CN115699265A - 等离子处理装置 - Google Patents

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CN115699265A CN202180005030.XA CN202180005030A CN115699265A CN 115699265 A CN115699265 A CN 115699265A CN 202180005030 A CN202180005030 A CN 202180005030A CN 115699265 A CN115699265 A CN 115699265A
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gas
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plasma processing
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清末健太郎
佐藤浩平
矶村僚一
永井宏治
松芳勉
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Abstract

等离子处理装置具备：处理室(2)；和用于将处理用气体向处理室(2)的内部供给的气体供给装置(30)。气体供给装置(30)具有：质量流量控制器箱(40)，其具有吸气口(41)以及排气口(42)；多个配管(43)，分别安装有质量流量控制器(43a)；和多个配管(52)，其在质量流量控制器箱(40)的内部与多个配管(43)连结，且在质量流量控制器箱(40)的外部与成为处理用气体的供给源的多个配管(54)通过多个联管器(53)连结。多个联管器(53)当中的至少1个被配管外罩(60)覆盖，以使得将联管器(53)密闭。配管外罩(60)的内部以及质量流量控制器箱(40)的内部通过连通构件(外周配管(61)、管子(62))连通。

Description

等离子处理装置
技术领域
本发明涉及等离子处理装置，特别涉及具备用于向处理室的内部供给处理用气体的气体供给装置的等离子处理装置。
背景技术
近年来，在半导体芯片的制造工序中，使用等离子处理装置来在半导体晶片的表面进行等离子处理。例如在专利文献1中公开了如下方法：在使用含有氟元素的气体将等离子处理装置的处理室的内部进行等离子清洁后，使用含有硅元素的气体，通过等离子使沉积膜沉积于处理室的内部，之后，对作为被处理件的半导体晶片进行等离子蚀刻。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2018-046216号公报
发明内容
发明要解决的课题
如专利文献1公开的那样，近年来，实现了使用SiCl4或BCl3等低蒸汽压气体的工艺。在将这些具有可燃性的低蒸汽压气体向处理室导入时，谋求能将低蒸汽压气体维持在高温状态并且能抑制气体向等离子处理装置的周围的泄漏的供给手段。
此外，在过去，在设置有等离子处理装置的建筑物中，来自气体的供给源的多种类的气体供给用的多个配管与配备于等离子处理装置的质量流量控制器箱连结，经过从上述质量流量控制器箱延伸的处理气体用的配管向处理室的内部进行气体的供给。进而，来自建筑物的气体供给源的多个配管与配置于上述建筑物的设置等离子处理装置的部位的地面下方的气体配管连接箱连接，在其内部，能拆装地与连接到上述质量流量控制器箱且向下方伸长的多个气体供给用的配管进行连接。而且，各箱的内部通过与排气泵等排气机构连接并将各箱的内部的气体排气，即使是从各质量流量控制器或气体配管的连接部漏出气体的情况，也能防止气体向上述建筑物的内部的泄漏。
另一方面，为了用于抑制上述的泄漏气体的扩散的排气所涉及的等离子处理装置的运转成本的减少，谋求省略气体配管连接箱或其内部的排气。但在单纯停止或去除气体配管连接箱或将其内部排气的机构的情况下，在来自上述建筑物的气体的配管与连接到质量流量控制器箱的等离子处理装置侧的配管的连结部，在发生气体的泄漏时，泄漏到建筑物的内部的气体有可能会容易地扩散。因此，谋求提供具备能防止这样的气体的泄漏或扩散的气体供给装置的等离子处理装置。
其他课题以及新的特征会从本说明书的记述以及附图而得以明确。
用于解决课题的手段
若简单说明本申请中公开的实施方式当中代表性的方案的概要，就如下那样。
一实施方式中的等离子处理装置具备：处理室；和用于将处理用气体向所述处理室的内部供给的气体供给装置。所述气体供给装置具有：质量流量控制器箱，其具有吸气口以及排气口；多个第1配管，其设于所述质量流量控制器箱的内部，且分别安装有质量流量控制器；和多个第2配管，其在所述质量流量控制器箱的内部与所述多个第1配管连结，且在所述质量流量控制器箱的外部与成为所述处理用气体的供给源的多个第3配管通过多个第1联管器连结。在此，所述多个第1联管器当中的至少1个被第1配管外罩覆盖，以使得将所述第1联管器密闭，所述第1配管外罩的内部以及所述质量流量控制器箱的内部通过第1连通构件连通。
发明的效果
根据一实施方式，能提供一种等离子处理装置，能减少等离子处理装置的运转成本，并且具备能防止气体的泄漏的气体供给装置。
附图说明
图1是表示实施方式1中的等离子处理装置的示意图。
图2是表示研讨例中的气体供给装置的主视图。
图3是表示研讨例中的气体供给装置的主视透视图。
图4是表示实施方式1中的气体供给装置的主视图。
图5是表示实施方式1中的气体供给装置的主视透视图。
图6是表示实施方式1中的包含质量流量控制器的配管的主视图。
图7是表示实施方式1中的配管外罩的周围的主视透视图。
图8是表示实施方式1中的配管外罩的周围的主视透视图。
具体实施方式
以下基于附图来详细说明实施方式。另外，在用于说明实施方式的全图中，对具有相同功能的构件标注相同附图标记，省略其重复的说明。此外，在以下的实施方式，除了特别需要时以外，原则上不再重复相同或同样的部分的说明。
(实施方式1)
<等离子处理装置的结构>
以下使用图1来说明实施方式1中的等离子处理装置1的概要。
等离子处理装置1具备作为圆筒形状的真空容器的处理室2和设于处理室2的内部的载台3。在载台3的上方设有形成圆板形状的窗构件4和形成圆板形状的盘片5。窗构件4例如由石英或陶瓷这样的电介质材料构成，将处理室2的内部气密地密封。盘片5设于窗构件4的下方，使其与窗构件4分开，例如由石英这样的电介质材料构成。此外，在盘片5设有多个贯通孔6。
载台3为了在对被处理件7进行等离子处理时设置被处理件7而使用。另外，被处理件7例如是由硅这样的半导体材料构成的晶片。载台3与处理室2的底面之间的空间经由载台3的侧壁与处理室2的侧面之间的间隙与载台3的上方的空间连通。因此，将设置于载台3上的被处理件7的处理中产生的生成物、等离子或气体的粒子经由载台3与处理室2的底面之间的空间向处理室2的外部排出。
此外，虽未进行详细图示，但载台3具有圆筒形状，且具有由金属材料构成的基材。上述基材的上表面被电介质膜覆盖。在电介质膜的内部设有加热器，在加热器的上方设有多个电极。对上述多个电极供给直流电压。通过该直流电压，使被处理件7吸附在上述电介质膜的上表面，能在上述电介质膜以及被处理件7的内部生成用于保持被处理件7的静电力。
此外，在载台3设有同心圆状或螺旋状多重配置的冷媒流路。此外，在将被处理件7设置于上述电介质膜的上表面上的状态下，对被处理件7的下表面与电介质膜上表面之间的间隙供给He等具有传热性的气体。因此，在上述基材以及电介质膜的内部配置有上述气体进行流通的配管。
此外，等离子处理装置1具备阻抗匹配器8和高频电源9。在上述基材经由阻抗匹配器8连接有高频电源9。在被处理件7的等离子处理中，为了在被处理件7的上表面上形成用于诱导等离子中的带电粒子的电场，从高频电源9向上述基材供给高频电力。
