CN1157998A - 阴极射线管 - Google Patents

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Abstract

一种阴极射线管，包括发射电子束的电子枪，偏转所发射的电子束的偏转系统，和包括配置在偏转系统分离器的上、下、左、右侧、用于校正所发射的电子束截面形状的电磁铁的校正装置。通过校正着屏于荧光膜边缘的电子束截面的畸变，可改善图像的清晰度。

Description

阴极射线管
本发明涉及阴极射线管，特别涉及具有校正器的阴极射线管，该校正器防止由电子枪发射、经偏转系统偏转并着屏于荧光膜上的电子束的截面畸变。
通常，阴极射线管形成供电子束着屏的像素，该电子束由密封地封闭于颈部的电子枪发射、被偏转系统选择性地偏转并着屏于在屏盘内形成的荧光膜上，和用组合的像素形成图像。电子束应准确地着屏于荧光膜的荧光粉点上，来获得好的图像。可是，由于偏转系统的偏转线圈形成非均匀的偏转磁场和屏盘内的几何曲率改变，着屏于荧光膜上的电子束束点畸变。
如图1所示，使电子束偏转的偏转系统的偏转磁场由水平偏转线圈所形成的枕形磁场11和垂直偏转线圈所形成的桶形磁场12组成。正如图示，分别施加于由电子枪(未示出)所发射的红(R)、绿(G)和蓝(B)电子束的磁场都是非均匀的。因此，当电子束受到偏转力作用、穿过非均匀枕形磁场11和桶形磁场12着屏于屏盘(未示出)的荧光膜200上时，如图2所示，由于洛仑兹力而使电子束束点畸变，并在荧光膜200边缘沿图像的对角线方向变长。
为解决该问题，常规的方法是使由电子枪所发射的电子束的截面沿偏转系统的非均匀磁场方向的反方向变形，并使扫描荧光膜200中心的电子束的聚焦长度不同于扫描荧光膜200边缘的电子束的聚焦长度。
该方法通过使配置于电子枪电极之间的电子透镜(未示出)具有分别沿垂直和水平方向工作的聚焦和发射能力，来使电子束沿与偏转系统所致畸变方向相反的方向穿过电子透镜，从而使电子束的截面变形。然而，由于必须改变形成于电子枪电极中的电子束通孔形状，因而这种使电子束变形的电子透镜使电子枪的制造复杂化。
因此，利用电子透镜的聚焦能力和发射能力间的差别改变电子束截面是有限制的。
本发明的目的在于提供一种通过校正由电子枪所发射的电子束的截面畸变来防止在荧光膜边缘扫描的电子束束点变形的阴极射线管。
本发明的再一个目的在于提供一种通过防止着屏于荧光膜边缘的电子束的截面形状变长而提高清晰度的阴极射线管。
为实现上述目的，本发明提供的阴极射线管包括发射电子束的电子枪，偏转所发射的电子束的偏转系统，和包括配置在偏转系统分离器的上和下、左和右侧用于校正所发射的电子束的截面形状的电磁铁的校正装置。
按本发明的另一个方案，所提供的阴极射线管包括发射电子束的电子枪，配置偏转所发射电子束的偏转系统的锥体部分，和包括配置在该锥体部分的上和下、左和右侧用于校正所发射的电子束截面形状的电磁铁的校正装置。
参照附图对本发明优选实施例的详细描述，将更明了本发明的上述目的和优点，其中：
图1示出由常规的偏转系统的垂直和水平偏转线圈所形成的磁场；
图2示出常规阴极射线管中受偏转系统偏转、着屏于荧光膜边缘的电子束截面；
图3是本发明阴极射线管的局部放大的侧视图；
图4示出本发明阴极射线管校正器的实例；
图5示出本发明阴极射线管校正器的另一个实例；
图6是展示由本发明阴极射线管的校正器校正的电子束截面的剖面图；和
图7展示由本发明阴极射线管的校正器校正的，着屏于荧光膜上的电子束状态。
图3示出本发明阴极射线管的实施例。
阴极射线管包括在其内形成荧光膜21的屏盘20，与屏盘20相连、具有电子枪33的颈部31，和偏转系统34，和具有锥体部分32的管锥30。偏转系统34有校正器50，它是本发明的特征点。校正器50与偏转系统34相连，校正由电子枪33所发射的电子束之截面。校正器50可以用粘结剂或分离的固定器(未示出)固定于阴极射线管的颈部。
图4示出本发明校正器的结构。参见附图，该校正器包括分别配置于偏转系统分离器34a周边的上、下和左、右侧的电磁铁51、52、53和54、各电磁铁51、52、53和54分别包括铁芯51a、52a、53a和54a以及连续地缠绕在铁芯上的线圈55。此外，如图5所示，电磁铁61、62、63和64可包括铁芯61a、62a、63a和64a以及独立地缠绕在相应铁芯上的线圈65a、65b、65c和65d。图4的电磁铁51、52、53和54可按需要以预定角度相互分开地在分离器34a、图3的锥体部分32或图3的颈部31的周边设置。
最好与偏转系统的偏转信号同步地给线圈55施加电压。
在本发明如上构造的阴极射线管的运作中，若由图3的电子枪33发射的电子束被偏转系统34偏转，并扫描图2的荧光膜200的边缘，则将与偏转信号同步的电压供给校正器50(图3)的线圈55(图4)。由于这样供给线圈55电压，各磁铁51a、52a、53a和54a周围形成磁场。由于力是向外至上、下和左、右部分，因而如图6所示，由于磁场作用使从电子枪33发射的电子束的截面100被垂直和水平地拉长。因此，如图7所示，沿对角线方向校正扫描荧光膜200边缘的电子束截面的畸变，可防止电子束截面对角线方向被拉长。
校正器50的各电磁铁51、52、53和54可独立地校正电子束截面的畸变。
如上所述，本发明的阴极射线管可改善荧光膜边缘处形成的图像的清晰度，因为它防止了着屏于荧光膜上的电子束截面的畸变，该畸变是由于非均匀磁场并在从电子枪发射的电子束受偏转系统偏转和扫描相应的荧光膜时产生的。
本发明并不限于上述实施例，本领域的任何技术人员都非常清楚，在本发明的范围和实质内可进行各种修改。

Claims (8)

1.一种阴极射线管，包括：
发射电子束的电子枪；
偏转所发射的电子束的偏转系统；和
包括配置在所述偏转系统分离器的上、下、左、右侧、用于校正所发射的电子束截面形状的电磁铁的校正装置。
2.根据权利要求1所述的阴极射线管，其特征在于，与供给所述偏转系统的偏转信号同步供给所述电磁铁电压。
3.根据权利要求1所述的阴极射线管，其特征在于所述电磁铁包括分别配置于所述分离器的上、下、左、右侧的铁芯和连续缠绕在所述铁芯上的线圈。
4.根据权利要求1所述的阴极射线管，其特征在于所述电磁铁包括分别配置于所述分离器的上、下、左、右侧的铁芯和独立缠绕在所述各铁芯上的线圈。
5.一种阴极射线管，包括：
发射电子束的电子枪；
配置有偏转所发射的电子束的偏转系统的锥体部分；和
包括配置于所述锥体部分的上、下、左、右侧、校正所发射的电子束截面的电磁铁的校正装置。
6.根据权利要求5所述的阴极射线管，其特征在于与供给所述偏转系统的偏转信号同步供给所述电磁铁电压。
7.根据权利要求5所述的阴极射线管，其特征在于所述电磁铁包括分别配置于所述锥体部分的上、下、左、右侧的铁芯和连续地缠绕在所述铁芯上的线圈。
8.根据权利要求5所述的阴极射线管，其特征在于所述的电磁铁包括分别配置于所述锥体部分的上、下、左、右侧的铁芯和独立地缠绕于所述各铁芯上的线圈。
CN96117296A 1995-10-30 1996-10-30 阴极射线管 Pending CN1157998A (zh)

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