CN115776245A - 电压转换器 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及电压转换器。一种转换器包括耦合在第一节点和第二节点之间的第一晶体管和第二晶体管，以及耦合在第一节点和第二节点之间的第一晶闸管和第二晶闸管。转换器被控制用于操作以：在第一周期中，导通第一晶体管和第二晶闸管并且关断第二晶体管和第一晶闸管，并且在第二周期中，关断第一晶体管和第二晶闸管并且导通第二晶体管和第一晶闸管。针对每个第一周期之后的第三周期，转换器操作的进一步控制包括关断第一晶体管和第二晶体管，关断第二晶闸管，以及将电流注入到第一晶闸管的栅极中。转换器操作的附加控制包括，针对每个第二周期之后的第四周期，关断第一晶体管和第二晶体管，关断第一晶闸管，以及将电流注入到第二晶闸管的栅极中。

Description

电压转换器
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年9月8日提交的法国专利申请号2109385的优先权，在法律允许的最大程度上通过引用将其全部内容并且入本文。
技术领域
本公开总体涉及电子设备，并且尤其涉及电压转换器。更确切地说，本发明涉及AC/DC电压转换器及其控制方法。
背景技术
电压转换器可以是多种类型。
整流器，也称为AC/DC转换器或Graetz桥，是一种被配置为向负载供电的转换器，该负载需要从AC电压源以尽可能直接的电压和电流两者被供电。电源通常是电压生成器。
功率逆变器是使能从具有不同电压或频率的电源生成AC电压和电流的功率电子设备。
在本领域中需要克服已知电压转换器的全部或部分缺点。
发明内容
一个实施例提供了一种电压转换器，包括串联耦合在第一节点和第二节点之间的第一晶体管和第二晶体管，以及串联耦合在第一节点和第二节点之间的第一晶闸管和第二晶闸管。转换器被配置为以如下方式操作：在第一周期中，第一晶体管和第二晶闸管导通，而第二晶体管和第一晶闸管关断，并且在第二周期中，第一晶体管和第二晶闸管关断，而第二晶体管和第一晶闸管导通，并且其中至少某些第一周期之后是第三周期，在该第三周期期间，第一晶体管和第二晶体管关断，第二晶闸管关断，并且电流被注入到第一晶闸管的栅极中，并且其中每个第二周期之后是第四周期，在该第四周期期间，第一晶体管和第二晶体管关断，第一晶闸管关断，并且电流被注入到第二晶闸管的栅极中。
另一实施例提供了一种控制电压转换器的方法，该电压转换器包括串联耦合在第一节点和第二节点之间的第一晶体管和第二晶体管，以及串联耦合在第一节点和第二节点之间的第一晶闸管和第二晶闸管，该方法包括：在第一周期期间，控制第一晶体管和第二晶闸管导通并且控制第二晶体管和第一晶闸管关断，并且在第二周期期间，控制第一晶体管和第二晶闸管关断并且控制第二晶体管和第一晶闸管导通。该方法进一步包括：在至少某些第一周期之后的第三周期期间，当第一晶体管和第二晶体管关断并且第二晶闸管关断时，将电流注入到第一晶闸管的栅极中。该方法进一步包括：在每个第二周期之后的第四周期期间，当第一晶体管和第二晶体管关断并且第一晶闸管关断时，将电流注入到第二晶闸管的栅极中。
根据一个实施例，转换器被配置为使得在第三周期中注入到第一晶闸管的栅极中的电流在20mA到200mA的范围内。转换器还被配置为使得在第四周期中注入到第二晶闸管的栅极中的电流在20mA到200mA的范围内。
根据一个实施例，第一晶闸管的阴极被耦合到第一节点，并且第一晶闸管的阳极被耦合到第三节点。根据一个实施例，第二晶闸管的阴极被耦合到第三节点，并且第二晶闸管的阳极被耦合到第二节点。
根据一个实施例，第一晶体管的传导端子被耦合到第一节点，并且第一晶体管的另一传导端子被耦合到第四节点。根据一个实施例，第二晶体管的传导端子被耦合到第四节点，并且第二晶体管的另一传导端子被耦合到第二节点。
根据一个实施例，转换器包括耦合在第四节点和第五节点之间的电感器。
根据一个实施例，转换器包括串联耦合在第一节点和第二节点之间的第三晶闸管和第四晶闸管。
根据一个实施例，第三晶闸管的阴极被耦合到第三节点，并且第三晶闸管的阳极被耦合到第一节点，并且第四晶闸管的阴极被耦合到第二节点，并且第四晶闸管的阳极被耦合到第三节点。
根据一个实施例，转换器被配置为以如下方式操作：在第五周期中，第二晶体管和第三晶闸管导通，并且第一晶体管和第一晶闸管、第二晶闸管和第四晶闸管关断，以及在第六周期中，第一晶体管和第四晶闸管导通，并且第二晶体管和第一晶闸管、第二晶闸管和第三晶闸管关断。
根据一个实施例，转换器被配置为使得至少某些第五周期之后是第四周期，并且至少某些第六周期之后是第三周期。
根据一个实施例，转换器被配置为使得AC电压被施加在第三节点和第五节点之间。
根据一个实施例，转换器被配置为使得DC电压被施加在第一和第二节点之间。
根据一个实施例，转换器包括耦合在第一节点和第二节点之间的电容器。
根据一个实施例，第一晶体管和第二晶体管是MOSFET晶体管。
附图说明
前述特征和优点以及其他特征和优点将在以下具体实施例的描述中参考附图以说明而非限制的方式给出，在附图中：
图1示出了AC/DC电压转换器的一个实施例；
图2A－2B示意性地示出了控制图1的实施例的方法的两个步骤；
图3A－3B示意性地示出了控制图1的实施例的方法的两个其他步骤；以及
图4示出了电压转换器的另一实施例。
具体实施方式
在各个附图中，相同的特征由相同的附图标记表示。特别地，在各个实施例中共同的结构和/或功能特征可以具有相同的附图标记并且可以设置相同的结构、尺寸和材料特性。
为了清楚起见，仅示出和详细描述了对理解本文所描述的实施例有用的步骤和元件。
除非另有说明，当提及被连接在一起的两个元件时，这表示除了导体之外没有任何中间元件的直接连接，并且当提及连接在一起的两个元件时，这表示这两个元件可以被连接或者它们可以经由一个或多个其它元件被耦合。
在以下公开中，除非另有说明，当提及绝对位置限定词时，诸如术语“前”、“后”、“顶”、“底”、“左”、“右”等，或提及相对位置限定词时，诸如术语“以上”、“以下”、“上”、“下”等，或提及取向限定词时，诸如“水平”、“垂直”等，是指图中所示的取向。
除非另有说明，表述“约”、“大约”、“基本上”和“以”表示在10％以内，优选在5％以内。
图1示出了AC/DC电压转换器1或转换器电路的实施例。转换器电路1例如是单向电路，例如整流器。转换器电路1例如是功率因数校正(PFC)电路。转换器电路1例如是“图腾柱”型功率因数校正电路。转换器电路1被配置为接收AC电压VAC作为输入并且输出DC电压VDC。
转换器电路1包括两个晶体管3和晶体管5。晶体管3和晶体管5例如是绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)，例如N型MOSFET。优选地，晶体管3和晶体管5被配置为用于以高频操作，即高于10kHz。晶体管3和晶体管5被串联耦合在节点7和节点9之间。更准确地说，晶体管3通过其(源极和漏极)传导端子被耦合在节点7和节点11之间，并且晶体管5通过其(源极和漏极)传导端子被耦合在节点11和节点9之间。节点11因此形成晶体管3和晶体管5的接合节点或点。换句话说，晶体管3的传导端子(例如漏极)被耦合(优选地被连接)到节点7，并且晶体管3的另一传导端子(例如源极)被耦合(优选地被连接)到节点11。晶体管5的传导端子(例如漏极)被耦合(优选地被连接)到节点11，并且晶体管5的另一传导端子(例如源极)被耦合(优选地被连接)到节点9。节点9例如是参考电压GND的施加的节点，例如接地。
晶体管3和晶体管5被一个或多个控制电路控制。因此，每个晶体管包括控制端子，其被耦合(优选地被连接)到生成被施加于晶体管栅极的晶体管控制电压的控制端子。
转换器电路1包括两个晶闸管或可控硅整流器(SCR)13和15。晶闸管13和晶闸管15被串联耦合在节点7和9之间。更准确地说，晶闸管13被耦合在节点7和节点17之间，并且晶闸管15被耦合在节点17和节点9之间。节点17因此形成晶闸管13和晶闸管15的接合节点或点。换句话说，晶闸管13的阴极被耦合(优选地被连接)到节点7，并且晶闸管13的阳极被耦合(优选地被连接)到节点17。晶闸管15的阴极被耦合(优选地被连接)到节点17，并且晶闸管的阳极被耦合(优选地被连接)到节点9。晶闸管15的阴极因此被耦合(优选地被连接)到晶闸管13的阳极。
晶闸管13和晶闸管15被一个或多个控制电路控制。因此，每个晶闸管包括控制端子或栅极，其被耦合(优选地被连接)到生成晶闸管控制电流的控制电路。该实施例中的晶闸管13和晶闸管15是阴极－栅极型。
转换器电路1进一步包括耦合在端子7和端子9之间的电容器19。换句话说，电容器19的端子被耦合(优选地被连接)到节点7，并且电容器的另一端子被耦合(优选地被连接)到节点9。
因此，转换器电路1包括并联耦合的三个支路。转换器电路1的一个支路包括串联耦合的晶体管3和晶体管5。转换器电路1的另一个支路包括串联耦合的晶闸管13和晶闸管15。转换器电路1的另一个支路包括电容器19。
转换器电路1进一步包括电感器21。电感器21被耦合在节点11和节点23之间。换句话说，电感器21的端子被耦合(优选地被连接)到节点11，并且电感器21的另一端子被耦合(优选地被连接)到节点23。
AC电压VAC被施加于节点23和节点17之间。例如，节点23和节点17形成AC输入节点。DC电压VDC在节点7和节点9之间被传递。例如，电压VDC是电容器19两端的电压。例如，节点7和节点9形成转换器电路1的DC输出节点。
结合图2A、2B和3A、3B进一步详细描述图1的实施例的操作。
图2A、2B示意性地示出了图1的实施例的控制方法的两个步骤。更确切地，图2A、2B每个示出了控制转换器电路1的方法的步骤。图2A和2B中所示的步骤在此被称为步骤A和B，其在转换器电路1的操作期间被重复和被交替。
电流的路径在图2A、2B中被箭头路径示出。
图2A所示的步骤与期间电压VAC为正的时间段相对应。流过电感器的电流I为正，即，从节点23流到节点11。
在针对图2A所示的步骤的时间段期间，晶体管3导通而晶体管5关断。晶闸管13关断，即晶闸管13的栅极上的电流处于不允许电流流过晶闸管13的值，例如基本上为零。晶闸管15导通，即，其栅极上的电流是电流可以流过晶闸管。例如，晶闸管15的栅极上的电流大于栅极触发电流(IGT)，例如在50mA的量级。因此，电流从节点23流经电感器21、晶体管3、电容器19和晶闸管15以到达节点17。节点7和节点9之间的电压因此是正的，并且电容器被充电以维持DC电压VDC的值。
