CN115639731A - 光刻机投影物镜远心偏差的预测方法、装置、系统和介质 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种光刻机投影物镜远心偏差的预测方法、装置、系统和介质，该方法包括：根据晶圆上初始图案中心偏移量和离焦变化量计算得到初始远心度，根据初始远心度、初始图案中心偏移量和引入单项干扰时的图案中心偏移量计算得到引入单项干扰时的远心度，作为第一等效远心度；根据初始远心度和引入多项干扰时的各个干扰分别对应的远心度，计算得到引入多项干扰时的远心度，作为第二等效远心度；根据第一等效远心度、第二等效远心度计算在不同离焦时的图案中心偏移作为第二远心偏差。从而本申请在掌握系统的初始图形放置误差和引入的系统扰动之后，不再需要额外的图形测量，即可以较高精度的预测光刻机投影物镜远心偏差，计算简单、检测成本低。
Description
技术领域
本申请涉及计算机技术领域，特别涉及一种光刻机投影物镜远心偏差的预测方法、装置、系统和介质。
背景技术
光刻机是半导体生产和制造中重要的设备，在大规模集成电路制造中得到了广泛的应用。光刻工艺通过光学曝光的方式将掩模版上的图形复制到涂覆于硅片表面的光刻胶中，然后通过显影、刻蚀等工艺将图形进一步转移到硅片上。光刻工艺直接决定了集成电路器件中的特征尺寸，是大规模集成电路制造中的关键工艺。
投影物镜的远心度是光刻机系统的关键参数，尤其是随着光刻技术发展到极紫外波段领域，该参数对于提高不同图形层间的套刻精度具有重要作用。目前公布的专利和学术论文中远心度的测量主要可以分为两类，一类是基于光刻胶的测量方式，如传统非远心测量、光源测量仪、菲涅尔波带片等，但是这些方法花费高，耗时长，且结果易受光刻胶性能的影响。另一类是基于传感器的测量方式，如传输图像传感器、真空图形与传感器结合等，但是这些方法对传感器的对准精度要求较高，且易受光源能量波动的影响。
远心度定义为每个场点的主光线与光轴之间的夹角，或者等效地，光瞳填充图像位于光瞳平面中的离轴位置。反映在晶圆上，远心偏差为当晶圆工件台偏离理想位置时成像位置的偏移，从而引起图形层间放置误差。投影系统中各种干扰也可能会影响放置误差，如像差、杂散光等。本发明将像差和杂散光所引起的放置误差视作其引起的等效远心偏差。
发明内容
有鉴于此，提供该发明内容部分以便以简要的形式介绍构思，这些构思将在后面的具体实施方式部分被详细描述。该发明内容部分并不旨在标识要求保护的技术方案的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求的保护的技术方案的范围。
本申请的目的在于提供一种光刻机投影物镜远心偏差的预测方法、装置、系统和介质，在具有较高预测精度的同时，降低了预测的复杂度和成本。
为实现上述目的，本申请有如下技术方案：
第一方面，本申请实施例提供了一种光刻机投影物镜远心偏差的预测方法，包括：
根据晶圆上初始图案中心偏移量和离焦变化量计算得到初始远心度；
当投影系统中存在单项干扰时，根据所述初始远心度、所述初始图案中心偏移量和引入所述单项干扰时的图案中心偏移量计算得到引入所述单项干扰时的远心度，作为第一等效远心度；
当投影系统中存在多项干扰时，根据所述初始远心度和引入所述多项干扰时的各个干扰分别对应的远心度，计算得到引入所述多项干扰时的远心度，作为第二等效远心度；
当投影系统中存在单项干扰时，根据所述第一等效远心度计算在不同离焦时的图案中心偏移作为第一远心偏差；
当投影系统中存在多项干扰时，根据所述第二等效远心度计算在不同离焦时的图案中心偏移作为第二远心偏差。
在一种可能的实现方式中，所述根据晶圆上初始图案中心偏移量和离焦变化量计算得到初始远心度，包括：
其中，
为所述初始远心度，
为所述初始图案中心偏移量，ΔF为所述离焦变化量。
在一种可能的实现方式中，根据所述初始远心度、所述初始图案中心偏移量和引入所述单项干扰时的图案中心偏移量计算得到引入所述单项干扰时的远心度，作为第一等效远心度，包括：
其中，
为所述第一等效远心度，
为所述初始图案中心偏移量，
为所述引入所述单项干扰时的图案中心偏移量。
在一种可能的实现方式中，根据所述初始远心度和引入所述多项干扰时的各个干扰分别对应的远心度，计算得到引入所述多项干扰时的远心度，作为第二等效远心度，包括；
其中，
为所述第二等效远心度，
为所述引入所述多项干扰时的各个干扰分别对应的远心度，其中，n为正整数。
第二方面，本申请实施例提供了一种光刻机投影物镜远心偏差的预测装置，包括：
初始远心度计算单元，用于根据晶圆上初始图案中心偏移量和离焦变化量计算得到初始远心度；
第一等效远心度计算单元，用于当投影系统中存在单项干扰时，根据所述初始远心度、所述初始图案中心偏移量和引入所述单项干扰时的图案中心偏移量计算得到引入所述单项干扰时的远心度，作为第一等效远心度；
第二等效远心度计算单元，用于当投影系统中存在多项干扰时，根据所述初始远心度和引入所述多项干扰时的各个干扰分别对应的远心度，计算得到引入所述多项干扰时的远心度，作为第二等效远心度；
第一远心偏差计算单元，用于当投影系统中存在单项干扰时，根据所述第一等效远心度计算在不同离焦时的图案中心偏移作为第一远心偏差；
第二远心偏差计算单元，用于当投影系统中存在多项干扰时，根据所述第二等效远心度计算在不同离焦时的图案中心偏移作为第二远心偏差。
在一种可能的实现方式中，所述初始远心度计算单元，具体用于计算所述初始远心度
其中，
为所述初始远心度，
为所述初始图案中心偏移量，ΔF为所述离焦变化量。
在一种可能的实现方式中，所述第一等效远心度计算单元，具体用于计算所述第一等效远心度
其中，
为所述第一等效远心度，
为所述初始图案中心偏移量，
为所述引入所述单项干扰时的图案中心偏移量。
在一种可能的实现方式中，所述第二等效远心度计算单元，具体用于计算所述第二等效远心度
其中，
为所述第二等效远心度，
为所述引入所述多项干扰时的各个干扰分别对应的远心度，其中，n为正整数。
第三方面，本申请实施例提供了一种光刻机投影物镜远心偏差的预测系统，包括：
存储器，用于存储计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序时实现如上述所述光刻机投影物镜远心偏差的预测方法的步骤。
第四方面，本申请实施例提供了一种计算机可读介质，所述计算机可读介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理执行时实现如上述所述光刻机投影物镜远心偏差的预测方法的步骤。
与现有技术相比，本申请实施例具有以下有益效果：
本申请实施例提供了一种光刻机投影物镜远心偏差的预测方法、装置、系统和介质，该方法包括：根据晶圆上初始图案中心偏移量和离焦变化量计算得到初始远心度，根据初始远心度、初始图案中心偏移量和引入单项干扰时的图案中心偏移量计算得到引入单项干扰时的远心度，作为第一等效远心度；根据初始远心度和引入多项干扰时的各个干扰分别对应的远心度，计算得到引入多项干扰时的远心度，作为第二等效远心度；根据第一等效远心度、第二等效远心度计算在不同离焦时的图案中心偏移作为第二远心偏差。从而本申请在掌握系统的初始图形放置误差和引入的系统扰动之后，不再需要额外的图形测量，即可以较高精度的预测光刻机投影物镜远心偏差，计算简单、检测成本低。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
结合附图并参考以下具体实施方式，本公开各实施例的上述和其他特征、优点及方面将变得更加明显。贯穿附图中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的元素。应当理解附图是示意性的，原件和元素不一定按照比例绘制。
图1示出了本申请实施例提供的一种光刻机投影物镜远心偏差的预测方法的流程图；
图2示出了本申请实施例提供的无任何系统扰动时视场各位置的系统初始远心度的示意图；
图3示出了本申请实施例提供的引入5％杂散光的系统扰动时视场各位置的系统远心度与其预测值的示意图；
图4示出了本申请实施例提供的引入像差Z7＝0.05的系统扰动时视场各位置的系统远心度与其预测值的示意图；
图5示出了本申请实施例提供的5％杂散光和像差Z7＝0.05同时作用的系统扰动时视场各位置的系统远心度与其预测值的示意图；
图6示出了本申请实施例提供的一种光刻机投影物镜远心偏差的预测装置的示意图。
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是本申请还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
正如背景技术中的描述，光刻机是半导体生产和制造中重要的设备，在大规模集成电路制造中得到了广泛的应用。光刻工艺通过光学曝光的方式将掩模版上的图形复制到涂覆于硅片表面的光刻胶中，然后通过显影、刻蚀等工艺将图形进一步转移到硅片上。光刻工艺直接决定了集成电路器件中的特征尺寸，是大规模集成电路制造中的关键工艺。
投影物镜的远心度是光刻机系统的关键参数，尤其是随着光刻技术发展到极紫外波段领域，该参数对于提高不同图形层间的套刻精度具有重要作用。目前公布的专利和学术论文中远心度的测量主要可以分为两类，一类是基于光刻胶的测量方式，如传统非远心测量、光源测量仪、菲涅尔波带片等，但是这些方法花费高，耗时长，且结果易受光刻胶性能的影响。另一类是基于传感器的测量方式，如传输图像传感器、真空图形与传感器结合等，但是这些方法对传感器的对准精度要求较高，且易受光源能量波动的影响。
远心度定义为每个场点的主光线与光轴之间的夹角，或者等效地，光瞳填充图像位于光瞳平面中的离轴位置。反映在晶圆上，远心偏差为当晶圆工件台偏离理想位置时成像位置的偏移，从而引起图形层间放置误差。投影系统中各种干扰也可能会影响放置误差，如像差、杂散光等。本发明将像差和杂散光所引起的放置误差视作其引起的等效远心偏差。
为了解决以上技术问题，本申请实施例提供了一种光刻机投影物镜远心偏差的预测方法、装置、系统和介质，该方法包括：根据晶圆上初始图案中心偏移量和离焦变化量计算得到初始远心度，根据初始远心度、初始图案中心偏移量和引入单项干扰时的图案中心偏移量计算得到引入单项干扰时的远心度，作为第一等效远心度；根据初始远心度和引入多项干扰时的各个干扰分别对应的远心度，计算得到引入多项干扰时的远心度，作为第二等效远心度；根据第一等效远心度、第二等效远心度计算在不同离焦时的图案中心偏移作为第二远心偏差。从而本申请在掌握系统的初始图形放置误差和引入的系统扰动之后，不再需要额外的图形测量，即可以较高精度的预测光刻机投影物镜远心偏差，计算简单、检测成本低。
示例性方法
参见图1所示，为本申请实施例提供的一种光刻机投影物镜远心偏差的预测方法的流程图，包括：
S101：根据晶圆上初始图案中心偏移量和离焦变化量计算得到初始远心度。
在本申请实施例中，可以根据晶圆上初始图案中心偏移量和离焦变化量计算得到初始远心度。可选的，本申请实施例使用的测试掩模可以为周期为44nm(等效到晶圆上的尺寸)，水平和竖直方向线宽都为22nm的通孔图形。
具体的，可以标定视场各位置在无任何系统扰动时的图案中心偏移，并通过改变晶圆位置离焦量确定视场各位置远心度。
其中，
为初始远心度，
为初始图案中心偏移量，ΔF为离焦变化量。
参见图2所示，为本申请实施例提供的无任何系统扰动时视场各位置的系统初始远心度的示意图，其中横坐标为视场位置，纵坐标为远心度，分为水平方向的远心度随视场位置变化的曲线和竖直方向的远心度随视场位置变化的曲线。
S102：当投影系统中存在单项干扰时，根据所述初始远心度、所述初始图案中心偏移量和引入所述单项干扰时的图案中心偏移量计算得到引入所述单项干扰时的远心度，作为第一等效远心度。
在本申请实施例中，由于系统扰动可以等效为在原来远心度的基础上增加了等效远心度，而远心度可以表征为图案中心偏移的变化，因此在引入系统扰动后远心度预测值可以根据初始远心度、初始图案中心偏移量和引入单项干扰时的图案中心偏移量计算得到引入单项干扰时的远心度，作为第一等效远心度。
其中，
为第一等效远心度，
为初始图案中心偏移量，
为引入单项干扰时的图案中心偏移量。
S103：当投影系统中存在多项干扰时，根据所述初始远心度和引入所述多项干扰时的各个干扰分别对应的远心度，计算得到引入所述多项干扰时的远心度，作为第二等效远心度。
S104：当投影系统中存在单项干扰时，根据所述第一等效远心度计算在不同离焦时的图案中心偏移作为第一远心偏差；
S105：当投影系统中存在多项干扰时，根据所述第二等效远心度计算在不同离焦时的图案中心偏移作为第二远心偏差。
在本申请实施例中，当同时引入多项系统扰动时，可以根据矢量叠加原理，预测多系统扰动时的等效远心度。
具体的，当投影系统中存在多项干扰时，可以根据初始远心度和引入多项干扰时的各个干扰分别对应的远心度，计算得到引入多项干扰时的远心度，作为第二等效远心度。
其中，
为第二等效远心度，
为引入多项干扰时的各个干扰分别对应的远心度，其中，n为正整数。引入多项干扰时的各个干扰分别对应的远心度可以根据公式(2)计算得到。根据公式(3)即可计算出光刻曝光系统中同时引入n项扰动之后的等效远心度。
当计算得出了第一等效远心度或第二等效远心度，则当投影系统中存在单项干扰时，可以根据第一等效远心度计算在不同离焦时的图案中心偏移作为第一远心偏差；当投影系统中存在多项干扰时，根据第二等效远心度计算在不同离焦时的图案中心偏移作为第二远心偏差。
利用本申请实施例的预测方法，引入5％杂散光的系统扰动时视场各位置的系统远心度与其预测值如图3所示。引入像差Z7＝0.05的系统扰动时视场各位置的系统远心度与其预测值如图4所示。5％杂散光和像差Z7＝0.05同时作用的系统扰动时视场各位置的系统远心度与其预测值如图5所示。可见实际测量远心度与预测值极其接近，除个别情况外，预测偏差始终保持在30％以下。此外，在系统扰动较小时和水平方向的远心度都有着很高的精度。在得到远心度的结果后即可推断远心偏差。便可以根据远心偏差的范围确定系统离焦量等其他关键参数的预算要求。
本申请实施例提供了一种光刻机投影物镜远心偏差的预测方法，该方法包括：根据晶圆上初始图案中心偏移量和离焦变化量计算得到初始远心度，根据初始远心度、初始图案中心偏移量和引入单项干扰时的图案中心偏移量计算得到引入单项干扰时的远心度，作为第一等效远心度；根据初始远心度和引入多项干扰时的各个干扰分别对应的远心度，计算得到引入多项干扰时的远心度，作为第二等效远心度；根据第一等效远心度、第二等效远心度计算在不同离焦时的图案中心偏移作为第二远心偏差。从而本申请在掌握系统的初始图形放置误差和引入的系统扰动之后，不再需要额外的图形测量，即可以较高精度的预测光刻机投影物镜远心偏差，计算简单、检测成本低。
示例性装置
参见图6所示，为本申请实施例提供的一种光刻机投影物镜远心偏差的预测装置的示意图，包括：
初始远心度计算单元601，用于根据晶圆上初始图案中心偏移量和离焦变化量计算得到初始远心度；
第一等效远心度计算单元602，用于当投影系统中存在单项干扰时，根据所述初始远心度、所述初始图案中心偏移量和引入所述单项干扰时的图案中心偏移量计算得到引入所述单项干扰时的远心度，作为第一等效远心度；
第二等效远心度计算单元603，用于当投影系统中存在多项干扰时，根据所述初始远心度和引入所述多项干扰时的各个干扰分别对应的远心度，计算得到引入所述多项干扰时的远心度，作为第二等效远心度；
第一远心偏差计算单元604，用于当投影系统中存在单项干扰时，根据所述第一等效远心度计算在不同离焦时的图案中心偏移作为第一远心偏差；
第二远心偏差计算单元605，用于当投影系统中存在多项干扰时，根据所述第二等效远心度计算在不同离焦时的图案中心偏移作为第二远心偏差。
在一种可能的实现方式中，所述初始远心度计算单元，具体用于计算所述初始远心度
其中，
为所述初始远心度，
为所述初始图案中心偏移量，ΔF为所述离焦变化量。
在一种可能的实现方式中，所述第一等效远心度计算单元，具体用于计算所述第一等效远心度
其中，
为所述第一等效远心度，
为所述初始图案中心偏移量，
为所述引入所述单项干扰时的图案中心偏移量。
在一种可能的实现方式中，所述第二等效远心度计算单元，具体用于计算所述第二等效远心度
其中，
为所述第二等效远心度，
为所述引入所述多项干扰时的各个干扰分别对应的远心度，其中，n为正整数。
本申请实施例提供了一种光刻机投影物镜远心偏差的预测装置，应用于该装置的方法包括：根据晶圆上初始图案中心偏移量和离焦变化量计算得到初始远心度，根据初始远心度、初始图案中心偏移量和引入单项干扰时的图案中心偏移量计算得到引入单项干扰时的远心度，作为第一等效远心度；根据初始远心度和引入多项干扰时的各个干扰分别对应的远心度，计算得到引入多项干扰时的远心度，作为第二等效远心度；根据第一等效远心度、第二等效远心度计算在不同离焦时的图案中心偏移作为第二远心偏差。从而本申请在掌握系统的初始图形放置误差和引入的系统扰动之后，不再需要额外的图形测量，即可以较高精度的预测光刻机投影物镜远心偏差，计算简单、检测成本低。
在上述实施例的基础上，本申请实施例提供了一种光刻机投影物镜远心偏差的预测系统，包括：
存储器，用于存储计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序时实现如上述光刻机投影物镜远心偏差的预测方法的步骤。
在上述实施例的基础上，本申请实施例还提供了一种计算机可读介质，所述计算机可读介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理执行时实现如上述光刻机投影物镜远心偏差的预测方法的步骤。
需要说明的是，本公开上述的计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质或者是上述两者的任意组合。计算机可读存储介质例如可以是——但不限于——电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子可以包括但不限于：具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机访问存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器(CD-ROM)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。在本公开中，计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。而在本公开中，计算机可读信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了计算机可读的程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。计算机可读信号介质还可以是计算机可读存储介质以外的任何计算机可读介质，该计算机可读信号介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。计算机可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输，包括但不限于：电线、光缆、RF(射频)等等，或者上述的任意合适的组合。
上述计算机可读介质可以是上述系统中所包含的；也可以是单独存在，而未装配入该系统中。
特别地，根据本公开的实施例，上文参考流程图描述的过程可以被实现为计算机软件程序。例如，本公开的实施例包括一种计算机程序产品，其包括承载在非暂态计算机可读介质上的计算机程序，该计算机程序包含用于执行流程图所示的方法的程序代码。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处。尤其，对于装置实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
以上所述仅是本申请的优选实施方式，虽然本申请已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本申请。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本申请技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本申请技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本申请技术方案的内容，依据本申请的技术实质对以上实施例所做的任何的简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本申请技术方案保护的范围内。
Claims (10)
1.一种光刻机投影物镜远心偏差的预测方法，其特征在于，包括：
根据晶圆上初始图案中心偏移量和离焦变化量计算得到初始远心度；
当投影系统中存在单项干扰时，根据所述初始远心度、所述初始图案中心偏移量和引入所述单项干扰时的图案中心偏移量计算得到引入所述单项干扰时的远心度，作为第一等效远心度；
当投影系统中存在多项干扰时，根据所述初始远心度和引入所述多项干扰时的各个干扰分别对应的远心度，计算得到引入所述多项干扰时的远心度，作为第二等效远心度；
当投影系统中存在单项干扰时，根据所述第一等效远心度计算在不同离焦时的图案中心偏移作为第一远心偏差；
当投影系统中存在多项干扰时，根据所述第二等效远心度计算在不同离焦时的图案中心偏移作为第二远心偏差。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据晶圆上初始图案中心偏移量和离焦变化量计算得到初始远心度，包括：
其中，
为所述初始远心度，
为所述初始图案中心偏移量，ΔF为所述离焦变化量。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述初始远心度、所述初始图案中心偏移量和引入所述单项干扰时的图案中心偏移量计算得到引入所述单项干扰时的远心度，作为第一等效远心度，包括：
其中，
为所述第一等效远心度，
为所述初始图案中心偏移量，
为所述引入所述单项干扰时的图案中心偏移量。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述初始远心度和引入所述多项干扰时的各个干扰分别对应的远心度，计算得到引入所述多项干扰时的远心度，作为第二等效远心度，包括；
其中，
为所述第二等效远心度，
为所述引入所述多项干扰时的各个干扰分别对应的远心度，其中，n为正整数。
5.一种光刻机投影物镜远心偏差的预测装置，其特征在于，包括：
初始远心度计算单元，用于根据晶圆上初始图案中心偏移量和离焦变化量计算得到初始远心度；
第一等效远心度计算单元，用于当投影系统中存在单项干扰时，根据所述初始远心度、所述初始图案中心偏移量和引入所述单项干扰时的图案中心偏移量计算得到引入所述单项干扰时的远心度，作为第一等效远心度；
第二等效远心度计算单元，用于当投影系统中存在多项干扰时，根据所述初始远心度和引入所述多项干扰时的各个干扰分别对应的远心度，计算得到引入所述多项干扰时的远心度，作为第二等效远心度；
第一远心偏差计算单元，用于当投影系统中存在单项干扰时，根据所述第一等效远心度计算在不同离焦时的图案中心偏移作为第一远心偏差；
第二远心偏差计算单元，用于当投影系统中存在多项干扰时，根据所述第二等效远心度计算在不同离焦时的图案中心偏移作为第二远心偏差。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述初始远心度计算单元，具体用于计算所述初始远心度
其中，
为所述初始远心度，
为所述初始图案中心偏移量，ΔF为所述离焦变化量。
7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第一等效远心度计算单元，具体用于计算所述第一等效远心度
其中，
为所述第一等效远心度，
为所述初始图案中心偏移量，
为所述引入所述单项干扰时的图案中心偏移量。
8.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第二等效远心度计算单元，具体用于计算所述第二等效远心度
其中，
为所述第二等效远心度，
为所述引入所述多项干扰时的各个干扰分别对应的远心度，其中，n为正整数。
9.一种光刻机投影物镜远心偏差的预测系统，其特征在于，包括：
存储器，用于存储计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1-4任意一项所述光刻机投影物镜远心偏差的预测方法的步骤。
10.一种计算机可读介质，其特征在于，所述计算机可读介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理执行时实现如权利要求1-4任意一项所述光刻机投影物镜远心偏差的预测方法的步骤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211384516.1A CN115639731A (zh) | 2022-11-07 | 2022-11-07 | 光刻机投影物镜远心偏差的预测方法、装置、系统和介质 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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ID=84949627
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|---|---|---|---|---|
| CN116577075A (zh) * | 2023-07-10 | 2023-08-11 | 睿励科学仪器（上海）有限公司 | 一种物镜远心度的测量系统、方法及存储介质 |
-
2022
- 2022-11-07 CN CN202211384516.1A patent/CN115639731A/zh active Pending
Cited By (2)
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| CN116577075A (zh) * | 2023-07-10 | 2023-08-11 | 睿励科学仪器（上海）有限公司 | 一种物镜远心度的测量系统、方法及存储介质 |
| CN116577075B (zh) * | 2023-07-10 | 2023-10-03 | 睿励科学仪器（上海）有限公司 | 一种物镜远心度的测量系统、方法及存储介质 |
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