KR20050080444A - 균일한 대면적 플라즈마 발생을 위한 전원공급장치 - Google Patents

균일한 대면적 플라즈마 발생을 위한 전원공급장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 RF출력을 발생하는 발진기와; 일단은 상기 발진기에 연결되며, 상기 발진기의 내부 임피던스와 부하임피던스를 매칭하기 위한 임피던스 정합기와; 플라즈마 전극과; 제 1 피드라인을 통해 상기 임피던스 정합기로부터 공급되는 RF출력을 상기 플라즈마 전극의 다수 지점에 공급하는 RF출력 분배기를 포함하는 전원공급장치를 제공한다.
본 발명에 의하면 플라즈마 전극와 서셉터 사이에 형성되는 RF전기장의 균일성을 향상시킬 수 있게 되어, 박막증착, 에칭 등의 공정에 있어서 공정 균일도를 크게 향상시킬 수 있게 된다.

Description

균일한 대면적 플라즈마 발생을 위한 전원공급장치{Power supply apparatus for generating uniform large-size plasma}
본 발명은 대면적 LCD기판의 처리를 위한 공정챔버에서 RF전원을 공급하는 전원공급장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마 전극상의 다수의 지점에 RF전원을 인가하기 위한 장치에 관한 것이다.
일반적으로 LCD기판을 제조하기 위해서는, 박막증착, 식각, 세정 등의 공정을 수회 내지 수백회 반복하여야 하는데, 이러한 공정을 수행하는 방법에는 여러 가지가 있으나, 일반적으로 균일도 및 계단도포성(step coverage) 등이 좋은 CVD(Chemical Vapor Deposition)법이 흔히 사용되며, 그 중에서도 저온증착이 가능하고 박막형성속도가 빠른 장점 때문에 플라즈마를 이용한 PECVD(Plasma Enhanced CVD)법이 최근 많이 이용된다.
플라즈마를 이용하는 LCD기판 처리장치에는 플라즈마 발생을 위해 RF전원과, 임피던스정합기(Impedance Matching Box, I.M.B)와, RF전원이 인가되어 소스가스에 RF출력을 공급하는 플라즈마 전극 등을 포함하는 전원공급장치가 필요하다. 플라즈마를 이용하는 LCD기판 처리장치에는 박막증착을 위한 PECVD장치 뿐만아니라, 식각공정을 수행하는 에처(Etcher), 세정공정을 수행하는 건식 세정기 등이 있다.
도 1은 종래 LCD기판 처리장치의 개략적인 구성도로서, 공정순서대로 간략히 설명하면 다음과 같다.
먼저 로봇암(미도시)에 의해 LCD기판(30)이 공정챔버(10)의 내부에 설치된 서셉터(20)의 상면에 안착되면, 반응가스가 미도시된 가스공급관을 통해 공정챔버 내부로 유입되어 분사되고, 상기 분사된 가스는 RF전원(50)으로부터 임피던스정합기(60), 제1 피드라인(70)을 거쳐, 플라즈마전극(40)으로 공급되는 RF출력에 의해 플라즈마 활성종으로 여기된다. 이와 같이 생성된 플라즈마 활성종은 LCD기판(30)에 증착되거나 반응하며, 공정이 완료된 후에는 배기구(80)를 통해 배출된다.
한편 플라즈마전극(40)은 가스분사를 위한 샤워헤드나 서셉터(20)와 일체로 형성되는 경우도 있고, 샤워헤드 및 서셉터(20) 모두에 형성되는 경우도 있다. 도 1은 플라즈마전극(40)이 샤워헤드와 일체로 형성되는 경우로서, 서셉터(20) 및 이와 전기적으로 연결된 챔버측벽(11)과 챔버리드(12)는 접지된 상태임을 도시하고 있다.
RF출력의 전달과정을 살펴보면, 공정균일도를 고려하여 RF출력은 통상 플라즈마 전극(40)의 중심부분으로 인가되는데, 인가된 RF출력은 표피효과로 인해 전극의 표면을 통해서 전달되고, 플라즈마 전극(40)과 접지된 서셉터(20) 사이에 강력한 RF전기장이 형성되어, 반응가스를 활성종으로 여기시키게 되는 것이다.
플라즈마 전극(40)과 서셉터(20) 사이에 형성되는 활성종의 균일도는 RF전기장의 균일도에 의해 직접적인 영향을 받게 되므로, RF전기장을 균일하게 형성하는 것이 아주 중요한 공정변수가 된다.
