CN115808263A - 一种压力传感装置、封装方法及压力监测设备 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title abstract description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 51
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 41
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 47
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 47
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 claims description 26
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 21
- 229910000743 fusible alloy Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 14
- 239000003921 oil Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 claims description 4
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 claims description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims 2
- 238000013022 venting Methods 0.000 claims 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 47
- 235000019198 oils Nutrition 0.000 description 13
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 6
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000306 component Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 230000009469 supplementation Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910001018 Cast iron Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 among which Chemical compound 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000036772 blood pressure Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000004006 olive oil Substances 0.000 description 1
- 235000008390 olive oil Nutrition 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 230000001766 physiological effect Effects 0.000 description 1
- 230000029058 respiratory gaseous exchange Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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Abstract
本发明公开了一种压力传感装置、封装方法及压力监测设备,涉及微观机械装置技术领域,包括壳体、底座与压力膜片,底座设于壳体上端,压力膜片设于壳体下端,壳体、底座与压力膜片三者之间构成一密封腔体。底座设有填料孔,本发明将注油用的填料孔设置成相通的宽孔段与窄孔段,通过宽孔段容纳密封填料孔用的密封金属球,密封金属球在宽孔段与窄孔段形成密封连接。通过密封金属球的隐藏式安装,避免密封金属球密封填料口孔后,在底座外表面形成凸起焊点。实现自由控制电路板与底座的安装距离(电路板可设置成贴合底座或电路板可设置成与底座保留缝隙,该缝隙可小于凸起焊点的高度),降低压力传感器的整体体积,有利于压力传感器的小型化。
Description
技术领域
本发明涉及微观机械装置技术领域,特别涉及一种压力传感装置。
背景技术
医疗领域中,压力监测是对患者治疗过程中通常要使用的技术手段,而压力传感器则是压力监测设备中的重要核心部件。
扩散硅压力传感器作为压力传感器中的一类,用于监测患者血压、宫腔内压力、呼吸、药物吸入压力等其他生理活动,为治疗提供重要信息。扩散硅压力传感器的芯片以单晶硅为基体,采用刻蚀方法在单晶硅上形成压敏膜,制成硅膜片,通过离子注入的方式在硅膜片区域制作具有惠斯通电桥的压力敏感元件。其原理是压力敏感元件形成的四个桥路电阻布置成方形,当硅膜片受到压力产生变形时,处于对角线上的两个电阻受压应力,而另外两个电阻受张应力,由于扩散硅的压阻效应,使相对的二个电阻阻值增大,二另为二个电阻阻值减小,此时,压力敏感元件形成的惠斯通电桥输出电压信号。
扩散硅压力传感器的封装技术是实现扩散硅压力传感器应用的核心技术,目前,封装技术如中国专利CN111638002A公开的一种MEMS压力传感器充油芯体及其封装方法,原理是:上盖的下端与底座密封连接,底座和上盖构成密封腔体,底座上且位于密封腔体内设有敏感元件,之后从底座的填料孔往密封腔体内填充检测介质(硅油),最后采用钢珠与填料孔进行密封焊接。
同样,对填料孔的密封,现有中国专利CN108375428B公开的一种采用无胶结构固定绝压芯片的压力传感器,也是采用钢珠与填料孔进行密封焊接的。
上述专利技术方案中,采用钢珠与填料孔进行密封焊接,焊接处会在底座表面形成一凸起的焊点,使底座必须与带有调理电路和元器件的陶瓷电路板或者印刷电路板(CN108375428B公开的补偿板,补偿板用于解决温度飘移)保持足够的距离,增加扩散硅压力传感器整体的体积,不利于小型化。
发明内容
本发明目的之一是解决现有技术中对压力传感器进行封装时,采用钢珠密封焊接压力传感器的注油用填料孔,会形成凸起的焊点,导致压力传感器中底座与电路板之间要保留足够的距离,不利于小型化的问题。
本发明目的之二是提供一种封装方法。
本发明目的之三是提供一种压力监测设备。
为达到上述目的之一,本发明采用以下技术方案:一种压力传感装置,包含壳体、底座与压力膜片,所述底座设于所述壳体上端,所述压力膜片设于所述壳体下端,所述壳体、所述底座与所述压力膜片构成一密封腔体,所述底座具有硅膜片和连接于所述硅膜片的多个压敏电阻,各所述压敏电阻按照形成惠斯通电桥的方式相连接,所述密封腔体充置检测介质,所述硅膜片、所述硅膜片与所述压敏电阻皆暴露于所述检测介质中,所述底座具有贯通所述底座顶面与所述底座底面的填料孔,所述填料孔连通所述密封腔体。
在上述技术方案中,本发明实施例的原理为,外加压力通过压力膜片、密封腔体的检测介质传递到硅膜片上,硅膜片受到压力产生形变,导致其上形成惠斯通电桥的压敏电阻的电阻值在压阻效应下发生变化,此时,惠斯通电桥输出与外加压力值相对应的电压信号。
进一步地,在本发明实施例中,所述底座还具有贯通所述底座顶面与所述底座底面的脚孔,以及穿过所述脚孔的管脚,所述管脚通过引线电连接所述压敏电阻,所述管脚与底座之间填充绝缘层。
进一步地,在本发明实施例中,所述密封金属球包含半球体与易熔合金层,所述半球体熔点高于所述易熔合金层,所述易熔合金层位于所述半球体的上层,所述半球体嵌入于所述宽孔段与所述窄孔段的连通口处,所述易熔合金在热应力下熔于所述宽孔段中,密封所述半球体与所述窄孔段。
