CN115642002B - 一种高强度半刚性电缆及其加工工艺 - Google Patents

一种高强度半刚性电缆及其加工工艺 Download PDF

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Abstract

本发明涉及半刚性电缆技术领域，具体为一种高强度半刚性电缆及其加工工艺。方案以镀银铜丝为内导体，在内导体表面包覆挤出聚四氟乙烯，以聚四氟乙烯为绝缘层，形成含有绝缘层的内导体，再以无缝紫铜管为外导体，将内导体一端穿过外导体，通过拉丝模具拉拔成型，以得到电缆基体，镀银铜丝具有良好的导电性，与常规铜导线相比，能够在保持良好导线性能的同时保持较高的强度，同时方案以紫铜管作为外导体，进一步强化电缆的强度，聚四氟乙烯作为绝缘层，以提高传输速率，制得得到的半刚性电缆基体的强度和综合性能较为优异。本方案工艺设计合理，各镀层镀液组分配比适宜，制备得到的电缆具有较优异的强度，且表面耐腐蚀性能良好。

Description

一种高强度半刚性电缆及其加工工艺
技术领域
本发明涉及半刚性电缆技术领域，具体为一种高强度半刚性电缆及其加工工艺。
背景技术
半刚性电缆组件的最基本结构，是由金属管构成的同轴传输线，其中，所采用的金属管一般为形成外导体的铜管，沿该铜管的中心线设有金属丝导体，中心金属丝导体由介电材料支撑，从而可与外导体保持在同一中心轴线上。半刚性电缆较为特殊的结构为我们带来了许多难得的特性：无缝金属管的外导体不易弯折，但易于定型，方便了机内布线，且提供了非常好的屏蔽特性；高强度的外导体也很好地保证了内部结构尺寸的稳定性，使得半刚性同轴电缆易于制成高性能的电缆组件。
现有半刚性电缆外导体一般采用紫铜管，但紫铜管表面易氧化，同时耐腐蚀性能较差，实际使用时无法满足我们的需求。因此本申请公开了一种高强度半刚性电缆及其加工工艺，以解决该技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高强度半刚性电缆及其加工工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：
一种高强度半刚性电缆的加工工艺，包括以下步骤：
(1)取内导体，去离子水超声清洗，烘干，将氟橡胶挤出包覆至内导体外表面，形成含有绝缘层的内导体；
取紫铜管作为外导体，去离子水超声清洗，烘干，再将含有绝缘层的内导体穿入紫铜管内，拉拔成型，裁切，得到电缆基体；
(2)取电缆基体，转移至中间层镀液中，在80～85℃下施镀1～2h，形成含有中间层的电缆A；
取电缆A，转移至外层镀液中，在80～85℃施镀1～2h，形成含有外层的半刚性电缆。
较优化的方案，步骤(1)中，所述绝缘层厚度为0.5～2μm；所述氟橡胶为聚四氟乙烯；所述内导体为镀银铜线。
较优化的方案，步骤(2)中，所述中间层镀液各组分含量为：次亚磷酸钠25～30g/L、硫酸镍25～28g/L、柠檬酸钠20～25g/L、乳酸10～12g/L、乙酸钠7～9g/L、填料2～3g/L，中间层镀液pH为5；所述填料为纳米二氧化硅、石墨烯混合物。
较优化的方案，步骤(2)中，所述外层镀液各组分含量为：硫酸镍28～30g/L、硫酸锌1～2g/L、次亚磷酸钠30～32g/L、柠檬酸钠60～70g/L、硫酸铵20～25g/L、填料2～3g/L，外层镀液pH为9～10；所述填料为纳米二氧化硅、石墨烯混合物。
较优化的方案，中间层镀液中，所述纳米二氧化硅、石墨烯的质量比为3：1；外层镀液中，所述纳米二氧化硅、石墨烯的质量比为2：3。
较优化的方案，步骤(2)中，在电缆基体表面进行预处理，预处理后转移至中间层镀液中，其中预处理步骤为：取电缆基体，表面清洗除油，抛光后置于10％硫酸溶液中酸洗10～20s，酸洗温度为25～30℃，再将其置于转化液中，50～60℃下处理5～10min。
