CN115696962A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents
显示装置及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115696962A CN115696962A CN202210877450.3A CN202210877450A CN115696962A CN 115696962 A CN115696962 A CN 115696962A CN 202210877450 A CN202210877450 A CN 202210877450A CN 115696962 A CN115696962 A CN 115696962A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- openings
- region
- display device
- conductive layer
- transmissive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 54
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 33
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 241
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 52
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 34
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 27
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/868—Arrangements for polarized light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Geometry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种显示装置及其制造方法，显示装置包括：基板，包括第一区域以及第二区域，第一区域包括透射区域以及与透射区域相邻的非透射区域，第二区域比第一区域透射率低；显示部，配置于基板上的非透射区域以及第二区域；导电层，配置于基板和显示部之间，并界定有与透射区域重叠的多个第一开口；低反射层，配置于基板和导电层之间，并与导电层重叠，并且界定有与透射区域重叠的多个第二开口；以及偏振膜，配置于基板之下，并与导电层重叠，并且界定有与透射区域重叠的多个第三开口。
Description
技术领域
本发明涉及显示装置及其制造方法。更详细地，本发明涉及可以前面发光的显示装置及其制造方法。
背景技术
显示装置根据显示图像，可以向用户提供视觉上信息。为此，显示装置可以包括将电信号转换为图像的显示面板。显示面板可以包括透射入射到显示装置的外部光的透射区域。配置于显示面板的背面的功能性模组可以通过透射区域感测或者识别位于显示面板的前面的事物、用户等。
当外部光穿过具有相对小的面积的透射区域而入射到功能性模组时，可能发生光的干涉。另外，当被干涉的外部光被显示面板及/或功能性模组反射时，用户可能在透射区域中看到鬼像(ghost image)等。
发明内容
本发明的一目的在于提供一种减少外部光反射的显示装置。
本发明的另一目的在于提供一种所述显示装置的制造方法。
然而，本发明的目的不限于上述的目的，可以在不脱离本发明的构思以及领域的范围内进行各种扩展。
可以是，根据实施例的显示装置包括：基板，包括第一区域以及第二区域，所述第一区域包括透射区域以及与所述透射区域相邻的非透射区域，所述第二区域比所述第一区域透射率低；显示部，配置于所述基板上的所述非透射区域以及所述第二区域；导电层，配置于所述基板和所述显示部之间，并界定有与所述透射区域重叠的多个第一开口；低反射层，配置于所述基板和所述导电层之间，并与所述导电层重叠，并且界定有与所述透射区域重叠的多个第二开口；以及偏振膜，配置于所述基板之下，并与所述导电层重叠，并且界定有与所述透射区域重叠的多个第三开口。
在一实施例中，可以是，在平面图上，各个所述第一开口和各个所述第二开口彼此重叠，各个所述第一开口和各个所述第三开口彼此重叠。
在一实施例中，可以是，在平面图上，所述第三开口各自的面积小于或等于所述第一开口各自的面积。
在一实施例中，可以是，各个所述第一开口以及各个所述第二开口具有彼此相同的形状。
在一实施例中，可以是，所述导电层包括排列为矩阵形态的多个单元图案以及连接所述单元图案的多个桥接图案。
在一实施例中，可以是，所述第一开口各自由所述单元图案以及所述桥接图案界定。
在一实施例中，可以是，所述低反射层包括非晶硅、氧化硅或者它们的混合物。
在一实施例中，可以是，所述偏振膜的反射率小于所述导电层的反射率。
在一实施例中，可以是，所述显示装置还包括：功能性模组，配置于所述基板以及所述偏振膜的下方，并与所述第一区域重叠。
在一实施例中，可以是，所述显示部包括配置于所述导电层上的晶体管以及与所述晶体管电连接的发光元件。
在一实施例中，可以是，所述晶体管以及所述发光元件仅与所述非透射区域以及所述第二区域重叠，并与所述透射区域不重叠。
