CN115032493A - 一种基于管芯参数显示的晶圆测试方法及系统 - Google Patents
一种基于管芯参数显示的晶圆测试方法及系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115032493A CN115032493A CN202210835542.5A CN202210835542A CN115032493A CN 115032493 A CN115032493 A CN 115032493A CN 202210835542 A CN202210835542 A CN 202210835542A CN 115032493 A CN115032493 A CN 115032493A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- test
- parameter
- parameter set
- wafer
- result
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/01—Subjecting similar articles in turn to test, e.g. "go/no-go" tests in mass production; Testing objects at points as they pass through a testing station
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/30—Computing systems specially adapted for manufacturing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
本发明提供了一种基于管芯参数显示的晶圆测试方法及系统,涉及半导体测试技术领域,根据晶圆历史测试数据进行遍历检测参数和抽样检测参数的确定,并结合必测参数对两种检测参数进行调整分配,对晶圆抽样检测参数进行部分抽样测试获得测试结果,当测试结果中存在未满足预设良率阈值的测试参数时,则将测试参数从抽样参数集合调整至遍历检测参数集合,根据调整后调整参数集合对晶圆进行测试。解决了现有技术中晶圆测试成本较高且测试结果对于晶圆管理的参考价值较低,不利于进行晶圆生产品控管理的技术问题。达到了晶圆合格性测试的准确性和效率较高,技术人员便于根据测试结果进行晶圆生产品控管理的技术效果。
Description
技术领域
本发明涉及半导体测试技术领域,具体涉及一种基于管芯参数显示的晶圆测试方法及系统。
背景技术
半导体器件制作工艺过程复杂,从晶圆开始,晶圆在经过多次制膜、刻蚀等工艺步骤后,晶圆上产生集成电路元件阵列,将晶圆进行切割后,得到的最小全功能单元称为管芯,将管芯制作称为封装后芯片。
由于半导体器件制作在技术上以及流程上的复杂性,为提高半导体器件制作成功率,避免无效劳动,在进入半导体制作流程前,往往需要对晶圆进行合格性测试。
现有技术中存在晶圆测试效率较低,测试成本较高,且测试结果对于晶圆管理的参考价值较低,不利于进行晶圆生产品控管理的技术问题。
发明内容
本申请提供了一种基于管芯参数显示的晶圆测试方法及系统,用于针对解决现有技术中存在晶圆测试效率较低,测试成本较高,且测试结果对于晶圆管理的参考价值较低,不利于进行晶圆生产品控管理的技术问题。
鉴于上述问题,本申请提供了一种基于管芯参数显示的晶圆测试方法及系统。
本申请的第一个方面,提供了一种基于管芯参数显示的晶圆测试方法,所述方法包括:获得目标晶圆的基础信息,根据所述基础信息确定目标测试参数集合;采集所述目标晶圆的历史测试数据集合,对所述历史测试数据集合进行时间标识;根据时间标识结果和所述历史测试数据集合进行参数分类,基于参数分类结果得到第一检测参数集合和第二检测参数集合;通过所述目标测试参数集合进行所述第一检测参数集合和所述第二检测参数集合的参数调整分配,得到第一调整参数集合和第二调整参数集合,其中,所述第一调整参数集合为遍历采集参数集合,所述第二调整参数集合为抽样采集参数集合;通过所述检测装置进行所述目标晶圆的所述第二调整参数集合的抽样测试,得到第一测试结果;当所述第一测试结果中存在未满足预设良率阈值的第一测试参数时,则将所述第一测试参数从所述第二调整参数集合调整至所述第一调整参数集合,根据调整后的所述第一调整参数集合和所述第二调整参数集合进行所述目标晶圆的测试。
本申请的第二个方面,提供了一种基于管芯参数显示的晶圆测试系统,所述系统包括:测试参数采集模块,用于获得目标晶圆的基础信息,根据所述基础信息确定目标测试参数集合;历史数据标识模块,用于采集所述目标晶圆的历史测试数据集合,对所述历史测试数据集合进行时间标识;参数分类执行模块,用于根据时间标识结果和所述历史测试数据集合进行参数分类,基于参数分类结果得到第一检测参数集合和第二检测参数集合;参数调整执行模块,用于通过所述目标测试参数集合进行所述第一检测参数集合和所述第二检测参数集合的参数调整分配,得到第一调整参数集合和第二调整参数集合,其中,所述第一调整参数集合为遍历采集参数集合,所述第二调整参数集合为抽样采集参数集合;抽样测试执行模块,用于通过检测装置进行所述目标晶圆的所述第二调整参数集合的抽样测试,得到第一测试结果;晶圆测试执行模块,用于当所述第一测试结果中存在未满足预设良率阈值的第一测试参数时,则将所述第一测试参数从所述第二调整参数集合调整至所述第一调整参数集合,根据调整后的所述第一调整参数集合和所述第二调整参数集合进行所述目标晶圆的测试。
本申请中提供的一个或多个技术方案,至少具有如下技术效果或优点:
本申请实施例提供的方法通过获得目标晶圆的基础信息,根据所述基础信息确定目标测试参数集合,为后续进行测试参数项分类结果优化提供参考,采集所述目标晶圆的历史测试数据集合,对所述历史测试数据集合进行时间标识,根据时间标识结果和所述历史测试数据集合进行参数分类,基于参数分类结果得到第一检测参数集合和第二检测参数集合;通过所述目标测试参数集合进行所述第一检测参数集合和所述第二检测参数集合的参数调整分配,得到遍历采集参数集合和抽样采集参数集合,避免对于目标晶圆的所有测试参数项进行测试的时间消耗和测试成本的滥用。通过所述检测装置进行所述目标晶圆的所述第二调整参数集合的抽样测试,得到第一测试结果,当所述第一测试结果中存在未满足预设良率阈值的第一测试参数时,则将所述第一测试参数从所述第二调整参数集合调整至所述第一调整参数集合,实现对于测试参数项分类的再次优化,提高测试精度。根据调整后的所述第一调整参数集合和所述第二调整参数集合进行所述目标晶圆的测试。达到了晶圆合格性测试的准确性和效率较高,技术人员便于根据测试结果进行晶圆生产品控管理的技术效果。
附图说明
图1为本申请提供的一种基于管芯参数显示的晶圆测试方法流程示意图;
图2为本申请提供的一种基于管芯参数显示的晶圆测试方法中基于测试MAP图进行目标晶圆测试管理的流程示意图;
图3为本申请提供的一种基于管芯参数显示的晶圆测试方法中生成反馈优化参数的流程示意图;
图4为本申请提供的一种基于管芯参数显示的晶圆测试系统的结构示意图。
附图标记说明:测试参数采集模块11,历史数据标识模块12,参数分类执行模块13,参数调整执行模块14,抽样测试执行模块15,晶圆测试执行模块16。
具体实施方式
本申请提供了一种基于管芯参数显示的晶圆测试方法及系统,用于针对解决现有技术中存在晶圆测试效率较低,测试成本较高,且测试结果对于晶圆管理的参考价值较低,不利于进行晶圆生产品控管理的技术问题。
针对上述技术问题,本申请提供的技术方案总体思路如下:
根据晶圆历史测试数据进行测试参数项的测试结果合格性分析,将测试参数项分为遍历检测参数和抽样检测参数,并结合必测参数对两种测试参数项进行调整分配,对晶圆抽样检测参数进行部分抽样测试获得测试结果,当测试结果中存在未满足预设良率阈值的测试参数时,则将测试参数从抽样参数集合调整至遍历检测参数集合,根据调整后调整参数集合对晶圆进行测试。实现晶圆合格性测试的准确度和效率较高,便于技术人员根据测试结果进行晶圆生产的品控管理。
实施例一
如图1所示,本申请提供了一种基于管芯参数显示的晶圆测试方法,所述方法应用于智能测试系统,所述智能测试系统与检测装置通信连接,所述方法包括:
S100:获得目标晶圆的基础信息,根据所述基础信息确定目标测试参数集合;
具体而言,晶圆为制作硅半导体电路使用的晶片,在半导体制造中,为避免在不合格晶圆表面进行成膜、刻蚀等工艺步骤,徒增制造成本,在进行半导体器件制造前,需要对晶圆进行测试。
所述目标晶圆即为在进入半导体器件制造工艺步骤前,待进行质量测试的晶圆。所述目标晶圆的基础信息包括但不限于与晶圆电性参数相关或无关的信息,如厚度、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、裂纹、线痕、电阻率、电阻率变化、晶向、晶向偏离度、ECID(电子捕获诱导解离)。
所述目标测试参数为在进行晶圆测试时需要对每一晶圆都进行的测试项目。在本实施例中,从所述目标晶圆的基础信息中确定所述目标测试参数集合。
S200:采集所述目标晶圆的历史测试数据集合,对所述历史测试数据集合进行时间标识;
具体而言,应理解的,在历史进行所述目标晶圆相同规格的晶圆生产时,对于所述目标晶圆相同规格的晶圆生产结果进行测试,留存有对于所述目标晶圆具有参考意义的历史测试数据。
应理解的,随着晶圆生产工艺在技术革新,距离当前时间距离较为遥远的历史测试数据对于所述目标晶圆而言其参考价值相较于距离当前时间距离较为接近的历史测试数据的参考价值较低。
因而为提高历史测试数据在对当前所述目标晶圆进行检测方案设计过程中的参考使用价值,本实施例对所述历史测试数据集合进行时间标识标记,便于后续对历史测试数据进行参考价值分析以及进行所述目标晶圆测试方案的生成。
S300:根据时间标识结果和所述历史测试数据集合进行参数分类,基于参数分类结果得到第一检测参数集合和第二检测参数集合;
进一步的,本申请提供的方法步骤S300还包括:
S310:根据所述历史测试数据集合获得第N测试参数的历史测试数据,其中,N为大于0的自然数;
S320:通过大数据构建所述第N测试参数的预设评价值,判断所述历史测试数据中是否存在不满足所述预设评价值的测试数据;
S330:当所述历史测试数据中存在不满足所述预设评价值的测试数据时,根据所述测试数据与所述历史测试数据的频率占比进行所述第N测试参数的稳定性评价,基于稳定性评价结果进行所述第N测试参数的参数分类。
进一步的,本申请提供的方法步骤S330还包括:
S331:根据所述时间标识结果进行所述测试数据的稳定影响系数评价,得到稳定影响系数集合;
S332:根据所述测试数据的良率数据和所述预设评价值的良率数据进行良率占比影响评价,得到良率稳定性影响系数集合;
S333:根据所述稳定影响系数集合、所述良率稳定性影响系数集合和所述频率占比进行所述第N测试参数的稳定性评价,获得所述稳定性评价结果。
具体而言,所述根据时间标识结果和所述历史测试数据集合进行参数分类的优选方法为,设置一定的时间阈值对历史测试数据进行截取。具体的,在对历史测试数据进行时间标识后,基于预设时间阈值,对历史测试数据进行打包,生成多组历史测试参数。
所述预设评价值为对历史所述目标晶圆进行测试的各项测试结果的预设良率。
根据所述历史测试数据集合获得第N测试参数的历史测试数据,通过大数据构建所述第N测试参数的所述预设评价值,遍历所述目标晶圆的历史测试数据,判断是否存在不满足所述预设评价值的测试数据,不满足所述预设评价值的测试数据对应的测试项即为在进行所述目标晶圆同型号晶圆测试时,容易发生品控不良问题的测试项,在进行所述目标晶圆测试时,需要对每个晶圆都需要进行该项测试。
