CN115567777B - 微机电挡片及其制备方法、图像传感器组件及其制备方法、图像传感器及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开一种微机电挡片及其制作方法、图像传感器组件及其制作方法、图像传感器及其制备方法，涉及视频处理领域，用于减小图像传感器的尺寸，并提高图像传感器的工作效率。所述微机电挡片包括挡片层，所述挡片层包括微机电结构图案；所述微机电结构图案包括：具有开口的支撑结构图案；遮挡部分所述开口的挡片结构图案；以及，连接在所述支撑结构图案与所述挡片结构图案之间的致动结构图案；所述挡片结构图案的包括间隔设置的多条挡光条，所述挡光条用于遮光，相邻的两个所述挡光条之间的间隔区域用于透光。微机电挡片用于控制红外辐射信号的透过。

Description

微机电挡片及其制备方法、图像传感器组件及其制备方法、图 像传感器及其制作方法

技术领域

本发明涉及视频处理领域，尤其涉及一种微机电挡片及其制作方法、图像传感器组件及其制作方法、图像传感器及其制备方法。

背景技术

挡片是图像传感器中重要的部件之一，用来适时地遮挡红外探测器，使之能根据现有环境重置参数，以达到合适的探测效果。

目前，常用的挡片是采用电磁阀或电机驱动的机械式挡片，其尺寸相对于探测器而言较大，在装配中占据了过多的空间，增大了整体尺寸；机械式挡片由于加工方式的限制，成本上较难有更多的下降。

发明内容

本申请的一些实施例提供了一种微机电挡片及其制作方法、图像传感器组件及其制作方法、图像传感器及其制备方法，用于减小图像传感器的尺寸，并提高图像传感器的工作效率。

一方面，本申请提供一种微机电挡片。所述微机电挡片包括：挡片层，所述挡片层包括微机电结构图案；所述微机电结构图案包括：具有开口的支撑结构图案；遮挡部分所述开口的挡片结构图案；以及，连接在所述支撑结构图案与所述挡片结构图案之间的致动结构图案；所述挡片结构图案的包括间隔设置的多条挡光条，所述挡光条用于遮光，相邻的两个所述挡光条之间的间隔区域用于透光。

本申请提供的微机电挡片，挡片结构图案的多个挡光条，挡光条可以遮光，相邻的两个遮光条之间的间隔区域可以透光，挡片结构图案可以沿第一方向和/或第二方向移动较小的工作位移，即可实现对所有感光元件遮挡或者不遮挡，进而可以控制感光元件感光的时间，同时被遮挡的感光元件也可以在遮光状态下进行校准、重置，实现了图像传感器的正常工作及重置工作，有效解决传统挡片在进行遮挡感光元件时，图像探测器会出现的卡顿的问题；在图像传感器的工作过程中，挡片的位移较小，进而使得快门芯片中为挡片预留的空间较小，进而使得快门芯片及图像传感器的尺寸较小，而且，挡片能够快速在挡光与不挡光的两种状态进行切换，提高了图像传感器的工作效率。

在一些实施例中，多条所述挡光条的宽度相等；和/或，任意相邻的两条所述挡光条之间的距离相等。

在一些实施例中，所述挡片结构图案包括层叠设置的支撑层和反射导电层。

在一些实施例中，所述挡光条沿第一方向延伸；所述致动结构图案包括：设置在所述挡片结构图案沿所述第一方向的相对两端的悬臂梁，所述悬臂梁连接所述支撑结构图案与所述挡片结构图案；所述悬臂梁被配置为：驱动所述挡片结构图案在所述开口内沿垂直于所述第一方向的第二方向移动；所述第一方向和所述第二方向均平行于所述挡片结构图案所在的平面。

在一些实施例中，所述致动结构图案还包括：设置在所述挡片结构图案沿所述第一方向的相对两端的第一锚点，所述第一锚点连接所述悬臂梁与支撑结构图案；两个所述第一锚点分别用于接收不同的电信号，以在所述挡片结构图案中形成沿第一方向流通的电流。

在一些实施例中，所述致动结构图案还包括：设置在所述挡片结构图案沿所述第二方向的相对两端的挡片梳齿电极；设置在所述挡片结构图案沿所述第二方向的相对两端的第二锚点；两个所述第二锚点分别用于接收不同的电信号；与所述第二锚点连接的锚点梳齿电极；所述锚点梳齿电极与相应的所述挡片梳齿电极之间呈插指结构设置，构成梳齿电容。

在一些实施例中，所述致动结构图案还包括：设置在所述挡片结构图案沿第二方向的相对两端的锚点对；及，设置在所述挡片结构图案沿第二方向的相对两端的压电驱动梁，所述压电驱动梁连接所述挡片结构图案和相应的所述锚点对，所述压电驱动梁的材料包括压电材料；其中，所述锚点对用于接收电信号，以使两个所述压电驱动梁中的一者压缩，另一者伸长。

在一些实施例中，每个所述锚点对包括第三锚点和第四锚点；所述压电驱动梁包括：沿所述第一方向延伸的压电条，所述压电条包括相对的第一端和第二端；连接所述压电条的第一端和所述挡片结构图案的中部的第一支撑条；连接所述压电条的第二端和所述挡片结构图案的中部的第二支撑条；连接所述压电条的上表面和所述第三锚点的第三支撑条；及，连接所述压电条的下表面和所述第四锚点的第四支撑条；所述第一支撑条、所述第二支撑条、所述第三支撑条及所述第四支撑条的延伸方向，均与所述第一方向交叉。

又一方面，本申请提供一种微机电挡片的制作方法，所述制作方法包括：提供第一衬底；对所述第一衬底进行刻蚀，形成具有开口的支撑结构图案、遮挡部分所述开口的挡片结构图案、以及连接在所述支撑结构图案与所述挡片结构图案之间的致动结构图案；所述挡片结构图案包括间隔设置的多条挡光条，所述挡光条用于遮光，相邻的两个所述挡光条之间的间隔区域用于透光。

在一些实施例中，所述对所述第一衬底进行刻蚀，包括：在所述第一衬底的第一侧形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层包括多个第一图案，所述第一图案在所述第一衬底上的正投影与待形成的多条挡光条在所述第一衬底上的正投影不交叠；在所述第一光刻胶层远离所述第一衬底的一侧形成第一反射导电薄膜；剥离所述第一光刻胶层，去除所述第一反射导电薄膜与所述多个第一图案接触的部分，保留所述第一反射导电薄膜位于任意相邻两个第一图案之间的部分，得到反射导电层；以所述反射导电层为掩膜，对所述第一衬底进行刻蚀，形成挡片结构图案，所述挡片结构图案的包括多条挡光条，多条所述挡光条间隔设置。

在一些实施例中，所述提供第一衬底，包括：提供依次层叠的第一衬底、阻挡层和第二衬底；所述以所述反射导电层为掩膜，对所述第一衬底进行刻蚀之后，所述制备方法还包括：对所述第二衬底和所述阻挡层进行刻蚀，形成具有开口的支撑结构图案。

又一方面，本申请提供一种图像传感器组件。所述图像传感器组件包括：盖板，所述盖板具有透光窗口；以及，设置在所述盖板上的微机电挡片，所述微机电挡片为如权利要求1～8中任一项所述的微机电挡片；所述微机电挡片的开口与所述透光窗口对应设置，且所述透光窗口的面积大于或等于所述开口的面积。

又一方面，本申请提供一种图像传感器组件的制备方法，所述制备方法包括：提供盖板；在所述盖板上形成微机电挡片；所述微机电挡片包括：挡片层，所述挡片层包括微机电结构图案；所述微机电结构图案包括：具有开口的支撑结构图案；遮挡部分所述开口的挡片结构图案；以及，连接在所述支撑结构图案与所述挡片结构图案之间的致动结构图案；所述挡片结构图案的包括间隔设置的多条挡光条；所述盖板具有透光窗口，所述透光窗口与所述开口对应设置，且所述透光窗口的面积大于或等于所述开口的面积。