可以是，根据实施例的显示装置包括：基板，包括第一区域以及第二区域，所述第一区域包括透射区域以及与所述透射区域相邻的非透射区域，所述第二区域比所述第一区域透射率低；显示部，配置于所述基板上的所述非透射区域以及所述第二区域；导电层，配置于所述基板和所述显示部之间，并与所述非透射区域以及所述第二区域重叠，并且界定有与所述透射区域重叠的多个第一开口；低反射层，配置于所述基板和所述导电层之间，并与所述导电层重叠，并且界定有与所述第一开口分别重叠并与所述第一开口各自具有相同的形状的多个第二开口；以及偏振膜，配置于所述基板之下，并与所述导电层重叠，并且界定有与所述第一开口分别重叠的多个第三开口，多个所述第三开口具有小于或等于所述第一开口各自的面积的面积。
在一实施例中，可以是，所述导电层包括排列为矩阵形态的多个单元图案以及连接所述单元图案的多个桥接图案。
在一实施例中，可以是，所述第一开口各自由所述单元图案以及所述桥接图案界定。
可以是，根据实施例的显示装置的制造方法包括：在基板上形成低反射层的步骤，所述基板包括第一区域以及第二区域，所述第一区域包括透射区域以及与所述透射区域相邻的非透射区域，所述第二区域比所述第一区域透射率低；在所述低反射层上形成导电层的步骤；将与所述透射区域重叠的所述导电层的部分进行图案化，从而形成多个第一开口的步骤；将与所述透射区域重叠的所述低反射层的部分进行图案化，从而形成多个第二开口的步骤；在所述导电层上形成显示部的步骤；在所述基板之下形成偏振膜的步骤；以及在所述偏振膜形成与所述第一开口分别重叠的多个第三开口的步骤。
在一实施例中，可以是，所述偏振膜与所述导电层重叠。
在一实施例中，可以是，在平面图上，所述第三开口各自的面积小于或等于所述第一开口各自的面积。
在一实施例中，可以是，所述第一开口和所述第二开口同时形成。
在一实施例中，可以是，各个所述第一开口以及各个所述第二开口形成为彼此相同的形状。
在一实施例中，可以是，所述第三开口通过向所述偏振膜照射激光来形成。
根据本发明的实施例的显示装置包括第一区域，所述第一区域包括透射区域以及非透射区域，并且在配置于所述非透射区域的导电层下方包括与所述导电层重叠的低反射层以及偏振膜，由此可以减少或者实质上防止穿过所述第一区域的外部光的反射。由此，可以看不到由于所述第一区域中的外部光的干涉以及反射导致的鬼像。
然而，本发明的效果不限于前述的效果，可以在不脱离本发明的构思以及领域的范围内进行各种扩展。
附图说明
图1是示出根据本发明的一实施例的显示装置的一部分的平面图。
图2是示出沿着图1的I-I'线截取的一例的截面图。
图3是示出包括在图1的根据本发明的一实施例的显示装置中的第一区域的一例的平面图。
图4是沿着图3的II-II'线截取的截面图。
图5是示出图3的又一实施例的平面图。
图6是沿着图5的III-III'线截取的截面图。
图7至图13是用于说明根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法的截面图。
(附图标记说明)
10：显示装置 100：显示面板
DP：显示部 POL：偏振膜
EL：封装层 CP：导电层
LRL：低反射层 A1：第一区域
A2：第二区域 TA：透射区域
NTA：非透射区域 OP1：第一开口
OP2：第二开口 OP3：第三开口
具体实施方式
以下，参照所附的附图，更加详细说明根据本发明的实施例。对于附图上的相同的构成要件，使用相同的附图标记，省略对相同的构成要件的重复说明。
图1是示出根据本发明的一实施例的显示装置的一部分的平面图。图2是示出沿着图1的I-I'线截取的一例的截面图。
参照图1以及图2，显示装置10可以包括显示面板100、偏振膜POL以及功能性模组200。
所述显示面板100可以包括第一区域A1以及第二区域A2。所述第一区域A1以及所述第二区域A2各自可以为用于显示图像的显示区域。所述第一区域A1可以包括透射外部光的透射区域以及围绕所述透射区域的非透射区域。所述第一区域A1可以显示图像的同时，透射入射到所述第一区域A1的外部光。
所述第一区域A1和所述第二区域A2可以彼此相邻设置。在一实施例中，所述第二区域A2可以围绕所述第一区域A1的至少一部分。例如，可以是，所述第一区域A1在平面上从所述显示面板100的边缘隔开并配置于所述显示面板100内，所述第二区域A2围绕所述第一区域A1的全部。
在一实施例中，所述第一区域A1可以具有圆形的平面形状。然而，本发明不限于此，所述第一区域A1也可以具有各种多边形的平面形状。
所述显示面板100可以包括基板SUB、显示部DP、导电层(例如，图3以及图4的导电层CP)、低反射层(例如，图4的低反射层LRL)以及封装层EL。根据所述显示面板100包括所述第一区域A1以及所述第二区域A2，所述基板SUB也可以包括所述第一区域A1以及所述第二区域A2。所述显示部DP可以配置于所述基板SUB上。所述显示部DP可以包括用于显示图像的像素。所述像素可以由晶体管以及与所述晶体管连接的发光元件构成。所述导电层可以配置于所述基板SUB和所述显示部DP之间。所述低反射层可以配置于所述基板SUB和所述导电层之间。
所述偏振膜POL可以配置于所述基板SUB之下。在一实施例中，所述偏振膜POL可以与所述第一区域A1局部重叠。例如，所述偏振膜POL可以配置为仅与所述第一区域A1中的所述非透射区域重叠。然而，不限于此，所述偏振膜POL可以与所述第一区域A1以及所述第二区域A2重叠。
所述功能性模组200可以配置于与所述第一区域A1相对应的所述显示面板100的下方。在一实施例中，所述功能性模组200配置于在所述第一区域A1中比所述偏振膜POL位于下方。所述功能性模组200可以接收穿过所述第一区域A1的外部光。
