CN115555274A - 电阻片筛选方法、装置和筛选设备 - Google Patents

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CN115555274A CN202211222092.9A CN202211222092A CN115555274A CN 115555274 A CN115555274 A CN 115555274A CN 202211222092 A CN202211222092 A CN 202211222092A CN 115555274 A CN115555274 A CN 115555274A
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崔彦捷
景茂恒
夏谷林
韦晓星
侯明春
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Abstract

本申请涉及一种电阻片筛选方法、装置和筛选设备。所述方法包括：在完成对整批电阻片中的当前批次电阻片施加第一序列冲击电流的情况下，对当前批次电阻片进行缺陷检测，得到第一次筛选合格率；在完成对当前批次电阻片施加第二序列冲击电流的情况下，对当前批次电阻片进行缺陷检测，得到第二次筛选合格率；在完成对当前批次电阻片施加第三序列冲击电流的情况下，对当前批次电阻片进行缺陷检测，得到第三次筛选合格率；直至确认整批电阻片中的各批次电阻片均为合格电阻片，则确定完成针对直流避雷器的电阻片筛选。本申请通过方波与正弦半波组合筛选，提高直流避雷器缺陷电阻片的筛除率。

Description

电阻片筛选方法、装置和筛选设备
技术领域
本申请涉及电力设备技术领域，特别是涉及一种电阻片筛选方法、装置和筛选设备。
背景技术
直流避雷器是保护直流场电气设备免受高瞬态过电压危害的一种电气设备，按照安装位置的不同，直流避雷器分为阀避雷器，桥避雷器，直流母线避雷器，中性母线避雷器，直流转换开关避雷器等类型。当系统产生过电压时，避雷器由于其非线性伏安特性，在过电压时呈低电阻。直流避雷器非线性伏安特性由内部的氧化锌电阻片提供。
直流避雷器按照安装位置和功能，其能量吸收能力存在显著差异，中性母线避雷器，直流转换开关避雷器吸收能量可达其他类型避雷器的数十倍，又称为大容量直流避雷器。为满足高吸收能量的要求以及降低被保护设备的绝缘水平，这类直流避雷器大多设计成电阻片柱内并联、元件外并联的多柱结构，对均一性控制提出了更高的要求。大容量直流避雷器内部电阻片数量多、尺寸大，电阻片内部和电阻片之间的不均匀程度直接影响整体性能，任意一块不合格电阻片可能都会导致直流避雷器动作时发生热崩溃，因此，大容量直流避雷器对电阻片的一致性要求高，在电阻片成品后，需进行缺陷检测与筛除。
然而，目前的试验方法不能反应真实工况，无法完全筛选出适用于大容量直流避雷器的可靠电阻片。
发明内容
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提高筛选可靠性的电阻片筛选方法、装置和筛选设备。
第一方面，本申请提供了一种电阻片筛选方法，该方法应用于用于组装直流避雷器的整批电阻片；该方法包括：
在完成对整批电阻片中的当前批次电阻片施加第一序列冲击电流的情况下，对当前批次电阻片进行缺陷检测，得到第一次筛选合格率；其中，第一序列冲击电流采用方波冲击电流；
在完成对当前批次电阻片施加第二序列冲击电流的情况下，对当前批次电阻片进行缺陷检测，得到第二次筛选合格率；其中，第二序列冲击电流采用正弦半波冲击电流，或采用正弦半波冲击电流经能量等效转换得到的方波冲击电流；
在完成对当前批次电阻片施加第三序列冲击电流的情况下，对当前批次电阻片进行缺陷检测，得到第三次筛选合格率；其中，第三序列冲击电流采用的冲击电流类型与第二序列冲击电流相同；
若第一次筛选合格率、第二次筛选合格率和第三次筛选合格率均满足相应阈值，则确认当前批次电阻片为合格电阻片；
将整批电阻片中的下一批次电阻片作为下一轮待筛选的当前批次电阻片，以确认下一批次电阻片是否为合格电阻片；直至确认整批电阻片中的各批次电阻片均为合格电阻片，则确定完成针对直流避雷器的电阻片筛选。
在其中一个实施例中，对整批电阻片中的当前批次电阻片施加第一序列冲击电流的步骤，包括：
对当前批次电阻片施加方波冲击电流，且注入第一能量；其中，第一能量等于电阻片设计能量；电阻片设计能量为基于整批电阻片的电阻片数量，以及经运行工况模拟仿真得到的直流避雷器动作时、流过直流避雷器的总能量确定；
对当前批次电阻片施加第二序列冲击电流的步骤，包括：
若对当前批次电阻片施加正弦半波冲击电流，则注入第二能量；第二能量小于电阻片设计能量；
若对当前批次电阻片施加方波冲击电流，则注入第三能量；其中，第三能量为基于冲击电流的冲击持续时间和电阻片能量密度的拟合关系，对第二能量进行修正得到；
对当前批次电阻片施加第三序列冲击电流的步骤，包括：
若对当前批次电阻片施加正弦半波冲击电流，则注入第四能量；第四能量小于电阻片设计能量；
若对当前批次电阻片施加方波冲击电流，则注入第五能量；其中，第五能量为基于冲击电流的冲击持续时间与电阻片能量密度的拟合关系，对第四能量进行修正得到。
在其中一个实施例中，直流避雷器为大容量直流避雷器；第一序列冲击电流采用2个连续方波冲击电流；第二序列冲击电流采用2个连续正弦半波冲击电流，第二能量为电阻片设计能量的70％；第三序列冲击电流采用1个正弦半波冲击电流，第四能量为电阻片设计能量的60％。
在其中一个实施例中，大容量直流避雷器包括中性母线避雷器和直流转换开关避雷器，第一序列冲击电流采用2个连续2ms方波冲击电流；第二序列冲击电流采用2个连续100ms正弦半波冲击电流。
在其中一个实施例中，方法还包括步骤：
根据电磁暂态仿真模拟运行工况，获取直流避雷器动作时、流过直流避雷器的总能量；
根据直流避雷器的配置参数，得到整批电阻片的电阻片数量；
将总能量和电阻片数量的商值，确定为电阻片设计能量。
在其中一个实施例中，若第二序列冲击电流采用正弦半波冲击电流，则对当前批次电阻片施加第二序列冲击电流的持续时间，与电磁暂态仿真模拟运行工况中、流过直流避雷器的电流持续时间相同。
第二方面，本申请还提供了一种电阻片筛选装置，装置应用于用于组装直流避雷器的整批电阻片；装置包括：
缺陷筛选模块，用于在完成对整批电阻片中的当前批次电阻片施加第一序列冲击电流的情况下，对当前批次电阻片进行缺陷检测，得到第一次筛选合格率；其中，第一序列冲击电流采用方波冲击电流；还用于在完成对当前批次电阻片施加第二序列冲击电流的情况下，对当前批次电阻片进行缺陷检测，得到第二次筛选合格率；其中，第二序列冲击电流采用正弦半波冲击电流，或采用正弦半波冲击电流经能量等效转换得到的方波冲击电流；以及用于在完成对当前批次电阻片施加第三序列冲击电流的情况下，对当前批次电阻片进行缺陷检测，得到第三次筛选合格率；其中，第三序列冲击电流采用的冲击电流类型与第二序列冲击电流相同；
确认合格模块，用于若第一次筛选合格率、第二次筛选合格率和第三次筛选合格率均满足相应阈值，则确认当前批次电阻片为合格电阻片；以及将整批电阻片中的下一批次电阻片作为下一轮待筛选的当前批次电阻片，以确认下一批次电阻片是否为合格电阻片；直至确认整批电阻片中的各批次电阻片均为合格电阻片，则确定完成针对直流避雷器的电阻片筛选。
第三方面，本申请还提供了一种电阻片筛选设备，包括存储器和处理器，存储器存储有计算机程序，处理器执行计算机程序时实现上述的方法的步骤。
第四方面，本申请还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述的方法的步骤。
第五方面，本申请还提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述的方法的步骤。
上述电阻片筛选方法、装置和筛选设备，通过方波与正弦半波组合筛选，提高直流避雷器缺陷电阻片的筛除率；其中，针对用于组装直流避雷器的整批电阻片，对每个批次都进行缺陷检测与筛除，本申请依次采用第一序列冲击电流、第二序列冲击电流和第三序列冲击电流这3个电流冲击序列，试验波形更符合运行工况，避免实际运行过避雷器由于电阻片性能不达标引起的故障问题。同时提出采用正弦半波冲击电流与方波冲击电流能量等效方式，进而可以开展长持续时间正弦半波电流冲击试验的等效筛选，能够确保在组装避雷器时不使用能量不合格的电阻片。
附图说明
图1为一个实施例中电阻片筛选方法的流程示意图；
图2为一个实施例中确认电阻片设计能量步骤的流程示意图；
图3为一个实施例中电阻片筛选装置的结构框图；
图4为一个实施例中电阻片筛选设备的内部结构图。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件时，它可以是直接连接到另一个元件，或者通过居中元件连接另一个元件。此外，以下实施例中的“连接”，如果被连接的对象之间具有电信号或数据的传递，则应理解为“电连接”、“通信连接”等。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中使用的术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
为了确保在组装避雷器时不使用能量不合格的电阻片，传统试验方法要求所有电阻片进行2ms～6ms方波电流冲击筛选剔除不合格的电阻片，然而大容量直流避雷器动作时波形为长持续时间的正弦半波冲击电流(一般持续时间达50ms～200ms)，不同波长的筛选结果存在差异，正弦半波冲击电流与方波电流间缺少合适的等效方法，传统试验方法不能反应真实工况，无法完全筛选出适用于大容量直流避雷器的可靠电阻片。
本申请提出了一种大容量直流避雷器电阻片筛选方法，通过方波与正弦半波组合筛选试验，提高了大容量直流避雷器缺陷电阻片的筛除率，试验波形更符合运行工况，避免实际运行过避雷器由于电阻片性能不达标引起的故障问题。同时提出了一种大尺寸电阻片(例如，电阻片直径大于100mm)正弦半波冲击电流与方波冲击电流能量等效方法，通过能量等效试验降低了试验的难度。为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
在一个实施例中，如图1所示，提供了一种电阻片筛选方法，以该方法应用于直流避雷器为例进行说明，其中，该方法应用于用于组装直流避雷器的整批电阻片；该方法包括以下步骤：
步骤102，在完成对整批电阻片中的当前批次电阻片施加第一序列冲击电流的情况下，对当前批次电阻片进行缺陷检测，得到第一次筛选合格率；
其中，第一序列冲击电流采用方波冲击电流。
具体地，本申请电阻片筛选方法所针对的试品为避雷器的所有电阻片，这些电阻片可以分为若干批次。进一步的，对于用于组装直流避雷器的整批电阻片，可以将其分为若干批次，进而将对当前批次电阻片的筛选方式应用于各批次电阻片，从而完成对整批电阻片的筛选。
基于本申请，在电阻片成品后，对每个批次都进行缺陷检测与筛除，确保在组装避雷器时不使用能量不合格的电阻片。而具体试验流程可以包括3个电流冲击序列。
进一步的，对当前批次电阻片施加第一序列冲击电流，该第一序列冲击电流采用方波冲击电流，进而对完成方波冲击电流的当前批次电阻片进行缺陷检测，得到第一次筛选合格率；本申请通过方波冲击电流，可以发现电阻片内部缺陷。
需要说明的是，本申请实施例中，对当前批次电阻片进行缺陷检测的试验合格评价的标准，可以包括：试验中电流幅值不增加，以及电阻片不应有任何击穿、闪络、破碎或者明显损坏的痕迹。
在其中一个实施例中，对整批电阻片中的当前批次电阻片施加第一序列冲击电流的步骤，包括：
对当前批次电阻片施加方波冲击电流，且注入第一能量；其中，第一能量等于电阻片设计能量；电阻片设计能量为基于整批电阻片的电阻片数量，以及经运行工况模拟仿真得到的直流避雷器动作时、流过直流避雷器的总能量确定；
具体而言，第一序列冲击电流可以采用连续方波冲击电流，并注入100％的电阻片设计能量，进而发现电阻片内部缺陷。进一步的，本申请中的电阻片设计能量可以是基于整批电阻片的电阻片数量，以及经运行工况模拟仿真得到的直流避雷器动作时、流过直流避雷器的总能量来确定的。
例如，通过模拟运行工况，计算直流避雷器动作时流过避雷器的能量(即总能量)。然后确定组装避雷器所需电阻片数量(即整批电阻片的电阻片数量)，即总能量除以电阻片数量为电阻片设计能量。
在其中一个实施例中，如图2所示，方法还包括步骤：
步骤202，根据电磁暂态仿真模拟运行工况，获取直流避雷器动作时、流过直流避雷器的总能量；
步骤204，根据直流避雷器的配置参数，得到整批电阻片的电阻片数量；
步骤206，将总能量和电阻片数量的商值，确定为电阻片设计能量。
具体而言，以直流避雷器为大容量直流避雷器为例，本申请依据电磁暂态仿真模拟运行工况，计算大容量直流避雷器动作时流过避雷器的能量，该能量称为总设计能量(即总能量)，并获取流过避雷器电流的持续时间。
进一步的，可以依据各避雷器制造厂商的直流避雷器参数配置方法确定组装避雷器所需电阻片数量，总设计能量除以电阻片数量为电阻片设计能量。
在其中一个实施例中，直流避雷器为大容量直流避雷器；第一序列冲击电流采用2个连续方波冲击电流。
具体的，本申请实施例应用于大容量直流避雷器中电阻片的筛选，而第一序列冲击电流则采用2个连续方波冲击电流，并注入100％电阻片设计能量，以发现电阻片内部缺陷。
在其中一个实施例中，大容量直流避雷器包括中性母线避雷器和直流转换开关避雷器，第一序列冲击电流采用2个连续2ms方波冲击电流；
具体而言，本申请实施例应用的大容量直流避雷器可以包括中性母线避雷器和直流转换开关避雷器；第一序列冲击电流具体采用2个连续2ms方波冲击电流，注入100％电阻片设计能量。本申请通过2ms方波发现电阻片内部缺陷。
步骤104，在完成对当前批次电阻片施加第二序列冲击电流的情况下，对当前批次电阻片进行缺陷检测，得到第二次筛选合格率；
其中，第二序列冲击电流采用正弦半波冲击电流，或采用正弦半波冲击电流经能量等效转换得到的方波冲击电流。
具体而言，在获取到第一次筛选合格率后，可以对当前批次电阻片施加第二序列冲击电流；基于本申请，在电阻片成品后，每个批次都需进行缺陷检测与筛除，试验流程可以包括3个电流冲击序列(依次为第一序列冲击电流、第二序列冲击电流和第三序列冲击电流)；这3个电流冲击序列中的第2个电流冲击序列可以指对当前批次电阻片施加第二序列冲击电流；进一步的，该第二序列冲击电流的持续时间可以与电磁暂态仿真模拟保持一致，本申请通过长波筛除内部不均匀的电阻片。
需要说明的是，本申请实施例中对当前批次电阻片进行缺陷检测的试验合格评价的标准，可以包括：试验中电流幅值不增加，以及电阻片不应有任何击穿、闪络、破碎或者明显损坏的痕迹。
在一些示例中，该第二序列冲击电流可以采用正弦半波冲击电流。以直流避雷器为大容量直流避雷器为例，本申请采用方波与正弦半波组合筛选试验，提高了大容量直流避雷器缺陷电阻片的筛除率，避免实际运行过避雷器由于电阻片性能不达标引起的故障问题。本申请通过方波与正弦半波组合筛选试验，试验波形更符合运行工况。
进一步的，该第二序列冲击电流还可以采用正弦半波冲击电流经能量等效转换得到的方波冲击电流，能够应用于大尺寸电阻片(例如，电阻片直径大于100mm)的筛选。本申请提出针对大尺寸电阻片正弦半波冲击电流与方波冲击电流能量等效方法，解决当试验能力不足，无法开展长持续时间正弦半波电流冲击试验时的等效筛选方法。本申请通过能量等效试验降低了试验的难度。
例如，当试验条件不具备产生采用正弦半波的第二序列冲击电流(以及不具备产生采用正弦半波的第三序列冲击电流正弦半波)时，本申请可以进行正弦半波冲击电流与方波冲击电流能量等效方法(在一些示例中，可以适用于直径105mm左右的大尺寸电阻片)，当试验装置不具备产生正弦半波能力时，可以将正弦半波转换为方波，并对注入能量进行修正。
在其中一个实施例中，对当前批次电阻片施加第二序列冲击电流的步骤，可以包括：
若对当前批次电阻片施加正弦半波冲击电流，则注入第二能量；第二能量小于电阻片设计能量；
若对当前批次电阻片施加方波冲击电流，则注入第三能量；其中，第三能量为基于冲击电流的冲击持续时间和电阻片能量密度的拟合关系，对第二能量进行修正得到。
具体地，在电阻片成品后，每个批次都需进行缺陷检测与筛除，试验流程包括3个电流冲击序列；并且，在这3个电流冲击序列中，本申请采用了降低能量的冲击试验方法，能够避免试验对电阻片造成潜在损伤；例如，在对当前批次电阻片施加的第二序列冲击电流为正弦半波冲击电流的情况下，注入的第二能量小于电阻片设计能量。
进一步的，在对当前批次电阻片施加的第二序列冲击电流为方波冲击电流的情况下，注入的第三能量为经修正得到；其中，第三能量可以是基于冲击电流的冲击持续时间和电阻片能量密度的拟合关系，对第二能量进行修正得到(例如，提高注入能量)。在一些示例中，以大尺寸电阻片为例，可以拟合大尺寸电阻片持续时间与能量密度的曲线(冲击电流的冲击持续时间和电阻片能量密度的拟合关系)，然后基于该曲线对第二能量进行修改，得到第三能量。
在其中一个实施例中，若第二序列冲击电流采用正弦半波冲击电流，则对当前批次电阻片施加第二序列冲击电流的持续时间，与电磁暂态仿真模拟运行工况中、流过直流避雷器的电流持续时间相同。
具体而言，本申请中第二序列冲击电流可以采用正弦半波，该正弦半波持续时间应与电磁暂态模拟保持一致，并注入相应的能量(例如，70％电阻片设计能量)，通过长波筛除内部不均匀的电阻片。
在其中一个实施例中，直流避雷器为大容量直流避雷器；第二序列冲击电流采用2个连续正弦半波冲击电流，第二能量为电阻片设计能量的70％。
具体的，在对当前批次电阻片施加第二序列冲击电流的过程中，若第二序列冲击电流采用2个连续正弦半波，则注入70％电阻片设计能量，且正弦半波持续时间应与电磁暂态仿真模拟保持一致，进而在对当前批次电阻片进行缺陷检测，得到第二次筛选合格率，以筛除内部不均匀的电阻片。
在其中一个实施例中，大容量直流避雷器包括中性母线避雷器和直流转换开关避雷器，第二序列冲击电流可以采用2个连续100ms正弦半波冲击电流。
具体而言，以直流避雷器为大容量直流避雷器为例，第二序列冲击电流可以采用2个连续100ms正弦半波冲击电流，并注入70％电阻片设计能量，，且正弦半波持续时间应与电磁暂态仿真模拟保持一致，进而通过长波筛除内部不均匀的电阻片。
进一步的，第二序列冲击电流还可以采用2个连续2ms方波代替2个连续100ms正弦半波，并通过修正第二能量确定出第三能量的大小。
步骤106，在完成对当前批次电阻片施加第三序列冲击电流的情况下，对当前批次电阻片进行缺陷检测，得到第三次筛选合格率；其中，第三序列冲击电流采用的冲击电流类型与第二序列冲击电流相同。
具体而言，在获取到第一次筛选合格率和第二次筛选合格率后，本申请可以对当前批次电阻片施加第三序列冲击电流。该第三序列冲击电流采用的冲击电流类型与第二序列冲击电流相同；例如，第二序列冲击电流采用正弦半波冲击电流时，第三序列冲击电流也采用正弦半波冲击电流；又如，第二序列冲击电流采用正弦半波冲击电流经能量等效转换得到的方波冲击电流时，第三序列冲击电流也采用方波冲击电流，该方波冲击电流同样是由正弦半波冲击电流经能量等效转换得到。
在完成对当前批次电阻片施加第三序列冲击电流的情况下，可以对当前批次电阻片进行缺陷检测，进而得到第三次筛选合格率。需要说明的是，本申请实施例中对当前批次电阻片进行缺陷检测的试验合格评价的标准，可以包括：试验中电流幅值不增加，以及电阻片不应有任何击穿、闪络、破碎或者明显损坏的痕迹。
在其中一个实施例中，对当前批次电阻片施加第三序列冲击电流的步骤，包括：
若对当前批次电阻片施加正弦半波冲击电流，则注入第四能量；第四能量小于电阻片设计能量；
若对当前批次电阻片施加方波冲击电流，则注入第五能量；其中，第五能量为基于冲击电流的冲击持续时间与电阻片能量密度的拟合关系，对第四能量进行修正得到。
具体而言，在电阻片成品后，每个批次都需进行缺陷检测与筛除，试验流程包括3个电流冲击序列；并且，在这3个电流冲击序列中，本申请采用了降低能量的冲击试验方法，能够避免试验对电阻片造成潜在损伤；例如，在对当前批次电阻片施加的第三序列冲击电流为正弦半波冲击电流的情况下，注入的第四能量小于电阻片设计能量。
进一步的，在对当前批次电阻片施加的第三序列冲击电流为方波冲击电流的情况下，注入的第五能量为经修正得到；其中，第五能量可以是基于冲击电流的冲击持续时间和电阻片能量密度的拟合关系，对第四能量进行修正得到(例如，提高注入能量)。在一些示例中，以大尺寸电阻片为例，可以拟合大尺寸电阻片持续时间与能量密度的曲线(冲击电流的冲击持续时间和电阻片能量密度的拟合关系)，然后基于该曲线对第四能量进行修改，得到第五能量。
在其中一个实施例中，直流避雷器为大容量直流避雷器；第三序列冲击电流采用1个正弦半波冲击电流，第四能量为电阻片设计能量的60％。
具体而言，第三序列冲击电流可以采用1个正弦半波，注入60％电阻片设计能量。而当试验条件不具备产生正弦半波的第三序列冲击电流时，本申请提出正弦半波冲击电流与方波冲击电流能量等效方法，应用于大尺寸电阻片(适用于直径105mm左右的大尺寸电阻片)，当试验装置不具备产生正弦半波能力时，可以将正弦半波转换为方波，并提高注入能量。
步骤108，若第一次筛选合格率、第二次筛选合格率和第三次筛选合格率均满足相应阈值，则确认当前批次电阻片为合格电阻片；
具体而言，在获取到第一次筛选合格率、第二次筛选合格率和第三次筛选合格率后，可以确认一次筛选合格率、第二次筛选合格率和第三次筛选合格率是否分别满足相应的阈值，进而确认出当前批次电阻片是否为合格电阻片。
在一些示例中，本申请中适用于合格率的阈值(评价标准)可以包括：第一次筛选合格率≥97％，第二次筛选合格率≥98％，第三次筛选合格率100％。当试验批次筛选合格率不满足上述评价标准时，整批电阻片都不应用于大容量直流避雷器组装。
步骤110，将整批电阻片中的下一批次电阻片作为下一轮待筛选的当前批次电阻片，以确认下一批次电阻片是否为合格电阻片；直至确认整批电阻片中的各批次电阻片均为合格电阻片，则确定完成针对直流避雷器的电阻片筛选
具体而言，在电阻片成品后，每个批次都需进行缺陷检测与筛除，试验流程可以包括3个电流冲击序列(依次为上述的第一序列冲击电流、第二序列冲击电流和第三序列冲击电流)，同时，为了避免试验对电阻片造成潜在损伤，本申请采用了降低能量的冲击试验方法。而当试验批次筛选合格率不满足上述评价标准时，整批电阻片都不应用于大容量直流避雷器组装。
以上，基于本申请，通过方波与正弦半波组合筛选试验，提高了直流避雷器缺陷电阻片的筛除率，试验波形更符合运行工况，避免实际运行过避雷器由于电阻片性能不达标引起的故障问题。同时提出了一种大尺寸电阻片(电阻片直径大于100mm)正弦半波冲击电流与方波冲击电流能量等效方法，通过能量等效试验降低了试验的难度。
为了进一步阐释本申请的方案，下面结合一个具体示例予以说明，以直流避雷器为大容量直流避雷器为例，本申请目的是确保在组装避雷器时不使用能量不合格的电阻片。试品应为避雷器所有电阻片，这些电阻片可以分为若干批次。
依据电磁暂态仿真模拟运行工况，计算大容量直流避雷器动作时流过避雷器的能量，该能量可以称为总设计能量(即总能量)，并获取流过避雷器电流的持续时间。依据各避雷器制造厂商的直流避雷器参数配置方法确定组装避雷器所需电阻片数量(即整批电阻片的电阻片数量)，总设计能量除以电阻片数量为电阻片设计能量。
在电阻片成品后，每个批次都需进行缺陷检测与筛除，试验流程可以包括3个电流冲击序列(依次为第一序列冲击电流、第二序列冲击电流和第三序列冲击电流)；同时，本申请采用降低能量的冲击试验方法，可以避免试验对电阻片造成潜在损伤：
第一序列冲击电流采用2个连续2ms方波，注入100％设计能量；通过2ms方波发现电阻片内部缺陷。
第二序列冲击电流采用2个连续正弦半波，正弦半波持续时间应与电磁暂态仿真模拟保持一致，注入70％设计能量，通过长波筛除内部不均匀的电阻片。
第三序列冲击电流采用1个正弦半波，60％设计能量。
试验合格评价的标准为：试验中电流幅值不增加，电阻片不应有任何击穿、闪络、破碎或者明显损坏的痕迹。进一步的，第一次筛选合格率≥97％，第二次筛选合格率≥98％，第三次筛选合格率100％。
当试验批次筛选合格率不满足上述评价标准时，整批电阻片都不应用于大容量直流避雷器组装。当试验条件不具备产生正弦半波的第二序列冲击电流、正弦半波的第三序列冲击电流时，可以采用正弦半波冲击电流与方波冲击电流能量等效方法，适用于大尺寸电阻片(例如，直径105mm左右的大尺寸电阻片)，当试验装置不具备产生正弦半波能力时，可以将正弦半波转换为方波，并提高注入能量。
在一些实例中，本申请拟合了大尺寸电阻片持续时间与能量密度的曲线，冲击时间持续时间越长，电阻片耐受能量越小，x为持续时间，y为能量密度，当x＝2时代表2ms为方波冲击电流下能量密度，x＝50～200时代表正弦半波冲击电流下能量密度；进而，y＝1383x^-0.162。
例如，依据电磁暂态仿真模拟运行工况，某大容量避雷器设计能量为2.6MJ，避雷器电流的持续时间为100ms正弦半波。避雷器参数配置中确定该避雷器总共有224块电阻片，则电阻片的设计能量为2.6MJ/224＝11.6kJ；
第一序列冲击电流采用2个连续2ms方波，注入能量为11.6kJ；
第二序列冲击电流采用2个连续100ms正弦半波，注入能量为8.12kJ。
此时当试验装置不具备产生正弦半波能力时，可以将正弦半波转换为方波，并对注入能量进行修正。当电阻片尺寸直径为100mm，厚度22mm，则电阻片的体积为190.498cm3，电阻片能量密度y＝8120/190.498＝42.6J/cm3。
根据大尺寸电阻片持续时间与能量密度的曲线，当冲击持续时间x＝100ms时，100ms正弦半波电流冲击下电阻片的能量密度y1＝655.87J/cm3，当冲击持续时间x＝2ms时，2ms方波电流冲击下电阻片的能量密度y2＝1326.10J/cm3，y2＝1.88y1，修正后的能量电阻片能量密度y’＝1.88y＝80.09J/cm3，修正后的注入能量为80.09*190.498＝15260J＝15.26kJ，因此，第二序列冲击电流可以采用2个连续2ms方波代替2个连续100ms正弦半波，注入能量为＝15.26kJ，第三序列冲击电流的能量修正过程同理。
本申请通过方波与正弦半波组合筛选试验，提高了大容量直流避雷器缺陷电阻片的筛除率，避免实际运行过避雷器由于电阻片性能不达标引起的故障问题。本申请中的正弦半波冲击电流与方波冲击电流能量等效方法，适用于大尺寸电阻片，解决当试验能力不足，无法开展长持续时间正弦半波电流冲击试验时的等效筛选方法。本申请采用降低能量的冲击试验方法，避免试验对电阻片造成潜在损伤。
应该理解的是，虽然如上所述的各实施例所涉及的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，如上所述的各实施例所涉及的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
基于同样的发明构思，本申请实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的电阻片筛选方法的电阻片筛选装置。该装置所提供的解决问题的实现方案与上述方法中所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个电阻片筛选装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于电阻片筛选方法的限定，在此不再赘述。
在一个实施例中，如图3所示，提供了一种电阻片筛选装置，该装置应用于用于组装直流避雷器的整批电阻片；该装置包括：
缺陷筛选模块310，用于在完成对整批电阻片中的当前批次电阻片施加第一序列冲击电流的情况下，对当前批次电阻片进行缺陷检测，得到第一次筛选合格率；其中，第一序列冲击电流采用方波冲击电流；还用于在完成对当前批次电阻片施加第二序列冲击电流的情况下，对当前批次电阻片进行缺陷检测，得到第二次筛选合格率；其中，第二序列冲击电流采用正弦半波冲击电流，或采用正弦半波冲击电流经能量等效转换得到的方波冲击电流；以及用于在完成对当前批次电阻片施加第三序列冲击电流的情况下，对当前批次电阻片进行缺陷检测，得到第三次筛选合格率；其中，第三序列冲击电流采用的冲击电流类型与第二序列冲击电流相同；
确认合格模块320，用于若第一次筛选合格率、第二次筛选合格率和第三次筛选合格率均满足相应阈值，则确认当前批次电阻片为合格电阻片；以及将整批电阻片中的下一批次电阻片作为下一轮待筛选的当前批次电阻片，以确认下一批次电阻片是否为合格电阻片；直至确认整批电阻片中的各批次电阻片均为合格电阻片，则确定完成针对直流避雷器的电阻片筛选。
在其中一个实施例中，缺陷筛选模块310包括：
第一筛选模块，用于对当前批次电阻片施加方波冲击电流，且注入第一能量；其中，第一能量等于电阻片设计能量；电阻片设计能量为基于整批电阻片的电阻片数量，以及经运行工况模拟仿真得到的直流避雷器动作时、流过直流避雷器的总能量确定；
第二筛选模块，用于若对当前批次电阻片施加正弦半波冲击电流，则注入第二能量；第二能量小于电阻片设计能量；以及若对当前批次电阻片施加方波冲击电流，则注入第三能量；其中，第三能量为基于冲击电流的冲击持续时间和电阻片能量密度的拟合关系，对第二能量进行修正得到；
第三筛选模块，用于若对当前批次电阻片施加正弦半波冲击电流，则注入第四能量；第四能量小于电阻片设计能量；以及若对当前批次电阻片施加方波冲击电流，则注入第五能量；其中，第五能量为基于冲击电流的冲击持续时间与电阻片能量密度的拟合关系，对第四能量进行修正得到。
在其中一个实施例中，直流避雷器为大容量直流避雷器；第一序列冲击电流采用2个连续方波冲击电流；第二序列冲击电流采用2个连续正弦半波冲击电流，第二能量为电阻片设计能量的70％；第三序列冲击电流采用1个正弦半波冲击电流，第四能量为电阻片设计能量的60％。
在其中一个实施例中，大容量直流避雷器包括中性母线避雷器和直流转换开关避雷器，第一序列冲击电流采用2个连续2ms方波冲击电流；第二序列冲击电流采用2个连续100ms正弦半波冲击电流。
在其中一个实施例中，装置还包括：
仿真模拟模块，用于根据电磁暂态仿真模拟运行工况，获取直流避雷器动作时、流过直流避雷器的总能量；
能量确认模块，用于根据直流避雷器的配置参数，得到整批电阻片的电阻片数量；以及将总能量和电阻片数量的商值，确定为电阻片设计能量。
在其中一个实施例中，若第二序列冲击电流采用正弦半波冲击电流，则对当前批次电阻片施加第二序列冲击电流的持续时间，与电磁暂态仿真模拟运行工况中、流过直流避雷器的电流持续时间相同。
上述电阻片筛选装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
在一个实施例中，提供了一种电阻片筛选设备，该设备可以采用相应的计算机设备予以实现，该计算机设备可以是终端，其内部结构图可以如图4所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、通信接口、显示屏和输入装置。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的通信接口用于与外部的终端进行有线或无线方式的通信，无线方式可通过WIFI、移动蜂窝网络、NFC(近场通信)或其他技术实现。该计算机程序被处理器执行时以实现一种电阻片筛选方法。该计算机设备的显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏，该计算机设备的输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层，也可以是计算机设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板，还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。
本领域技术人员可以理解，图4中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
在一个实施例中，提供了一种电阻片筛选设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现上述电阻片筛选方法的步骤。
在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述电阻片筛选方法的步骤。
在一个实施例中，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述电阻片筛选方法的步骤。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(Read-OnlyMemory，ROM)、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器(ReRAM)、磁变存储器(Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM)、铁电存储器(Ferroelectric Random Access Memory，FRAM)、相变存储器(Phase Change Memory，PCM)、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)或动态随机存取存储器(Dynamic RandomAccess Memory，DRAM)等。本申请所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本申请所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种电阻片筛选方法，其特征在于，所述方法应用于用于组装直流避雷器的整批电阻片；所述方法包括：
在完成对所述整批电阻片中的当前批次电阻片施加第一序列冲击电流的情况下，对所述当前批次电阻片进行缺陷检测，得到第一次筛选合格率；其中，所述第一序列冲击电流采用方波冲击电流；
在完成对所述当前批次电阻片施加第二序列冲击电流的情况下，对所述当前批次电阻片进行缺陷检测，得到第二次筛选合格率；其中，所述第二序列冲击电流采用正弦半波冲击电流，或采用所述正弦半波冲击电流经能量等效转换得到的方波冲击电流；
在完成对所述当前批次电阻片施加第三序列冲击电流的情况下，对所述当前批次电阻片进行缺陷检测，得到第三次筛选合格率；其中，所述第三序列冲击电流采用的冲击电流类型与所述第二序列冲击电流相同；
若所述第一次筛选合格率、所述第二次筛选合格率和所述第三次筛选合格率均满足相应阈值，则确认所述当前批次电阻片为合格电阻片；
将所述整批电阻片中的下一批次电阻片作为下一轮待筛选的所述当前批次电阻片，以确认所述下一批次电阻片是否为合格电阻片；直至确认所述整批电阻片中的各批次电阻片均为合格电阻片，则确定完成针对所述直流避雷器的电阻片筛选。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述整批电阻片中的当前批次电阻片施加第一序列冲击电流的步骤，包括：
对所述当前批次电阻片施加方波冲击电流，且注入第一能量；其中，所述第一能量等于电阻片设计能量；所述电阻片设计能量为基于所述整批电阻片的电阻片数量，以及经运行工况模拟仿真得到的所述直流避雷器动作时、流过所述直流避雷器的总能量确定；
所述对所述当前批次电阻片施加第二序列冲击电流的步骤，包括：
若对所述当前批次电阻片施加正弦半波冲击电流，则注入第二能量；所述第二能量小于所述电阻片设计能量；
若对所述当前批次电阻片施加方波冲击电流，则注入第三能量；其中，所述第三能量为基于冲击电流的冲击持续时间和电阻片能量密度的拟合关系，对所述第二能量进行修正得到；
所述对所述当前批次电阻片施加第三序列冲击电流的步骤，包括：
若对所述当前批次电阻片施加正弦半波冲击电流，则注入第四能量；所述第四能量小于所述电阻片设计能量；
若对所述当前批次电阻片施加方波冲击电流，则注入第五能量；其中，所述第五能量为基于冲击电流的冲击持续时间与电阻片能量密度的拟合关系，对所述第四能量进行修正得到。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述直流避雷器为大容量直流避雷器；所述第一序列冲击电流采用2个连续方波冲击电流；所述第二序列冲击电流采用2个连续正弦半波冲击电流，所述第二能量为所述电阻片设计能量的70％；所述第三序列冲击电流采用1个正弦半波冲击电流，所述第四能量为所述电阻片设计能量的60％。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述大容量直流避雷器包括中性母线避雷器和直流转换开关避雷器，所述第一序列冲击电流采用2个连续2ms方波冲击电流；所述第二序列冲击电流采用2个连续100ms正弦半波冲击电流。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括步骤：
根据电磁暂态仿真模拟运行工况，获取所述直流避雷器动作时、流过所述直流避雷器的所述总能量；
根据所述直流避雷器的配置参数，得到所述整批电阻片的所述电阻片数量；
将所述总能量和所述电阻片数量的商值，确定为所述电阻片设计能量。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，若所述第二序列冲击电流采用正弦半波冲击电流，则对所述当前批次电阻片施加所述第二序列冲击电流的持续时间，与所述电磁暂态仿真模拟运行工况中、流过所述直流避雷器的电流持续时间相同。
7.一种电阻片筛选装置，其特征在于，所述装置应用于用于组装直流避雷器的整批电阻片；所述装置包括：
缺陷筛选模块，用于在完成对所述整批电阻片中的当前批次电阻片施加第一序列冲击电流的情况下，对所述当前批次电阻片进行缺陷检测，得到第一次筛选合格率；其中，所述第一序列冲击电流采用方波冲击电流；还用于在完成对所述当前批次电阻片施加第二序列冲击电流的情况下，对所述当前批次电阻片进行缺陷检测，得到第二次筛选合格率；其中，所述第二序列冲击电流采用正弦半波冲击电流，或采用所述正弦半波冲击电流经能量等效转换得到的方波冲击电流；以及用于在完成对所述当前批次电阻片施加第三序列冲击电流的情况下，对所述当前批次电阻片进行缺陷检测，得到第三次筛选合格率；其中，所述第三序列冲击电流采用的冲击电流类型与所述第二序列冲击电流相同；
确认合格模块，用于若所述第一次筛选合格率、所述第二次筛选合格率和所述第三次筛选合格率均满足相应阈值，则确认所述当前批次电阻片为合格电阻片；以及将所述整批电阻片中的下一批次电阻片作为下一轮待筛选的所述当前批次电阻片，以确认所述下一批次电阻片是否为合格电阻片；直至确认所述整批电阻片中的各批次电阻片均为合格电阻片，则确定完成针对所述直流避雷器的电阻片筛选。
8.一种电阻片筛选设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。
9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。
10.一种计算机程序产品，包括计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。
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