CN115694397A - 具有多个底电极层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 24
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 10
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 345
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 5
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 5
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052773 Promethium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000013473 artificial intelligence Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N promethium atom Chemical compound [Pm] VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical compound [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
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Abstract
本发明涉及一种体声波谐振器及其制造方法。该谐振器包括：基底；底电极；顶电极；和压电层，其中：所述底电极包括多个电极层，所述多个电极层至少包括在谐振器的厚度方向上设置的第一电极层和第二电极层，第二电极层覆盖第一电极层的上侧的至少一部分；所述谐振器还包括覆盖层，且在所述底电极的非电极连接端的外侧，所述覆盖层的上表面与所述第二电极层的上表面在谐振器的高度方向上错开。本发明还涉及一种滤波器以及一种电子设备。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种体声波谐振器及其制造方法、一种具有该谐振器的滤波器，以及一种电子设备。
背景技术
电子器件作为电子设备的基本元素，已经被广泛应用，其应用范围包括移动电话、汽车、家电设备等。此外，未来即将改变世界的人工智能、物联网、5G通讯等技术仍然需要依靠电子器件作为基础。
薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，简称FBAR，又称为体声波谐振器，也称BAW)作为压电器件的重要成员正在通信领域发挥着重要作用，特别是FBAR滤波器在射频滤波器领域市场占有份额越来越大，FBAR具有尺寸小、谐振频率高、品质因数高、功率容量大、滚降效应好等优良特性，其滤波器正在逐步取代传统的声表面波(SAW)滤波器和陶瓷滤波器，在无线通信射频领域发挥巨大作用，其高灵敏度的优势也能应用到生物、物理、医学等传感领域。
薄膜体声波谐振器的结构主体为由电极-压电薄膜-电极组成的“三明治”结构，即两层金属电极层之间夹一层压电材料。通过在两电极间输入正弦信号，FBAR利用逆压电效应将输入电信号转换为机械谐振，并且再利用压电效应将机械谐振转换为电信号输出。
对于体声波谐振器，采用了将底电极设置为包括多层电极的形式。如图1和图2所示，该谐振器包括基底101、声学镜或声学镜空腔102、底电极层103、底电极层104、压电层105、顶电极106、钝化层或工艺层107。
对于底电极的形成，在刻蚀或图形化一层底电极层的时候，存在对该底电极层下方的膜层表面结构造成损伤的情形。例如，因为对于两个底电极层的刻蚀会对没有底电极的区域(例如图1中的A区域)的基底101造成一定程度的损伤，这导致图1中的A区域后续生长的压电层以及顶电极会形成严重缺陷，从而影响谐振器的性能。
此外，因为底电极层103、底电极层104的材料很难做到在图形化时具有完全相同的刻蚀速率，因此两种材料的边缘刻蚀角度无法做到相同，结果如图2中所示，在B区域会出现转角结构。这种转角结构会造成后面膜层，比如压电层105和顶电极106在此区域产生严重缺陷，从而影响谐振器性能。
发明内容
为缓解或解决现有技术中的上述问题的至少一个方面，提出本发明。
