CN115800951B - 滤波装置及其形成方法 - Google Patents

Abstract

一种滤波装置及其形成方法，涉及半导体技术领域，滤波装置包括：第一衬底；基于所述第一衬底形成的若干第一谐振器；第二衬底，基于第二衬底形成的若干第二谐振器和若干第三谐振器，所述第三谐振器与所述第二谐振器的类型相同；所述第一滤波器包括若干所述第一谐振器和若干所述第二谐振器，所述第一谐振器与所述第二谐振器的类型不同，所述第二滤波器包括若干所述第三谐振器；位于所述第二衬底上的天线端口，所述天线端口分别电连接相邻的所述第二谐振器和所述第三谐振器。所述第一谐振器与所述第二谐振器的类型不同，能够在不牺牲第一滤波器插入损耗的情况下，有效降低二阶谐波效应。

Description

滤波装置及其形成方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种滤波装置及其形成方法。

背景技术

现有的谐振器技术主要有声表面波（Surface Acoustic Wave，简称SAW）谐振器技术，体声波（Bulk Acoustic Wave，简称BAW）谐振器技术，低温共烧陶瓷（Low TemperatureCo-fired Ceramic，简称LTCC）谐振器技术等。通过多个谐振器可以形成具有良好通带性能的射频滤波器。

体声波谐振器技术，得益于其高的品质因数（Q）及较小的结构尺寸，广泛应用于现代手持设备的无线通讯中，实现良好的射频信号滤波性能。 为了节省面积，集成两个及以上滤波器的双工器或多工器的结构被广泛采用。双工器包括发射滤波器和接收滤波器。发射滤波器连接在信号发射端与天线端，接收滤波器连接在天线端和信号接收端之间。

由于体声波谐振器的压电层材料，比如：氮化铝或氧化锌等，自身固有的非线性特质，在实际使用过程中会产生一些杂波信号，一般为以下两类：（1）二阶谐波信号，如果发射端产生的二阶谐波信号的频率范围刚好是某个共连天线端接收滤波器的通带范围，则会产生错误的信号串扰；（2）三阶互调信号，从发射端产生的信号与天线端的信号三阶互调而成，如果刚好是某个共连天线端接收滤波器的通带范围则会产生错误的信号串扰。

因此，现有的双工器的性能还有待提升。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种滤波装置及其形成方法，以提升双工器的性能。

为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种滤波装置，包括：第一衬底；基于所述第一衬底形成的若干第一谐振器；第二衬底，所述第二衬底包括第一区和第二区；基于所述第一区形成的若干第二谐振器，所述第一滤波器包括若干所述第一谐振器和若干所述第二谐振器，所述第一谐振器与所述第二谐振器的类型不同；基于所述第二区形成的若干第三谐振器，所述第三谐振器与所述第二谐振器的类型相同，所述第二滤波器包括若干所述第三谐振器；位于所述第二衬底上的天线端口，所述天线端口分别电连接相邻的所述第二谐振器和所述第三谐振器。

可选的，所述第一谐振器包括体声波谐振器；所述体声波谐振器包括薄膜体声波谐振器、固态装配型谐振器或XBAR谐振器。

可选的，所述第二谐振器和第三谐振器包括声表面波谐振器。

可选的，还包括：位于所述第一衬底上的若干第一连接线，所述第一连接线电连接至少一个所述第一谐振器。

可选的，还包括：位于所述第一区的若干第二连接线，所述第二连接线电连接至少一个所述第二谐振器；位于所述第二区的若干第三连接线，所述第三连接线电连接至少一个所述第三谐振器。

可选的，还包括：位于所述第一区和所述第二区之间的第四连接线，所述第四连接线电连接相邻的所述第二谐振器和所述第三谐振器；所述第四连接线还电连接所述天线端口。

可选的，所述第一衬底的材料包括硅或砷化镓。

可选的，所述第二衬底的材料包括压电材料，所述压电材料包括铌酸锂或钽酸锂、石英、氧化锌或氮化铝。

可选的，所述第一滤波器与所述第二滤波器的谐振器波长差值范围为大于2.5%。

可选的，所述第二谐振器的波长范围小于2.2微米；所述第二谐振器的面积范围小于45000平方微米。

可选的，还包括：位于所述第一衬底和所述第二衬底上的第一连接部，所述第一连接部电连接所述第一谐振器和所述第二谐振器。

相应地，本发明技术方案还提供一种滤波装置的形成方法，包括形成第一滤波器与第二滤波器，包括：提供第一衬底；基于所述第一衬底形成若干第一谐振器；提供第二衬底，所述第二衬底包括第一区和第二区；基于所述第一区形成若干第二谐振器，所述第一谐振器与所述第二谐振器的类型不同；形成第一滤波器包括形成若干所述第一谐振器和若干所述第二谐振器；基于所述第二区形成若干第三谐振器，所述第三谐振器与所述第二谐振器的类型相同；形成所述第二滤波器包括形成若干所述第三谐振器；形成天线端口，位于所述第二衬底上，所述天线端口分别电连接相邻的所述第二谐振器和所述第三谐振器。

可选的，还包括：形成位于所述第一衬底上的若干第一连接线，所述第一连接线电连接至少一个所述第一谐振器。

可选的，还包括：形成位于所述第一区的第二连接线，所述第二连接线电连接至少一个所述第二谐振器；形成位于所述第二区的第三连接线，所述第三连接线电连接至少一个所述第三谐振器。

可选的，还包括：形成位于所述第一区和所述第二区之间的第四连接线，所述第四连接线电连接相邻的所述第二谐振器和所述第三谐振器；所述第四连接线还电连接所述天线端口。

可选的，所述第一连接线、第二连接线、第三连接线和第四连接线基于同一金属材料层形成。

可选的，还包括：形成位于所述第一衬底和所述第二衬底上的第一连接部，所述第一连接部电连接所述第一谐振器和所述第二谐振器，所述第一连接部基于第二金属材料层形成。

相应地，本发明技术方案还提供一种滤波装置的形成方法，包括：提供上述滤波装置；形成连接结构，所述形成连接结构包括：提供载板结构，所述载板结构包括若干层载板；在所述载板结构内形成第一连接部；接合所述第一衬底与所述载板结构，接合所述第二衬底与所述载板结构，所述第一衬底与所述第二衬底位于载板结构同一侧，所述第一区与所述第一衬底相邻，所述第一连接部电连接所述第二谐振器和所述第一谐振器。

可选的，所述第一连接部位于第一层载板表面；接合所述第一衬底与所述第一层载板包括连接所述第一连接部与所述第一连接线；接合所述第二衬底与所述第一层载板包括连接所述第一连接部与所述第二连接线。

可选的，所述第一连接部包括：贯穿若干层载板的电子元件，所述电子元件的一端与所述第一连接线电连接，所述电子元件的另一端与所述第二连接线电连接。

可选的，所述电子元件包括：电容或电感。

相应地，本发明技术方案还提供一种滤波装置，包括：滤波装置；连接结构，所述连接结构包括：载板结构，所述载板结构包括若干层载板；第一连接部，位于所述载板结构内；所述第一衬底和所述第二衬底位于所述载板结构同一侧，所述第一区与所述第一衬底相邻，所述第一连接部电连接所述第二谐振器和所述第一谐振器。

可选的，所述第一连接部位于第一层载板表面；所述第一连接部与所述第一连接线电连接，所述第一连接部还与所述第二连接线电连接。

可选的，所述第一连接部包括：贯穿若干层载板的电子元件，所述电子元件的一端与所述第一连接线电连接，所述电子元件的另一端与所述第二连接线电连接。

可选的，所述电子元件包括：电容或电感。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：

本发明的技术方案的滤波装置，包括若干所述第一谐振器和若干所述第二谐振器，若干所述第一谐振器基于所述第一衬底形成，若干所述第二谐振器基于所述第二衬底形成，所述第二谐振器靠近所述天线端口，所述第一谐振器与所述第二谐振器的类型不同，所述第二谐振器包括声表面波谐振器。从而能够在不牺牲第一滤波器插入损耗的情况下，有效降低二阶谐波效应。