更进一步地,在本发明实施例中,所述窄孔段上端的连通口向所述宽孔段隆起,所述连通口为向外展开的弧面锥形孔,所述弧面锥形孔的弧面与所述半球体相适配,所述宽孔段与隆起的所述连通口之间形成落油槽。
进一步地,在本发明实施例中,所述压力膜片为平面状或波纹状的膜片,所述压力膜片直接焊接于所述壳体下,或所述压力膜片下设置一固定环,并将所述固定环与所述壳体焊接,以将所述压力膜片密封在所述密封腔体的下方。
更进一步地,在本发明实施例中,所述底座具有与外界大气相通的引气通道,所述引气通道以避让所述填料孔与所述脚孔的方式进行设置,所述引气通道中间隔设置主通气层与副通气层,所述主通气层与所述副通气层交替排列。
所述底座还具有衬底,所述硅膜片通过所述衬底连接所述底座,所述衬底中具有掏空结构,所述硅膜片暴露于该掏空结构中,所述掏空结构连通所述底座上的气压通道,所述气压通道连通所述引气通道。
更进一步地,在本发明实施例中,所述主通气层具有横向贯通的主通道,所述副通气层具有横向贯通的副通道,所述主通道与所述副通道相错开,且错开的距离不小于所述主通道或所述副通道的孔径。
更进一步地,在本发明实施例中所述壳体、所述压力膜片与所述固定环为同一金属材料。
本发明的有益效果是:
本发明的压力传感装置将注油用的填料孔设置成相通的宽孔段与窄孔段,通过宽孔段容纳密封填料孔用的密封金属球,密封金属球在宽孔段与窄孔段形成密封连接。通过密封金属球的隐藏式安装,避免密封金属球密封填料口孔后,在底座外表面形成凸起焊点。实现自由控制电路板与底座的安装距离(电路板可设置成贴合底座或电路板可设置成与底座保留缝隙,该缝隙可小于凸起焊点的高度),降低压力传感器的整体体积,有利于压力传感器的小型化。
现有技术中凸起焊点的数据补充:以满量程信号输出在80-100mv的压力传感器为例,凸起焊点直径最小规格为19mm,高度一般超过15mm。也就说,按照本发明的方案结构,可使压力传感器在高度上缩小15mm以上。
为达到上述目的之二,本发明采用以下技术方案:一种基于上述发明目的之一中所述压力传感装置的封装方法,所述封装方法包括以下步骤:
将压力膜片与壳体同轴组合在一起,用焊接机将压力膜片焊接固定在壳体下,压力膜片与壳体的连接处形成密封结构。
将硅膜片粘接于底座下,接着管脚穿过底座的脚孔,而后用超声波压焊机将引线焊接在管脚与硅膜片的压敏电阻上,形成管脚与压敏电阻的电连接。
将底座与壳体组合在一起,用焊接机将底座固定在壳体上,底座与壳体的连接处形成密封结构,底座、壳体与压力膜片形成一个具有密封腔体的整体,且硅膜片与压敏电阻暴露于密封腔体中。
在真空环境下,通过底座的填料孔将检测介质充入至密封腔体中,直至检测介质充满填料孔的窄孔段。
将密封金属球塞入填料孔的宽孔段,直至密封金属球下端嵌入于窄孔段中,最后用焊接机将密封金属球与窄孔段进行焊接,以密封窄孔段。
为达到上述目的之三,本发明采用以下技术方案:一种压力监测设备,所述压力监测设备具有上述发明目的之一中所述的压力传感装置。
附图说明
图1为本发明实施例一中压力传感装置未注油的结构示意图。
图2为本发明实施例一中压力传感装置注油后的结构示意图。
图3为本发明实施例一中压力传感装置注油且焊接填料孔后的结构示意图。
图4为本发明实施例二中压力传感装置的结构示意图。
图5为图4的A处局部放大图。
图6为本发明实施例三中压力传感装置的结构示意图。
图7为本发明实施例三中主通气层与副通气层的立体示意图。
10、壳体,11、密封腔体,12、检测介质;
20、底座,21、硅膜片,22、脚孔,23、管脚,24、引线,25、填料孔,251、窄孔段,252、宽孔段,253、弧面锥形孔,254、落油槽,26、衬底,27、绝缘层,28、气压通道,29、引气通道;
30、压力膜片,31、固定环;
40、密封金属球,41、半球体,42、易熔合金层;
