CN115799193A - 复合热沉结构、芯片封装结构及封装方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种复合热沉结构、芯片封装结构及封装方法。上述复合热沉结构包括：依次层叠设置的第一铜层、第一芯材、第二铜层、第二芯材和第三铜层；第三铜层和第二芯材在第二铜层表面的正投影均落在第二铜层内，且正投影的边缘位于第二铜层的边缘的内侧。上述复合热沉结构的第三铜层表面的热膨胀系数与第二铜层表面的热膨胀系数不同，且通过调整各铜层、各芯材的厚度以及比例，能够使得第三铜层表面的热膨胀系数与第二铜层表面的热膨胀系数各自在一定范围内可调，实现分别与芯片和封装墙体相匹配，解决了传统的热沉结构在封装时无法同时匹配不同材质的芯片和封装墙体的问题。

Description

复合热沉结构、芯片封装结构及封装方法

技术领域

本发明涉及集成电路封装领域，特别是涉及一种复合热沉结构、芯片封装结构及封装方法。

背景技术

在集成电路封装技术领域中，热沉是指一种指微型散热片，用来吸收或传递热量，以冷却电子芯片的装置。当前主流的热沉材质有铜、钼铜合金、钨铜合金等。

其中，CXC是一种由铜和其它作为芯材的金属或合金组成的层状复合材料，可扩展为5层、7层等，是当前主流的热沉材质之一。常见的X材质有钼、钼铜、钨、钨铜等，X为钼时称为CMC，X为钼铜合金时称为CPC。CXC复合材料能够通过调整表层铜的厚度和芯材X层的结构和厚度比例，实现热沉的热导率和热膨胀系数(CTE)在一定范围内调，能够便捷地实现与不同材料的热特性匹配。然而传统的热沉通常仅有一个热膨胀系数值，只能与一个器件相匹配，封装时无法同时匹配不同材质的芯片和封装墙体。