图2B所示的步骤与期间电压VAC为负的时间段相对应。流过电感器的电流I为负，即从节点11流到节点23。
在针对图2B所示的步骤的时间段期间，晶体管5导通而晶体管3关断。晶闸管13的栅极上的电流例如大于栅极触发电流(IGT)，例如在50mA的量级。因此，电流从节点17流经晶闸管13、电容器19和晶体管5，以到达节点11并且通过电感器21以到达节点23。节点7和9之间的电压因此为正，并且电容器被充电以维持DC电压VDC的值。
图3A、3B示意性地示出了图1的实施例的控制方法的两个其他步骤。更确切地，图3A、3B每个表示转换器电路1的控制方法的步骤。更准确地说，由图3A示出的步骤(本文称为步骤A')在由图2B和图2A所示的步骤的时间段之间的时间段被执行。即，在步骤B之后并且在步骤A之前。由图3B所示的步骤(本文称为步骤B')在由图2A和图2B所示的步骤的时间段之间的时间段被执行。即，在步骤A之后并且在步骤B之前。因此，电路控制方法包括以这种顺序重复步骤A、B'、B和A'。
在步骤A的时间段结束时和在步骤B'的时间段开始时，节点17上的电压基本上等于节点9上的电压，即参考电压，例如接地。晶闸管13两端的电压为负。换句话说，晶闸管13的阴极上的电压大于晶闸管13的阳极上的电压。
在步骤B'的时间段期间，电路使用晶闸管的特性，根据该特性，当晶闸管两端的电压为负时，即，当晶闸管阴极上的电压大于晶闸管阳极上的电压时，并且正电流被注入到栅极中，晶闸管表现为具有低电流增益的双极晶体管。然后晶闸管可以反向传导电流。
因此，在步骤B'的时间段期间，电流被注入到晶闸管13的栅极中，从而传导低电流。经注入的电流例如是在20mA至200mA的范围内。流过晶闸管13的电流例如是在10mA到100mA的范围内。节点17上的电压因此在步骤B'期间逐渐增加。
类似地，在步骤B的时间段的结束时和在步骤A'的时间段的开始时，节点17上的电压基本上等于节点7上的电压，即电压VDC。此外，晶闸管15两端的电压为负。换句话说，晶闸管15的阴极上的电压大于晶闸管15的阳极上的电压。
在步骤A'的时间段期间，正电流被注入到晶闸管15的栅极中，从而传导低电流。经注入的电流例如是在20mA至200mA的范围内。流过晶闸管15的电流例如是在10mA到100mA的范围内。节点17上的电压因此在步骤B'期间逐渐降低。
因此，每个步骤A的时间段优选直接被步骤B'的时间段跟随。直接被跟随意味着步骤A和步骤B'没有被步骤B分开。每个步骤B的时间段优选直接被步骤A'的时间段跟随。直接跟随意味着步骤B和步骤A'没有被步骤A分开。
可以选择不执行步骤A'和B'。然而，从步骤A转到步骤B将导致节点17上的电流峰值，这可能使电子组件上的损坏和电源上的电干扰。
图4示出了电压转换器30的另一实施例。转换器30是双向转换器。电路30例如是双向功率因数校正(PFC)电路。电路30例如是双向“图腾柱”型功率因数校正电路。换言之，转换器30被配置为将AC电压转换为DC电压并且将DC电压转换为AC电压。
转换器30包括转换器1的元件。结合图1描述的这些元件将不再被描述。
转换器30进一步包括两个晶闸管32和晶闸管34。晶闸管32和晶闸管34被串联耦合在节点7和9之间。因此，晶闸管32和晶闸管34形成节点7和节点9之间的另一支路，与包括电容器19的支路、包括晶闸管13和晶闸管15的支路以及包括晶体管3和晶体管5的支路并联。
更准确地说，晶闸管32与晶闸管13被并联耦合。晶闸管32被首尾耦合到晶闸管13。换句话说，晶闸管32的阳极被耦合(优选地被连接)到节点7，并且晶闸管32的阴极被耦合(优选地被连接)到节点17。
类似地，晶闸管34被并联耦合到晶闸管15。晶闸管34被首尾耦合到晶闸管15。换句话说，晶闸管34的阳极被耦合(优选地被连接)到节点17，并且晶闸管34的阴极被耦合(优选地被连接)到节点9。
节点17因此被耦合(优选地被连接)到晶闸管15的阴极、晶闸管32的阴极、晶闸管13的阳极和晶闸管34的阳极。
当电路30以整流模式操作时，电路30的操作与结合图2和3所描述的图1的实施例的操作是完全相同的。然后，晶闸管32和晶闸管34例如通过在晶闸管32和晶闸管34的栅极电平处提供零电流来关断。
当电路30以功率逆变器模式操作时，即，当DC电压被转换成AC电压时，控制转换器30的方法包括步骤C，在该步骤C的时间段期间流过电感器的电流I为正，即，从节点23流到节点11。
在步骤C的时间段期间，晶体管5导通并且晶体管3关断。晶闸管32的栅极上的电流例如大于栅极触发电流(IGT)，例如在50mA的量级。晶闸管13、晶闸管15和晶闸管34的栅极上的电流例如基本上为零，因此这不使能电流流过晶闸管13、晶闸管15和晶闸管34。因此，电流从节点7流经晶闸管32、AC电压源VAC、电感器21和晶体管5，以到达节点9。
控制方法还包括步骤D，在该步骤的时间段期间流过电感器的电流I为负，即，从节点11流到节点23。
在步骤D的时间段期间，晶体管3导通并且晶体管5关断。例如，晶闸管13、晶闸管15和晶闸管32的栅极上的电流基本上为零，因此这不使能电流流过晶闸管13、晶闸管15、晶闸管32。晶闸管34的栅极上的电流例如大于栅极触发电流(IGT)，例如大约为50mA的量级。因此，电流从节点7流过晶体管3、电感器21和晶闸管34，以到达节点9。
在步骤C的时间段结束时，节点17上的电压基本上等于节点7上的电压，即电压VDC。如在步骤B的情况下，步骤C的时间段之后是例如步骤A'的时间段，使能逐渐降低节点17上的电压并且避免电流峰值。
类似地，在步骤D的时间段结束时，节点17上的电压基本上等于节点9上的电压，即参考电压，例如接地。如在步骤A的情况下，步骤D的时间段之后是例如步骤B'的时间段，使能逐渐增加节点17上的电压并且避免电流峰值。
根据一个实施例，步骤C的时间段有规律地被步骤A'的时间段跟随，优选地直接被步骤A'跟随，例如每10ms针对50Hz频率。直接被跟随意味着步骤C的时间段和步骤A的时间段'没有被步骤A、步骤B或步骤D的时间段分开。类似地，步骤D的时间段有规律地被步骤B'的时间段跟随，优选地直接被步骤B'跟随，例如每10ms针对50Hz频率。直接被跟随意味着步骤D的时间段和步骤B'的时间段没有被步骤A、步骤B或步骤C的时间段分开。换言之，步骤A'和步骤B'的频率低于步骤C和步骤D的频率。
例如，在时间段T期间，每个步骤C的时间段之后是步骤E的时间段，在步骤E期间晶体管5断开，并且在步骤E期间电流从节点7流过晶闸管32、AC电压源VAC、电感器21和晶体管3，以返回到节点7。时间段T因此包括多个步骤C和步骤E的时间段。在每个时间段T结束时，步骤C的时间段之后是步骤A'的时间段。例如，针对50Hz的频率，时间段T是10ms。
作为变型，晶闸管32和晶闸管34可以用二极管或晶体管(例如MOSFET晶体管、双极晶体管或IGBT晶体管)代替。
图4的实施例的优点在于，相对于图1的实施例，其能够获得双向转换器而无需添加绝缘电源电路。实际上，晶闸管15和晶闸管32具有公共阴极，并且可以共享相同的电源电路。此外，晶闸管34的阴极被耦合(优选地被连接)到参考电压的施加的节点，并且因此不需要特定电源电路。
所描述的实施例的另一个优点是在步骤A'和步骤B'的时间段期间流过晶闸管的电流取决于在栅极上被提供的电流。因此，可以选择节点17上的电压的增长或降低速度。根据本申请，因此可以在步骤A'和步骤B'的时间段的持续时间与能够损坏电路并且能够生成电磁噪声的电流峰值的风险之间选择适当的折衷。
各种实施例和变型已经被描述。本领域技术人员将理解，各种实施例和变型的某些特征可以被组合，并且本领域技术人员将想到其它变型。
最后，基于以上给出的功能指示，所描述的实施例和变型的实际实现在本领域技术人员的能力范围内。

Claims (21)

1.一种电压转换器，包括：
在第一输入节点处串联耦合在第一输出节点和第二输出节点之间的第一晶体管和第二晶体管；
在第二输入节点处串联耦合在所述第一输出节点和所述第二输出节点之间的第一晶闸管和第二晶闸管；
其中输入电压在所述第一输入节点和所述第二输入节点处被接收；
其中所述电压转换器被控制为使得：
在第一时间段期间，所述第一晶体管和所述第二晶闸管导通，并且所述第二晶体管和所述第一晶闸管关断；
在第二时间段期间，所述第一晶体管和所述第二晶闸管关断，并且所述第二晶体管和所述第一晶闸管导通；
在所述第一晶闸管两端的电压为负的每个第一时间段之后的第三时间段期间，所述第一晶体管和所述第二晶体管关断，并且所述第二晶闸管关断，电流被注入到所述第一晶闸管的栅极中以使所述第一晶闸管传导反向电流；以及
在所述第二晶闸管两端的电压为负的每个第二时间段之后的第四时间段期间，所述第一晶体管和所述第二晶体管关断，并且所述第一晶闸管关断，电流被注入到所述第二晶闸管的栅极中以使所述第二晶闸管传导反向电流。
2.根据权利要求1所述的转换器，其中在所述第三时间段中被注入到所述第一晶闸管的所述栅极中的所述电流在从20mA到200mA的范围内，并且其中在所述第四时间段中被注入到所述第二晶闸管的所述栅极中的所述电流在从20mA到200mA的范围内。
3.根据权利要求1所述的转换器，其中所述第一晶闸管的阴极被耦合到所述第一输出节点，并且所述第一晶闸管的阳极被耦合到所述第二输入节点，并且其中所述第二晶闸管的阴极被耦合到所述第二输入节点，并且所述第二晶闸管的阳极被耦合到所述第二输出节点。
4.根据权利要求3所述的转换器，其中所述第一晶体管的一个传导端子被耦合到所述第一输出节点，所述第一晶体管的另一传导端子被耦合到所述第一输入节点，所述第二晶体管的一个传导端子被耦合到所述第一输入节点，并且所述第二晶体管的另一传导端子被耦合到所述第二输出节点。
5.根据权利要求4所述的转换器，进一步包含耦合在所述第一输入节点与第一电源节点之间的电感器，并且其中所述第二输入节点被连接到第二电源节点。
6.根据权利要求5所述的转换器，其中所述输入电压是被施加于所述第一电源节点和所述第二电源节点之间的AC电压。
7.根据权利要求6所述的转换器，其中所述转换器被配置为使得DC电压被输出在所述第一输出节点与所述第二输出节点之间。
8.根据权利要求7所述的转换器，进一步包括耦合在所述第一节点与所述第二节点之间的电容器。
9.根据权利要求1所述的转换器，进一步包括在所述第二输入处串联耦合在所述第一输出节点和所述第二输出节点之间的第三晶闸管和第四晶闸管。
10.根据权利要求9所述的转换器，其中所述第三晶闸管的阴极被耦合到所述第二输入节点，并且所述第三晶闸管的阳极被耦合到所述第一输出节点，并且其中所述第四晶闸管的阴极被耦合到所述第二输出节点，并且所述第四晶闸管的阳极被耦合到所述第三节点。
11.根据权利要求10所述的转换器，其中所述电压转换器被控制为使得：
在第五时间段期间，所述第二晶体管和所述第三晶闸管导通，并且所述第一晶体管和所述第一晶闸管、所述第二晶闸管和所述第四晶闸管关断；以及
在第六时间段期间，所述第一晶体管和所述第四晶闸管导通，并且所述第二晶体管和所述第一晶闸管、所述第二晶闸管和所述第三晶闸管关断。
12.根据权利要求11所述的转换器，其中每个第五时间段之后是所述第四时间段，并且每个第六时间段之后是所述第三时间段。
13.根据权利要求12所述的转换器，其中所述第一晶体管的一个传导端子被耦合到所述第一输出节点，所述第一晶体管的另一传导端子被耦合到所述第一输入节点，所述第二晶体管的一个传导端子被耦合到所述第一输入节点，并且所述第二晶体管的另一传导端子被耦合到所述第二输出节点。
14.根据权利要求13所述的转换器，进一步包括耦合在所述第一输入节点与第一电源节点之间的电感器，并且其中所述第二输入节点被连接到第二电源节点。
15.根据权利要求14所述的转换器，其中所述输入电压是被施加于所述第一电源节点和所述第二电源节点之间的AC电压。
16.根据权利要求15所述的转换器，其中所述转换器被配置为使得DC电压被输出在所述第一输出节点与所述第二输出节点之间。
17.根据权利要求16所述的转换器，进一步包括耦合在所述第一节点与所述第二节点之间的电容器。
18.根据权利要求1所述的转换器，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是MOSFET晶体管。
19.一种控制电压转换器的方法，所述电压转换器包括在第一输入节点处串联耦合在第一输出节点与第二输出节点之间的第一晶体管和第二晶体管，以及在第二输入节点处串联耦合在所述第一输出节点与所述第二输出节点之间的第一晶闸管和第二晶闸管，所述方法包括：
在第一时间段期间，导通所述第一晶体管和所述第二晶闸管并且关断所述第二晶体管和所述第一晶闸管；
在第二时间段期间，关断所述第一晶体管和所述第二晶闸管并且导通所述第二晶体管和所述第一晶闸管；
在所述第一晶闸管两端的电压为负的每个第一时间段之后的第三时间段期间，关断所述第一晶体管和所述第二晶体管，关断所述第二晶闸管，并且将电流注入到所述第一晶闸管的栅极中以使所述第一晶闸管传导反向电流；以及
在第二晶闸管两端的电压为负的每个第二时间段之后的第四时间段期间，关断所述第一晶体管和所述第二晶体管，关断所述第一晶闸管，并且将电流注入到所述第二晶闸管的栅极中以使所述第二晶闸管传导反向电流。
20.根据权利要求19的方法，其中在所述第三时间段中被注入到所述第一晶闸管的所述栅极中的所述电流在20mA到200mA的范围内，并且其中在所述第四时间段中被注入到所述第二晶闸管的所述栅极中的所述电流在20mA到200mA的范围内。
21.根据权利要求19所述的方法，其中所述转换器包括在所述第二输入处串联耦合在所述第一输出节点与所述第二输出节点之间的第三晶闸管和第四晶闸管，所述方法进一步包括：
在所述第四时间段之前的第五时间段期间，导通所述第二晶体管和所述第三晶闸管，关断所述第一晶体管并且导通所述第一晶闸管、所述第二晶闸管和所述第四晶闸管；以及
在所述第三时间段之前的第六时间段期间，导通所述第一晶体管和所述第四晶闸管，关断所述第二晶体管并且关断所述第一晶闸管、所述第二晶闸管和所述第三晶闸管。
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