CN115552564A - 基板处理设备 - Google Patents

Abstract

本发明关于一种基板处理设备，包含：腔体、基板支撑部、顶电极以及底电极。基板支撑部于腔体中支撑一或多个基板。顶电极设置于基板支撑部之上并与基板支撑部对向设置。底电极设置于顶电极之下并与顶电极分离。底电极可包含第一电极以及第二电极。具有第一频率的第一射频电源被施加至第一电极。具有相异于第一频率的第二频率的第二射频电源被施加至第二电极。

Description

基板处理设备

技术领域

本发明关于一种基板处理设备，所述基板处理设备在基板上进行诸如沉积工艺及蚀刻工艺的处理工艺。

背景技术

一般来说，为了制造太阳能电池、半导体装置、平板显示装置等，薄膜层、薄膜电路图案或光学图案需要形成于基板上。为此，基板上会进行处理工艺，且处理工艺的示例包含将包含特定材料的薄膜沉积于基板上的沉积工艺、使用感光材料选择性地曝光薄膜的一部分的曝光工艺、以及移除薄膜中选择性地曝光的部分以形成图案的蚀刻工艺等。使用基板处理设备在基板上进行这些处理工艺。

根据现有技术的基板处理设备包含用于支撑基板的基板支撑部以及朝基板支撑部喷射处理气体的气体喷射单元。根据现有技术的基板处理设备在具有一个预设频率的射频(RF)电源被施加于气体喷射单元的状态下喷射气体，因此可在基板上进行处理工艺。

于此，在根据现有技术的基板处理设备仅在高频率射频电源被施加于气体喷射单元的状态下在基板上进行处理工艺的情况中，沉积于基板上的薄膜的阶梯覆盖率会增加，但会有沉积于基板上的薄膜的密集程度降低的问题。

此外，在根据现有技术的基板处理设备仅在低频率射频电源被施加于气体喷射单元的状态下在基板上进行处理工艺的情况中，沉积于基板上的薄膜的密集程度会提升，但会有沉积于基板上的薄膜的阶梯覆盖率降低的问题。

如上所述，根据现有技术的基板处理设备具有难以提升其上完成处理工艺的基板的品质的问题。

发明内容

技术问题

本发明在于解决上述问题并用于提供基板处理设备以提升其上完成处理工艺的基板的品质。

技术方案

为了完成上述目标，本发明可包含下列要素。

根据本发明的基板处理设备可包含：腔体、基板支撑部、顶电极以及底电极。基板支撑部于腔体中支撑一或多个基板。顶电极设置于基板支撑部之上并与基板支撑部对向设置。底电极设置于顶电极之下并且与顶电极分离。顶电极可通过第一气体流动路径喷射第一气体并通过与第一气体流动路径空间分离的第二气体流动路径喷射第二气体。底电极可包含第一电极以及第二电极。具有第一频率的第一射频电源被施加至第一电极。具有相异于第一频率的第二频率的第二射频电源被施加至第二电极。

根据本发明的基板处理设备可包含：腔体、基板支撑部、气体喷射单元以及电源施加单元。基板支撑部于腔体中支撑一或多个基板。气体喷射单元设置于基板支撑部之上并与基板支撑部对向设置。电源施加单元用于施加射频电源。气体喷射单元可包含顶电极以及底电极。顶电极包含空间上彼此分离的第一气体流动路径以及第二气体流动路径。底电极设置于顶电极及基板支撑部之间。底电极可包含设置于顶电极之下的第一电极以及第二电极。电源施加单元可包含第一施加机构以及第二施加机构。第一施加机构连接于第一电极以将具有第一频率的第一射频电源施加至第一电极。第二施加机构连接于第二电极以将具有第二频率的第二射频电源施加至第二电极。

有益效果

根据本发明，能得到下列效果。

本发明被实施成通过使用具有不同频率的射频电源在基板上进行处理工艺。因此，本发明可提升其上完成处理工艺的基板的品质。

本发明被实施成降低在基板上进行处理工艺的过程中施加至基板的应力。因此，本发明可降低其上完成处理工艺的基板的弯曲变形程度，进而进一步提升其上完成处理工艺的基板的品质。

附图说明

图1为根据本发明的基板处理设备的构造示意图。

图2及图3为用于描述根据本发明的基板处理设备中的气体喷射单元的实施例的侧剖示意图。

图4为根据本发明的基板处理设备中的顶电极以及底电极的立体分解示意图。

图5及图6为沿图4中的割面线I-I绘示的顶电极以及底电极的侧剖示意图。

图7为根据本发明的基板处理设备中的基板支撑部的平面示意图。

图8为沿图4中的割面线II-II绘示的顶电极以及底电极的侧剖示意图。

具体实施方式

以下，将参照相关附图详细说明根据本发明的基板处理设备的实施例。图1至图3为沿图4中的割面线I-I绘示的侧剖示意图。

请参阅图1及图2，根据本发明的基板处理设备1在基板S上进行处理工艺。基板S可为玻璃基板、硅基板、金属基板等。根据本发明的基板处理设备1可进行处理工艺，如将薄膜沉积于基板S上的沉积工艺以及将沉积于基板S上的薄膜的一部分移除的蚀刻工艺。以下，将主要描述进行处理工艺的根据本发明的基板处理设备1的实施例，但对本领域技术人员来说显而易见的是，容易推导出进行如蚀刻工艺的其它处理工艺的根据本发明的基板处理设备1的实施例。

根据本发明的基板处理设备1可包含腔体2、基板支撑部3以及气体喷射单元4。

<腔体>

请参阅图1，腔体2提供处理空间100。在处理空间100中，可在基板S上进行如沉积工艺或蚀刻工艺的处理工艺。处理空间100可设置于腔体2中。从处理空间100排放气体的排气口(未绘示)可耦接于腔体2。基板支撑部3及气体喷射单元4可安装于腔体2中。

<基板支撑部>

请参阅图1，基板支撑部3支撑基板S。基板支撑部3可支撑一个基板S，或可支撑多个基板S。在多个基板S被基板支撑部3支撑的情况中，处理工艺可一次性地在多个基板S上进行。基板支撑部3可耦接于腔体2。基板支撑部3可耦接于腔体2的内部。

<气体喷射单元>

请参阅图1，气体喷射单元4朝基板支撑部3喷射气体。气体喷射单元4可连接于气体供应单元40。因此，气体喷射单元4可将从气体供应单元40供应的气体朝基板支撑部3喷射。气体喷射单元4可耦接于腔体2。气体喷射单元4可与基板支撑部3对向设置。处理空间100可设置于气体喷射单元4及基板支撑部3之间。气体喷射单元4可耦接于盖体。盖体耦接于腔体2以遮蔽腔体2的顶部。

气体喷射单元4可包含第一气体流动路径41及第二气体流动路径42。

第一气体流动路径41用于喷射第一气体。第一气体流动路径41的一侧可通过管路或软管连接于气体供应单元40。第一气体流动路径41的另一侧可连通于处理空间100。因此，从气体供应单元40供应的第一气体可沿第一气体流动路径41流动，且接着可通过第一气体流动路径41被喷射到处理空间100中。第一气体流动路径41可作为用于使第一气体能流动的路径且可作为用于将第一气体喷射到处理空间100中的喷射孔。

第二气体流动路径42用于喷射第二气体。第二气体以及第一气体可为不同的气体。举例来说，当第一气体为源气体时，第二气体可为反应气体。第二气体流动路径42的一侧可通过管路或软管连接于气体供应单元40。第二气体流动路径42的另一侧可连通于处理空间100。因此，从气体供应单元40供应的第二气体可沿第二气体流动路径42流动，且接着可通过第二气体流动路径42被喷射到处理空间100中。第二气体流动路径42可作为使第二气体能流动的路径并可作为用于将第二气体喷射到处理空间100中的喷射孔。

