CN115668213A - 用于芯片卡双面电路的电化学金属化方法及用该方法获得的电路 - Google Patents
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Abstract
用于芯片卡的双面电路(3)的电化学金属化方法。触片(5)及电流引线(4)位于正面,天线(8)和连接片(51、52)位于背面。该方法包括在连接片(51、52)上电化学沉积至少一层导电材料(60),同时通过电流引线(4)为这些连接片(51、52)提供电流的操作。触片(5)及金属化孔(40)在正面(6)和背面(7)之间建立电连续性。该方法还包括在电化学沉积至少一层导电材料(60)之后,将至少一个金属化孔(40)从连接片(52)电隔离的操作。使用该方法获得的电路。
Description
技术领域
本发明涉及芯片卡领域,尤其涉及芯片卡的电子模块领域。
现有技术
芯片卡有很多用途:信用卡、手机SIM卡、交通卡、身份证等。
这些卡通常由刚性载体构成,例如由塑料制成,其构成卡的主要部分,单独制造的电子模块并入其中。该电子模块包括设置有例如电子芯片(集成电路)的柔性电路以及用于将所述芯片连接于用于读取和/或写入数据记录在芯片中的设备装置。
本发明特别涉及所谓的“双”卡领域,也就是说与芯片有双通信接口。换句话说,这些卡允许基于接触式或非接触式的通信,它们也被称为“Combi”卡。
对于“基于接触”的使用,触片连接于芯片并裸露于模块的表面,使得当卡插入该设备时允许该设备的读取和/或写入的电连接。
对于“非接触式”使用,有两种类型的双卡。
在第一种类型的卡中,布置在卡的载体(也称为卡主体)中的天线电连接于芯片。在这种情况下,芯片能够与读/写设备交换数据,或者通过在读/写设备和模块的触片之间创建直接的电连接,或者通过在天线与读/写设备之间创建直接电磁耦合。
在第二种类型的卡中,第一天线,称为“模块天线”,被集成于模块中并且允许与第二天线电感耦合(因此没有电连接),其中第二天线被称为“增强天线或主天线”,并且集成于卡的上述刚性载体中。第一天线比第二天线小。第二天线可以覆盖卡上比模块大的表面积,这使得它可以获得较大的通信范围。在这种情况下,芯片也能够与读/写设备交换数据,或者通过在读/写设备和模块的触片之间创建直接的电连接,或者一方面通过在模块天线和增强天线之间创建电磁耦合,另一方面和增强天线与读/写设备之间创建电磁耦合。因此,模块的天线实际上通过增强天线与非接触式读取和/或写入设备通信(通过谐振效应)。因此,该第二种类型卡中仅有的物理连接位于模块内部,即芯片与触片之间的连接,以及芯片与模块天线之间的连接。所有这些连接制成于模块内部。这避免了在设置于卡主体中的天线与设置于模块中的芯片之间设置电连接。
文献WO2007026077公开了包括柔性电路的模块,该柔性电路具有承载触片的正面及承载模块芯片和天线的背面。然后在电路中制成孔(也称为“阱”或“导孔”),然后将这些孔的内壁金属化,用以电连接模块的正面及背面,从而将触片连接于芯片及模块天线的两端。
为了将模块集成于卡中,天线应包含在模块中,该模块的尺寸由ISO 7816-2标准定义。在这些尺寸中,有必要在模块的背面提供放置芯片的区域、金属化孔的区域,及用于将芯片连于触片和天线的、带有连接片或焊盘(也称为“键合片”)的区域。此外,天线绕组需要有足够的匝数,具有一定的宽度,并且各匝间要具有最小距离,以获得所期望的电磁特性。
此外,为了在连接片上建立将这些连接片电连接于芯片的连接线的电阻足够低的可靠焊接,有必要在这些连接片上设置有足够厚度的一个或多个金属层。当这些金属层被电化学沉积时,电化学沉积所需的电流由位于正面的电流引线提供,专用于将芯片连接于触片的连接片通过触片及金属化孔提供电流。专用于将芯片连接于天线的连接片本身也可以由正面通过电流引线供电,可选地,正面上的导电迹线呈条带和/或触片的形状,所述条带和/或触片不用于连接于基于接触的读取和/或写入设备,并且至少用于所述天线的绕组中的其中的一个。然而,当电化学沉积所需的电流通过天线的绕组时,一方面,在专用于将芯片连接于触片的连接片上电沉积的金属层的厚度之间观察到相对大的不均匀性,另一方面,在专用于将芯片连接于天线并通过天线的绕组供电的一个或多个连接片上电沉积的金属层的厚度之间观察到较大的不均匀性。这也意味着,为了获得足够厚度的电沉积的金属层,需要显著增加沉积时间。
所有这些约束条件因此使得新模块天线设计的开发非常复杂。
然而,发明人已经开发了一种用于芯片卡的新型双面电路,使其可以获得上述应用所需的电磁性能,同时改进了制造该电路的方法。
发明概要
因此提出一种电路,该电路包括至少一个附加金属化孔,以及一种方法,其中在从该连接片电隔离之前,在专用于将天线连接于芯片的至少一个连接片上电沉积一个或多个导电材料层的操作期间使用该附加金属化孔。
更具体地,提出一种用于具有基于接触和非接触式通信的芯片卡的双面电路的电化学金属化的方法,其中提供一种柔性介电基板,该基板包括一个正面和一个背面。触片和电连接于至少一些触片的电流引线布置在基板的正面。连接片和天线布置在基板的背面。这些连接片中的一部分专用于将芯片连接于触片,而这些连接片中的另一些则专用于将芯片连接于天线。在实施该方法时,至少在一些连接片上沉积至少一层导电材料,同时经由电流引线、触片和金属化孔向这些连接片提供电流,从而在基板的正面和背面之间建立电连续性。
该方法还包括,在电化学沉积至少一层导电材料的操作之后,将金属化孔(即上述附加金属化孔中的至少一个)从连接片(例如专用于将芯片连接到天线的连接片)电隔离的操作。
因此,借助于附加的金属化孔,可以直接从基板的正面向专用于将芯片连接于天线的连接片提供电流,而不使用天线的绕组向该连接片提供电流。然而,这种额外的金属化孔的使用是暂时的(在电化学沉积操作期间)。该附加金属化孔不再用于由使用根据本发明的方法获得的电路生产的最终模块中。
该方法还可选地包括以下特征中的一个和/或另一个,每个特征彼此独立地被考虑或与一个或多个其他特征组合被考虑:
-在电化学沉积至少一层导电材料的操作期间,使用至少两个金属化孔以金属化内部天线连接片和外部天线连接片,这两个金属化孔中的至少一个在电化学沉积至少一层导电材料的操作之后的操作中从内部和外部天线连接片电隔离;
-在电化学沉积至少一层导电材料的操作期间,位于基板正面的一个且相同的触片连接于两个单独的连接片,并且用于为这两个连接片供电,通过两个金属化孔,然后这两个金属化孔中的至少一个从每个连接片电隔离;
-使用激光束实现将至少一个金属化孔从专用于将芯片连接于天线的连接片电隔离的操作;
-激光束在将金属化孔连接于专用于将芯片连接于天线的连接片的导电区域的表面上移动,在不离开该表面的情况下环绕该金属化孔,以将该金属化孔从专用于将芯片连接于天线的连接片的其余部分隔离。
根据另一方面,本发明涉及一种用于具有基于接触式和非接触式通信的芯片卡的双面电路。该电路包括具有正面和背面的柔性介电基板。触片和电流引线位于基板的正面。天线和连接片位于基板的背面。一些连接片专用于将芯片连接于触片,而其他的连接片专用于将芯片连接于天线。该电路还包括关闭至少两个金属化孔的至少一个触片。这些金属化孔中的一个连接于专用于将芯片连接于该触片的触片连接片,这些金属化孔中的另一个与专用于将芯片连接于天线的天线连接片电隔离,它不用于在模块中电路的操作使用期间的导电。
该电路还可选地包括以下特征中的一个和/或另一个,每个特征彼此独立地被考虑或与一个或多个其他特征组合考虑:
-天线的外部连接片通过两个金属化孔与天线电连接,此两个金属化孔由位于基板正面的导电迹线关闭;
-天线的外部连接片通过触片与天线电连接;
-天线在用于芯片的紧固的区域相对应的中心区域周围形成至少一个环路,并且所有的接触连接片和天线连接片都位于该中心区域周围,在天线的环路内;以及
-与所有连接片电隔离的至少一个金属化孔,其被由激光束产生的磨蚀导致的隔离区域围绕。
附图说明
本发明的其他特征、目的和优点将通过阅读以下详细描述并参考附图而变得清楚易懂,附图通过非限制性示例的方式给出,并且其中:
图1示意性地以透视图示出包括根据本发明的模块的一个示例的芯片卡;
图2以前视图示意性地示出用于诸如图1所示的芯片卡模块的相对应电路部分的正面,或接触面;
图3以俯视图示意性地示出图2所示的电路部分,该图3对应于模块的基板背面或焊接面(“键合面”);
图4以俯视图示意性地示出图2所示电路部分的变体;
图5以俯视图示意性地示出图4所示的电路部分;
图6示意性地示出金属化孔的细节,该金属化孔通过由激光束产生的磨蚀导致的隔离区域进行电隔离;以及
图7a至7h示意性地示出根据本发明的方法的一种示例性实施方式的各个步骤的截面图。
详细说明
根据本发明的电路的一个示例性实施例描述如下。
如图1所示,具有基于接触式和非接触式通信的芯片卡1包括模块2。模块2具体包括电路3和芯片100(在图1中未示出)。模块2以单独元件的形式制造,该模块被插入在卡1的主体中形成的空腔中,增强天线(未示出)以已知方式集成于卡1主体中。
电路3包括多个触片5(参见图7h),多个触片5与芯片100连接。图2从正面6(接触面)示出电路3。图3从其背面7(键合面)示出电路3。图2和图3所示的电路3对应于用于“双”卡的双面印刷电路板,在正面6上的触片5,和在背面7上的天线8,实际上仅显示出电路的一部分。该部分基本上对应于生产模块2所需的部分,多个相类似部分可由一个且相同的柔性基板承载,例如为了以卷对卷或卷到卷模式实施根据本发明的方法。
例如有六个触片5:C1、C2、C3、C5、C6和C7。触片C1用于连接芯片100的正电端。触片C2用于连接芯片100的复位端。触片C3用于连接芯片的时钟信号端100。触片C5用于连接芯片100的接地端。触片C6在本发明所针对的应用中不直接连接于芯片100。触片C7用于连接芯片100的输入/输出端。
在最终的模块2中,每个触片C1、C2、C3、C5和C7因此通过触片连接片51的金属化孔40(也就是说专用于将触片连接于芯片)分别连接于芯片100的端子,并且通过导电线70将接触连接片51连接于芯片100的端子(见图7h)。图3使用C'1、C'2、C'3、C'5和C'7表示通过金属化孔40分别连接于触片5(分别为C1、C2、C3、C5或C7)的连接片51。图2和图3的比例不相同。可以理解为,天线8占用的表面积基本上小于或等于触片5占用的表面积。图3其实是真实配置的镜像(图3右边对应图2左边,因此图示的右边应该在左边,反之亦然),以相对于触片5(C1、C2、C3、C5和C7的触片连接片51(C'1、C'2、C'3、C'5和C'7)的标识,如图2所示。因此,这些金属化孔40同时用于在最终模块2中将触片5连接于触片连接片51和芯片100的端子,但是它们也在电化学金属化一个或多个操作期间使用,从而能够在这些接触连接片51上沉积一层或多层导电材料60(例如镍或金)。
芯片还应连接于天线8的两端,为此,在背面7上设置有两个内部和外部的天线连接片52(即专用于将天线8连接于芯片100)。天线8包括绕在中心区域上的多匝绕组,该中心区域对应于用于紧固芯片100的区域。有利地,在天线8的绕组内,所有的接触连接片51和天线连接片52都位于该中心区域周围。
为了能够电化学地执行金属化这些内部和外部天线的操作,这些连接片52必须连接于位于正面6上的电流引线4。电流引线4是能够在电沉积单元的电极和触片5之间建立电连接的导体迹线,外部天线连接片52通过两个金属化孔40和将这两个金属化孔40连接在正面6上的导电迹线9连接于天线8的外端81。
该导电迹线9当然也本身连接于电流引线4。该导电迹线9存在于参考图2和图3描述的实施例中,但是可以根据其他实施例被移除,并用触片5或触片5的一部分替换。内部天线连接片52通过金属化孔40I连接于天线8的内部端82和触片C5(在图3中,该金属化孔40I显示为已经从内部天线连接片52电隔离,但在金属化阶段,它确实连接于天线连接片52)。然而,由于该触片C5在最终模块2中用于接地,在金属化操作之后,该金属化孔40I与内部天线连接片52电隔离,例如通过使用激光束在该金属化孔40I周围清除背面7上的绝缘环90而从内部天线连接片52电隔离。图4示出包括金属化孔40I的该区域的放大图。如图3和4所示,激光束已经在将金属化孔40I连接于内部天线连接片52的导电区域的表面上移动,而没有离开该表面,始终环绕该金属化孔40I。例如,由激光束对导电层的磨蚀导致的隔离区90的宽度L为17微米。因此,基于激光束参数的精确度、公差和易于设置的考量,优选地是在从金属化孔40I的中心开始的至少200微米的半径R范围的设置以导电层覆盖的区域。
根据图5和图6所示的一种变型,触片C5用于连接片C'5的金属化,而在成品和功能模块中不使用的触片C6用于将连接于天线8的外端81的连接片52的金属化。天线8的外端81通过第一金属化孔40连接于触片C6,然后通过将触片C6连接于连接片52的第二金属化孔连接于连接片52,因此可以省去正面6上的导电迹线9。
图7a至7h示意性地示出根据本发明的用于制造电路3的示例性方法的各个步骤,该方法以卷对卷或卷到卷模式实施。
如图7a所示,提供一种结构,该结构包括层压于电绝缘材料基板20上的第一导电材料片10。该结构(也称为“覆层板”)可以通过将第一导电材料片10和电绝缘材料基板20直接层压在一起获得。作为替代方案,在将一层粘合剂材料层(未示出)与第一片导电材料10和/或电绝缘材料基板20它们两者之间的粘合材料层层压在一起之前,一层粘合剂材料层(未示出)可以被敷着或层压于第一片导电材料10和/或电绝缘材料基板20上。
第一导电材料片10可以由诸如铜、钢、铝或这些金属的合金的金属形成。第一导电材料片10具有例如18微米或25微米的厚度。电绝缘材料基板20由介电材料形成,例如复合(玻璃-环氧树脂)材料或塑料(PET、PEN、聚酰亚胺等)材料。电绝缘材料基板20通常很薄(其厚度为例如100微米量级)以保持与用于制造电子模块3的卷对卷或卷到卷方法兼容的灵活性。由第一导电材料片10覆盖的电绝缘材料基板20组成的组件还形成与用于制造电子模块3的卷对卷或卷到卷方法兼容的柔性电路。
在以下步骤中,如图7b所示,在与第一导电材料片10所相对的电绝缘材料基板20表面上施加一层薄膜或粘合剂材料层30。
在接下来的步骤中,如图7c所示,孔40、40I穿过在前一步骤中获得的整个结构。例如,孔40、40I通过在基本上垂直于该结构平面的方向上冲孔而穿孔。
在接下来的步骤中,如图7d所示,将第二导电材料片50层压于粘合剂材料层30上,位于在与第一导电材料片10相对的电绝缘材料基板20的正面上。这些孔40、40I的底部由第二导电材料片50关闭,孔40、40I然后成为盲孔,也称为连接阱(如下所述,这些孔40、40I在后续的步骤中被金属化以使它们导电)。
第二导电材料片50可以由诸如铜、钢、铝或这些金属的合金的金属形成。第二导电材料片50具有例如18微米、25微米或35微米的厚度。
在以下的步骤中,如图7e所示,以已知方式通过光刻在第一导电材料片10和第二导电材料片50片中的每一个中形成图案。在正面6上,也就是说在第二导电材料片50中,这些图案中包括触片5和电流引线4(在图7e中不可见)。在背面7上,即在第一导电材料片10中,这些图案中主要包括接触连接片51和天线连接片51,以及天线8。
在接下来的步骤中,如图7f所示,将一层或多层导电材料60电化学沉积在至少触片5、连接片51、52上和孔40中。该步骤的一部分(例如,用于制造孔导电的步骤)可能已经在之前进行过。导电材料60一层或多个层可以包括来自下列的一种或多种金属:镍、金、钯、银和/或其合金。掩模可选地用于选择性地在一些区域上而不是其他区域上沉积这些导电材料中的一些,或者根据沉积的区域和/或导电材料具有更大或更小的厚度。这一层或这些层或导电材料层60的电化学沉积是重要的,使得能够可靠地焊接于连接片51、52,将芯片100电连接于连接片51、52的导电线70。通过电流流过电流引线4和位于正面6上的触片5和连接片51、52。天线8和位于背面7上的任何其他迹线之间的金属化孔40、40I的电流流动,使得在背面7的一层或这些层或导电材料层60电化学沉积成为可能。可以注意到,在这个阶段,一些触片5(例如在图7f中的右侧)仅电连接于一个金属化孔40并且基本上电连接于连接片51,而至少另一个(在图7f中的左侧)电连接于两个金属化孔40并且基本上电连接于接触连接片51和天线连接片51。对于连接于两个金属化孔40的该触片5,两个金属化孔40和两个连接片51、52因此至少由正面6短路。
图7g所示的以下步骤主要包括使彼此电连接的至少一些金属化孔40和连接片51、52去短路。隔离(去短路)特别针对必须隔离的孔进行。这可以有利地使用激光束执行。有利地,在一层或多层导电材料60中以及还在第一导电材料片10中产生环90。因此,激光束使得可以暴露电绝缘材料基板20,也就是说,在该环处去除导电材料60的一层或多层,以及第一导电材料片10。当然,可使用激光束产生其他形状,但优选将给予对应于光束在其结构上均匀的材料上的移动的闭合形状。实际上,移动激光束使得从电绝缘材料10的基板处于暴露状态的区域移动到由导电材料60构成的一个或多个层覆盖的区域,并且移动到第一导电材料片10,需要根据这些区域中的每一个区域适当地设置激光束参数,这虽然不是不可能的,但需要很高的精度。相比之下,当激光束沿电绝缘材料基板20移动的整个行程都是清除相同的堆叠层时,激光束的设置则较容易。
作为替代方案,图7g所示的该去短路步骤可以通过光刻进行,例如通过实施诸如施加抗电沉积的膜(“电镀抗蚀剂”),在金属化和蚀刻之前对膜进行隔离和显影的步骤。
一旦执行了去短路步骤,就可以实施其他步骤。例如,如图7h所示,芯片100附接于电绝缘材料基板20的背面7。接下来,导线70可以一方面连接于芯片100,另一方面连接于连接片51、52。
然后可以实施未示出的其他已知步骤。例如,将连接线70和芯片100封装在树脂中,切割电路3以获得单切的模块2,并将单切的模块2集成于主卡1铣出的空腔中。
由于在天线连接片52上电化学沉积一层或多层导电材料60的操作不再依赖于从天线8流过电流,因此天线绕组可以设置得更薄,并因此绕组可以具有更多匝数。各匝之间也可以更紧凑。
同样,在电化学沉积一层或多层导电材料60的操作期间,天线8能够在其每个端经由金属化孔40连接于正面6,从而获得对这一层或这些层或导电材料60的沉积的更好分布。这使得能够减小天线8的电感,从而提高其射频性能。
Claims (10)
1.一种用于具有接触式和非接触式通信的芯片卡双面电路(3)的电化学金属化方法,其中提供柔性介电基板(20),所述柔性介电基板(20)包括正面(6)及背面(7),所述正面(6)具有触片(5)及电连接于至少一些触片(5)的电流引线(4),所述背面(7)具有天线(8)及连接片(51、52),其中一些连接片(51)专用于将芯片(100)连接于所述触片(5),而其他连接片(52)专用于将所述芯片(100)连接于所述天线(8),所述方法包括以下操作:在至少一些所述连接片(51、52)上电化学沉积至少一层导电材料(60),同时经由电流引线(4)向这些所述连接片(51、52)提供电流,通过所述触片(5)及金属化孔(40)在所述正面(6)及所述背面(7)之间建立电连续性,其特征在于,所述方法包括,在电化学沉积至少一层导电材料(60)的操作之后,将至少一个所述金属化孔(40)从专用于将芯片(100)连接于天线(8)的连接片(52)电隔离的操作。
2.根据权利要求1所述的方法,其中在所述电化学沉积至少一层所述导电材料(60)的操作期间,使用至少两个金属化孔(40)将内部天线连接片(52)及外部天线连接片(52)金属化,在所述电化学沉积所述至少一层导电材料(60)之后的操作中,将这两个所述金属化孔(40)中的至少一个从所述内部及外部天线连接片(52)电隔离。
3.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,在所述电化学沉积至少一层所述导电材料(60)的操作期间,使用连接于两个单独的连接片(51、52)的、正面(6)上的一个且相同的触片(5),通过所述两个金属化孔(40)向所述两个连接片(51)供电,然后将所述两个金属化孔(40)中的至少一个从每个所述连接片(51、52)电隔离。
4.根据前述权利要求中一项所述的方法,其中通过使用激光束,实现将所述至少一个金属化孔(40)从专用于将所述芯片(100)连接于所述天线(8)的所述连接片(52)电隔离的操作。
5.根据前述权利要求所述的方法,其中所述激光束在将所述金属化孔(40)连接于专用于将所述芯片(100)连接于天线(8)的连接片(52)的导电区域的表面上移动,而不离开所述表面,所述激光束移动环绕所述金属化孔(40),以将所述金属化孔(40)从专用于将所述芯片(100)连接于所述天线(8)的所述连接片(52)的其余部分隔离开。
6.用于具有接触式及非接触式通信的芯片卡的双面电路,包括具有正面(6)及背面(7)的柔性介电基板(3)、位于所述正面(6)上的触点(5)及电流引线(4),位于所述背面(7)上的天线(8)及连接片(51、52);其中一些所述连接片(51)专用于将上述芯片(100)连接于所述触片(5),其他的所述连接片(52)专用于将所述芯片(100)连接于所述天线(8);其特征在于,它包括关闭至少两个金属化孔(40)的至少一个触片(5),其中一个所述金属化孔(40)连接于专用于将上述芯片(100)连接于所述触片(5)的连接片(51),并且这些所述金属化孔(40)中的另一个从专用于将所述芯片(100)连接于所述天线(8)的天线连接片(52)电隔离。
7.根据前述权利要求所述的电路,其中所述天线(8)的外部连接片(52)通过所述两个金属化孔(40)电连接于天线(8),所述两个金属化孔(40)由位于所述正面(6)的导电迹线关闭。
8.根据权利要求6所述的电路,其中,所述天线(8)的所述外部连接片(52)通过所述触片(5)电连接于所述天线(8)。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的电路,其中,所述天线(8)围绕所述芯片(100)的紧固区域相对应的中心区域形成至少一个环路,并且其中所有所述接触连接片和所述天线连接片(51、52)在所述天线的一个所述环路内位于所述中心区域周围。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的电路,其中从所有所述连接片(51、52)电隔离的至少一个所述金属化孔(40)被隔离区(90)环绕,所述隔离区由激光束产生的磨蚀导致。
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