当所述历史测试数据中存在不满足所述预设评价值的测试数据时,根据所述测试数据在所述历史测试数据的频率占比情况进行所述第N测试参数的稳定性评价。
进行所述第N测试参数的稳定性评价的方法本实施例在此不做任何限制,优选为,首先根据所述时间标识结果与当前时间距离进行所述测试数据的稳定性影响权重赋值,距离当前时间距离越近,历史测试数据的参考价值越高,反之距离越远,参考价值越低。具体的权重赋值方法本实施例在此不作任何限制,可在实际进行历史测试数据获取以及历史测试数据使用时根据数据量以及数据时间跨度进行测试数据的稳定性影响权重赋值。
根据所述时间标识结果进行所述测试数据的稳定性影响权重赋值,对第N测试参数内的多个与所述目标晶圆同规格晶圆的多组测试参数进行每一测试参数项目历史测试数据的稳定影响系数评价,得到稳定影响系数集合。
以多组所述测试数据的良率数据作为分子,以与多组所述测试数据具有一一对应关系的多组所述预设评价值的良率数据作为分母,进行所述良率占比影响评价,得到多组良率稳定性影响系数生成所述良率稳定性影响系数集合,也可通过其他数式计算进行所述良率稳定性影响系数的求值,所述良率稳定性系数仅仅反映在历史进行目标晶圆各项参数测试时,各个测试项在晶圆生产工艺中的合格稳定性,测试项在愿意生产工艺中的合格稳定性越高,则证明在后续进行目标晶圆测试方案的制定中,这一测试项可通过抽样检测的方式进行质检以提高晶圆测试效率降低测试成本。
根据所述稳定影响系数集合、所述良率稳定性影响系数集合和所述频率占比进行所述第N测试参数的稳定性评价,获得所述稳定性评价结果,所述稳定性评价结果中包含历史测试过程中良率稳定的参数项和良率差异性较大的参数项。基于稳定性评价结果进行所述第N测试参数的参数分类,将第N测试参数中的多项测试参数项分为需要进行遍历检测的测试参数项和进行抽样检测的测试参数项。基于参数分类结果进行第一检测参数集合和第二检测参数集合的获取。所述第一检测参数集合为初步确定的需要在每次测试中都进行检测的参数项,所述第二检测参数集合为初步确定的在每次测试中进行抽样检测即可的参数项。
本实施例通过将历史测试数据与测试时间相结合,对历史测试数据的参考性进行评价,并结合历史测试数据中各测试项的测试良率稳定性进行历史测试数据中抽检参数项和遍历参数项的确定,达到了为后续进行检测参数项的检测方法以及目标晶圆检测方案的确定提供参考价值较高的数据基础的技术效果。
S400:通过所述目标测试参数集合进行所述第一检测参数集合和所述第二检测参数集合的参数调整分配,得到第一调整参数集合和第二调整参数集合,其中,所述第一调整参数集合为遍历采集参数集合,所述第二调整参数集合为抽样采集参数集合;
S500:通过所述检测装置进行所述目标晶圆的所述第二调整参数集合的抽样测试,得到第一测试结果;
具体而言,根据步骤S400可知,基于对历史测试数据的分析,本实施例实现了将所述目标晶圆的测试参数项初步分为每次进行多个目标晶圆测试时需要逐一进行遍历检测的测试参数项即所述第一检测参数集合,以及每次进行多个目标晶圆测试时,可通过抽检进行参数项合格性检测的测试参数项即所述第二检测参数集合。
应理解的,不同参数项对于晶圆合格性的影响程度存在差异,因而为提高对所述目标晶圆进行合格性检测的准确性,避免具有重要测试意义的测试参数项由于历史测试合格率较高而在进行当前目标晶圆检测时抽检而被遗漏,本实施例基于步骤S100获得的目标测试参数集合对所述第一检测参数集合和所述第二检测参数集合的参数进行调整分配优化,遍历所述第二检测参数集合,将落入第二检测参数集合的所述目标测试参数集合中的测试参数项筛出并入所述第一检测参数集合,得到第一调整参数集合和第二调整参数集合,所述第一调整参数集合为遍历采集参数集合,所述第二调整参数集合为抽样采集参数集合。
所述检测装置进行所述目标晶圆的所述第二调整参数集合的抽样测试,得到所述第一测试结果,理论上抽样检测获得的所述第一测试结果中各个抽样测试参数项的检测结果皆满足预设良率阈值,所述预设良率阈值为允许所述目标晶圆存在不良瑕疵的阈值范围,在所述预设良率阈值范围内,说明该批次目标晶圆满足生产品控要求。
S600:当所述第一测试结果中存在未满足预设良率阈值的第一测试参数时,则将所述第一测试参数从所述第二调整参数集合调整至所述第一调整参数集合,根据调整后的所述第一调整参数集合和所述第二调整参数集合进行所述目标晶圆的测试。
进一步的,如图2所示,本申请提供的方法步骤S600还包括:
S610:当所述第一测试结果中不存在未满足所述预设良率阈值参数时,基于所述检测装置对所述目标晶圆进行所述第一调整参数集合的测试,得到第二测试结果;
S620:根据所述第一测试结果和所述第二测试结果生成所述目标晶圆的测试MAP图;
S630:通过所述测试MAP图进行所述目标晶圆的测试管理。
具体而言,当所述第一测试结果中不存在未满足所述预设良率阈值参数时,说明本批次测试的目标晶圆在生产中存在生产稳定性缺陷,根据所述第一测试结果,将其中不满足所述预设良率阈值参数的测试参数项调整纳入所述第一调整参数集合。基于所述检测装置对所述目标晶圆进行所述第一调整参数集合的遍历测试,得到所述第二测试结果。
所述测试MAP图为晶圆MAP图,其优势在于可通过颜色直观反馈晶圆测试结果和晶圆缺陷。在本实施例中,根据所述第一测试结果和所述第二测试结果生成所述目标晶圆的测试MAP图,技术人员通过所述测试MAP图进行所述目标晶圆的测试管理。
本实施例通过结合抽样测试结果对遍历测试参数项进行优化调整,并将目标晶圆测试结果进行测试MAP图生成,实现了缩短测试时间消耗,提高目标晶圆测试效率,且方便技术人员直观获知测试结果的技术效果。