根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种体声波谐振器，包括：
基底；
底电极；
顶电极；和
压电层，
其中：
所述底电极包括多个电极层，所述多个电极层至少包括在谐振器的厚度方向上设置的第一电极层和第二电极层，第二电极层覆盖第一电极层的上侧的至少一部分；
所述谐振器还包括覆盖层，且在所述底电极的非电极连接端的外侧，所述覆盖层的上表面与所述第二电极层的上表面在谐振器的高度方向上错开。
根据本发明的实施例的另一方面，提出了一种体声波谐振器的制造方法，所述谐振器包括底电极和压电层，所述底电极包括多个电极层，所述多个电极层至少包括在谐振器的厚度方向上设置的第一电极层和第二电极层，第二电极层覆盖第一电极层的上侧的至少一部分，所述方法包括步骤：在所述底电极的非电极连接端设置覆盖层，且在所述底电极的非电极连接端的外侧，所述覆盖层的上表面与所述第二电极层的上表面在谐振器的高度方向上错开。
本发明的实施例还涉及一种滤波器，包括上述的体声波谐振器。
本发明的实施例也涉及一种电子设备，包括上述的滤波器或者上述的谐振器。
附图说明
以下描述与附图可以更好地帮助理解本发明所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：
图1-图2为已知的体声波谐振器的截面示意图；
图3为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图；
图4A-4F为根据本发明的一个示例性实施例的示意性示出图3中的体声波谐振器的制造过程的截面示意图；
图5-8为根据本发明的不同示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图；
图9为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图，其中底电极中设置有空隙层。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。发明的一部分实施例，而并不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
对于底电极包括多层底电极层的体声波谐振器，本发明在底电极的非电极连接端设置覆盖层，以避免或减少每个底电极层的非电极连接端的边缘出现图2所示的B区域导致的缺陷，以及或者进一步的避免或减少在底电极的非电极连接端在图1中的区域A所出现的缺陷。
本发明中的附图标记说明如下：
101：基底，可选材料为单晶硅、氮化镓、砷化镓、蓝宝石、石英、碳化硅、金刚石等。
102：声学镜，可为空腔，例也可采用布拉格反射层及其他等效形式。
103：底电极层，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。
104：底电极层，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等，底电极层103与底电极层104的材料可以不同。
105：压电层，材料可以为氮化铝、氮化镓、铌酸锂、锆钛酸铅(PZT)、铌酸钾、石英薄膜、氧化锌等，还可是包含上述材料的一定原子比的稀土元素掺杂材料，例如可以是掺杂氮化铝，掺杂氮化铝至少含一种稀土元素，如钪(Sc)、钇(Y)、镁(Mg)、钛(Ti)、镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等。
106：顶电极或顶电极层，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。顶电极和底电极材料一般相同，但也可以不同。
107：介质层或工艺层，其材料一般为介质材料，例如可以为氮化铝、二氧化硅、氮化硅等。如能够理解的，也可以不设置介质层或工艺层。
108：种子层或者阻挡层，材料可选AlN、SiN等。
109：种子层或者阻挡层，材料可选AlN、SiN等。
110：声阻抗不匹配结构：可以是空气、SiO2、SiN等，如后面提及的，也可以不设置声阻抗不匹配结构。声阻抗不匹配结构是声学不匹配结构中的一种。
111：凸起结构，材料可选钼，钌，金，铝，镁，钨，铜，钛，铱，锇，铬或以上金属的符合或其合金等，也可以不设置凸起结构。凸起结构是声学不匹配结构中的一种。虽然在图中没有示出，也可以设置例如凹陷结构、桥结构、悬翼结构等声学不匹配结构。
112：底电极层，材料可选钼，钌，金，铝，镁，钨，铜，钛，铱，锇，铬或以上金属的复合或其合金等，在可选的实施例中，底电极层112的材料可以与底电极层104相同。