发明内容

基于此，有必要提供一种能够同时与不同热膨胀系数的芯片和封装墙体匹配的复合热沉结构。

此外，还有必要提供一种包括该复合热沉结构的芯片封装结构以及封装方法。

一种复合热沉结构，包括：依次层叠设置的第一铜层、第一芯材、第二铜层、第二芯材和第三铜层；

所述第二芯材和所述第三铜层在所述第二铜层表面的正投影均落在所述第二铜层内，且所述正投影的边缘位于所述第二铜层的边缘的内侧。

在其中一个实施例中，所述第二铜层表面未层叠有所述第二芯材的区域设有两个第一凹槽，每个所述第一凹槽的一个槽壁分别与所述第二芯材的一个边缘平齐。

在其中一个实施例中，所述第一凹槽的宽度为0.3mm～1mm。

在其中一个实施例中，所述第一凹槽的深度占所述第二铜层的厚度的30％～70％。

在其中一个实施例中，所述正投影的边缘与所述第二铜层的边缘的距离大于所要连接的封装墙体的厚度，且差值为1mm～3mm。

在其中一个实施例中，所述第一芯材及所述第二芯材各自独立地选自钼、钼铜合金、钨及钨铜合金中的任一种。

在其中一个实施例中，还包括：层叠设置在所述第二芯材和所述第三铜层之间的第三芯材和第四铜层，所述第三芯材较所述第四铜层更靠近所述第三铜层；

所述第二芯材、所述第三铜层、所述第三芯材和所述第四铜层的边缘均平齐。

在其中一个实施例中，还包括：层叠设置在所述第二芯材和所述第三铜层之间的第三芯材和第四铜层，所述第三芯材较所述第四铜层更靠近所述第三铜层；

所述第四铜层的边缘与所述第二芯材的边缘平齐，所述第三芯材的边缘与所述第三铜层的边缘平齐；

所述第四铜层表面未层叠有所述第三芯材的区域设有两个第二凹槽，每个所述第二凹槽的一个槽壁分别与所述第三芯材的一个边缘平齐。

一种芯片封装结构，包括：

复合热沉结构，所述复合热沉结构为上述的复合热沉结构；

芯片，所述芯片设置在所述复合热沉结构的所述第三铜层远离所述第二芯材的一侧表面；

封装墙体，所述封装墙体设置在所述复合热沉结构的所述第二铜层表面未层叠有所述第二芯材的区域。

一种芯片封装方法，包括如下步骤：

获得上述的复合热沉结构；

在所述复合热沉结构的所述第三铜层远离所述第二芯材的一侧表面连接芯片；

在所述复合热沉结构的所述第二铜层表面未层叠有所述第二芯材的区域连接封装墙体。

上述复合热沉结构的第三铜层和第二芯材在第二铜层表面的正投影落在第二铜层内，且正投影的边缘位于第二铜层的边缘的内侧，使得复合热沉结构的第三铜层表面的热膨胀系数与第二铜层表面的热膨胀系数不同，且通过调整各铜层、各芯材的厚度以及比例，能够使得第三铜层表面的热膨胀系数与第二铜层表面的热膨胀系数各自在一定范围内可调，实现分别与芯片和封装墙体相匹配，解决了传统的热沉结构在封装时无法同时匹配不同材质的芯片和封装墙体的问题。

附图说明

图1为本发明一实施方式的复合热沉结构的一种结构示意图；

图2为本发明一实施方式的复合热沉结构的另一种结构示意图；

图3为本发明一实施方式的复合热沉结构的又一种结构示意图；

图4为本发明一实施方式的复合热沉结构的又一种结构示意图；

图5为本发明一实施方式的芯片封装结构的一种结构示意；

图6为本发明一实施方式的芯片封装方法的一种工艺流程图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将结合具体实施方式对本发明进行更全面的描述。具体实施方式中给出了本发明的较佳的实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体地实施例的目的，不是旨在于限制本发明。

除非另外说明或存在矛盾之处，本发明中使用的术语或短语具有以下含义：

本发明中，“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”等的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。

本发明中的词语“优选地”、“更优选地”等是指，在某些情况下可提供某些有益效果的本发明实施方案。然而，在相同的情况下或其他情况下，其他实施方案也可能是优选的。此外，对一个或多个优选实施方案的表述并不暗示其他实施方案不可用，也并非旨在将其他实施方案排除在本发明的范围之外。

当本发明中公开一个数值范围时，上述范围视为连续，且包括该范围的最小值及最大值，以及这种最小值与最大值之间的每一个值。进一步地，当范围是指整数时，包括该范围的最小值与最大值之间的每一个整数。此外，当提供多个范围描述特征或特性时，可以合并该范围。换言之，除非另有指明，否则本发明中所公开之所有范围应理解为包括其中所归入的任何及所有的子范围。

本发明中，以开放式描述的技术特征中，包括所列举特征组成的封闭式技术方案，也包括包含所列举特征的开放式技术方案。

本发明实施例中的术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或组件。

在本发明中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本发明所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

如背景技术所述，传统的热沉结构通常具有一个热膨胀系数，只能与一种材质的器件相匹配，封装时无法同时匹配不同材质的芯片和封装墙体。因此，传统的热沉在封装时通常调整其热膨胀系数在芯片和封装墙体之间。或者，当芯片尺寸较小时对CTE差异不敏感，热沉的CTE优先匹配封装墙体。然而这种方式的封装效果较差。

基于此，本发明提供了一种在不同部位具有不同的热膨胀系数的复合热沉结构，能够同时匹配芯片和封装墙体，实现更好地封装。

具体地，一实施方式的复合热沉结构，包括：依次层叠设置的第一铜层、第一芯材、第二铜层、第二芯材和第三铜层；

第三铜层和第二芯材在第二铜层表面的正投影均落在第二铜层内，且正投影的边缘位于第二铜层的边缘的内侧。

上述复合热沉结构的第三铜层和第二芯材在第二铜层表面的正投影落在第二铜层内，且正投影的边缘位于第二铜层的边缘的内侧，使得复合热沉结构的第三铜层表面的热膨胀系数与第二铜层表面的热膨胀系数不同，且通过调整各铜层、各芯材的厚度以及比例，能够使得第三铜层表面的热膨胀系数与第二铜层表面的热膨胀系数各自在一定范围内可调，实现分别与芯片和封装墙体相匹配，解决了传统的热沉结构在封装时无法同时匹配不同材质的芯片和封装墙体的问题。

在一些实施例中，正投影的边缘与第二铜层的边缘的距离根据所要连接的封装墙体的厚度确定。进一步地，正投影的边缘与第二铜层的边缘的距离大于所要连接的封装墙体的厚度，且差值为1mm～3mm。正投影的边缘与第二铜层的边缘的距离太小，无法准确定位钎焊，正投影的边缘与第二铜层的边缘的距离太大，则没有必要，存在浪费。

在一些实施例中，第一铜层、第一芯材和第二铜层的边缘均平齐。第二芯材和第三铜层的边缘平齐。

在一些实施例中，第一芯材及第二芯材各自独立地选自钼、钼铜合金、钨及钨铜合金中的任一种。

通过调整第一铜层、第一芯材的组成及厚度、第二铜层的厚度等参数，能够调整第二铜层表面的热膨胀系数，以使其与封装墙体的热膨胀系数相匹配。通过调整第二芯材的组成及厚度、第三铜层的厚度，可以进一步调整第三铜层表面的热膨胀系数，以使其能够与芯片的热膨胀系数相匹配。

在一些实施例中，第二铜层表面未层叠有第二芯材的区域设有两个第一凹槽，每个第一凹槽的一个槽壁分别与第二芯材的一个边缘平齐。

在第二表面设置第一凹槽，使得不同热膨胀系数的不同部位在膨胀/收缩发生时，彼此间的应力影响较小，不至于与各自焊接的器件发生脱焊或出现变形。在芯片长宽尺寸达到10mm以上时，若无第一凹槽设置，效果不佳，平面度达到0.04mm以上。可以理解，在芯片尺寸较小时，也可以不设置第一凹槽。

进一步地，第一凹槽的宽度为0.3mm～1mm。在一个具体的示例中，第一凹槽的宽度为0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm、1mm或这些取值中任意两者所组成的范围。第一凹槽的宽度较小时，应力释放效果不佳，钎焊后平面度超标，加工难度大；第一凹槽的宽度太大时，性能无明显提升，同时挤占了第二铜层的面积。因此，在本实施方式中，第一凹槽的宽度优选为0.3mm～1mm。

进一步地，第一凹槽的深度占第二铜层的厚度的30％～70％。在一个具体的示例中，第一凹槽的深度占第二铜层的厚度的30％、35％、40％、45％、50％、55％、60％、65％、70％或这些取值中任意两者所组成的范围。第一凹槽的深度占第二铜层的厚度的比例太小时应力释放效果不佳，钎焊后平面度超标；第一凹槽的深度占第二铜层的厚度的比例太大时第二铜层的有效截面积太小，热沉的热导率降低。因此，在本实施方式中，优选地，第一凹槽的深度占第二铜层的厚度的30％～70％。

在一些实施例中，复合热沉结构还包括：层叠设置在第二芯材和第三铜层之间的第三芯材和第四铜层，第三芯材较第四铜层更靠近第三铜层；

第二芯材、第三铜层、第三芯材和第四铜层的边缘均平齐。

通过增加第三芯材和第四铜层，第二芯材的热膨胀系数在第三芯材和第一芯材之间时，当芯片和封装墙体的CTE差异较大时，有更好的适配效果。

进一步地，第三芯材选自钼、钼铜合金、钨及钨铜合金中的任一种。可以理解，第三芯材可以与第一芯材、第二芯材相同，也可以不同。

在另一些实施例中，复合热沉结构还包括：层叠设置在第二芯材和第三铜层之间的第三芯材和第四铜层，第三芯材较第四铜层更靠近第三铜层；

第四铜层的边缘与第二芯材的边缘平齐，第三芯材的边缘与第三铜层的边缘平齐；

第四铜层表面未层叠有第三芯材的区域设有两个第二凹槽，每个第二凹槽的一个槽壁分别与第三芯材的一个边缘平齐。

在复合热沉结构中再增加两个第二凹槽，起到进一步释放应力的效果，使得第三铜层表面和第二铜层表面彼此间的应力影响较小。

在其中一些实施例中，第二凹槽的宽度为0.3mm～1mm。在一个具体的示例中，第二凹槽的宽度为0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm、1mm或这些取值中任意两者所组成的范围。第二凹槽的宽度较小时，进一步应力释放效果不佳，加工难度大；第一凹槽的宽度太大时，性能无明显提升，同时挤占了第四铜层的面积。因此，在本实施方式中，第二凹槽的宽度优选为0.3mm～1mm。可以理解，第一凹槽和第二凹槽的宽度可以相同，也可以不同。