50、主通气层,51、副通气层,52、主通道,53、副通道。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案进行清楚、完整地描述,及优点更加清楚明白,以下结合附图对本发明实施例进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例,仅仅用以解释本发明实施例,并不用于限定本发明实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“中”“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“顶”、“底”、“侧”、“竖直”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“一”、“第一”、“第二”、“第三”、“第四”、“第五”、“第六”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
出于简明和说明的目的,实施例的原理主要通过参考例子来描述。在以下描述中,很多具体细节被提出用以提供对实施例的彻底理解。然而明显的是。对于本领域普通技术人员,这些实施例在实践中可以不限于这些具体细节。在一些实例中,没有详细地描述公知封装方法和结构,以避免无必要地使这些实施例变得难以理解。另外,所有实施例可以互相结合使用。
实施例1
需先说明的是,说明书附图作为说明书的内容,说明书附图中能够毫无疑义得到的结构形状,连接关系,配合关系,位置关系都应作为说明书的内容进行理解。
一种压力传感装置,如图1所示,包含壳体10、底座20与压力膜片30,底座20设于壳体10上端,压力膜片30设于壳体10下端,壳体10、底座20与压力膜片30相焊接在一起,壳体10、底座20与压力膜片30三者之间构成一密封腔体11。
底座20具有硅膜片21和连接于硅膜片21的多个压敏电阻,各压敏电阻按照形成惠斯通电桥的方式相连接。硅膜片21采用刻蚀方法在单晶硅上刻蚀形成,压敏电阻采用离子注入的方式在硅膜片21区域制作而成。
如图2所示,密封腔体11充置检测介质12,检测介质12可为硅油、橄榄油或其他合适的流动介质。
硅膜片21与压敏电阻皆暴露于检测介质12中,底座20具有贯通底座20顶面与底座20底面的填料孔25,填料孔25连通密封腔体11。
填料孔25包含相互连通的窄孔段251与宽孔段252,宽孔段252词义是宽孔段252为一孔结构,该宽孔段252的孔结构要比窄孔段251的孔结构孔径大。
宽孔段252位于窄孔段251的上方,密封金属球40置于宽孔段252中,密封金属球40嵌入于宽孔段252与窄孔段251的连通口处,并采用焊接方式将密封金属球40与窄孔段251焊接,以密封窄孔段251。
压力传感装置的原理为,外加压力通过压力膜片30、密封腔体11的检测介质12传递到硅膜片21上,硅膜片21受到压力产生形变,导致其上形成惠斯通电桥的压敏电阻的电阻值在压阻效应下发生变化,此时,惠斯通电桥输出与外加压力值相对应的电压信号。
压力传感装置通常要在底座20安装一带有调理电路和元器件的陶瓷或者印刷电路板,以解决“温度漂移”问题。
所述“温度漂移”是指,测量环境温度(患者体内测温变化温度在25°-75°之间)变化时会引起硅膜片21参数的变化,这样会造成硅膜片21输出信号的不稳定,因此需要通过补偿电路板进行补救。
本发明的压力传感装置将注油用的填料孔25设置成相通的宽孔段252与窄孔段251,通过宽孔段252容纳密封填料孔25用的密封金属球40,密封金属球40在宽孔段252与窄孔段251形成密封连接。通过密封金属球40的隐藏式安装,避免密封金属球40密封填料口孔后,在底座20外表面形成凸起焊点。实现自由控制电路板与底座20的安装距离(电路板可设置成贴合底座20或电路板可设置成与底座20保留缝隙,该缝隙可小于凸起焊点的高度),降低压力传感器的整体体积,有利于压力传感器的小型化。
现有技术中凸起焊点的数据补充:以满量程信号输出在80-100mv的压力传感器为例,凸起焊点直径最小规格为19mm,高度一般超过15mm。也就说,按照本发明的方案结构,可使压力传感器在高度上缩小15mm以上。
另外,本发明将采用填料孔25的宽孔段252容纳密封金属球40,焊接用的材料将会集中于宽孔段252中,焊接用的材料更易累积在焊接密封金属球40与窄孔段251接合处。而传统封装时,焊接用的材料无宽孔段252壁面阻挡,焊接用的材料会产生流动,焊接所用的材料用到更多,焊接时间更长,不仅增加压力传感器整体重量,而且封装时间也要更长。