在一实施例中，作为所述功能性模组200的示例，可以举出相机模组、人脸识别传感器模组、瞳孔识别传感器模组、加速度传感器模组、地磁传感器模组、接近传感器模组、红外线传感器模组以及照度传感器模组等。所述相机模组可以为拍摄(或者识别)位于显示装置的前面的事物的图像的模组。所述人脸识别传感器模组可以为感测用户的脸部的模组。所述瞳孔识别传感器模组可以为感测用户的瞳孔的模组。所述加速度传感器模组以及所述地磁传感器模组可以为判断所述显示装置的移动的模组。所述接近传感器模组以及所述红外线传感器模组可以为感测是否接近所述显示装置的前面的模组。所述照度传感器模组可以为测定外部的亮度的程度的模组。
图3是示出包括在图1的根据本发明的一实施例的显示装置中的第一区域的一例的平面图。
参照图1至图3，所述第一区域A1可以包括透射区域TA以及非透射区域NTA。所述非透射区域NTA可以与所述透射区域TA相邻。例如，所述透射区域TA可以为没有配置所述导电层CP的区域，所述非透射区域NTA可以为配置所述导电层CP的区域。因此，所述透射区域TA以及所述非透射区域NTA可以根据所述导电层CP的形状而配置关系和面积不同。
所述透射区域TA可以为透射入射到所述显示装置10的外部光的区域。通过所述第一区域A1包括透射外部光的所述透射区域TA，配置在与所述第一区域A1相对应的所述显示面板100的下方的所述功能性模组200可以通过所述透射区域TA感测或者识别位于所述显示装置10的前面的事物或者用户。
所述非透射区域NTA可以为发射从所述显示部DP生成的光的区域。所述显示部DP可以包括多个像素。另外，所述像素可以包括发射彼此不同颜色的光的多个子像素。例如，所述子像素可以包括发射红色光的红色子像素、发射绿色光的绿色子像素以及发射蓝色光的蓝色子像素。例如，所述子像素可以通过条纹(stripe)方式排列或者通过pentileTM方式排列。
根据所述第一区域A1包括所述透射区域TA，所述第一区域A1的每单位面积中的所述子像素的数量可以小于所述第二区域A2的每单位面积中的子像素的数量。换句而言，所述第一区域A1的分辨率可以小于所述第二区域A2的分辨率。
在一实施例中，根据所述第一区域A1包括所述透射区域TA，所述第一区域A1的透射率可以高于所述第二区域A2的透射率。换句而言，所述第二区域A2的透射率可以低于所述第一区域A1的透射率。
在一实施例中，可以在与所述非透射区域NTA相对应的所述基板SUB上配置所述导电层CP。所述导电层CP可以与所述非透射区域NTA重叠，并与所述透射区域TA不重叠。
在一实施例中，所述导电层CP可以包括多个单元图案UP以及连接所述单元图案UP的多个桥接图案BP。所述多个单元图案UP可以以各种方式排列。例如，所述多个单元图案UP可以排列为矩阵形态。
在一实施例中，可以在所述导电层CP形成第一开口OP1。例如，所述第一开口OP1可以由所述单元图案UP以及所述桥接图案BP界定。所述第一开口OP1可以与所述透射区域TA重叠。
通过所述第一开口OP1形成于所述导电层CP，可以界定所述透射区域TA。即，由于所述第一开口OP1，外部光可以在所述透射区域TA中透射。
在一实施例中，可以在所述导电层CP之下配置所述低反射层。所述低反射层可以与所述导电层CP重叠。例如，所述低反射层的形状可以与所述导电层CP的形状相同。然而，根据本发明的实施例可以不限于此。
根据所述低反射层的形状与所述导电层CP的形状相同，所述低反射层可以与所述非透射区域NTA重叠，并与所述透射区域TA不重叠。另外，所述低反射层也可以包括多个单元图案以及连接所述单元图案的多个桥接图案。
可以在所述低反射层形成第二开口OP2。例如，所述第二开口OP2可以由包括在所述低反射层中的所述单元图案以及所述桥接图案界定。各个所述第二开口OP2可以与各个所述第一开口OP1分别重叠，并可以与各个所述第一开口OP1具有彼此相同的形状。所述第二开口OP2可以与所述透射区域TA重叠。
在一实施例中，可以在所述基板SUB之下配置所述偏振膜POL。所述偏振膜POL可以与所述导电层CP重叠。所述偏振膜POL的形状可以与所述导电层CP的形状相同。所述偏振膜POL的面积可以与所述导电层CP的面积相同。所述偏振膜POL可以与所述导电层CP整体重叠。因此，所述偏振膜POL可以与所述非透射区域NTA重叠。另外，所述偏振膜POL也可以包括多个单元图案以及连接所述单元图案的多个桥接图案。
可以在所述偏振膜POL形成第三开口OP3。例如，所述第三开口OP3可以由包括在所述偏振膜POL中的所述单元图案以及所述桥接图案界定。各个所述第三开口OP3可以与各个所述第一开口OP1分别重叠。例如，所述偏振膜POL的面积可以与所述导电层CP的面积相同，在该情况下，所述第三开口OP3各自的面积可以与所述第一开口OP1各自的面积实质上相同。
图4是沿着图3的II-II'线截取的截面图。
参照图1至图4，所述显示面板100可以包括所述基板SUB、阻挡层BRR、所述低反射层LRL、所述导电层CP、所述显示部DP以及所述封装层EL。所述显示部DP可以包括缓冲层BFR、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD、晶体管TR、通孔绝缘层VIA、像素界定膜PDL以及发光元件LD。所述晶体管TR可以包括有源层ACT、源极电极SE、栅极电极GE以及漏极电极DE。所述发光元件LD可以包括第一电极E1、发光层LL以及第二电极E2。所述封装层EL可以包括第一无机封装层IL1、有机封装层OL以及第二无机封装层IL2。
所述基板SUB可以包含透明的物质或者不透明的物质。作为构成所述基板SUB的物质的示例，可以举出塑料、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚芳酯、聚酰亚胺等。所述物质可以单独或者混合使用。然而，构成基板SUB的物质不限于此，所述基板SUB可以包括包含硅的玻璃材料。
可以在所述基板SUB上配置所述阻挡层BRR。所述阻挡层BRR可以防止异物从所述基板SUB的下方侵入。作为构成所述阻挡层BRR的物质的示例，可以举出氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。所述物质可以单独或者混合使用。
在所述非透射区域NTA中，可以在所述阻挡层BRR上配置所述低反射层LRL。在一实施例中，所述低反射层LRL可以包含非晶硅、硅或者它们的混合物。所述低反射层LRL可以防止外部光到达所述导电层CP。所述低反射层LRL的反射率可以小于所述导电层CP的反射率。
在所述非透射区域NTA中，可以在所述低反射层LRL上配置所述导电层CP。所述导电层CP可以阻止从显示装置10的外部入射的外部光。例如，所述导电层CP可以包含透光性低的金属物质。
所述导电层CP可以包含导电物质。例如，作为构成所述导电物质的示例，可以举出铝、铂、钯、银、镁、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙、钼、钛、钨、铜等。所述物质可以单独或者混合使用。优选地，所述导电层CP可以包含钼(Mo)。
在所述非透射区域NTA中，可以在所述导电层CP上配置所述缓冲层BFR。所述缓冲层BFR可以覆盖所述导电层CP。所述缓冲层BFR可以防止异物从所述导电层CP侵入。作为构成所述缓冲层BFR的物质的示例，可以举出氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。所述物质可以单独或者混合使用。
在所述非透射区域NTA中，可以在所述缓冲层BFR上配置有源层ACT。所述有源层ACT可以包含半导体物质。例如，所述有源层ACT可以包含硅类半导体物质。或者，所述有源层ACT可以包含氧化物类半导体物质。
在所述非透射区域NTA中，可以在所述缓冲层BFR上配置所述栅极绝缘层GI。所述栅极绝缘层GI可以覆盖所述有源层ACT。所述栅极绝缘层GI可以使所述有源层ACT和所述栅极电极GE绝缘。所述栅极绝缘层GI可以包含无机绝缘物质。例如，所述栅极绝缘层GI可以包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。
在所述非透射区域NTA中，可以在所述栅极绝缘层GI上配置所述栅极电极GE。所述栅极电极GE可以配置为与所述有源层ACT重叠。所述栅极电极GE可以包含导电物质。例如，作为构成所述栅极电极GE的导电物质的示例，可以举出铝、铂、钯、银、镁、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙、钼、钛、钨、铜等。所述物质可以单独或者混合使用。当向所述栅极电极GE施加电信号时，所述源极电极SE和所述漏极电极DE可以电连接。
在所述非透射区域NTA中，可以在所述栅极绝缘层GI上配置所述层间绝缘层ILD。所述层间绝缘层ILD可以覆盖所述栅极电极GE。所述层间绝缘层ILD可以使所述栅极电极GE和所述源极电极SE绝缘。另外，所述层间绝缘层ILD可以使所述栅极电极GE和所述漏极电极DE绝缘。所述层间绝缘层ILD可以包含无机绝缘物质。例如，作为构成所述层间绝缘层ILD的无机绝缘物质的示例，可以举出氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。所述物质可以单独或者混合使用。
在所述非透射区域NTA中，可以在所述层间绝缘层ILD之上配置所述源极电极SE以及所述漏极电极DE。所述源极电极SE以及所述漏极电极DE可以与所述有源层ACT接触。例如，所述源极电极SE可以通过贯穿所述层间绝缘层ILD以及所述栅极绝缘层GI的接触孔与所述有源层ACT的一侧接触。例如，所述漏极电极DE可以通过贯穿所述层间绝缘层ILD以及所述栅极绝缘层GI的接触孔与所述有源层ACT的另一侧接触。所述源极电极SE以及所述漏极电极DE各自可以包含导电性物质。例如，作为构成所述源极电极SE以及所述漏极电极DE的导电性物质的示例，可以举出铝、铂、钯、银、镁、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙、钼、钛、钨、铜等。所述物质可以单独或者混合使用。
在所述非透射区域NTA以及所述透射区域TA中，可以配置所述通孔绝缘层VIA。具体地，在所述非透射区域NTA中，可以在所述层间绝缘层ILD之上配置所述通孔绝缘层VIA。在所述透射区域TA中，可以在所述阻挡层BRR之上配置所述通孔绝缘层VIA。即，所述通孔绝缘层VIA可以配置于所述非透射区域NTA以及所述透射区域TA。然而，根据本发明的实施例不限于此，所述通孔绝缘层VIA可以仅配置于所述非透射区域NTA。另外，在附图中示出所述通孔绝缘层VIA为单层，但不限于此，所述通孔绝缘层VIA可以为多层。
所述通孔绝缘层VIA可以覆盖所述源极电极SE以及所述漏极电极DE。所述通孔绝缘层VIA可以覆盖所述低反射层LRL、所述导电层CP、所述缓冲层BFR、所述栅极绝缘层GI以及所述层间绝缘层ILD的侧面。所述通孔绝缘层VIA可以具有平坦的上面。所述通孔绝缘层VIA可以包含有机绝缘物质。例如，作为构成所述通孔绝缘层VIA的有机绝缘物质的示例，可以举出丙烯酸、苯并环丁烯(BCB，benzocyclobutene)、六甲基二硅氧烷(HMDSO，hexamethyldisiloxane)等。所述物质可以单独或者混合使用。