进一步地，第二凹槽的深度占第四铜层的厚度的30％～70％。在一个具体的示例中，第二凹槽的深度占第四铜层的厚度的30％、35％、40％、45％、50％、55％、60％、65％、70％或这些取值中任意两者所组成的范围。第二凹槽的深度占第四铜层的厚度的比例太小时应力释放效果不佳；第二凹槽的深度占第二铜层的厚度的比例太大时第四铜层的有效截面积太小，热沉的热导率降低。因此，在本实施方式中，优选地，第二凹槽的深度占第四铜层的厚度的30％～70％。

上述复合热沉结构至少具有以下优点：

(1)上述复合热沉结构的第三铜层和第二芯材在第二铜层表面的正投影落在第二铜层内，且正投影的边缘位于第二铜层的边缘的内侧，使得复合热沉结构的第三铜层表面的热膨胀系数与第二铜层表面的热膨胀系数不同，且通过调整各铜层、各芯材的厚度以及比例，能够使得第三铜层表面的热膨胀系数与第二铜层表面的热膨胀系数各自在一定范围内可调，实现分别与芯片和封装墙体相匹配，解决了传统的热沉结构在封装时无法同时匹配不同材质的芯片和封装墙体的问题。

(2)在复合热沉结构中设置凹槽，使得不同热膨胀系数的不同部位在膨胀/收缩发生时，彼此间的应力影响较小，不至于与各自焊接的器件发生脱焊或出现变形。

(2)上述复合热沉结构的各铜层和芯材之间紧密键合，保证了其在厚度方向上较高的热导率。

以下结合几个附图对上述复合热沉结构做进一步详细的说明，但应当理解，此处所描述的具体结构仅用以解释本发明的复合热沉结构，并不得用以限定本发明。

请参阅图1，图1为复合热沉结构的一种结构示意图。具体地，复合热沉结构100包括：依次层叠设置的第一铜层110、第一芯材120、第二铜层130、第二芯材140和第三铜层150；

第二芯材140和第三铜层150在第二铜层130表面的正投影均落在第二铜层130内，正投影的边缘位于第二铜层130的边缘的内侧。正投影的边缘与第二铜层130的边缘的距离S根据所要连接的封装墙体的厚度确定。进一步地，正投影的边缘与第二铜层120的边缘的距离S大于所要连接的封装墙体的厚度，且差值为1mm～3mm。

进一步地，在图1中，第一铜层110、第一芯材120与第二铜层130的边缘均平齐，第二芯材140与第三铜层150的边缘平齐。

上述复合热沉结构100简单，在芯片尺寸较小时，封装效果较好。

请参阅图2，图2为复合热沉结构的另一种结构示意图，在图1所示结构的基础上设置了第一凹槽。具体地，复合热沉结构200包括：依次层叠设置的第一铜层210、第一芯材220、第二铜层230、第二芯材240和第三铜层250；第二芯材240和第三铜层250在第二铜层230表面的正投影均落在第二铜层230内，正投影的边缘位于第二铜层230的边缘的内侧。

在图2中，第二铜层230表面未层叠有第二芯材240的区域设有两个第一凹槽232，每个第一凹槽232的一个槽壁分别与第二芯材240的一个边缘平齐。

进一步地，在图2中，第一铜层210、第一芯材220及第二铜层230的边缘均平齐，第二芯材240与第三铜层250的边缘平齐。

上述复合热沉结构200设置有两个第一凹槽232，使得不同热膨胀系数的不同部位在膨胀/收缩发生时，彼此间的应力影响较小，不至于与各自焊接的器件发生脱焊或出现变形。

请参阅图3，图3为复合热沉结构的又一种结构示意图，在图2的基础上设置了第三芯材和第四铜层。具体地，在图3中，复合热沉结构300包括依次层叠设置的第一铜层310、第一芯材320、第二铜层330、第二芯材340、第四铜层370、第三芯材360及第三铜层350。第二芯材340、第四铜层370、第三芯材360及第三铜层350的边缘均平齐，且在第二铜层330表面的正投影均落在第二铜层330内，正投影的边缘位于第二铜层330的边缘的内侧。

在图3中，第二铜层330表面未设有第二芯材340的区域设有两个第一凹槽332，每个第一凹槽332的一个槽壁分别与第二芯材340的一个边缘平齐。

上述复合热沉结构300增加有第三芯材360和第四铜层370，第二芯材340的热膨胀系数在第三芯材360和第一芯材320之间时，当芯片和封装墙体的CTE差异较大时，有更好的适配效果。

请参阅图4，图4为复合热沉结构的又一种结构示意图，在图3的基础上设置了第二凹槽。具体地，在图4中，复合热沉结构400包括依次层叠设置的第一铜层410、第一芯材420、第二铜层430、第二芯材440、第四铜层470、第三芯材460、及第三铜层450。第二芯材440、第四铜层470、第三芯材460、及第三铜层450在第二铜层430表面的正投影均落在第二铜层430内，正投影的边缘位于第二铜层430的边缘的内侧。

在图4中，第二铜层430表面未层叠有第二芯材440的区域设有两个第一凹槽432，每个第一凹槽432的一个槽壁分别与第二芯材440的一个边缘平齐。

在图4中，第四铜层470的边缘与第二芯材440的边缘平齐，第三芯材460的边缘与第三铜层450的边缘平齐；

第四铜层470表面未层叠有第三芯材460的区域设有两个第二凹槽472，每个第二凹槽472的一个槽壁分别与第三芯材460的一个边缘平齐。

上述复合热沉结构400在图3的基础上再增加两个第二凹槽472，起到进一步释放应力的效果，使得第三铜层450表面和第二铜层430表面彼此间的应力影响较小。

本发明还提供一实施方式的芯片封装结构，包括：

复合热沉结构，复合热沉结构为上述实施方式的复合热沉结构；

芯片，芯片设置在复合热沉结构的第三铜层远离第二芯材的一侧表面；及

封装墙体，封装墙体设置在复合热沉结构的第二铜层表面未层叠有第二芯材的区域。

请参阅图5，以复合热沉结构为图2所示的复合热沉结构200为例，芯片封装结构10包括复合热沉结构200、芯片800及封装墙体900。复合热沉结构200包括：依次层叠设置的第一铜层210、第一芯材220、第二铜层230、第二芯材240和第三铜层250；第二芯材240和第三铜层250在第二铜层230表面的正投影均落在第二铜层230内，正投影的边缘位于第二铜层230的边缘的内侧。芯片800设置在复合热沉结构200的第三铜层250表面。封装墙体900设置在复合热沉结构200的第二铜层230表面未层叠有第二芯材240的区域。

请参阅图6，本发明还提供一实施方式的芯片封装方法，包括如下步骤：

步骤S510：获得复合热沉结构。

具体地，复合热沉结构为上述实施方式的复合热沉结构，在此不再赘述。

步骤S520：在复合热沉结构的第三铜层远离第二芯材的一侧表面连接芯片。

可以理解，在复合热沉结构的第三铜层表面连接芯片的步骤可以为本领域常用的方式，例如采用钎焊的方式。

步骤S530：在复合热沉结构的第二铜层表面未层叠有第二芯材的区域连接封装墙体。

可以理解，在复合热沉结构的第二铜层表面连接封装墙体的方式可以为本领域常用的方式，例如采用钎焊的方式。

应该理解的是，虽然图6所示流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次进行，除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行，而且图6中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

为了使本发明的目的以及优点更加清楚，以下结合具体实施例对本发明的复合热沉结构及其效果做进一步详细的说明，应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不得用以限定本发明。以下实施例如无特殊说明，则不包括除不可避免的杂质外的其他组分。实施例中采用药物和仪器如非特别说明，均为本领域常规选择。实施例中未注明具体条件的实验方法，按照常规条件，例如文献、书本中所述的条件或者生产厂家推荐的方法实现。