그런데 플라즈마전극(40)의 표면에는 파장효과에 의한 RF출력의 정재파가 존재하게 되므로, 전압분포가 위치에 따라 약간씩 달라지는 문제가 항상 존재한다. 한편 플라즈마전극(40)의 가장자리에서 발생하는 RF출력의 누설도 전압분포의 불균일을 초래하는 요인이 된다.
정재파의 파장에 비해 기판의 사이즈가 비교적 작은 경우에는 이로 인해 공정에 미치는 영향을 무시할 수 있었지만, 최근 1870mm*2200mm 정도의 7세대 기판이 상용화될 정도로 기판의 크기가 점차 대면적화 되고 있고, 이러한 기판의 사이즈는 RF출력의 파장에 근접하고 있어, 플라즈마 전극의 중앙에 RF출력을 인가하는 것만으로는, 플라즈마의 균일도를 확보하기가 어려워지고 있다.
도 2는 1870mm*2200mm의 기판을 안치하고 13.56MHz의 RF출력을 인가하였을 때, 플라즈마 전극(40)과 서셉터(20) 사이에, 구체적으로는 서셉터(20)의 표면으로부터 5mm 되는 위치에서 발생하는 RF전기장의 단면 분포를 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 도시한 것으로서, 영역 C가 RF전기장 세기의 평균값에 해당하는 영역이고, 영역 D는 영역 C보다 RF전기장 세기가 대략 0.2% 정도 낮은 영역이며, 영역 B는 영역 C보다 대략 0.2% 정도 높은 영역이며, 영역 A는 영역 B보다 대략 0.2% 정도 높은 영역을 나타낸다.
RF전기장의 세기는 플라즈마 전극(40)의 중앙에서 높게 나타나고, 가장자리로 갈수록 낮게 나타나는데, 이는 상술한 정재파의 영향 때문이다. 한편 전기장의 세기는 연속적으로 변화하는 것이므로, 도면과 같이 RF전기장 분포를 A,B,C,D 4개 영역으로 획일적으로 구분하는 것은 정확한 것이 아니고, 단지 도시의 편의를 위한 것임을 밝혀둔다.
이와 같은 문제점을 개선하기 위해 RF 매칭 네트워크를 수정하거나, RF 주파수를 더 낮춰 파장을 길게 만들거나 하는 방법이 제안되기도 하였으나, 이 경우 전기적인 구성이 복잡해지거나, 주파수변경으로 인해 박막 특성에 영향을 미치는 문제가 있다.
본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위한 것으로서, 플라즈마 전극과 서셉터 사이에 발생하는 RF전기장의 균일도를 향상시킬 수 있도록 RF출력을 대칭적으로 공급할 수 있는 전원공급장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 이러한 목적을 달성하기 위해서, RF출력을 발생하는 발진기와; 일단은 상기 발진기에 연결되며, 상기 발진기의 내부 임피던스와 부하임피던스를 매칭하기 위한 임피던스 정합기와; 플라즈마 전극과; 상기 임피던스 정합기로부터 제1 피드라인을 통해 RF출력을 전달받아, 상기 플라즈마 전극의 다수 지점에 공급하는 RF출력 분배기를 포함하는 전원공급장치를 제공한다.
여기서, 상기 RF출력은 상기 플라즈마 전극의 다수 지점에 대칭적으로 공급될 수 있다.
상기 RF출력 분배기는 상면 중심부가 상기 제 1 피드라인과 연결되는 평판 형상의 분배부와; 상기 분배부 하면과 플라즈마 전극을 연결하는 다수의 제 2 피드라인을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 다수의 제 2 피드라인은 원기둥 형상이거나, 판(plate) 형상으로 구성될 수 있으며, 판 형상으로 구성될 경우 서로 마주보며 상기 분배부와 플라즈마 전극의 가장자리를 연결하는 제 1 및 제 2 판으로 이루어지도록 구성하거나, 서로 마주보며 상기 분배부와 플라즈마 전극의 가장자리를 연결하는 두쌍의 제 1 내지 제 4 판으로 이루어지도록 구성할 수 있다.
한편, 상기 RF출력 분배기는 상기 제 1 피드라인과 연결되는 방사형 형태의 분배부와; 상기 분배부와 상기 플라즈마 전극을 연결하는 다수의 제3 피드라인을 포함할 수 있다.
또한, 상기 RF출력 분배기는 상기 제 1 피드라인과 연결되는 방사형 형태의 제 1 분배부와; 상기 제 1 분배부로부터 분기되는 제 2 분배부와; 상기 제 1 및 제 2 분배부 각각과 상기 플라즈마 전극을 연결하는 다수의 제3 피드라인을 포함할 수도 있다.
그리고, 상기 다수의 제 3 피드라인을 통하여 상기 플라즈마 전극까지 RF출력이 공급되는 각 경로의 길이는 동일하도록 구성할 수 있다.