较优化的方案，所述转化液各组分含量为：苯并三氮唑12～14g/L、钼酸钠8～10g/L、硝酸镧4～5g/L、柠檬酸10～12g/L、磺基水杨酸4～6g/L。
较优化的方案，根据以上任意一项所述的一种高强度半刚性电缆的加工工艺加工得到的半刚性电缆。
与现有技术相比，本发明所达到的有益效果是：
本发明公开了一种高强度半刚性电缆及其加工工艺，方案以镀银铜丝为内导体，在内导体表面包覆挤出聚四氟乙烯，以聚四氟乙烯为绝缘层，形成含有绝缘层的内导体，再以无缝紫铜管为外导体，将内导体一端穿过外导体，通过拉丝模具拉拔成型，以得到电缆基体，镀银铜丝具有良好的导电性，与常规铜导线相比，能够在保持良好导线性能的同时保持较高的强度，同时方案以紫铜管作为外导体，进一步强化电缆的强度，聚四氟乙烯作为绝缘层，以提高传输速率，制得得到的半刚性电缆基体的强度和综合性能较为优异，实用性高。
同时，由于紫铜管的耐腐蚀性较差，且易氧化，因此本申请在其表面进行镀层加工，以提高电缆的耐腐蚀性能，方案首先将电缆基体表面清洗除油，抛光后酸洗，再置于转化液中预处理，以苯并三氮唑、钼酸钠、硝酸镧等组分配置转化液，在紫铜管表面生成无铬转化膜，钼酸钠和硝酸镧的添加有助于增强苯并三氮唑与电缆基体之间的附着力，同时改善膜层中的小孔缺陷和膜层结构，从而提高电缆基体的耐腐蚀性能。
在此方案基础上，为进一步提高电缆的耐蚀性能，方案在转化膜表面进行二次镀层加工，先将电缆基体置于中间层镀液中镀镍中间层，再在中间层外侧镀镍外层，通过调控中间层镀液、外层镀液的组分，使其控制为“外层镀液磷含量＞中间层镀液磷含量”，一方面可以增加镀层之间的位错，降低镀层的孔隙率，从而提高耐蚀性，另一方面，镀层之间的结合性能更为优异。
同时，方案在中间层镀液、外层镀液中均掺杂了填料，且限定参数为“中间层镀液中，所述纳米二氧化硅、石墨烯的质量比为3：1；外层镀液中，所述纳米二氧化硅、石墨烯的质量比为2：3”，通过控制中间层、外层位错，以阻碍腐蚀介质的进入，从而保证耐蚀性能，同时，填料的引入也能够提高电缆的表面耐磨性，降低磨损。
本方案公开了一种高强度半刚性电缆及其加工工艺，工艺设计合理，各镀层镀液组分配比适宜，以镀铜银丝作为内导体，包覆绝缘层后将其与外导体拉拔成型，制备得到的电缆具有较优异的强度，且表面耐腐蚀性能良好，实用性较高。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本实施例中，纳米二氧化硅粒径为8～10nm；石墨烯纳米片厚度为5～8nm，南京吉仓纳米科技有限公司提供。
实施例1：
一种高强度半刚性电缆的加工工艺，包括以下步骤：
(1)取内导体，去离子水超声清洗，烘干，将氟橡胶挤出包覆至内导体外表面，形成含有绝缘层的内导体；所述内导体为镀银铜线，规格为1/0.2，标称外径为0.2mm；所述氟橡胶为聚四氟乙烯，所述绝缘层厚度为0.5μm。
取紫铜管作为外导体，去离子水超声清洗，烘干，再将含有绝缘层的内导体穿入紫铜管内，拉拔成型，裁切，得到电缆基体；所述紫铜管厚度为0.2mm。
(2)取电缆基体，转移至中间层镀液中，在85℃下施镀1.5h，形成含有中间层的电缆A；所述中间层镀液各组分含量为：次亚磷酸钠25g/L、硫酸镍25g/L、柠檬酸钠20g/L、乳酸10g/L、乙酸钠7g/L、填料3g/L，中间层镀液pH为5；所述填料为纳米二氧化硅、石墨烯混合物，所述纳米二氧化硅、石墨烯的质量比为3：1。
取电缆A，转移至外层镀液中，在85℃施镀1.5h，形成含有外层的半刚性电缆。所述外层镀液各组分含量为：硫酸镍30g/L、硫酸锌1.5g/L、次亚磷酸钠30g/L、柠檬酸钠60g/L、硫酸铵20g/L、填料3g/L，外层镀液pH为10；所述填料为纳米二氧化硅、石墨烯混合物，外层镀液中，所述纳米二氧化硅、石墨烯的质量比为2：3。
实施例2：
一种高强度半刚性电缆的加工工艺，包括以下步骤：
(1)取内导体，去离子水超声清洗，烘干，将氟橡胶挤出包覆至内导体外表面，形成含有绝缘层的内导体；所述内导体为镀银铜线，规格为1/0.2，标称外径为0.2mm；所述氟橡胶为聚四氟乙烯，所述绝缘层厚度为0.5μm。
取紫铜管作为外导体，去离子水超声清洗，烘干，再将含有绝缘层的内导体穿入紫铜管内，拉拔成型，裁切，得到电缆基体；所述紫铜管厚度为0.2mm。
(2)取电缆基体，转移至中间层镀液中，在85℃下施镀1.5h，形成含有中间层的电缆A；所述中间层镀液各组分含量为：次亚磷酸钠25g/L、硫酸镍25g/L、柠檬酸钠24g/L、乳酸11g/L、乙酸钠8g/L、填料3g/L，中间层镀液pH为5；所述填料为纳米二氧化硅、石墨烯混合物，所述纳米二氧化硅、石墨烯的质量比为3：1。
取电缆A，转移至外层镀液中，在85℃下施镀1.5h，形成含有外层的半刚性电缆。所述外层镀液各组分含量为：硫酸镍30g/L、硫酸锌1.5g/L、次亚磷酸钠30g/L、柠檬酸钠65g/L、硫酸铵22g/L、填料3g/L，外层镀液pH为10；所述填料为纳米二氧化硅、石墨烯混合物，外层镀液中，所述纳米二氧化硅、石墨烯的质量比为2：3。
实施例3：
一种高强度半刚性电缆的加工工艺，包括以下步骤：
(1)取内导体，去离子水超声清洗，烘干，将氟橡胶挤出包覆至内导体外表面，形成含有绝缘层的内导体；所述内导体为镀银铜线，规格为1/0.2，标称外径为0.2mm；所述氟橡胶为聚四氟乙烯，所述绝缘层厚度为0.5μm。
取紫铜管作为外导体，去离子水超声清洗，烘干，再将含有绝缘层的内导体穿入紫铜管内，拉拔成型，裁切，得到电缆基体；所述紫铜管厚度为0.2mm。
(2)取电缆基体，转移至中间层镀液中，在85℃下施镀1.5h，形成含有中间层的电缆A；所述中间层镀液各组分含量为：次亚磷酸钠25g/L、硫酸镍25g/L、柠檬酸钠25g/L、乳酸12g/L、乙酸钠9g/L、填料3g/L，中间层镀液pH为5；所述填料为纳米二氧化硅、石墨烯混合物，所述纳米二氧化硅、石墨烯的质量比为3：1。
取电缆A，转移至外层镀液中，在85℃下施镀1.5h，形成含有外层的半刚性电缆。所述外层镀液各组分含量为：硫酸镍30g/L、硫酸锌1.5g/L、次亚磷酸钠30g/L、柠檬酸钠70g/L、硫酸铵25g/L、填料3g/L，外层镀液pH为10；所述填料为纳米二氧化硅、石墨烯混合物，外层镀液中，所述纳米二氧化硅、石墨烯的质量比为2：3。
实施例4：实施例4在实施例2基础上提高了镀覆时间。
一种高强度半刚性电缆的加工工艺，包括以下步骤：
(1)取内导体，去离子水超声清洗，烘干，将氟橡胶挤出包覆至内导体外表面，形成含有绝缘层的内导体；所述内导体为镀银铜线，规格为1/0.2，标称外径为0.2mm；所述氟橡胶为聚四氟乙烯，所述绝缘层厚度为0.5μm。
取紫铜管作为外导体，去离子水超声清洗，烘干，再将含有绝缘层的内导体穿入紫铜管内，拉拔成型，裁切，得到电缆基体；所述紫铜管厚度为0.2mm。
(2)取电缆基体，转移至中间层镀液中，在80℃下施镀2h，形成含有中间层的电缆A；所述中间层镀液各组分含量为：次亚磷酸钠25g/L、硫酸镍25g/L、柠檬酸钠24g/L、乳酸11g/L、乙酸钠8g/L、填料3g/L，中间层镀液pH为5；所述填料为纳米二氧化硅、石墨烯混合物，所述纳米二氧化硅、石墨烯的质量比为3：1。
取电缆A，转移至外层镀液中，在80℃下施镀2h，形成含有外层的半刚性电缆。所述外层镀液各组分含量为：硫酸镍30g/L、硫酸锌1.5g/L、次亚磷酸钠30g/L、柠檬酸钠65g/L、硫酸铵22g/L、填料3g/L，外层镀液pH为10；所述填料为纳米二氧化硅、石墨烯混合物，外层镀液中，所述纳米二氧化硅、石墨烯的质量比为2：3。
实施例5：实施例5在实施例4基础上添加了转化膜预处理。
一种高强度半刚性电缆的加工工艺，包括以下步骤：
(1)取内导体，去离子水超声清洗，烘干，将氟橡胶挤出包覆至内导体外表面，形成含有绝缘层的内导体；所述内导体为镀银铜线，规格为1/0.2，标称外径为0.2mm；所述氟橡胶为聚四氟乙烯，所述绝缘层厚度为0.5μm。
取紫铜管作为外导体，去离子水超声清洗，烘干，再将含有绝缘层的内导体穿入紫铜管内，拉拔成型，裁切，得到电缆基体；所述紫铜管厚度为0.2mm。
(2)取电缆基体，表面清洗除油，抛光后置于10％硫酸溶液中酸洗15s，酸洗温度为25℃，再将其置于转化液中，60℃下处理10min；所述转化液各组分含量为：苯并三氮唑14g/L、钼酸钠10g/L、硝酸镧5g/L、柠檬酸12g/L、磺基水杨酸4g/L。
取预处理后的电缆基体，转移至中间层镀液中，在80℃下施镀2h，形成含有中间层的电缆A；所述中间层镀液各组分含量为：次亚磷酸钠25g/L、硫酸镍25g/L、柠檬酸钠24g/L、乳酸11g/L、乙酸钠8g/L、填料3g/L，中间层镀液pH为5；所述填料为纳米二氧化硅、石墨烯混合物，所述纳米二氧化硅、石墨烯的质量比为3：1。
取电缆A，转移至外层镀液中，在80℃下施镀2h，形成含有外层的半刚性电缆。所述外层镀液各组分含量为：硫酸镍30g/L、硫酸锌1.5g/L、次亚磷酸钠30g/L、柠檬酸钠65g/L、硫酸铵22g/L、填料3g/L，外层镀液pH为10；所述填料为纳米二氧化硅、石墨烯混合物，外层镀液中，所述纳米二氧化硅、石墨烯的质量比为2：3。
实施例6：实施例6在实施例4基础上添加了转化膜预处理，并调整了转化液配方。
一种高强度半刚性电缆的加工工艺，包括以下步骤：
(1)取内导体，去离子水超声清洗，烘干，将氟橡胶挤出包覆至内导体外表面，形成含有绝缘层的内导体；所述内导体为镀银铜线，规格为1/0.2，标称外径为0.2mm；所述氟橡胶为聚四氟乙烯，所述绝缘层厚度为0.5μm。
取紫铜管作为外导体，去离子水超声清洗，烘干，再将含有绝缘层的内导体穿入紫铜管内，拉拔成型，裁切，得到电缆基体；所述紫铜管厚度为0.2mm。
(2)取电缆基体，表面清洗除油，抛光后置于10％硫酸溶液中酸洗20s，酸洗温度为25℃，再将其置于转化液中，60℃下处理10min；所述转化液各组分含量为：苯并三氮唑12g/L、钼酸钠8g/L、硝酸镧5g/L、柠檬酸10g/L、磺基水杨酸5g/L。
取预处理后的电缆基体，转移至中间层镀液中，在80℃下施镀2h，形成含有中间层的电缆A；所述中间层镀液各组分含量为：次亚磷酸钠25g/L、硫酸镍25g/L、柠檬酸钠24g/L、乳酸11g/L、乙酸钠8g/L、填料3g/L，中间层镀液pH为5；所述填料为纳米二氧化硅、石墨烯混合物，所述纳米二氧化硅、石墨烯的质量比为3：1。
取电缆A，转移至外层镀液中，在80℃下施镀2h，形成含有外层的半刚性电缆。所述外层镀液各组分含量为：硫酸镍30g/L、硫酸锌1.5g/L、次亚磷酸钠30g/L、柠檬酸钠65g/L、硫酸铵22g/L、填料3g/L，外层镀液pH为10；所述填料为纳米二氧化硅、石墨烯混合物，外层镀液中，所述纳米二氧化硅、石墨烯的质量比为2：3。
对比例1：对比例1以实施例6为对照，对比例1中并未引入外层，其余步骤不变。
一种高强度半刚性电缆的加工工艺，包括以下步骤：
(1)取内导体，去离子水超声清洗，烘干，将氟橡胶挤出包覆至内导体外表面，形成含有绝缘层的内导体；所述内导体为镀银铜线，规格为1/0.2，标称外径为0.2mm；所述氟橡胶为聚四氟乙烯，所述绝缘层厚度为0.5μm。
取紫铜管作为外导体，去离子水超声清洗，烘干，再将含有绝缘层的内导体穿入紫铜管内，拉拔成型，裁切，得到电缆基体；所述紫铜管厚度为0.2mm。
(2)取电缆基体，表面清洗除油，抛光后置于10％硫酸溶液中酸洗20s，酸洗温度为25℃，再将其置于转化液中，60℃下处理10min；所述转化液各组分含量为：苯并三氮唑12g/L、钼酸钠8g/L、硝酸镧5g/L、柠檬酸10g/L、磺基水杨酸5g/L。
取预处理后的电缆基体，转移至中间层镀液中，在80℃下施镀2h，形成含有中间层的半刚性电缆；所述中间层镀液各组分含量为：次亚磷酸钠25g/L、硫酸镍25g/L、柠檬酸钠24g/L、乳酸11g/L、乙酸钠8g/L、填料3g/L，中间层镀液pH为5；所述填料为纳米二氧化硅、石墨烯混合物，所述纳米二氧化硅、石墨烯的质量比为3：1。
对比例2：对比例2以实施例6为对照，对比例2中外层、中间层中，二氧化硅和石墨烯质量比均为1：1。
一种高强度半刚性电缆的加工工艺，包括以下步骤：
(1)取内导体，去离子水超声清洗，烘干，将氟橡胶挤出包覆至内导体外表面，形成含有绝缘层的内导体；所述内导体为镀银铜线，规格为1/0.2，标称外径为0.2mm；所述氟橡胶为聚四氟乙烯，所述绝缘层厚度为0.5μm。
取紫铜管作为外导体，去离子水超声清洗，烘干，再将含有绝缘层的内导体穿入紫铜管内，拉拔成型，裁切，得到电缆基体；所述紫铜管厚度为0.2mm。
(2)取电缆基体，表面清洗除油，抛光后置于10％硫酸溶液中酸洗20s，酸洗温度为25℃，再将其置于转化液中，60℃下处理10min；所述转化液各组分含量为：苯并三氮唑12g/L、钼酸钠8g/L、硝酸镧5g/L、柠檬酸10g/L、磺基水杨酸5g/L。
取预处理后的电缆基体，转移至中间层镀液中，在80℃下施镀2h，形成含有中间层的电缆A；所述中间层镀液各组分含量为：次亚磷酸钠25g/L、硫酸镍25g/L、柠檬酸钠24g/L、乳酸11g/L、乙酸钠8g/L、填料3g/L，中间层镀液pH为5；所述填料为纳米二氧化硅、石墨烯混合物，所述纳米二氧化硅、石墨烯的质量比为1：1。
取电缆A，转移至外层镀液中，在80℃下施镀2h，形成含有外层的半刚性电缆。所述外层镀液各组分含量为：硫酸镍30g/L、硫酸锌1.5g/L、次亚磷酸钠30g/L、柠檬酸钠65g/L、硫酸铵22g/L、填料3g/L，外层镀液pH为10；所述填料为纳米二氧化硅、石墨烯混合物，外层镀液中，所述纳米二氧化硅、石墨烯的质量比为1：1。
对比例3：对比例2以实施例6为对照，对比例3中并未引入中间层。
一种高强度半刚性电缆的加工工艺，包括以下步骤：
(1)取内导体，去离子水超声清洗，烘干，将氟橡胶挤出包覆至内导体外表面，形成含有绝缘层的内导体；所述内导体为镀银铜线，规格为1/0.2，标称外径为0.2mm；所述氟橡胶为聚四氟乙烯，所述绝缘层厚度为0.5μm。
取紫铜管作为外导体，去离子水超声清洗，烘干，再将含有绝缘层的内导体穿入紫铜管内，拉拔成型，裁切，得到电缆基体；所述紫铜管厚度为0.2mm。
(2)取电缆基体，表面清洗除油，抛光后置于10％硫酸溶液中酸洗20s，酸洗温度为25℃，再将其置于转化液中，60℃下处理10min；所述转化液各组分含量为：苯并三氮唑12g/L、钼酸钠8g/L、硝酸镧5g/L、柠檬酸10g/L、磺基水杨酸5g/L。
取预处理后的电缆基体，转移至外层镀液中，在80℃下施镀2h，形成含有外层的半刚性电缆。所述外层镀液各组分含量为：硫酸镍30g/L、硫酸锌1.5g/L、次亚磷酸钠30g/L、柠檬酸钠65g/L、硫酸铵22g/L、填料3g/L，外层镀液pH为10；所述填料为纳米二氧化硅、石墨烯混合物，外层镀液中，所述纳米二氧化硅、石墨烯的质量比为2：3。
检测实验：
取无缝紫铜管，根据实施例1-6、对比例1-3公开的方法，在无缝紫铜管表面进行加工，以检测镀层对于电缆耐腐蚀性能的影响；检测时参照GB/T10124-88《金属材料实验室均匀腐蚀全浸试验方法》公开的方法进行，腐蚀介质为5％的NaCl、10％NaOH，测试温度为25℃，腐蚀介质浸泡时间为72h，浸泡后清洗并烘干，测试产品失重，并计算腐蚀速率。
表一
项目 实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 实施例5
5％NaCl腐蚀速率g×cm-2×h-1 1.38×10-5 1.26×10-5 1.31×10-5 1.13×10-5 0.93×10-5
10％NaOH腐蚀速率 2.81×10-6 2.49×10-6 2.64×10-6 1.97×10-6 1.45×10-6
项目 实施例6 对比例1 对比例2 对比例3
5％NaCl腐蚀速率 0.84×10-5 1.86×10-5 0.89×10-5 1.47×10-5
10％NaOH腐蚀速率 1.13×10-6 4.23×10-6 1.34×10-6 3.25×10-6
结论：本方案公开了一种高强度半刚性电缆及其加工工艺，工艺设计合理，各镀层镀液组分配比适宜，以镀铜银丝作为内导体，包覆绝缘层后将其与外导体拉拔成型，制备得到的电缆具有较优异的强度，且表面耐腐蚀性能良好，实用性较高。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种高强度半刚性电缆的加工工艺，其特征在于：包括以下步骤：
(1)取内导体，去离子水超声清洗，烘干，将氟橡胶挤出包覆至内导体外表面，形成含有绝缘层的内导体；
取紫铜管作为外导体，去离子水超声清洗，烘干，再将含有绝缘层的内导体穿入紫铜管内，拉拔成型，裁切，得到电缆基体；
(2)取电缆基体，转移至中间层镀液中，在80～85℃下施镀1～2h，形成含有中间层的电缆A；
取电缆A，转移至外层镀液中，在80～85℃施镀1～2h，形成含有外层的半刚性电缆；
步骤(2)中，所述中间层镀液各组分含量为：次亚磷酸钠25～30g/L、硫酸镍25～28g/L、柠檬酸钠20～25g/L、乳酸10～12g/L、乙酸钠7～9g/L、填料2～3g/L，中间层镀液pH为5；所述填料为纳米二氧化硅、石墨烯混合物；
所述外层镀液各组分含量为：硫酸镍28～30g/L、硫酸锌1～2g/L、次亚磷酸钠30～32g/L、柠檬酸钠60～70g/L、硫酸铵20～25g/L、填料2～3g/L，外层镀液pH为9～10；所述填料为纳米二氧化硅、石墨烯混合物；
中间层镀液中，所述纳米二氧化硅、石墨烯的质量比为3：1；外层镀液中，所述纳米二氧化硅、石墨烯的质量比为2：3。
2.根据权利要求1所述的一种高强度半刚性电缆的加工工艺，其特征在于：步骤(1)中，所述绝缘层厚度为0.5～2μm；所述氟橡胶为聚四氟乙烯；所述内导体为镀银铜线。
3.根据权利要求1所述的一种高强度半刚性电缆的加工工艺，其特征在于：步骤(2)中，在电缆基体表面进行预处理，预处理后转移至中间层镀液中，其中预处理步骤为：取电缆基体，表面清洗除油，抛光后置于10％硫酸溶液中酸洗10～20s，酸洗温度为25～30℃，再将其置于转化液中，50～60℃下处理5～10min。
4.根据权利要求3所述的一种高强度半刚性电缆的加工工艺，其特征在于：所述转化液各组分含量为：苯并三氮唑12～14g/L、钼酸钠8～10g/L、硝酸镧4～5g/L、柠檬酸10～12g/L、磺基水杨酸4～6g/L。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的一种高强度半刚性电缆的加工工艺加工得到的半刚性电缆。
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