本实施例通过获得目标晶圆的基础信息,根据所述基础信息确定目标测试参数集合,为后续进行测试参数项分类结果优化提供参考,采集所述目标晶圆的历史测试数据集合,对所述历史测试数据集合进行时间标识,根据时间标识结果和所述历史测试数据集合进行参数分类,基于参数分类结果得到第一检测参数集合和第二检测参数集合;通过所述目标测试参数集合进行所述第一检测参数集合和所述第二检测参数集合的参数调整分配,得到遍历采集参数集合和抽样采集参数集合,避免对于目标晶圆的所有测试参数项进行测试的时间消耗和测试成本的滥用。通过所述检测装置进行所述目标晶圆的所述第二调整参数集合的抽样测试,得到第一测试结果,当所述第一测试结果中存在未满足预设良率阈值的第一测试参数时,则将所述第一测试参数从所述第二调整参数集合调整至所述第一调整参数集合,实现对于测试参数项分类的再次优化,提高测试精度。根据调整后的所述第一调整参数集合和所述第二调整参数集合进行所述目标晶圆的测试。达到了晶圆合格性测试的准确性和效率较高,技术人员便于根据测试结果进行晶圆生产品控管理的技术效果。
进一步的,本申请提供的方法步骤S300还包括:
S340:根据所述历史测试数据集合进行所述目标晶圆的参数良率变化趋势分析,得到参数良率变化趋势分析结果;
S350:根据所述参数良率变化趋势分析结果生成参数分类影响值;
S360:通过所述参数分类影响值得到所述第一检测参数集合和所述第二检测参数集合。
具体而言,在本实施例中,获得所述第一检测参数集合和所述第二检测参数集合的方法优选为,根据所述历史测试数据集合以及与所述历史测试数据集合之间具有对应关系的时间标记结果进行所述目标晶圆的参数良率变化曲线的绘制,基于所述目标晶圆的参数良率变化曲线进行各个测试参数项的良率变化曲线的曲率分析,实现趋势分析,得到所述参数良率变化趋势分析结果,所述参数良率变化趋势分析结果为多组曲率数值,根据所述参数良率变化趋势分析结果生成参数分类影响值,所述参数分类影响值为参数良率变化趋势结果的参数项是否为良率稳定性较高的参数项的判断标准。示例性的所述参数分类影响值可定义为(0.9~1.1),当所述参数良率变化趋势分析结果为参数曲线曲率落入所述参数分类影响值范围内时,说明所述参数良率变化曲线对应的参数项在历史测试中长期处于合格状态,反之未落入所述参数分类影响值范围内,则证明所述参数良率变化曲线对应的参数项在历史测试中合格率存在波动。通过所述参数分类影响值得到所述第一检测参数集合和所述第二检测参数集合。
本实施例通过对历史测试数据进行参数项合格度分析,实现了以历史测试数据为参考,对目标晶圆的各测试参数项初步进行类别划分,缩小进行参数测试的测试项数量,间接提高了测试效率降低测试成本损耗。
进一步的,如图3所示,本申请提供的方法步骤S340还包括:
S341:根据所述历史测试数据集合进行异常良率评价,生成异常良率评价结果;
S342:根据所述异常良率评价结果匹配关联工艺,得到关联工艺匹配结果;
S343:根据所述关联工艺匹配结果生成反馈优化参数;
S344:将所述反馈优化参数发送至生产用户。
具体而言,在本实施例中,历史测试数据的参考应用并不局限于测试参数项的分类,也可以用于进行晶圆生产工艺的优化,提高晶圆生产的工艺品控。
根据所述历史测试数据集合对目标晶圆的各个测试项进行异常良率评价,根据所述历史测试数据集合以及与所述历史测试数据集合之间具有对应关系的时间标记结果进行所述目标晶圆的参数良率变化曲线的绘制,基于所述目标晶圆的参数良率变化曲线,筛分所述参数良率变化曲线中,曲线变化波动性较大的曲线进行异常良率分析,生成所述异常良率评价结果,所述异常良率评价结果为测试参数项在历史测试中,随时序标识变化波动较大的多个测试参数项。根据所述异常良率评价结果追溯匹配目标晶圆生产工艺中与该项测试参数项关联的工艺步骤,输出关联工艺匹配结果,根据所述关联工艺匹配结果生成反馈优化参数,发送至生产用户,用户根据所述反馈优化参数进行目标晶圆生产工艺品控管理优化。
本实施例通过分析历史测试数据,进行目标晶圆波动测试参数项的分析,实现了对于晶圆生产过程的反哺,达到了辅助技术人员进行晶圆生产工艺优化,提高晶圆生产产品良率的技术效果。
进一步的,所述智能测试系统与标识装置通信连接,本申请提供的方法步骤S700还包括:
S710:根据所述目标晶圆的测试结果生成晶圆缺陷评价等级信息;
S720:通过所述标识装置根据所述晶圆缺陷评价等级信息进行所述目标晶圆的缺陷标识,得到缺陷标识结果;
S730:根据所述缺陷标识结果进行所述目标晶圆的管理。
具体而言,在本实施例中,进行所述目标晶圆测试的目的是将目标晶圆分类为合格晶圆与非合格晶圆,并对非合格晶圆进行合格缺陷的归类分批处理。根据所述目标晶圆的测试结果中不合格测试参数项的提取,根据不合格测试参数项数量进行晶圆缺陷评价等级的确定,生成所述晶圆缺陷评价等级信息,所述晶圆缺陷评价等级越高,证明前期检测装置检测出的不合格测试参数项越多。通过所述标识装置根据所述晶圆缺陷评价等级信息进行所述目标晶圆的缺陷标识,得到缺陷标识结果,根据所述缺陷标识结果将同批次测试的多个所述目标晶圆进行分类,获得多组存在相同缺陷标识的目标晶圆,便于后续进行针对性管理。
本实施例通过对完成测试的目标晶圆进行缺陷等级评价以及根据等级评价进行缺陷标识,基于缺陷标识对目标晶圆进行分门别类的补救分析,实现高效快速对目标晶圆进行测试分析,且便于技术人员进行本批次目标晶圆生产品控缺陷的研究。
实施例二
基于与前述实施例中一种基于管芯参数显示的晶圆测试方法相同的发明构思,如图4所示,本申请提供了一种基于管芯参数显示的晶圆测试系统,其中,所述系统包括:
测试参数采集模块11,用于获得目标晶圆的基础信息,根据所述基础信息确定目标测试参数集合;
历史数据标识模块12,用于采集所述目标晶圆的历史测试数据集合,对所述历史测试数据集合进行时间标识;
参数分类执行模块13,用于根据时间标识结果和所述历史测试数据集合进行参数分类,基于参数分类结果得到第一检测参数集合和第二检测参数集合;
参数调整执行模块14,用于通过所述目标测试参数集合进行所述第一检测参数集合和所述第二检测参数集合的参数调整分配,得到第一调整参数集合和第二调整参数集合,其中,所述第一调整参数集合为遍历采集参数集合,所述第二调整参数集合为抽样采集参数集合;
