CN115701257A - 用于制造显示装置的方法及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及用于制造显示装置的方法及显示装置，所述方法包括形成滤色器层(CFL)，以及在CFL上形成光控制层(LCL)。形成LCL包括：在CFL上形成彼此间隔开的初始分隔部分(PPP)；通过在PPP之间提供量子点(QD)溶液形成初始光控制部分(PLCP)，QD溶液包括QD和基础树脂；通过从PLCP挥发基础树脂，形成光控制部分(LCP)；以及通过减小PPP的厚度来形成分隔部分。QD在PLCP中的第一重量比(WR)与QD在LCP中的第二WR之间的比率为约1:1.1至约1:3.0。第一WR是QD在整个PLCP中的WR，并且第二WR是QD在整个LCP中的WR。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年7月26日提交的第10-2021-0097624号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请出于所有目的以引用的方式并入本文，如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
一个或多个实施方式总体涉及制造显示装置的方法和根据该方法制造的显示装置，并且更具体地，涉及包括形成光控制部分的工艺的制造显示装置的方法和根据该方法制造的显示装置。
背景技术
已经开发了在例如多媒体设备中使用的各种显示装置，诸如电视、移动电话、平板计算机、导航单元、游戏控制台等。使用用于实现显示器的所谓自发射型显示元件的显示装置可以通过允许包含有机化合物的发光材料发光来发光。因此，显示装置可以包括用于改善颜色再现特性的光控制层，并且光控制层可以由包含量子点的溶液提供。可以提供分隔部分，使得量子点不在相邻像素之间混合，但是显示装置的亮度可能通过分隔部分的光吸收而降低。
本节中公开的上述信息仅用于理解本发明构思的背景，并且因此可以包含不形成现有技术的信息。
发明内容
一个或多个实施方式能够提供用于制造显示装置的方法，其改进量子点的相对重量并减小分隔部分的厚度。
一个或多个实施方式能够提供通过改进量子点的相对重量并减小分隔部分的厚度的工艺制造的显示装置。
另外的方面将在随后的详细描述中阐述，并且部分地将从本公开中显而易见，或者可以通过实施本发明构思来获知。
根据实施方式，用于制造显示装置的方法包括形成滤色器层，以及在滤色器层上形成光控制层。形成所述光控制层包括：在滤色器层上形成彼此间隔开的初始分隔部分；通过在初始分隔部分之间提供量子点溶液形成初始光控制部分，量子点溶液包括量子点和基础树脂；通过从初始光控制部分挥发基础树脂，形成光控制部分；以及通过减小初始分隔部分中的每个的厚度，形成分隔部分。量子点在初始光控制部分中的第一重量比与量子点在光控制部分中的第二重量比之间的比率为约1:1.1至约1:3.0。第一重量比是量子点在整个初始光控制部分中的重量比，并且第二重量比是量子点在整个光控制部分中的重量比。
根据实施方式，显示装置包括显示元件层、设置在显示元件层上的滤色器层、设置在显示元件层和滤色器层之间的光控制层、以及设置在滤色器层和光控制层之间的第一覆盖层。光控制层包括：分隔部分彼，此间隔开；光控制部分，设置在分隔部分之间，光控制部分包括量子点和基础树脂；以及第二覆盖层，覆盖所述光控制部分的与所述滤色器层间隔开的一个表面。第二覆盖层不与分隔部分重叠。
前面的总体描述和下面的详细描述是说明性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的主题的进一步解释。
附图说明
附图示出了本发明构思的实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明构思的原理，其中，附图被包括以提供对本发明构思的进一步理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分，在附图中：
图1是示出根据实施方式的显示装置的立体图；
图2是根据实施方式的沿图1的截面线I-I'截取的剖视图；
图3是示出根据实施方式的与图2的区域AA对应的部分的剖视图；
图4是示出根据实施方式的与图2的区域AA对应的部分的剖视图；
图5是根据实施方式的用于制造显示装置的工艺的流程图；
图6是根据实施方式的用于制造显示装置的工艺的流程图；
图7A是示出根据实施方式的制造显示装置的工艺的示意图；
图7B是示出根据实施方式的制造显示装置的工艺的示意图；
图8是示出根据实施方式的制造显示装置的工艺的示意图；
图9是示出根据实施方式的制造显示装置的工艺的示意图；
图10是示出根据实施方式的制造显示装置的工艺的示意图；
图11是示出根据实施方式的制造显示装置的工艺的示意图；以及
图12是示出通过测量根据比较例和实施方式的显示装置的亮度获得的结果的图。
具体实施方式
在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节，以提供对各种实施方式的透彻理解。如本文中所使用的，术语“实施方式”和“实现方式”可以互换地使用，并且是采用本文中所公开的发明构思中的一个或多个的非限制性示例。然而，显而易见的是，可以在没有这些具体细节或具有一个或多个等同布置的情况下实践各种实施方式。在其它情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免不必要地使各种实施方式不清楚。此外，各种实施方式可以是不同的，但不必是排他的。例如，实施方式的特定形状、配置和特性可以在不背离本发明构思的情况下在另一个实施方式中使用或实现。
除非另有说明，否则所例示的实施方式应理解为提供一些实施方式的变化细节的示例特征。因此，除非另有说明，否则各种例示的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域、方面等(以下单独或统称为“元件”或“多个元件”)可以在不背离本发明构思的情况下以其它方式组合、分离、互换和/或重新排列。
通常在附图中使用交叉阴影线和/或阴影来澄清相邻元件之间的边界。因此，除非另有说明，否则交叉影线或阴影的不存在或不存在都不传达或指示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所例示元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。这样，各个元件的尺寸和相对尺寸不必限于附图中所示的尺寸和相对尺寸。当实施方式可以不同地实现时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。同样，相同的附图标记表示相同的元件。
当诸如层的元件被称为在另一个元件“上”、“连接到”或“联接到”另一个元件时，它可以直接在该另一个元件上、连接到另一个元件或联接到另一个元件，或者可以存在中间元件。然而，当元件被称为“直接”在另一个元件“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一个元件时，不存在中间元件。用于描述元件之间的关系的其它术语和/或短语应该以类似的方式来解释，例如“在……之间”与“直接在……之间”、“相邻”与“直接相邻”、“在……上”与“直接在……上”等。此外，术语“连接”可以指物理连接、电连接和/或流体连接。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z构成的组中的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合，诸如，例如XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。
虽然术语“第一”、“第二”等在本文中可以用来描述各种元件，但是这些元件不应该被这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一个元件区分开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。
诸如“在……下面”、“在……下方”、“在……之下”、“较低”、“在……上方”、“较上”、“在……上面”、“较高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语可以在本文中用于描述的目的，并且从而描述如附图中所示的一个元件与另一个元件的关系。除了在附图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在还包括在使用、操作和/或制造中的设备的不同定向。例如，如果在附图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“之下”或“下面”的元件或特征将被定向在其它元件或特征“上方”。因此，术语“在……下方”可以包括上方和下方两种定向。此外，设备可以以其它方式定向(例如，旋转90度或在其它定向上)，并且因此，本文中使用的空间相关描述语被相应地解释。
本文中所使用的术语用于描述一些实施方式的目的，而不是为了限制。如本文中所使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包括”、“包含有”、“包括”和/或“包括有”时，指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。还应注意，如本文中所使用的，术语“基本上”、“约”和其它类似术语用作近似的术语，而不用作程度的术语，并且因此，用于表示本领域普通技术人员将认识到的测量、计算和/或提供的值中的固有偏差。例如，“约”可以意指在所述值的一个或多个标准偏差内，或在±30％、±20％、±10％、±5％内。
本文参考作为理想化实施方式和/或中间结构的示意性图示的剖视图、等距视图、立体图、平面图和/或分解图来描述各种实施方式。这样，由于例如制造技术和/或公差，可以预期图示中的形状的变化。因此，在本文中公开的实施方式不应被解释为限于区域的特定示出形状，而是包括由例如制造导致的形状的偏差。为此，附图中所示的区域可以在本质上是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，并且因此，并不旨在进行限制。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开内容所属领域的普通技术人员的通常理解相同的含义。术语，诸如在常用词典中定义的术语，应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地如此定义，否则将不被解释为理想化的或过于正式的含义。
如本领域中的惯例，在附图中以功能块、单元和/或模块的形式来描述和说明一些实施方式。所属领域的技术人员将了解，这些块、单元和/或模块在物理上由可使用基于半导体的制造技术或其它制造技术来形成的电子(或光学)线路(例如，逻辑电路、离散组件、微处理器、硬连线电路、存储器元件、布线连接等)来实施。在块、单元和/或模块由微处理器或其它类似硬件实现的情况下，可以对它们进行编程并使用软件(例如，微代码)进行控制，以执行本文中所讨论的各种功能，并且可以可选地由固件和/或软件来驱动。还可以预期，每个块、单元和/或模块可以由专用硬件实现，或者实现为执行某些功能的专用硬件和执行其它功能的处理器(例如，一个或多个编程的微处理器和相关联的电路)的组合来实现。此外，在不背离本发明构思的情况下，一些实施方式的每个块、单元和/或模块可以在物理上被分成两个或更多个交互和离散的块、单元和/或模块。此外，在不背离本发明构思的情况下，一些实施方式的块、单元和/或模块可以物理地组合成更复杂的块、单元和/或模块。
在下文中，将参考附图详细说明各种实施方式。
图1是示出根据实施方式的显示装置的立体图。图2是根据实施方式的沿图1的截面线I-I'截取的剖视图。图3和图4是示出根据一些实施方式的与图2的区域AA对应的部分的放大剖视图。
根据实施方式的显示装置DD可以通过电信号来激活。尽管显示装置DD可以是例如电视、监视器、户外广告板、移动电话、平板计算机、用于车辆的导航单元、游戏控制台、可穿戴装置等，但是实施方式不限于此。
显示装置DD可以具有平行于第三方向轴DR3的厚度方向，该第三方向轴DR3是相对于由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面的法线方向。第四方向轴DR4可以平行于相对于由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面的法线方向，但是第四方向轴DR4可以是与第三方向轴DR3相反的方向。在本公开中，由第一方向轴DR1、第二方向轴DR2、第三方向轴DR3和第四方向轴DR4所指示的方向可以是相对概念，并且可以相对于彼此进行转换。此外，由第一方向轴DR1、第二方向轴DR2、第三方向轴DR3和第四方向轴DR4指示的方向可以被描述为第一方向、第二方向、第三方向和第四方向，并由相应的附图标记表示。在本公开中，第一方向轴DR1和第二方向轴DR2彼此垂直，并且第三方向轴DR3和第四方向轴DR4中的每个都是相对于由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面的法线方向。
参考图1和图2，显示装置DD可以包括非发光区域NPXA和发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以在平面上彼此间隔开。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每个可以发射从相应的发光元件ED产生的光。
发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每个可以通过像素限定层PDL来区分。非发光区域NPXA可以设置在相邻的发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B之间，并且对应于像素限定层PDL。像素限定层PDL可以区分发光元件ED。
发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每个可以发射从发光元件ED中相应的一个产生的光。在显示装置DD中示出了分别发射红光、绿光和蓝光的三个发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B作为示例。例如，根据实施方式的显示装置DD可以包括彼此不同的红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B，但实施方式不限于此。例如，可以提供替代的或附加的颜色。