在所述非透射区域NTA中，可以在所述通孔绝缘层VIA之上配置所述第一电极E1。所述第一电极E1可以与所述漏极电极DE电连接。例如，所述第一电极E1可以通过贯穿所述通孔绝缘层VIA的接触孔与漏极电极DE的一侧接触。所述第一电极E1可以包含导电层物质。例如，作为构成所述第一电极E1的导电性物质的示例，可以举出ITO、IZO、IGO、AZO、IGZO等。所述物质可以单独或者混合使用。或者，所述第一电极E1也可以包含与所述栅极电极GE相同的物质。
在所述非透射区域NTA中，可以在所述通孔绝缘层VIA之上配置所述像素界定膜PDL。所述像素界定膜PDL可以覆盖所述第一电极E1的至少一部分。所述像素界定膜PDL可以包括暴露所述第一电极E1的至少一部分的开口。
在所述非透射区域NTA中，可以在所述第一电极E1之上配置所述发光层LL。所述发光层LL可以包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子注入层、电子传输层。所述发光层LL可以发出光。或者，所述发光层LL可以包含无机发光物质。例如，所述无机发光物质可以包括氮化镓(GaN)。
在所述非透射区域NTA中，可以在所述像素界定膜PDL之上配置所述第二电极E2。所述第二电极E2可以覆盖所述发光层LL并配置。所述第二电极E2可以包括功函数相对小的金属。例如，作为构成所述第二电极E2的示例，可以举出锂、钙、铝、银、镁等。所述物质可以单独或者混合使用。
在所述非透射区域NTA中，所述有源层ACT、所述栅极电极GE、所述源极电极SE以及所述漏极电极DE可以定义所述晶体管TR。在所述非透射区域NTA中，所述第一电极E1、所述发光层LL以及所述第二电极E2可以定义所述发光元件LD。所述发光层LL可以通过所述第一电极E1与所述晶体管TR电连接。由此，所述发光层LL可以从所述晶体管TR接收电信号，发出与所述电信号的强度相对应的亮度的光。
所述晶体管TR以及所述发光元件LD可以仅与所述非透射区域NTA重叠。所述晶体管TR以及所述发光元件LD可以与所述透射区域TA不重叠。因此，可以是，所述透射区域TA透射光，所述非透射区域NTA发射光。如此，通过所述第一区域A1包括所述透射区域TA以及所述非透射区域NTA，所述第一区域A1可以具有比所述第二区域A2相对高的透射率。
在所述非透射区域NTA以及所述透射区域TA中，可以配置所述第一无机封装层IL1。具体地，在所述非透射区域NTA中，可以在所述第二电极E2之上配置所述第一无机封装层IL1。在所述透射区域TA中，所述第一无机封装层IL1可以配置于所述通孔绝缘层VIA之上。所述第一无机封装层IL1可以覆盖所述像素界定膜PDL以及所述第二电极E2。作为构成所述第一无机封装层IL1的物质的示例，可以举出氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。所述物质可以单独或者混合使用。
在所述非透射区域NTA以及所述透射区域TA中，可以在所述第一无机封装层IL1之上配置所述有机封装层OL。由于所述第一无机封装层IL1沿着下方的构造物形成，因此所述第一无机封装层IL1的上面可以不平坦。所述有机封装层OL可以具有比所述第一无机封装层IL1相对厚的厚度，并可以经过平坦化工艺具有平坦的上面。由此，所述显示装置10可以防止在对配置于所述有机封装层OL上的构成(例如，触摸感测层、覆盖窗等)进行配置时发生缝隙不良。所述有机封装层OL可以具有实质上平坦的上面。作为构成所述有机封装层OL的物质的示例，可以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸类树脂等。所述物质可以单独或者混合使用。
在所述非透射区域NTA以及所述透射区域TA中，可以在所述有机封装层OL之上配置所述第二无机封装层IL2。作为构成所述第二无机封装层IL2的物质的示例，可以举出氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。所述物质可以单独或者混合使用。所述第一无机封装层IL1、所述有机封装层OL以及所述第二无机封装层IL2可以防止来自所述显示装置10外部的水分、氧气等的侵入。
在所述非透射区域NTA以及所述透射区域TA中，所述第一无机封装层IL1、所述有机封装层OL以及所述第二无机封装层IL2可以定义所述封装层EL。所述封装层EL可以与所述非透射区域NTA以及所述透射区域TA重叠。即，所述封装层EL可以从所述非透射区域NTA向所述透射区域TA延伸。
在所述非透射区域NTA中，可以在所述基板SUB之下配置所述偏振膜POL。所述偏振膜POL的反射率可以小于所述导电层CP的反射率。所述偏振膜POL可以防止被所述功能性模组200反射的外部光到达所述导电层CP。为此，所述偏振膜POL可以配置为与所述导电层CP的整体重叠。
当外部光穿过所述第一区域A1时，可以发生光的干涉，当被干涉的所述外部光被所述显示面板100及/或所述功能性模组200反射时，用户可能看到显示于所述第一区域A1的鬼像(ghost image)等。然而，根据本发明的一实施例的所述显示装置10包括配置于所述第一区域A1并与所述导电层CP重叠的所述低反射层LRL以及所述偏振膜POL，即便所述外部光被所述功能性模组200反射，也可以防止所述外部光被所述导电层CP再反射。即，所述低反射层LRL以及所述偏振膜POL可以阻止到达所述导电层CP的所述外部光。由此，可以防止用户看到鬼像(ghost image)等。
图5是示出图3的又一实施例的平面图。图6是沿着图5的III-III'线截取的截面图。
图5以及图6中示出的显示装置与参照图3以及图4说明的显示装置除了偏振膜POL之外，可以实质上相同。因此省略重复的说明。
参照图5以及图6，在一实施例中，可以在基板SUB之下配置偏振膜POL。所述偏振膜POL可以与所述导电层CP重叠。所述偏振膜POL的形状可以与所述导电层CP的形状类似。所述偏振膜POL的面积可以大于所述导电层CP的面积。所述偏振膜POL可以与所述导电层CP整体重叠。因此，所述偏振膜POL可以与所述非透射区域NTA重叠。另外，所述偏振膜POL也可以与所述透射区域TA局部重叠。
所述偏振膜POL也可以包括多个单元图案以及连接所述多个单元图案的多个桥接图案。所述第三开口OP3可以由包括在所述偏振膜POL中的所述单元图案以及所述桥接图案界定。各个所述第三开口OP3可以与各个所述第一开口OP1重叠。具体地，各个所述第三开口OP3可以与各个所述第一开口OP1局部重叠。例如，所述偏振膜POL的面积可以大于所述导电层CP的面积，在该情况下，所述第三开口OP3各自的面积可以小于所述第一开口OP1各自的面积。
图7至图13是用于说明根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法的截面图。例如，图7至图13可以为制造根据图1至图4的显示装置的方法。
参照图1以及图7，可以提供基板SUB。所述基板SUB可以包括第一区域A1以及第二区域A2，所述第一区域A1可以包括透射区域TA以及与所述透射区域TA相邻的非透射区域NTA。在所述透射区域TA以及所述非透射区域NTA中，可以在所述基板SUB上形成阻挡层BRR。
参照图8以及图9，在所述透射区域TA以及所述非透射区域NTA中，可以在所述阻挡层BRR上形成低反射层LRL，可以在所述低反射层LRL上形成所述导电层CP。所述低反射层LRL可以由非晶硅、氧化硅或者它们的混合物形成。所述导电层CP可以由钼形成。
参照图10，在一实施例中，可以将所述导电层CP以及所述低反射层LRL同时图案化。可以在所述导电层CP以及所述低反射层LRL中去除与所述透射区域TA重叠的部分。由此，可以在所述导电层CP形成第一开口OP1、排列为矩阵形态的多个第一单元图案(例如，图3的单元图案UP)以及连接所述第一单元图案的多个第一桥接图案(例如，图3的桥接图案BP)。所述第一开口OP1各自可以由所述第一单元图案以及所述第一桥接图案界定。
同样地，可以在所述低反射层LRL形成第二开口OP2、排列为矩阵形态的多个第二单元图案以及连接所述第二单元图案的多个第二桥接图案。所述第二开口OP2各自可以由所述第二单元图案以及所述第二桥接图案界定。
在一实施例中，可以同时形成所述第一开口OP1以及所述第二开口OP2，所述第一开口OP1以及所述第二开口OP2可以分别重叠。另外，所述第一开口OP1以及所述第二开口OP2各自可以形成为彼此相同的形状。根据将所述导电层CP和所述低反射层LRL同时图案化，可以使制造工艺变得简单。
参照图11，在所述非透射区域NTA中，可以在所述导电层CP上形成显示部DP。所述显示部DP可以包括缓冲层BFR、栅极绝缘层GI、有源层ACT、源极电极SE、漏极电极DE、栅极电极GE、层间绝缘层ILD、通孔绝缘层VIA、像素界定膜PDL以及发光元件LD。即，可以在所述导电层CP上形成所述缓冲层BFR、所述栅极绝缘层GI、所述有源层ACT、所述源极电极SE、所述漏极电极DE、所述栅极电极GE、所述层间绝缘层ILD、所述通孔绝缘层VIA、所述像素界定膜PDL以及所述发光元件LD。所述发光元件LD可以包括第一电极E1、发光层LL以及第二电极E2。然后，在所述非透射区域NTA以及所述透射区域TA中，可以在所述显示部DP上形成所述封装层EL。所述封装层EL可以包括第一无机封装层IL1、有机封装层OL以及第二无机封装层IL2。
参照图12以及图13，在所述透射区域TA以及所述非透射区域NTA中，可以在所述基板SUB之下形成偏振膜POL。在一实施例中，可以向所述偏振膜POL照射激光，从而将所述偏振膜POL图案化。可以在所述偏振膜POL中去除与所述导电层CP不重叠的部分。即，可以在所述偏振膜POL中残留与所述非透射区域NTA重叠的部分。由此，可以在所述偏振膜POL形成第三开口OP3、排列为矩阵形态的多个第三单元图案以及连接所述第三单元图案的多个第三桥接图案。所述第三开口OP3各自可以由所述第三单元图案以及所述第三桥接图案界定。
各个所述第三开口OP3可以与各个所述第一开口OP1重叠，所述偏振膜POL可以与所述导电层CP整体重叠。所述第三开口OP3各自可以与所述第一开口OP1各自的形状相同(例如，图3以及图4的第三开口OP3)或者类似(例如，图5以及图6的第三开口OP3)。所述第三开口OP3各自的面积可以等于(例如，图3以及图4的第三开口OP3)或者小于(例如，图5以及图6的第三开口OP3)所述第一开口OP1各自的面积。
以上，参照本发明的优选实施例进行了说明，但是所属技术领域的熟练的技术人员应理解是，在不脱离所附的权利要求书中记载的本发明的构思以及领域的范围内，可以对本发明进行各种修改以及变更。
根据本发明的示例性实施例的显示装置可以应用在包括于计算机、笔记本、移动电话、智能电话、智能平板、PMP(个人多媒体播放器)、PDA(个人数字助理)、MP3播放器等的显示装置中。
以上，参照本发明的优选实施例进行了说明，但是所属技术领域中具有常规知识的人员应理解的是，在不脱离所附的权利要求书中记载的本发明的构思以及领域的范围内，可以对本发明进行各种修改以及变更。
Claims (20)
1.一种显示装置，其特征在于，包括：
基板，包括第一区域以及第二区域，所述第一区域包括透射区域以及与所述透射区域相邻的非透射区域，所述第二区域比所述第一区域透射率低；
显示部，配置于所述基板上的所述非透射区域以及所述第二区域；
导电层，配置于所述基板和所述显示部之间，并界定有与所述透射区域重叠的多个第一开口；
低反射层，配置于所述基板和所述导电层之间，并与所述导电层重叠，并且界定有与所述透射区域重叠的多个第二开口；以及
偏振膜，配置于所述基板之下，并与所述导电层重叠，并且界定有与所述透射区域重叠的多个第三开口。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
在平面图上，各个所述第一开口和各个所述第二开口彼此重叠，
各个所述第一开口和各个所述第三开口彼此重叠。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
在平面图上，所述第三开口各自的面积小于或等于所述第一开口各自的面积。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
各个所述第一开口以及各个所述第二开口具有彼此相同的形状。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述导电层包括排列为矩阵形态的多个单元图案以及连接所述单元图案的多个桥接图案。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
所述第一开口各自由所述单元图案以及所述桥接图案界定。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述低反射层包括非晶硅、氧化硅或者它们的混合物。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述偏振膜的反射率小于所述导电层的反射率。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置还包括：
功能性模组，配置于所述基板以及所述偏振膜的下方，并与所述第一区域重叠。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述显示部包括配置于所述导电层上的晶体管以及与所述晶体管电连接的发光元件。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，
所述晶体管以及所述发光元件仅与所述非透射区域以及所述第二区域重叠，并与所述透射区域不重叠。
12.一种显示装置，其特征在于，包括：
基板，包括第一区域以及第二区域，所述第一区域包括透射区域以及与所述透射区域相邻的非透射区域，所述第二区域比所述第一区域透射率低；
显示部，配置于所述基板上的所述非透射区域以及所述第二区域；
导电层，配置于所述基板和所述显示部之间，并与所述非透射区域以及所述第二区域重叠，并且界定有与所述透射区域重叠的多个第一开口；
低反射层，配置于所述基板和所述导电层之间，并与所述导电层重叠，并且界定有与所述第一开口分别重叠并与所述第一开口各自具有相同的形状的多个第二开口；以及
偏振膜，配置于所述基板之下，并与所述导电层重叠，并且界定有与所述第一开口分别重叠的多个第三开口，多个所述第三开口具有小于或等于所述第一开口各自的面积的面积。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，
所述导电层包括排列为矩阵形态的多个单元图案以及连接所述单元图案的多个桥接图案。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，
所述第一开口各自由所述单元图案以及所述桥接图案界定。
15.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成低反射层的步骤，所述基板包括第一区域以及第二区域，所述第一区域包括透射区域以及与所述透射区域相邻的非透射区域，所述第二区域比所述第一区域透射率低；
在所述低反射层上形成导电层的步骤；
将与所述透射区域重叠的所述导电层的部分进行图案化，从而形成多个第一开口的步骤；
将与所述透射区域重叠的所述低反射层的部分进行图案化，从而形成多个第二开口的步骤；
在所述导电层上形成显示部的步骤；
在所述基板之下形成偏振膜的步骤；以及
在所述偏振膜形成与所述第一开口分别重叠的多个第三开口的步骤。
16.根据权利要求15所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
所述偏振膜与所述导电层重叠。
17.根据权利要求15所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
在平面图上，所述第三开口各自的面积小于或等于所述第一开口各自的面积。
18.根据权利要求15所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
所述第一开口和所述第二开口同时形成。
19.根据权利要求15所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
各个所述第一开口以及各个所述第二开口形成为彼此相同的形状。
20.根据权利要求15所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
所述第三开口通过向所述偏振膜照射激光来形成。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2021-0098610 | 2021-07-27 | ||
| KR1020210098610A KR20230017403A (ko) | 2021-07-27 | 2021-07-27 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115696962A true CN115696962A (zh) | 2023-02-03 |
Family
ID=85039288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210877450.3A Pending CN115696962A (zh) | 2021-07-27 | 2022-07-25 | 显示装置及其制造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230030952A1 (zh) |
| KR (1) | KR20230017403A (zh) |
| CN (1) | CN115696962A (zh) |
-
2021
- 2021-07-27 KR KR1020210098610A patent/KR20230017403A/ko unknown
-
2022
- 2022-07-25 CN CN202210877450.3A patent/CN115696962A/zh active Pending
- 2022-07-25 US US17/872,904 patent/US20230030952A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20230030952A1 (en) | 2023-02-02 |
| KR20230017403A (ko) | 2023-02-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11526244B2 (en) | Touch screen panel and display apparatus with integrated touch screen | |
| KR102581273B1 (ko) | 전자 장치 | |
| KR102480091B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
| US11424298B2 (en) | Display panel and display device | |
| CN108598109B (zh) | 显示面板和显示装置 | |
| CN108630727B (zh) | 有机发光二极管显示装置 | |
| KR20190085191A (ko) | 표시 장치 | |
| US20190278968A1 (en) | Fingerprint sensor package and display device including the same | |
| US11721260B2 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
| KR20200142162A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20200001299A (ko) | 광학식 이미지 센서 내장형 표시장치 | |
| KR20200046222A (ko) | 표시 장치 | |
| CN113257868A (zh) | 显示装置和电子设备 | |
| KR20210012086A (ko) | 표시 장치 | |
| CN108550602A (zh) | 显示面板和显示装置 | |
| KR20210093401A (ko) | 표시 장치 및 휴대용 단말기 | |
| KR20210130903A (ko) | 표시 장치 및 전자 기기 | |
| CN115696962A (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
| US11678527B2 (en) | Display device and method of fabricating the same | |
| US20240162404A1 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
| US20240242681A1 (en) | Display device | |
| TWM650976U (zh) | 顯示裝置 | |
| KR20240054475A (ko) | 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 기기 | |
| KR20240137157A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20230099770A (ko) | 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |