能的贴附配凑方法，以解决以上至少一个技术问题。
为了达到上述目的，本发明提供了一种改善抛光平坦度及提高产能的贴附配凑方法，其特征在于，一个抛光机上安装有四个可转动的陶瓷板，先在每个陶瓷板上贴附五枚硅片，使得贴附五枚硅片的抛光机的个数最大化；
当剩下的硅片数是4的整数倍时，整数倍的数值小于5，每个陶瓷板上贴附4个硅片。
本发明通过优化硅片的贴附方法，实现了五枚硅片贴附数的最大化，四枚贴硅片贴附数的最小化，进而有效的控制了抛光平坦度。
进一步优选地，用一生产批次的硅片贴附完后，当同一个抛光机上存有未贴附硅片的陶瓷板，该抛光机上剩余的陶瓷板以先五枚贴的方式贴附下一生产批次的硅片，下一生产批次剩下的硅片数是4的c倍时，c为0、1、2、3或4，每个陶瓷板上贴附4个硅片。
进一步优选地，以需研磨的硅片总数为Y，5枚贴硅片的陶瓷板数为a,4枚贴硅片的陶瓷板数为b；
Y＝5*a+4*b,b为0、1、2、3或4。
进一步优选地，当Y＝83时，a＝15,b＝2。
当Y＝102时，a＝18,b＝3。
当Y＝166时，a＝30,b＝4。
当Y＝204时，a＝40,b＝1。
当Y＝221时，a＝41,b＝4。
当Y＝250时，a＝50,b＝0。
当Y＝287时，a＝55,b＝3。
当Y＝333时，a＝65,b＝2。
包括一控制系统，控制系统内存储有运算公式，Y＝5*a+4*b，用户输入Y值后，控制系统自动分析获得a值与b值，并在显示屏上显示。
附图说明
图1为本发明与改进前的方式的对比示意图；
图2为本发明不同批次的硅片贴附示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的说明。
参见图1中的(B)，一种改善抛光平坦度及提高产能的贴附配凑方法，一个抛光机上安装有四个可转动的陶瓷板，先在每个陶瓷板上贴附五枚硅片，使得贴附五枚硅片的抛光机的个数最大化；
当剩下的硅片数是4的整数倍时，整数倍的数值小于5，每个陶瓷板上贴附4个硅片。
本发明通过优化硅片的贴附方法，实现了五枚硅片贴附数的最大化，四枚贴硅片贴附数的最小化，进而有效的控制了抛光平坦度。
进一步优选地，用一生产批次的硅片贴附完后，当同一个抛光机上存有未贴附硅片的陶瓷板，该抛光机上剩余的陶瓷板以先五枚贴的方式贴附下一生产批次的硅片，下一生产批次剩下的硅片数是4的c倍时，c为0、1、2、3或4，每个陶瓷板上贴附4个硅片。
图2中的I、II、III这三个区域分别为不同生产批次。
进一步优选地，以需研磨的硅片总数为Y，5枚贴硅片的陶瓷板数为a,4枚贴硅片的陶瓷板数为b；
Y＝5*a+4*b,b为0、1、2、3或4。
进一步优选地，当Y＝83时，a＝15,b＝2。参见图1(B)。
改进前，硅片总数是83时，5枚贴陶瓷板数为3,4枚贴的陶瓷板数为17，总的陶瓷板是是4的整数倍。参见图1中的(A)。
当Y＝102时，a＝18,b＝3。
当Y＝166时，a＝30,b＝4。
当Y＝204时，a＝40,b＝1。
当Y＝221时，a＝41,b＝4。
当Y＝250时，a＝50,b＝0。
当Y＝287时，a＝55,b＝3。
当Y＝333时，a＝65,b＝2。
改进前如下表：
Figure BDA0003882576120000031
改进后如下表：
Figure BDA0003882576120000041
经平坦度测试，改进前的平坦度(TTV)均大于2.0以上。改进后的平坦度(TTV)控制在了1.5以下。
综上，本发明将抛光前贴附过程优先5枚贴，使4枚贴的陶瓷板数最小化，通过这样的构成方法改善平坦度，并提高生产效率。与现状方法比较，不仅4枚贴的陶瓷板数减少，总陶瓷板数也减少，生产效率提升。
以上仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种改善抛光平坦度及提高产能的贴附配凑方法，其特征在于，一个抛光机上安装有四个可转动的陶瓷板，先在每个陶瓷板上贴附五枚硅片，使得贴附五枚硅片的抛光机的个数最大化；
当剩下的硅片数是4的整数倍时，且整数倍的数值小于5，每个陶瓷板上贴附4个硅片。
2.根据权利要求1所述的一种改善抛光平坦度及提高产能的贴附配凑方法，其特征在于：用一生产批次的硅片贴附完后，当同一个抛光机上存有未贴附硅片的陶瓷板，该抛光机上剩余的陶瓷板以先五枚贴的方式贴附下一生产批次的硅片，下一生产批次剩下的硅片数是4的c倍时，c为0、1、2、3或4，每个陶瓷板上贴附4个硅片。
3.根据权利要求1所述的一种改善抛光平坦度及提高产能的贴附配凑方法，其特征在于：以需研磨的硅片总数为Y，5枚贴硅片的陶瓷板数为a,4枚贴硅片的陶瓷板数为b；
Y＝5*a+4*b,b为0、1、2、3或4。
4.根据权利要求3所述的一种改善抛光平坦度及提高产能的贴附配凑方法，其特征在于：当Y＝83时，a＝15,b＝2。
5.根据权利要求3所述的一种改善抛光平坦度及提高产能的贴附配凑方法，其特征在于：当Y＝102时，a＝18,b＝3。
6.根据权利要求3所述的一种改善抛光平坦度及提高产能的贴附配凑方法，其特征在于：当Y＝166时，a＝30,b＝4。
7.根据权利要求3所述的一种改善抛光平坦度及提高产能的贴附配凑方法，其特征在于：当Y＝204时，a＝40,b＝1。
8.根据权利要求3所述的一种改善抛光平坦度及提高产能的贴附配凑方法，其特征在于：当Y＝221时，a＝41,b＝4。
9.根据权利要求3所述的一种改善抛光平坦度及提高产能的贴附配凑方法，其特征在于：当Y＝250时，a＝50,b＝0。
10.根据权利要求3所述的一种改善抛光平坦度及提高产能的贴附配凑方法，其特征在于：当Y＝287时，a＝55,b＝3。
CN202211233468.6A 2022-10-10 2022-10-10 一种改善抛光平坦度及提高产能的贴附配凑方法 Pending CN115831735A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211233468.6A CN115831735A (zh) 2022-10-10 2022-10-10 一种改善抛光平坦度及提高产能的贴附配凑方法
PCT/CN2023/081610 WO2024077864A1 (zh) 2022-10-10 2023-03-15 一种改善抛光平坦度及提高产能的贴附配凑方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211233468.6A CN115831735A (zh) 2022-10-10 2022-10-10 一种改善抛光平坦度及提高产能的贴附配凑方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115831735A true CN115831735A (zh) 2023-03-21

Family

ID=85524528

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211233468.6A Pending CN115831735A (zh) 2022-10-10 2022-10-10 一种改善抛光平坦度及提高产能的贴附配凑方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN115831735A (zh)
WO (1) WO2024077864A1 (zh)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202022979U (zh) * 2011-04-01 2011-11-02 石金精密科技（深圳）有限公司 大容量石墨舟
CN104862772B (zh) * 2014-02-26 2018-09-04 盛美半导体设备（上海）有限公司 电化学抛光装置及方法
CN110281085A (zh) * 2019-07-25 2019-09-27 广东工业大学 一种集群磁流变研磨抛光装置及其使用方法
CN214848516U (zh) * 2021-06-16 2021-11-23 重庆康佳光电技术研究院有限公司 芯片转移模块和led巨量转移设备

Also Published As

Publication number Publication date
WO2024077864A1 (zh) 2024-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7393790B2 (en) Method of manufacturing carrier wafer and resulting carrier wafer structures
CN100591482C (zh) 一种化学机械抛光工艺中确定研磨时间的方法
TWI420584B (zh) 半導體晶圓和切割晶圓的方法
US10391607B2 (en) Single-wafer processing method of polishing one side of semiconductor wafer and single-wafer processing apparatus for polishing one side of semiconductor wafer
CN103064380B (zh) 具有多台工艺设备的制造系统的派工方法
EP1187183A1 (en) Method of manufacturing semiconductor device and manufacturing line thereof
CN101847568A (zh) 半导体制造方法与装置
CN115831735A (zh) 一种改善抛光平坦度及提高产能的贴附配凑方法
CN1420545A (zh) 半导体装置的设计方法和半导体装置
KR100819176B1 (ko) 대면적 기판 공정 챔버 시스템
KR102080865B1 (ko) 다이 본딩 방법
CN102437199B (zh) 台面型单向负阻二极管芯片及其制造方法
US20040043709A1 (en) Process for machining a wafer-like workpiece
CN113524019A (zh) 化学机械抛光方法
CN117410215B (zh) 机台参数的确定方法、控制方法、控制系统及其装置
US11171012B1 (en) Method and apparatus for formation of protective sidewall layer for bow reduction
Khan et al. Yield improvement at the contact process through run-to-run control
US20230051865A1 (en) Pvd apparatus
CN218363343U (zh) 一种半导体靶材夹具
CN103698856B (zh) 硅基光纤夹具及制造方法
US20050288817A1 (en) Chamber based dispatch method
CN109671652B (zh) 一种硅片辨别方法
Mikata et al. Improvement of mini-fab uptime by using multitask and multifunctional tools
JP2003258049A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2004214453A (ja) 半導体素子のダイボンド方法とダイボンド装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination