CN115639433A - 多通道开关ic - Google Patents

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CN115639433A CN202210128259.9A CN202210128259A CN115639433A CN 115639433 A CN115639433 A CN 115639433A CN 202210128259 A CN202210128259 A CN 202210128259A CN 115639433 A CN115639433 A CN 115639433A
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篠原正俊
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Toshiba Corp
Toshiba Electronic Devices and Storage Corp
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Abstract

本发明提供能够减少测试端子的数量的多通道开关IC。根据一个实施方式，多通道开关IC包括多通道开关单元、共通测试端子。多通道开关单元包括多个开关单元。各开关单元构成为包括经由输出端子对输出信号进行输出的输出晶体管、与输出晶体管中流动的电流相应地对检测电流进行检测的过电流检测电路、以及阳极被输入检测电流的二极管。共通测试端子与各开关单元连接，经由二极管而与过电流检测电路连接，且与二极管的阴极连接。

Description

多通道开关IC
(关联文献的引用)
本申请基于2021年7月20日申请的在先日本专利申请2021-119568号且主张其优先权，其内容整体通过引用被包含于此。
技术领域
本发明的实施方式涉及多通道开关IC(Integrated Circuit：集成电路)。
背景技术
开关IC适用于工业用及民用等，具备输出晶体管、控制器、驱动器等。开关IC被搭载于马达控制系统、电池监视系统、电力管理系统、照明控制系统等，近年来多通道化不断进展。
在多通道开关IC中，过电流检测、过热检测很重要。用于进行过电流检测、过热检测等的保护功能电路防止开关IC的动作异常、应用(Application)的破损等。在保护功能电路中存在如下问题：由于按每个通道设置测试端子，因此测试端子的数量增加。
在具备保护功能电路的多通道开关IC中，考虑到芯片大小的增大、测试的复杂化，强烈要求测试端子的数量减少。
发明内容
发明所要解决的课题：
发明想要解决的课题在于，提供能够减少测试端子的数量的多通道开关IC。
用于解决课题的手段：
根据一个实施方式，多通道开关IC包括多通道开关单元、共通测试端子。多通道开关单元包括多个开关单元。各开关单元构成为包括经由输出端子对输出信号进行输出的输出晶体管、与输出晶体管中流动的电流相应地对检测电流进行检测的过电流检测电路、以及阳极被输入检测电流的二极管。共通测试端子与各通道开关单元连接，经由二极管而与过电流检测电路连接，且与二极管的阴极连接。
发明效果：
本发明能够减少测试端子的数量。
附图说明
图1是表示第1实施方式所涉及的多通道开关IC的电路图。
图2是说明第1实施方式所涉及的多通道开关IC的测试的图。
图3是说明第1实施方式所涉及的多通道开关IC的测试的时序图。
图4是表示第2实施方式所涉及的多通道开关IC的电路图。
图5是表示第3实施方式所涉及的多通道开关IC的电路图。
图6是说明第3实施方式所涉及的多通道开关IC的测试的时序图。
图7是说明第3实施方式所涉及的多通道开关IC的测试的时序图。
图8是表示第1变形例的多通道开关IC的电路图。
图9是表示比较例的多通道开关IC的电路图。
具体实施方式
以下参照附图说明本发明的实施方式。
首先，参照附图说明第1实施方式所涉及的多通道开关IC。图1是表示多通道开关IC的电路图。
在第1实施方式中，多通道开关IC包括2个开关单元、共通测试端子。2个开关单元分别构成为包括经由输出端子对输出信号进行输出的输出晶体管、与输出晶体管中流动的电流相应地对检测电流进行检测的过电流检测电路、以及阳极被输入检测电流的二极管。共通测试端子与2个开关单元连接，经由二极管而与过电流检测电路连接，且与二极管的阴极连接。
如图1所示，多通道开关IC100是2通道开关IC，包括开关单元1、开关单元2、控制器3A、驱动器4A、共通测试端子Pcmt。多通道开关IC100搭载作为对过电流的产生进行监视的保护功能电路的过电流检测电路，防止开关单元的动作异常、应用的破损等。多通道开关IC100适用于工业用及民用，被搭载于马达控制系统、电池监视系统、电力管理系统、照明监视系统等。
控制器3A向驱动器4A输出对驱动器4A的动作进行控制的控制信号Scn。控制器3A在通常动作时，以在测试时从开关单元1和开关单元2输出的信息作为输入，基于该信息对开关单元1及开关单元2进行反馈控制(详细后述)。
驱动器4A基于控制信号Scn，生成对开关单元1的输出MOS(Metal-Oxide-Semiconductor：金属氧化物半导体)晶体管MT1的动作进行控制的控制信号Ssg1、对开关单元2的输出MOS晶体管MT2的动作进行控制的控制信号Ssg2。
开关单元1和开关单元2具有相同的电路构成。
开关单元1包括过电流检测电路11、二极管D1、输出MOS晶体管MT1、输出端子Pout1。
输出MOS晶体管MT1(输出晶体管)是高侧Nch输出MOS晶体管。输出MOS晶体管MT1的第1端子(漏极)经由电阻R1而与电源电压(高电位侧电源)Vdd连接，其控制端子(栅极)被输入控制信号Ssg1，在控制信号Ssg1为使能(enable)状态时，输出MOS晶体管MT1导通并从第2端子(源极)侧将输出信号(输出电流Iout1)向输出端子Pout1输出。
过电流检测电路11作为保护功能电路发挥功能，对输出MOS晶体管MT1中流动的输出电流Iout1进行监视。过电流检测电路11检测输出电流Iout1为规定值以内或者为规定值以上(过电流)。过电流检测电路11在输出MOS晶体管MT1中流动了规定值以上的过电流的情况下，将该信息向控制器3A反馈发送。控制器3A输入由过电流检测电路11检测出的过电流信息，预先防止开关单元1的发热、破损、在输出端子Pout1的输出侧设置的应用的发热、破损。
过电流检测电路11包括电流源12、电流源13、电阻R1～R7、PNP晶体管Q1～Q3、检测电压端子Pvdt1。
电阻R1的一端(节点N1)与电源电压(高电位侧电源)Vdd连接，其另一端(节点N2)与输出MOS晶体管MT1的第1端子(漏极)连接。电阻R2的一端与节点N1连接，其另一端与节点N3连接。电阻R3的一端与节点N2连接，其另一端与节点N4连接。PNP晶体管Q3的第1端子(发射极)与节点N3连接，其控制端子(基极)与节点N6连接。电阻R4的一端与PNP晶体管Q3的第2端子(集电极)连接，其另一端与节点N7连接。检测电压端子Pvdt1与节点N7连接，由过电流检测电路11检测而与输出电流Iout1相应地输出检测电压Vdt1。在流动的输出电流Iout1达到了设定电平的情况下，检测出检测电压Vdt1。电阻R7的一端与节点N7连接，其另一端与接地电位(低电位侧电源)Vss连接。PNP晶体管Q1的第1端子(发射极)与节点N3连接，其控制端子(基极)与节点N5(第2端子、集电极)和PNP晶体管Q2的控制端子(基极)连接。PNP晶体管Q2的第1端子(发射极)与节点N4连接，其第2端子(集电极)与节点N6连接。电阻R5的一端与节点N5连接，其另一端与节点N8连接。电流源12设置在电阻R5与接地电位(低电位侧电源)Vss之间，使电流I1向接地电位(低电位侧电源)Vss侧流动。电阻R6的一端与节点N6连接，其另一端与节点N9连接。电流源13设置在电阻R6与接地电位(低电位侧电源)Vss之间，使电流I2向接地电位(低电位侧电源)Vss侧流动。
PNP晶体管Q1和PNP晶体管Q2构成电流镜电路，与镜比(PNP晶体管Q1的发射极面积与PNP晶体管Q2的发射极面积之比)相应地，使成为镜倍率的电流I2向接地电位(低电位侧电源)Vss侧流动。也可以替代构成电流镜电路的PNP晶体管Q1和PNP晶体管Q2，而使用NPN晶体管、NchMOS晶体管、PchMOS晶体管等。
过电流检测电路11与输出MOS晶体管MT1中流动的电流相应地，经由节点N2(电阻R1的另一端)
Figure BDA0003501468020000041
电阻R3
Figure BDA0003501468020000042
节点N4输出检测电流Idt1。
二极管D1是基极与集电极连接的共基极PNP晶体管。向二极管D1的阳极输入检测电流Idt1，二极管D1的阴极与共通测试端子Pcmt连接。二极管D1相对于检测电流Idt1为正向，相对于经由共通测试端子Pcmt从其他开关单元(开关单元2)产生的检测电流Idt(开关单元2的检测电流Idt2)为逆向，切断检测电流Idt(开关单元2的检测电流Idt2)向过电流检测电路11的流入。
开关单元2包括过电流检测电路21、二极管D2、输出MOS晶体管MT2、输出端子Pout2。
输出MOS晶体管MT2(输出晶体管)是高侧Nch输出MOS晶体管。输出MOS晶体管MT2的第1端子(漏极)经由电阻R11而与电源电压(高电位侧电源)Vdd连接，其控制端子(栅极)被输入控制信号Ssg2，在控制信号Ssg2为使能状态时，输出MOS晶体管MT2导通并从第2端子(源极)侧将输出信号(输出电流Iout2)向输出端子Pout2输出。
过电流检测电路21作为保护功能电路发挥功能，对输出MOS晶体管MT2中流动的输出电流Iout2进行监视。过电流检测电路21检测输出电流Iout2为规定值以内或者为规定值以上(过电流)。过电流检测电路21在输出MOS晶体管MT2中流动了规定值以上的过电流的情况下，将该信息向控制器3A反馈发送。控制器3A以由过电流检测电路21检测的过电流信息作为输入，预先防止开关单元2的发热、破损、在输出端子Pout2的输出侧设置的应用的发热、破损。
过电流检测电路21包括电流源22、电流源23、电阻R11～R17、PNP晶体管Q11～Q13、检测电压端子Pvdt2。
电阻R11的一端(节点N11)与电源电压(高电位侧电源)Vdd连接，其另一端(节点N12)与输出MOS晶体管MT2的第1端子(漏极)连接。电阻R12的一端与节点N11连接，其另一端与节点N13连接。电阻R13的一端与节点N12连接，其另一端与节点N14连接。PNP晶体管Q13的第1端子(发射极)与节点N13连接，其控制端子(基极)与节点N16连接。电阻R14的一端与PNP晶体管Q13的第2端子(集电极)连接，其另一端与节点N17连接。检测电压端子Pvdt2与节点N17连接，由过电流检测电路21检测，与输出电流Iout2相应地输出检测电压Vdt2。在流动的输出电流Iout2达到了设定电平的情况下，检测出检测电压Vdt2。电阻R17的一端与节点N17连接，其另一端与接地电位(低电位侧电源)Vss连接。PNP晶体管Q11的第1端子(发射极)与节点N13连接，其控制端子(基极)与节点N15(第2端子、集电极)和PNP晶体管Q12的控制端子(基极)连接。PNP晶体管Q12的第1端子(发射极)与节点N14连接，其第2端子(集电极)与节点N16连接。电阻R15的一端与节点N15连接，其另一端与节点N18连接。电流源22设置在电阻R15与接地电位(低电位侧电源)Vss之间，使电流I11向接地电位(低电位侧电源)Vss侧流动。电阻R16的一端与节点N16连接，其另一端与节点N19连接。电流源23设置在电阻R16与接地电位(低电位侧电源)Vss之间，使电流I21向接地电位(低电位侧电源)Vss侧流动。
PNP晶体管Q11和PNP晶体管Q12构成电流镜电路，与镜比(PNP晶体管Q11的发射极面积与PNP晶体管Q12的发射极面积之比)相应地，使成为镜倍率的电流I21向接地电位(低电位侧电源)Vss侧流动。也可以替代构成电流镜电路的PNP晶体管Q11和PNP晶体管Q12，而使用NPN晶体管、NchMOS晶体管、PchMOS晶体管等。
过电流检测电路21与输出MOS晶体管MT2中流动的电流相应地，经由节点N12(电阻R11的另一端)
Figure BDA0003501468020000061
电阻R13
Figure BDA0003501468020000062
节点N14输出检测电流Idt2。
二极管D2是基极与集电极连接的共基极PNP晶体管。向二极管D2的阳极输入检测电流Idt2，二极管D2的阴极与共通测试端子Pcmt连接。二极管D2相对于检测电流Idt2为正向，相对于经由共通测试端子Pcmt从其他开关单元(开关单元1)产生的检测电流Idt(开关单元1的检测电流Idt1)为逆向，切断检测电流Idt(开关单元1的检测电流Idt1)向过电流检测电路21的流入。
参照图9说明比较例的多通道开关IC。如图9所示，比较例的多通道开关IC400相对于本实施方式的多通道开关IC100省略了二极管D1、二极管D2，替代共通测试端子Pcmt而设置有测试端子Pt1和测试端子Pt2。比较例的多通道开关IC400按每个开关单元设置有测试端子，因此相对于本实施例的多通道开关IC100而言测试端子的数量较多。在比较例的多通道开关IC400中，仅说明与本实施例的多通道开关IC100的不同点。
开关单元1b和开关单元2b具有相同的电路构成。
开关单元1b包括过电流检测电路11、输出MOS晶体管MT1、输出端子Pout1。开关单元2b包括过电流检测电路21、输出MOS晶体管MT2、输出端子Pout2。
测试端子Pt1与过电流检测电路11的节点N4连接，输入检测电流Idt1。测试端子Pt2与过电流检测电路21的节点N14连接，输入检测电流Idt2。
接下来，参照图2、图3说明多通道开关IC100的测试。图2是说明多通道开关IC的测试的图。图3是说明多通道开关IC的测试的时序图。
如图2所示，在多通道开关IC100的裸片分拣机(Disorters)(D/S)或通道开关IC模组等的测试时，测试机5A使用探头等而与共通测试端子Pcmt、检测电压端子Pvdt1、检测电压端子Pvdt2等接触，取得从共通测试端子Pcmt、检测电压端子Pvdt1、检测电压端子Pvdt2等分别输出的信息。
如图3所示，在多通道开关IC100的开关单元1和开关单元2的平行测试(依次测试)中，例如将控制信号Ssg1设定为使能状态(高电平(High Level))，将控制信号Ssg2设定为禁用状态(低电平(Low Level))。此时，输出MOS晶体管MT1导通，输出MOS晶体管MT2关断，与输出电流Iout1相应地经由共通测试端子Pcmt对检测电流Idt1进行检测，与输出电流Iout1相应地经由检测电压端子Pvdt1对检测电压Vdt1进行检测。根据检测电流Idt1、检测电压Vdt1的值，判断输出电流Iout1为规定的范围内或者为范围外(过电流)。
接下来，将控制信号Ssg2设定为使能状态(高电平(High Level))，将控制信号Ssg1设定为禁用状态(低电平(Low Level))。此时，输出MOS晶体管MT1关断，输出MOS晶体管MT2导通，与输出电流Iout2相应地经由共通测试端子Pcmt对检测电流Idt2进行检测，与输出电流Iout2相应地经由检测电压端子Pvdt2对检测电压Vdt2进行检测。根据检测电流Idt2、检测电压Vdt2的值，判断输出电流Iout2为规定的范围内或者为范围外(过电流)。
在多通道开关IC100的开关单元1和开关单元2的同时测试中，将控制信号Ssg1设定为使能状态(高电平(High Level))，将控制信号Ssg2设定为使能状态(高电平(HighLevel))。此时，输出MOS晶体管MT1导通，输出MOS晶体管MT2导通，经由共通测试端子Pcmt检测与合计输出电流(Iout1+Iout2)相应的合计检测电流(Idt1+Idt2)，与输出电流Iout1相应地经由检测电压端子Pvdt1对检测电压Vdt1进行检测，与输出电流Iout2相应地经由检测电压端子Pvdt2对检测电压Vdt2进行检测。根据合计检测电流(Idt1+Idt2)、检测电压Vdt1、检测电压Vdt2的值，判断输出电流Iout1、输出电流Iout2为规定的范围内或者为范围外(过电流)。
如上所述，在第1实施方式的多通道开关IC100中，设置有开关单元1、开关单元2、控制器3A、驱动器4A、共通测试端子Pcmt。开关单元1包括过电流检测电路11、二极管D1、输出MOS晶体管MT1、输出端子Pout1。开关单元2包括过电流检测电路21、二极管D2、输出MOS晶体管MT2、输出端子Pout2。过电流检测电路11与输出MOS晶体管MT1中流动的输出电流Iout1相应地经由共通测试端子Pcmt输出检测电流Idt1。过电流检测电路21与输出MOS晶体管MT2中流动的输出电流Iout2相应地经由共通测试端子Pcmt输出检测电流Idt2。
因此，能够削减测试端子的数量。因此，能够抑制芯片大小或测试成本的上升。
此外，在本实施方式的多通道开关IC100中，使用过电流检测电路监视在高侧输出MOS晶体管中流动的输出电流，但不一定限定于此。也可以像图8所示的第1变形例的多通道开关IC100a那样，监视低侧输出MOS晶体管中流动的输出电流。具体而言，多通道开关IC100a设置有开关单元1a、开关单元2a、控制器3C、驱动器4C、共通测试端子Pcmt。
开关单元1a包括过电流检测电路11、二极管D1、输出MOS晶体管MT1、输出MOS晶体管MT11、输出端子Pout1。开关单元2a包括过电流检测电路21、二极管D2、输出MOS晶体管MT2、输出MOS晶体管MT21、输出端子Pout2。以下，仅说明与多通道开关IC100的不同点。
控制器3C向驱动器4C输出对驱动器4C的动作进行控制的控制信号Scnb。控制器3C在通常动作时，以在测试时从开关单元1a和开关单元2a输出的信息为输入，基于该信息对开关单元1a和开关单元2a进行反馈控制。
驱动器4C基于控制信号Scnb，生成对开关单元1a的输出MOS晶体管MT11的动作进行控制的控制信号Ssg11、对开关单元2a的输出MOS晶体管MT21的动作进行控制的控制信号Ssg21。
开关单元1a和开关单元2a具有相同的电路构成。
输出MOS晶体管MT1的第1端子(漏极)与电源电压(高电位侧电源)Vdd连接，其控制端子(栅极)被输入控制信号Ssg1，其第2端子(源极)与节点N10、输出端子Pout1连接。输出MOS晶体管MT11是低侧Nch输出MOS晶体管，其第1端子(漏极)与节点N10连接，其控制端子(栅极)被输入控制信号Ssg11，其第2端子(源极)与节点N1连接，在控制信号Ssg11为使能状态(高电平(High Level))时输出MOS晶体管MT11导通，在控制信号Ssg11为禁用状态(低电平(Low Level))时输出MOS晶体管MT11关断。过电流检测电路11与输出MOS晶体管MT11中流动的电流相应地输出检测电流和检测电压。
输出MOS晶体管MT2的第1端子(漏极)与电源电压(高电位侧电源)Vdd连接，其控制端子(栅极)被输入控制信号Ssg2，其第2端子(源极)与节点N20、输出端子Pout2连接。输出MOS晶体管MT21是低侧Nch输出MOS晶体管，其第1端子(漏极)与节点N20连接，其控制端子(栅极)被输入控制信号Ssg21，其第2端子(源极)与节点N11连接，在控制信号Ssg21为使能状态(高电平(High Level))时输出MOS晶体管MT21导通，在控制信号Ssg21为禁用状态(低电平(Low Level))时输出MOS晶体管MT21关断。过电流检测电路21与输出MOS晶体管MT21中流动的电流相应地输出检测电流和检测电压。
参照附图说明第2实施方式所涉及的多通道开关IC。图4是表示多通道开关IC的电路图。
在第2实施方式中，多通道开关IC包括4个开关单元、共通测试端子。4个开关单元分别构成为包括经由输出端子对输出信号进行输出的输出晶体管、检测与输出晶体管中流动的电流相应的检测电流的过电流检测电路、以及阳极输入检测电流的二极管。共通测试端子与4个开关单元连接，经由二极管而与过电流检测电路连接，且与二极管的阴极连接。
以下针对与第1实施方式相同的构成部分赋予同一标记并省略该部分的说明，仅说明不同的部分。
如图4所示，多通道开关IC200是4通道开关IC，包括开关单元1至4、共通测试端子Pcmt。多通道开关IC200搭载对过电流的产生进行监视的过电流检测电路来防止开关单元的动作异常、应用的破损等。多通道开关IC200适用于工业用及民用，被搭载于马达控制系统、电池监视系统、电力管理系统、照明监视系统等。
控制器3B向驱动器4B输出对驱动器4B的动作进行控制的控制信号Scna。控制器3B在通常动作时，以在测试时从开关单元1至4分别输出的信息作为输入，基于该信息对开关单元1至4进行反馈控制。
驱动器4B基于控制信号Scna，生成对开关单元1的输出MOS晶体管(未图示)的动作进行控制的控制信号Ssg1、对开关单元2的输出MOS晶体管(未图示)的动作进行控制的控制信号Ssg2、对开关单元3的输出MOS晶体管(未图示)的动作进行控制的控制信号Ssg3、对开关单元4的输出MOS晶体管(未图示)的动作进行控制的控制信号Ssg4。
开关单元1至4具有相同的电路构成。
开关单元3中设置的过电流检测电路(未图示)与输出MOS晶体管(未图示)中流动的输出电流相应地对检测电流和检测电压进行检测。开关单元4中设置的过电流检测电路(未图示)与输出MOS晶体管(未图示)中流动的输出电流相应地对检测电流和检测电压进行检测。
从开关单元3的过电流检测电路(未图示)输出的检测电流经由二极管(未图示)被输入至共通测试端子Pcmt，从开关单元4的过电流检测电路(未图示)输出的检测电流经由二极管(未图示)被输入至共通测试端子Pcmt。
如上所述，在第2实施方式的多通道开关IC200中，设置有开关单元1至4、共通测试端子Pcmt。开关单元1至4具有相同的电路构成。从开关单元1至4分别输出的检测电流经由二极管被输入至共通测试端子Pcmt。
因此，能够削减测试端子的数量。因此，能够抑制芯片大小或测试成本的上升。
此外，本实施方式的多通道开关IC设为4通道结构，但不一定限定于此。例如，也可以设为3通道机构或5通道结构以上。
参照附图说明第3实施方式所涉及的多通道开关IC。图5是表示多通道开关IC的电路图。
在第3实施方式中，多通道开关IC包括4个开关单元、第1共通测试端子、第2共通测试端子。4个开关单元分别构成为包括经由输出端子对输出信号进行输出的输出晶体管、检测与输出晶体管中流动的电流相应的检测电流的过电流检测电路、以及阳极输入检测电流的二极管。第1共通测试端子与第奇数个开关单元连接，经由二极管而与过电流检测电路连接，且与二极管的阴极连接。第2共通测试端子与第偶数个开关单元连接，经由二极管而与过电流检测电路连接，且与二极管的阴极连接。
以下针对与第2实施方式相同的构成部分赋予同一标记并省略该部分的说明，仅说明不同的部分。
如图5所示，多通道开关IC300是4通道开关IC，包括开关单元1至4、共通测试端子Pcmt1、共通测试端子Pcmt2。多通道开关IC300搭载对过电流的产生进行监视的过电流检测电路来防止开关单元的动作异常、应用的破损等。多通道开关IC300适用于工业用及民用，被搭载于马达控制系统、电池监视系统、电力管理系统、照明监视系统等。
共通测试端子Pcmt1(第1共通测试端子)与作为第奇数个开关单元的开关单元1及开关单元3连接，经由二极管而与过电流检测电路连接，且与二极管的阴极连接。共通测试端子Pcmt2(第2共通测试端子)与作为第偶数个开关单元的开关单元2及开关单元4连接，经由二极管而与过电流检测电路连接，且与二极管的阴极连接。
接下来，参照图6、图7说明多通道开关IC300的测试。图6、图7是说明多通道开关IC的测试的时序图。图6是不存在由相邻通道引起的噪声的影响的情况下的时序图，图7是存在由相邻通道引起的噪声的影响的情况下的时序图。
如图6所示，例如，在使第奇数个开关单元(开关单元1及开关单元3)的输出MOS晶体管同时导通，与合计输出电流(Iout1+Iout3)相应地在共通测试端子Pcmt1(第1共通测试端子)检测合计检测电流(Idt1+Idt3)，与输出电流Iout1相应地对检测电压Vdt1进行检测，与输出电流Iout3相应地对检测电压Vdt3进行检测时，在未导通的第偶数个开关单元(例如配置在开关单元1及开关单元3之间的开关单元2)中未产生寄生动作电流等噪声的情况下，在检测电压端子(例如检测电压端子Pvdt2)未观测到检测电压。
如图7所示，例如，在使第奇数个开关单元(开关单元1及开关单元3)的输出MOS晶体管同时导通，与合计输出电流(Iout1+Iout3)相应地在共通测试端子Pcmt1(第1共通测试端子)检测合计检测电流(Idt1+Idt3)，与输出电流Iout1相应地对检测电压Vdt1进行检测，与输出电流Iout3相应地对检测电压Vdt3进行检测时，在构成未导通的第偶数个开关单元的电路进行寄生动作而产生了寄生动作电流等噪声的情况下，在检测电压端子(例如检测电压端子Pvdt2)观测到检测电压。
具体而言，在仅在第偶数个开关单元2观测到检测电压的情况下，关于噪声的产生，可以认为仅在第奇数个开关单元1及开关单元3之间配置的第偶数个开关单元2中产生了噪声。
另外，在第偶数个开关单元2及开关单元4观测到检测电压的情况下，关于噪声的产生，可以认为在第奇数个开关单元1及开关单元3之间配置的第偶数个开关单元2、以及与开关单元3相邻配置的第偶数个开关单元4中产生了噪声。
通过对第奇数个的共通测试端子Pcmt1、第偶数个的共通端子Pcmt2进行设置，能够确认有无在多通道开关IC中的相邻的开关单元中产生的、通道间的相互干扰或噪声产生。
如上所述，在第3实施方式的多通道开关IC300中，设置有开关单元1至4、共通测试端子Pcmt1、共通测试端子Pcmt2。共通测试端子Pcmt1与作为第奇数个开关单元的开关单元1及开关单元3连接，经由二极管而与过电流检测电路连接，且与二极管的阴极连接。共通测试端子Pcmt2与作为第偶数个开关单元的开关单元2及开关单元4连接，经由二极管而与过电流检测电路连接，且与二极管的阴极连接。在多通道开关IC300的测试中，确认有无在使第奇数个开关单元的输出MOS晶体管同时导通且使第偶数个开关单元的输出MOS晶体管关断的状态下的第偶数个开关单元的检测电流和检测电压，或者确认有无在使第偶数个开关单元的输出MOS晶体管同时导通且使第奇数个开关单元的输出MOS晶体管关断的状态下的第奇数个开关单元的检测电流和检测电压，从而确认有无在相邻的开关单元中产生的、通道间的相互干扰或噪声的产生。
因此，能够削减测试端子的数量，并且有效地确认有无在相邻的开关单元中产生的、通道间的相互干扰或噪声的产生。
以上说明了本发明的几个实施方式，但这些实施方式作为例子来提示，其意图不在于对发明的范围进行限定。这些新的实施方式能够以其他各种方式被实施，在不脱离发明的主旨的范围内，能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围或主旨中，并包含在专利权利要求书所记载的发明及其等同的范围中。

Claims (18)

1.一种多通道开关IC，其特征在于，具备：
多通道开关单元，设置有多个开关单元，所述开关单元构成为包括经由输出端子对输出信号进行输出的输出晶体管、与所述输出晶体管中流动的电流相应地对检测电流进行检测的过电流检测电路、以及阳极被输入所述检测电流的二极管；以及
共通测试端子，与各开关单元连接，经由所述二极管而与所述过电流检测电路连接，且与所述二极管的阴极连接。
2.如权利要求1所述的多通道开关IC，其特征在于，
所述过电流检测电路经由检测电压端子，与所述输出晶体管中流动的电流相应地输出检测电压。
3.如权利要求1所述的多通道开关IC，其特征在于，
所述输出晶体管是高侧输出MOS晶体管。
4.如权利要求1所述的多通道开关IC，其特征在于，
所述过电流检测电路具有一端与电源连接且另一端与所述输出晶体管的第1端子连接的第1电阻，
所述过电流检测电路从所述第1电阻的另一端侧检测所述检测电流，与所述第1电阻中流动的电流相应地检测所述检测电压。
5.如权利要求1所述的多通道开关IC，其特征在于
所述输出晶体管是低侧输出MOS晶体管。
6.如权利要求1所述的多通道开关IC，其特征在于，
所述二极管是基极与集电极连接的共基极PNP晶体管。
7.如权利要求2所述的多通道开关IC，其特征在于，
在所述多通道开关IC的测试时，使所述多通道开关IC中设置的输出晶体管之中的1个导通，而使其他输出晶体管关断，与导通的输出晶体管中流动的电流相应地经由所述共通测试端子对检测电流进行检测，经由所述检测电压端子对检测电压进行检测，判断所检测出的所述检测电流的值和所述检测电压的值是否处于规定的范围。
8.如权利要求2所述的多通道开关IC，其特征在于，
在所述多通道开关IC的测试时，使所述多通道开关IC中设置的输出晶体管之中的相邻配置的第1输出晶体管和第2输出晶体管导通，而使其他输出晶体管关断，与导通的第1输出晶体管和第2输出晶体管中流动的电流相应地经由所述共通测试端子检测合计检测电流，经由第1检测电压端子而与所述第1输出晶体管中流动的电流相应地检测第1检测电压，经由第2检测电压端子而与所述第2输出晶体管中流动的电流相应地检测第2检测电压，判断所检测出的所述合计检测电流的值、所述第1检测电压及所述第2检测电压的值是否处于规定的范围。
9.如权利要求1所述的多通道开关IC，其特征在于，
所述多通道开关IC对过电流的产生进行监视，防止所述多通道开关IC的动作异常。
10.如权利要求1所述的多通道开关IC，其特征在于，
所述多通道开关IC适用于马达控制系统、电池监视系统、电力管理系统、照明监视系统中的至少任一个。
11.一种多通道开关IC，其特征在于，具备：
多通道开关单元，配置有3个以上开关单元，所述开关单元构成为包括经由输出端子对输出信号进行输出的输出晶体管、与所述输出晶体管中流动的电流相应地对检测电流进行检测的过电流检测电路、以及阳极被输入所述检测电流的二极管；
第1共通测试端子，与所述多通道开关单元的第奇数个开关单元中设置的所述二极管的阴极连接；以及
第2共通测试端子，与所述多通道开关单元的第偶数个开关单元中设置的所述二极管的阴极连接。
12.如权利要求11所述的多通道开关IC，其特征在于，
所述过电流检测电路经由检测电压端子，与所述输出晶体管中流动的电流相应地输出检测电压。
13.如权利要求11所述的多通道开关IC，其特征在于，
所述输出晶体管是高侧输出MOS晶体管。
14.如权利要求11所述的多通道开关IC，其特征在于，
所述过电流检测电路具有一端与电源连接且另一端与所述输出晶体管的第1端子连接的第1电阻，
所述过电流检测电路从所述第1电阻的另一端侧检测所述检测电流，与所述第1电阻中流动的电流相应地检测所述检测电压。
15.如权利要求11所述的多通道开关IC，其特征在于，
所述输出晶体管是低侧输出MOS晶体管。
16.如权利要求11所述的多通道开关IC，其特征在于，
所述过电流检测电路在所述多通道开关单元的测试时，在使第奇数个所述开关单元的输出晶体管同时导通，而使第偶数个所述开关单元的输出晶体管关断时，确认有无从第奇数个所述开关单元对第偶数个所述开关单元的噪声影响，
在使第奇数个所述开关单元的输出晶体管关断，而使第偶数个所述开关单元的输出晶体管同时导通时，确认有无从第偶数个所述开关单元对第奇数个所述开关单元的噪声影响。
17.如权利要求11所述的多通道开关IC，其特征在于，
所述二极管是基极与集电极连接的共基极PNP晶体管。
18.如权利要求11所述的多通道开关IC，其特征在于，
所述多通道开关IC适用于马达控制系统、电池监视系统、电力管理系统、照明监视系统中的至少任一个。
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