尽管在图1和图2中发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每个具有类似的表面积，但是实施方式不限于此。例如，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以根据从其中发射的光的波长区域而具有不同的表面积。这里，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每个的表面积可以表示当在由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面上观察时的表面积。
参考图2，显示装置DD可以包括显示面板DP、光控制层CCL以及设置在光控制层CCL上的滤色器层CFL。显示面板DP可以包括基础层BS、设置在基础层BS上的电路层DP-CL以及设置在电路层DP-CL上的显示元件层DP-ED。显示元件层DP-ED可以包括像素限定层PDL、设置在像素限定层PDL的部分之间的发光元件ED以及设置在光控制层CCL和发光元件ED之间的封装层TFE。
基础层BS可以是用于提供其上设置显示元件层DP-ED的基础表面的构件。基础层BS可以是玻璃衬底、金属衬底和塑料衬底中的至少一种。然而，实施方式不限于此。例如，基础层BS可以是无机层、有机层或复合材料层。还可以预期，基础层BS可以是单层或多层结构。例如，基础层BS可以包括第一无机层、有机层和第二无机层的堆叠结构。
在实施方式中，电路层DP-CL可以设置在基础层BS上，并且可以包括多个晶体管。晶体管中的每个可以包括控制电极、输入电极和输出电极。例如，电路层DP-CL可以包括用于驱动显示元件层DP-ED的发光元件ED的开关晶体管和驱动晶体管。然而，预期可使用任何适当数目的晶体管，以及其它电路组件，诸如一个或多个电容器。
发光元件ED中的每个可以包括第一电极EL1、空穴传输区HTR、发光层EML、电子传输区ETR和第二电极EL2。在一些实施方式中，发光元件ED中的每个可以包括多个发光层。所述多个发光层可以顺序地层叠(或堆叠)。例如，包括多个发光层的发光元件可以具有串联结构。
继续参考图2，发光元件ED中的每个的发光层EML可以设置在限定在像素限定层PDL中的开口OH中。此外，在实施方式中，空穴传输区HTR、电子传输区ETR和第二电极EL2可以作为公共层提供给发光元件ED中的每个。然而，实施方式不限于此。例如，空穴传输区HTR和电子传输区ETR可以通过在像素限定层PDL中限定的开口OH中图案化来提供。
封装层TFE可以覆盖发光元件ED。封装层TFE可以设置在第二电极EL2上。封装层TFE可以密封(例如，气密密封)显示元件层DP-ED。封装层TFE可以是薄膜封装层。封装层TFE可以包括单层或层叠的多层。封装层TFE可以包括至少一个有机层和至少一个无机层。例如，封装层TFE可以包括顺序层叠的第一无机层、有机层和第二无机层。
填充层BFL可以设置在显示元件层DP-ED和光控制层CCL之间。填充层BFL可以包括有机材料。例如，填充层BFL可以包括丙烯酸基树脂、硅基树脂和环氧基树脂中的至少一种。
在一些实施方式中，在光控制层CCL和填充层BFL之间还可以设置阻挡层。阻挡层可用于阻挡湿气和/或氧气的渗透。阻挡层可以阻挡光控制层CCL的光控制部分CCP1、CCP2和CCP3暴露于湿气和/或氧气。
光控制层CCL可以包括多个光控制部分CCP1、CCP2和CCP3。光控制部分CCP1、CCP2和CCP3可以彼此间隔开。分隔部分BMP可以设置在光控制部分CCP1、CCP2和CCP3之间。分隔部分BMP可以是黑矩阵或包括黑矩阵。分隔部分BMP可以包括例如有机遮光材料和无机遮光材料中的至少一种，其包含黑色颜料和黑色染料中的至少一种。
光控制部分CCP1、CCP2和CCP3可以包括第一光控制部分CCP1、第二光控制部分CCP2和第三光控制部分CCP3，第一光控制部分CCP1包含用于将第一颜色光转换为第二颜色光的第一量子点QD1，第二光控制部分CCP2包含用于将第一颜色光转换为第三颜色光的第二量子点QD2，第三光控制部分CCP3透射第一颜色光。可以从发光元件ED提供第一颜色光。第一颜色光可以是蓝光。
第一光控制部分CCP1可以提供作为第二颜色光的红光，第二光控制部分CCP2可以提供作为第三颜色光的绿光。第三光控制部分CCP3可以通过透射蓝光来提供作为第一颜色光的蓝光。例如，第一量子点QD1可以是红色量子点，并且第二量子点QD2可以是绿色量子点。
量子点QD1和QD2的核可以选自II-VI族化合物、III-VI族化合物、I-III-VI族化合物、III-V族化合物、III-II-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及其任意组合。
这里，二元化合物、三元化合物和四元化合物可以以具有均匀浓度的颗粒存在，或者以这样的形式存在，即，作为同一种颗粒同时被分成浓度分布部分不同的状态。或者，量子点QD1和QD2可以具有核-壳结构，在该核-壳结构中，一个量子点包围另一个量子点。核-壳结构可以具有密度梯度，其中存在于壳中的元素的密度在朝向核的方向上逐渐减小。
在一些实施方式中，量子点可以具有核-壳结构，该核-壳结构包括包含纳米晶体的核和包围核的壳。量子点的壳可以用作通过防止核的化学变性来保持半导体特性的保护层和/或用作向量子点施加电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。量子点的壳可以是例如金属或非金属的氧化物、半导体化合物及其任意组合中的至少一种。
量子点可以具有发光波长光谱的半高全宽(FWHM)，其等于或小于约45nm，诸如等于或小于约40nm，例如等于或小于约30nm，并且在这些范围的一个或多个中，可以改善颜色纯度或颜色再现性。此外，由于通过上述量子点发射的光在所有方向上发射，因此可以改善宽视角。
此外，尽管量子点可以具有通常用于相应领域的形状，但是实施方式不限于量子点的形状。在一些实施方式中，量子点可以具有诸如以下的形状，即，球形形状、棱锥形形状、多臂形状、或者纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或立方体的纳米板形颗粒的形状。
量子点可以根据颗粒尺寸调节发射光的颜色，并且因此，量子点可以具有各种发光颜色，诸如蓝色、红色和/或绿色。
在实施方式中，光控制层CCL还可以包括散射体SP。第一光控制部分CCP1可以包括第一量子点QD1和散射体SP，并且第二光控制部分CCP2可以包括第二量子点QD2和散射体SP。第三光控制部分CCP3可以不包括量子点，并且可以包括散射体SP。
散射体SP可以是无机颗粒。例如，散射体SP可以包括TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的至少一种。散射体SP可包括TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的至少一种、或者选自由TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅组成的组中的至少两种的混合物。
第一光控制部分CCP1、第二光控制部分CCP2和第三光控制部分CCP3中的每个可以包括用于分布量子点QD1和QD2以及散射体SP的基础树脂BR1、BR2和BR3。第一光控制部分CCP1可以包括分布在第一基础树脂BR1中的第一量子点QD1和散射体SP，第二光控制部分CCP2可以包括分布在第二基础树脂BR2中的第二量子点QD2和散射体SP，并且第三光控制部分CCP3可以包括分布在第三基础树脂BR3中的散射体SP。基础树脂BR1、BR2和BR3可以是其中分散有量子点QD1和QD2以及散射体SP并且由通常称为粘合剂的各种树脂组合物制成的介质。例如，基础树脂BR1、BR2和BR3可以包括丙烯酸基树脂、氨基甲酸酯基树脂、硅基树脂和环氧基树脂中的至少一种。基础树脂BR1、BR2和BR3可以是透明树脂。第一基础树脂BR1、第二基础树脂BR2和第三基础树脂BR3可以与基础树脂中的至少一种其它基础树脂相同或不同。
在实施方式中，第一覆盖层CP1可以设置在光控制层CCL和滤色器层CFL之间。光控制部分CCP1、CCP2和CCP3可以与滤色器层CFL间隔开，并且第一覆盖层CP1位于光控制部分CCP1、CCP2和CCP3与滤色器层CFL之间。第一覆盖层CP1可以防止光控制部分CCP1、CCP2和CCP3与滤色器层CFL之间的接触。
第一覆盖层CP1可以与光控制层CCL和分隔部分BMP重叠。第一覆盖层CP1可以覆盖光控制部分CCP1、CCP2和CCP3的与滤色器层CFL相邻设置的一个表面(例如，顶表面)。第一覆盖层CP1可以接触分隔部分BMP的其它表面(例如，底表面)。而且，第一覆盖层CP1可以接触分隔部分BMP的侧表面。然而，这仅仅是说明性的。例如，第一覆盖层CP1可以不接触分隔部分BMP的侧表面或其它表面(例如，底表面)。
第二覆盖层CP2可以覆盖光控制部分CCP1、CCP2和CCP3的其它表面(例如，底表面)。光控制部分CCP1、CCP2和CCP3的其它表面(例如，底表面)可以与滤色器层CFL间隔开。光控制部分CCP1、CCP2和CCP3的一个表面(例如，顶表面)和其它表面(例如，底表面)可以在平行于第三方向轴DR3的方向上彼此间隔开。
参考图3，第二覆盖层CP2可以不与分隔部分BMP重叠。第二覆盖层CP2可以与第一光控制部分CCP1重叠。第二覆盖层CP2可以被设置为用于保护第一光控制部分CCP1。尽管在图3中仅示出了第一光控制部分CCP1，但是第二覆盖层CP2可以被设置为用于保护第一光控制部分CCP1、第二光控制部分CCP2和第三光控制部分CCP3，如图2中所示。第二覆盖层CP2可以与第一光控制部分CCP1、第二光控制部分CCP2和第三光控制部分CCP3重叠。
在实施方式中，还可以在第一光控制部分CCP1和第二覆盖层CP2之间设置子覆盖层CA。子覆盖层CA可以不与分隔部分BMP重叠。子覆盖层CA可以被设置为用于保护第一光控制部分CCP1。子覆盖层CA可以接触第一光控制部分CCP1。尽管在图3中仅示出了第一光控制部分CCP1，但是子覆盖层CA可以接触第一光控制部分CCP1、第二光控制部分CCP2和第三光控制部分CCP3中的每个，如图2中所示。子覆盖层CA可以保护第一光控制部分CCP1、第二光控制部分CCP2和第三光控制部分CCP3。
此外，根据实施方式，在显示装置DD中可以省略子覆盖层CA。当省略子覆盖层CA时，第二覆盖层CP2可以接触光控制部分CCP1、CCP2和CCP3。
子覆盖层CA可以包括聚合物树脂。子覆盖层CA还可以包括散射体SP-C(以下称为子散射体)。与上述对光控制部分CCP1、CCP2和CCP3的散射体SP的描述相同的描述可以应用于用于子散射体SP-C的材料。子覆盖层CA的子散射体SP-C可以与光控制部分CCP1、CCP2和CCP3的散射体SP相同。或者，子覆盖层CA的子散射体SP-C可以不同于光控制部分CCP1、CCP2和CCP3的散射体SP。子覆盖层CA可以使用来自将在后面描述的低折射层LR的再入射光。包含在子覆盖层CA中的子散射体SP-C散射再入射光，使得再入射光朝向显示装置DD的上部行进。因此，显示装置DD可以具有改进的亮度。
与结合图3所描述的不同，如图4中所示，第一覆盖层CP1-a不设置在分隔部分BMP的其它表面(例如，底表面)上。而且，第一覆盖层CP1-a不设置在分隔部分BMP的侧表面上。第一覆盖层CP1-a可以接触分隔部分BMP和滤色器层CFL。例如，第一覆盖层CP1-a可以接触分隔部分BMP的一个表面(例如，顶表面)和滤色器层CFL的其它表面(例如，底表面)。
或者，当第一覆盖层CP1-a不与分隔部分BMP的其它表面(例如，底表面)接触时，分隔部分BMP的其它表面(例如，底表面)可接触填充层BFL。此外，当阻挡层如上所述设置在填充层BFL和光控制层CCL之间时，分隔部分BMP的其它表面(例如，底表面)可以接触阻挡层。
第一覆盖层CP1-a可以与第二覆盖层CP2间隔开，并且第一光控制部分CCP1位于第一覆盖层CP1-a和第二覆盖层CP2之间。而且，第一覆盖层CP1-a可以与子覆盖层CA间隔开，并且第一光控制部分CCP1位于第一覆盖层CP1-a与子覆盖层CA之间。尽管在图4中仅示出了第一光控制部分CCP1，但是第一覆盖层CP1-a和子覆盖层CA可以分别设置在第二光控制部分CCP2的一个表面(例如，顶表面)和其它表面(例如，底表面)上。此外，第一覆盖层CP1-a和子覆盖层CA可以分别设置在第三光控制部分CCP3的一个表面(例如，顶表面)和其它表面(例如，底表面)上。
在实施方式中，分隔部分BMP中的每个可以具有等于光控制部分CCP1、CCP2和CCP3中的一个的厚度、第一覆盖层CP1和CP1-a的厚度以及第二覆盖层CP2的厚度的总和的厚度。例如，分隔部分BMP中的每个可以具有等于第一光控制部分CCP1的厚度、第一覆盖层CP1和CP1-a的厚度以及第二覆盖层CP2的厚度的总和的厚度。分隔部分BMP中的每个可以具有等于第二光控制部分CCP2的厚度、第一覆盖层CP1和CP1-a的厚度以及第二覆盖层CP2的厚度的总和的厚度。分隔部分BMP中的每个可以具有等于第三光控制部分CCP3的厚度、第一覆盖层CP1和CP1-a的厚度以及第二覆盖层CP2的厚度的总和的厚度。
或者，分隔部分BMP中的每个可以具有与光控制部分CCP1、CCP2和CCP3中的一个的厚度、第一覆盖层CP1和CP1-a的厚度以及第二覆盖层CP2的厚度的总和不同的厚度。分隔部分BMP中的每个的厚度与光控制部分CCP1、CCP2和CCP3中的一个的厚度、第一覆盖层CP1和CP1-a的厚度以及第二覆盖层CP2的厚度的总和之间的差可以不影响显示装置DD的厚度。
再次参考图2，滤色器层CFL可以包括遮光部分BM和过滤器CF1、CF2和CF3。滤色器层CFL可以包括透射第二颜色光的第一过滤器CF1、透射第三颜色光的第二过滤器CF2和透射第一颜色光的第三过滤器CF3。
例如，第一过滤器CF1可以是红色过滤器，第二过滤器CF2可以是绿色过滤器，并且第三过滤器CF3可以是蓝色过滤器。过滤器CF1、CF2和CF3中的每个可以包括聚合物光敏树脂和颜料或染料。然而，实施方式不限于此。例如，第三过滤器CF3可以不包括颜料或染料。第三过滤器CF3可以是透明的。而且，第一过滤器CF1和第二过滤器CF2中的每个可以是黄色过滤器。第一过滤器CF1和第二过滤器CF2可以彼此集成，而不是彼此区分开，例如彼此间隔开。
遮光部分BM可以是黑矩阵。遮光部分BM可以包括有机遮光材料和无机遮光材料中的至少一种，其包含黑色颜料和黑色染料中的至少一种。或者，遮光部分BM可以是蓝色过滤器。