此外，等离子处理装置1具备配管31和气体供给装置30。气体供给装置30经由配管31与处理室2连接。气体被从气体供给装置30经由配管31供给到窗构件4与盘片5之间的空间，在上述空间内扩散。扩散的气体从贯通孔6向载台3的上方供给。
本申请的主要特征在于气体供给装置30的结构，对该特征之后详细进行说明。
此外，等离子处理装置1具备：波导管10、磁控管振荡器11、螺线管线圈12和螺线管线圈13。在窗构件4的上方配置有波导管10，在波导管10的一端部设有磁控管振荡器11。磁控管振荡器11能振荡并输出微波的电场。波导管10是用于微波的电场进行传播的管路，将微波的电场经由波导管10供给到处理室2的内部。螺线管线圈12以及螺线管线圈13设于波导管10以及处理室2的周围，作为磁场产生单元使用。
此外，等离子处理装置1具备压力调整板14、压力检测器15、作为高真空泵的涡轮分子泵16、作为粗抽泵的干式泵17、排气配管18和阀19～21。载台3与处理室2的底面之间的空间作为真空排气部发挥功能。压力调整板14是圆板形状的阀，通过在排气口的上方上下移动，来增减用于气体向排气口流入的流路的面积。即，压力调整板14兼作将排气口开闭的阀的作用。
压力检测器15是用于探测处理室2的内部的压力的传感器。从压力检测器15输出的信号被发送到未图示的控制部，在上述控制部中检测压力的值，对应于检测到的值来从上述控制部输出指令信号。基于上述指令信号驱动压力调整板14，压力调整板14的上下方向的位置发生变化，排气的流路的面积增减。
涡轮分子泵16的出口经由排气配管与干式泵17连结，在上述排气配管的中途设有阀19。载台3与处理室2的底面之间的空间与排气配管18连接，在排气配管18设有阀20以及阀21。阀20是用于以干式泵17低速进行排气以使得处理室2从大气压成为真空状态的慢排气用的阀，阀21是用于以涡轮分子泵16高速进行排气的主排气用的阀。
以下例示对预先形成于被处理件7的上表面上的给定的膜执行利用了等离子的蚀刻处理的情况。
被处理件7被从等离子处理装置1的外部搁放于机械臂这样的真空运送装置的臂的前端部，向处理室2的内部运送，设置到载台3上。若真空运送装置的臂从处理室2退出，处理室2的内部就被密封。然后，对载台3的电介质膜的内部的静电吸附用的电极施加直流电压，通过所生成的静电力将被处理件7保持在上述电介质膜上。
在该状态下，对被处理件7与上述电介质膜之间的间隙经由设于载台3的内部的配管供给He等具有热传递性的气体。此外，通过未图示的冷媒温度调整器调整成给定的温度的冷媒被供给到载台3的内部的冷媒流路。由此，在调整了温度的基材与被处理件7之间，热的传递被促进，被处理件7的温度被调整成适合等离子处理的开始的范围内的值。
通过气体供给装置30调整了流量以及速度的处理气体被经由配管31供给到处理室2的内部，并且通过涡轮分子泵16的动作从排气口将处理室2的内部排气。通过两者的平衡，处理室2的内部的压力被调整成适于等离子处理的范围内的值。
在该状态下，从磁控管振荡器11振荡微波的电场。微波的电场在波导管10内部传播，透过窗构件4以及盘片5。进而，通过螺线管线圈12以及螺线管线圈13生成的磁场被供给到处理室2。通过上述磁场与微波的电场的相互作用，引发电子回旋共振(ECR：ElectronCyclotron Resonance)，处理气体的原子或分子进行激发、电离或解离，由此在处理室2的内部生成等离子。
若生成等离子，就从高频电源9对载台3的基材供给高频电力，在被处理件7的上表面上形成偏置电位，等离子中的离子等带电粒子被诱导到被处理件7的上表面。由此，沿着掩模层的图案形状来对被处理件7的给定的膜执行蚀刻处理。之后，若检测到处理对象的膜的处理到达其终点，就停止来自高频电源9的高频电力的供给，停止等离子处理。