第二气体流动路径42及第一气体流动路径41可在空间上彼此分离地设置。因此，从气体供应单元40供应到第二气体流动路径42的第二气体可在没有通过第一气体流动路径41的情况下被喷射到处理空间100中。从气体供应单元40供应到第一气体流动路径41的第一气体可在没有通过第二气体流动路径42的情况下被喷射到处理空间100中。第二气体流动路径42及第一气体流动路径41可朝处理空间100中的不同的部分喷射气体。

请参阅图2及图3，气体喷射单元可包含顶电极43及底电极44。

顶电极43可设置于基板支撑部3之上并与基板支撑部3对向设置。顶电极43可接地且因此可作为接地电极。顶电极43可包含第一气体流动路径41及第二气体流动路径42。因此，顶电极43可通过第一气体流动路径41喷射第一气体且可通过第二气体流动路径42喷射第二气体。第一气体流动路径41及第二气体流动路径42可在相对顶电极43为内侧的部分于空间上彼此分离地设置。

第一气体流动路径41可包含连接于气体供应单元40的第一连接孔411以及连接于第一连接孔411的多个第一喷射孔412。第一连接孔411及第一喷射孔412可从顶电极43朝内形成。各个第一喷射孔412的一侧可连通于第一连接孔411，且各个第一喷射孔412的另一侧可连通于处理空间100。因此，由气体供应单元40供应的第一气体可沿第一连接孔411流动，且接着可通过第一喷射孔412被喷射到处理空间100中。

第二气体流动路径42可包含连接于气体供应单元40的第二连接孔421以及连接于第二连接孔421的多个第二喷射孔422。第二连接孔421及第二喷射孔422可从顶电极43朝内形成。各个第二喷射孔422的一侧可连通于第二连接孔421，且各个第二喷射孔422的另一侧可连通于处理空间100。因此，由气体供应单元40供应的第二气体可沿第二连接孔421流动，且接着可通过第二喷射孔422被喷射到处理空间100中。

底电极44设置于顶电极43及基板支撑部3之间。底电极44可与顶电极43分离且可设置于顶电极43之下。用于部分绝缘的绝缘件(未绘示)可设置于底电极44及顶电极43之间。射频电源可施加至底电极44。当顶电极43接地且射频电源被施加至底电极44时，可产生等离子。因此，气体喷射单元4可通过使用等离子来激发气体且可将激发的气体喷射到处理空间100中。

底电极44可包含多个孔洞44a。多个孔洞44a可形成为穿过底电极44。孔洞44a可作为使从顶电极43喷射的气体通过的路径。

如图2所示，在顶电极43的底面以及底电极44的顶面的每一者形成为平坦的情况中，一部分孔洞44a可设置在对应于第一气体流动路径41的位置，因此，从第一气体流动路径41喷射的第一气体可通过这些孔洞44a。其他的孔洞44a可设置在对应于第二气体流动路径42的位置，因此，从第二气体流动路径42喷射的第二气体可通过其他的孔洞44a。虽然未绘示，但所形成的孔洞44a的数量可少于第一气体流动路径41的第一喷射孔412的数量以及第二气体流动路径42的第二喷射孔422的数量的总和。

如图3所示，当顶电极43包含多个凸出电极431时，孔洞44a可分别形成在对应于凸出电极431的多个位置。凸出电极431可向基板支撑部3凸出。凸出电极431可从顶电极43的底面凸出且可分别插设到孔洞44a中。第一气体流动路径41可设置于各个凸出电极431中。在此情况中，第一喷射孔412可形成为使得各个第一喷射孔412的一侧连接于第一连接孔411，且各个第一喷射孔412的另一侧穿过凸出电极431。

请参阅图1至图5，底电极44可包含第一电极441以及第二电极442。

第一射频电源被施加至第一电极441。具有第一频率的第一射频电源可被施加至第一电极441。第一电极441可电连接于电源施加单元5。电源施加单元5可将具有第一频率的第一射频电源施加至第一电极441。第一电极441可设置于处理空间100的第一处理空间110中。

第二射频电源被施加至第二电极442。具有第二频率的第二射频电源可被施加至第二电极442。第二电极442可电连接于电源施加单元5。电源施加单元5可将具有第二频率的第二射频电源施加至第二电极442。第二电极442可设置于处理空间100的第二处理空间120中。因此，第二电极442及第一电极441可设置于处理空间100中的不同位置。

具有不同频率的射频电源可被施加至第二电极442及第一电极441。也就是说，第一频率相异于第二频率。因此，根据本发明的基板处理设备1可通过第一电极441使用具有第一频率的第一射频电源在基板S上进行处理工艺，且可通过第二电极442使用具有第二频率的第二射频电源在基板S上进行处理工艺。因此，根据本发明的基板处理设备1可被实施成使得在基板S上使用具有第一频率的第一射频电源进行处理工艺时形成的第一薄膜层以及在基板S上使用具有第二频率的第二射频电源进行处理工艺时形成的第二薄膜层具有不同的特性。因此，根据本发明的基板处理设备1被实施成能使薄膜沉积具有第一薄膜层以及第二薄膜层的每一者的优点，且第一薄膜层以及第二薄膜层的每一者的缺点得到补足。因此，根据本发明的基板处理设备1可提升其上完成处理工艺的基板S的品质。

第一频率可高于第二频率。在此情况中，第一频率可相较第二频率来说为相对较高的频率，且第二频率可相较第一频率来说为相对较低的频率。因此，当在基板S上使用具有第一频率的第一射频电源进行处理工艺时，可沉积具有提升的阶梯覆盖率的第一薄膜层。当在基板S上使用具有第二频率的第二射频电源进行处理工艺时，可沉积具有提升的密集程度的第二薄膜层。如上所述，可沉积第一薄膜层以及第二薄膜层，因此根据本发明的基板处理设备1可沉积使阶梯覆盖率以及密集程度皆优异的薄膜。并且，在基板S上进行处理工艺的过程中，可能会因应力被施加至基板S而使基板S朝上或朝下弯曲，且通过使用具有第一频率的第一射频电源以及具有第二频率的第二射频电源，根据本发明的基板处理设备1可降低施加至基板S的应力。因此，根据本发明的基板处理设备1可减缓基板S中产生弯曲变形的程度，进而进一步提升其上完成处理工艺的基板S的品质。举例来说，第一频率可为13.56MHz或更高以及100MHz或更低，第二频率可为10kHz或更高以及4MHz或更低。举例来说，可将1kW或更高以及5kW或更低的第一射频电源施加至第一电极441，且可将1kW或更高以及15kW或更低的第二射频电源施加至第二电极。

第二电极442及第一电极441可形成为具有相同的面积。因此，在具有第二频率的第二射频电源被施加至第二电极442的情况以及具有第一频率的第一射频电源被施加至第一电极441的情况的每一者中，在基板S上进行处理工艺的效率可被实施成大致恒定的。第二电极442的面积可为对应于面对基板支撑部3的第二电极442的底面的面积。第一电极441的面积可为对应于面对基板支撑部3的第一电极441的底面的面积。

于此，第一电极441可包含第一连接凸部441a。第一连接凸部441a可从第一电极441的顶面朝上凸出。第一连接凸部441a可被插设到形成在顶电极43中的第一穿孔432中。第一穿孔432形成为穿过顶电极43。因此，设置于顶电极43之下的第一电极441以及设置于顶电极43之上的电源施加单元5可通过插设在第一穿孔432中的第一连接凸部441a彼此电连接。因此，根据本发明的基板处理设备1被实施成将第一射频电源施加至第一电极441，同时防止接地的顶电极43中产生短路。并且，电源施加单元5可设置于顶电极43之上，因此根据本发明的基板处理设备1可提升配置电源施加单元5的容易程度。电源施加单元5可设置于腔体2之外。电源施加单元5可包含连接于第一电极441的第一施加机构51以使第一射频电源能被施加至第一电极441。第一施加机构51可电连接于插设在第一穿孔432中的第一连接凸部441a，因此可通过第一连接凸部441a将具有第一频率的第一射频电源施加至第一电极441。

第一电极441可形成为半圆形板状。在此情况中，第一连接凸部441a可邻设于第一电极441的中心。因此，第一电极441中相对第一电极441的中心沿不同方向设置的多个部分与第一连接凸部441a相隔的距离的偏差可减小。因此，根据本发明的基板处理设备1可提升施加至第一电极441中相对第一电极441的中心沿不同的方向设置的多个部分的第一射频电源的均匀度。第一连接凸部441a可设置于第一电极441的中心。

第二电极442可包含第二连接凸部442a。第二连接凸部442a可从第二电极442的顶面朝上凸出。第二连接凸部442a可被插设到形成于顶电极43中的第二穿孔433中。第二穿孔433形成为在与第一穿孔432分离的位置穿过顶电极43。因此，设置于顶电极43之下的第二电极442以及设置于顶电极43之上的电源施加单元5可通过插设在第二穿孔433中的第二连接凸部442a彼此电连接。因此，根据本发明的基板处理设备1被实施成将第二射频电源施加到第二电极442，同时防止接地的顶电极43中产生短路。电源施加单元5可包含连接于第二电极442的第二施加机构52以使第二射频电源能被施加至第二电极442。第二施加机构52可电连接于插设在第二穿孔433中的第二连接凸部442a，因此可通过第二连接凸部442a将具有第二频率的第二射频电源施加至第二电极442。

第二电极442可形成为半圆形板状。在此情况中，第二连接凸部442a可邻设于第二电极442的中心。因此，第二电极442中相对第二电极442的中心沿不同方向设置的多个部分与第二连接凸部442a相隔的距离的偏差可减小。因此，根据本发明的基板处理设备1可提升施加至第二电极442中相对第二电极442的中心沿不同方向设置的多个部分的第二射频电源的均匀性。第二连接凸部442a可设置于第二电极442的中心。

第二电极442及第一电极441可彼此间隔地设置。绝缘件45可设置于第二电极442及第一电极441之间。绝缘件45可令第二电极442绝缘于第一电极441。绝缘件45可耦接于顶电极43。绝缘件45可耦接于顶电极43而有一部分凸出于顶电极43之下，因此可设置于第二电极442及第一电极441之间。绝缘件45可包含第一绝缘件451及第二绝缘件452。第一绝缘件451及第二绝缘件452可于不同的位置设置于第二电极442及第一电极441之间。第一绝缘件451及第二绝缘件452可相对顶电极43的中心部彼此分离。

如图6所示，第二电极442及第一电极441可形成为一体成型。因此，底电极44可作为一个电极实施。于此情况中，电源施加单元5可根据预设的工艺顺序选择性地将射频电源施加至第一电极441及第二电极442。电源施加单元5可使用第一施加机构51将具有第一频率的第一射频电源施加至第一电极441。因此，具有第一频率的第一射频电源可被施加至第一电极441及第二电极442，因此可进行使用具有第一频率的第一射频电源的处理工艺。在此情况中，电源施加单元5没有将第二射频电源施加至第二电极442。电源施加单元5可使用第二施加机构52将具有第二频率的第二射频电源施加至第二电极442。因此，具有第二频率的第二射频电源可被施加至第二电极442及第一电极441，因此可进行使用具有第二频率的第二射频电源的处理工艺。

此外，如图5所示，在第二电极442及第一电极441形成为彼此间隔的情况中，电源施加单元5可将射频电源施加至第一电极441及第二电极442中的至少一者。电源施加单元5可使用第一施加机构51将具有第一频率的第一射频电源施加至第一电极441，且可使用第二施加机构52将具有第二频率的第二射频电源施加至第二电极442。因此，使用具有第一频率的第一射频电源的处理工艺可在第一处理空间110中进行，且使用具有第二频率的第二射频电源的处理工艺可在第二处理空间120中进行。电源施加单元5可使用第一施加机构51将具有第一频率的第一射频电源施加至第一电极441，且可不使用第二施加机构52将第二射频电源施加至第二电极442。并且，电源施加单元5可使用第二施加机构52将具有第二频率的第二射频电源施加至第二电极442，且可不使用第一施加机构51将第一射频电源施加至第一电极441。

请参阅图1至图7，根据本发明的基板处理设备1可包含旋转单元7。

旋转单元7使基板支撑部3旋转。旋转单元7可使基板支撑部3相对转轴3a旋转，以使由基板支撑部3支撑的基板S相对转轴3a旋转。因此，由基板支撑部3支撑的基板S可通过位于第一电极441之下的区域以及位于第二电极442之下的区域。因此，可在通过位于第一电极441之下的区域的基板S上进行使用第一频率的处理工艺，且可在通过位于第二电极442之下的区域的基板S上进行使用第二频率的处理工艺。也就是说，随着基板S依序通过第一处理空间110以及第二处理空间120，可在基板S上进行使用具有不同频率的射频电源的处理工艺。在此情况中，电源施加单元5可将具有第一频率的第一射频电源施加至第一电极441，且可将具有第二频率的第二射频电源施加至第二电极442。

此外，在电源施加单元5将具有第一频率的第一射频电源施加至第一电极441且没有将第二射频电源施加至第二电极442的情况中，可仅在由基板支撑部3支撑的基板S通过位于第一电极441之下的区域时，进行使用第一频率的处理工艺。在电源施加单元5将具有第二频率的第二射频电源施加至第二电极442且没有将第一射频电源施加至第一电极441的情况中，可仅在由基板支撑部3支撑的基板S通过位于第二电极442之下的区域时，进行使用第二频率的处理工艺。

请参阅图1至图8，根据本发明的基板处理设备1可包含检测单元6。

检测单元6设置成插入到顶电极43及底电极44中。检测单元6可设置于第一电极441及第二电极442之间。检测孔61可形成于检测单元6。检测孔61可形成为穿过检测单元6。因此，根据本发明的基板处理设备1被实施成能在腔体2的外部通过检测孔61来检查腔体2的内部。举例来说，根据本发明的基板处理设备1可被实施成能透过检测孔61检测通过位于检测孔61之下的区域的基板S的温度。根据本发明的基板处理设备1可被实施成能透过检测孔61检测通过位于检测孔61之下的区域的基板S的变形程度。包含检测孔61的透明窗62可耦接于检测单元6的顶端。

检测单元6可插设于第一绝缘件451中。检测单元6可由绝缘材料形成。在此情况中，检测单元6可被实施成具有将第一电极441绝缘于第二电极442的绝缘功能，并具有使用检测孔61的检测功能。在检测单元6由绝缘材料形成的情况中，根据本发明的基板处理设备1可被实施成使得检测单元6在无需第一绝缘件451的情况下将第一电极441绝缘于第二电极442。

如上所述的本发明并不限于上述的实施例以及附图，且本领域技术人员将清楚意识到在不脱离本发明的范围以及精神之情况下，可进行各种修改、变形以及替换。

Claims (13)

