CN115753015B - Mini led发光检测方法和系统 - Google Patents

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CN115753015B CN202211391101.7A CN202211391101A CN115753015B CN 115753015 B CN115753015 B CN 115753015B CN 202211391101 A CN202211391101 A CN 202211391101A CN 115753015 B CN115753015 B CN 115753015B
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Abstract

本发明涉及MINI LED发光检测方法和系统,方法通过检测背光模组上各待测发光芯片在第一预设电流下的发光的第一灰阶值,计算得到平均灰阶值,将每一个待测发光芯片的第一灰阶值与平均灰阶值进行比较,从而得到第一波动值,该第一波动值表示待测发光芯片与平均灰阶值之间的差值,这样,能够判定背光模组上不同待测发光芯片的亮度是否均一,从而判定背光模组是否合格,既实现了对单一待测发光芯片的检测,也实现对背光模组的整体发光效果的检查,有效提高了检测精度。

Description

MINI LED发光检测方法和系统
技术领域
本发明涉及LED技术领域,特别是涉及一种MINI LED发光检测方法和系统。
背景技术
Mini LED为芯片尺寸介于50~200μm之间的LED(light-emitting diode,发光二极管)器件。搭载了Mini LED的背光模组出厂前,需要对背光模组整体进行发光测试,以检测基板上的各MINI LED芯片是否能够发光、发光亮度是否均匀。
目前对MINI LED芯片的发光检测大多采用单一发光检测,即逐一点亮各MINI LED芯片,检测各MINI LED芯片的亮度是否达标,这样的检测仅针对单一个的MINI LED芯片,检测精度较为不准确,无法准确判定背光模组的整体发光效果。而如果将背光模组上的全部MINI LED芯片点亮进行检测,虽然能够整体判定背光模组的亮度,却无法找出个别有缺陷的MINI LED芯片,同样存在检测精度不高的问题。
发明内容
基于此,有必要提供一种MINI LED发光检测方法和系统。
一种MINI LED发光检测方法,包括:
1、一种MINI LED发光检测方法,其特征在于,包括:
基于预设规则确定背光模组中的一发光芯片作为待测发光芯片;
获取待测发光芯片在检测区域的待测坐标值,获取感光元件的感光区域的中心坐标值;
基于所述待测坐标值和所述中心坐标值调整所述感光元件的位置;
对所述待测发光芯片输入第一预设电流;
通过所述感光元件检测所述待测发光芯片的发光区域的第一灰阶值;
获取多个所述待测发光芯片的所述第一灰阶值,计算各所述第一灰阶值得到第一灰阶均值;
计算各所述待测发光芯片的所述第一灰阶值与所述第一灰阶均值的差值,获得第一波动值;
检测所述第一波动值是否大于第一波动阈值,当所述第一波动值大于所述第一波动阈值,则输出第一灰阶标记信息,当所述第一波动值小于或等于所述第一波动阈值,则输出第一确认信息。
在其中一个实施例中,所述通过所述感光元件检测所述待测发光芯片的发光区域的第一灰阶值的步骤包括:
通过所述感光元件检测所述待测发光芯片的发光区域的第一面积;
检测所述第一面积是否大于第一参考面积;
当所述第一面积小于所述第一参考面积,则输出第一面积标记信息,当所述第一面积大于或等于所述第一参考面积,则输出第二确认信息。
在其中一个实施例中,所述通过所述感光元件检测所述待测发光芯片的发光区域的第一灰阶值的步骤之后还包括:
对所述待测发光芯片输入第二预设电流;
通过所述感光元件检测所述待测发光芯片的发光区域的第二面积;
检测所述第二面积与所述第一面积之比是否与预设比例系数匹配,当所述第二面积与所述第一面积之比与所述预设比例系数匹配时,则维持输出第三确认信息;当所述第二面积与所述第一面积之比与所述预设比例系数不匹配时,则根据所述第二面积与所述第一面积之比与所述预设比例系数之间的差值幅度,调整所述第二预设电流,得到第三预设电流;通过所述感光元件检测所述待测发光芯片的发光区域的第三面积;检测所述第三面积与所述第一面积之比是否与预设比例系数匹配,当所述第三面积与所述第一面积之比与所述预设比例系数匹配时,则维持输出第四确认信息;当所述第三面积与所述第一面积之比与所述预设比例系数不匹配时,则输出第二面积标记信息。
在其中一个实施例中,所述第二预设电流大于所述第一预设电流。
在其中一个实施例中,还包括:基于所述第二预设电流与所述第一预设电流计算获得所述预设比例系数。
在其中一个实施例中,所述通过所述感光元件检测所述待测发光芯片的发光区域的第二面积的步骤包括:
通过所述感光元件检测所述待测发光芯片的发光区域的第二面积和第二灰阶值;
获取多个所述待测发光芯片的所述第二灰阶值,计算各所述第二灰阶值得到第二灰阶均值;
计算各所述待测发光芯片的所述第二灰阶值与所述第二灰阶均值的差值,获得第二波动值;
检测所述第二波动值是否大于第二波动阈值,当所述第二波动值大于所述第二波动阈值,则输出第二灰阶标记信息,当所述第二波动值小于或等于所述第二波动阈值,则输出第五确认信息。
在其中一个实施例中,所述基于预设规则确定背光模组中的一发光芯片作为待测发光芯片的步骤包括:
获取所述背光模组的型号编码;
基于所述背光模组的型号编码,获取与所述背光模组的型号编码对应的芯片布局;
基于所述芯片布局获取测试顺序,基于所述测试顺序确定背光模组中的一所述发光芯片作为所述待测发光芯片。
在其中一个实施例中,所述获取所述背光模组的型号编码的步骤包括:
在所述背光模组接入电源时,检测所述背光模组上预设电阻的阻值;
根据所述背光模组上所述预设电阻的阻值获取所述背光模组的型号编号。
在其中一个实施例中,所述输出第一灰阶标记信息的步骤之后还包括:
检测所述第一灰阶标记信息所对应的所述待测发光芯片的数量是否大于预设数量,当所述第一灰阶标记信息所对应的所述待测发光芯片的数量是否大于所述预设数量时,则发出提示信息。
一种MINI LED发光检测系统,采用上述任一实施例中所述的MINI LED发光检测方法对MINI LED进行发光检测。
本发明的有益效果是:通过检测背光模组上各待测发光芯片在第一预设电流下的发光的第一灰阶值,计算得到平均灰阶值,将每一个待测发光芯片的第一灰阶值与平均灰阶值进行比较,从而得到第一波动值,该第一波动值表示待测发光芯片与平均灰阶值之间的差值,这样,能够判定背光模组上不同待测发光芯片的亮度是否均一,从而判定背光模组是否合格,既实现了对单一待测发光芯片的检测,也实现对背光模组的整体发光效果的检查,有效提高了检测精度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为一实施例的MINI LED发光检测方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
如图1所示,其为本发明一实施例的MINI LED发光检测方法,包括:
步骤110,基于预设规则确定背光模组中的一发光芯片作为待测发光芯片。
本实施例中,待测发光芯片为背光模组上的其中一个发光芯片,该发光芯片也可以称为MINI LED芯片。本步骤中,从背光模组的发光芯片中确认一个作为当前需要检测的发光芯片作为待测发光芯片。
步骤120,获取待测发光芯片在检测区域的待测坐标值,获取感光元件的感光区域的中心坐标值。
本实施例中,在步骤110之前,预先建立基于检测区域的坐标,该检测区域为放置背光模组的区域,该区域可以与感光元件的检测范围重合。该待测坐标值即为待测发光芯片在检测区域的位置的坐标。
步骤130,基于所述待测坐标值和所述中心坐标值调整所述感光元件的位置。
本实施例中,移动感光元件,以使得感光元件的感光区域的中心坐标与待测发光芯片的待测坐标值重合,这样,能够使得感光元件完全地覆盖带发光芯片的发光区域。