抽样测试执行模块15,用于通过检测装置进行所述目标晶圆的所述第二调整参数集合的抽样测试,得到第一测试结果;
晶圆测试执行模块16,用于当所述第一测试结果中存在未满足预设良率阈值的第一测试参数时,则将所述第一测试参数从所述第二调整参数集合调整至所述第一调整参数集合,根据调整后的所述第一调整参数集合和所述第二调整参数集合进行所述目标晶圆的测试。
进一步的,所述参数分类执行模块13还包括:
历史数据获得单元,用于根据所述历史测试数据集合获得第N测试参数的历史测试数据,其中,N为大于0的自然数;
历史数据判断单元,用于通过大数据构建所述第N测试参数的预设评价值,判断所述历史测试数据中是否存在不满足所述预设评价值的测试数据;
参数分类执行单元,用于当所述历史测试数据中存在不满足所述预设评价值的测试数据时,根据所述测试数据与所述历史测试数据的频率占比进行所述第N测试参数的稳定性评价,基于稳定性评价结果进行所述第N测试参数的参数分类。
进一步的,所述参数分类执行单元还包括:
测试数据评价单元,用于根据所述时间标识结果进行所述测试数据的稳定影响系数评价,得到稳定影响系数集合;
数据良率评价单元,用于根据所述测试数据的良率数据和所述预设评价值的良率数据进行良率占比影响评价,得到良率稳定性影响系数集合;
评价结果生成单元,用于根据所述稳定影响系数集合、所述良率稳定性影响系数集合和所述频率占比进行所述第N测试参数的稳定性评价,获得所述稳定性评价结果。
进一步的,所述晶圆测试执行模块16还包括:
参数测试执行单元,用于当所述第一测试结果中不存在未满足所述预设良率阈值参数时,基于所述检测装置对所述目标晶圆进行所述第一调整参数集合的测试,得到第二测试结果;
测试结果处理单元,用于根据所述第一测试结果和所述第二测试结果生成所述目标晶圆的测试MAP图;
测试管理执行单元,用于通过所述测试MAP图进行所述目标晶圆的测试管理。
进一步的,所述参数分类执行模块13还包括:
参数变化分析单元,用于根据所述历史测试数据集合进行所述目标晶圆的参数良率变化趋势分析,得到参数良率变化趋势分析结果;
影响值计算单元,用于根据所述参数良率变化趋势分析结果生成参数分类影响值;
影响值应用单元,用于通过所述参数分类影响值得到所述第一检测参数集合和所述第二检测参数集合。
进一步的,所述参数变化分析单元还包括:
异常良率评价单元,用于根据所述历史测试数据集合进行异常良率评价,生成异常良率评价结果;
关联工艺匹配单元,用于根据所述异常良率评价结果匹配关联工艺,得到关联工艺匹配结果;
反馈参数生成单元,用于根据所述关联工艺匹配结果生成反馈优化参数;
反馈参数传输单元,用于将所述反馈优化参数发送至生产用户。
进一步的,所述系统还包括:
缺陷等级生成单元,用于根据所述目标晶圆的测试结果生成晶圆缺陷评价等级信息;
缺陷标识标记单元,用于通过所述标识装置根据所述晶圆缺陷评价等级信息进行所述目标晶圆的缺陷标识,得到缺陷标识结果;
缺陷标记应用单元,用于根据所述缺陷标识结果进行所述目标晶圆的管理。
综上所述的任意一项方法或者步骤可作为计算机指令或程序存储在各种不限类型的计算机存储器中,通过各种不限类型的计算机处理器识别计算机指令或程序,进而实现上述任一项方法或者步骤。
基于本发明的上述具体实施例,本技术领域的技术人员在不脱离本发明原理的前提下,对本发明所作的任何改进和修饰,皆应落入本发明的专利保护范围。
Claims (8)
1.一种基于管芯参数显示的晶圆测试方法,其特征在于,所述方法应用于智能测试系统,所述智能测试系统与检测装置通信连接,所述方法包括:
获得目标晶圆的基础信息,根据所述基础信息确定目标测试参数集合;
采集所述目标晶圆的历史测试数据集合,对所述历史测试数据集合进行时间标识;
根据时间标识结果和所述历史测试数据集合进行参数分类,基于参数分类结果得到第一检测参数集合和第二检测参数集合;
通过所述目标测试参数集合进行所述第一检测参数集合和所述第二检测参数集合的参数调整分配,得到第一调整参数集合和第二调整参数集合,其中,所述第一调整参数集合为遍历采集参数集合,所述第二调整参数集合为抽样采集参数集合;
通过所述检测装置进行所述目标晶圆的所述第二调整参数集合的抽样测试,得到第一测试结果;
当所述第一测试结果中存在未满足预设良率阈值的第一测试参数时,则将所述第一测试参数从所述第二调整参数集合调整至所述第一调整参数集合,根据调整后的所述第一调整参数集合和所述第二调整参数集合进行所述目标晶圆的测试。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
根据所述历史测试数据集合获得第N测试参数的历史测试数据,其中,N为大于0的自然数;
通过大数据构建所述第N测试参数的预设评价值,判断所述历史测试数据中是否存在不满足所述预设评价值的测试数据;
当所述历史测试数据中存在不满足所述预设评价值的测试数据时,根据所述测试数据与所述历史测试数据的频率占比进行所述第N测试参数的稳定性评价,基于稳定性评价结果进行所述第N测试参数的参数分类。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
根据所述时间标识结果进行所述测试数据的稳定影响系数评价,得到稳定影响系数集合;
根据所述测试数据的良率数据和所述预设评价值的良率数据进行良率占比影响评价,得到良率稳定性影响系数集合;
根据所述稳定影响系数集合、所述良率稳定性影响系数集合和所述频率占比进行所述第N测试参数的稳定性评价,获得所述稳定性评价结果。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
当所述第一测试结果中不存在未满足所述预设良率阈值参数时,基于所述检测装置对所述目标晶圆进行所述第一调整参数集合的测试,得到第二测试结果;
根据所述第一测试结果和所述第二测试结果生成所述目标晶圆的测试MAP图;
通过所述测试MAP图进行所述目标晶圆的测试管理。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