进一步，所述第一谐振器包括体声波谐振器，所述第二谐振器和第三谐振器包括声表面波谐振器，能够在降低二阶谐波效应的同时，凭借体声波谐振器的Q值相对于声表面波谐振器的Q值较大的特性，降低对第一滤波器插入损耗的影响。

附图说明

图1是一实施例中滤波装置的结构示意图；

图2是一实施例中滤波装置的结构示意图；

图3是一实施例中滤波装置的结构示意图；

图4是本发明一实施例中滤波装置的结构示意图；

图5和图6是本发明一实施例中滤波装置的结构示意图；

图7至图9是本发明另一实施例中滤波装置的结构示意图；

图10是本发明另一实施例中滤波装置的结构示意图。

具体实施方式

如背景技术所述，双工器的性能还有待提升。现结合具体的实施例进行分析说明。

图1是一实施例中滤波装置的结构示意图。

请参考图1，所述滤波装置包括：第一衬底100；基于所述第一衬底100形成的若干第一谐振器102；位于第一衬底100上的若干第一连接线103，所述第一连接线103电连接至少一个第一谐振器102；第二衬底101；基于所述第二衬底101形成的若干第二谐振器105；位于第二衬底101上的若干第二连接线106，所述第二连接线106电连接至少一个第二谐振器105；若干第一接触层104，位于所述第一衬底100上；若干第二接触层108，位于所述第二衬底101上；位于第二衬底101上的天线端口107，所述天线端口107通过所述第二连接线106与所述第二谐振器105电连接，所述天线端口107通过所述第三连接线（未图示）、所述第一接触层104及所述第一连接线103还与所述第一谐振器102电连接。

所述滤波装置包括发射滤波器与接收滤波器，所述发射滤波器包括若干所述第一谐振器102，所述接收滤波器包括若干所述第二谐振器105，所述发射滤波器和接收滤波器的波长范围不同。所述天线端口107电连接所述发射滤波器和接收滤波器，所述滤波装置为射频双工器。

在本实施例中，所述第一谐振器102为体声波谐振器，所述第二谐振器105为体声波谐振器。体声波谐振器通过梯形电路结构形成带通滤波器，滤波器的版图布局设计难度较大。此外，为了抑制体声波发射滤波器的二阶非线性效应，需要将二阶非线性效应最强的一个或者多个谐振器分别并联一个面积相同但极化方向相反的谐振器。由于发射滤波器并联了额外的极化方向相反的谐振器，数量增加，在外部封装面积要求不变的情况下，谐振器的设计及谐振器排版布局的难度增加。

图2是一实施例中滤波装置的结构示意图。

请参考图2，所述滤波装置包括：衬底200，所述衬底200包括第一区I和第二区II；基于所述衬底200第一区I形成的若干第一谐振器201；位于衬底200第一区I上的若干第一连接线202，所述第一连接线202电连接至少一个第一谐振器201；位于衬底200上的若干第一接触层203；基于所述衬底200第二区II形成的若干第二谐振器205；位于衬底200第二区II上的若干第二连接线206，所述第二连接线206电连接至少一个第二谐振器205；位于衬底200上的若干第二接触层207；位于衬底200上的天线端口204，所述天线端口204与第一谐振器201及第二谐振器205电连接。

在本实施例中，所述第一谐振器201为声表面波谐振器，所述第二谐振器205为声表面波谐振器。所述发射滤波器包括若干第一谐振器201，接收滤波器包括若干第二谐振器205，所述发射滤波器和接收滤波器的波长范围不同。所述天线端口204电连接所述发射滤波器和接收滤波器，所述滤波装置为射频双工器。

在本实施例中，双工器发射端一般与功率放大器（PA）相连，对于滤波器的插入损耗要求较高。虽然使用了声表面波谐振器以减小二阶谐振效应的影响，但是由于声表面波谐振器的Q值较低，滤波器的插入损耗会变大。

图3是一实施例中滤波装置的结构示意图。

请参考图3，所述滤波装置包括：第一衬底300；基于所述第一衬底300形成的若干第一谐振器302；位于第一衬底300上的第一连接线303，所述第一连接线303电连接若干第一谐振器302；第二衬底301；基于所述第二衬底301形成的若干第二谐振器305；位于第二衬底301上的第二连接线306，所述第二连接线306电连接若干第二谐振器305；位于第一衬底300上的若干第一接触层304；位于第二衬底301上的若干第二接触层308；位于第二衬底301上的天线端口307，所述天线端口307与第一衬底300上的第一连接线303通过第三连接线（未图示）及第一接触层304电连接。

所述滤波装置包括发射滤波器与接收滤波器，所述发射滤波器包括所述第一谐振器302，所述接收滤波器包括所述第二谐振器305，所述发射滤波器和接收滤波器的波长范围不同。所述天线端口107电连接所述发射滤波器和接收滤波器，所述滤波装置为射频双工器。在本实施例中，所述第一谐振器302为体声波谐振器，所述第二谐振器305为声表面波谐振器。第一谐振器302和第二谐振器305制备在不同的衬底上。

为了抑制体声波发射滤波器的二阶非线性效应，需要将二阶非线性效应最强的一个或者多个谐振器做极化方向反转的并联操作。由于发射滤波器增加了额外的反极化连接的谐振器，数量增加，在外部封装面积要求不变的情况下，谐振器的设计及谐振器排版布局的难度增加。

为了解决上述问题，本发明提供一种滤波装置及其形成方法，所述滤波装置包括若干所述第一谐振器和若干所述第二谐振器，若干所述第一谐振器基于所述第一衬底形成，若干所述第二谐振器基于所述第二衬底形成，所述第二谐振器靠近所述天线端口，所述第一谐振器与所述第二谐振器的类型不同，所述第二谐振器包括声表面波谐振器。从而能够在不牺牲第一滤波器插入损耗的情况下，有效降低二阶谐波效应。

为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

图4是本发明一实施例中滤波装置的结构示意图。

请参考图4，提供第一衬底400；基于所述第一衬底400形成若干第一谐振器402。

在本实施例中，所述第一衬底400的材料包括半导体材料，所述半导体材料包括硅或砷化镓。

在本实施例中，所述第一谐振器402包括体声波谐振器，所述体声波谐振器包括薄膜体声波谐振器、固态装配型谐振器或XBAR谐振器。

请继续参考图4，形成位于所述第一衬底400上的第一连接线403，所述第一连接线403电连接至少一个所述第一谐振器402。

所述第一连接线403的材料包括金属，所述金属包括：铜、铝、钨、钴、镍和钽中的一种或多种的组合。

请继续参考图4，提供第二衬底401，所述第二衬底401包括第一区I和第二区II；基于所述第一区I形成若干第二谐振器405。

在本实施例中，形成第一滤波器包括形成若干所述第一谐振器402和若干所述第二谐振器405 。

在本实施例中，所述第二衬底401的材料包括压电材料，所述压电材料包括：钽酸锂(LiTaO3，简称LT)、铌酸锂(LiNbO3，简称LN)、石英、氧化锌、氮化铝。

在本实施例中，所述第一谐振器402和所述第二谐振器405的类型不同。

在本实施例中，所述第二谐振器405包括声表面波谐振器。

在本实施例中，所述第二谐振器405的数量为1至4个。

所述第二谐振器405的数量在合理范围内，使得第一滤波器的插入损耗不会因为声表面波谐振器的Q值较小而产生较大的插入损耗。

请继续参考图4，还包括：形成位于所述第一区I上的第二连接线406，所述第二连接线406电连接至少一个所述第二谐振器405。

所述第二连接线406的材料包括金属，所述金属包括：铜、铝、钨、钴、镍和钽中的一种或多种的组合。

请继续参考图4，基于所述第二区II形成若干第三谐振器409，所述第三谐振器409与第二谐振器405的类型相同。

在本实施例中，形成第二滤波器包括形成若干所述第三谐振器409。

在本实施例中，所述第三谐振器409包括声表面波谐振器。

所述第三谐振器409和所述第二谐振器405基于所述第二衬底401形成，所述第三谐振器409和所述第二谐振器405的类型相同，但谐振器所处波长范围不同。

在本实施例中，所述第二谐振器409的波长范围小于2.2微米。

在本实施例中，所述第二谐振器409的面积范围小于45000平方微米。所述第二谐振器409的面积较小，可以缩小滤波器版图面积，从而降低滤波器布局难度。

在其他实施例中，所述第二滤波器包括声表面谐振器和双模态声表面波滤波器。

请继续参考图4，形成位于所述第二区II上的第三连接线410，所述第三连接线410电连接至少一个所述第三谐振器409；形成位于所述第一区I和所述第二区II之间的第四连接线412，所述第四连接线412电连接相邻的所述第二谐振器405和所述第三谐振器409。

在本实施例中，所述第二连接线406、第三连接线410和第四连接线412基于同一金属材料层形成。

所述第三连接线410和第四连接线412的材料包括金属，所述金属包括：铜、铝、钨、钴、镍和钽中的一种或多种的组合。

请继续参考图4，形成天线端口408，位于所述第二衬底401上，所述天线端口408通过第四连接线412分别电连接相邻的所述第二谐振器405和所述第三谐振器409。

在本实施例中，所述第一滤波器与第二滤波器的声表面波谐振器波长差值范围为大于2.5%。

在本实施例中，所述第一滤波器为发射滤波器，所述第二滤波器为接收滤波器。所述天线端口408电连接所述发射滤波器和接收滤波器，所述滤波装置为射频双工器。

所述滤波装置包括发射滤波器与接收滤波器，所述发射滤波器包括若干所述第一谐振器402和若干所述第二谐振器405，所述接收滤波器包括若干所述第三谐振器409，所述第一谐振器402为体声波谐振器，所述第三谐振器409和所述第二谐振器405为声表面波谐振器。所述发射滤波器在靠近天线端口408设置有第二谐振器405，第二谐振器405和第一谐振器402通过额外连接结构连接。从而能够在不牺牲发射端插入损耗的情况下，有效降低二阶谐波效应。

所述第一谐振器402包括体声波谐振器，所述第二谐振器405和第三谐振器409包括声表面波谐振器，能够在降低二阶谐波效应的同时，凭借体声波谐振器的Q值相对于声表面波谐振器的Q值较大的特性，降低对第一滤波器插入损耗的影响。

请继续参考图4，在形成天线端口408的同时，形成分别与若干第一连接线403电连接的若干第一连接板404，形成分别与若干第二连接线406电连接的若干第二连接板407，形成分别与若干第三连接线410电连接的若干第三连接板411。