在不需要进一步的被处理件7的蚀刻处理的情况下，进行高真空排气。然后，在去除静电从而解除了被处理件7的吸附后，真空运送装置的臂进入处理室2的内部，将处理完毕的被处理件7向等离子处理装置1的外部运送。
<研讨例中的气体供给装置的结构>
以下使用图2以及图3来说明本发明的现有技术所涉及的气体供给装置300。在图3中示出设于图2所示的质量流量控制器箱(MFC箱)40以及气体配管连接箱50各自的内部的配管。另外，气体供给装置300主要在设有气体配管连接箱50这点上与实施方式1中的气体供给装置30不同。
在设于MFC箱40的内部的多个配管43分别安装有质量流量控制器(MFC)。多个配管43在MFC箱40的内部通过多个联管器44而与多个配管52连结。成为处理用气体的供给源的多个配管54设于建筑物，在气体配管连接箱50的内部，通过多个联管器53而与多个配管52连结。处理用气体流过多个配管54、多个配管52以及多个配管43，经由将多个配管43汇集的配管31而被供给到等离子处理装置1的处理室2的内部。
在此，基本上，调整流过各配管的气体的流量以及压力等，使得不产生气体的泄漏，但在发生地震等这样的预料外的事态时，有可能发生气体的泄漏。特别在各配管的连结部位即联管器44以及联管器53，有可能发生气体的泄漏。
但联管器44设于MFC箱40的内部，联管器53设于气体配管连接箱50的内部。因此，通过将MFC箱40的内部的气体从排气口42向建筑物外始终进行排气，将气体配管连接箱50的内部的气体从排气口42向建筑物外始终进行排气，即使在联管器44以及联管器53中发生气体的泄漏，也能防止气体扩散到建筑物内。
另一方面，为了等离子处理装置1的运转成本的减少，谋求省略气体配管连接箱50的排气。因此，在联管器53中发生了气体的泄漏的情况下，气体有可能扩散到建筑物内。实施方式1中的气体供给装置30为了满足这样的要求，提供即使在省略气体配管连接箱50的排气的情况下也能防止气体的泄漏的技术。
<实施方式1中的气体供给装置的结构>
以下使用图4～图8来说明本申请的发明者们研讨的研讨例中的气体供给装置30。在图5中示出设于图4所示的MFC箱40的内部的配管。
如图4以及图5所示那样，气体供给装置30具有MFC箱40、多个配管43、多个联管器44、多个配管52、多个联管器53、多个加热器55、多个配管外罩60a、多个配管外罩60b、多个外周配管61以及多个管子62等。
MFC箱40具有吸气口41以及排气口42。排气口42与未图示的配管等排气用的管路连接，与设置于设置有等离子处理装置1的建筑物的地面下方或建筑物外的排气泵等排气用的机构或气体处理室等连通、连结。实施方式1中的排气用的机构始终被驱动。通过上述机构的动作，MFC箱40内部的气体通过从排气口42经过与排气口42连接的管路而被排气，并且从吸气口41吸入建筑物内的气氛即空气。MFC箱40的内部在等离子处理装置1的运转中始终经由吸气口41以及排气口42与建筑物的内部的气氛进行置换。
多个配管43设于MFC箱40的内部，汇集到配管31。此外，如图6所示那样，在多个配管43各自分别安装有MFC43a、阀43b以及阀43c等。通过MFC43a控制流过配管43的气体的流量。阀43b以及阀43c主要用于控制流过配管43的气体的供给的开始以及停止的目的。在配管43被控制流量的气体经由配管31被供给到处理室2的内部。
体积相对大的MFC43a以及阀43b、43c配置于MFC箱40内部的空间的上部的配管43上，配管43的下部、与其连接的联管器44以及配管52位于MFC箱40的内部的空间的下部。进而，配置于本例的MFC箱40的右侧侧壁的排气口42、优选地和吸气口41都针对附图的上下方向而配置在比阀43c更下方的高度位置。因此，在MFC箱40的内部从附图的左方向右方流通的气氛的气体的流构成为在MFC箱40的下部，速度或流量变大。
此外，多个配管43各自在MFC箱40的内部通过多个联管器44的各自而与多个配管52连结。多个配管52各自向附图的下方的MFC箱40的外部延伸，在MFC箱40的外部，通过多个联管器53的各自而与上下方向上延伸的多个配管54连结。多个配管54各自与包含未图示的罐等存积部的多个种类的气体源连结。在建筑物的地面下方存在供给多种类的气体的多个配管，多个配管54各自是多种类的气体当中供给到处理室的处理用气体的供给路径。此外，多个配管54各自在建筑物的地面下方的空间的内部，从上述气体源被引出至设置等离子处理装置1的部位的近旁。
处理用气体的种类可以在各配管54的各自中不同，也可以在多个配管54流通且供给相同种类的气体。在此，作为处理用气体，例示大致区分为3种类的气体。第1种类的气体是具有强的可燃性或毒性的气体，且是相对难以液化的气体。第2种类的气体是具有强的可燃性或毒性的气体，且是相对容易液化的气体。换言之，第2种类的气体是具有比第1种类的气体高的沸点的气体。第3种类的气体是具有弱的可燃性的气体，是没有毒性的气体，且是相对难以液化的气体。
第1种类的气体例如是H2、CH3F、CH4、Cl2、SO2、HBr、SiF4、NF3或CO2。第2种类的气体例如是SiCl4或BCl3。第3种类的气体例如是Ar、He、O2、N2、CHF3、SF6或CF4。
在本例中，在等离子处理装置1长期运转的情况下，也会因性能的劣化或构件的变性等原因而有可能在联管器53发生气体的泄漏。如上述的现有技术的示例中说明的那样，通过省略气体配管连接箱50以及其排气，特别是关于具有强的可燃性或毒性的气体(第1种类的气体、第2种类的气体)，需要在其产生泄漏时还抑制在该建筑物内部的扩散。
因此，在实施方式1中，运用配管外罩60a、60b和作为连通构件的外周配管61以及管子62等。另外，由于第3种类的气体即使泄漏也没什么特别的问题，因此不对流过第3种类的气体的配管运用配管外罩60a、60b以及上述连通构件。
配管外罩60a、60b将联管器53、配管52以及配管54的外周侧覆盖。在配管外罩60a、60b与联管器53、配管52以及配管54之间设有间隙。外周配管61在其下端与配管外罩60a连接，将配管外罩60a的内部和MFC箱40的内部连通。此外，外周配管61以配管52为中心轴而延伸，覆盖配管52的外周。管子62与配管外罩60b的侧壁连接，在与配管52不同的部位与MFC箱40连接，构成与配管52不同的气体的路径。
图7详细示出图4以及图5的配管外罩60a的周围，示出包含外周配管61作为连通构件的情况。外周配管61适于使上述的第1种类的气体流过配管43、配管52以及配管54的情况。
如图4以及图5所示那样，多个联管器53当中的至少1个被配管外罩60a覆盖，以使得联管器53和其周围的空间被密闭。配管外罩60a形成为比联管器53的上下方向的长度长的圆筒形状。配管外罩60a例如由不锈钢、铁或铜、或者以它们为主成分的合金这样的金属材料构成。此外，为了提高配管外罩60a的内部的气密性，也可以在构成配管外罩60a的构件当中的与配管52以及配管54的外周侧壁面对置的上端或下端的部分具备密封圈等密封件。由此，即使从联管器53泄漏气体，该气体也会留在配管外罩60a的内部。
外周配管61以多个配管52当中设有配管外罩60a的配管52为中心轴延伸，覆盖该配管52的外周。此外，外周配管61与配管外罩60a的上部以及MFC箱40的底部连接。配管外罩60a的内部以及MFC箱40的内部经由配管52的外周侧壁面与外周配管61的内周侧壁面之间的空间而连通。由此，从与联管器53连接的配管52或配管54的连接部向配管外罩60a的内部泄漏的气体在配管52与外周配管61之间的间隙的内部进行扩散，被向MFC箱40的内部导入。
此外，外周配管61由金属材料或树脂材料构成。上述金属材料例如是不锈钢、铁或铜、或者以它们为主成分的合金。例如，在所供给的气体是可燃性气体的情况下，设想泄漏的可燃性气体会爆炸。若配管外罩60a是刚性高的上述金属材料，就易于抑制冲击导致的破损或压力上升等。
上述树脂材料例如是环氧树脂。例如，在所供给的气体发生爆炸的可能性低但该气体为毒性气体的情况下，考虑材料的成本等，也可以运用相对廉价的上述树脂材料。
图8详细示出图4以及图5的配管外罩60b的周围，示出包含管子62作为连通构件的情况。管子62适于使上述的第2种类的气体流过配管43、配管52以及配管54的情况。
如上述那样，第2种类的气体是相对易于液化的气体。在从配管54供给这样的第2种类的气体的情况下，为了防止液化，在配管43、配管52以及配管54的外周设置加热器55是有效的。通过加热器55将流过配管43、配管52以及配管54的内部的气体的温度维持在冷凝温度以上。在此，加热器55例如是带状的导电体，通过在该导电体流过电流，来从导电体产生热。通过沿着配管43、配管52以及配管54的外周在上下方向上螺旋状地卷绕设置加热器55，能充分加热配管43、配管52以及配管54的内部。
在图8中，也与图7同样，多个联管器53当中的至少1个被配管外罩60b覆盖，使得联管器53和其周围的空间被密闭。配管外罩60b形成比联管器53的上下方向的长度长的圆筒形状。为了将配管外罩60b的内部气密地密封，也可以在对置的配管外罩60b的上下的端部的内周壁面、与配管52以及配管54的外周壁之间配置O环等密封件。另外，在图8中，为了易于看清附图，省略图4以及图5所示的加热器55。存在由于需要加热器55而难以运用图7的外周配管61的情况。在这样的情况下，能适当地使用管子62。
管子62的下端部经由联管器63与配管外罩60b的外侧壁面气密地连接。由此，管子62的内部和配管外罩60b的内部连通。此外，管子62的上端部经由联管器45与MFC箱40的排气口42的下方的侧壁面气密地连接。如此地，配管外罩60b的内部以及MFC箱40的内部通过管子62而连通。由此，从与联管器53连接的配管52或配管54的连接部向配管外罩60b的内部泄漏的气体从配管外罩60b的内部向管子62的内部扩散，被导入到MFC箱40的内部。
另外，在配管外罩60b能拆装地设置联管器63，在MFC箱40能拆装地设置联管器45。管子62经由联管器63与配管外罩60b连接，经由联管器45与MFC箱40连接。因此，管子62相对于配管外罩60b以及MFC箱40变得能拆装。
此外，管子62由能透过可见光的树脂材料构成。换言之，管子62由操作等离子处理装置1的操作人员能目视管子62的内部的材料构成。若留在配管外罩60b的内部的泄漏气体远离加热器55，就存在泄漏气体在管子62的内部液化的可能性。这时，只要操作人员能目视确认液化的气体，操作人员就易于早期发现从联管器53发生了气体的泄漏。然后，易于对气体的泄漏采取某种对策手段。
如以上那样，根据实施方式1，由于能省略气体配管连接箱50的排气，因此能减少等离子处理装置1的运转成本。此外，即使从联管器53发生气体的泄漏，也能通过配管外罩60a、60b和连通构件(外周配管61、管子62)来使泄漏气体向MFC箱40的内部导入，能将泄漏气体从MFC箱40的排气口42向建筑物外排气。即，根据实施方式1，能提供具备能防止气体的泄漏的气体供给装置30的等离子处理装置1。
以上基于上述实施方式具体说明了本发明，但本发明并不限定于上述实施方式，能在不脱离其要旨的范围内进行种种变更。
例如在上述实施方式中，作为连通构件而例示了外周配管61以及管子62，但只要使MFC箱40的内部以及配管外罩60a、60b的内部连通，连通构件也可以是其他结构。
此外，在上述实施方式中，例示了对流过第3种类的气体的配管不运用配管外罩60a、60b以及上述连通构件的情况，但也可以在这样的配管运用配管外罩60a、60b或上述连通构件、或者这两方。
附图标记的说明
1 等离子处理装置
2 处理室
3 载台
4 窗构件
5 盘片
6 贯通孔
7 被处理件(晶片)
8 阻抗匹配器
9 高频电源
10 波导管
11 磁控管振荡器
12 螺线管线圈
13 螺线管线圈
14 压力调整板
15 压力检测器
16 涡轮分子泵
17 干式泵
18 排气配管
19～21 阀
30 气体供给装置
31 配管
40 质量流量控制器箱(MFC箱)
41 吸气口
42 排气口
43 配管
43a 质量流量控制器(MFC)
43b、43c 阀
44、45 联管器
50 气体配管连接箱
51 排气口
52 配管
53 联管器
54 配管
55 加热器
60a、60b 配管外罩
61 外周配管
62 管子
63 联管器
300 气体供给装置。

Claims (9)

1.一种等离子处理装置，具备：
处理室；和用于将处理用气体向所述处理室的内部供给的气体供给装置，
所述等离子处理装置的特征在于，
所述气体供给装置具有：
质量流量控制器箱，其具有吸气口以及排气口；
多个第1配管，设于所述质量流量控制器箱的内部，且分别安装有质量流量控制器；和
多个第2配管，在所述质量流量控制器箱的内部与所述多个第1配管连结，且在所述质量流量控制器箱的外部与成为所述处理用气体的供给源的多个第3配管通过多个第1联管器连结，
所述多个第1联管器当中的至少1个被第1配管外罩覆盖，以使得将所述第1联管器密闭，
所述第1配管外罩的内部以及所述质量流量控制器箱的内部通过第1连通构件连通。
2.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，
所述第1连通构件包含：外周配管，其将所述多个第2配管当中设有所述第1配管外罩的所述第2配管的外周覆盖。
3.根据权利要求2所述的等离子处理装置，其特征在于，
所述外周配管由金属材料构成。
4.根据权利要求2所述的等离子处理装置，其特征在于，
所述外周配管由树脂材料构成。
5.根据权利要求所述的等离子处理装置，其特征在于，
所述第1连通构件包含：管子，其能拆装地与所述第1配管外罩以及所述质量流量控制器箱连接。
6.根据权利要求5所述的等离子处理装置，其特征在于，
所述管子由能透过可见光的树脂材料构成。
7.根据权利要求2所述的等离子处理装置，其特征在于，
所述多个第1联管器当中的至少1个被第2配管外罩覆盖，以使得将所述第1联管器密闭，
所述第2配管外罩的内部以及所述质量流量控制器箱的内部通过第2连通构件连通，
所述第2连通构件包含：管子，其能拆装地与所述第2配管外罩以及所述质量流量控制器箱连接，
流过运用了所述第2连通构件的所述第1配管、所述第2配管以及所述第3配管的所述处理用气体是具有比流过运用了所述第1连通构件的所述第1配管、所述第2配管以及所述第3配管的所述处理用气体高的沸点的气体。
8.根据权利要求7所述的等离子处理装置，其特征在于，
流过运用了所述第1连通构件的所述第1配管、所述第2配管以及所述第3配管的所述处理用气体是H2、CH3F、CH4、Cl2、SO2、HBr、SiF4、NF3或CO2，
流过运用了所述第2连通构件的所述第1配管、所述第2配管以及所述第3配管的所述处理用气体是SiCl4或BCl3，
流过未运用所述第1连通构件或所述第2连通构件的所述第1配管、所述第2配管以及所述第3配管的所述处理用气体是Ar、He、O2、N2、CHF3、SF6或CF4。
9.根据权利要求7所述的等离子处理装置，其特征在于，
在运用了所述第2连通构件的所述第1配管、所述第2配管以及所述第3配管的外周设有加热器。
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JP3684624B2 (ja) * 1995-08-02 2005-08-17 ソニー株式会社 反応ガス供給装置
JP2000150387A (ja) * 1998-11-18 2000-05-30 Applied Materials Inc 配管系構造及び配管系ユニット
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