实施例1

本实施例提供一种复合热沉结构，如图2所示。该复合热沉结构从上往下依次为：第三铜层、第二芯材、第二铜层、第一芯材及第一铜层，厚度比为1：4：3：3：2。第二芯材和第一芯材分别为Mo60和Mo70，即复合热沉结构从上往下依次为Cu/Mo60/Cu/Mo70/Cu。复合热沉结构的总厚度为2.2mm，凹槽宽度为0.50mm，凹槽深度为0.20mm，占第二铜层的厚度的39％。第二芯材在第二铜层表面的正投影的边缘与第二铜层的边缘的距离为5.0mm。以上尺寸设计公差均为±0.03mm。

将上述复合热沉结构进行陶瓷封装钎焊，第三铜层表面和第二铜层表面的热膨胀系数分别与氮化硅芯片和氧化铝陶瓷管壳相匹配，钎焊后平面度均在0.03mm以下，且气密性良好，可保证氟油检测不漏气，同时能达到IPX8的密封效果，封装后腔体氦检漏率小于5×10^-10Pa·m³/s。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，便于具体和详细地理解本发明的技术方案，但并不能因此而理解为对发明专利保护范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。应当理解，本领域技术人员在本发明提供的技术方案的基础上，通过合乎逻辑的分析、推理或有限的试验得到的技术方案，均在本发明所附权利要求的保护范围内。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求的内容为准，说明书及附图可以用于解释权利要求的内容。

Claims (10)

1.一种复合热沉结构，其特征在于，包括：依次层叠设置的第一铜层、第一芯材、第二铜层、第二芯材和第三铜层；

所述第二芯材和所述第三铜层在所述第二铜层表面的正投影均落在所述第二铜层内，且所述正投影的边缘位于所述第二铜层的边缘的内侧。

2.根据权利要求1所述的复合热沉结构，其特征在于，所述第二铜层表面未层叠有所述第二芯材的区域设有两个第一凹槽，每个所述第一凹槽的一个槽壁分别与所述第二芯材的一个边缘平齐。

3.根据权利要求2所述的复合热沉结构，其特征在于，所述第一凹槽的宽度为0.3mm～1mm。

4.根据权利要求2所述的复合热沉结构，其特征在于，所述第一凹槽的深度占所述第二铜层的厚度的30％～70％。

5.根据权利要求1所述的复合热沉结构，其特征在于，所述正投影的边缘与所述第二铜层的边缘的距离大于所要连接的封装墙体的厚度，且差值为1mm～3mm。

6.根据权利要求1～5任一项所述的复合热沉结构，其特征在于，所述第一芯材及所述第二芯材各自独立地选自钼、钼铜合金、钨及钨铜合金中的任一种。

7.根据权利要求1～5任一项所述的复合热沉结构，其特征在于，还包括：层叠设置在所述第二芯材和所述第三铜层之间的第三芯材和第四铜层，所述第三芯材较所述第四铜层更靠近所述第三铜层；

所述第二芯材、所述第三铜层、所述第三芯材和所述第四铜层的边缘均平齐。

8.根据权利要求1～5任一项所述的复合热沉结构，其特征在于，还包括：层叠设置在所述第二芯材和所述第三铜层之间的第三芯材和第四铜层，所述第三芯材较所述第四铜层更靠近所述第三铜层；

所述第四铜层的边缘与所述第二芯材的边缘平齐，所述第三芯材的边缘与所述第三铜层的边缘平齐；

所述第四铜层表面未层叠有所述第三芯材的区域设有两个第二凹槽，每个所述第二凹槽的一个槽壁分别与所述第三芯材的一个边缘平齐。

9.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：

复合热沉结构，所述复合热沉结构为权利要求1～8任一项所述的复合热沉结构；

芯片，所述芯片设置在所述复合热沉结构的所述第三铜层远离所述第二芯材的一侧表面；

封装墙体，所述封装墙体设置在所述复合热沉结构的所述第二铜层表面未层叠有所述第二芯材的区域。

10.一种芯片封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

获得权利要求1～8任一项所述的复合热沉结构；

在所述复合热沉结构的所述第三铜层远离所述第二芯材的一侧表面连接芯片；

在所述复合热沉结构的所述第二铜层表面未层叠有所述第二芯材的区域连接封装墙体。

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