113：覆盖层，材料可以是金属，有利的，也可以是AlN，SiN，SiO2等介质材料。
115：牺牲层，材料可以是AlN、SiN、SiO2等。
图3为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图。如图3所示，体声波谐振器包括：
基底101；
声学镜102，在图3中其为空腔形式；
底电极，包括在谐振器的厚度方向上设置的底电极层103和底电极层104，可选的，底电极层103和底电极层104的材料彼此不同；
顶电极106；和
压电层105，设置在底电极与顶电极106之间。
在图3中，谐振器还包括介质层或工艺层107，如前所述的，也可以不设置介质层或工艺层107。
在图3所示的实施例中，如能够理解的，底电极可以不是仅仅包括底电极层103和底电极层104，还可以包括更多的底电极层。
如图3所示，声学镜102设置在基底101中，而底电极层103则覆盖在声学镜102的上侧，底电极层104覆盖底电极层103的上侧且在谐振器的厚度方向上处于压电层105与底电极层103之间。
从图3可以看出，谐振器还包括覆盖层113。在底电极的非电极连接端，底电极层103的端面以及底电极层104的一部分被覆盖层113所覆盖，覆盖层113的上表面低于底电极层104的上表面。如此，图3中所示结构以覆盖层113的上表面替代了图2中的区域B处的带转角的端面。采用如图3所示的结构，有利于后续的压电层105、顶电极106的沉积，从而也可以避免或降低图2中的B处的转角结构导致的缺陷。
此外，如图3所示，在底电极非电极连接端的外侧，覆盖层113覆盖基底的上表面的至少一部分。或者，虽然没有示出，在基底上侧设置有种子层的情况下，覆盖层113覆盖设置在基底的上表面的种子层的上表面的至少一部分。如此，以覆盖层113的上表面代替图1中所示A区域中的基底101上表面，从而有利于图1中的A区域后续生长压电层以及顶电极，以减少谐振器的缺陷。
图5为根据本发明的另一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图，其与图3的区别在于，在图5中，增加了阻挡层109，如图5所示，底电极层103覆盖阻挡层109且阻挡层109限定声学镜空腔102的上侧边界的至少一部分。
在图1和图2所示的结构中，因为金属Al的声阻抗较低，所以底电极的多层电极中的远离压电层的电极层，即图1和图2中的底电极层103，常常采用金属Al。但是，在如图1和图2所示的谐振器结构中，声学镜空腔102通常是使用HF来腐蚀牺牲材料SiO2形成，在利用HF释放牺牲材料的过程中，HF容易与图1中的位于声学镜空腔102的上侧的底电极层103的表面接触，而且也容易通过在图2中B所示的不平整部分腐蚀底电极层103，从而导致谐振器结构的破坏。因为图5所示的结构相对于图3所示结构另外设置了阻挡层109，除了可以获得图3所示结构的优点或者技术效果之外，图5所示结构中的阻挡层109还可设计为对例如HF的释放剂有阻抗作用，从而可以避免或减少从图1和图2所示的结构中在对声学镜空腔中的牺牲材料释放过程中对底电极层103的腐蚀。
在图5中，阻挡层109在非电极连接端与底电极层103的非电极连接端齐平。在可选的实施例中，虽然没有示出，阻挡层109在非电极连接端也可以延伸到底电极层103的非电极连接端的内侧。
在可选的实施例中，虽然没有示出，阻挡层109在非电极连接端也可以延伸到底电极层103的非电极连接端的外侧，此时，覆盖层113的非电极连接端可以覆盖阻挡层109的上侧的至少一部分。此时，阻挡层109对应于上面提及的基底上侧设置的种子层。
下面参照图4A-4E示例性说明图3所示的谐振器结构的制造过程。
如图4A所示，提供基底101以及在基底101的上侧形成空腔或凹槽，空腔或凹槽中填充了牺牲层115。如能够理解的，牺牲层115可以是在基底101的上侧设置牺牲材料层(其会填充基底上侧的空腔)后，采用CMP(Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光)工艺形成图4A所示的结构，牺牲层115的上表面与基底101的上表面齐平。牺牲层115在后续的步骤中可以被释放以形成谐振器的声学镜结构。
如图4B所示，在图4A所示结构的基础上，沉积两层底电极材料层以及对其进行图形化而形成底电极层103和底电极层104。
如图4C所示，在图4B所示结构的基础上，沉积覆盖材料层(对应于113)，其材料例如可以为材料可以是AlN，SiN，SiO2等，该材料层的上表面在底电极的非电极连接端高出底电极层104的上表面。覆盖材料层的厚度大于底电极层103和底电极层104的厚度之和。