根据所述历史测试数据集合进行所述目标晶圆的参数良率变化趋势分析,得到参数良率变化趋势分析结果;
根据所述参数良率变化趋势分析结果生成参数分类影响值;
通过所述参数分类影响值得到所述第一检测参数集合和所述第二检测参数集合。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
根据所述历史测试数据集合进行异常良率评价,生成异常良率评价结果;
根据所述异常良率评价结果匹配关联工艺,得到关联工艺匹配结果;
根据所述关联工艺匹配结果生成反馈优化参数;
将所述反馈优化参数发送至生产用户。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述智能测试系统与标识装置通信连接,所述方法还包括:
根据所述目标晶圆的测试结果生成晶圆缺陷评价等级信息;
通过所述标识装置根据所述晶圆缺陷评价等级信息进行所述目标晶圆的缺陷标识,得到缺陷标识结果;
根据所述缺陷标识结果进行所述目标晶圆的管理。
8.一种基于管芯参数显示的晶圆测试系统,其特征在于,所述系统包括:
测试参数采集模块,用于获得目标晶圆的基础信息,根据所述基础信息确定目标测试参数集合;
历史数据标识模块,用于采集所述目标晶圆的历史测试数据集合,对所述历史测试数据集合进行时间标识;
参数分类执行模块,用于根据时间标识结果和所述历史测试数据集合进行参数分类,基于参数分类结果得到第一检测参数集合和第二检测参数集合;
参数调整执行模块,用于通过所述目标测试参数集合进行所述第一检测参数集合和所述第二检测参数集合的参数调整分配,得到第一调整参数集合和第二调整参数集合,其中,所述第一调整参数集合为遍历采集参数集合,所述第二调整参数集合为抽样采集参数集合;
抽样测试执行模块,用于通过检测装置进行所述目标晶圆的所述第二调整参数集合的抽样测试,得到第一测试结果;
晶圆测试执行模块,用于当所述第一测试结果中存在未满足预设良率阈值的第一测试参数时,则将所述第一测试参数从所述第二调整参数集合调整至所述第一调整参数集合,根据调整后的所述第一调整参数集合和所述第二调整参数集合进行所述目标晶圆的测试。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210835542.5A CN115032493B (zh) | 2022-07-15 | 2022-07-15 | 一种基于管芯参数显示的晶圆测试方法及系统 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210835542.5A CN115032493B (zh) | 2022-07-15 | 2022-07-15 | 一种基于管芯参数显示的晶圆测试方法及系统 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115032493A true CN115032493A (zh) | 2022-09-09 |
CN115032493B CN115032493B (zh) | 2023-10-13 |
Family
ID=83127967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210835542.5A Active CN115032493B (zh) | 2022-07-15 | 2022-07-15 | 一种基于管芯参数显示的晶圆测试方法及系统 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115032493B (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116090258A (zh) * | 2023-03-13 | 2023-05-09 | 常州满旺半导体科技有限公司 | 一种基于物联网的半导体数据测试异常预警系统及方法 |
CN116311581A (zh) * | 2023-03-21 | 2023-06-23 | 深圳市英捷软件有限公司 | 一种芯片的参数测试系统及方法 |
CN116563419A (zh) * | 2023-07-11 | 2023-08-08 | 上海孤波科技有限公司 | 晶圆图配置数据的修正方法、装置、电子设备及存储介质 |
CN117410215A (zh) * | 2023-12-15 | 2024-01-16 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 机台参数的确定方法、控制方法、控制系统及其装置 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100249974A1 (en) * | 2009-03-31 | 2010-09-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Advanced process control with novel sampling policy |
US20110093226A1 (en) * | 2008-07-04 | 2011-04-21 | Inotera Memories, Inc. | Fault detection and classification method for wafer acceptance test parameters |
CN104090931A (zh) * | 2014-06-25 | 2014-10-08 | 华南理工大学 | 一种基于网页链接参数分析的信息预测采集方法 |
CN105702595A (zh) * | 2014-11-27 | 2016-06-22 | 华邦电子股份有限公司 | 晶圆的良率判断方法以及晶圆合格测试的多变量检测方法 |
CN109860069A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-06-07 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 晶圆的测试方法 |
CN111124783A (zh) * | 2019-12-20 | 2020-05-08 | 联宝(合肥)电子科技有限公司 | 电子设备的测试方法、测试服务器及测试系统 |
CN112185831A (zh) * | 2019-07-01 | 2021-01-05 | 华润微电子(重庆)有限公司 | 抽样缺陷检测方法、及其设备和系统 |
US20210190853A1 (en) * | 2019-12-19 | 2021-06-24 | Hongfujin Precision Electronics(Tianjin)Co.,Ltd. | Method for faster testing of manufactured pcb, apparatus, system, and storage medium used in method |
CN113128390A (zh) * | 2021-04-14 | 2021-07-16 | 北京奇艺世纪科技有限公司 | 抽检方法、装置、电子设备及存储介质 |
CN113448787A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-09-28 | 海光信息技术股份有限公司 | 晶圆异常分析的方法、装置、电子设备及可读存储介质 |
CN114202248A (zh) * | 2022-01-13 | 2022-03-18 | 浙江工企信息技术股份有限公司 | 一种基于mes智能制造的生产管理方法及系统 |
CN114416596A (zh) * | 2022-03-04 | 2022-04-29 | 平安壹钱包电子商务有限公司 | 一种测试应用的方法、装置、计算机设备及存储介质 |
CN116257397A (zh) * | 2023-03-03 | 2023-06-13 | 西安广和通无线通信有限公司 | 一种压力测试方法、装置、存储介质及设备 |
-
2022
- 2022-07-15 CN CN202210835542.5A patent/CN115032493B/zh active Active
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110093226A1 (en) * | 2008-07-04 | 2011-04-21 | Inotera Memories, Inc. | Fault detection and classification method for wafer acceptance test parameters |
US20100249974A1 (en) * | 2009-03-31 | 2010-09-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Advanced process control with novel sampling policy |
CN104090931A (zh) * | 2014-06-25 | 2014-10-08 | 华南理工大学 | 一种基于网页链接参数分析的信息预测采集方法 |
CN105702595A (zh) * | 2014-11-27 | 2016-06-22 | 华邦电子股份有限公司 | 晶圆的良率判断方法以及晶圆合格测试的多变量检测方法 |
CN109860069A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-06-07 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 晶圆的测试方法 |
CN112185831A (zh) * | 2019-07-01 | 2021-01-05 | 华润微电子(重庆)有限公司 | 抽样缺陷检测方法、及其设备和系统 |
US20210190853A1 (en) * | 2019-12-19 | 2021-06-24 | Hongfujin Precision Electronics(Tianjin)Co.,Ltd. | Method for faster testing of manufactured pcb, apparatus, system, and storage medium used in method |
CN111124783A (zh) * | 2019-12-20 | 2020-05-08 | 联宝(合肥)电子科技有限公司 | 电子设备的测试方法、测试服务器及测试系统 |
CN113128390A (zh) * | 2021-04-14 | 2021-07-16 | 北京奇艺世纪科技有限公司 | 抽检方法、装置、电子设备及存储介质 |
CN113448787A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-09-28 | 海光信息技术股份有限公司 | 晶圆异常分析的方法、装置、电子设备及可读存储介质 |
CN114202248A (zh) * | 2022-01-13 | 2022-03-18 | 浙江工企信息技术股份有限公司 | 一种基于mes智能制造的生产管理方法及系统 |
CN114416596A (zh) * | 2022-03-04 | 2022-04-29 | 平安壹钱包电子商务有限公司 | 一种测试应用的方法、装置、计算机设备及存储介质 |
CN116257397A (zh) * | 2023-03-03 | 2023-06-13 | 西安广和通无线通信有限公司 | 一种压力测试方法、装置、存储介质及设备 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
CHENWEI LIU: "Use Machine Learning Based Smart Sampling to Improve System Level Testing Efficiency", IEEE, pages 1 - 6 * |
余泽勇: "器件多SITE测试与抽测/环测应用方案", 《硅谷》, pages 42 - 43 * |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116090258A (zh) * | 2023-03-13 | 2023-05-09 | 常州满旺半导体科技有限公司 | 一种基于物联网的半导体数据测试异常预警系统及方法 |
CN116311581A (zh) * | 2023-03-21 | 2023-06-23 | 深圳市英捷软件有限公司 | 一种芯片的参数测试系统及方法 |
CN116563419A (zh) * | 2023-07-11 | 2023-08-08 | 上海孤波科技有限公司 | 晶圆图配置数据的修正方法、装置、电子设备及存储介质 |
CN116563419B (zh) * | 2023-07-11 | 2023-09-19 | 上海孤波科技有限公司 | 晶圆图配置数据的修正方法、装置、电子设备及存储介质 |
CN117410215A (zh) * | 2023-12-15 | 2024-01-16 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 机台参数的确定方法、控制方法、控制系统及其装置 |
CN117410215B (zh) * | 2023-12-15 | 2024-04-09 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 机台参数的确定方法、控制方法、控制系统及其装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115032493B (zh) | 2023-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN115032493B (zh) | 一种基于管芯参数显示的晶圆测试方法及系统 | |
JP4077951B2 (ja) | 欠陥解析方法、記録媒体及び工程管理方法 | |
US6210983B1 (en) | Method for analyzing probe yield sensitivities to IC design | |
US8606536B2 (en) | Methods and apparatus for hybrid outlier detection | |
WO2013035421A1 (ja) | 領域決定装置、観察装置または検査装置、領域決定方法および領域決定方法を用いた観察方法または検査方法 | |
US7904279B2 (en) | Methods and apparatus for data analysis | |
JP2009010405A (ja) | 局所的外れ値の検出のための方法および装置 | |
JP5907649B2 (ja) | データ解析のための方法および装置 | |
JP4568786B2 (ja) | 要因分析装置および要因分析方法 | |
CN104062305B (zh) | 一种集成电路缺陷的分析方法 | |
CN105702595B (zh) | 晶圆的良率判断方法以及晶圆合格测试的多变量检测方法 | |
WO2015045222A1 (ja) | 検査システム、検査方法および可読記録媒体 | |
CN101118422A (zh) | 半导体制造的虚拟量测预估与建立预估模型的方法与系统 | |
TW201533456A (zh) | 晶圓測試數據分析方法 | |
CN109308395B (zh) | 基于lof-knn算法的晶圆级空间测量参数异常识别方法 | |
JP4611369B2 (ja) | デバイスの製造方法 | |
US20110172941A1 (en) | Screening apparatus, screening method, and program | |
TWI647770B (zh) | 晶圓的良率判斷方法以及晶圓合格測試的多變量偵測方法 | |
US7137085B1 (en) | Wafer level global bitmap characterization in integrated circuit technology development | |
JP4051332B2 (ja) | 検査データ解析システム | |
CN107340487A (zh) | 一种查看测试系统处于稳定状态下实际加工能力的方法 | |
US20090012730A1 (en) | Method and apparatus for matching test equipment calibration | |
JP4538205B2 (ja) | 検査データの解析プログラム、検査データ解析装置 | |
JP2008117380A (ja) | 診断プロセス支援方法とそのためのプログラム | |
US7263451B1 (en) | Method and apparatus for correlating semiconductor process data with known prior process data |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |