CN115732312A - 改善硅片厚外延Si-Nodule和Crown的工艺方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种改善硅片厚外延Si‑Nodule和Crown的工艺方法,所属硅片生产加工技术领域,如下操作步骤:第一步:线切割,切片厚度835μm;第二步:一次倒角,通过一次倒角将硅片边缘加工成圆弧形(R‑Type);第三步:研磨,研磨去除量65μm;第四步:二次倒角;第五步:酸腐蚀采用的药液为HF、HNO3、HAC(醋酸),酸腐蚀去除量30μm,腐蚀后硅片厚度740μm;第六步:中间检查,对硅片正反面进行外观检查;第七步:先进行边缘抛光,然后进行Poly,然后进行LTO,然后腐蚀法去掉边缘LTO,最后进行正面抛光;第八步:抛光去除量15μm,抛光后厚度725μm;第九步:洗净。具有操作简便和效果好的特点。解决了硅片在厚外延生长过程中引起的Si‑Nodule和Crown的问题。
Description
技术领域
本发明涉及硅片生产加工技术领域,具体涉及一种改善硅片厚外延Si-Nodule和Crown的工艺方法。
背景技术
对于重掺杂的硅片,需要对硅片背表面进行处理,一般在背面生长多晶硅膜或二氧化硅膜,或者二者组合,目的是防止硅外延工艺中重掺杂硅片的自掺杂作用。Si-Nodule为硅结核颗粒,Crown为边缘兴起物。
对于生长厚外延的工艺(外延厚度>65μm),边缘处理不当,会影响外延后边缘质量。目前工艺技术重掺锑产品在厚外延加工过程中发生了2个问题:1、背面边缘出现Si-Nodule;2、背面边缘发生Crown。
发明内容
本发明主要解决现有技术中存在的不足,提供了一种改善硅片厚外延Si-Nodule和Crown的工艺方法,其具有操作简便和效果好的特点。解决了硅片在厚外延生长过程中引起的Si-Nodule和Crown的问题。
本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的:
一种改善硅片厚外延Si-Nodule和Crown的工艺方法,包括如下操作步骤:
第一步:线切割,切片厚度835μm,采用TOYO450E线切割机进行切割。
第二步:一次倒角,通过一次倒角将硅片边缘加工成圆弧形(R-Type);增加硅片边缘表面机械强度,一次倒角设备WBM-2200A, 采用树脂砂轮对外周进行加工。
第三步:研磨,研磨去除量65μm,研磨后目标厚度770μm,研磨设备24BNS,研磨辅材由研磨粉F0-1000#,悬浮液、防锈剂、消泡剂组成,研磨通过下定盘旋转和载体的旋转对硅片进行双面研磨。
第四步:二次倒角,二次倒角决定了硅片的边缘轮廓,而硅片的边缘轮廓对外延后crown有影响。
第五步:酸腐蚀采用的药液为HF、HNO3、HAC(醋酸),酸腐蚀去除量30μm,腐蚀后硅片厚度740μm。
第六步:中间检查,对硅片正反面进行外观检查,采用人工分别在荧光灯、聚光灯下对硅片表面缺陷进行检查。
第七步:先进行边缘抛光,然后进行 Poly (厚度15000 Å),然后进行LTO(厚度4800 Å),然后腐蚀法去掉边缘LTO,最后进行正面抛光,抛光后背面和边缘膜结构不同,膜结构不同影响了外延Si-Nodule的发生。
第八步:抛光去除量15μm,抛光后厚度725μm。
第九步:洗净,包括去蜡洗净后最终洗净,先进行去蜡洗净,去除硅片背面蜡残;然后进行最终洗净,最终洗净采用SC1药液进行清洗,达到去除硅片表面沾污的目的。
作为优选,线切割时,采用φ0.12钢线、砂浆进行切割,通过正晶向切片,按X方向偏离±0.7,Y方向偏离±0.7。
作为优选,硅片边缘轮廓为T-type类型,T-type 参数有A1、A2、R1、R2、BC;A1的与正面连接的边缘斜表面,由于正面和边缘表面的外延生长速率不一样,导致从正面过渡到A1面的时候容易在正面与A1交界处形成crown,调整二次倒角加工参数,增大A1值,A1从670μm增大到760μm,增大A1值,即增大了边缘斜面的面积,改善边缘crown。
作为优选,Poly和LTO都是硅片的表面处理工艺,通过化学气相沉积在硅片背面生长多晶硅膜或SiO2膜,作用为防止硅外延过程中重掺杂硅片的自掺杂作用;Poly膜为多晶硅膜,硅片长膜厚度15000 Å,LTO膜为SiO2膜,长膜厚度4800 Å;长Poly膜硅片正面背面都会长同样厚度的多晶硅膜,长LTO膜仅在硅片背面长SiO2膜,腐蚀法去边的目的是用HF腐蚀掉背面边缘的SiO2膜,因为边缘抛光不能去除边缘SiO2膜。
作为优选,第八步抛光采用不二越全自动抛光线加工,采用背面贴蜡单面抛光,通过5连抛进行加工:粗抛→粗抛→粗抛→中抛→精抛。
本发明能够达到如下效果:
本发明提供了一种改善硅片厚外延Si-Nodule和Crown的工艺方法,与现有技术相比较,具有操作简便和效果好的特点。解决了硅片在厚外延生长过程中引起的Si-Nodule和Crown的问题。
附图说明
图1是本发明的结构示意图。
具体实施方式
下面通过实施例,并结合附图,对发明的技术方案作进一步具体的说明。
实施例:如图1所示,一种改善硅片厚外延Si-Nodule和Crown的工艺方,包括如下操作步骤:
第一步:线切割,切片厚度835μm,采用TOYO450E线切割机进行切割。线切割时,采用φ0.12钢线、砂浆进行切割,通过正晶向切片,按X方向偏离±0.7,Y方向偏离±0.7。
第二步:一次倒角,通过一次倒角将硅片边缘加工成圆弧形(R-Type)。
第三步:研磨,研磨去除量65μm,研磨后目标厚度770μm,研磨设备24BNS,研磨辅材由研磨粉F0-1000#,悬浮液、防锈剂、消泡剂组成,研磨通过下定盘旋转和载体的旋转对硅片进行双面研磨;
第四步:二次倒角,二次倒角决定了硅片的边缘轮廓,而硅片的边缘轮廓对外延后crown有影响。
硅片边缘轮廓为T-type类型,T-type 参数有A1、A2、R1、R2、BC;A1的与正面连接的边缘斜表面,由于正面和边缘表面的外延生长速率不一样,导致从正面过渡到A1面的时候容易在正面与A1交界处形成crown,调整二次倒角加工参数,增大A1值,A1从670μm增大到760μm,增大A1值,即增大了边缘斜面的面积,改善边缘crown。
第五步:酸腐蚀采用的药液为HF、HNO3、HAC(醋酸),酸腐蚀去除量30μm,腐蚀后硅片厚度740μm。
Poly和LTO都是硅片的表面处理工艺,通过化学气相沉积在硅片背面生长多晶硅膜或SiO2膜,作用为防止硅外延过程中重掺杂硅片的自掺杂作用;Poly膜为多晶硅膜,硅片长膜厚度15000 Å,LTO膜为SiO2膜,长膜厚度4800 Å;长Poly膜硅片正面背面都会长同样厚度的多晶硅膜,长LTO膜仅在硅片背面长SiO2膜,腐蚀法去边的目的是用HF腐蚀掉背面边缘的SiO2膜,因为边缘抛光不能去除边缘SiO2膜。
第六步:中间检查,对硅片正反面进行外观检查,采用人工分别在荧光灯、聚光灯下对硅片表面缺陷进行检查。
第七步:先进行边缘抛光,然后进行 Poly (厚度15000 Å),然后进行LTO(厚度4800 Å),然后腐蚀法去掉边缘LTO,最后进行正面抛光,抛光后背面和边缘膜结构不同,膜结构不同影响了外延Si-Nodule的发生。
第八步:抛光去除量15μm,抛光后厚度725μm;抛光采用不二越全自动抛光线加工,采用背面贴蜡单面抛光,通过5连抛进行加工:粗抛→粗抛→粗抛→中抛→精抛。
第九步:洗净,包括去蜡洗净后最终洗净,先进行去蜡洗净,去除硅片背面蜡残;然后进行最终洗净,最终洗净采用SC1药液进行清洗,达到去除硅片表面沾污的目的。
综上所述,该改善硅片厚外延Si-Nodule和Crown的工艺方法,具有操作简便和效果好的特点。解决了硅片在厚外延生长过程中引起的Si-Nodule和Crown的问题。
以上所述仅为本发明的具体实施例,但本发明的结构特征并不局限于此,任何本领域的技术人员在本发明的领域内,所作的变化或修饰皆涵盖在本发明的专利范围之中。
Claims (5)
1.一种改善硅片厚外延Si-Nodule和Crown的工艺方法,其特征在于包括如下操作步骤:
第一步:线切割,切片厚度835μm,采用TOYO450E线切割机进行切割;
第二步:一次倒角,通过一次倒角将硅片边缘加工成圆弧形(R-Type);
第三步:研磨,研磨去除量65μm,研磨后目标厚度770μm,研磨设备24BNS,研磨辅材由研磨粉F0-1000#,悬浮液、防锈剂、消泡剂组成,研磨通过下定盘旋转和载体的旋转对硅片进行双面研磨;
第四步:二次倒角,二次倒角决定了硅片的边缘轮廓,而硅片的边缘轮廓对外延后crown有影响;
第五步:酸腐蚀采用的药液为HF、HNO3、HAC(醋酸),酸腐蚀去除量30μm,腐蚀后硅片厚度740μm;
第六步:中间检查,对硅片正反面进行外观检查,采用人工分别在荧光灯、聚光灯下对硅片表面缺陷进行检查;
第七步:先进行边缘抛光,然后进行 Poly (厚度15000 Å),然后进行LTO(厚度4800Å),然后腐蚀法去掉边缘LTO,最后进行正面抛光,抛光后背面和边缘膜结构不同,膜结构不同影响了外延Si-Nodule的发生;
第八步:抛光去除量15μm,抛光后厚度725μm;
第九步:洗净,包括去蜡洗净后最终洗净,先进行去蜡洗净,去除硅片背面蜡残;然后进行最终洗净,最终洗净采用SC1药液进行清洗,达到去除硅片表面沾污的目的。
2.根据权利要求1所述的改善硅片厚外延Si-Nodule和Crown的工艺方法,其特征在于:线切割时,采用φ0.12钢线、砂浆进行切割,通过正晶向切片,按X方向偏离±0.7,Y方向偏离±0.7。
3.根据权利要求1所述的改善硅片厚外延Si-Nodule和Crown的工艺方法,其特征在于:硅片边缘轮廓为T-type类型,T-type 参数有A1、A2、R1、R2、BC;A1的与正面连接的边缘斜表面,由于正面和边缘表面的外延生长速率不一样,导致从正面过渡到A1面的时候容易在正面与A1交界处形成crown,调整二次倒角加工参数,增大A1值,A1从670μm增大到760μm,增大A1值,即增大了边缘斜面的面积,改善边缘crown。
4.根据权利要求1所述的改善硅片厚外延Si-Nodule和Crown的工艺方法,其特征在于:Poly和LTO都是硅片的表面处理工艺,通过化学气相沉积在硅片背面生长多晶硅膜或SiO2膜,作用为防止硅外延过程中重掺杂硅片的自掺杂作用;Poly膜为多晶硅膜,硅片长膜厚度15000 Å,LTO膜为SiO2膜,长膜厚度4800 Å;长Poly膜硅片正面背面都会长同样厚度的多晶硅膜,长LTO膜仅在硅片背面长SiO2膜,腐蚀法去边的目的是用HF腐蚀掉背面边缘的SiO2膜,因为边缘抛光不能去除边缘SiO2膜。
5.根据权利要求1所述的改善硅片厚外延Si-Nodule和Crown的工艺方法,其特征在于:第八步抛光采用不二越全自动抛光线加工,采用背面贴蜡单面抛光,通过5连抛进行加工:粗抛→粗抛→粗抛→中抛→精抛。
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