如图4D所示，在图4C所示结构的基础上，采用CMP工艺将覆盖材料层(对应于113)磨平，最终确保底电极层104上仍然保留部分厚度的覆盖材料，以确保CMP工艺不损伤底电极层104。因为底电极层厚度对于体声波谐振器频率至关重要，而CMP对于厚度的控制精度远低于沉积工艺，所以此处最好不要让CMP工艺接触到底电极层104，以保证底电极层104厚度的精度。
如图4E所示，对图4D所示结构，移除底电极层104上表面的覆盖材料层以及减薄在底电极非电极连接端的覆盖材料层，以形成如图4E所示的覆盖层113。在图4E所对应的步骤中，无需光刻工艺，对整面晶圆进行刻蚀即可。在一个实施例中，选择湿法刻蚀对整面晶圆进行刻蚀，而且选择只刻蚀覆盖材料层，但是基本不刻蚀底电极层104的厚度不变(在本发明中厚度不变不仅包括厚度保持原厚度的情况，也包括了厚度基本不变的情形，例如厚度损失在工艺所许可的范围内的情形)从而保持底电极层104的厚度精度的腐蚀液，从而确保底电极层104的厚度精度。同时为了确保底电极层104上表面的覆盖材料清理干净，刻蚀时间上需要增加一定的过刻，所以刻蚀完成后覆盖层113的上表面可以低于底电极层104的上表面。因为覆盖层113经历过CMP工艺，所以在底电极的非电极连接端可以为平滑表面，因此不会影响后续膜层生长。此外，覆盖层113的上表面有利的高于底电极层103的上表面，从而保护或覆盖底电极层103与底电极层104在非电极连接端的转角。
如图4F所示，在图4E所示结构的基础上，沉积压电层105。如图4F所示，压电层105覆盖底电极层104的上表面以及覆盖层113的上表面。
虽然没有示出，如本领域技术人员能够理解的，可以在图4F所示结构的基础上形成底电极106以及工艺层107，选择刻蚀或释放牺牲层115以形成声学镜空腔102，从而得到图3所示的谐振器结构。
在进一步可选的实施例中，对于底电极层103和底电极层104的材料不同，可以是图3中的底电极层104的声阻抗高于底电极层103的声阻抗，图3中的底电极层103的导电率高于底电极层104的导电率。
在本发明的一个实施例中，谐振器还可设置有沿谐振器的有效区域设置的声学不匹配结构。图6示出了这样的示例性结构。图6中，顶电极在非电极连接端以及电极连接端均设置有声阻抗不匹配结构110和凸起结构111。声阻抗不匹配结构110和凸起结构111均属于声学不匹配结构。在另外具体的实施例中，可以仅设置声阻抗不匹配结构110或凸起结构111，或者，还可以设置凹陷结构等其他的声学不匹配结构。此外，声学不匹配结构在谐振器的厚度方向上的位置也不限于图6中所示的处于顶电极106与压电层105之间，也可以设置在压电层中，或者设置在压电层与底电极之间等，这些均在本发明的保护范围之内。
在图3-6所示的实施例中，覆盖层113的上表面低于底电极层104的上表面，但是本发明不限于此。覆盖层113的上表面也可以高于底电极层104的上表面，图7中示例性示出了这样的结构。如图7所示，覆盖层113的上表面也可以高于底电极层104的上表面，此外，覆盖层113的一部分还覆盖了底电极层104的上表面的一部分。虽然没有示出，覆盖层113也可以不覆盖底电极层104的上表面。
图8为根据本发明的再一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图。在图8所示的结构中，覆盖层113覆盖底电极层104的上表面的一部分、覆盖底电极层104的端面以及底电极层103的端面。通过设置覆盖层113，即使底电极层104和103的非电极连接端的端面存在如图2所示的转角结构，覆盖层113也可以有效缓解或减少该转角结构带来的不利影响。
如图8所示，覆盖层113处于底电极层103的非电极连接端外侧的部分的上表面低于底电极层104的上表面，但是覆盖层113还包括覆盖底电极层104的上表面的部分。
覆盖层113可以为金属层，也可以为非金属层。在有利的实施例中，覆盖层113为非金属层。在覆盖层113为非金属层的情况下，底电极非连接端以外则无需图形化(因为其不会导致不同谐振器间底电极的互联)，从而可以使其他区域平坦化；另外，因为斜坡处压电层容易出现缺陷，而增加非金属覆盖层可以进一步提升抗静电击穿能力。
在图5-图8所示的实施例中，以覆盖层113的上表面替代了图2中的区域B处的带转角的端面，这有利于后续的压电层105、顶电极106的沉积，从而也可以避免或降低图2中的B处的转角结构导致的缺陷。此外，在图5-8所示的结构中，在底电极非电极连接端的外侧，覆盖层113覆盖基底的上表面的至少一部分。如此，以覆盖层113的上表面代替图1中所示A区域中的基底101上表面，从而有利于图1中的A区域后续生长压电层以及顶电极，以减少谐振器的缺陷。
在图3-图8所示的实施例中，声学镜102设置在基底101中，但是本发明不限于此。声学镜也可以设置在底电极中，从而底电极为间隙电极；声学镜也可以设置在底电极与基底之间。这些均在本发明的保护范围之内。
图9为根据本发明的又一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图，在图9所示的结构中，谐振器的声学镜设置在底电极中。如图9所示，底电极层112与底电极层103之间限定有空隙层102。可选的，底电极层112的材料可以不同于底电极层103的材料。
在图9中，可以看到，在所述底电极的非电极连接端的外侧，覆盖层113的上表面低于底电极层104的处于谐振器的有效区域内的上表面。
如图9所示，在非电极连接端，底电极层104覆盖底电极层103的端面以及阻挡层108的端面，底电极层112的端部处于底电极层103的端部的外侧。在可选的实施例中，如图9所示，底电极层104的端面与底电极层112的端面齐平。底电极层104的材料与底电极层112的材料可以相同，这样，在后续的图形化过程中，有利于使得底电极层104的端面与底电极层112的端面齐平。
在图9中设置有阻挡层或种子层108，但是其也可以从图9所示的结构中去除。在图9中，阻挡层108在底电极非连接端的端面与底电极层103的端面齐平，但是，阻挡层108的端面也可以处于底电极层103的该端面的外侧或内侧。
虽然没有示出，在另外的实施例中，在底电极的非电极连接端，在图9中的底电极层103的端面和底电极层112的端面可以齐平，底电极层104的非电极连接端覆盖底电极层103和112的端面。在另外可选的实施例中，图9中的底电极层103和112的端面可以不齐平，但底电极层104的非电极连接端至少覆盖底电极层103的端面。
虽然没有示出，在图9所示的结构中，也可以不另外设置底电极层112，而是在底电极层103和底电极层104之间形成间隙层102，同时，在底电极的非电极连接端，底电极层104的端部覆盖底电极层103的端面。
在本发明中，虽然以湿法刻蚀为例示例性说明对于覆盖材料层的刻蚀以形成覆盖层113，但是本发明不限于湿法刻蚀，只要是能够实现“只刻蚀覆盖材料层，但是基本不刻蚀底电极层104的腐蚀液，从而确保底电极层104的厚度不变(在本发明中厚度不变不仅包括厚度保持原厚度的情况，也包括了厚度基本不变的情形，例如厚度损失在工艺所许可的范围内的情形)从而保持厚度精度”的刻蚀工艺，都包括在本发明的权利要求中的“湿法刻蚀”的范围之内。
在本发明中，上和下是相对于谐振器的基底的底面而言的，对于一个部件，其靠近该底面的一侧为下侧，远离该底面的一侧为上侧。
在本发明中，内和外是相对于谐振器的有效区域(压电层、顶电极、底电极和声学镜在谐振器的厚度方向上的重叠区域构成有效区域)的中心(即有效区域中心)在横向方向或者径向方向上而言的，一个部件的靠近有效区域中心的一侧或一端为内侧或内端，而该部件的远离有效区域中心的一侧或一端为外侧或外端。对于一个参照位置而言，位于该位置的内侧表示在横向方向或径向方向上处于该位置与有效区域中心之间，位于该位置的外侧表示在横向方向或径向方向上比该位置更远离有效区域中心。
如本领域技术人员能够理解的，根据本发明的体声波谐振器可以用于形成滤波器或电子设备。
基于以上，本发明提出了如下技术方案：
1、一种体声波谐振器，包括：
基底；
底电极；
顶电极；和
压电层，
其中：
所述底电极包括多个电极层，所述多个电极层至少包括在谐振器的厚度方向上设置的第一电极层和第二电极层，第二电极层覆盖第一电极层的上侧的至少一部分；
所述谐振器还包括覆盖层，
在所述底电极的非电极连接端的外侧，所述覆盖层的上表面与所述第二电极层的上表面在谐振器的高度方向上错开。
2、根据1所述的谐振器，其中：
在所述底电极的非电极连接端，所述覆盖层覆盖第二电极层的端面的至少一部分。
3、根据2所述的谐振器，其中：
在所述底电极的非电极连接端，所述覆盖层还覆盖所述第一电极层的端面。
4、根据3所述的谐振器，其中：
所述谐振器的声学镜为声学镜空腔；
所述第一电极层覆盖所述声学镜空腔且所述第一电极层限定所述声学镜空腔的上侧边界的至少一部分。
5、根据3所述的谐振器，其中：
所述谐振器的声学镜为声学镜空腔；
所述谐振器还包括阻挡层，所述第一电极层覆盖所述阻挡层且所述阻挡层限定所述声学镜空腔的上侧边界的至少一部分；
在所述底电极的非电极连接端，所述覆盖层还覆盖阻挡层的端面。
6、根据4或5所述的谐振器，其中：
在所述底电极的非电极连接端，所述覆盖层的在第一电极层的非电极连接端的外侧的上表面低于第二电极层的上表面。
7、根据6所述的谐振器，其中：
所述覆盖层还包括覆盖所述第二电极层的上侧的一部分的部分。
8、根据4或5所述的谐振器，其中：
在所述底电极的非电极连接端，所述覆盖层处于第一电极层的非电极连接端的外侧的上表面高于所述第二电极层的上表面。
9、根据8所述的谐振器，其中：
所述覆盖层还包括覆盖所述第二电极层的上侧的一部分的部分。
10、根据1所述的谐振器，其中：
所述底电极中设置有空隙层，所述空隙层限定谐振器的声学镜空腔。
11、根据10所述的谐振器，其中：
所述覆盖层的上表面低于所述第二电极层的处于谐振器的有效区域内的上表面。
12、根据10所述的谐振器，其中：
所述谐振器还包括第三电极层，所述第三电极层与第一电极层之间设置有所述空隙层，第三电极层处于所述空隙层的下方；
在底电极的非电极连接端，所述第三电极层的端部处于所述第一电极层的端部的外侧；
在底电极的非电极连接端，所述覆盖层覆盖所述第三电极层的端面的至少一部分。
13、根据12所述的谐振器，其中：
所述第三电极层的材料与所述第二电极层的材料相同；
在底电极的非电极连接端，所述第三电极层的端面与所述第二电极层的端面齐平。
14、根据10所述的谐振器，其中：
所述谐振器还包括第三电极层，所述第三电极层与第一电极层之间设置有所述空隙层，第三电极层处于所述空隙层的下方；
在底电极的非电极连接端，所述第二电极层的端部处于所述第一电极层的端部和第三电极层的端部的外侧以至少覆盖第一电极层的端面。
15、根据10所述的谐振器，其中：
所述第二电极层与第一电极层之间设置有所述空隙层。
16、根据1-15中任一项所述的谐振器，其中：
所述谐振器还设置有沿所述谐振器的有效区域设置的声学不匹配结构。
17、根据1-16中任一项所述的谐振器，其中：
在所述底电极非电极连接端的外侧，所述覆盖层覆盖基底的上表面的至少一部分或者覆盖设置在基底的上表面的种子层的上表面的至少一部分。
18、一种体声波谐振器的制造方法，所述谐振器包括底电极和压电层，所述底电极包括多个电极层，所述多个电极层至少包括在谐振器的厚度方向上设置的第一电极层和第二电极层，第二电极层覆盖第一电极层的上侧的至少一部分，所述方法包括步骤：
在所述底电极的非电极连接端设置覆盖层，且在所述底电极的非电极连接端的外侧，所述覆盖层的上表面与所述第二电极层的上表面在谐振器的高度方向上错开。
19、根据18所述的方法，其中：
设置覆盖层的步骤包括：设置覆盖底电极以及底电极的非电极连接端外侧的表面的覆盖材料层，以及以湿法刻蚀覆盖材料层的方式形成所述覆盖层。
20、根据19所述的方法，其中：
所述覆盖层的上表面低于所述第二电极层的上表面；且
设置覆盖层的步骤包括：
使得所述覆盖材料层在基底侧的上表面高于所述第二电极层的上表面；
使得所述覆盖材料层平坦化且在第二电极层的上表面保留覆盖材料层；
以湿法刻蚀的方式移除预设厚度的覆盖材料层以形成所述覆盖层且第二电极层的上表面露出，同时保持第二电极层的厚度不变，其中，所述覆盖层的上表面低于所述第二电极层的上表面。
21、根据19所述的方法，其中：
所述覆盖层的上表面高于所述第二电极层的上表面；且
设置覆盖层的步骤包括：
使得所述覆盖材料层在基底侧的上表面高于所述第二电极层的上表面；
在覆盖材料层上设置掩膜层后，以湿法刻蚀的方式移除预设厚度的覆盖材料层以形成所述覆盖层且第二电极层的上表面的预定位置露出，同时保持第二电极层的厚度不变，其中，在底电极的非电极连接端的外侧，所述覆盖层的上表面高于所述第二电极层的上表面。
22、根据19-21中任一项所述的方法，其中：
设置覆盖底电极以及底电极的非电极连接端外侧的表面的覆盖材料层的步骤包括：使得所述覆盖材料层覆盖基底的上表面的至少一部分或者覆盖设置在基底的上表面的种子层的上表面的至少一部分。
23、根据18所述的方法，其中：
设置覆盖层的步骤中，使得所述覆盖层覆盖第二电极层的端面的至少一部分。
24、一种滤波器，包括根据1-17中任一项所述的体声波谐振器。
25、一种电子设备，包括根据24所述的滤波器，或者根据1-17中任一项所述的体声波谐振器。
这里的电子设备，包括但不限于射频前端、滤波放大模块等中间产品，以及手机、WIFI、无人机等终端产品。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行变化，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (25)
1.一种体声波谐振器，包括：
基底；
底电极；
顶电极；和
压电层，
其中：
所述底电极包括多个电极层，所述多个电极层至少包括在谐振器的厚度方向上设置的第一电极层和第二电极层，第二电极层覆盖第一电极层的上侧的至少一部分；
所述谐振器还包括覆盖层，
在所述底电极的非电极连接端的外侧，所述覆盖层的上表面与所述第二电极层的上表面在谐振器的高度方向上错开。
2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
在所述底电极的非电极连接端，所述覆盖层覆盖第二电极层的端面的至少一部分。
3.根据权利要求2所述的谐振器，其中：
在所述底电极的非电极连接端，所述覆盖层还覆盖所述第一电极层的端面。
4.根据权利要求3所述的谐振器，其中：
所述谐振器的声学镜为声学镜空腔；
所述第一电极层覆盖所述声学镜空腔且所述第一电极层限定所述声学镜空腔的上侧边界的至少一部分。
5.根据权利要求3所述的谐振器，其中：
所述谐振器的声学镜为声学镜空腔；
所述谐振器还包括阻挡层，所述第一电极层覆盖所述阻挡层且所述阻挡层限定所述声学镜空腔的上侧边界的至少一部分；
在所述底电极的非电极连接端，所述覆盖层还覆盖阻挡层的端面。
6.根据权利要求4或5所述的谐振器，其中：
在所述底电极的非电极连接端，所述覆盖层的在第一电极层的非电极连接端的外侧的上表面低于第二电极层的上表面。
7.根据权利要求6所述的谐振器，其中：
所述覆盖层还包括覆盖所述第二电极层的上侧的一部分的部分。
8.根据权利要求4或5所述的谐振器，其中：
在所述底电极的非电极连接端，所述覆盖层处于第一电极层的非电极连接端的外侧的上表面高于所述第二电极层的上表面。
9.根据权利要求8所述的谐振器，其中：
所述覆盖层还包括覆盖所述第二电极层的上侧的一部分的部分。
10.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述底电极中设置有空隙层，所述空隙层限定谐振器的声学镜空腔。
11.根据权利要求10所述的谐振器，其中：
所述覆盖层的上表面低于所述第二电极层的处于谐振器的有效区域内的上表面。
12.根据权利要求10所述的谐振器，其中：
所述谐振器还包括第三电极层，所述第三电极层与第一电极层之间设置有所述空隙层，第三电极层处于所述空隙层的下方；
在底电极的非电极连接端，所述第三电极层的端部处于所述第一电极层的端部的外侧；
在底电极的非电极连接端，所述覆盖层覆盖所述第三电极层的端面的至少一部分。
13.根据权利要求12所述的谐振器，其中：
所述第三电极层的材料与所述第二电极层的材料相同；
在底电极的非电极连接端，所述第三电极层的端面与所述第二电极层的端面齐平。
14.根据权利要求10所述的谐振器，其中：
所述谐振器还包括第三电极层，所述第三电极层与第一电极层之间设置有所述空隙层，第三电极层处于所述空隙层的下方；
在底电极的非电极连接端，所述第二电极层的端部处于所述第一电极层的端部和第三电极层的端部的外侧以至少覆盖第一电极层的端面。
15.根据权利要求10所述的谐振器，其中：
所述第二电极层与第一电极层之间设置有所述空隙层。
16.根据权利要求1-15中任一项所述的谐振器，其中：
所述谐振器还设置有沿所述谐振器的有效区域设置的声学不匹配结构。
17.根据权利要求1-16中任一项所述的谐振器，其中：
在所述底电极非电极连接端的外侧，所述覆盖层覆盖基底的上表面的至少一部分或者覆盖设置在基底的上表面的种子层的上表面的至少一部分。
18.一种体声波谐振器的制造方法，所述谐振器包括底电极和压电层，所述底电极包括多个电极层，所述多个电极层至少包括在谐振器的厚度方向上设置的第一电极层和第二电极层，第二电极层覆盖第一电极层的上侧的至少一部分，所述方法包括步骤：
在所述底电极的非电极连接端设置覆盖层，且在所述底电极的非电极连接端的外侧，所述覆盖层的上表面与所述第二电极层的上表面在谐振器的高度方向上错开。
19.根据权利要求18所述的方法，其中：
设置覆盖层的步骤包括：设置覆盖底电极以及底电极的非电极连接端外侧的表面的覆盖材料层，以及以湿法刻蚀覆盖材料层的方式形成所述覆盖层。
20.根据权利要求19所述的方法，其中：
所述覆盖层的上表面低于所述第二电极层的上表面；且
设置覆盖层的步骤包括：
使得所述覆盖材料层在基底侧的上表面高于所述第二电极层的上表面；
使得所述覆盖材料层平坦化且在第二电极层的上表面保留覆盖材料层；
以湿法刻蚀的方式移除预设厚度的覆盖材料层以形成所述覆盖层且第二电极层的上表面露出，同时保持第二电极层的厚度不变，其中，所述覆盖层的上表面低于所述第二电极层的上表面。
21.根据权利要求19所述的方法，其中：
所述覆盖层的上表面高于所述第二电极层的上表面；且
设置覆盖层的步骤包括：
使得所述覆盖材料层在基底侧的上表面高于所述第二电极层的上表面；
在覆盖材料层上设置掩膜层后，以湿法刻蚀的方式移除预设厚度的覆盖材料层以形成所述覆盖层且第二电极层的上表面的预定位置露出，同时保持第二电极层的厚度不变，其中，在底电极的非电极连接端的外侧，所述覆盖层的上表面高于所述第二电极层的上表面。
22.根据权利要求19-21中任一项所述的方法，其中：
设置覆盖底电极以及底电极的非电极连接端外侧的表面的覆盖材料层的步骤包括：使得所述覆盖材料层覆盖基底的上表面的至少一部分或者覆盖设置在基底的上表面的种子层的上表面的至少一部分。
23.根据权利要求18所述的方法，其中：
设置覆盖层的步骤中，使得所述覆盖层覆盖第二电极层的端面的至少一部分。
24.一种滤波器，包括根据权利要求1-17中任一项所述的体声波谐振器。
25.一种电子设备，包括根据权利要求24所述的滤波器，或者根据权利要求1-17中任一项所述的体声波谐振器。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110862790.4A CN115694397A (zh) | 2021-07-29 | 2021-07-29 | 具有多个底电极层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| PCT/CN2022/097078 WO2023005426A1 (zh) | 2021-07-29 | 2022-06-06 | 具有多个底电极层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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ID=85058690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110862790.4A Pending CN115694397A (zh) | 2021-07-29 | 2021-07-29 | 具有多个底电极层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115694397A (zh) |
| WO (1) | WO2023005426A1 (zh) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9634642B2 (en) * | 2014-05-30 | 2017-04-25 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator comprising vertically extended acoustic cavity |
| KR102272592B1 (ko) * | 2019-01-31 | 2021-07-05 | 삼성전기주식회사 | 체적 음향 공진기 |
| CN111092605B (zh) * | 2019-12-31 | 2021-06-01 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 具有声学干涉阵列的体声波谐振器及组、滤波器及电子设备 |
| CN112071975B (zh) * | 2020-09-27 | 2024-03-15 | 苏州汉天下电子有限公司 | 平坦化fbar谐振器制备方法 |
-
2021
- 2021-07-29 CN CN202110862790.4A patent/CN115694397A/zh active Pending
-
2022
- 2022-06-06 WO PCT/CN2022/097078 patent/WO2023005426A1/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2023005426A1 (zh) | 2023-02-02 |
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