又一方面，本申请提供一种图像传感器。该图像传感器包括：红外芯片，所述红外芯片具有有效阵列区域，所述有效阵列区域设置有多个感光元件；设置在所述红外芯片上的微机电挡片，所述微机电挡片为如上述一些实施例中所述的微机电挡片；所述微机电挡片的开口与所述有效阵列区域对应设置，且所述开口的面积大于或等于所述有效阵列区域的面积。

在一些实施例中，多个所述感光元件呈阵列式排布；所述微机电挡片的挡光条用于遮挡至少一列感光元件。

在一些实施例中，所述微机电挡片的挡片结构图案的移动路径上具有至少两个工作位置；所述多个感光元件包括与所述工作位置对应的至少两个感光元件组，所述感光元件组包括多列感光元件；所述挡片结构图案移动至其中一个工作位置，至少部分所述挡光条用于遮挡其中一个感光元件组

在一些实施例中，所述图像传感器还包括：位于所述微机电挡片远离所述红外芯片一侧的盖板，所述盖板具有透光窗口，所述透光窗口在所述红外芯片的正投影至少覆盖所述有效阵列区域。

在一些实施例中，所述微机电挡片集成在所述盖板上，构成如上述一些实施例中所述的图像传感器组件；和/或，所述微机电挡片集成在所述红外芯片上。

又一方面，本申请提供一种图像传感器制备方法，所述制备方法包括：提供微机电挡片；提供红外芯片，所述微机电挡片与所述红外芯片键合，形成图像传感器；其中，所述红外芯片具有有效阵列区域，所述有效阵列区域设置有多个感光元件；所述微机电挡片包括：挡片层，所述挡片层包括微机电结构图案；所述微机电结构图案包括：具有开口的支撑结构图案；遮挡部分所述开口的挡片结构图案；以及，连接在所述支撑结构图案与所述挡片结构图案之间的致动结构图案；所述挡片结构图案的包括间隔设置的多条挡光条；所述红外芯片具有有效阵列区域，所述有效阵列区域设置有多个感光元件。

又一方面，本申请提供一种图像传感器制备方法，所述制备方法包括：提供红外芯片；在所述红外芯片上集成微机电挡片，形成图像传感器；其中，所述红外芯片具有有效阵列区域，所述有效阵列区域设置有多个感光元件；所述微机电挡片包括：挡片层，所述挡片层包括微机电结构图案；所述微机电结构图案包括：具有开口的支撑结构图案；遮挡部分所述开口的挡片结构图案；以及，连接在所述支撑结构图案与所述挡片结构图案之间的致动结构图案；所述挡片结构图案的包括间隔设置的多条挡光条。

在一些实施例中，所述在所述红外芯片上集成微机电挡片包括：在所述红外芯片上依次形成牺牲层和所述第一衬底；在所述第一衬底远离所述红外芯片的一侧形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层具有多个第二图案，所述第二图案与待形成的多条挡光条错开设置；所述第二光刻胶层为掩膜，对所述第一衬底进行刻蚀，形成挡片结构图案，所述挡片结构图案的包括多条挡光条，多条所述挡光条间隔设置；去除所述牺牲层。

在一些实施例中，在所述红外芯片上依次形成牺牲层和所述第一衬底之前，所述制作方法还包括：在所述牺牲层远离所述红外芯片的一侧形成第三光刻胶层，所述第三光刻胶层具有多个第一开口；以所述第三光刻胶层为掩膜，对所述牺牲层进行刻蚀，暴露所述红外芯片的电极。

又一方面，本申请提供一种图像传感器制备方法，所述制备方法包括：提供盖板，所述盖板具有透光窗口；在所述盖板上形成微机电挡片，构成图像传感器组件；提供红外芯片，所述图像传感器组件与所述红外芯片键合，形成图像传感器；所述红外芯片具有有效阵列区域，所述有效阵列区域设置有多个感光元件，所述透光窗口与所述有效阵列区域对应设置，且所述透光窗口的面积大于或等于所述有效阵列区域的面积。

本发明提供的微机电挡片的制作方法、图像传感器组件及其制备方法、图像传感器及其制备方法，所能实现的有益效果，与上述技术方案提供的微机电挡片所能达到的有益效果相同，在此不做赘述。

附图说明

图1为本申请实施例提供的一种图像传感器的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的又一种图像传感器的结构示意图；

图3A为本申请实施例提供的一种微机电挡片的结构示意图；

图3B为本申请实施例提供的又一种微机电挡片的结构示意图；

图3C为本申请实施例提供的又一种微机电挡片的结构示意图；

图3D为本申请实施例提供的一种压电驱动梁的结构示意图；

图3E为本申请实施例提供的一种压电驱动梁发生形变的结构示意图；

图4A为本申请实施例提供的另一种图像传感器中挡片遮挡感光元件的结构示意图；

图4B为图4A中提供的一种图像传感器中的又一种挡片遮挡感光元件的结构示意图；

图5A为本申请实施例提供的又一种图像传感器中挡片遮挡感光元件的结构示意图；

图5B为图5A中提供的一种图像传感器中的又一种挡片遮挡感光元件的结构示意图；

图5C为图5A中提供的一种图像传感器中的又一种挡片遮挡感光元件的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的一种挡片结构图案的结构示意图；

图7为图6中A-A'界面的剖视图；

图8A为本申请实施例提供的一种微机电挡片的制备方法的流程图；

图8B为本申请实施例提供的一种挡片结构图案的制备方法的流程图；

图9A～图9B为本申请实施例提供的一种微机电挡片的制备方法中各步骤对应的结构图；

图10A～图10M为本申请实施例提供的一种图像传感器的制备方法中各步骤对应的结构图；

图11为本申请实施例提供的又一种图像传感器的结构示意图；

图12为本申请实施例提供的又一种图像传感器组件的结构示意图；

图13为本申请实施例提供的一种图像传感器组件的制备方法的流程图；

图14A～图14B为本申请实施例提供的一种图像传感器组件的制备方法中各步骤对应的结构图；

图15为本申请实施例提供的一种图像传感器的制备方法的流程图；

图16A～图16B为本申请实施例提供的一种图像传感器的制备方法中各步骤对应的结构图；

图17为本申请实施例提供的一种图像传感器的制备方法的流程图；

图18A～图18B为本申请实施例提供的一种图像传感器的制备方法中各步骤对应的结构图；

图19A～图19N本申请实施例提供的又一种图像传感器的制备方法中各步骤对应的结构图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系；仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。

此外，本申请的描述中所提到的术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选的还包括其他没有列出的步骤或单元，或可选的还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

需要说明的是，本申请实施例中，“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本申请实施例中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其它实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言，使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。

在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是指两个或两个以上。

如图1所示，本申请的一些实施例提供了一种图像传感器1000，该图像传感器1000可以将入射到感光面上的光信号转换为电信号输出。该图像传感器1000可以是电荷耦合图像传感器(CCD)或金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，本申请对此不做限制。

在一些实施例中，如图1所示，该图像传感器1000包括红外芯片100以及设置在红外芯片100上的微机电挡片200。

示例性的，微机电挡片200采用MEMS(Micro-Electro-Mechanical，微机电系统)技术设计形成。

MEMS(微机电系统，Micro-Electro-Mechanical System，简称MEMS)，也叫做微电子机械系统、微系统、微机械等，指的是尺寸在几毫米乃至更小的高科技装置。MEMS是在微电子技术(半导体制造技术)基础上发展起来的，融合了光刻、腐蚀、薄膜、硅微加工、非硅微加工和精密机械加工等技术制作的高科技电子机械器件。MEMS技术形成的微机电挡片200整体以硅材料为基底，利用微纳制造技术制作而成；融合了溅射沉积技术、光刻技术、刻蚀技术等。

由此，MEMS技术形成的微机电挡片200相比于常规的电磁阀或电机驱动的机械式快门，尺寸上整体较小，在装配中占用较小的空间，从而减小了整机的尺寸，使得图像传感器1000整体上较小；而且，由于微机电挡片200是通过微纳加工技术实现，相比于常规的电磁阀或电机驱动的机械式快门，微机电挡片200的成本较低；此时，微机电挡片200的制作工艺和红外芯片100的制作工艺兼容，由此，微机电挡片200能够与红外芯片100集成封装，进一步使得图像传感器1000的整机尺寸较小。

示例性的，微机电挡片200可以允许红外辐射信号通过或者对红外辐射信号进行遮挡。

在图像传感器1000的使用过程中，由于不同探测过程中外界的温度和湿度也不相同，需要重新调节红外芯片100的参数，以达到合适的探测效果，因此，需要使用微机电挡片200对入射至红外芯片100的红外辐射信号进行遮挡，使得红外芯片100能够在无外部环境的红外辐射信号入射的情况下进行参数重置或校准等操作，从而使得图像传感器1000采集到的信号更为精准。

在一些示例中，该红外芯片100具有有效阵列区域110。

示例性的，有效阵列区域110的形状可以为矩形、圆形或不规则形状等。本申请的实施例对此不做限制。示例性的，有效阵列区域110的形状可以为矩形，如图1所示。

在一些示例中，如图2所示，有效阵列区域110设置有多个感光元件P。

示例性的，如图2所示，多个感光元件P可以呈阵列状排布，沿第一方向X排列成多列，沿第二方向Y排列成多行。

需要说明的是，此处的行、列为相对概念，例如，对于图2而言，可以是第一方向X为行方向，第二方向Y为列方向；或者可以是第一方向X为列方向，第二方向Y为行方向。

例如，第一方向X与第二方向Y互相垂直。

示例性的，在微机电挡片200允许红外辐射信号通过的情况下，红外芯片100可以用于感测透过微机电挡片200并入射到有多个感光元件P的红外辐射信号，并将其转变成电信号输出。在微机电挡片200对外部环境的红外辐射信号遮挡的情况下，红外芯片100可以进行参数重置或校准等操作。

示例性的，微机电挡片200与红外芯片100可以采用键合或者其他粘接方式连接。本申请的实施例对此不做你限制。例如，形成微机电挡片200及红外芯片100后，再进行晶圆级封装、陶瓷管壳封装以及其他形式的封装。

采用上述设置，将微机电挡片200与红外芯片100集成到一起的方式大大减少了整体尺寸，并且进一步降低了成本。

在一些示例中，如图1所示，微机电挡片200包括：挡片层201，挡片层201包括微机电结构图案。

在一些示例中，如图1所示，微机电挡片200包括挡片结构图案10、支撑结构图案20。

在一些示例中，挡片结构图案10包括间隔设置的多条挡光条11。

示例性的，挡光条11用于遮光，相邻的两个遮光条之间的间隔区域用于透光。光线可以通过相邻的两个挡光条11之间的间隔区域照射到红外芯片100的有效阵列区域110。

示例性的，形成挡光条11的方式有多种。例如，形成挡光条11的方式可以是通过刻蚀多个凹槽形成。

在一些示例中，支撑结构图案20具有开口21，如图1所示。

示例性的，开口21可以位于支撑结构图案20的中心位置。

示例性的，开口21的形状可以为矩形、圆形或不规则形状等，开口21的形状可以根据实际需要进行设置，本申请对此不作限制。

在一些示例中，微机电挡片200应用于上述图像传感器1000时，微机电挡片200的开口21与红外芯片100的有效阵列区域110对应设置，且开口21的面积大于或等于有效阵列区域110的面积。

示例性的，支撑结构图案20可以为挡片结构图案10提供支撑作用。

示例性的，挡片结构图案10遮挡部分开口21。

例如，挡光条11用于部分开口21；相邻的两个挡光条11之间的间隔区域不能遮挡开口21，用于暴露出部分开口21。

在一些示例中，如图3A～图3C所示，微机电挡片200还包括致动结构图案30。

示例性的，致动结构图案30连接在支撑结构图案20与挡片结构图案10之间。

示例性的，致动结构图案30通过支撑结构图案20驱动挡片结构图案10移动，使得微机电挡片200在开启状态和闭合状态之间切换。

示例性的，挡片结构图案10在致动结构图案30的驱动下，可以沿第一方向X和/或第二方向Y移动。

例如，在图像传感器1000工作的一帧时间内，前半帧时间内，如图4A所示，多条挡光条11可以挡住红外芯片100的有效阵列区域110的一部分，位于该部分的感光元件P(例如，奇数列组的感光元件)处于遮光状态，可以在遮光状态下进行参数重置或校准等操作，从而使得图像传感器1000采集到的信号更为精准，此时，相邻的两个挡光条11之间的间隔区域暴露出有效阵列区域110的另一部分，位于该部分的感光元件P(例如，偶数列组的感光元件)处于感光状态，可以正常工作；在前半帧结束后，挡片结构图案10在致动结构图案30的驱动下移动，如图4B所示，使得挡片结构图案10的多个挡光条11遮挡上述有效阵列区域110的另一部分，使得位于该部分的感光元件P(偶数列组的感光元件)处于遮光状态，可以在遮光状态下进行参数重置或校准等操作，此时，相邻的两个挡光条11之间的间隔区域暴露出上述有效阵列区域110的一部分，使得位于该部分的感光元件P(奇数列组的感光元件)处于感光状态，可以正常工作；当一帧结束后，图像传感器1000选取每一个感光元件P处于工作状态的半帧数据作为完整的数据输出，即，实现了图像传感器1000在正常工作的同时也实现了重置工作。

相关技术中，利用挡片整体实现遮光，通过将挡片整体移动至不遮挡红外芯片的感光元件P的区域，使得感光元件P被暴露，相比于现有技术，本实施例中，挡片结构图案10具有多条挡光条11，挡片结构图案10可以沿第一方向X和/或第二方向Y移动较小的工作位移，即可实现对所有感光元件P遮挡或者不遮挡，进而可以控制感光元件P感光的时间，同时被遮挡的感光元件P也可以在遮光状态下进行参数重置或校准等操作，实现了图像传感器1000的正常工作及重置工作，有效解决传统挡片在进行遮挡感光元件P时，图像探测器会出现的卡顿的问题；在图像传感器1000的工作过程中，挡片结构图案10的位移较小，进而使得微机电挡片200中为挡片结构图案10预留的空间较小，进而使得微机电挡片200及图像传感器1000的尺寸较小，而且，挡片结构图案10能够快速在挡光与不挡光的两种状态进行切换，提高了图像传感器1000的工作效率。

在一些实施例中，多条挡光条11的宽度相等。

示例性的，每个挡光条11用于遮挡一列或者多列感光元件P。

在一些示例中，任意相邻的两个挡光条11之间的距离相等。

示例性的，任意相邻的两个挡光条11之间间隔区域用于暴露一列或者多列感光元件P。

示例性的，每个挡光条11遮挡的感光元件P的列数，与任意相邻的两个挡光条11之间间隔区域用于暴露的感光元件P的列数可以相同，也可以不同，本公开的实施例对此不做限制。

在一些示例中，每个挡光条11遮挡的感光元件P的列数，与任意相邻的两个挡光条11之间间隔区域用于暴露的感光元件P的列数可以相同。在每个挡光条11遮挡的感光元件P的列数，与任意相邻的两个挡光条11之间间隔区域用于暴露的感光元件P的列数相同时，挡光条11的宽度与，任意相邻的两个挡光条11之间的距离相同。

示例性的，每个挡光条11遮挡的感光元件P的列数，与任意相邻的两个挡光条11之间间隔区域用于暴露的感光元件P的列数可以为一列，也可以为多列，本申请的实施例对此不做限制。例如，每个挡光条11遮挡的感光元件P的列数，与任意相邻的两个挡光条11之间间隔区域用于暴露的感光元件P的列数均为一列，如图4A～图4B所示。

在一些示例中，每个挡光条11遮挡的感光元件P的列数，与任意相邻的两个挡光条11之间间隔区域用于暴露的感光元件P的列数不同。此时，挡光条11的宽度与，任意相邻的两个挡光条11之间的距离不同。

示例性的，如图5A～图5C所示，每个挡光条11遮挡两列感光元件P；任意相邻的两个挡光条11之间间隔区域暴露一列感光元件P。

例如，在图像传感器1000工作的一帧时间内，在第一阶段，如图5A所示，挡片结构图案10的多条挡光条11遮挡多列感光元件P，每个挡光条11遮挡一个感光元件列组，每个感光元件列组包括两列感光元件P；任意相邻的两个挡光条11之间间隔区域暴露一列感光元件P；在第二阶段，挡片结构图案10沿第一方向X移动，如图5B所示，挡片结构图案10的多条挡光条11遮挡在第一阶段被暴露的多列感光元件P，且每个挡光条11还遮挡在第一阶段被遮挡感光元件列组中位于左边的一列感光元件P(以图5A～图5B中所示方位为例)，确保在第一阶段被遮挡感光元件列组中位于左边的一列感光元件P被完全遮挡；在第三阶段，挡片结构图案10继续沿第一方向X移动，如图5C所示，挡片结构图案10的挡光条11再一次遮挡在第一阶段被遮挡感光元件列组中位于右边的一列感光元件P，确保在第一阶段被遮挡感光元件列组中位于右边的一列感光元件P被完全遮挡；当一帧结束后，图像传感器1000选取每一个感光元件P处于工作状态的1/3数据作为完整的数据输出，即，实现了图像传感器1000在正常工作的同时也实现了重置工作。由此，可以避免微机电挡片200与红外芯片100之间的距离较远时，因为斜入射光的影响，挡片结构图案10在遮挡的过程中存在漏光，导致某一列感光元件P在被遮挡的过程中，该列感光元件P的两侧无法被完全遮挡的问题，从而可以使得图像传感器1000得到较为精准的电信号。

在一些实施例中，微机电挡片200的挡片结构图案10的移动路径上具有至少两个工作位置；多个感光元件P包括与各工作位置对应的至少两个感光元件组。

示例性的，挡片结构图案10移动至其中一个工作位置时，至少部分挡光条11用于遮挡其中一个感光元件组。在一些示例中，微机电挡片200的挡片结构图案10的移动路径上具有两个工作位置；多个感光元件P包括与两个工作位置对应的两个感光元件组。

示例性的，其中一个感光元件组包括位于奇数列的感光元件；另一个感光元件组包括位于偶数列的感光元件。

需要说明的是，上述“至少部分挡光条11用于遮挡其中一个感光元件组”可以是部分挡光条11用于遮挡一个感光元件组；也可以是所有挡光条11于遮挡其中一个感光元件组，本申请的实施例对此不做限制。

例如，如图4A所示，所有挡光条11用于遮挡其中一个感光元件组，例如，位于奇数列的感光元件。

又例如，部分挡光条11用于遮挡其中一个感光元件组，此时部分挡光条11在红外芯片100上的正投影与红外芯片有效阵列区域110相互错开，如图5C所示。

示例性的，挡片结构图案10在致动结构图案30的驱动下，发生一次位移，即从其中一个工作位置移动至另一个工作位置，即可实现对所有感光元件P的遮挡。

需要说明的，微机电挡片200的挡片结构图案10的移动路径上还可以具有三个或者多个工作位置，本申请的实施例对此不做限制。

在一些实施例中，如图1所示，挡片结构图案10具有多个第一开口12。

示例性，第一开口12可以呈块状，也可以呈条状。本申请的实施例对此不做限制。

在一些示例中，如图2所示，第一开口12呈条状。

示例性的，第一开口12沿第一方向Y延伸。此时，多条挡光条11沿第一方向Y延伸。

在一些实施例中，如图6所示，图6为又一种挡片结构图案10的俯视图，第一开口12可以呈块状，此时，多条挡光条11呈网格状。

在一些示例中，如图7所示，挡片结构图案10包括层叠设置的支撑层101和反射导电层102。

在一些示例中，反射导电层102与支撑层101相比，更远离红外芯片100。

在一些示例中，反射导电层102的材料可以为多种。

示例性的，反射导电层102的材料为金属材料或其他反光材料。例如，反射导电层102的材料为金、铝、铜、钼中的至少一种。金、铝、铜、钼的反射率都较高，可以保证反射导电层的反射率较大，可以提高对照射到反射导电层102的光线的反射，实现提高对感光元件P的遮光效果，实现对感光元件P的充分遮光。

在一些实施例中，如图3A所示，致动结构图案30包括：设置在挡片结构图案10沿第一方向Y的相对两端的悬臂梁31。

示例性的，悬臂梁31连接挡片结构图案10及支撑结构图案20，可以对挡片结构图案10进行支撑。

示例性的，悬臂梁31被配置为：驱动挡片结构图案10在开口21内沿第二方向X移动。

其中，上述第一方向Y与第二方向X相互垂直，且第一方向Y与第二方向X平行于挡片结构图案10所在的平面。

示例性的，悬臂梁31的材料可以包括导电材料。

在一些示例中，如图3A所示，悬臂梁31的数量为6个，其中三个位于挡片结构图案10沿第一方向Y的一端，另外三个位于位于挡片结构图案10沿第一方向Y的另一端。

可以理解的是，悬臂梁31的数量可以根据实际情况进行设置，本申请的实施例对此不做限制。

需要说明的是，致动结构图案30的致动方式可以包含多种，本申请的实施例对此不做限制。例如，致动结构图案30的致动方式可以为静电式驱动、压电式驱动、电磁式驱动等，本申请的实施例对此不做限制。

在一些实施例中，致动结构图案30的致动方式为电磁式驱动部件。

在一些示例中，如图3A所示，致动结构图案30还包括：设置在挡片结构图案10沿第一方向Y的相对两端的两个第一锚点32。

示例性的，如图3A所示，第一锚点32连接悬臂梁31和挡片结构图案10。

示例性的，两个第一锚点32分别用于接收不同的电信号，以在挡片结构图案10中形成沿第一方向Y流通的电流。

在一些示例中，微机电挡片200外部还设置有磁场结构。例如，上述磁场结构可以为通电线圈或磁铁等。

示例性的，磁场结构提供的磁场方向，可以为垂直于挡片结构图案10所在平面的方向向里，也可以为垂直于挡片结构图案10所在平面的方向向外。

例如，磁场结构提供垂直于挡片结构图案10所在平面向里方向的磁场，同时对两个第一锚点32通电，使得通过挡片结构图案10的电流沿图3A中箭头方向竖直向下，通电的挡片结构图案10在磁场中会受到安培力的作用而向右移动一个工作位移，进而实现对部分感光元件P的遮挡，使得该部分感光元件P可以进行校准，从而使得红外芯片100输出的电信号较为精准，使得图像传感器1000采集到的信号较为精准。

可以理解的是，在磁场结构提供垂直于挡片结构图案10所在平面向外方向的磁场，对两个第一锚点32通电，使得通过挡片结构图案10的电流沿图中箭头方向竖直向下，此时，通电的挡片结构图案10在磁场中会收到安培力的作用而向左移动一个工作位移。当然，也可以磁场方向不变，改变通过挡片结构图案10的电流的方向，来控制挡片结构图案10的工作位移方向。此外，也可以改变磁场的强度或电流的大小，例如增大磁场的强度或电流的大小，进而可以使得挡片结构图案10受到安培力的作用较大，进而向左或向右的移动距离变大。因此，本申请的微机电挡片200可以使得挡片结构图案10实现更大范围的移动，通过对磁场及电流的控制，可以使得挡片结构图案10的移动精度更高。

在一些示例中，致动结构图案30包括静电式驱动部件等。

示例性的，如图3B所示，致动结构图案30包括：设置在挡片结构图案10沿第二方向X的相对两端的挡片梳齿电极310、设置在挡片结构图案10沿第二方向X的相对两端的第二锚点311、以及与311连接、且与相应的挡片梳齿电极2310相对设置的锚点梳齿电极312。

示例性的，挡片梳齿电极310可以与挡片结构图案10连接。

示例性的，第二锚点311位于支撑结构图案20上。

示例性的，锚点梳齿电极312与相应的挡片梳齿电极310之间呈插指结构设置，构成梳齿电容。

示例性的，两个第二锚点2311分别用于接收不同的电信号。需要说明的是，上述不同的电信号可以为不同的电压或电势。

例如，两个第二锚点311中的其中一个接正电压，两个第二锚点311中的另一个接负电压，挡片结构图案10接零电压(或零电势或接地)，位于在挡片结构图案10沿第二方向X的同一端的锚点梳齿电极312与相应的挡片梳齿电极310之间具有静电力，该静电力可以使得挡片梳齿电极310发生移动，进而带动挡片结构图案10向左或向右移动，从而实现对感光元件P的遮挡。

在一些示例中，致动结构图案30包括压电式驱动部件等。

示例性的，如图3C所示，致动结构图案30包括：设置在挡片结构图案10沿第二方向X的相对两端的压电驱动梁320、设置在挡片结构图案10沿第二方向X的相对两端的锚点对330。

示例性的，压电驱动梁320的材料包括压电材料。

可以理解的，压电材料相对的两个表面在受到不同的电压作用时，会发生形变。

示例性的，如图3D和图3E所示，压电驱动梁320的结构可以为依次层叠的第一支撑层3201、压电层3202以及第二支撑层3203。

示例性的，压电驱动梁320的上表面(例如第一支撑层3201)接锚点对330中的一个锚点，压电驱动梁320的下表面(例如第二支撑层3203)接锚点对330中的另一个锚点，对锚点对330的两个锚点提供不同的电压，使得压电驱动梁320发生形变，进而带动挡片结构图案10的移动。

例如，图3D所示，为压电驱动梁320通电之前的状态；在对锚点对330的两个锚点提供不同的电压时，压电驱动梁320可伸展至图3E所示的状态，其中图3E中虚线部分表示压电驱动梁320伸展前的长度。

在一些实施例中，每个锚点对330可以包括第三锚点331和第四锚点332。第三锚点331和第四锚点332接收的电信号不同。

在一些示例中，压电致动梁320包括：沿第一方向Y延伸的压电条321，压电条321包括相对的第一端和第二端；连接压电条321的第一端和挡片结构图案10的中部的第一支撑条322；连接压电条321的第二端和挡片结构图案10的中部的第二支撑条323；连接压电条321的上表面和第三锚点331的第三支撑条324；及，连接压电条321的下表面和第四锚点332的第四支撑条325。

示例性的，第一支撑条322、第二支撑条323、第三支撑条324及第四支撑条325的延伸方向，均与第一方向Y交叉。

例如，第一支撑条322、第二支撑条323、第三支撑条324及第四支撑条325与压电条321之间具有夹角。

下面对本实施例中的微机电挡片10中挡片120的移动情况进行介绍。

例如，如图3C所示，对其中一个锚点对330中的第三锚点331接正电压，对该锚点对330中的第四锚点332接负电压，则与锚点对330连接的压电致动梁320中的压电条321在第一方向Y上发生伸长变形，使得第一支撑条322及第二支撑条323与压电条321的夹角变小，第三支撑条324及第四支撑条325与压电条321的夹角也变小，进而带动挡片结构图案10向左移动。同时，对另一个锚点对330中的第四锚点332接负电压，对另一个锚点对330中的第三锚点331接正电压，则与该锚点对330连接的压电致动梁320中的压电条321在第一方向Y上发生压缩变形，使得第一支撑条322及第二支撑条323与压电条321的夹角变大，第三支撑条324及第四支撑条325与压电条321的夹角也变大，进而带动挡片结构图案10向左移动，由此可以实现挡片结构图案10对红外芯片100中部分有效阵列区域110的遮挡，使得位于该部分的感光元件P可以进行校准，从而使得红外芯片100输出的电信号较为精准，使得图像传感器1000采集到的信号较为精准。

本发明的一些实施例还提供了一种微机电挡片的制备方法，用于制备以上一些实施例所提供的微机电挡片200。

在一些示例中，如图8A所示，该制作方法包括S1～S2。

S1，如图9A和图10A所示，提供第一衬底01。

示例性的，第一衬底01的结构和材料包括多种，可以根据实际需要选择设置。

示例性的，第一衬底01可以为单层结构或者多层结构。

示例性的，第一衬底01为硅基底。例如，第一衬底01的材料可以为多晶硅等。

S2，如图9B所示，对第一衬底01进行刻蚀，形成具有开口21的支撑结构图案20、遮挡部分开口21的挡片结构图案10、以及连接在支撑结构图案20与挡片结构图案10之间的致动结构图案30。

示例性的，挡片结构图案10包括间隔设置的多条挡光条11，挡光条11用于遮光，相邻的两个遮光条之间的间隔区域用于透光。

可以理解的是，对第一衬底01进行刻蚀，形成挡片结构图案10、支撑结构图案20以及致动结构图案30的方法有多种，可以根据需要进行选择，本申请对此不作限制。

本公开的上述实施例中的制备方法，用于制备以上一些实施例所提供的微机电挡片200，与上述一些实施例中提供的微机电挡片200具有相同的结构及有益效果，此处不再赘述。

在一些实施例中，如图8B所示，对第一衬底01进行刻蚀包括S21～S24。

S21：如图10B所示，在第一衬底01的一侧形成第一光刻胶层02。

示例性的，第一光刻胶层02包括多个第一图案021，第一图案021在第一衬底01上的正投影与待形成的多条挡光条11在第一衬底01上的正投影不交叠。

示例性的，S21中，在第一衬底01的一侧形成第一光刻胶层02的步骤可以包括：在第一衬底01的一侧形成一层光刻胶02'，通过曝光、显影形成包括多个第一图案021的第一光刻胶层02，如图10A～图10B所示。

S22：如图10C所示，在第一光刻胶层02远离第一衬底01的一侧形成第一反射导电薄膜03。

示例性的，第一反射导电薄膜03的材料为金属材料或其他反光材料。例如，第一反射导电薄膜03的材料为金、铝、铜、钼中的至少一种。

S23：如图10D所示，剥离第一光刻胶层02，去除第一反射导电薄膜03与多个第一图案021接触的部分，保留第一反射导电薄膜03位于任意相邻两个第一图案021之间的部分，得到反射导电层102。

示例性的，反射导电层102可以反射照射到反射导电层102上的光。

S24：如图10E所示，以反射导电层102为掩膜，对第一衬底01进行刻蚀，形成挡片结构图案10。

示例性的，挡片结构图案10包括间隔设置的多条挡光条11。

在一些实施例中，如图10A～图10E所示，上述提供第一衬底01包括：提供依次层叠的第一衬底01、阻挡层011和第二衬底012。

在一些实施例中，以反射导电层102为掩膜，对第一衬底01进行刻蚀之后，微机电挡片200的制备方法还包括：对第二衬底012和阻挡层011进行刻蚀，形成具有开口21的支撑结构图案20。

示例性的，对第二衬底012和阻挡层011进行刻蚀，形成具有开口21的支撑结构图案20包括以下步骤(1)～(7)。

(1)：如图10F所示，在第二衬底012远离第一衬底01的一侧形成光刻胶02'。

(2)：如图10G所示，通过曝光、显影形成包括第二图案041的第五光刻胶层04，。

(3)：如图10G所示，在第五光刻胶层04远离第二衬底012的一侧形成金属薄膜05。

(4)：如图10H所示，剥离第五光刻胶层04，去除金属薄膜05与第二图案041接触的部分，保留金属薄膜05与第二衬底012直接接触的部分，形成焊接环051。

示例性的，该焊接环051用于在后续封装时，在焊接环处粘贴焊料实现微机电挡片200与红外芯片100的连接。

(5)：如图10I～图10J所示，在焊接环远离第二衬底012的一侧继续形成光刻胶02'，通过曝光、显影形成包括第三图案061的第六光刻胶层06。

(6)：如图10K所示，以第六光刻胶层06为掩膜，对第二衬底012和阻挡层011进行刻蚀，形成具有开口21的支撑结构图案20。

(7)：如图10L所示，剥离第六光刻胶层06，微机电挡片200制作完成。

在一些实施例中，如图11所示，图像传感器1000还包括：位于微机电挡片200远离红外芯片100一侧的盖板300。

示例性的，盖板300具有透光窗口310，透光窗口310在红外芯片100上的正投影至少覆盖有效阵列区域110。

示例性的，透光窗口310可以使得红外辐射信号透过，避免入射至有效阵列区域110的红外辐射信号产生损耗，提高图像传感器1000采集到信号的精确度。

示例性的，透光窗口310的面积大于或等于有效阵列区域110的面积。由此，可以使得避免盖板30中除透光窗口310外的区域对红外辐射信号的遮挡，提高图像传感器1000采集到信号的精确度。

采用上述设置，在图像传感器1000处于工作状态时，光线可以透过盖板300的透光区域310；进而在致动结构图案30驱动挡片结构图案10移动至不遮挡红外芯片100的有效阵列区域110的位置，光线可以照射到有效阵列区域110。

在一些示例中，如图11所示，图像传感器1000还包括连接层400。

示例性的，连接层400可以采用具有粘性的材料，例如焊料等。

示例性的，连接层400，可以位于微机电挡片200与盖板300之间，用于连接微机电挡片200与盖板300。连接层40还可以位于微机电挡片200与红外芯片100之间，用于连接微机电挡片200与红外芯片100。

示例性，在微机电挡片200制作时，可以先在微机电挡片200与红外芯片100连接的位置，或者微机电挡片200与盖板300连接的位置制作焊接环，在后续封装时，在焊接环处粘贴焊料实现微机电挡片200与红外芯片100的连接，以及微机电挡片200与盖板300的连接。

在一些实施例中，微机电挡片200集成在盖板300上，构成图像传感器组件500。

示例性的，图像传感器组件500为微机电挡片200和盖板300组成的一体化结构。此时，图像传感器1000可以由图像传感器组件500与红外芯片100键合形成。

在一些示例中，微机电挡片200集成在红外芯片100上。

示例性的，微机电挡片200可以是在红外芯片100上集成形成一体化结构，也可以是微机电挡片200与红外芯片100键合形成一体化结构，本申请的实施例对此不做限制。

需要说明的是，上述“微机电挡片200和盖板300组成的一体化结构”是指，微机电挡片200直接在盖板300上生长形成一体化结构；上述“微机电挡片200可以是在红外芯片100上集成形成一体化结构”是指，微机电挡片200直接在红外芯片100上生长形成一体化结构。

本申请的一些实施例还提供了一种图像传感器组件500，如图12所示，图像传感器组件500包括：盖板300以及设置在盖板300上的微机电挡片200。

示例性的，微机电挡片200的开口21与盖板300的透光窗口310对应设置，且透光窗口310的面积大于或者等于开口21的面积。

示例性的，图像传感器组件500中的微机电挡片200和盖板300为一体结构。

示例性的，图像传感器组件500中的微机电挡片200的结构特征，可以参考本申请上述一些实施例中的说明，此处不再赘述。

示例性的，图像传感器组件500所具有的有益效果，与上述一些实施例中提供的微机电挡片200所具有的有益效果相同，此处不再赘述。

本发明的一些实施例还提供了一种图像传感器组件500的制备方法，如图13所示，该制备方法包括S10～S20。

S10：如图14A所示，提供盖板300。

示例性的，盖板300的材料可以为硅。

示例性的，盖板300具有透光窗口310。透光窗口310可以使得红外辐射信号透过。

S20：如图14B所示，在盖板300上形成微机电挡片200。

示例性的，微机电挡片200包括：挡片层201，挡片层201包括微机电结构图案。微机电挡片200包括具有开口21的支撑结构图案20、遮挡部分开口21的挡片结构图案10，以及，连接支撑结构图案20和挡片结构图案10的致动结构图案30。

示例性的，挡片结构图案10包括间隔设置的多条挡光条11。

示例性的，微机电挡片200的开口21与盖板300的透光窗口310对应设置，且透光窗口310的面积大于或者等于开口21的面积。

采用上述制备方法，使得盖板300和微机电挡片200在同一个芯片上生长，可以使得盖板300和微机电挡片200之间的间距较小，进而使得图像传感器组件500的尺寸较小，厚度较小，进而可以减小微机电挡片组件2的整体尺寸，使得图像传感器组件500应用于图像传感器1000上时，配合更加紧凑，减小图像传感器的尺寸。

如图15所示，本申请还提供了一种图像传感器1000的制备方法，用于制备上述的图像传感器1000。图像传感器1000的制备方法包括：

S100：如图16A所示，提供微机电挡片200。

示例性的，关于微机电挡片200的结构特征，可以参考本文上述一些实施例中的描述，此处不再赘述。

S200：如图16B所示，提供红外芯片100，微机电挡片200与红外芯片100键合，形成图像传感器1000。

示例性的，关于红外芯片100的结构特征，可以参考本文上述一些实施例中的描述，此处不再赘述。

采用上述制备方法，将微机电挡片200与红外芯片100键合形成图像传感器，可以使得微机电挡片200与红外芯片100的配合更加紧凑，从而可以减小图像传感器1000的整体尺寸，同时也可以提高图像传感器1000的制作效率。

本发明的一些实施例还提供了又一种图像传感器1的制备方法，如图17所示，该制备方法包括S101～S102。

S101：如图18A所示，提供红外芯片100。

示例性的，关于红外芯片100的结构特征，可以参考本文上述一些实施例中的描述，此处不再赘述。

S102：如图18B所示，在红外芯片100上集成微机电挡片200，形成图像传感器1000。

示例性的，关于微机电挡片200的结构特征，可以参考本文上述一些实施例中的描述，此处不再赘述。

采用上述制备方法，设置微机电挡片200与红外芯片100在同一个芯片上生长，形成图像传感器1，可以使得微机电挡片200与红外芯片100的配合较为紧凑，尤其是微机电挡片200与红外芯片100之间的配合更为紧凑，进而可以减小图像传感器1000的整体尺寸，同时也可以提高图像传感器1的制作效率。

在一些实施例中，如图19I所示，第一衬底01包括依次层叠的第一支撑层010、第二反射导电薄膜020和第二支撑层030。

示例性的，第一支撑层010和第二支撑层030的材料可以相同，也可以不同。例如，第一支撑层010和第二支撑层030的材料相同，均为氮化硅。

示例性的，第二反射导电薄膜020的材料为金属材料或其他导电材料。例如，第二反射导电薄膜020的材料为金、铝、铜、钼中的至少一种。

在一些示例中，提供第一衬底01包括：在红外芯片100上依次形成牺牲层2和上述第一衬底01。

示例性的，牺牲层2的材料可以为聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)。

在一些示例中，在红外芯片100上集成微机电挡片200包括以下步骤：

(11)：在红外芯片100上依次形成牺牲层2和上述第一衬底01。

在一些示例中，示例性的，首先，在红外芯片100上依次形成牺牲层2，如图19A所示。

(12)：在第一衬底01远离红外芯片100的一侧形成第二光刻胶层3，第二光刻胶层3具有多个第二图案31，多个第二图案31与多个待形成多条挡光条错开设置，如图19K所示。

示例性的，在第一衬底01远离红外芯片100的一侧形成第二光刻胶层3的步骤可以包括：在第一衬底01远离红外芯片100的一侧形成一层光刻胶02'，通过曝光、显影形成包括多个第二开口31的第二光刻胶层3，如图19J～图19K所示。

(13)：以第二光刻胶层3为掩膜，对第一衬底01进行刻蚀，形成挡片结构图案10。

示例性的，挡片结构图案10包括多条挡光条11，多条挡光条11间隔设置，如图19L所示。

(14)：去除牺牲层2，如图19M所示。

示例性，去除牺牲层2，还包括，去除第二光刻胶层3，如图19M所示。

在一些实施例中，在形成第一衬底01之前，图像传感器1000的制作方法还包括：

(21)在牺牲层2远离红外芯片100的一侧形成第三光刻胶层4，第三光刻胶层4具有多个第三开口41。

示例性的，在牺牲层2远离红外芯片100的一侧形成第三光刻胶层4的步骤可以包括：在牺牲层2远离红外芯片100的一侧形成一层光刻胶02'，通过曝光、显影形成包括多个第三开口41的第三光刻胶层4，如图19B～图19C所示。

(22)以第三光刻胶层4为掩膜，对牺牲层2进行刻蚀，暴露红外芯片100的电极，如图19D所示。

示例性的，如图19D所示，红外芯片100中暴露的部分用于与微机电挡片200实现连接。

在一些实施例中，提供第一衬底01包括：

(31)在图案化的牺牲层2远离红外芯片100的一侧形成第一支撑层010，如图19E所示。

(32)在第一支撑层010远离图案化的牺牲层2的一侧形成光刻胶层02'，通过曝光、显影形成包括多个第四开口51的第六光刻胶层5，如图19F～图19G所示。

(33)以第六光刻胶层5为掩膜，对第一支撑层010暴露红外芯片100的部分表面，如图19H所示。

(34)剥离第六光刻胶层5，在第一支撑层010远离牺牲层2的一侧形成第二反射导电薄膜020和第二支撑层030。

在一些实施例中，如图10M和图19N所示，图像传感器1000的制作方法还包括：在微机电挡片200远离红外芯片100的一侧形成盖板300。

在一些示例中，盖板300具有透光窗口310，透光窗口310在红外芯片100的正投影覆盖多个感光元件P。

采用上述制作方法，可以制得具有透光窗口310的盖板300，在图像传感器1000处于工作状态时，光线可以透过盖板300的透光窗口310；进而可以照射到被挡片结构图案10暴露的感光元件P。

本领域技术人员可以理解的是，共晶键合是一种基于金属材料的键合工艺，利用某些共晶合金相对单一合金组分熔融温度较低的特点，将其作为中间介质层。在较低的温度下，具有相似晶格的两种金属被加热到共晶温度以上时，界面处的原子会相互扩散形成共晶合金层。热压键合中没有液态金属的参与，即在键合界面发生固态扩散，是一种没有中间产物的金属键合。在热压键合种，两晶圆表面金属分子的扩散速率与金属种类、温度、压力和表面粗糙度关系紧密，加热和加压都有助于提升扩散速率，作用均匀的压力能提高键合良率。由此，可以实现红外芯片100与微机电挡片200的更好的连接。

本申请实施例中硅基底材料也可以用其他材料代替，以使用不同的场景或需求，例如：蓝宝石(氧化铝)、氧化硅、氮化硅、氮化铝、砷化镓等。

尽管在此结合各实施例对本申请进行了描述，然而，在实施所要求保护的本申请过程中，本领域技术人员通过查看附图、公开内容、以及所附权利要求书，可理解并实现公开实施例的其他变化。在权利要求中，“包括”(Compris ing)一词不排除其他组成部分或步骤，“一”或“一个”不排除多个的情况。单个处理器或其他单元可以实现权利要求中列举的若干项功能。相互不同的从属权利要求中记载了某些措施，但这并不表示这些措施不能组合起来产生良好的效果。

尽管结合具体特征及其实施例对本申请进行了描述，显而易见的，在不脱离本申请的精神和范围的情况下，可对其进行各种修改和组合。相应地，本说明书和附图仅仅是所附权利要求所界定的本申请的示例性说明，且视为已覆盖本申请范围内的任意和所有修改、变化、组合或等同物。显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

以上，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何在本申请揭露的技术范围内的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。

Claims (23)

1.一种微机电挡片，其特征在于，应用于图像传感器，所述图像传感器包括红外芯片；所述微机电挡片包括挡片层，所述挡片层包括微机电结构图案；所述微机电结构图案包括：

具有开口的支撑结构图案；所述开口与所述红外芯片的有效阵列区域对应设置；

遮挡部分所述开口的挡片结构图案；以及，

连接在所述支撑结构图案与所述挡片结构图案之间的致动结构图案；

所述挡片结构图案包括间隔设置的多条挡光条，所述挡光条用于遮光，相邻的两个所述挡光条之间的间隔区域用于透光；所述多条挡光条沿第一方向延伸；

其中，所述致动结构图案用于驱动所述挡片结构图案在第二方向移动，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述挡片结构图案所在的平面，且所述第二方向垂直于所述第一方向。

2.根据权利要求1所述的微机电挡片，其特征在于，

多条所述挡光条的宽度相等；和/或，

任意相邻的两条所述挡光条之间的距离相等。

3.根据权利要求1所述的微机电挡片，其特征在于，

所述挡片结构图案包括层叠设置的支撑层和反射导电层。

4.根据权利要求1所述的微机电挡片，其特征在于，

所述挡光条沿第一方向延伸；

所述致动结构图案包括：设置在所述挡片结构图案沿所述第一方向的相对两端的悬臂梁，所述悬臂梁连接所述支撑结构图案与所述挡片结构图案；

所述悬臂梁被配置为：驱动所述挡片结构图案在所述开口内沿垂直于所述第一方向的第二方向移动。

5.根据权利要求4所述的微机电挡片，其特征在于，所述致动结构图案还包括：设置在所述挡片结构图案沿所述第一方向的相对两端的第一锚点，所述第一锚点连接所述悬臂梁与支撑结构图案；

两个所述第一锚点分别用于接收不同的电信号，以在所述挡片结构图案中形成沿第一方向流通的电流。

6.根据权利要求4所述的微机电挡片，其特征在于，所述致动结构图案还包括：

设置在所述挡片结构图案沿所述第二方向的相对两端的挡片梳齿电极；

设置在所述挡片结构图案沿所述第二方向的相对两端的第二锚点；两个所述第二锚点分别用于接收不同的电信号；

与所述第二锚点连接的锚点梳齿电极；

所述锚点梳齿电极与相应的所述挡片梳齿电极之间呈插指结构设置，构成梳齿电容。

7.根据权利要求4所述的微机电挡片，其特征在于，所述致动结构图案还包括：

设置在所述挡片结构图案沿第二方向的相对两端的锚点对；及，

设置在所述挡片结构图案沿第二方向的相对两端的压电驱动梁，所述压电驱动梁连接所述挡片结构图案和相应的所述锚点对，所述压电驱动梁的材料包括压电材料；

其中，所述锚点对用于接收电信号，以使两个所述压电驱动梁中的一者压缩，另一者伸长。

8.根据权利要求7所述的微机电挡片，其特征在于，

每个所述锚点对包括第三锚点和第四锚点；

所述压电驱动梁包括：

沿所述第一方向延伸的压电条，所述压电条包括相对的第一端和第二端；

连接所述压电条的第一端和所述挡片结构图案的中部的第一支撑条；

连接所述压电条的第二端和所述挡片结构图案的中部的第二支撑条；

连接所述压电条的上表面和所述第三锚点的第三支撑条；及，

连接所述压电条的下表面和所述第四锚点的第四支撑条；所述第一支撑条、所述第二支撑条、所述第三支撑条及所述第四支撑条的延伸方向，均与所述第一方向交叉。

9.一种微机电挡片的制备方法，其特征在于，所述微机电挡片应用于图像传感器，所述图像传感器包括红外芯片；所述微机电挡片设置于所述红外芯片上；所述制备方法包括：

提供第一衬底；

对所述第一衬底进行刻蚀，形成具有开口的支撑结构图案、遮挡部分所述开口的挡片结构图案、以及连接在所述支撑结构图案与所述挡片结构图案之间的致动结构图案；所述开口与所述红外芯片的有效阵列区域对应设置；所述挡片结构图案包括间隔设置的多条挡光条，所述挡光条用于遮光，相邻的两个所述挡光条之间的间隔区域用于透光；所述多条挡光条沿第一方向延伸；所述致动结构图案用于驱动所述挡片结构图案在第二方向移动，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述挡片结构图案所在的平面，且所述第二方向垂直于所述第一方向。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，

所述对所述第一衬底进行刻蚀，包括：

在所述第一衬底的第一侧形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层包括多个第一图案，所述第一图案在所述第一衬底上的正投影与待形成的多条挡光条在所述第一衬底上的正投影不交叠；

在所述第一光刻胶层远离所述第一衬底的一侧形成第一反射导电薄膜；

剥离所述第一光刻胶层，去除所述第一反射导电薄膜与所述多个第一图案接触的部分，保留所述第一反射导电薄膜位于任意相邻两个第一图案之间的部分，得到反射导电层；

以所述反射导电层为掩膜，对所述第一衬底进行刻蚀，形成挡片结构图案，所述挡片结构图案包括多条挡光条，多条所述挡光条间隔设置。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，

所述提供第一衬底，包括：

提供依次层叠的第一衬底、阻挡层和第二衬底；

所述以所述反射导电层为掩膜，对所述第一衬底进行刻蚀之后，所述制备方法还包括：

对所述第二衬底和所述阻挡层进行刻蚀，形成具有开口的支撑结构图案。

12.一种图像传感器组件，其特征在于，包括：

盖板，所述盖板具有透光窗口；以及，

设置在所述盖板上的微机电挡片，所述微机电挡片为如权利要求1～8中任一项所述的微机电挡片；

所述微机电挡片的开口与所述透光窗口对应设置，且所述透光窗口的面积大于或等于所述开口的面积。

13.一种图像传感器组件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供盖板；

在所述盖板上形成微机电挡片；

所述微机电挡片包括：挡片层，所述挡片层包括微机电结构图案；所述微机电结构图案包括：

具有开口的支撑结构图案；遮挡部分所述开口的挡片结构图案；以及，连接在所述支撑结构图案与所述挡片结构图案之间的致动结构图案；

所述挡片结构图案包括间隔设置的多条挡光条；所述多条挡光条沿第一方向延伸；所述致动结构图案用于驱动所述挡片结构图案在第二方向移动，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述挡片结构图案所在的平面，且所述第二方向垂直于所述第一方向；

所述盖板具有透光窗口，所述透光窗口与所述开口对应设置，且所述透光窗口的面积大于或等于所述开口的面积。

14.一种图像传感器，其特征在于，包括：

红外芯片，所述红外芯片具有有效阵列区域，所述有效阵列区域设置有多个感光元件；

设置在所述红外芯片上的微机电挡片，所述微机电挡片为如权利要求1～8中任一项所述的微机电挡片；

所述微机电挡片的开口的面积大于或等于所述有效阵列区域的面积。

15.根据权利要求14所述的图像传感器，其特征在于，

多个所述感光元件呈阵列式排布；

所述微机电挡片的挡光条用于遮挡至少一列感光元件。

16.根据权利要求15所述的图像传感器，其特征在于，

所述微机电挡片的挡片结构图案的移动路径上具有至少两个工作位置；

所述多个感光元件包括与所述工作位置对应的至少两个感光元件组；所述感光元件组包括多列感光元件；

所述挡片结构图案移动至其中一个工作位置，至少部分所述挡光条用于遮挡其中一个感光元件组。

17.根据权利要求14所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括：

位于所述微机电挡片远离所述红外芯片一侧的盖板，所述盖板具有透光窗口，所述透光窗口在所述红外芯片的正投影至少覆盖所述有效阵列区域。

18.根据权利要求17所述的图像传感器，其特征在于，

所述微机电挡片集成在所述盖板上，构成如权利要求12所述的图像传感器组件；和/或，

所述微机电挡片集成在所述红外芯片上。

19.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供微机电挡片；

提供红外芯片，所述微机电挡片与所述红外芯片键合，形成图像传感器；

其中，所述红外芯片具有有效阵列区域，所述有效阵列区域设置有多个感光元件；

所述微机电挡片包括：挡片层，所述挡片层包括微机电结构图案；所述微机电结构图案包括：

具有开口的支撑结构图案；

遮挡部分所述开口的挡片结构图案；以及，

连接在所述支撑结构图案与所述挡片结构图案之间的致动结构图案；

所述挡片结构图案包括间隔设置的多条挡光条；所述多条挡光条沿第一方向延伸；所述致动结构图案用于驱动所述挡片结构图案在第二方向移动，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述挡片结构图案所在的平面，且所述第二方向垂直于所述第一方向。

20.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供红外芯片；

在所述红外芯片上集成微机电挡片，形成图像传感器；

其中，所述红外芯片具有有效阵列区域，所述有效阵列区域设置有多个感光元件；

所述微机电挡片包括：挡片层，所述挡片层包括微机电结构图案；所述微机电结构图案包括：

具有开口的支撑结构图案；

遮挡部分所述开口的挡片结构图案；以及，

连接在所述支撑结构图案与所述挡片结构图案之间的致动结构图案；

所述挡片结构图案包括间隔设置的多条挡光条；所述多条挡光条沿第一方向延伸；所述致动结构图案用于驱动所述挡片结构图案在第二方向移动，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述挡片结构图案所在的平面，且所述第二方向垂直于所述第一方向。

21.根据权利要求20所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述在所述红外芯片上集成微机电挡片包括：

在所述红外芯片上依次形成牺牲层和第一衬底；

在所述第一衬底远离所述红外芯片的一侧形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层具有多个第二图案，所述第二图案与待形成的多条挡光条错开设置；

以所述第二光刻胶层为掩膜，对所述第一衬底进行刻蚀，形成挡片结构图案，所述挡片结构图案包括多条挡光条，多条所述挡光条间隔设置；

去除所述牺牲层。

22.根据权利要求21所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，在所述红外芯片上依次形成牺牲层和所述第一衬底之前，所述制作方法还包括：

在所述牺牲层远离所述红外芯片的一侧形成第三光刻胶层，所述第三光刻胶层具有多个第一开口；

以所述第三光刻胶层为掩膜，对所述牺牲层进行刻蚀，暴露所述红外芯片的电极。

23.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供盖板，所述盖板具有透光窗口；

在所述盖板上形成微机电挡片，构成图像传感器组件；

提供红外芯片，所述图像传感器组件与所述红外芯片键合，形成图像传感器；所述红外芯片具有有效阵列区域，所述有效阵列区域设置有多个感光元件，所述透光窗口与所述有效阵列区域对应设置，且所述透光窗口的面积大于或等于所述有效阵列区域的面积；

其中，所述微机电挡片包括：挡片层，所述挡片层包括微机电结构图案；所述微机电结构图案包括：

具有开口的支撑结构图案；所述开口与所述红外芯片的有效阵列区域对应设置；

遮挡部分所述开口的挡片结构图案；以及，

连接在所述支撑结构图案与所述挡片结构图案之间的致动结构图案；

所述挡片结构图案包括间隔设置的多条挡光条；所述多条挡光条沿第一方向延伸；所述致动结构图案用于驱动所述挡片结构图案在第二方向移动，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述挡片结构图案所在的平面，且所述第二方向垂直于所述第一方向。