步骤140,对所述待测发光芯片输入第一预设电流。
本实施例中,对待测发光芯片输入第一预设电流,以使得待测发光芯片工作,点亮。
步骤150,通过所述感光元件检测所述待测发光芯片的发光区域的第一灰阶值。
本实施例中,通过感光元件获取待测发光芯片发光形成的发光区域的灰阶值,该灰阶值为第一灰阶值。具体地,通过感光元件,获取待测发光芯片的发光区域的图像,该图像为第一图像,解析该第一图像的灰阶值,得到第一灰阶值。
步骤160,获取多个所述待测发光芯片的所述第一灰阶值,计算各所述第一灰阶值得到第一灰阶均值。
本步骤中,按照步骤110至步骤150逐一对背光模组上发光芯片进行亮度监测,从而得到多个第一灰阶值。值得一提的是,重复多次步骤110至步骤150可以是对背光模组上所有的发光芯片检测,也可以是对背光模组上多个的发光芯片进行检查,其重复检测的第一灰阶值作为计算第一灰阶均值的样本,因此,检测的数量可以根据检测效率和检测精度而确定。本步骤中,计算各所述第一灰阶值的平均值得到第一灰阶均值,该第一灰阶均值代表了背光模组的各发光芯片平均发光的灰阶值。
步骤170,计算各所述待测发光芯片的所述第一灰阶值与所述第一灰阶均值的差值,获得第一波动值。
本实施例中,将各待测发光芯片的第一灰阶值逐一与第一灰阶均值进行作差计算,从而得到多个第一波动值,该第一波动值即为差值。
步骤180,检测所述第一波动值是否大于第一波动阈值,当所述第一波动值大于所述第一波动阈值,则输出第一灰阶标记信息,当所述第一波动值小于或等于所述第一波动阈值,则输出第一确认信息。
本实施例中,对每一第一波动值进行对比,当第一波动值大于第一波动阈值,则对该待测发光芯片输出第一灰阶标记信息,用于表明该待测发光芯片的发光的灰阶波动过大,对其进行标记。当第一波动值小于或等于第一波动阈值,则表明该待测发光芯片的灰阶的波动较小,确认其合格,故输出第一确认信息。
上述实施例中,通过检测背光模组上各待测发光芯片在第一预设电流下的发光的第一灰阶值,计算得到平均灰阶值,将每一个待测发光芯片的第一灰阶值与平均灰阶值进行比较,从而得到第一波动值,该第一波动值表示待测发光芯片与平均灰阶值之间的差值,这样,能够判定背光模组上不同待测发光芯片的亮度是否均一,从而判定背光模组是否合格,既实现了对单一待测发光芯片的检测,也实现对背光模组的整体发光效果的检查,有效提高了检测精度。
在一个实施例中,所述通过所述感光元件检测所述待测发光芯片的发光区域的第一灰阶值的步骤包括:通过所述感光元件检测所述待测发光芯片的发光区域的第一面积;检测所述第一面积是否大于第一参考面积;当所述第一面积小于所述第一参考面积,则输出第一面积标记信息,当所述第一面积大于或等于所述第一参考面积,则输出第二确认信息。
本实施例中,通过感光元件检测待测发光芯片的发光区域的面积,该面积即为第一面积,该面积的计算过程为,根据待测发光芯片的发光的亮度变化获取待测发光芯片的亮度趋势图,该亮度趋势图用于表示待测发光芯片的中心亮度至边缘的亮度的变化趋势,基于该亮度趋势图,确认亮度在中心亮度的预设百分比以上的区域为发光区域,计算该发光区域的面积。该第一参考面积为作为参考的发光芯片发光所产生的发光区域的面积。
本实施例中,对比第一面积与第一参考面积,当第一面积小于所述第一参考面积,则表明此时待测发光芯片发光不良,因此,对其输出第一面积标记信息,当所述第一面积大于或等于所述第一参考面积,则表明带待测发光芯片亮度达标,则输出第二确认信息。
在一个实施例中,所述通过所述感光元件检测所述待测发光芯片的发光区域的第一灰阶值的步骤之后还包括:
对所述待测发光芯片输入第二预设电流;所述第二预设电流大于所述第一预设电流;通过所述感光元件检测所述待测发光芯片的发光区域的第二面积;检测所述第二面积与所述第一面积之比是否与预设比例系数匹配,当所述第二面积与所述第一面积之比与所述预设比例系数匹配时,则维持输出第三确认信息;当所述第二面积与所述第一面积之比与所述预设比例系数不匹配时,则根据所述第二面积与所述第一面积之比与所述预设比例系数之间的差值幅度,调整所述第二预设电流,得到第三预设电流;通过所述感光元件检测所述待测发光芯片的发光区域的第三面积;检测所述第三面积与所述第一面积之比是否与预设比例系数匹配,当所述第三面积与所述第一面积之比与所述预设比例系数匹配时,则维持输出第四确认信息;当所述第三面积与所述第一面积之比与所述预设比例系数不匹配时,则输出第二面积标记信息。
本实施例中,第二预设电流为高电流,第一预设电流为低电流,通过高电流和低电流两个电流分别电量待测发光芯片,从而检测该待测发光芯片在低电流和高电流的发光中,是否与高电流、低电流的比例匹配。从而更为精确地检测待测发光芯片的发光是否合格。应该理解的是,该预设比例系数为根据多个的良品的待测发光芯片在高电流和低电流下测出的发光面积之比。
具体地,所述第二面积与所述第一面积之比为S1,预设比例系数为S2,检测S1与S2是否匹配,即检测S1与S2之间的差值是否小于预设比例差值,当测S1与S2之间的差值小于预设比例差值时,则表明测S1与S2匹配,反之,则不匹配。当S1与S2之间不匹配时,表明电压的变化与发光区域的面积的变化不匹配,表明电压的变化所引起的发光区域的面积的变化不符合预期,可能存在发光芯片的内部结构问题,因此,需要对发光芯片的发光区域面积与电流大小的对应关系进行再一次检测,以排除误差,因此,需要对第二预设电流进行调整,调整的依据是S1与S2之间的差值,该差值为差值幅度,如差值幅度大于预设差值幅度,且S1大于S2,则降低第二预设电流,得到比第二预设电流小且比第一预设电流大的第三预设电流,如差值幅度小于预设差值幅度,且S1大于S2,则提高第二预设电流,得到比第二预设电流大的第三预设电流;检测所述第三面积与所述第一面积之比是否与预设比例系数匹配,当所述第三面积与所述第一面积之比与所述预设比例系数匹配时,则维持输出第四确认信息;当所述第三面积与所述第一面积之比与所述预设比例系数不匹配时,则输出第二面积标记信息。
本实施例中,如差值幅度大于预设差值幅度,且S1小于S2,则提高第一预设电流,得到比第一预设电流大且比第二预设电流小的第三预设电流,如差值幅度小于预设差值幅度,且S1小于S2,则降低第一预设电流,得到比第一预设电流小的第三预设电流;检测所述第三面积与所述第二面积之比是否与预设比例系数匹配,当所述第三面积与所述第二面积之比与所述预设比例系数匹配时,则维持输出第四确认信息;当所述第三面积与所述第二面积之比与所述预设比例系数不匹配时,则输出第二面积标记信息。
应该理解的是,在S1大于S2的情况下,当差值幅度较大时,表明第二面积与第一面积之比大于预期,则减小较高的第二电流,减小差值幅度,以配合该发光芯片的特性,在减小高电流后,再次检测第三面积与第一面积之比是否与预设比例系数匹配,如第三面积与第一面积之比与预设比例系数匹配,则表明该待测发光芯片正常,如第三面积与第一面积之比与预设比例系数不匹配,则表明通过降低高电流仍无法解决该待测发光芯片发光异常的问题,则输出第二面积标记信息,以标记该待测发光芯片的异常。同样地,在增大较高的第二预设电流后,检测第三面积与第一面积之比是否与预设比例系数匹配,如第三面积与第一面积之比与预设比例系数匹配,则表明该待测发光芯片正常,如第三面积与第一面积之比与预设比例系数不匹配,则输出第二面积标记信息,以标记该待测发光芯片的异常。
在S1小于S2的情况下,当差值幅度较大时,表明第二面积与第一面积之比大于预期,则增大较低的第一电流,减小差值幅度,以配合该发光芯片的特性,在增大低电流后,检测第三面积与第二面积之比是否与预设比例系数匹配,如第三面积与第二面积之比与预设比例系数匹配,则表明该待测发光芯片正常,如第三面积与第二面积之比与预设比例系数不匹配,则表明通过增大低电流仍无法解决该待测发光芯片发光异常的问题,则输出第二面积标记信息,以标记该待测发光芯片的异常。同样地,在减小较低的第一电流后,检测第三面积与第二面积之比是否与预设比例系数匹配,如第三面积与第二面积之比与预设比例系数匹配,则表明该待测发光芯片正常,如第三面积与第二面积之比与预设比例系数不匹配,则输出第二面积标记信息,以标记该待测发光芯片的异常。
本实施例中,在对第二预设电流调整后得到第三预设电流,利用第三预设电流再次进行检查,所述第三面积与所述第一面积之比为S3,预设比例系数为S2,检测S3与S2是否匹配,即检测S3与S2之间的差值是否小于预设比例差值,当测S3与S2之间的差值小于预设比例差值时,则表明测S3与S2匹配,反之,则不匹配。本实施例中,在再次检测中,当第三面积与第一面积之比与预设比例系数不匹配时,表明电压的变化与发光区域的面积的变化不匹配,表明电压的变化所引起的发光区域的面积的变化不符合预期,这样,确定属于发光芯片的内部结构问题,因此,输出第二面积标记信息,用于标记该发光芯片存在的问题或者故障,从而能够精准地确定发光芯片的结构问题,而不是检测误差导致的。
在一个实施例中,所述方法还包括:基于所述第二预设电流与所述第一预设电流计算获得所述预设比例系数。
本实施例中,发光芯片的发光亮度、发光面积与所输入的电流的大小相关,其相关的函数关系为正相关函数关系,即电流越大,发光芯片的发光亮度越大,发光面积越大,电流越小,发光芯片的发光亮度越小,发光面积越小,由此可看出,待测发光芯片的亮度、发光面积是随着电流的变化而变化,因此,本实施例中,根据第二预设电流和第一预设电流计算出预设比例系数,该预设比例系数用于反映发光芯片在不同电流下,发光面积的变化比例。
在一个实施例中,所述通过所述感光元件检测所述待测发光芯片的发光区域的第二面积的步骤包括:通过所述感光元件检测所述待测发光芯片的发光区域的第二面积和第二灰阶值;获取多个所述待测发光芯片的所述第二灰阶值,计算各所述第二灰阶值得到第二灰阶均值;计算各所述待测发光芯片的所述第二灰阶值与所述第二灰阶均值的差值,获得第二波动值;检测所述第二波动值是否大于第二波动阈值,当所述第二波动值大于所述第二波动阈值,则输出第二灰阶标记信息,当所述第二波动值小于或等于所述第二波动阈值,则输出第五确认信息。
本实施例中,在待测发光芯片输入第二预设电流后,还对待测发光芯片在第二预设电流下的发光的灰阶值进行检测,通过将第二灰阶值与第二灰阶均值进行作差比较,当所述第二波动值大于所述第二波动阈值,则对该待测发光芯片输出第二灰阶标记信息,用于表明该待测发光芯片的发光的灰阶波动过大,对其进行标记。当第二波动值小于或等于第二波动阈值,则表明该待测发光芯片的灰阶的波动较小,确认其合格,故输出第二确认信息。
应该理解的是,一些发光芯片在低电流下发光正常,但在高电流下发光不达标,而一些发光芯片则在低电流下发光不达标,却在高电路下发光正常,因此,本实施例中,对待测发光芯片在不同的电流下分别检测灰阶值的波动是否达标,更为全面地对各待测发光芯片进行检测,从而有效提高检测精度。
在一个实施例中,所述基于预设规则确定背光模组中的一发光芯片作为待测发光芯片的步骤包括:获取所述背光模组的型号编码;基于所述背光模组的型号编码,获取与所述背光模组的型号编码对应的芯片布局;基于所述芯片布局获取所述测试顺序,基于所述测试顺序确定背光模组中的一所述发光芯片作为所述待测发光芯片。
本实施例中,该芯片布局用于记录背光模组上个发光芯片的位置,各发光芯片之间的相对距离。不同型号的背光模组对应不同的型号编码,每一型号的背光模组对应一型号编码,每一型号的背光模组的芯片布局对应一型号编码,预先将每一型号的背光模组的芯片布局与型号编码的对应关系存储,这样,在每一个背光模组放置在检测区域时,通过对背光模组上电并检测,即可确定背光模组的型号,获得背光模组的型号编码,从而从预存的背光模组的芯片布局与型号编码的对应关系中确定背光模组的芯片布局,这样,可以快速获取背光模组的各发光芯片的位置,并且基于芯片布局获取与芯片布局对应的测试顺序,逐一将发光芯片确定为待测发光芯片,对待测发光芯片进行发光测试,直至将背光模组上的各发光芯片检测完毕,从而高效地实现对背光模组上的所有发光芯片的检测,并且可以根据不同型号的背光模组快速定位各发光芯片的位置,快速调整感光元件的位置,有效提高了检测效率。
在一个实施例中,所述获取所述背光模组的型号编码的步骤包括:在所述背光模组接入电源时,检测所述背光模组上预设电阻的阻值;根据所述背光模组上所述预设电阻的阻值获取所述背光模组的型号编号。
本实施例中,每一型号的背光模组上设置一预设电阻,且不用型号的背光模组上的预设电阻的阻值不同,通过检测背光模组上的电阻的阻值,即可确定背光模组的型号,从而从预存的阻值与型号编号对应关系中,获取与预设电阻的阻值对应的型号编号。
在一个实施例中,所述输出第一灰阶标记信息的步骤之后还包括:检测所述第一灰阶标记信息所对应的所述待测发光芯片的数量是否大于预设数量,当所述第一灰阶标记信息所对应的所述待测发光芯片的数量是否大于所述预设数量时,则发出提示信息。
本实施例中,当第一灰阶标记信息对应的待测发光芯片的数量大于预设数量,则表明背光模组上的不良发光芯片过多,则输出用于表示背光模组不合格的提示信息。
在其他的一些实施例中,分别检测第一灰阶标记信息、第二灰阶标记信息、第一面积标记信息和第二面积标记信息所对应的所述待测发光芯片的数量是否大于预设数量,当第一灰阶标记信息、第二灰阶标记信息、第一面积标记信息和第二面积标记信息中任一个所对应的所述待测发光芯片的数量是否大于所述预设数量时,则发出提示信息。
本实施例中,当第一灰阶标记信息、第二灰阶标记信息、第一面积标记信息和第二面积标记信息中任意一个的的数量大于预设数量,则表明背光模组上的不良发光芯片过多,则输出用于表示背光模组不合格的提示信息。从而精确、高效地检测出背光模组是否存在过多的不良发光芯片。
在一个实施例中,提供一种MINI LED发光检测系统,采用上述任一实施例的所述的MINI LED发光检测方法对MINI LED进行发光检测。
本实施例中,MINI LED发光检测系统包括检测处理装置以及与检测处理装置连接的感光元件,该感光元件可以是CCD(Charge-coupled Device,电荷耦合器件),该感光元件可以是摄像头,感光元件用于将拍摄到的图像发送至检测处理装置,该检测处理装置用于实现方法中各步骤的计算和数据处理。该检测处理装置对图像的亮度进行解析,从而实现对MINI LED发光的检测。
本实施例中,通过检测背光模组上各待测发光芯片在第一预设电流下的发光的第一灰阶值,计算得到平均灰阶值,将每一个待测发光芯片的第一灰阶值与平均灰阶值进行比较,从而得到第一波动值,该第一波动值表示待测发光芯片与平均灰阶值之间的差值,这样,能够判定背光模组上不同待测发光芯片的亮度是否均一,从而判定背光模组是否合格,既实现了对单一待测发光芯片的检测,也实现对背光模组的整体发光效果的检查,有效提高了检测精度。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (8)

1.一种MINI LED发光检测方法,其特征在于,包括:
基于预设规则确定背光模组中的一发光芯片作为待测发光芯片;
获取待测发光芯片在检测区域的待测坐标值,获取感光元件的感光区域的中心坐标值;
基于所述待测坐标值和所述中心坐标值调整所述感光元件的位置;
对所述待测发光芯片输入第一预设电流;
通过所述感光元件检测所述待测发光芯片的发光区域的第一灰阶值;
获取多个所述待测发光芯片的所述第一灰阶值,计算各所述第一灰阶值得到第一灰阶均值;
计算各所述待测发光芯片的所述第一灰阶值与所述第一灰阶均值的差值,获得第一波动值;
检测所述第一波动值是否大于第一波动阈值,当所述第一波动值大于所述第一波动阈值,则输出第一灰阶标记信息,当所述第一波动值小于或等于所述第一波动阈值,则输出第一确认信息;
所述通过所述感光元件检测所述待测发光芯片的发光区域的第一灰阶值的步骤包括:
通过所述感光元件检测所述待测发光芯片的发光区域的第一面积;
检测所述第一面积是否大于第一参考面积;
当所述第一面积小于所述第一参考面积,则输出第一面积标记信息,当所述第一面积大于或等于所述第一参考面积,则输出第二确认信息;
所述通过所述感光元件检测所述待测发光芯片的发光区域的第一灰阶值的步骤之后还包括:
对所述待测发光芯片输入第二预设电流;
通过所述感光元件检测所述待测发光芯片的发光区域的第二面积;
检测所述第二面积与所述第一面积之比是否与预设比例系数匹配,当所述第二面积与所述第一面积之比与所述预设比例系数匹配时,则维持输出第三确认信息;当所述第二面积与所述第一面积之比与所述预设比例系数不匹配时,则根据所述第二面积与所述第一面积之比与所述预设比例系数之间的差值幅度,调整所述第二预设电流,得到第三预设电流;通过所述感光元件检测所述待测发光芯片的发光区域的第三面积;检测所述第三面积与所述第一面积之比是否与预设比例系数匹配,当所述第三面积与所述第一面积之比与所述预设比例系数匹配时,则维持输出第四确认信息;当所述第三面积与所述第一面积之比与所述预设比例系数不匹配时,则输出第二面积标记信息。
2.根据权利要求1所述的MINI LED发光检测方法,其特征在于,所述第二预设电流大于所述第一预设电流。
3.根据权利要求1所述的MINI LED发光检测方法,其特征在于,还包括:基于所述第二预设电流与所述第一预设电流计算获得所述预设比例系数。
4.根据权利要求1所述的MINI LED发光检测方法,其特征在于,所述通过所述感光元件检测所述待测发光芯片的发光区域的第二面积的步骤包括:
通过所述感光元件检测所述待测发光芯片的发光区域的第二面积和第二灰阶值;
获取多个所述待测发光芯片的所述第二灰阶值,计算各所述第二灰阶值得到第二灰阶均值;
计算各所述待测发光芯片的所述第二灰阶值与所述第二灰阶均值的差值,获得第二波动值;
检测所述第二波动值是否大于第二波动阈值,当所述第二波动值大于所述第二波动阈值,则输出第二灰阶标记信息,当所述第二波动值小于或等于所述第二波动阈值,则输出第五确认信息。
5.根据权利要求1所述的MINI LED发光检测方法,其特征在于,所述基于预设规则确定背光模组中的一发光芯片作为待测发光芯片的步骤包括:
获取所述背光模组的型号编码;
基于所述背光模组的型号编码,获取与所述背光模组的型号编码对应的芯片布局;
基于所述芯片布局获取测试顺序,基于所述测试顺序确定背光模组中的一所述发光芯片作为所述待测发光芯片。
6.根据权利要求5所述的MINI LED发光检测方法,其特征在于,所述获取所述背光模组的型号编码的步骤包括:
在所述背光模组接入电源时,检测所述背光模组上预设电阻的阻值;
根据所述背光模组上所述预设电阻的阻值获取所述背光模组的型号编号。
7.根据权利要求1-6任一项中所述的MINI LED发光检测方法,其特征在于,所述输出第一灰阶标记信息的步骤之后还包括:
检测所述第一灰阶标记信息所对应的所述待测发光芯片的数量是否大于预设数量,当所述第一灰阶标记信息所对应的所述待测发光芯片的数量是否大于所述预设数量时,则发出提示信息。
8.一种MINI LED发光检测系统,其特征在于,采用权利要求1-7任一项中所述的MINILED发光检测方法对MINI LED进行发光检测。
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Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002139404A (ja) * 2000-11-02 2002-05-17 Omron Corp 輝度むら検査装置及び色むら検査装置
CN102723054A (zh) * 2012-06-18 2012-10-10 西安电子科技大学 Led显示屏非均匀性在线校正系统和校正方法
CN103983427A (zh) * 2014-05-22 2014-08-13 广东威创视讯科技股份有限公司 基于led灯板均匀度的校正方法
CN108873399A (zh) * 2018-06-19 2018-11-23 信利光电股份有限公司 一种lcd显示模组背光发光均匀性的检测方法及系统
CN110490847A (zh) * 2019-07-31 2019-11-22 浙江大学山东工业技术研究院 基于视觉的led芯片质量检测方法
CN111929035A (zh) * 2020-07-27 2020-11-13 歌尔科技有限公司 心率模组led亮度检测方法和装置
CN112414943A (zh) * 2020-11-27 2021-02-26 上海华力微电子有限公司 半导体芯片缺陷定位方法和定位模块
CN113241037A (zh) * 2021-05-08 2021-08-10 湖南国天电子科技有限公司 一种led屏单点亮度校正方法及系统
CN113763892A (zh) * 2021-09-17 2021-12-07 京东方科技集团股份有限公司 灰阶调节方法、显示模组、电子设备和可读存储介质
CN114092454A (zh) * 2021-11-26 2022-02-25 浙江晶科能源有限公司 光伏组件el检测方法、设备和存储介质
CN115165899A (zh) * 2022-09-02 2022-10-11 扬州中科半导体照明有限公司 采用光学手段的led芯片焊接质量检测方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008064073A1 (de) * 2008-12-19 2010-06-24 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von LED-Beleuchtungsvorrichtungen und LED-Beleuchtungsvorrichtung

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002139404A (ja) * 2000-11-02 2002-05-17 Omron Corp 輝度むら検査装置及び色むら検査装置
CN102723054A (zh) * 2012-06-18 2012-10-10 西安电子科技大学 Led显示屏非均匀性在线校正系统和校正方法
CN103983427A (zh) * 2014-05-22 2014-08-13 广东威创视讯科技股份有限公司 基于led灯板均匀度的校正方法
CN108873399A (zh) * 2018-06-19 2018-11-23 信利光电股份有限公司 一种lcd显示模组背光发光均匀性的检测方法及系统
CN110490847A (zh) * 2019-07-31 2019-11-22 浙江大学山东工业技术研究院 基于视觉的led芯片质量检测方法
CN111929035A (zh) * 2020-07-27 2020-11-13 歌尔科技有限公司 心率模组led亮度检测方法和装置
CN112414943A (zh) * 2020-11-27 2021-02-26 上海华力微电子有限公司 半导体芯片缺陷定位方法和定位模块
CN113241037A (zh) * 2021-05-08 2021-08-10 湖南国天电子科技有限公司 一种led屏单点亮度校正方法及系统
CN113763892A (zh) * 2021-09-17 2021-12-07 京东方科技集团股份有限公司 灰阶调节方法、显示模组、电子设备和可读存储介质
CN114092454A (zh) * 2021-11-26 2022-02-25 浙江晶科能源有限公司 光伏组件el检测方法、设备和存储介质
CN115165899A (zh) * 2022-09-02 2022-10-11 扬州中科半导体照明有限公司 采用光学手段的led芯片焊接质量检测方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
一种改善LED显示屏亮度均匀性的算法;严利民, 潘浩, 杜斌, 殷晓文;量子电子学报;第34卷(第4期);401-404 *

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