CN115597653A - 一种半导体质量检测设备的智能识别方法及系统 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 241
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 131
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 90
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 90
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 43
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 23
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 21
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims description 17
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 17
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 10
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims description 9
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 8
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 claims description 8
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 15
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011077 uniformity evaluation Methods 0.000 description 1
Images
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D18/00—Testing or calibrating apparatus or arrangements provided for in groups G01D1/00 - G01D15/00
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Abstract
本发明提供了一种半导体质量检测设备的智能识别方法及系统，涉及半导体缺陷检测技术领域，基于目标半导体检测设备的检测流程信息和设备结构信息确定多个数据采集点，分别装配多个数据采集装置获取多组数据集，进而确定各个流程的检测故障率，基于多个数据采集装置获取间隔等待周期集合，对其进行稳定性分析生成换测稳定性，基于检测故障率和换测稳定性生成设备检测性能指标提醒警示，解决了现有技术中半导体检测设备的识别方法智能度不足，对于检测流程的把控不够严谨，使得检测识别过程较为繁琐且缺陷识别率无法达到预期目标的技术问题，通过进行设备优化与检测方法智能度提升，可有效提高设备检测识别的有序性，增强缺陷识别率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体缺陷检测技术领域，具体涉及一种半导体质量检测设备的智能识别方法及系统。
背景技术
半导体作为一种介于导体与绝缘体之间的材料，在光电领域有着广泛的应用，在大部分电子产品中以半导体作为核心单元的材料，常见的半导体材料包括硅、锗等，不同的半导体材料其性能存在差异性，对应的适用范围不同，半导体产品的质量与其性能息息相关，半导体产品进行出厂前可通过质量检测设备进行质量检测以确保后续的应用性能，现如今，主要通过同规格代换法或多系统检测进行质检，由于现有技术的局限性，使得半导体检测设备的识别方法及最终识别结果还存在一定的可提升空间。
现有技术中，对于半导体检测设备的识别方法智能度不足，对于检测流程的把控不够严谨，使得检测识别过程较为繁琐且缺陷识别率无法达到预期目标。
发明内容
本申请提供了一种半导体质量检测设备的智能识别方法及系统，用于针对解决现有技术中存在的半导体检测设备的识别方法智能度不足，对于检测流程的把控不够严谨，使得检测识别过程较为繁琐且缺陷识别率无法达到预期目标的技术问题。
鉴于上述问题，本申请提供了一种半导体质量检测设备的智能识别方法及系统。
第一方面，本申请提供了一种半导体质量检测设备的智能识别方法，所述方法包括：获取目标半导体检测设备的检测流程信息和设备结构信息；通过对所述检测流程信息和所述设备结构信息进行分析，确定多个数据采集点；将所述多个数据采集装置装配于所述多个数据采集点进行数据识别，获取多组数据集，其中，所述多组数据集中每一组数据集对应一检测流程；根据所述多组数据集，获取各个流程的检测故障率；基于所述多个数据采集装置，获取上一检测流程与下一检测流程的用于模式切换的间隔等待周期集合；通过对所述间隔等待周期集合进行稳定性分析，生成换测稳定性；基于所述检测故障率和所述换测稳定性，生成设备检测性能指标，根据所述设备检测性能指标进行提醒。
第二方面，本申请提供了一种半导体质量检测设备的智能识别系统，所述系统包括：信息获取模块，所述信息获取模块用于获取目标半导体检测设备的检测流程信息和设备结构信息；信息分析模块，所述信息分析模块用于通过对所述检测流程信息和所述设备结构信息进行分析，确定多个数据采集点；数据识别模块，所述数据识别模块用于将所述多个数据采集装置装配于所述多个数据采集点进行数据识别，获取多组数据集，其中，所述多组数据集中每一组数据集对应一检测流程；故障率获取模块，所述故障率获取模块用于根据所述多组数据集，获取各个流程的检测故障率；周期获取模块，所述周期获取模块用于基于所述多个数据采集装置，获取上一检测流程与下一检测流程的用于模式切换的间隔等待周期集合；稳定性分析模块，所述稳定性分析模块用于通过对所述间隔等待周期集合进行稳定性分析，生成换测稳定性；指标生成模块，所述指标生成模块用于基于所述检测故障率和所述换测稳定性，生成设备检测性能指标，根据所述设备检测性能指标进行提醒。
本申请中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
本申请实施例提供的一种半导体质量检测设备的智能识别方法，获取目标半导体检测设备的检测流程信息和设备结构信息，通过进行信息分析确定多个数据采集点，分别装配多个数据采集装置获取多组数据集，其中，所述多组数据集中每一组数据集对应一检测流程；根据所述多组数据集确定各个流程的检测故障率，基于所述多个数据采集装置，获取上一检测流程与下一检测流程的用于模式切换的间隔等待周期集合，通过进行稳定性分析生成换测稳定性，基于所述检测故障率和所述换测稳定性生成设备检测性能指标，以进行提醒警示，解决了现有技术中存在的半导体检测设备的识别方法智能度不足，对于检测流程的把控不够严谨，使得检测识别过程较为繁琐且缺陷识别率无法达到预期目标的技术问题，通过进行设备优化与检测方法智能度提升，可有效提高设备检测识别的有序性，增强缺陷识别率。
附图说明
图1为本申请提供了一种半导体质量检测设备的智能识别方法流程示意图；
图2为本申请提供了一种半导体质量检测设备的智能识别方法中间隔等待周期集合获取流程示意图；
图3为本申请提供了一种半导体质量检测设备的智能识别方法中提醒信息生成流程示意图；
图4为本申请提供了一种半导体质量检测设备的智能识别系统结构示意图。
附图标记说明：信息获取模块11，信息分析模块12，数据识别模块13，故障率获取模块14，周期获取模块15，稳定性分析模块16，指标生成模块17。
具体实施方式
本申请通过提供一种半导体质量检测设备的智能识别方法及系统，基于目标半导体检测设备的检测流程信息和设备结构信息确定多个数据采集点，分别装配多个数据采集装置获取多组数据集，进而确定各个流程的检测故障率，基于多个数据采集装置获取间隔等待周期集合，对其进行稳定性分析生成换测稳定性，基于检测故障率和换测稳定性生成设备检测性能指标提醒警示，用于解决现有技术中存在的半导体检测设备的识别方法智能度不足，对于检测流程的把控不够严谨，使得检测识别过程较为繁琐且缺陷识别率无法达到预期目标的技术问题。
实施例一
如图1所示，本申请提供了一种半导体质量检测设备的智能识别方法，所述方法应用于半导体质量检测设备的管理系统，所述系统与多个数据采集装置通信连接，所述方法包括：
步骤S100：获取目标半导体检测设备的检测流程信息和设备结构信息；
具体而言，半导体作为一种介于导体与绝缘体之间的材料应用范围极广，半导体产品质量的优劣影响着应用的电子设备的性能，可通过进行半导体产品质量检测确保其后续的应用性能，本申请提供的一种半导体质量检测设备的智能识别方法应用于半导体质量检测设备的管理系统，所述系统与多个数据采集装置通信连接，所述多个数据采集装置布设于所述目标半导体检测设备的不同结构位置，用于进行被检测半导体的多种不同类型的实时数据采集，首先，对所述目标半导体检测设备进行检测流程确定，所述目标半导体检测设备为即将进行检测识别分析的设备，例如，提取半导体产品、产品形貌检测、多种信号性能检测等，基于多个检测维度确定对应的检测工序，生成所述检测流程信息，进一步的，对所述半导体检测设备的设备结构进行确定，例如探针、压电元件等，可基于探针进行信号传导，进而基于压电元件进行电信号识别检测，可包括多个探针与多个压电元件，以获取所述设备结构信息，所述检测流程信息与所述设备结果信息的获取为后续进行设备检测分析提供了基本信息依据。
步骤S200：通过对所述检测流程信息和所述设备结构信息进行分析，确定多个数据采集点；
步骤S300：将所述多个数据采集装置装配于所述多个数据采集点进行数据识别，获取多组数据集，其中，所述多组数据集中每一组数据集对应一检测流程；
具体而言，对所述目标半导体检测设备的所述检测流程信息与所述设备结构信息进行适配性分析，确定各检测流程对应的设备结构，将其作为进行对应检测流程数据采集的主体结构部位，确定所述多个数据采集点，所述多个数据采集点为所述目标半导体检测设备中对半导体产品进行多维度检测时对应结构位置，针对不同检测流程基于不同的设备结构进行检测分析，可基于检测流程对应的检测性能不同配置不同的数据采集装置，例如，进行形貌检测时，可基于图像采集装置进行数据采集分析，通过微型万用表进行导电性能检测，以进行半导体产品的形貌检查、导电性能、引脚可焊性等的检测，同时应保障数据采集装置的数据采集准确性，以保障缺陷检测灵敏度，其中，所述多个数据采集点与所述多个数据采集装置一一对应。
进一步的，将所述多个数据采集装置装配于对应的数据采集点，可基于所述多个数据采集装置进行数据识别采集，确定各检测流程对应的检测数据信息，对检测数据信息与检测流程进行映射对应标识，生成所述多组数据集，其中，每组数据集包括对应检测流程的多个检测数据，将所述多组数据集作为半导体质量分析的评估数据，基于所述多个数据采集点分别装配对应的数据采集装置，以保障检测数据的针对性与精准度。
步骤S400：根据所述多组数据集，获取各个流程的检测故障率；
步骤S500：基于所述多个数据采集装置，获取上一检测流程与下一检测流程的用于模式切换的间隔等待周期集合；
具体而言，基于数据采集装置对各检测流程对应的检测维度进行数据采集，获取所述多组数据集，将其作为样本数据进行数据检测故障分析，通过对所述多组数据集进行数据采集准确度评估，对每组数据集中准确数据与存在偏差的数据分别进行占比分析，确定各个环节出错的概率，比如抓取、传递半导体产品的方式不同，对应出现的故障、破损率有所区别，分别对各个流程进行检测故障分析生成所述各个流程的检测故障率，进一步的，确定各个检测流程对应的开始计量特征与结束计量特征，将其作为检测识别特征，当识别到所述结束计量特征时，停止进行当前流程的计量，同时进行模式切换，以进行下一流程的特征识别计量，由于半导体产品封装形式的不同，分别针对不同性能维度进行检测时，需要切换不同的测试模式，当进行流程转换检测时，将中间用于进行模式切换的预准备时间作为所述间隔等待周期，分别对各个相邻检测流程进行间隔等待周期的确定，对其进行整合生成所述间隔等待周期集合，其中，各间隔等待周期分别对应一相邻检测流程，且各间隔等待周期存在差异性，将所述间隔等待周期集合作为待分析数据对切换模式的间隔周期进行稳定性分析。
进一步而言，如图2所示，所述获取上一检测流程与下一检测流程的用于模式切换的间隔等待周期集合，本申请步骤S500还包括：
步骤S510：获取所述目标半导体检测设备的检测属性；
步骤S520：根据所述目标半导体检测设备的检测属性，判断是否包括多个切换模式；
步骤S530：若所述目标半导体检测设备包括多个切换模式，获取周期采集指令；
步骤S540：将所述周期采集指令发送至所述多个数据采集装置进行周期采集，获取所述间隔等待周期集合。
具体而言，对所述目标半导体检测设备的检测属性进行确定，所述检测属性为设备可进行检测的多个维度，所述检测属性与各个检测流程相关联，基于所述检测属性判断所述半导体检测设备是否包括多个切换模式，可选的，不同检测流程对应的检测模式不同，可对各个检测流程进行针对性的检测，不同检测流程基于不同的检测模式，采用相适配的数据采集装置进行关联数据检测采集，以提高检测精度，当从上一检测流程转至下一检测流程时，需进行检测模式切换，将各个流程对应的采集时间区间作为一个采集周期，获取所述周期采集指令，所述周期采集指令为对目前的采集周期开始进行数据采集的指令，将所述周期采集指令发送至所述多个数据采集装置，进行周期采集，将相邻的采集周期之间用于进行模式切换的时间区间作为所述间隔等待周期，对各个间隔等待周期与检测流程进行映射对应，生成所述间隔等待周期集合，其中，所述间隔等待周期集合中各个间隔等待周期存在差异性，基于多个检测模式进行对应检测流程的数据采集，了保障两者的适配性，保障数据采集结果的准确度。
进一步而言，本申请步骤S540还包括：
步骤S541：获取所述目标半导体检测设备的检测流程项；
步骤S542：基于所述检测流程项，获取各个流程项的切换特征，包括开始计量特征和结束计量特征；
步骤S543：将所述各个流程项的切换特征对应输入所述多个数据采集装置中，激活所述多个数据采集装置中嵌入的周期计量单元；
步骤S544：以所述周期计量单元进行数据采集，输出所述间隔等待周期集合。
具体而言，基于所述检测流程信息确定所述目标半导体检测设备的检测流程项，所述检测流程项为进行半导体产品检测的多个检测项目，即进行质量检测的多个维度，所述检测流程项与所述检测流程信息一一对应，进一步对各个检测流程项的开始计量特征与结束计量特征进行确定，例如，进行半导体产品的导电性能检测时，当对应的数据采集点装配的数据采集装置，即微型万用表开始出现电流波动时，即出现数据波动或者出现电流波动曲线时，表明开始进行数据计量，当数据趋于稳定或者电流波动曲线呈现周期性时，表明数据计量结束，将其作为对半导体产品进行导电性能检测的计量特征，分别对所述检测流程项进行流程切换特征确定，进而对流程切换特征与检测流程项进行映射对应，基于映射结果生成所述各个流程项的切换特征。
进一步的，将所述各个流程项的切换特征输入对应的数据采集装置中，所述多个数据采集装置中分别内嵌有周期计量单元，所述周期计量单元为进行各个检测流程项的数据数据采集计量的模块，基于所述各个流程项的切换特征对所述周期计量单元就行激活，从所述开始计量特征到所述结束计量特征为对应检测流程项的一个计量周期，基于所述周期计量单元，依据数据采集装置进行对应的检测流程项的数据采集，进一步对相邻流程项进行数据采集切换的中间间隔时间区间进行确定，作为间隔等待周期，对各个相邻流程项的间隔等待周期进行整合，生成所述间隔等待周期集合，通过所述各个流程项的切换特征进行数据采集启停，避免存在的数据识别延迟，同时可有效提高所述间隔等待周期集合的区间准确度。
步骤S600：通过对所述间隔等待周期集合进行稳定性分析，生成换测稳定性；
步骤S700：基于所述检测故障率和所述换测稳定性，生成设备检测性能指标，根据所述设备检测性能指标进行提醒。
具体而言，通过进行间切换模式的间隔周期确定生成所述间隔等待周期集合，进一步对所述间隔等待周期集合进行周期评估分析，通过设定预设间隔等待周期，对所述间隔等待周期集合进行分类，将其中小于等于所述预设间隔等待周期的集合作为第一类周期集合，所述第一类周期集合为间隔等待周期属于正常范围的集合，对所述第一类周期集合进行间隔周期校对，确定各间隔等待周期的区间大小，对其进行均匀性评估生成第一类周期集合的换测稳定性；将大于所述预设间隔等待周期的集合作为第二类周期集合，所述第二类周期集合中由于周期较长，存在换测异常性，无法保障模式切换后检测的连续性，属于异常周期集合，可通过对其进行调整缓解换测异常性，保障所述第二类周期集合的换测稳定性，进一步对所述第一类周期集合与所述第二类周期集合的换测稳定性进行综合性评估，生成所述换测稳定性，进一步的，将所述检测故障率与所述换测稳定性作为所述目标半导体检测设备的检测性能指标，在所述目标半导体检测设备的应用过程中，随着设备的应用进程，其检测性能不可避免的会出现下降，当设备检测性能下降率异常时，或者当存在任一指标不达标时，表明所述目标半导体检测设备检测性能不合格，生成提醒信息对所述设备检测性能指标进行预警警示，以进行及时调整更换保障半导体产品的检测精度。
进一步而言，通过对所述间隔等待周期集合进行稳定性分析，生成换测稳定性，本申请步骤S600还包括：
步骤S610：通过对所述间隔等待周期集合进行分类，获取第一类周期集合和第二类周期集合，其中，所述第一类周期集合为间隔等待周期集合中小于等于预设间隔等待周期的集合，所述第二类周期集合为间隔等待周期集合中大于所述预设间隔等待周期的集合；
步骤S620：对所述第一类周期集合和所述第二类周期集合进行分析，生成所述换测稳定性。
具体而言，通过对各个检测流程进行模式转换的中间间隔时间区间进行确定，生成所述间隔等待周期集合，为了保障检测模式切换的流畅性，提高检测效率，所述间隔等待周期应尽可能短，以保障上一检测流程转至下一检测流程时及时进行检测模式转换，获取所述预设间隔等待周期，所述预设间隔等待周期为限定所述间隔等待周期的临界值，基于所述预设间隔等待周期对所述间隔等待周期集合进行分类，将所述间隔等待周期集合中小于等于所述预设间隔等待周期的集合作为所述第一类周期集合，将所述间隔等待周期集合中大于所述预设间隔等待周期的集合作为所述第二类周期集合，进一步的，分别对所述第一类周期集合与所述第二类周期集合进行换测分析，对分析结果进行综合性评估生成所述换测稳定性，通过对所述间隔等待周期集合分类进行针对性换测分析，可有效提高换测稳定性分析结果与实际状况的贴合度，保障分析准确度。
进一步而言，本申请步骤S620还包括：
步骤S621：通过对所述第一类周期集合进行均匀性分析，输出换测均匀性；
步骤S622：根据所述第二类周期集合占所述间隔等待周期集合的占比系数，输出换测异常性；
步骤S623：以所述换测均匀性和所述换测异常性，生成所述换测稳定性。
具体而言，对所述第一类周期集合与所述第二类周期集合分别进行分析，对所述第一类周期集合中各个间隔等待周期进行时长区间校对，基于校对结果进行均匀应分析，示例性的，可通过设定均匀性等级进行所述第一类周期集合的均匀性判定，输出所述换测均匀性，所述换测均匀性越高，表明所述目标半导体检测设备的换测性能越稳定；所述第二类周期集合为存在换测异常的集合，对所述第二类周期集合与所述间隔等待周期集合进行占比分析，生成占比系数，所述占比系数为表述所述第二类周期集合的比例大小，将其作为换测异常的判定衡量标准，输出所述换测异常性，对所述换测均匀性与所述换测异常性进行综合性评估，获取所述换测稳定性，所述换测稳定性为衡量所述目标半导体检测设备的性能标准，通过对所述第一类周期集合与所述第二类周期集合基于适应性方向分别进行换测评估，可有效保障最终换测稳定性的评估精度。
进一步而言，本申请步骤S623还包括：
步骤S6231：以所述预设间隔等待周期集合对所述第二类周期集合进行差值计算，获取差值周期集合；
步骤S6232：通过对所述差值周期集合进行方差计算，确定用于标识差异浮动程度的方差计算结果；
步骤S6233：按照所述方差计算结果，生成所述换测异常性对应的调整系数，以所述调整系数对所述换测异常性进行调整，更新所述换测稳定性的输出。
具体而言，所述第二类周期集合为异常周期集合，可通过对其进行调整提升整体的换测稳定性，对所述第二类周期集合中各个间隔等待周期分别与所述预设间隔等待周期进行差值计算，确定所述第二类周期集合的异常程度，对差值计算结果与对应的间隔等待周期进行映射对应，生成所述差值周期集合，进一步对所述差值周期集合进行方差计算，以进行所述差值周期集合中各差值与差值均值之间偏离程度的度量，以表述差异浮动程度，生成所述方差计算结果，基于所述方差计算结果，对所述第二类周期集合分别确定对应的调整系数，包括调整方向与调整尺度，九进而基于所述调整系数进行换测异常性调整，使得所述第二类周期集合的周期处于所述预设间隔等待周期范围内，基于调整结果对所述换测稳定性进行输出，通过依据差值周期集合确定调整系数，可有效保障换测异常性的调整准确度，同时可提高调整效率。
进一步而言，如图3所示，本申请步骤S700还包括：
步骤S710：获取所述目标半导体检测设备的设备初始性能数据；
步骤S720：根据所述设备初始性能数据，生成设备初始性能指标；
步骤S730：以所述设备初始性能指标和所述设备检测性能，得到性能降幅指数；
步骤S740：若所述性能降幅指数大于预设性能降幅指数，生成提醒信息。
具体而言，对所述目标半导体检测设备的所述设备初始性能数据进行采集，所述目标半导体检测设备应用初期为设备性能峰值，随着应用时间的推移，其设备性能会逐步进行降低，且当性能降低速率处于一定幅度范围之内时属于正常状况，对所述设备初始性能数据基于所述检测故障率与所述换测稳定性进行评估，确定所述设备初始性能数据对应的性能指标，生成所述设备初始性能指标，进一步的，对所述设备初始性能指标与所述设备检测性能进行性能降幅分析，示例性的，将所述设备初始性能指标与设备检测性能对应的时间进行确定，将中间间隔时间区间作为性能降幅区间，可将该区间划分为多个子区间，分别对多个子区间进行性能降幅评估，进一步进行汇总确定所述性能降幅指数，获取所述预设性能降幅指数，即评判所述性能降幅指数是否趋于正常降幅的临界值，将所述性能降幅指数大于所述预设性能降幅指数时，表明所述目标半导体检测设备的性能降幅异常，即使检测指标合格，也可能存在内部零件损伤等状况，生成提醒信息进行预警警示，以及时进行设备调整更换，将性能降幅作为评判所述目标半导体检测设备的性能判据，以避免部分潜在性的隐患造成检测数据异常。
实施例二
基于与前述实施例中一种半导体质量检测设备的智能识别方法相同的发明构思，如图4所示，本申请提供了一种半导体质量检测设备的智能识别系统，所述系统包括：
信息获取模块11，所述信息获取模块11用于获取目标半导体检测设备的检测流程信息和设备结构信息；
信息分析模块12，所述信息分析模块12用于通过对所述检测流程信息和所述设备结构信息进行分析，确定多个数据采集点；
数据识别模块13，所述数据识别模块13用于将所述多个数据采集装置装配于所述多个数据采集点进行数据识别，获取多组数据集，其中，所述多组数据集中每一组数据集对应一检测流程；
故障率获取模块14，所述故障率获取模块14用于根据所述多组数据集，获取各个流程的检测故障率；
周期获取模块15，所述周期获取模块15用于基于所述多个数据采集装置，获取上一检测流程与下一检测流程的用于模式切换的间隔等待周期集合；
稳定性分析模块16，所述稳定性分析模块16用于通过对所述间隔等待周期集合进行稳定性分析，生成换测稳定性；
指标生成模块17，所述指标生成模块17用于基于所述检测故障率和所述换测稳定性，生成设备检测性能指标，根据所述设备检测性能指标进行提醒。
进一步而言，所述系统还包括：
属性获取模块，所述属性获取模块用于获取所述目标半导体检测设备的检测属性；
模式判断模块，所述模式判断模块用于根据所述目标半导体检测设备的检测属性，判断是否包括多个切换模式；
指令获取模块，所述指令获取模块用于若所述目标半导体检测设备包括多个切换模式，获取周期采集指令；
周期采集模块，所述周期采集模块用于将所述周期采集指令发送至所述多个数据采集装置进行周期采集，获取所述间隔等待周期集合。
进一步而言，所述系统还包括：
周期集合分类模块，所述周期集合分类模块用于通过对所述间隔等待周期集合进行分类，获取第一类周期集合和第二类周期集合，其中，所述第一类周期集合为间隔等待周期集合中小于等于预设间隔等待周期的集合，所述第二类周期集合为间隔等待周期集合中大于所述预设间隔等待周期的集合；
稳定性生成模块，所述稳定性生成模块用于对所述第一类周期集合和所述第二类周期集合进行分析，生成所述换测稳定性。
进一步而言，所述系统还包括：
均匀性分析模块，所述均匀性分析模块用于通过对所述第一类周期集合进行均匀性分析，输出换测均匀性；
异常性输出模块，所述异常性输出模块用于根据所述第二类周期集合占所述间隔等待周期集合的占比系数，输出换测异常性；
换测稳定性生成模块，所述换测稳定性生成模块用于以所述换测均匀性和所述换测异常性，生成所述换测稳定性。
进一步而言，所述系统还包括：
差值计算模块，所述差值计算模块用于以所述预设间隔等待周期集合对所述第二类周期集合进行差值计算，获取差值周期集合；
方差计算模块，所述方差计算模块用于通过对所述差值周期集合进行方差计算，确定用于标识差异浮动程度的方差计算结果；
系数调整模块，所述系数调整模块用于按照所述方差计算结果，生成所述换测异常性对应的调整系数，以所述调整系数对所述换测异常性进行调整，更新所述换测稳定性的输出。
进一步而言，所述系统还包括：
数据获取模块，所述数据获取模块用于获取所述目标半导体检测设备的设备初始性能数据；
性能指标生成模块，所述性能指标生成模块用于根据所述设备初始性能数据，生成设备初始性能指标；
指数获取模块，所述指数获取模块用于以所述设备初始性能指标和所述设备检测性能，得到性能降幅指数；
提醒信息生成模块，所述提醒信息生成模块用于若所述性能降幅指数大于预设性能降幅指数，生成提醒信息。
进一步而言，所述系统还包括：
流程项获取模块，所述流程项获取模块用于获取所述目标半导体检测设备的检测流程项；
特征获取模块，所述特征获取模块用于基于所述检测流程项，获取各个流程项的切换特征，包括开始计量特征和结束计量特征；
单元激活模块，所述单元激活模块用于将所述各个流程项的切换特征对应输入所述多个数据采集装置中，激活所述多个数据采集装置中嵌入的周期计量单元；
周期集合输出模块，所述周期集合输出模块用于以所述周期计量单元进行数据采集，输出所述间隔等待周期集合。
本说明书通过前述对一种半导体质量检测设备的智能识别方法的详细描述，本领域技术人员可以清楚的知道本实施例中一种半导体质量检测设备的智能识别方法及系统，对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (8)
1.一种半导体质量检测设备的智能识别方法，其特征在于，所述方法应用于半导体质量检测设备的管理系统，所述系统与多个数据采集装置通信连接，所述方法包括：
获取目标半导体检测设备的检测流程信息和设备结构信息；
通过对所述检测流程信息和所述设备结构信息进行分析，确定多个数据采集点；
将所述多个数据采集装置装配于所述多个数据采集点进行数据识别，获取多组数据集，其中，所述多组数据集中每一组数据集对应一检测流程；
根据所述多组数据集，获取各个流程的检测故障率；
基于所述多个数据采集装置，获取上一检测流程与下一检测流程的用于模式切换的间隔等待周期集合；
通过对所述间隔等待周期集合进行稳定性分析，生成换测稳定性；
基于所述检测故障率和所述换测稳定性，生成设备检测性能指标，根据所述设备检测性能指标进行提醒。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取上一检测流程与下一检测流程的用于模式切换的间隔等待周期集合，所述方法还包括：
获取所述目标半导体检测设备的检测属性；
根据所述目标半导体检测设备的检测属性，判断是否包括多个切换模式；
若所述目标半导体检测设备包括多个切换模式，获取周期采集指令；
将所述周期采集指令发送至所述多个数据采集装置进行周期采集，获取所述间隔等待周期集合。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过对所述间隔等待周期集合进行稳定性分析，生成换测稳定性，所述方法还包括：
通过对所述间隔等待周期集合进行分类，获取第一类周期集合和第二类周期集合，其中，所述第一类周期集合为间隔等待周期集合中小于等于预设间隔等待周期的集合，所述第二类周期集合为间隔等待周期集合中大于所述预设间隔等待周期的集合；
对所述第一类周期集合和所述第二类周期集合进行分析，生成所述换测稳定性。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
通过对所述第一类周期集合进行均匀性分析，输出换测均匀性；
根据所述第二类周期集合占所述间隔等待周期集合的占比系数，输出换测异常性；
以所述换测均匀性和所述换测异常性，生成所述换测稳定性。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
以所述预设间隔等待周期集合对所述第二类周期集合进行差值计算，获取差值周期集合；
通过对所述差值周期集合进行方差计算，确定用于标识差异浮动程度的方差计算结果；
按照所述方差计算结果，生成所述换测异常性对应的调整系数，以所述调整系数对所述换测异常性进行调整，更新所述换测稳定性的输出。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
获取所述目标半导体检测设备的设备初始性能数据；
根据所述设备初始性能数据，生成设备初始性能指标；
以所述设备初始性能指标和所述设备检测性能，得到性能降幅指数；
若所述性能降幅指数大于预设性能降幅指数，生成提醒信息。
7.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
获取所述目标半导体检测设备的检测流程项；
基于所述检测流程项，获取各个流程项的切换特征，包括开始计量特征和结束计量特征；
将所述各个流程项的切换特征对应输入所述多个数据采集装置中，激活所述多个数据采集装置中嵌入的周期计量单元；
以所述周期计量单元进行数据采集，输出所述间隔等待周期集合。
8.一种半导体质量检测设备的智能识别系统，其特征在于，所述系统与多个数据采集装置通信连接，所述系统包括：
信息获取模块，所述信息获取模块用于获取目标半导体检测设备的检测流程信息和设备结构信息；
信息分析模块，所述信息分析模块用于通过对所述检测流程信息和所述设备结构信息进行分析，确定多个数据采集点；
数据识别模块，所述数据识别模块用于将所述多个数据采集装置装配于所述多个数据采集点进行数据识别，获取多组数据集，其中，所述多组数据集中每一组数据集对应一检测流程；
故障率获取模块，所述故障率获取模块用于根据所述多组数据集，获取各个流程的检测故障率；
周期获取模块，所述周期获取模块用于基于所述多个数据采集装置，获取上一检测流程与下一检测流程的用于模式切换的间隔等待周期集合；
稳定性分析模块，所述稳定性分析模块用于通过对所述间隔等待周期集合进行稳定性分析，生成换测稳定性；
指标生成模块，所述指标生成模块用于基于所述检测故障率和所述换测稳定性，生成设备检测性能指标，根据所述设备检测性能指标进行提醒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211602725.9A CN115597653B (zh) | 2022-12-14 | 2022-12-14 | 一种半导体质量检测设备的智能识别方法及系统 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211602725.9A CN115597653B (zh) | 2022-12-14 | 2022-12-14 | 一种半导体质量检测设备的智能识别方法及系统 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115597653A true CN115597653A (zh) | 2023-01-13 |
| CN115597653B CN115597653B (zh) | 2023-11-03 |
Family
ID=84854183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211602725.9A Active CN115597653B (zh) | 2022-12-14 | 2022-12-14 | 一种半导体质量检测设备的智能识别方法及系统 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115597653B (zh) |
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