此外，滤色器层CFL可以包括低折射层LR。低折射层LR可以具有比滤色器层CFL和与其相邻设置的光控制层CCL中的每个的折射率小的折射率。低折射层LR可以将在从光控制层CCL到滤色器层CFL的方向上发射的蓝光的一部分反射为再入射到光控制层CCL。蓝光可以从显示元件层DP-ED的发光元件ED发射。蓝光的一部分可以再入射到第一光控制部分CCP1或第二光控制部分CCP2。第一光控制部分CCP1可以将再入射的蓝光转换为红光，并且第二光控制部分CCP2可以将再入射的蓝光转换为绿光。上述光的再循环可以改善显示装置DD的光学效率。
基础衬底BL可以是提供基础表面的构件，在该基础表面上设置有光控制层CCL和滤色器层CFL。在稍后将描述的根据实施方式的用于制造显示装置的方法中，光控制层CCL和滤色器层CFL可以设置在基础衬底BL上。
基础层BS可以是玻璃衬底、金属衬底和塑料衬底中的至少一种。然而，实施方式不限于此。例如，基础层BS可以是无机层、有机层或复合材料层。还可以预期，基础层BS可以是单层或多层结构。在一些实施方式中，可以省略基础衬底BL。
根据实施方式的显示装置DD可以通过用于制造显示装置的方法来制造。在下文中，将参考图5至图11描述根据一些实施方式的用于制造显示装置的一种或多种方法。在下文中，当参考图5至图11进行描述时，相同的附图标记将被赋予与参考图2至图4描述的特征相同的特征。在图5至图11的描述中，将不再描述与图2至图4中描述的特征重叠的特征，并且将主要描述不同点。
图5和图6是根据一些实施方式的用于制造显示装置的工艺的流程图。图7A、图7B和图8至图11是示出根据一些实施方式的处于制造的各种阶段的显示装置的示意图。
根据实施方式的用于制造显示装置的方法可以包括形成滤色器层的工艺S100和在滤色器层上形成光控制层的工艺S200。形成光控制层的工艺S200可包括形成初始分隔部分的工艺S210、形成初始控制部分的工艺S220、形成光控制部分的工艺S230和形成分隔部分的工艺S240。
滤色器层CFL可以形成在基础衬底BL上。多个初始分隔部分P-BMP和BMP-a可以形成在滤色器层CFL上。初始分隔部分P-BMP和BMP-a可以具有单层或者两层或多层。
在图7A中，初始分隔部分P-BMP具有两层。与图7A不同，图7B中的初始分隔部分BMP-a具有单层。多个初始分隔部分P-BMP和BMP-a可以在平面上彼此间隔开。在图7A和图7B中，初始分隔部分P-BMP和BMP-a在平行于第一方向轴DR1的方向上彼此间隔开。
参考图7A，初始分隔部分P-BMP中的每个可以包括设置在滤色器层CFL上的第一分隔部分BMP1和设置在第一分隔部分BMP1上的第二分隔部分BMP2。第一覆盖层CP1可以设置在第一分隔部分BMP1和第二分隔部分BMP2之间。第一分隔部分BMP1和第二分隔部分BMP2可以彼此间隔开，并且第一覆盖层CP1位于第一分隔部分BMP1和第二分隔部分BMP2之间。
在实施方式中，形成初始分隔部分的工艺S210可以包括在滤色器层CFL上形成多个第一分隔部分BMP1的工艺、在第一分隔部分BMP1上形成第一覆盖层CP1的工艺以及在第一分隔部分BMP1上形成第二分隔部分BMP2的工艺。
第一覆盖层CP1可以通过沉积工艺形成。例如，第一覆盖层CP1可以通过化学气相沉积(CVD)工艺形成。第一覆盖层CP1可以由无机材料制成。或者，第一覆盖层CP1可以由有机材料制成。例如，第一覆盖层CP1可以由氮氧化硅(SiON)制成。然而，这仅是说明性的，并且实施方式不限于第一覆盖层CP1的材料和形成方法。
第一覆盖层CP1可以覆盖滤色器层CFL的一个表面。光控制层CCL(参考图2)可以形成在滤色器层CFL的一个表面上。如上所述，第一覆盖层CP1可以允许滤色器层CFL和光控制层CCL(参考图2)彼此间隔开。第一覆盖层CP1可以防止滤色器层CFL和光控制层CCL(参考图2)之间的接触。
第一覆盖层CP1可以在形成第二分隔部分BMP2之前形成在第一分隔部分BMP1上。第一分隔部分BMP1的一个表面可以平行于由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面，并且与滤色器层CFL间隔开。第一分隔部分BMP1的一个表面可以具有疏水性。第二分隔部分BMP2可以形成在第一分隔部分BMP1的所述一个表面上。由于第一分隔部分BMP1的所述一个表面具有疏水性，因此第二分隔部分BMP2可能不容易形成在第一分隔部分BMP1的所述一个表面上。
例如，初始分隔部分P-BMP可以通过用光刻胶涂覆而形成。由于用于形成附加分隔部分的材料不容易施加到分隔部分的具有疏水性的所述一个表面上，因此不容易形成具有多层的分隔部分。根据实施方式的用于制造显示装置的方法可以通过包括在第一分隔部分BMP1上沉积第一覆盖层CP1的工艺来容易地形成第二分隔部分BMP2。
由于第一覆盖层CP1覆盖第一分隔部分BMP1的所述一个表面，所以可以容易地形成第二分隔部分BMP2。图3示出了在形成第二分隔部分BMP2之前通过在第一分隔部分BMP1上沉积第一覆盖层CP1来制造显示装置的情况。
第二分隔部分BMP2可以形成在第一分隔部分BMP1上，并且第一覆盖层CP1位于第二分隔部分BMP2和第一分隔部分BMP1之间。第一覆盖层CP1和第二分隔部分BMP2可以顺序地形成在第一分隔部分BMP1上。在由第一方向轴DR1和第四方向轴DR4限定的横截面上，第一分隔部分BMP1中的每个的一个表面可以对应于第二分隔部分BMP2中的每个的另一个表面。第一分隔部分BMP1的所述一个表面可以平行于由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面。第二分隔部分BMP2的所述另一个表面可以平行于由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面。
根据实施方式，初始分隔部分P-BMP可以具有在从约2μm至约20μm，诸如约7μm至约15μm，例如约10μm至约12μm，例如约7μm至约20μm，诸如约2μm至约15μm的范围内的总厚度。第一分隔部分BMP1中的每个可以具有第一厚度T1，并且第二分隔部分BMP2中的每个可以具有第二厚度T2。第一厚度T1和第二厚度T2的总和可以等于或大于约2μm并且等于或小于约20μm。第一厚度T1可以等于或大于约1μm并且等于或小于约19μm。第二厚度T2可以等于或大于约1μm并且等于或小于约19μm。第一分隔部分BMP1的第一厚度T1和第二分隔部分BMP2的第二厚度T2可以彼此不同。或者，第一分隔部分BMP1的第一厚度T1和第二分隔部分BMP2的第二厚度T2可以彼此相等。
参考图7B，初始分隔部分BMP-a可以由单层形成。由单层形成的初始分隔部分BMP-a可以具有第三厚度T3。第三厚度T3可以等于或大于约2μm并且等于或小于约20μm，诸如等于或大于约7μm并且等于或小于约15μm，例如等于或大于约10μm并且等于或小于约12μm，例如等于或大于约7μm并且等于或小于约20μm，诸如等于或大于约2μm且等于或小于约15μm。第三厚度T3可以等于第一厚度T1和第二厚度T2的总和。当初始分隔部分BMP-a由单层形成时，初始分隔部分BMP-a可以具有等于初始分隔部分P-BMP的厚度总和的厚度。
在形成初始控制部分的工艺S220中提供的量子点溶液IS的量子点QD的量可以根据初始分隔部分P-BMP和BMP-a的厚度T1、T2和T3而变化。量子点溶液IS可以被提供在彼此间隔开的初始分隔部分P-BMP和BMP-a之间。随着初始分隔部分P-BMP和BMP-a的厚度T1、T2和T3的增加，量子点溶液IS的量可以增加。量越多的量子点溶液IS可以包括量越多的量子点QD。
根据实施方式，量子点溶液IS可以被提供在初始分隔部分P-BMP和BMP-a之间。量子点溶液IS可以通过喷墨印刷方法或分配涂布方法提供，但实施方式不限于此。例如，量子点溶液IS可以通过喷嘴NZ提供。量子点溶液IS在室温下可具有在从约2cP至约40cP的范围内的粘度。量子点溶液IS的粘度可以通过旋转式粘度计测量。量子点溶液IS可具有在从约1达因/厘米至约40达因/厘米的范围内的表面能。具有在从约2cP至约40cP的范围内的粘度的量子点溶液IS可以容易地从喷嘴NZ排出。
根据实施方式的量子点溶液IS可以包括量子点QD和基础树脂BR。量子点溶液IS还可以包括散射体SP。量子点QD可以与显示装置DD的第一量子点QD1和/或第二量子点QD2(参考图2)相同。包含第一量子点QD1的量子点溶液IS可以被提供以形成第一光控制部分CCP1。包含第二量子点QD2的量子点溶液IS可以被提供以形成第二光控制部分CCP2。
基础树脂BR可以包括液体单体。此外，基础树脂BR还可以包括溶剂。基础树脂BR的溶剂可以是挥发性材料。
量子点溶液IS可以具有在从约10-6mmHg至约1mmHg的范围内的蒸气压和在从约25℃至约250℃的范围内的沸点。具有在从约10-6mmHg至约1mmHg的范围内的蒸气压和在从约25℃至约250℃的范围内的沸点的量子点溶液IS可以表现出挥发性质。例如，具有在从约10-6mmHg至约1mmHg的范围内的蒸气压和在从约25℃至约250℃的范围内的沸点的量子点溶液IS可以表现出包含在量子点溶液IS中的基础树脂BR的挥发性质。
例如，基础树脂BR可以包括六亚甲基二丙烯酸酯、四甘醇二丙烯酸酯、二丙二醇二丙烯酸酯和三丙二醇二丙烯酸酯中的至少一种。此外，基础树脂BR还可以包括丙二醇甲基醚乙酸酯(PGMEA)、二甲基乙酰胺(DMA)、γ-丁内酯(GBL)、环己基乙酸酯(CHA)和二丙二醇单甲基醚乙酸酯(DPMA)中的至少一种。然而，这仅仅是说明性的，并且实施方式不限于基础树脂BR的材料。
初始光控制部分P-CCP可以设置在初始分隔部分P-BMP和BMP-a之间。初始光控制部分P-CCP可以设置在由初始分隔部分P-BMP和BMP-a限定的槽中。初始光控制部分P-CCP可以填充初始分隔部分P-BMP和BMP-a之间的空间。初始光控制部分P-CCP可以具有比初始分隔部分P-BMP和BMP-a中的每个的厚度大的厚度。或者，初始光控制部分P-CCP可以具有与初始分隔部分P-BMP和BMP-a中的每个的厚度相等的厚度。此外，初始光控制部分P-CCP可以具有比初始分隔部分P-BMP和BMP-a中的每个的厚度小的厚度。初始光控制部分P-CCP可以设置在初始分隔部分P-BMP和BMP-a之间，以具有由初始分隔部分P-BMP和BMP-a保持的厚度。例如，初始光控制部分P-CCP可以设置成具有与初始分隔部分P-BMP和BMP-a中的每个的厚度基本上相同的厚度。
光控制部分CCP可以随着基础树脂BR从初始光控制部分P-CCP挥发而形成。光控制部分CCP可以是如上所述的第一光控制部分CCP1、第二光控制部分CCP2和第三光控制部分CCP3中的一个。第一光控制部分CCP1、第二光控制部分CCP2和第三光控制部分CCP3可以从初始光控制部分P-CCP形成。随着基础树脂BR挥发，可以形成第一光控制部分CCP1的第一基础树脂BR1、第二光控制部分CCP2的第二基础树脂BR2和第三光控制部分CCP3的第三基础树脂BR3。
形成光控制部分的工艺S230可以包括向初始光控制部分P-CCP提供热量的工艺。提供热量的工艺可以包括一个工艺或者两个或更多个工艺。
提供热量的工艺可以包括提供在从约20℃至约100℃，例如约30℃至约90℃，诸如约50℃至约70℃，例如约20℃至约80℃，例如约40℃至约100℃的范围内的热量的一种工艺。在从约20℃至约100℃的范围内的热量可以被提供至初始光控制部分P-CCP。随着提供在从约20℃至约100℃范围内的热量，初始光控制部分P-CCP的基础树脂BR可以挥发。在从约20℃至约100℃的范围内的热量可以在与提供量子点溶液IS的工艺相同的工艺中提供。或者，可以在提供量子点溶液IS之后提供在从约20℃至约100℃的范围内的热量。此外，形成光控制部分的工艺S230还可以包括在提供热量的工艺之后的真空干燥的工艺。
或者，提供热量的工艺可包括两个或更多个工艺。提供热量的工艺可以包括第一热量提供工艺和第二热量提供工艺。第一热量提供工艺可以提供在从约20℃至约150℃的范围内的热量，并且第二热量提供工艺可以提供在从约100℃至约200℃的范围内的热量。第二热量提供工艺可以在第一热量提供工艺之后进行。由于提供热量的工艺包括第一热量提供工艺和第二热量提供工艺，因此基础树脂BR可以具有更均匀的挥发度。例如，当通过两个或更多个工艺执行向初始光控制部分P-CCP提供热量的工艺时，基础树脂BR可以在初始光控制部分P-CCP中进一步均匀地挥发。
此外，可以在第一热量提供工艺和第二热量提供工艺之间执行冷却热量的工艺，诸如冷却工艺。然而，这仅仅是说明性的，并且可以省略冷却热量的工艺。
图9示出了随着基础树脂BR从初始光控制部分P-CCP挥发而形成光控制部分CCP。热固化工艺可以在基础树脂BR挥发之后进行。
根据实施方式，量子点QD可以在初始光控制部分P-CCP中具有第一重量比，并且在光控制部分CCP中具有第二重量比。第一重量比和第二重量比之间的比率可以是约1:1.1至约1:3.0。第二重量比可以是第一重量比的约1.1倍至约3.0倍。第二重量比可以大于第一重量比。第一重量比可以是基础树脂BR挥发之前的量子点QD的重量比。第二重量比可以是基础树脂BR挥发之后的量子点QD的重量比。第一重量比可以是量子点QD在初始光控制部分P-CCP的全部重量中的重量比。第二重量比可以是量子点QD在光控制部分CCP的全部重量中的重量比。例如，在实施方式中，量子点QD的相对重量可以随着基础树脂BR的挥发而增加。参考图8和图9，随着基础树脂BR挥发，光控制部分CCP的厚度可以从初始光控制部分P-CCP的厚度减小。例如，第一重量比可以在从约5wt％至约50wt％的范围内。第二重量比可以大于约5wt％并且等于或小于99wt％。然而，这仅仅是说明性的，并且实施方式不限于第一重量比和第二重量比。
第二覆盖层CP2可以形成在光控制部分CCP上。第二覆盖层CP2可以覆盖光控制部分CCP的一个表面。第二覆盖层CP2可以在将在后面描述的去除初始分隔部分P-BMP和BMP-a的工艺中使光控制部分CCP的损坏最小化。第二覆盖层CP2可以形成在第二分隔部分BMP2上。或者，第二覆盖层CP2可以仅形成在光控制部分CCP上，而不形成在第二分隔部分BMP2上。
第二覆盖层CP2可以通过沉积工艺形成。第二覆盖层CP2可以由无机材料制成。或者，第二覆盖层CP2可以由有机材料制成。第二覆盖层CP2可以由与第一覆盖层CP1的材料不同的材料制成。或者，第二覆盖层CP2可由与第一覆盖层CP1的材料相同的材料制成。
子覆盖层CA可以覆盖光控制部分CCP的一个表面。子覆盖层CA可以在形成第二覆盖层CP2之前形成。在提供量子点溶液IS之后，可以在将热量提供给初始光控制部分P-CCP之前形成子覆盖层CA。此外，在基础树脂BR随着热量被提供给初始光控制部分P-CCP而挥发之后，可以在进行固化工艺之前形成子覆盖层CA。或者，可以在基础树脂BR从初始光控制部分P-CCP挥发并且进行固化工艺之后形成子覆盖层CA。然而，应注意，实施方式不限于形成子覆盖层CA的顺序。
子覆盖层CA可以在将在后面描述的去除初始分隔部分P-BMP和BMP-a的工艺中使光控制部分CCP的损坏最小化。可通过将聚合物溶液提供至光控制部分CCP上来形成子覆盖层CA。聚合物溶液可以包括第一分散剂，并且第一分散剂可以包括酸性取代基和碱性取代基中的至少一种。聚合物溶液可以包括子散射体SP-C。量子点溶液IS还可以包括第二分散剂，并且第二分散剂可以包括酸性取代基和碱性取代基中的至少一种。在实施方式中，第一分散剂可具有与第二分散剂的化学性质相同的化学性质。第一分散剂的化学性质可对应于酸性性质、碱性性质和两性性质中的一种。第二分散剂的化学性质可对应于酸性性质、碱性性质和两性性质中的一种。
例如，当第一分散剂表现出酸性性质时，第二分散剂可表现出酸性性质。此外，当第一分散剂表现出碱性性质时，第二分散剂可表现出碱性性质。或者，当第一分散剂表现出两性性质时，第二分散剂可表现出两性性质。由于第一分散剂和第二分散剂具有相同的化学性质，因此可以形成子覆盖层CA。
当第一分散剂和第二分散剂具有不同的化学性质时，第一分散剂和第二分散剂可能会下沉。当具有不同化学性质的第一分散剂和第二分散剂彼此反应时，产生沉淀反应。当第一分散剂表现出酸性性质且第二分散剂表现出碱性性质时，第一分散剂和第二分散剂下沉。当第一分散剂表现出碱性性质且第二分散剂表现出酸性性质时，第一分散剂和第二分散剂下沉。当第一分散剂表现出两性性质且第二分散剂表现出酸性性质或碱性性质时，第一分散剂和第二分散剂下沉。当第一分散剂表现出酸性性质或碱性性质且第二分散剂表现出两性性质时，第一分散剂和第二分散剂下沉。
形成分隔部分的工艺S240可以在形成光控制部分的工艺S230之后执行。分隔部分BMP可以通过去除初始分隔部分P-BMP和BMP-a的一部分来形成。分隔部分BMP可以通过减小初始分隔部分P-BMP和BMP-a中的每个的厚度来形成。初始分隔部分P-BMP和BMP-a中的每个的厚度可以减小与随着初始光控制部分P-CCP的基础树脂BR挥发而减小的厚度一样多。在横截面上，光控制部分CCP可以具有与分隔部分BMP中的每个的厚度相同的厚度。此外，分隔部分BMP中的每个可以具有比光控制部分CCP的厚度小的厚度。或者，分隔部分BMP中的每个可以具有比光控制部分CCP的厚度大的厚度。例如，光控制部分CCP的厚度和分隔部分BMP中的每个的厚度之间的差可以在约10％之内。然而，这仅仅是说明性的，并且实施方式不限于此。
当初始分隔部分P-BMP包括第一分隔部分BMP1和第二分隔部分BMP2时，可以去除第二分隔部分BMP2。可以去除依次层叠在滤色器层CFL的一个表面上的第一分隔部分BMP1和第二分隔部分BMP2中的设置在上侧的第二分隔部分BMP2。形成在第二分隔部分BMP2上的第二覆盖层CP2可以与第二分隔部分BMP2一起被去除。例如，可以通过蚀刻工艺或抛光工艺去除第二分隔部分BMP2。可以通过湿法蚀刻工艺去除第二分隔部分BMP2。与抛光工艺相比，湿法蚀刻工艺可使与第二分隔部分BMP2相邻设置的光控制部分CCP的表面上的损坏最小化。在去除第二分隔部分BMP2之后剩余的第一分隔部分BMP1可以是显示装置DD的分隔部分BMP(参考图2)。
然而，这仅仅是说明性的，并且实施方式不限于去除初始分隔部分P-BMP和BMP-a的工艺。此外，在完全去除第二分隔部分BMP2之后，可以部分去除第一分隔部分BMP1。
根据实施方式，通过去除工艺，初始分隔部分P-BMP和BMP-a中的每个的厚度可以减小到其初始厚度的大约10％到大约90％的厚度。例如，最初形成的初始分隔部分P-BMP和BMP-a的约10％至约90％可以通过去除工艺去除。如上所述，初始分隔部分P-BMP和BMP-a可以具有在从约2μm至约20μm的范围内的厚度T1、T2和T3。例如，当第一分隔部分BMP1的第一厚度T1和第二分隔部分BMP2的第二厚度T2的总和为约20μm时，在去除工艺之后剩余的分隔部分BMP的厚度可为约2μm。
再次参考图7B，初始分隔部分BMP-a可以具有单层。当初始分隔部分BMP-a由单层形成时，可以在形成初始分隔部分BMP-a之前形成第一覆盖层CP1-a。在滤色器层CFL上形成初始分隔部分BMP-a之前，第一覆盖层CP1-a可以覆盖滤色器层CFL的一个表面。如上所述，覆盖滤色器层CFL的所述一个表面的第一覆盖层CP1和CP1-a可以防止滤色器层CFL和光控制层CCL之间的接触。第一覆盖层CP1和CP1-a可以防止滤色器层CFL与量子点QD1和QD2之间的接触。图4示出了在如图7B中所示在形成初始分隔部分BMP-a之前通过沉积第一覆盖层CP1-a来制造显示装置时的情况。
然而，实施方式不限于此。例如，可以在形成初始分隔部分BMP-a之后沉积第一覆盖层CP1-a。在图3和图4中，第一覆盖层CP1和CP1-a设置为用于防止滤色器层CFL和光控制层CCL之间的接触。然而，实施方式不限于用于制造显示装置的方法中的第一覆盖层CP1和CP1-a的形成顺序。
当初始分隔部分BMP-a由单层形成时，初始分隔部分BMP-a可以通过物理工艺去除。例如，可以通过抛光工艺去除初始分隔部分BMP-a的与滤色器层CFL间隔开的一个表面。
在包含量子点的显示装置中，通常需要具有大厚度的分隔部分来提供更多的量子点。然而，随着分隔部分的厚度增加，分隔部分的光吸收率增加，并且这导致显示装置的亮度降低。
根据一些实施方式的用于制造显示装置的方法可以包括形成光控制层的工艺S200，并且形成光控制层的工艺S200可以包括形成光控制部分的工艺S230和形成分隔部分的工艺S240。在形成光控制部分的工艺S230中，光控制部分CCP可以通过使基础树脂BR从初始光控制部分P-CCP挥发而形成。随着基础树脂BR挥发，光控制部分CCP中的量子点QD的相对重量可以增加。随着量子点QD的相对重量的增加，通过根据实施方式的用于制造显示装置的方法制造的显示装置DD可以具有改善的亮度。
此外，在形成分隔部分BMP的工艺中，分隔部分BMP可以通过减小初始分隔部分P-BMP和BMP-a的厚度T1、T2和T3来形成。随着分隔部分BMP的厚度减小，分隔部分BMP的光吸收率可以减小，并且用于发光的显示元件层DP-ED和光控制层CCL可以变得彼此更接近。随着光的行进距离减小，光控制层CCL中的光的损失量可以减小。因此，通过根据实施方式的用于制造显示装置的方法制造的显示装置DD可以具有改善的亮度。
图12是示出通过评价根据比较例1至5和实施方式1至5的显示装置的亮度获得的结果的图。在图12的图中，由E1至E5表示的部分分别对应于通过根据实施方式的用于制造显示装置的方法制造的实施方式1至5的显示装置。实施方式1至5的显示装置中的每个可以是包括其中基础树脂挥发的光控制层的显示装置，并且分隔部分中的每个的厚度根据实施方式被减小。此外，在图12的图中，由C1至C5表示的部分分别对应于比较例1至5的显示装置。比较例1至5的显示装置中的每个可以是包括其中基础树脂未挥发的光控制层的显示装置，并且分隔部分中的每个的厚度未减小。
在图12中，亮度值表示当分隔部分的厚度为约10μm时基于比较例3的亮度的相对亮度值。例如，图12是示出当比较例3的亮度为约100％时的相对亮度值的图。约0μm的厚度的情况表示在显示装置中形成光控制层之前的相对亮度值。下面的表1示出了根据实施方式1至5和比较例1至5的显示装置中的每个的分隔部分的厚度。
| 分类 | 分隔部分的厚度 | 分类 | 分隔部分的厚度 |
| 实施方式1 | 2.0μm | 比较例1 | 5.5μm |
| 实施方式2 | 2.5μm | 比较例2 | 7.5μm |
| 实施方式3 | 3.7μm | 比较例3 | 10.0μm |
| 实施方式4 | 7.1μm | 比较例4 | 13.0μm |
| 实施方式5 | 7.5μm | 比较例5 | 16.0μm |
表1
在图12的图中，当比较例1至5与实施方式1至5比较时，各种实施方式的显示装置的亮度大于比较例的显示装置的亮度。当比较例2与实施方式4和5比较时，例如，当分隔部分的厚度彼此相似时，其中基础树脂挥发的实施方式4和5中的每个的显示装置可以具有比其中基础树脂未挥发的比较例2的显示装置相对更大的亮度。随着基础树脂挥发，量子点的重量比增加，并且表现出相对较大的亮度。
参考实施方式3至5，随着分隔部分中的每个的厚度减小，亮度可以增加。此外，当比较例3与实施方式1比较时，与比较例3相比，实施方式1的亮度可增加约15％。随着分隔部分中的每个的厚度减小，分隔部分的光吸收率减小，并且显示装置的亮度增强。因此，根据实施方式的包括通过使基础树脂挥发而形成的光控制部分和具有减小的厚度的分隔部分的显示装置可以表现出改进的亮度。
根据实施方式的用于制造显示装置的方法可以包括形成光控制层的工艺，并且形成光控制层的工艺可以包括形成光控制部分的工艺和形成分隔部分的工艺。形成光控制部分的工艺可以从量子点溶液中挥发基础树脂以形成光控制部分并增加量子点的相对重量。随着基础树脂挥发，光控制部分的厚度可减小。分隔部分的厚度可以减小与光控制部分的减小的厚度一样多。随着分隔部分的厚度减小，分隔部分的光吸收率可降低。因此，通过根据实施方式的用于制造显示装置的方法制造的显示装置可以表现出改进的亮度。
此外，通过根据实施方式的用于制造显示装置的方法制造的显示装置可以包括用于覆盖光控制部分的第二覆盖层。第二覆盖层可以防止光控制部分的损坏。
根据实施方式的用于制造显示装置的方法可以通过包括形成光控制部分的工艺和形成分隔部分的工艺来增加量子点的相对重量并减小分隔部分中的每个的厚度。
根据实施方式的显示装置可以通过包括具有增加的相对重量的量子点和具有减小的厚度的分隔部分而表现出改善的亮度。
尽管本文已经描述了某些示例性实施方式和实现方式，但是根据本描述，其他实施方式和修改将是显而易见的。因此，本发明构思不限于这样的实施方式，而是限于所附权利要求以及各种显而易见的修改和等效布置的更宽的范围，这对于本领域的普通技术人员来说是显而易见的。
Claims (15)
1.用于制造显示装置的方法，所述方法包括：
形成滤色器层；以及
在所述滤色器层上形成光控制层；
其中，形成所述光控制层包括：
在所述滤色器层上形成彼此间隔开的初始分隔部分；
通过在所述初始分隔部分之间提供量子点溶液，形成初始光控制部分，所述量子点溶液包括量子点和基础树脂；
通过使所述基础树脂从所述初始光控制部分挥发，形成光控制部分；以及
通过减小所述初始分隔部分中的每个的厚度，形成分隔部分，
其中，所述量子点在所述初始光控制部分中的第一重量比与所述量子点在所述光控制部分中的第二重量比之间的比率为1:1.1至1:3.0，以及
其中，所述第一重量比是所述量子点在整个所述初始光控制部分中的重量比，以及所述第二重量比是所述量子点在整个所述光控制部分中的重量比。
2.根据权利要求1所述的方法，其中：
形成所述光控制部分包括向所述初始光控制部分提供热量；以及
向所述初始光控制部分提供所述热量包括：
通过单一工艺提供在从20℃至100℃的范围内的热量；或者
提供在从20℃至150℃的范围内的第一热量以及提供在从100℃至200℃的范围内的第二热量。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述分隔部分包括将所述初始分隔部分中的每个的厚度减小到所述初始分隔部分中的每个的初始厚度的10％至90％的厚度。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述分隔部分包括通过蚀刻工艺或抛光工艺去除所述初始分隔部分的与所述滤色器层间隔开的一个表面。
5.根据权利要求1所述的方法，其中：
所述初始分隔部分中的每个包括：
第一分隔部分，设置在所述滤色器层上；以及
第二分隔部分，设置在所述第一分隔部分上；以及
形成所述分隔部分包括通过蚀刻工艺或抛光工艺去除所述初始分隔部分中的每个的所述第二分隔部分。
6.根据权利要求1所述的方法，其中：
形成所述光控制层还包括在形成所述初始光控制部分之前，通过沉积工艺形成第一覆盖层；以及
所述第一覆盖层设置在所述滤色器层与所述初始光控制部分之间。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述初始分隔部分包括：
在所述滤色器层上形成第一分隔部分；
在所述第一分隔部分上形成第一覆盖层；以及
分别在所述第一分隔部分上形成第二分隔部分，并且所述第一覆盖层设置在所述第一分隔部分与所述第二分隔部分之间。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在形成所述光控制部分之后，通过沉积工艺形成第二覆盖层；
其中，所述第二覆盖层覆盖所述光控制部分的与所述滤色器层间隔开的一个表面。
9.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在形成所述光控制部分之后，通过提供聚合物溶液形成子覆盖层，
其中，所述子覆盖层覆盖所述光控制部分的与所述滤色器层间隔开的一个表面。
10.根据权利要求9所述的方法，其中：
所述聚合物溶液包括第一分散剂，所述第一分散剂包括酸性取代基和碱性取代基中的至少一种；
所述量子点溶液包括第二分散剂，所述第二分散剂包括酸性取代基和碱性取代基中的至少一种；以及
所述第一分散剂具有与所述第二分散剂的化学性质相同的化学性质。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述聚合物溶液还包括散射体。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基础树脂包括六亚甲基二丙烯酸酯、四甘醇二丙烯酸酯、二丙二醇二丙烯酸酯和三丙二醇二丙烯酸酯中的至少一种。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述基础树脂还包括丙二醇甲基醚乙酸酯、二甲基乙酰胺、γ-丁内酯、环己基乙酸酯和二丙二醇单甲基醚乙酸酯中的至少一种。
14.显示装置，包括：
显示元件层；
滤色器层，设置在所述显示元件层上；
光控制层，设置在所述显示元件层和所述滤色器层之间；以及
第一覆盖层，设置在所述滤色器层和所述光控制层之间，
其中，所述光控制层包括：
分隔部分，彼此间隔开；
光控制部分，设置在所述分隔部分之间，所述光控制部分包括量子点和基础树脂；以及
第二覆盖层，覆盖所述光控制部分的与所述滤色器层间隔开的一个表面，以及
其中，所述第二覆盖层不与所述分隔部分重叠。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第一覆盖层与所述分隔部分和所述光控制层重叠。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication |