CN115715116A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
显示装置包括：基板，包括显示区域以及包围显示区域的非显示区域；漏电极，在基板的显示区域上被配置成与非显示区域相邻；发光元件，与漏电极连接，并且在显示区域通过漏电极而与非显示区域间隔开；以及多个第一坝，配置在漏电极与发光元件之间，并且彼此被间隔开。通过配置在显示区域的多个第一坝，可以将配置在发光元件上的薄膜封装层中的有机层配置得厚，由此可以提高显示装置的发光效率。
Description
技术领域
本发明涉及显示装置。更详细而言，本发明涉及能够显示图像的显示装置。
背景技术
正在以各种方式制造并加以使用显示装置。显示装置可以显示光来向使用者提供视觉信息。这种显示装置可以包括利用液晶层来发光的液晶显示装置、利用无机发光物质来发光的无机发光显示装置、利用有机发光物质来发光的有机发光显示装置等。
在发光物质上可以配置保护发光物质的薄膜封装层。薄膜封装层可以具有层叠了无机层/有机层/无机层的结构。有机层可以具有平坦的上表面，并且可以被配置成比无机层相对厚。此时，将有机层配置得越厚，越能提高显示装置的性能。
因此，为了将薄膜封装层的有机层配置得厚，正在开发各种方案。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种提高了显示性能的显示装置。
但是，本发明并不限于上述的目的，在不超出本发明的思想和领域的范围可以进行各种扩展。
为了达成上述的本发明的目的，本发明的实施例涉及的显示装置可以包括：基板，包括显示区域以及包围所述显示区域的非显示区域；漏电极，在所述基板的所述显示区域上被配置成与所述非显示区域相邻；发光元件，与所述漏电极连接，并且在所述显示区域通过所述漏电极而与所述非显示区域间隔开；以及多个第一坝，配置在所述漏电极与所述发光元件之间，并且彼此被间隔开。
在一实施例中，可以是，在平面图上，各所述第一坝从所述显示区域越靠近所述非显示区域其宽度越变窄。
在一实施例中，可以是，在平面图上，各所述第一坝在沿着一方向延伸的虚拟线上被配置成一列。
在一实施例中，可以是，在平面图上，各所述第一坝以沿着一方向延伸的虚拟线为基准被配置成锯齿形态。
在一实施例中，可以是，在剖视图上，各所述第一坝的面向所述显示区域的方向上的侧面垂直于所述基板。
在一实施例中，可以是，在剖视图上，各所述第一坝的高度从所述显示区域越靠近所述非显示区域渐进地变低。
在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：第二坝，配置在所述基板的所述非显示区域上。
在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：薄膜封装层，配置在所述发光元件上，所述薄膜封装层包括：第一无机层，配置在所述发光元件上；有机层，配置在所述第一无机层上；以及第二无机层，配置在所述有机层上。
在一实施例中，可以是，各所述第一坝防止所述有机层从所述显示区域溢出至所述非显示区域，所述有机层还配置在各所述第一坝彼此被间隔开的区域。
在一实施例中，可以是，向所述漏电极施加低电源电压。
为了达成上述的本发明的目的，本发明的实施例涉及的显示装置可以包括：基板，包括显示区域以及包围所述显示区域的非显示区域；漏电极，在所述基板的所述显示区域上被配置成与所述非显示区域相邻；阴极，与所述漏电极连接，并且在所述显示区域被配置成通过所述漏电极而与所述非显示区域间隔开；以及多个第一坝，配置在所述漏电极与所述阴极之间，并且彼此被间隔开，所述阴极被配置成覆盖所述多个第一坝。
在一实施例中，可以是，所述阴极还配置在所述多个第一坝彼此被间隔开的区域。
在一实施例中，可以是，在平面图上，各所述第一坝从所述显示区域越靠近所述非显示区域其宽度越变窄。
在一实施例中，可以是，在剖视图上，各所述第一坝的面向所述显示区域的方向的侧面垂直于所述基板。
在一实施例中，可以是，所述阴极在各所述第一坝的面向所述显示区域的方向的侧面被断开。
在一实施例中，可以是，在剖视图上，各所述第一坝的高度从所述显示区域越靠近所述非显示区域渐进地变低。
在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：第二坝，配置在所述基板的所述非显示区域上。
在一实施例中，可以是，配置多个所述第二坝并且多个所述第二坝彼此被间隔开。
在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：薄膜封装层，配置在所述阴极上，所述薄膜封装层包括：第一无机层，配置在所述阴极上；有机层，配置在所述第一无机层上；以及第二无机层，配置在所述有机层上。
在一实施例中，可以是，各所述第一坝防止所述有机层从所述显示区域溢出至所述非显示区域，所述有机层还配置在各所述第一坝彼此被间隔开的区域。
(发明效果)
本发明的实施例涉及的显示装置可以包括配置在显示区域的多个坝。多个坝在显示区域起到坝的作用，从而形成有机层的高度可以变高。由此，可以提高显示装置的显示性能。
此时，多个坝被配置成彼此间隔开，从而在多个坝被间隔开的空间可以配置布线(例如，阴极等)。
但是，本发明的效果并不限于上述的效果，在不超出本发明的思想和领域的范围可以进行各种扩展。
附图说明
图1是表示本发明的一实施例涉及的显示装置的平面图。
图2至图5是表示放大了图1的A区域的实施例的图。
图6是表示沿着图1的I-I′线截取的截面的一实施例的剖视图。
图7至图12是表示沿着图2的II-II′线截取的截面的实施例的剖视图。
图13和图14是表示沿着图2的III-III′线截取的截面的实施例的剖视图。
图15是表示本发明的实施例涉及的电子设备的框图。
图16是表示图15的电子设备被实现为计算机显示屏的一实施例的图。
图17是表示图15的电子设备被实现为智能电话的一实施例的图。
符号说明：
DD：显示装置；SUB：基板；BUF：缓冲层；GI：栅极绝缘层；ILD：层间绝缘层；VIA：通路绝缘层；DAM1：第一坝；DAM2：第二坝；DAM3：第三坝；TFT1：第一晶体管；TFT2：第二晶体管；TFT3：第三晶体管；TFT4：第四晶体管；ACT1：第一有源层；ACT2：第二有源层；ACT3：第三有源层；ACT4：第四有源层；SE1：第一源电极；SE2：第二源电极；SE3：第三源电极；SE4：第四源电极；DE1：第一漏电极；DE2：第二漏电极；DE3：第三漏电极；DE4：第四漏电极；PDL：像素定义膜；ED1：第一发光元件；ED2：第二发光元件；ED3：第三发光元件；ED4：第四发光元件；ANO1：第一阳极；ANO2：第二阳极；ANO3：第三阳极；ANO4：第四阳极；ML1：第一中间层；ML2：第二中间层；ML3：第三中间层；MN4：第四中间层；CATH1：第一阴极；CATH2：第二阴极；CATH3：第三阴极；CATH4：第四阴极；IL1：第一无机层；IL2：第二无机层；OL：有机层。
具体实施方式
以下，参照附图，更详细地说明本发明的实施例。对于附图上的相同的构成要素使用相同或者类似的符号。
图1是表示本发明的一实施例涉及的显示装置的平面图。
参照图1，显示装置DD可以包括显示区域DA以及非显示区域NDA。非显示区域NDA可以被配置成包围显示区域DA。但是，非显示区域NDA也可以仅配置在显示区域DA的至少一侧面。
在显示区域DA可以配置多个像素P。多个像素P可以包括驱动元件(例如，晶体管等)以及与所述驱动元件连接的发光元件(例如，有机发光二极管等)。所述发光元件可以从所述驱动元件接收信号的传递而射出光。如上所述，显示装置DD可以是多个像素P射出光来显示图像。为此，多个像素P可以配置在整个显示区域DA。例如，多个像素P可以在显示区域DA被配置成矩阵形态。
在非显示区域NDA可以配置用于驱动多个像素P的驱动部。所述驱动部可以包括数据驱动部、栅极驱动部、发光驱动部、电源电压生成部、时序控制器等。多个像素P可以基于从所述驱动部接收到的信号来射出光。
图2至图5是表示放大了图1的A区域的实施例的图。图2至图5是为了表示关于第一坝DAM1的各种实施例而示意性示出的。
参照图1和图2，显示装置DD可以包括多个像素P、多个第一坝DAM1、第二坝DAM2以及第三坝DAM3。多个像素P和多个第一坝DAM1可以配置在显示区域DA。第二坝DAM2和第三坝DAM3可以配置在非显示区域NDA。
第一坝DAM1至第三坝DAM3可以在显示装置DD形成构成薄膜封装层的有机层时执行防止有机层溢出而泛滥至显示装置DD的非显示区域NDA的作用。多个第一坝DAM1可以在显示区域DA执行坝的作用，第二坝DAM2和第三坝DAM3可以在非显示区域NDA执行坝的作用。
多个第一坝DAM1可以被配置成在一方向彼此相邻。即，多个第一坝DAM1可以被配置成在沿着一方向延伸的虚拟线上彼此相邻。或者，如图3所示，多个第一坝DAM1可以被配置成锯齿形状。在该情况下，多个第一坝DAM1也可以被配置成彼此间隔开，从而在多个第一坝DAM1彼此间隔开的空间可以配置布线。
在平面图上，从显示区域DA越是靠近非显示区域NDA，多个第一坝DAM1各自的宽度可以越变窄。在图2和图3中示出了多个第一坝DAM1的形状为三角形形状的情况，但是多个第一坝DAM1的形状也可以是半圆形。
多个第一坝DAM1可以被配置成彼此间隔开。由此，与多个第一坝DAM1相比配置在显示区域DA的更外廓的布线可以通过多个第一坝DAM1被间隔开的空间而与像素P连接。例如，可以在多个第一坝DAM1与非显示区域NDA之间配置传递低电源电压的低电源电压布线。所述低电源电压布线应与像素P连接。为此，配置在显示区域DA的阴极应延伸至所述低电源电压布线。此时，由于多个第一坝DAM1，所述阴极可能会出现断线。但是，通过多个第一坝DAM1被间隔开的空间，可以将阴极配置成不会出现断线。由此，通过所述低电源电压布线提供的低电源电压可以被传递至像素P。
图4除了多个第一坝DAM1的形状以外，可以与图2实质上相同。由此，省略对于重复的构成的说明。
参照图4，多个第一坝DAM1的形状在平面图上可以是梯形形状。多个第一坝DAM1可以被配置成彼此间隔开。多个第一坝DAM1可以在沿着一方向延伸的虚拟线上被配置成一列。或者，如图5所示，多个第一坝DAM1可以被配置成锯齿形状。在平面图上，从显示区域DA越是靠近非显示区域NDA，多个第一坝DAM1各自的宽度可以越变窄。
图6是表示沿着图1的I-I′线截取的截面的一实施例的剖视图。
参照图1和图6，显示装置DD可以包括基板SUB、缓冲层BUF、第一晶体管TFT1、第二晶体管TFT2、第三晶体管TFT3、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD、通路绝缘层VIA、第一发光元件ED1、第二发光元件ED2、第三发光元件ED3、像素定义膜PDL以及薄膜封装层。
第一晶体管TFT1可以包括第一有源层ACT1、第一栅电极GAT1、第一源电极SE1以及第一漏电极DE1。第二晶体管TFT2可以包括第二有源层ACT2、第二栅电极GAT2、第二源电极SE2以及第二漏电极DE2。第三晶体管TFT3可以包括第三有源层ACT3、第三栅电极GAT3、第三源电极SE3以及第三漏电极DE3。
第一发光元件ED1可以包括第一阳极ANO1、第一中间层ML1以及第一阴极CATH1。第二发光元件ED2可以包括第二阳极ANO2、第二中间层ML2以及第二阴极CATH2。第三发光元件ED3可以包括第三阳极ANO3、第三中间层ML3以及第三阴极CATH3。此时，第一阴极CATH1、第二阴极CATH2和第三阴极CATH3可以形成为一体。
所述薄膜封装层可以包括第一无机层IL1、有机层OL以及第二无机层IL2。图6示出了所述薄膜封装层由三层构成的情况，但是所述薄膜封装层也可以进一步包括单独的无机层以及有机层。
基板SUB可以包括柔性物质或者刚性物质。例如，基板SUB可以包括如聚酰亚胺这样的高分子物质，在该情况下，基板SUB可以具有柔性特性。或者，例如基板SUB可以包括如玻璃这样的物质，在该情况下，基板SUB可以具有刚性特性。
缓冲层BUF可以配置在基板SUB上。缓冲层BUF可以包括无机绝缘物质。作为可以用作缓冲层BUF的物质的例，可以列举硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)等。可以单独使用这些物质，或者可以彼此组合来使用这些物质。缓冲层BUF可以防止金属原子或者杂质扩散至第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3。此外，缓冲层BUF可以在用于形成第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3的结晶化工序期间调节提供至第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3的热的速度。
第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3可以配置在缓冲层BUF上。在实施例中，第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3可以包括硅半导体。作为可以用作第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3的物质的例，可以列举非晶硅、多晶硅等。或者，在实施例中，第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3可以包括氧化物半导体。作为可以用作第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3的物质的例，可以列举铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓氧化物(IGO)、铟锌氧化物(IZO)等。
栅极绝缘层GI可以配置在缓冲层BUF上。栅极绝缘层GI可以被配置成覆盖第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3。栅极绝缘层GI可以包括绝缘物质。作为可以用作栅极绝缘层GI的物质的例，可以列举硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)等。可以单独使用这些物质，或者可以彼此组合来使用这些物质。
第一栅电极GAT1、第二栅电极GAT2和第三栅电极GAT3可以配置在栅极绝缘层GI上。第一栅电极GAT可以与第一有源层ACT11部分重叠，第二栅电极GAT2可以与第二有源层ACT2部分重叠，并且第三栅电极GAT3可以与第三有源层ACT3部分重叠。响应于提供至第一栅电极GAT1、第二栅电极GAT2和第三栅电极GAT3的栅极信号，信号和/或电压可以流向第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3。在一实施例中，第一栅电极GAT1、第二栅电极GAT2和第三栅电极GAT3可以包括金属、合金、金属氧化物、透明导电物质等。作为可以用作第一栅电极GAT1、第二栅电极GAT2和第三栅电极GAT3的物质的例，可以列举银(Ag)、含银的合金、钼(Mo)、含钼的合金、铝(Al)、含铝的合金、铝氮化物(AlN)、钨(W)、钨氮化物(WN)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、铬氮化物(CrN)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)、钪(Sc)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。可以单独使用这些物质，或者彼此组合来使用这些物质。层间绝缘层ILD可以配置在栅极绝缘层GI上。层间绝缘层ILD可以被配置成覆盖第一栅电极GAT1、第二栅电极GAT2和第三栅电极GAT3。在一实施例中，层间绝缘层ILD可以包括绝缘物质。作为可以用作层间绝缘层ILD的物质的例，可以列举硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)等。可以单独使用这些物质，或者彼此组合来使用这些物质。
第一源电极SE1、第二源电极SE2和第三源电极SE3以及第一漏电极DE1、第二漏电极DE2和第三漏电极DE3可以配置在层间绝缘层ILD上。第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以分别通过接触孔而与第一有源层ACT1接触。第二源电极SE2和第二漏电极DE2可以分别通过接触孔而与第二有源层ACT2接触。第三源电极SE3和第三漏电极DE3可以分别通过接触孔而与第三有源层ACT3接触。在一实施例中，第一源电极SE1、第二源电极SE2和第三源电极SE3以及第一漏电极DE1、第二漏电极DE2和第三漏电极DE3分别可以包括金属、合金、金属氧化物、透明导电物质等。作为可以用作第一源电极SE1、第二源电极SE2和第三源电极SE3以及第一漏电极DE1、第二漏电极DE2和第三漏电极DE3的物质的例，可以列举银(Ag)、含银的合金、钼(Mo)、含钼的合金、铝(Al)、含铝的合金、铝氮化物(AlN)、钨(W)、钨氮化物(WN)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、铬氮化物(CrN)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)、钪(Sc)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。
通路绝缘层VIA可以配置在层间绝缘层ILD上。通路绝缘层VIA可以被配置成覆盖第一源电极SE1、第二源电极SE2和第三源电极SE3以及第一漏电极DE1、第二漏电极DE2和第三漏电极DE3。通路绝缘层VIA可以具有实质上平坦的上表面。在一实施例中，通路绝缘层VIA可以包括有机绝缘物质。作为可以用作通路绝缘层VIA的物质的例，可以列举光致抗蚀剂、聚丙烯酸系树脂、聚酰亚胺系树脂、丙烯酸系树脂等。可以单独使用这些物质，或者彼此组合来使用这些物质。
第一阳极ANO1、第二阳极ANO2和第三阳极ANO3可以配置在通路绝缘层VIA上。第一阳极ANO1可以与第一漏电极DE1接触，第二阳极ANO2可以与第二漏电极DE2接触，并且第三阳极ANO3可以与第三漏电极DE3接触。在一实施例中，第一阳极ANO1、第二阳极ANO2和第三阳极ANO3分别可以包括金属、合金、金属氧化物、透明导电物质等。作为可以用作第一阳极ANO1、第二阳极ANO2和第三阳极ANO3的物质的例，可以列举银(Ag)、含银的合金、钼(Mo)、含钼的合金、铝(Al)、含铝的合金、铝氮化物(AlN)、钨(W)、钨氮化物(WN)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、铬氮化物(CrN)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)、钪(Sc)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。
像素定义膜PDL可以配置在通路绝缘层VIA上。在像素定义膜PDL可以形成使第一阳极ANO1、第二阳极ANO2和第三阳极ANO3露出的开口。在一实施例中，像素定义膜PDL可以包括有机物质。作为可以用作像素定义膜PDL的物质的例，可以列举光致抗蚀剂、聚丙烯酸系树脂、聚酰亚胺系树脂、丙烯酸系树脂等。
第一中间层ML1可以配置在第一阳极ANO1，第二中间层ML2可以配置在第二阳极ANO2，并且第三中间层ML3可以配置在第三阳极ANO3上。第一中间层ML1、第二中间层ML2和第三中间层ML3可以包括射出预先设定的颜色的光的有机物。第一中间层ML1可以基于第一阳极ANO1与第一阴极CATH1的电位差而射出所述光，第二中间层ML2可以基于第二阳极ANO2与第二阴极CATH2的电位差而射出所述光，并且第三中间层ML3可以基于第三阳极ANO3与第三阴极CATH3的电位差而射出所述光。为此，第一中间层ML1、第二中间层ML2和第三中间层ML3分别可以包括电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层以及空穴注入层。
第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第三发光元件ED3可以射出彼此相同的颜色的光。例如，第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第三发光元件ED3可以都射出蓝色光。或者，第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第三发光元件ED3可以射出彼此不同的颜色的光。例如，第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第三发光元件ED3分别可以射出红色光、绿色光和蓝色光。
第一阴极CATH1可以配置在第一发光元件ED1上，第二阴极CATH2可以配置在第二发光元件ED2上，并且第三阴极CATH3可以配置在第三发光元件ED3上。第一阴极CATH1、第二阴极CATH2和第三阴极CATH3可以包括金属、合金、金属氧化物、透明导电物质等。作为可以用作第一阴极CATH1、第二阴极CATH2和第三阴极CATH3的物质的例，可以列举银(Ag)、含银的合金、钼(Mo)、含钼的合金、铝(Al)、含铝的合金、铝氮化物(AlN)、钨(W)、钨氮化物(WN)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、铬氮化物(CrN)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)、钪(Sc)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。为了便于说明，划分第一阴极CATH1、第二阴极CATH2和第三阴极CATH3来说明了阴极，但是第一阴极CATH1、第二阴极CATH2和第三阴极CATH3可以形成为一体。
所述薄膜封装层可以配置在第一阴极CATH1、第二阴极CATH2和第三阴极CATH3上。所述薄膜封装层可以执行保护第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第三发光元件ED3免受外部的水分、热、冲击等的影响。所述薄膜封装层可以具有层叠了第一无机层IL1、有机层OL和第二无机层IL2的结构。此时，有机层OL可以具有比第一无机层IL1和第二无机层IL2相对厚的厚度。在有机层OL的厚度变厚的情况下，可以提高显示装置DD的显示性能。为了使有机层OL的厚度变厚，在现有技术中仅配置在非显示区域NDA的坝结构物可能会被配置成靠近显示区域DA或者配置在显示区域DA。
图7至图12表示沿着图2的II-II′线截取的截面的实施例的剖视图。图7至图12相当于将显示装置DD截取成包括第一坝DAM1的剖视图。
参照图1、图2和图7，显示装置DD可以包括基板SUB、缓冲层BUF、第四晶体管TFT4、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD、通路绝缘层VIA、第四发光元件ED4、像素定义膜PDL、薄膜封装层、第五漏电极DE5、第一坝DAM1、第二坝DAM2以及第三坝DAM3。
第四晶体管TFT4可以包括第四有源层ACT4、第四栅电极GAT4、第四源电极SE4以及第四漏电极DE4。第四晶体管TFT4可以具有与前述的第一晶体管TFT1至第三晶体管TFT3实质上相同的结构，并且可以包括与前述的第一晶体管TFT1至第三晶体管TFT3实质上相同的物质。因此，省略重复的说明。
第四发光元件ED4可以包括第四阳极ANO4、第四中间层ML4以及第四阴极CATH4。第四发光元件ED4可以具有与前述的第一发光元件ED1至第三发光元件ED3实质上相同的结构，并且可以包括与前述的第一发光元件ED1至第三发光元件ED3实质上相同的物质。因此，省略重复的说明。
第五漏电极DE5可以配置在层间绝缘层ILD上。第五漏电极DE5可以配置在第一坝DAM1与非显示区域NDA之间。第五漏电极DE5可以包括与第一漏电极DE1至第三漏电极DE3实质上相同的物质。可以向第五漏电极DE5施加信号和/或电压。例如，可以向第五漏电极DE5施加低电源电压。可以向第四阴极CATH4提供所述低电源电压。由此，第四阴极CATH4可以与第五漏电极DE5电连接。在图7中示出了第四阴极CATH4与第五漏电极DE5的上表面直接接触的情况，但是这是例示，并不限于此。例如，通路绝缘层VIA可以被配置成覆盖第五漏电极DE5，第四阴极CATH4也可以通过贯通通路绝缘层VIA的接触孔而与第五漏电极DE5连接。
第四阴极CATH4可以与图6所示的第一阴极CATH1至第三阴极CATH3形成为一体。因此，从第五漏电极DE5传递出的信号可以被传递至第一阴极CATH1至第三阴极CATH3。
所述薄膜封装层可以包括第一无机层IL1、有机层OL以及第二无机层IL2。第一无机层IL1和第二无机层IL2可以通过化学气相沉积形成。有机层OL可以通过喷墨工序形成。在形成有机层OL的过程中，为了防止有机层OL溢出而泛滥至非显示区域NDA，可以配置第一坝DAM1至第三坝DAM3。第一坝DAM1可以配置在显示区域DA，并且第二坝DAM2和第三坝DAM3可以配置在非显示区域NDA。
第一坝DAM1可以防止有机层OL从显示区域DA溢出而泛滥至非显示区域NDA。第一坝DAM1可以包括与通路绝缘层VIA实质上相同的物质。在现有技术中，仅在非显示区域NDA形成了坝结构物。因此，随着有机层OL扩散至非显示区域NDA，有机层OL被配置在相对宽的面积上，从而有机层OL会被配置成高度低。实施例涉及的第一坝DAM1可以形成在显示区域DA，从而有机层OL不会扩散至非显示区域NDA，由此与现有技术相比，有机层OL可以被配置成具有相对厚的厚度。
第二坝DAM2和第三坝DAM3可以防止有机层OL在非显示区域NDA泛滥。第二坝DAM2和第三坝DAM3可以为了应对有机层OL越过第一坝DAM1泛滥的情况而形成。为了防止有机层OL的泛滥，第二坝DAM2和第三坝DAM3可以由双层构成。例如，第二坝DAM2和第三坝DAM3可以包括下部层以及上部层。所述下部层可以包括与通路绝缘层VIA实质上相同的物质。所述上部层可以包括与像素定义膜PDL实质上相同的物质。但是，这是例示，第二坝DAM2和第三坝DAM3分别也可以由单一层形成，还可以是第二坝DAM2和第三坝DAM3中的一个由单一层形成并且另一个由多层形成。
其中，在实施例中，第二坝DAM2和第三坝DAM3也可以与第一坝DAM1相同地形成为多个。即，第二坝DAM2和第三坝DAM3中的至少一个可以具有与第一坝DAM1实质上相同的结构。
如图8所示，第一坝DAM1可以被配置成面向显示区域DA的方向上的侧面垂直于通路绝缘层VIA。由此，第一坝DAM1可以有效地阻断有机层OL的泛滥。此时，由于第一坝DAM1的垂直配置的侧面，第四阴极CATH4可能会出现断线。即，第四阴极CATH4的末端可能会因第一坝DAM1而变成虚拟布线CL。但是，如图9所示，第四阴极CATH4的所述末端也可能不会因第一坝DAM1而出现断线。或者，第一坝DAM1也可以形成为倒锥的形状。
参照图10，第一坝DAM1可以具有下部层以及上部层。下部层可以包括与通路绝缘层VIA实质上相同的物质，并且上部层可以包括与像素定义膜PDL实质上相同的物质。随着第一坝DAM1的高度变高，第一坝DAM1可以有效地防止有机层OL泛滥至显示区域DA的外廓。
图11除了第一坝DAM1由双层构成的情况以外，可以与图8实质上相同。由此，省略对于重复的构成的说明。
图12除了第一坝DAM1由双层构成的情况以外，可以与图9实质上相同。由此，省略对于重复的构成的说明。
图13和图14是表示沿着图2的III-III′线截取的截面的实施例的剖视图。图13和图14相当于将显示装置DD截取成不包括第一坝DAM1的剖视图。
参照图1、图2、图13和图14，在不存在第一坝DAM1的区域，有机层OL会朝向非显示区域NDA扩散得更远。
在不存在第一坝DAM1的区域，第四阴极CATH4可以不出现断线。因此，即使在配置有第一坝DAM1的区域出现了第四阴极CATH4的断线，也可以通过在未配置第一坝DAM1的区域配置的第四阴极CATH4，向第四发光元件ED4传递从第五漏电极DE5传递出的电压。
图15是表示本发明的实施例涉及的电子设备的框图，图16是表示图15的电子设备被实现为计算机显示屏的一实施例的图，图17是表示图15的电子设备被实现为智能电话的一实施例的图。
参照图15至图17，电子设备1000可以包括处理器510、存储装置520、保存装置530、输入输出装置540、供电器550以及显示装置560。在该情况下，显示装置560可以相应于参照前述的附图说明的显示装置DD。电子设备1000还可以包括可与显卡、声卡、存储卡、USB装置等进行通信的各种端口。在一实施例中，如图16所示，电子设备1000可以被实现为计算机显示屏。在其他实施例中，如图17所示，电子设备1000可以被实现为智能电话。但是，电子设备1000并不限于此，例如电子设备1000也可以被实现为移动电话、视频电话、智能平板(smartpad)、智能手表(smart watch)、平板(tablet)PC、车辆用导航仪、电视机、笔记本计算机、头戴式显示器(head mounted display；HMD)等。
处理器510可以执行特定计算或者任务(tasks)。在一实施例中，处理器510可以是微处理器(micro processor)、中央处理单元(central processing unit；CPU)、应用处理器(application processor；AP)等。处理器510可以通过地址总线(address bus)、控制总线(control bus)、数据总线(data bus)等而与其他构成要素连接。在一实施例中，处理器510还可以与如外围构成要素互连(peripheral component interconnect；PCI)总线等这样的扩展总线连接。
存储装置520可以存储电子设备1000的工作所需的数据。例如，存储装置520可以包括如EPROM(erasable programmable read-only memory)装置、EEPROM(electricallyerasable programmable read-only memory)装置、闪存装置(flash memory device)、PRAM(phase change random access memory)装置、RRAM(resistance random accessmemory)装置、NFGM(nano floating gate memory)装置、PoRAM(polymer random accessmemory)装置、MRAM(magnetic random access memory)、FRAM(ferroelectric randomaccess memory)装置等这样的非易失性存储装置和/或DRAM(dynamic random accessmemory)装置、SRAM(static random access memory)装置、移动DRAM装置等这样的易失性存储装置。
保存装置530可以包括固态硬盘(solid state drive；SSD)、硬盘驱动器(harddisk drive；HDD)、CD-ROM等。输入输出装置540可以包括如键盘、小键盘、触摸板、触摸屏、鼠标等这样的输入部件以及如扬声器、打印机等这样的输出部件。
供电器550可以供给电子设备1000的工作所需的电源。显示装置560可以通过总线或者其他通信链路而与其他构成要素连接。在一实施例中，显示装置560也可以包括于输入输出装置540。
本发明可以适用于各种显示装置。例如，本发明可以适用于如车辆用、船舶用和航空器用显示装置、移动用通信装置、展示用或信息传递用显示装置、医疗用显示装置等这样的各种显示设备。
以上，参照本发明的例示性的实施例进行了说明，但是本领域技术人员应当能够理解在不超出权利要求书所记载的本发明的思想和领域的范围内可以对本发明进行各种修正以及变更。
Claims (10)
1.一种显示装置，包括：
基板，包括显示区域以及包围所述显示区域的非显示区域；
漏电极，在所述基板的所述显示区域上被配置成与所述非显示区域相邻；
发光元件，与所述漏电极连接，并且在所述显示区域通过所述漏电极而与所述非显示区域间隔开；以及
多个第一坝，配置在所述漏电极与所述发光元件之间，并且彼此被间隔开。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
在平面图上，各所述第一坝从所述显示区域越靠近所述非显示区域其宽度越变窄。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
在平面图上，各所述第一坝在沿着一方向延伸的虚拟线上被配置成一列。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
在平面图上，各所述第一坝以沿着一方向延伸的虚拟线为基准被配置成锯齿形态。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
在剖视图上，各所述第一坝的面向所述显示区域的方向上的侧面垂直于所述基板。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
在剖视图上，各所述第一坝的高度从所述显示区域越靠近所述非显示区域渐进地变低。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：
第二坝，配置在所述基板的所述非显示区域上。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：
薄膜封装层，配置在所述发光元件上，
所述薄膜封装层包括：
第一无机层，配置在所述发光元件上；
有机层，配置在所述第一无机层上；以及
第二无机层，配置在所述有机层上。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
各所述第一坝防止所述有机层从所述显示区域溢出至所述非显示区域，
所述有机层还配置在各所述第一坝彼此被间隔开的区域。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
向所述漏电极施加低电源电压。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |