CN115616875A - 半导体热制程用加热装置及加热方法 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种半导体热制程用加热装置及加热方法，加热装置包括：第一加热部，其上放置待加热的晶圆；第二加热部，第一加热部与第二加热部平行设置，第二加热部被设置为给第一加热部加热；调节部，其被设置为调节第一加热部与第二加热部之间的垂直距离。本公开的半导体热制程用加热装置，可通过调节第二加热部和第一加热部之间的垂直距离，调整第一加热部的温度，以使第一加热部均匀加热晶圆。

Description

半导体热制程用加热装置及加热方法

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体热制程用加热装置及加热方法。

背景技术

在半导体行业里，黄光制程是将硅片等晶片进行涂胶、软烘、曝光、显影、硬烤，使其光刻显影出图形的工艺。

在黄光制程中，光刻胶涂布、显影、曝光之后需进行多步烘烤热制程，热制程在涂布显影机中进行。热制程中热板温度的均匀性直接影响涂布薄膜膜厚的均匀性和关键尺寸的均匀性。

发明内容

以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开提供一种半导体热制程用加热装置及加热方法。

本公开的第一方面提供一种半导体热制程用加热装置，所述加热装置包括：

第一加热部，其上放置待加热的晶圆；

第二加热部，所述第一加热部与所述第二加热部平行设置，所述第二加热部被设置为给所述第一加热部加热；

调节部，其被设置为调节所述第一加热部与所述第二加热部之间的垂直距离。

根据本公开的一些实施例，所述调节部包括调节支架，所述第一加热部与所述调节支架连接；

所述调节支架带动所述第一加热部朝向或远离所述第二加热部运动。

根据本公开的一些实施例，所述调节支架包括与所述第一加热部平行的支撑单元，所述支撑单元的边缘设置垂直于所述支撑单元的调节单元，所述调节单元与所述第一加热部连接；

所述调节单元缩短，所述第一加热部朝向所述第二加热部运动；

所述调节单元伸长，所述第一加热部远离所述第二加热部运动。

根据本公开的一些实施例，所述调节部包括第一驱动单元，所述第一驱动单元与所述第二加热部连接，所述第一驱动单元带动所述第二加热部朝向或远离所述第一加热部运动。

根据本公开的一些实施例，所述加热装置还包括晶圆支架，所述晶圆支架设置于所述第一加热部的远离所述第二加热部的一侧；

所述晶圆安装于所述晶圆支架。

根据本公开的一些实施例，所述晶圆支架包括伸缩单元，所述伸缩单元被设置为调节所述晶圆支架的高度。

根据本公开的一些实施例，所述加热装置还包括第二驱动单元，所述第二驱动单元与所述第二加热部连接；

所述第二驱动单元被设置为带动所述第二加热部自转。

根据本公开的一些实施例，所述第二驱动单元包括马达和与所述马达连接的传动结构，所述传动结构还与所述第二加热部连接；

所述第二驱动单元还包括冷却部，所述冷却部与所述马达连接。

根据本公开的一些实施例，所述加热装置还包括盖体，所述盖体与所述第一加热部连接，在所述第一加热部与所述盖体之间形成热腔。

根据本公开的一些实施例，所述盖体上开设有进气通道和出气通道；

所述进气通道与外接储气设备连通，所述储气设备中存储惰性气体。

根据本公开的一些实施例，所述第二加热部包括加热元件，

所述加热元件包括多个加热子单元，多个所述加热子单元非对称分布。

根据本公开的一些实施例，所述第一加热部的材料包括陶瓷。

根据本公开的一些实施例，所述第二加热部的材料包括金属。

本公开的第一方面提供一种半导体热制程加热方法，所述加热方法包括：

获取晶圆表面的温度均一性参数；

根据预设阈值范围和所述温度均一性参数，确定调节参数；

根据所述调节参数，通过调节部调节所述第一加热部与所述第二加热部之间的位置关系。

根据本公开的一些实施例，所述根据预设阈值范围和所述温度均一性参数，确定调节参数，包括：

根据所述预设阈值范围和所述温度均一性参数的差值，确定移动方向和移动距离。

本公开的半导体热制程用加热装置，可通过调节第二加热部和第一加热部之间的垂直距离，调整第一加热部的温度，以使第一加热部均匀加热晶圆。

在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

并入到说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与描述一起用于解释本公开实施例的原理。在这些附图中，类似的附图标记用于表示类似的要素。下面描述中的附图是本公开的一些实施例，而不是全部实施例。对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是根据一示例性实施例示出的半导体热制程用加热装置的结构示意图。

图2是根据一个示例性实施例示出的半导体热制程用加热装置中惰性气体的流动方向示意图。

图3是根据一个示例性实施例示出的第二加热部的截面示意图。

图4是本根据一个示例性实施例示出的半导体热制程加热方法的流程图。

附图标记：

100、第一加热部；

200、第二加热部；210、本体；211、第一本体；212、第二本体；250、加热元件；251、第一加热子单元；2510、直管加热器；252、第二加热子单元；2520、U型加热器；

300、调节部；310、调节支架；311、支撑单元；312、调节单元；320、第一驱动单元；

400、热腔；

500、晶圆支架；510、伸缩单元；

600、第二驱动单元；610、马达；620、传动结构；630、冷却部；

700、盖体；710、盖板；711、第一盖板；7111、第一开口；712、第二盖板；7121、第二开口；720、第一侧板；721、扣合结构；730、第二侧板；740、进气通道；750、出气通道。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中的附图，对公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在黄光制程中，热制程过程中晶圆与热板非接触设置，且热板和晶圆分别固定不动，热板对晶圆进行加热处理。在利用热板对晶圆进行加热的过程中，如果晶圆受热不均，将会导致光刻胶膜厚不均，进而影响关键尺寸均匀性。

鉴于此，本公开的示例性实施例提供了一种半导体热制程用加热装置，如图1所示，加热装置包括：放置待加热晶圆的第一加热部100，与第一加热部100平行设置用于加热第一加热部100的第二加热部200，以及调节第一加热部100与第二加热部200之间的垂直距离的调节部300。

在加热晶圆时，将晶圆放置在第一加热部100上方，通过第一加热部100加热晶圆，可通过调节部300调节第二加热部200和第一加热部100之间的垂直距离，调整第一加热部100加热晶圆的温度，以使第一加热部100均匀加热晶圆。

本实施例的加热装置，第一加热部100和第二加热部200分离设置，通过第二加热部200向第一加热部100辐射热量加热第一加热部100加热，再通过第一加热部100向晶圆辐射热量加热晶圆。这种加热方式，第一加热部100的温度更均匀，不会出现加热元件的局部位置温度过高的问题，晶圆温度更加均匀，加热得到的晶圆膜厚均匀一致，关键尺寸精确可控，晶圆的质量更好。

根据一个示例性实施例，本实施例的半导体热制程用加热装置的大部分内容和上述实施例相同，其中，如图1所示，调节部300包括调节支架310，第一加热部100与调节支架310连接，调节支架310带动第一加热部100朝向或远离第二加热部200运动。

调节支架310可以为垂直高度可伸缩调节的伸缩支架，第一加热部100与调节支架310直接连接，通过调节支架310的伸出动作或缩回动作带动第一加热部100移动，以调节第一加热部100和第二加热部200的垂直距离。或者，调节支架310包括动力机构，第一加热部100与调节支架310连接，动力机构驱动调节支架310，以带动第一加热部100朝向或远离第二加热部200运动，调节第一加热部100和第二加热部200之间的垂直距离。

在半导体热制程中，晶圆的温度低于预设温度阈值时，则通过调节支架310带动第一加热部100向远离第二加热部200的方向运动，减小第二加热部200向第一加热部辐射的热量，第一加热部100的温度降低，使晶圆的温度降低至预设温度阈值范围内。晶圆的温度低于预设温度阈值时，则通过调节支架310带动第一加热部100朝向第二加热部200运动，增加第二加热部200向第一加热部100辐射的热量，第一加热部100的温度升高，使晶圆的温度升高至预设温度阈值范围内。

在本实施例中，如图1所示，调节支架310包括与第一加热部100平行的支撑单元311、与支撑单元311的边缘垂直设置且与支撑单元311的边缘连接的调节单元312，调节单元312还与第一加热部100连接。调节单元312缩短，第一加热部100朝向第二加热部200运动；调节单元312伸长，第一加热部100远离第二加热部200运动。

平行设置的支撑单元311和第一加热部100通过调节单元312连接，调节支架310在调节第一加热部100和第二加热部200的垂直距离时，调节单元312的长度伸长或缩短，支撑单元311和第一加热部100维持平行状态不变，第一加热部100水平角度不变，保证调节第一加热部100和第二加热部200恒处于平行状态。

根据一个示例性实施例，本实施例的半导体热制程用加热装置的大部分内容和上述实施例相同，其中，如图1所示，调节部300包括第一驱动单元320，第一驱动单元320与第二加热部200连接，第一驱动单元320带动第二加热部200朝向或远离第一加热部100运动。

在本实施例中，晶圆的温度偏离预设温度阈值时，调节第一加热部100和第二加热部200之间垂直距离时，可通过调节支架310调节，也可以通过第一驱动单元320调节，也可以通过调节支架310和第一驱动单元320同时调节。

其中，采用调节支架310和第一驱动单元320同时调节，在晶圆的温度高于预设温度阈值时，调节支架310带动第一加热部100向远离第二加热部200，同时通过第一驱动单元320带动第二加热部200远离第一加热部100，第一加热部100的温度降低，以将加热晶圆的温度降低至预设温度阈值。晶圆的温度低于预设温度阈值时，调节支架310带动第一加热部100朝向第二加热部200运动，同时通过第一驱动单元320带动第二加热部200朝向第一加热部100运动，第一加热部100的温度升高，以将晶圆的温度升高至预设温度阈值。

本实施例的半导体热制程用加热装置，在晶圆的温度偏离预设温度阈值时，可通过调节支架310和第一驱动单元320同时调节，第一加热部100和第二加热部200反向移动以加快第一加热部100和第二加热部200远离或靠近的速度，缩短将晶圆的温度调节至预设温度阈值所需时间，调节效率更高、调节速度更快。

根据一个示例性实施例，本实施例的半导体热制程用加热装置的大部分内容和上述实施例相同，区别之处在于，如图1所示，加热装置还包括安装在第一加热部100上的晶圆支架500，晶圆支架500设置于第一加热部100远离第二加热部200的一侧，晶圆支架500用于承载待烘烤的晶圆。其中，晶圆支架500包括用于调节晶圆支架500高度的伸缩单元510。

加热晶圆时，晶圆支架500承载晶圆，通过伸缩单元510调节晶圆支架500的高度，即可调节晶圆和第一加热部100之间的距离，以使第一加热部100均匀加热晶圆，晶圆受热均匀。

根据一个示例性实施例，本实施例的半导体热制程用加热装置的大部分内容和上述实施例相同，区别之处在于，如图1所示，加热装置还包括与第二加热部200连接的第二驱动单元600，第二驱动单元600被设置为带动第二加热部200自转。

其中，第二驱动单元600可以驱动第二加热部200顺时针或逆时针转动，例如，第二驱动单元600可以驱动第二加热部200以预定转速顺时针转动，或以预定转速逆时针转动，或顺时针、逆时针交替转动。

在整个转动周期中，第二加热部200向第一加热部100的各个位置辐射的热量更均匀。而且，第一加热部100和第二加热部200分离设置，第二加热部200转动时不会摩擦第一加热部100，能够避免第二加热部200和第一加热部100摩擦导致装置损坏。

本实施例的加热装置，避免第二加热部200和第一加热部100的相对位置不变，导致第一加热部100的局部位置温度高于其他位置温度，保证第一加热部100不同位置的温度均匀一致，使晶圆的受热均匀。

如图1所示，第二驱动单元600包括马达610、与马达610连接的传动结构620、以及与马达610连接的冷却部630，其中，传动结构620穿过调节支架310的支撑单元311与第二加热部200连接，冷却部630贴着支撑单元311设置。

在本实施例中，通过马达610驱动传动结构620转动，再通过传动结构620转动带动第二加热部200转动，并通过冷却部630冷却马达610，降低马达610的温度，以免转动导致马达610温度过高，能够延长马达610的使用寿命。

其中，传动结构620可以为可伸缩的结构，也即传动结构620同时具有第一驱动单元320的伸缩功能，以进一步简化加热装置的结构。

根据一个示例性实施例，本实施例的半导体热制程用加热装置的大部分内容和上述实施例相同，区别之处在于，如图1、2所示，加热装置还包括盖体700，盖体700与第一加热部100连接，在第一加热部100与盖体700之间形成热腔400。

盖体700上开设有与外接储气设备连通的进气通道740以及出气通道750，储气设备中存储惰性气体。

在加热过程中，晶圆置于热腔400中，从进气通道740向热腔400中通入预定温度的惰性气体提供晶圆加热过程的惰性环境，防止加热过程中，晶圆氧化影响产品良率。

在本实施例中，如图1、2所示，盖体700包括盖板710、与盖板710边缘连接的第一侧板720以及与盖板710连接的第二侧板730，第一侧板720的底部设置有扣合结构721，盖体700罩设在第一加热部100上，第一侧板720的底部的扣合结构721扣紧第一加热部100的边缘。盖体700和第一加热部100扣紧，调节支架310带动第一加热部100朝向或远离第二加热部200运动时，盖体700随着第一加热部100朝向或远离第二加热部200运动。

如图1、2所示，第二侧板730设置在第一侧板720内部，第二侧板730的长度比第一侧板720的长度短，第一侧板720和第二侧板730之间形成进气通道740，第一侧板720上设置有与外接储气设备连接的进气口(未标号)。其中，第二侧板730在第一加热部100上的投影可覆盖第一加热部100，且第二侧板730的底部和第一加热部100的顶面基本平齐。

如图1、2所示，盖板710包括与第一侧板720和第二侧板730连接的第一盖板711、与第一盖板711连接的第二盖板712以及形成在第一盖板711和第二盖板712之间的出气通道750，第二盖板712设置在第一侧板720朝向第一加热部100的一侧，第一盖板711上设置有第一开口7111，第二盖板712上设置有多个第二开口7121。

本实施例中，第二盖板712上的第二开口7121的数量比第一盖板711的第一开口7111的数量多，以便晶圆受热释放出的气体进入出气通道750，避免释放出的气体在热腔400中流动降低热腔400中惰性气体的纯度。

其中，第一开口7111与外接抽气装置连接，外接抽气装置加快热腔400内气体从第一开口7111快速排出至装置外部，以免晶圆受热释放出的气体在热腔400中流动降低热腔400中惰性气体的纯度。

如图2所示，储气设备中的惰性气体经进气口进入进气通道740后，通过第二侧板730的底部和第一加热部100之间的空间进入热腔400中，惰性气体流向晶圆支架500上的晶圆均匀加热晶圆，然后向上流动从出气通道750排出至外部。惰性气体向上流动能够带走晶圆受热释放出的其它气体，维持晶圆加热的惰性环境的纯度，提高加热得到的晶圆的质量。

根据一个示例性实施例，本实施例的半导体热制程用加热装置的大部分内容和上述实施例相同，其中，如图1、3所示，第二加热部200包括加热元件250，加热元件250包括多个加热子单元，多个加热子单元非对称分布。

如图1、3所示，第二加热部200还包括本体210加热元件250设置于本体210的内部；可以将第二加热部200的本体210划分为多个区域，每个区域中设置有至少一个加热子单元，每个加热子单元提供不同的热辐射方式。可以将第二加热部200的本体210等分为二个、三个、四个、五个区域，每个区域中设置有一个加热子单元，每个区域中的加热子单元以此区域的中心线对称，多个加热子单元在本体210上呈非对称分布。在本实施例中，将第二加热部的本体210等分为对称的第一本体211和第二本体212，第一本体211中设置第一加热子单元251，第二本体212中设置第二加热子单元252。

第二加热部200热辐射加热第一加热部100，第一加热部100热辐射加热晶圆，第一加热部100的温度均一性影响晶圆的温度均一性。本实施例中，多个加热子单元向第一加热部100的不同区域提供热辐射，丰富加热子单元的排布方式，以使第一加热部100的各个区域均能够接收到热辐射。在第二加热部200转动时，第一加热部100的每个位置被多个加热子单元依次加热，以使第一加热部100的每个位点均匀接收热量，这种加热子单元的分布方式，加热的第一加热部100温度更均匀一致，则第一加热部100向晶圆辐射的热量均匀，加热后的晶圆膜厚均匀，关键尺寸更加精准，晶圆的质量更好。

根据一个示例性实施例，本实施例的半导体热制程用加热装置的大部分内容和上述实施例相同，如图1所示，第一加热部100的材料包括陶瓷，陶瓷材料具有高热辐射率、高强度、高导热率、高绝缘性和良好的耐酸碱腐蚀能力，而且，陶瓷材料具高孔隙率，在同样的热辐射面积时，第一加热部100向热腔400内辐射热量加热晶圆的热传导量更大。其中，本实施例中的第一加热部100的材料可以为氮化硅、金属氧化物、硼化物等。

第二加热部200的材料选自高导热金属或合金，能够快速升温，其中，第二加热部200的材料可以包括银、铜、铜铝合金等。

根据一个示例性实施例，如图1、2所示，提供一种半导体热制程用加热装置，加热装置包括：第一加热部100、与第二加热部200平行设置的第二加热部200、与第一加热部100的边缘连接的调节部300、设置在第一加热部100上的晶圆支架500、驱动第二加热部200转动的第二驱动单元600以及罩设在第一加热部100上的盖体700，盖体700和第一加热部100之间形成热腔400，晶圆支架500位于热腔400中，晶圆支架500上放置待加热的晶圆。

如图1、2所示，调节部300包括与第一加热部100连接的调节支架310以及与第二加热部200连接的第一驱动单元320。调节支架310带动第一加热部100朝向或远离第二加热部200运动；第一驱动单元320与第二加热部200连接，第一驱动单元320带动第二加热部200朝向或远离第一加热部100运动。通过调节支架310和第一驱动单元320共同调节第一加热部100和第二加热部200之间的垂直距离。

如图1、2所示，调节支架310包括与第一加热部100平行的支撑单元311以及与支撑单元311边缘垂直连接的调节单元312，调节单元312还与第一加热部100的边缘垂直连接。调节单元312伸缩调节第一加热部100和第二加热部200之间的垂直距离，调节单元312缩短，第一加热部100朝向第二加热部200运动，调节单元312伸长，第一加热部100远离第二加热部200运动。在本实施例中，调节单元312将第一加热部100和支撑单元311连接为一个整体，调节单元312伸缩调节第一加热部100和第二加热部200之间的垂直距离时，保证第一加热部100的水平角度不变，第一加热部100和第二加热部200恒处于平行状态。

如图1、2所示，第二驱动单元600包括传动结构620(第一驱动单元320作为第二驱动单元600的传动结构620)、马达610和与马达610连接的冷却部630。传动结构620的一端与马达610连接，另一端穿过调节支架310的支撑单元311与第二加热部200连接，冷却部630贴着支撑单元311设置，马达610驱动传动结构620转动，以驱动第二加热部200转动加热第一加热部100。

如图3所示，第二加热部200包括本体210以及设置在本体210中的第一加热子单元251和第二加热子单元252，第一加热子单元251和第二加热子单元252非对称分布。第二加热部的本体210包括沿第二方向(即图3中y方向)的中心线对称的第一本体211和第二本体212，第一加热子单元251设置在第一本体211中，第一加热子单元251包括多个沿第二方向水平(即图3中x方向)设置的直管加热器2510，第一加热子单元251沿第一方向的中心线中心对称。第二加热子单元252设置在第二本体212中，第二加热子单元252包括沿第一方向设置的多个U型加热器2520，第二加热子单元252沿第一方向的中心线中心对称。

如图1所示，晶圆支架500设置于第一加热部100远离第二加热部200的一侧，晶圆支架500包括伸缩单元510，伸缩单元510的高度能够伸缩调节。

如图1、2所示，盖体700设置在第一加热部100远离第二加热部200的一侧，并且盖体700与第一加热部100上连接形成热腔400，盖体700上开设有进气通道740和出气通道750；进气通道740与外接储气设备连通，储气设备中存储惰性气体。

其中，第一加热部100的材料为陶瓷，第二加热部200的材料为金属。

本实施例的半导体热制程用加热装置，第一加热部和第二加热部之间的垂直距离、第二加热部的转速以及晶圆距离第一加热部的垂直距离均灵活可调，通过控制第一加热部和第二加热部之间的垂直距离、第二加热部的转速以及晶圆距离第一加热部的垂直距离，可是第一加热部的温度分布达到高均一性，晶圆在热制程中受热均匀性高，能够得到更均匀的膜厚和精确可靠的关键尺寸。

本公开示例性的实施例中提供一种半导体热制程加热方法，如图4所示，图4示出了根据本公开一示例性的实施例提供的半导体热制程加热方法的流程图，下面对半导体热制程加热方法进行介绍。

半导体热制程加热方法包括：

S100：获取晶圆表面的温度均一性参数。

可通过故障检测系统(Fault Detection Control，FDC)实时监控晶圆表面的温度以及温度的均一性参数。

S200：根据预设阈值范围和温度均一性参数，确定调节参数。

故障检测系统(Fault Detection Control，FDC)将实时获取的晶圆表面的温度与预设的温度阈值比较。判断晶圆表面的温度是否超出预设的温度阈值，将实时获取的温度的均一性参数与预设的温度均一性参数比较，判断晶圆表面的温度均一性参数是否低于预设的温度均一性参数，如果两个判断结果中的一个以上为“是”，则判断晶圆的温度状态变差。确定调节参数，调节参数包括第一加热部和第二加热部之间的垂直距离、第二加热部的转速以及晶圆和第一加热部的垂直距离。

S300：根据调节参数，通过调节部调节第一加热部与第二加热部之间的位置关系。

根据调节参数重新确定的第一加热部和第二加热部之间的垂直距离，通过调节支架调节调节第一加热部、第一驱动单元调节第二加热部，以使第一加热部、第二加热部靠近或远离，直至调节到预定垂直距离；根据调节参数重新确定转速，调节第二驱动单元以改变第二加热部的转速；根据重新确定的晶圆和第一加热部的垂直距离，调节晶圆支架的调节单元的高度。

根据一个示例性实施例，本实施例是对上述实施例步骤S200的限定。

其中，根据预设阈值范围和温度均一性参数，确定调节参数，包括：根据预设阈值范围和温度均一性参数的差值，确定移动方向和移动距离。

晶圆表面的温度高于预设温度阈值，确定第一加热部的移动方向为远离第二加热部，第二加热部的移动方向为远离第一加热部；晶圆支架的调节单元的调节方向为升高；降低第二加热部的转速。

晶圆表面的温度低于预设温度阈值，确定第一加热部的移动方向为朝向第二加热部，第二加热部的移动方向为朝向第一加热部；晶圆支架的调节单元的调节方向为降低；增大第二加热部的转速。

温度均一性参数低于预设的温度均一性参数时，增大第二加热部的转速，并同时调整第一加热部和第二加热部之间的距离。

本说明书中各实施例或实施方式采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分相互参见即可。

在本说明书的描述中，参考术语“实施例”、“示例性的实施例”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”等的描述意指结合实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本公开的至少一个实施方式或示例中。

在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。

在本公开的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。

可以理解的是，本公开所使用的术语“第一”、“第二”等可在本公开中用于描述各种结构，但这些结构不受这些术语的限制。这些术语仅用于将第一个结构与另一个结构区分。

在一个或多个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的多个部分没有按比例绘制。此外，可能未示出某些公知的部分。为了简明起见，可以在一幅图中描述经过数个步骤后获得的结构。在下文中描述了本公开的许多特定的细节，例如器件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本公开。但正如本领域技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本公开。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本公开的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本公开进行了详细的说明，本领域技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (15)

1.一种半导体热制程用加热装置，其特征在于，所述加热装置包括：

第一加热部，其上放置待加热的晶圆；

第二加热部，所述第一加热部与所述第二加热部平行设置，所述第二加热部被设置为给所述第一加热部加热；

调节部，其被设置为调节所述第一加热部与所述第二加热部之间的垂直距离。

2.根据权利要求1所述的半导体热制程用加热装置，其特征在于，所述调节部包括调节支架，所述第一加热部与所述调节支架连接；

所述调节支架带动所述第一加热部朝向或远离所述第二加热部运动。

3.根据权利要求2所述的半导体热制程用加热装置，其特征在于，所述调节支架包括与所述第一加热部平行的支撑单元，所述支撑单元的边缘设置垂直于所述支撑单元的调节单元，所述调节单元与所述第一加热部连接；

所述调节单元缩短，所述第一加热部朝向所述第二加热部运动；

所述调节单元伸长，所述第一加热部远离所述第二加热部运动。

4.根据权利要求1所述的半导体热制程用加热装置，其特征在于，所述调节部包括第一驱动单元，所述第一驱动单元与所述第二加热部连接，所述第一驱动单元带动所述第二加热部朝向或远离所述第一加热部运动。

5.根据权利要求1所述的半导体热制程用加热装置，其特征在于，所述加热装置还包括晶圆支架，所述晶圆支架设置于所述第一加热部的远离所述第二加热部的一侧；

所述晶圆安装于所述晶圆支架。

6.根据权利要求5所述的半导体热制程用加热装置，其特征在于，所述晶圆支架包括伸缩单元，所述伸缩单元被设置为调节所述晶圆支架的高度。

7.根据权利要求1所述的半导体热制程用加热装置，其特征在于，所述加热装置还包括第二驱动单元，所述第二驱动单元与所述第二加热部连接；

所述第二驱动单元被设置为带动所述第二加热部自转。

8.根据权利要求7所述的半导体热制程用加热装置，其特征在于，所述第二驱动单元包括马达和与所述马达连接的传动结构，所述传动结构还与所述第二加热部连接；

所述第二驱动单元还包括冷却部，所述冷却部与所述马达连接。

9.根据权利要求1所述的半导体热制程用加热装置，其特征在于，所述加热装置还包括盖体，所述盖体与所述第一加热部连接，在所述第一加热部与所述盖体之间形成热腔。

10.根据权利要求9所述的半导体热制程用加热装置，其特征在于，所述盖体上开设有进气通道和出气通道；

所述进气通道与外接储气设备连通，所述储气设备中存储惰性气体。

11.根据权利要求1所述的半导体热制程用加热装置，其特征在于，所述第二加热部包括加热元件，

所述加热元件包括多个加热子单元，多个所述加热子单元非对称分布。

12.根据权利要求1所述的半导体热制程用加热装置，其特征在于，所述第一加热部的材料包括陶瓷。

13.根据权利要求1所述的半导体热制程用加热装置，其特征在于，所述第二加热部的材料包括金属。

14.一种半导体热制程加热方法，其特征在于，所述加热方法包括：

获取晶圆表面的温度均一性参数；

根据预设阈值范围和所述温度均一性参数，确定调节参数；

根据所述调节参数，通过调节部调节所述第一加热部与所述第二加热部之间的位置关系。

15.根据权利要求14所述的半导体热制程加热方法，其特征在于，所述根据预设阈值范围和所述温度均一性参数，确定调节参数，包括：

根据所述预设阈值范围和所述温度均一性参数的差值，确定移动方向和移动距离。

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