所述第一连接板404、第二连接板407和第三连接板411用于后续外接或接地。

所述第一连接板404、第二连接板407和第三连接板411和天线端口408的材料包括金属，所述金属包括：铜、铝、钨、钴、镍和钽中的一种或多种的组合。

相应地，本发明实施例还提供一种滤波装置，请继续参考图4，包括：

第一衬底400；

基于所述第一衬底400形成的若干第一谐振器402；

第二衬底401，所述第二衬底401包括第一区I和第二区II；

基于所述第一区I形成的若干第二谐振器405；

第一滤波器包括若干所述第一谐振器402和若干所述第二谐振器405，所述第一谐振器402与所述第二谐振器405的类型不同；

基于所述第二区II形成的若干第三谐振器409，所述第三谐振器409与所述第二谐振器405的类型相同；

第二滤波器包括若干所述第三谐振器409；

位于所述第二衬底401上的天线端口408，所述天线端口408分别电连接相邻的所述第二谐振器405和所述第三谐振器409。

在本实施例中，所述第一谐振器402包括体声波谐振器，所述体声波谐振器包括薄膜体声波谐振器、固态装配型谐振器或XBAR谐振器。

在本实施例中，所述第二谐振器405和所述第三谐振器409包括声表面波谐振器。

在本实施例中，所述滤波装置还包括：位于所述第一衬底400上的若干第一连接线403，所述第一连接线403电连接若干第一谐振器402。

在本实施例中，所述滤波装置还包括：位于第一区I上的若干第二连接线406，所述第二连接线406电连接至少一个所述第二谐振器405；位于所述第二区II上的第三连接线410，所述第三连接线410电连接至少一个所述第三谐振器409。

在本实施例中，所述滤波装置还包括：位于所述第一区I和所述第二区II之间的第四连接线412，所述第四连接线412电连接相邻的所述第二谐振器406和所述第三谐振器409；所述第四连接线412还电连接所述天线端口408。

在本实施例中，所述第一衬底400的材料包括硅或砷化镓。

在本实施例中，所述第二衬底401的材料包括压电材料，所述压电材料包括铌酸锂或钽酸锂、石英、氧化锌或氮化铝。

在本实施例中，所述第一滤波器与所述第二滤波器的谐振器波长差值范围为大于2.5%。

在本实施例中，所述第二谐振器405的波长范围小于2.2微米；所述第二谐振器405的面积范围小于45000平方微米。

图5和图6是本发明一实施例中滤波装置的结构示意图。

请参考图5和图6，图5为滤波装置的剖面示意图，图6为第一层载板501的俯视图，所述滤波装置的形成方法包括：提供如图4所述的滤波装置；提供载板结构500，所述载板结构500包括若干层载板；在载板结构500内形成第一连接部，第一层载板510暴露出所述第一连接部；

接合所述第一衬底400与所述载板结构500，接合所述第二衬底401与所述载板结构500，所述第一衬底400与所述第二衬底401位于载板结构500同一侧，所述第一区I与所述第一衬底400相邻，所述第一连接部电连接相邻的所述第二谐振器405和所述第一谐振器402。

在本实施例中，所述第一衬底400包括相对的第一面A1和第二面A2，所述第一谐振器402的谐振部位于第一面A1；所述第二衬底401包括相对的第三面B1和第四面B2，所述第二谐振器405的谐振部和第三谐振器409的谐振部位于第三面B1。

在本实施例中，所述第一衬底400的第一面A1朝向所述第一层载板510与所述载板结构500相固定，所述第二衬底401的第三面B1朝向所述第一层载板510与所述载板结构500相固定。

在本实施例中，所述第一衬底400的第一面A1以及第二衬底401的第三面B1通过凸块（未标示）与第一层载板510表面相固定。

在本实施例中，所述第一连接部包括：位于第一层载板510表面的第一导电层501，以及与第一导电层501电连接的第一接触层502和第二接触层503，所述第一接触层502与第一连接线403电连接，所述第二接触层503与第二连接线406电连接。

在本实施例中，所述第一接触层502与第一连接板404相接触，所述第二接触层503与第二连接板407相接触。所述第一谐振器402与第二谐振器405通过第一连接线403、第一连接板404、第一接触层502、第一导电层501、第二接触层503和第二连接板407电连接。

所述第一导电层501、第一接触层502和第二接触层503的材料包括金属，所述金属包括：铜、铝、钨、钴、镍和钽中的一种或多种的组合。

在本实施例中，在形成第一接触层502和第二接触层503的同时，在第一层载板510上形成若干第五接触层504，若干所述第五接触层504分别与未使用的第一连接板404和第三连接板411相接触，用于后续外接或接地。

相应地，本发明实施例还提供一种滤波装置。

图7至图9是本发明另一实施例中滤波装置示意图。

请参考图7至图9，图7为滤波装置的剖面示意图，图8为第一层载板610的俯视图，图9为除第一层载板610之外任一层载板611的俯视图，图7至图9的滤波装置与图5和图6中滤波装置的区别在于：

所述第一连接部包括：位于第一层载板610表面的第三接触层601和第四接触层602，所述第三接触层602与第一连接线403电连接，所述第四接触层601与第二连接线406电连接；位于第一层载板610表面的电子元件604，所述电子元件604的第一端与第三接触层602电连接；位于除第一层载板610之外任一层载板611表面的第五接触层605和与第五接触层605电连接的第二导电层606，所述第二导电层606贯穿所述载板与电子元件604的第二端电连接，所述第五接触层605贯穿所述载板与第四接触层601电连接。

在本实施例中，所述第三接触层602与第一连接板404相接触，所述第四接触层601与第二连接板407相接触。所述第一谐振器402与第二谐振器405通过第一连接线403、第一连接板404、第三接触层602、电子元件604、第二导电层606、第五接触层605和第四接触层601、第二连接板407及第二连接点406电连接。

在本实施例中，所述电子元件604包括：电容或电感。

图10是本发明另一实施例中滤波装置的示意图。

请参考图10，图10中的滤波装置与图5和图6中滤波装置的的区别在于：所述第一衬底400的第二面A2朝向所述第一层载板510与所述载板结构500相固定，所述第二衬底401的第三面B1朝向所述第一层载板510与所述载板结构500相固定。

在本实施例中，所述滤波装置还包括：位于第一衬底400内的第一贯穿层701，所述第一贯穿层701自第二面A2向第一面A1贯穿，所述第一贯穿层701与第一连接线403电连接。

在本实施例中，所述第一连接部包括：位于第一层载板510表面的第一导电层501，以及与第一导电层501上电连接的第一接触层502和第二接触层503（参考图6），所述第一接触层502通过凸块（未标记）与第一贯穿层701电连接，所述第二接触层503通过凸块（未标记）与第二连接线406电连接。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (25)

1.一种滤波装置，包括第一滤波器和第二滤波器，其特征在于，包括：

第一衬底；

基于所述第一衬底形成的若干第一谐振器；

第二衬底，所述第二衬底包括第一区和第二区；

基于所述第一区形成的若干第二谐振器，所述第一滤波器包括若干所述第一谐振器和若干所述第二谐振器，所述第一谐振器与所述第二谐振器的类型不同；

基于所述第二区形成的若干第三谐振器，所述第三谐振器与所述第二谐振器的类型相同，所述第二滤波器包括若干所述第三谐振器；

位于所述第二衬底上的天线端口，所述天线端口分别电连接相邻的所述第二谐振器和所述第三谐振器。

2.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述第一谐振器包括体声波谐振器，所述体声波谐振器包括薄膜体声波谐振器、固态装配型谐振器或XBAR谐振器。

3.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述第二谐振器和所述第三谐振器包括声表面波谐振器。

4.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，还包括：位于所述第一衬底上的若干第一连接线，所述第一连接线电连接至少一个所述第一谐振器。

5.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，还包括：位于所述第一区的若干第二连接线，所述第二连接线电连接至少一个所述第二谐振器；位于所述第二区的若干第三连接线，所述第三连接线电连接至少一个所述第三谐振器。

6.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，还包括：位于所述第一区和所述第二区之间的第四连接线，所述第四连接线电连接相邻的所述第二谐振器和所述第三谐振器；所述第四连接线还电连接所述天线端口。

7.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述第一衬底的材料包括硅或砷化镓。

8.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述第二衬底的材料包括压电材料，所述压电材料包括铌酸锂或钽酸锂、石英、氧化锌或氮化铝。

9.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述第一滤波器与所述第二滤波器的谐振器波长差值范围为大于2.5%。

10.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述第二谐振器的波长范围小于2.2微米；所述第二谐振器的面积范围小于45000平方微米。

11.如权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，还包括：位于所述第一衬底和所述第二衬底上的第一连接部，所述第一连接部电连接所述第一谐振器和所述第二谐振器。

12.一种滤波装置的形成方法，包括形成第一滤波器与第二滤波器，其特征在于，包括：

提供第一衬底；

基于所述第一衬底形成若干第一谐振器；

提供第二衬底，所述第二衬底包括第一区和第二区；

基于所述第一区形成若干第二谐振器，所述第一谐振器与所述第二谐振器的类型不同；

形成第一滤波器包括形成若干所述第一谐振器和若干所述第二谐振器；

基于所述第二区形成若干第三谐振器，所述第三谐振器与所述第二谐振器的类型相同；

形成所述第二滤波器包括形成若干所述第三谐振器；

形成天线端口，位于所述第二衬底上，所述天线端口分别电连接相邻的所述第二谐振器和所述第三谐振器。

13.如权利要求12所述的滤波装置的形成方法，其特征在于，还包括：形成位于所述第一衬底上的若干第一连接线，所述第一连接线电连接至少一个所述第一谐振器。

14.如权利要求13所述的滤波装置的形成方法，其特征在于，还包括：形成位于所述第一区的第二连接线，所述第二连接线电连接至少一个所述第二谐振器；形成位于所述第二区的第三连接线，所述第三连接线电连接至少一个所述第三谐振器。

15.如权利要求14所述的滤波装置的形成方法，其特征在于，还包括：形成位于所述第一区和所述第二区之间的第四连接线，所述第四连接线电连接相邻的所述第二谐振器和所述第三谐振器；所述第四连接线还电连接所述天线端口。

16.如权利要求15所述的滤波装置的形成方法，其特征在于，所述第一连接线、第二连接线、第三连接线和第四连接线基于同一金属材料层形成。

17.如权利要求12所述的滤波装置的形成方法，其特征在于，还包括：形成位于所述第一衬底和所述第二衬底上的第一连接部，所述第一连接部电连接所述第一谐振器和所述第二谐振器，所述第一连接部基于第二金属材料层形成。

18.一种滤波装置的形成方法，其特征在于，包括：

提供如权利要求1至11任一项所述的滤波装置；

形成连接结构，所述形成连接结构包括：提供载板结构，所述载板结构包括若干层载板；在所述载板结构内形成第一连接部；

接合所述第一衬底与所述载板结构，接合所述第二衬底与所述载板结构，所述第一衬底与所述第二衬底位于载板结构同一侧，所述第一区与所述第一衬底相邻，所述第一连接部电连接所述第二谐振器和所述第一谐振器。

19.如权利要求18所述的滤波装置的形成方法，其特征在于，所述第一连接部位于第一层载板表面；接合所述第一衬底与所述第一层载板包括连接所述第一连接部与第一连接线；接合所述第二衬底与所述第一层载板包括连接所述第一连接部与第二连接线。

20.如权利要求18所述的滤波装置的形成方法，其特征在于，所述第一连接部包括：贯穿若干层载板的电子元件，所述电子元件的一端与第一连接线电连接，所述电子元件的另一端与第二连接线电连接。

21.如权利要求20所述的滤波装置的形成方法，其特征在于，所述电子元件包括：电容或电感。

22.一种滤波装置，其特征在于，包括：

如权利要求1至11任一项所述的滤波装置；

连接结构，所述连接结构包括：载板结构，所述载板结构包括若干层载板；第一连接部，位于所述载板结构内；

所述第一衬底和所述第二衬底位于所述载板结构同一侧，所述第一区与所述第一衬底相邻，所述第一连接部电连接所述第二谐振器和所述第一谐振器。

23.如权利要求22所述的滤波装置，其特征在于，所述第一连接部位于第一层载板表面；所述第一连接部与第一连接线电连接，所述第一连接部还与第二连接线电连接。

24.如权利要求22所述的滤波装置，其特征在于，所述第一连接部包括：贯穿若干层载板的电子元件，所述电子元件的一端与第一连接线电连接，所述电子元件的另一端与第二连接线电连接。

25.如权利要求24所述的滤波装置，其特征在于，所述电子元件包括：电容或电感。

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