如图1所示,底座20还具有贯通底座20顶面与底座20底面的脚孔22,以及穿过脚孔22的管脚23,管脚23通过引线24电连接压敏电阻,管脚23与底座20之间填充绝缘层27。
压敏电阻形成的惠斯通电桥具有输入和输出端,输入端在一压敏电阻一侧,输出端在另一压敏电阻一侧。引线24与压敏电阻相连,即是引线24与压敏电阻相连,相应的电路图与结构在现有技术中早有公开,对本领域人员来说不难理解,因此不作详细解释。
引线24可为可为金丝或铝丝或铜丝,绝缘层27为玻璃烧结而成。
如图2所示,密封金属球40包含金属制半球体41与易熔合金层42构成的半球结构,半球体41熔点高于易熔合金层42,金属制半球体41材料可为钨、纯铁、钢、铸铁、铜、金、银或铝,其中为最低熔点温度的铝,其熔点温度为660℃,易熔合金熔点温度一般不超过232℃。
如图3所示,易熔合金层42位于半球体41的上层,半球体41嵌入于宽孔段252与窄孔段251的连通口处,易熔合金在热应力下熔于宽孔段252中,密封半球体41与窄孔段251。
焊接机将密封金属球40与窄孔段251进行焊接过程中,焊接机的焊针与易熔合金层42接触,熔化易熔合金层42,使得易熔合金层42作为焊接材料,融于宽孔段252中,以密封半球体41与窄孔段251。这种方式的优点在于,无需从外部运输焊接材料进入宽孔段252中,以及能够直接对易熔合金层42整体熔化,能够实现快速焊接,提高封装效率。并且这种方式的另一优点在于能够埋没半球体41,大大提高密封性。传统焊接埋没钢珠要采用进一步提高凸起焊点,不建议采用,而本申请则无需考虑这种问题。
如图1所示,压力膜片30为平面状或波纹状的膜片,压力膜片30直接焊接于壳体10下,或压力膜片30下设置一固定环31,并将固定环31与壳体10焊接,以将压力膜片30密封在密封腔体11的下方。壳体10、压力膜片30与固定环31为同一金属材料,优先为不锈钢,选择同一金属材料的优势在于消除材料间的热膨胀系数失配引起的热应力,避免导致传感器的输出精度降低。
实施例2
一种压力传感装置,本实施例的压力传感装置结构与产生的技术效果相同于实施例一,与实施例一不同之处在于:
如图4、图5所示,窄孔段251上端的连通口向宽孔段252隆起,连通口为向外展开的弧面锥形孔253,弧面锥形孔253的弧面与半球体41相适配,宽孔段252与隆起的连通口之间形成落油槽254。
弧面锥形孔253的弧面与半球体41相适配,将增加半球体41与窄孔段251的接触面积,进而在焊接时,熔化的焊接材料不易从宽孔段252渗入至窄孔段251,混入检测介质12中,以影响压力传感器的检测精度。
另外,检测介质12(硅油)充满密封腔体11的判断方式是,硅油溢出或即将溢出窄孔段251,当半球体41嵌入窄孔段251后,易使检测介质12溢出,而宽孔段252与隆起的连通口之间形成落油槽254则能汇聚从窄孔段251溢出的硅油,集中处理。且硅油不集中于半球体41与窄孔段251的接合处,影响焊接密封。有利于提高密封效果。
实施例3
一种压力传感装置,本实施例的压力传感装置结构与产生的技术效果相同于实施例一或实施例二,与实施例一或实施例二不同之处在于:
如图6、图7所示,底座20具有与外界大气相通的引气通道29,引气通道29以避让填料孔25与脚孔22的方式进行设置,引气通道29中间隔设置主通气层50与副通气层51,主通气层50与副通气层51交替排列。
底座20还具有衬底26,硅膜片21通过衬底26连接底座20,衬底26中具有掏空结构,硅膜片21暴露于该掏空结构中,掏空结构连通底座20上的气压通道28,气压通道28连通引气通道29。
主通气层50具有横向贯通的主通道52,副通气层51具有横向贯通的副通道53,主通道52与副通道53相错开,且错开的距离不小于主通道52或副通道53的孔径。
副通道53分布在副通气层51的四角处,主通道52分布在主通气层50的中心。主通气层50为向右弯曲的勾状结构(未图示),副通气层51为向左弯曲的勾状结构(未图示)。
主通气层50与副通气层51由交错线状结构组成,线状结构之间的距离小于25μm,使得只能允许空气通过。
方案的原理是:外界气体从右端的引气通道29进入,通过主通气层50中心的主通道52进入,从主通道52流出后与副通气层51接触,副通气层51为向左弯曲的勾状结构,因此,气体将被副通气层51过滤掉其中的水分与灰尘等杂质,过滤后的气体流入到副通气层51角处的副通道53,接着气体从副通道53流出与第二个主通气层50接触,第二个主通气层50为向右弯曲的勾状结构,使得过滤后的气体再次过滤。当气体从引气通道29流入气压通道28后完成过滤,最终过滤完成的气体再与硅膜片21接触,通过硅膜片21受力形变感测外界气压,为对患者的治疗提供有效的信息。
在现有技术中,对监测患者进行压力监测往往要考虑到所处的气压环境,气压环境通常根据地理位置和环境温度不同而不同,比如沈阳测量的气压和广州测量的气压就明显不一样,气压不同会影响到监测压力的准确性,故现有技术中常常会设置一通道使硅膜片21感测外界气压(参考CN105236343B、CN104865002B)。
现有技术设置与外界气压相通的通道采用两种技术方案,一种是直接设置不加任何部件的通道,这种方案会使得外界气体的水分和粉尘侵入,不建议采用;另一种则是在通道中设置只允许空气通过的防护层,因防护层内结构之间的缝隙非常小(25μm以下),这种大大阻碍空气流入时间,使得压力传感器准确感测外界气压的变化要花费大量时间。这种方案通常来说是没有问题的,但针对一些特殊情况,比如快速转院时(坐飞机),这种要花费较多时间感测外界的气压的压力传感器就稍显不足。
而本发明通过设置具有主通道52的主通气层50与具有副通道53的副通气层51,并将主通道52与副通道53进行错开,既满足了对空气的过滤,又满足的空气的快速流通,使得压力传感器能够快速感测外界气压变化,适应更广的应用范围。
实施例4
一种基于上述实施例一、二或三中压力传感装置的封装方法,封装方法包括以下步骤:
将压力膜片30与壳体10同轴组合在一起,用焊接机将压力膜片30焊接固定在壳体10下,压力膜片30与壳体10的连接处形成密封结构。
将硅膜片21粘接于底座20下,接着管脚23穿过底座20的脚孔22,而后用超声波压焊机将引线24焊接在管脚23与硅膜片21的压敏电阻上,形成管脚23与压敏电阻的电连接。
将底座20与壳体10组合在一起,用焊接机将底座20固定在壳体10上,底座20与壳体10的连接处形成密封结构,底座20、壳体10与压力膜片30形成一个具有密封腔体11的整体,且硅膜片21与压敏电阻暴露于密封腔体11中。
在真空环境下,通过底座20的填料孔25将检测介质12充入至密封腔体11中,直至检测介质12充满填料孔25的窄孔段251。
将密封金属球40塞入填料孔25的宽孔段252,直至密封金属球40下端嵌入于窄孔段251中,最后用焊接机将密封金属球40与窄孔段251进行焊接,以密封窄孔段251。
本发明的压力传感装置将注油用的填料孔25设置成相通的宽孔段252与窄孔段251,通过宽孔段252容纳密封填料孔25用的密封金属球40,密封金属球40在宽孔段252与窄孔段251形成密封连接。通过密封金属球40的隐藏式安装,避免密封金属球40密封填料口孔后,在底座20外表面形成凸起焊点。实现自由控制电路板与底座20的安装距离(电路板可设置成贴合底座20或电路板可设置成与底座20保留缝隙,该缝隙可小于凸起焊点的高度),降低压力传感器的整体体积,有利于压力传感器的小型化。
现有技术中凸起焊点的数据补充:以满量程信号输出在80-100mv的压力传感器为例,凸起焊点直径最小规格为19mm,高度一般超过15mm。也就说,按照本发明的方案结构,可使压力传感器在高度上缩小15mm以上。
实施例5
一种压力监测设备,压力监测设备具有上述实施例一、二或三中的压力传感装置。
尽管上面对本发明说明性的具体实施方式进行了描述,以便于本技术领域的技术人员能够理解本发明,但是本发明不仅限于具体实施方式的范围,对本技术领域的普通技术人员而言,只要各种变化只要在所附的权利要求限定和确定的本发明精神和范围内,一切利用本发明构思的发明创造均在保护之列。
Claims (10)
1.一种压力传感装置,包含壳体、底座与压力膜片,所述底座设于所述壳体上端,所述压力膜片设于所述壳体下端,所述壳体、所述底座与所述压力膜片构成一密封腔体,所述底座具有硅膜片和连接于所述硅膜片的多个压敏电阻,各所述压敏电阻按照形成惠斯通电桥的方式相连接,所述密封腔体充置检测介质,所述硅膜片、所述硅膜片与所述压敏电阻皆暴露于所述检测介质中,其特征在于,所述底座具有贯通所述底座顶面与所述底座底面的填料孔,所述填料孔连通所述密封腔体;
所述填料孔包含相互连通的窄孔段与宽孔段,所述宽孔段位于所述窄孔段的上方,所述压力传感装置还包含有密封金属球,所述密封金属球置于所述宽孔段中,所述密封金属球密封所述窄孔段。
2.根据权利要求1所述压力传感装置,其特征在于,所述底座还具有贯通所述底座顶面与所述底座底面的脚孔,以及穿过所述脚孔的管脚,所述管脚通过引线电连接所述压敏电阻,所述管脚与底座之间填充绝缘层。
3.根据权利要求1所述压力传感装置,其特征在于,所述密封金属球包含半球体与易熔合金层,所述半球体熔点高于所述易熔合金层,所述易熔合金层位于所述半球体的上层,所述半球体嵌入于所述宽孔段与所述窄孔段的连通口处,所述易熔合金在热应力下熔于所述宽孔段中,密封所述半球体与所述窄孔段。
4.根据权利要求3所述压力传感装置,其特征在于,所述窄孔段上端的连通口向所述宽孔段隆起,所述连通口为向外展开的弧面锥形孔,所述弧面锥形孔的弧面与所述半球体相适配,所述宽孔段与隆起的所述连通口之间形成落油槽。
5.根据权利要求1所述压力传感装置,其特征在于,所述压力膜片为平面状或波纹状的膜片,所述压力膜片直接焊接于所述壳体下,或所述压力膜片下设置一固定环,并将所述固定环与所述壳体焊接,以将所述压力膜片密封在所述密封腔体的下方。
6.根据权利要求2所述压力传感装置,其特征在于,所述底座具有与外界大气相通的引气通道,所述引气通道以避让所述填料孔与所述脚孔的方式进行设置,所述引气通道中间隔设置主通气层与副通气层,所述主通气层与所述副通气层交替排列;
所述底座还具有衬底,所述硅膜片通过所述衬底连接所述底座,所述衬底中具有掏空结构,所述硅膜片暴露于该掏空结构中,所述掏空结构连通所述底座上的气压通道,所述气压通道连通所述引气通道。
7.根据权利要求6所述压力传感装置,其特征在于,所述主通气层具有横向贯通的主通道,所述副通气层具有横向贯通的副通道,所述主通道与所述副通道相错开,且错开的距离不小于所述主通道或所述副通道的孔径。
8.根据权利要求5所述压力传感装置,其特征在于,所述壳体、所述压力膜片与所述固定环为同一金属材料。
9.一种基于上述权利要求1-8中任一所述压力传感装置的封装方法,其特征在于,所述封装方法包括以下步骤:
将压力膜片与壳体同轴组合在一起,用焊接机将压力膜片焊接固定在壳体下,压力膜片与壳体的连接处形成密封结构;
将硅膜片粘接于底座下,接着管脚穿过底座的脚孔,而后用超声波压焊机将引线焊接在管脚与硅膜片的压敏电阻上,形成管脚与压敏电阻的电连接;
将底座与壳体组合在一起,用焊接机将底座固定在壳体上,底座与壳体的连接处形成密封结构,底座、壳体与压力膜片形成一个具有密封腔体的整体,且硅膜片与压敏电阻暴露于密封腔体中;
在真空环境下,通过底座的填料孔将检测介质充入至密封腔体中,直至检测介质充满填料孔的窄孔段;
将密封金属球塞入填料孔的宽孔段,直至密封金属球下端嵌入于窄孔段中,最后用焊接机将密封金属球与窄孔段进行焊接,以密封窄孔段。
10.一种压力监测设备,其特征在于,所述压力监测设备具有上述权利要求1-8中任一所述的压力传感装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115808263A true CN115808263A (zh) | 2023-03-17 |
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Family
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
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