1.一种用于处理基板的设备，所述设备包含：

腔体；

基板支撑部，于所述腔体中支撑一或多个基板；

顶电极，设置于所述基板支撑部之并与所述基板支撑部对向设置；以及

底电极，设置于所述顶电极之下并与所述顶电极分离，

其中

所述顶电极通过第一气体流动路径喷射第一气体并通过与所述第一气体流动路径空间分离的第二气体流动路径喷射第二气体，并且

所述底电极包含：

第一电极，具有第一频率的第一射频电源被施加至所述第一电极；以及

第二电极，具有相异于所述第一频率的第二频率的第二射频电源被施加至所述第二电极。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述第一电极及所述第二电极形成为具有相同的面积。

3.如权利要求1所述的设备，其中所述第一频率高于所述第二频率。

4.如权利要求3所述的设备，其中

所述第一频率为13.56MHz或更高且为100MHz或更低，并且

所述第二频率为10kHz或更高且为4MHz或更低。

5.如权利要求1所述的设备，其中绝缘件设置于所述第一电极以及所述第二电极之间。

6.如权利要求1所述的设备，其中

所述顶电极包含向所述基板支撑部凸出的多个凸出电极，并且

所述第一气体流动路径被设置于各个凸出电极中。

7.如权利要求6所述的设备，其中

所述底电极中形成有多个孔洞，并且

所述顶电极的所述多个凸出电极分别插设于所述多个孔洞中。

8.如权利要求1所述的设备，进一步包含使所述基板支撑部旋转的旋转单元，

其中

所述旋转单元使所述基板支撑部旋转而使得由所述基板支撑部支撑的所述基板通过位于所述第一电极之下的区域以及位于所述第二电极之下的区域，

在通过位于所述第一电极之下的区域的所述基板上进行使用所述第一频率的处理工艺，并且

在通过位于所述第二电极之下的区域的所述基板上进行使用所述第二频率的处理工艺。

9.如权利要求1所述的设备，其中

1kW或更高并且5kW或更低的所述第一射频电源被施加至所述第一电极，并且

1kW或更高并且15kW或更低的所述第二射频电源被施加至所述第二电极。

10.如权利要求1所述的设备，进一步包含穿过所述顶电极的第一穿孔以及在与所述第一穿孔分离的位置穿过所述顶电极的第二穿孔，

其中

所述第一电极包含第一连接凸部，所述第一连接凸部插设于所述第一穿孔中并连接于通过所述第一连接凸部施加所述第一射频电源的第一施加机构，以及

所述第二电极包含第二连接凸部，所述第二连接凸部插设于所述第二穿孔中并连接于通过所述第二连接凸部施加所述第二射频电源的第二施加机构。

11.如权利要求8所述的设备，进一步包含设置于所述第一电极以及所述第二电极之间的检测单元，以及形成为穿过所述检测单元的检测孔，

其中

所述检测单元插设于所述顶电极以及所述底电极中，并且

所述旋转单元使所述基板支撑部旋转而使得所述基板通过位于所述检测孔之下的区域。

12.一种用于处理基板的设备，所述设备包含：

腔体；

基板支撑部，于所述腔体中支撑一或多个基板；

气体喷射单元，设置于所述基板支撑部之上并与所述基板支撑部对向设置；以及

电源施加单元，用于施加射频电源，

其中

所述气体喷射单元包含顶电极以及底电极，所述顶电极包含空间上彼此分离的第一气体流动路径以及第二气体流动路径，所述底电极设置于所述顶电极及所述基板支撑部之间，

所述底电极包含设置于所述顶电极之下的第一电极以及第二电极，并且

所述电源施加单元包含第一施加机构以及第二施加机构，所述第一施加机构连接于所述第一电极以将具有第一频率的第一射频电源施加至所述第一电极，所述第二施加机构连接于所述第二电极以将具有第二频率的第二射频电源施加至所述第二电极。

13.如权利要求12所述的设备，其中所述电源施加单元将射频电源施加至所述第一电极以及所述第二电极中的至少一者。

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