한편, 또 다른 실시예에서 본 발명은, RF출력을 발생하는 발진기와; 일단은 상기 발진기에 연결되며, 상기 발진기의 내부 임피던스와 부하임피던스를 매칭하기 위한 임피던스 정합기와; 상기 임피던스 정합기의 타단이 연결되며, 기판을 처리하는 공정 챔버와; 상기 공정챔버 상부에 배치되며, 제 1 피드라인을 통해 상기 임피던스 정합기로부터 RF출력을 공급받는 분배부와; 상기 공정챔버 내부에 배치되는 플라즈마 전극과; 상기 분배부와 상기 플라즈마 전극을 연결하는 다수의 제 2 피드라인과; 상기 공정챔버 내부의 플라즈마 전극 하부에 배치되어 상기 기판이 안착되는 서셉터를 포함하는 플라즈마 장치를 공급한다.
이하에서는 도면을 참고로 하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전원공급장치의 단면을 도시한 것으로서, 편의상 공정챔버(10)의 하부는 도시를 생략하였다. 도면에 의하면 임피던스 정합기(60)와 플라즈마 전극(40)의 사이에는 RF출력 분배기(100)가 위치하는데, 상기 RF출력 분배기(100)는 챔버리드(12)의 상부에 위치하는 평판형상의 RF출력 분배부(102)과, 상기 RF출력 분배부(102)의 하면과 플라즈마 전극(40)을 연결하는 다수의 제 2 피드라인(104)을 포함하고 있다. 상기 다수의 제 2 피드라인(104)은 원기둥 형상으로 형성될 수 있다.
RF출력 분배부(102)은 제 1 피드라인(70)에 의해 RF출력을 전달받으며, 제 1 피드라인(70)은 일단이 임피던스 정합기(60)에 연결되고 타단이 상기 RF출력 분배기(100)의 상면 중앙에 연결된다.
상기 RF출력 분배부(102)의 하면에 연결되는 다수의 제 2 피드라인(104)은 챔버 리드(12)에 형성되는 다수의 관통홀을 통해 하부의 플라즈마 전극(40)에 각 연결되며, 플라즈마 전극(40)의 다수 지점에 RF출력을 인가하는 역할을 한다. 여기서 챔버 리드(12)는 플라즈마 전극(40)과 RF출력 분배부(102)사이에서 전기장의 간섭을 방지하는 정전차폐의 역할을 하게 된다.
이상에서 RF출력 분배부(102)와 제 1, 2 피드라인(70, 104)은 도전성이 뛰어난 금속재질이어야 함은 물론이다.
한편 RF출력 분배부(102)는 별도의 하우징에 내장되어 외부의 간섭을 받지 않도록 하는 것이 바람직한데, 본 발명에서는 RF출력 분배부(102)를 내장할 수 있는 분배기 하우징(110)을 챔버리드(12)의 상부에 위치시키고, 분배기 하우징(110)의 상부에 임피던스 정합기(60)를 위치시키고 있다. 챔버리드(12)는 통상 접지된 상태이기 때문에 이에 연결되는 분배판 하우징(110)도 접지된 상태가 된다.
분배기 하우징(110)의 상면에는 제 1 피드라인(70)이 관통하는 관통홀을 두는 것이 바람직하다.
도 4는 본 발명에 따른 전원공급장치의 평면을 도시한 것으로서, RF출력 분배부(102)가 8개의 제 2 피드라인(104)을 통해 플라즈마 전극(40)과 연결되어 있음을 알 수 있다. 여기서 RF출력 분배부(102)는 직사각형의 판 형상으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것이 아님은 물론이다.
도 5는 도 4와 같은 구성의 RF출력 분배기(100)를 통해 플라즈마 전극(40)에 RF출력이 인가되는 경우에 플라즈마전극과 서셉터 사이에서 발생하는 RF전기장의 단면분포를 시뮬레이션한 결과를 도시한 것으로서, 도 2와 같은 조건, 즉 1870mm*2200mm의 기판을 서셉터에 안치하고 13.56MHz의 RF출력을 인가하였을 때 서셉터로부터 5mm되는 위치에서 RF전기장을 측정한 것이다.
이에 의하면 도 2에 비하면 중심부분의 전기장 강도가 낮아지면서, 전체적으로 평균값에 해당하는 C영역의 범위가 상당히 넓어지고, 가장자리부분에만 평균값보다 낮은 세기의 D영역이 나타나므로, A,B,C,D 4개 영역의 전기장 분포가 나타나는 종래 방식에 비하여 RF전기장의 균일도가 크게 향상되었음을 알 수 있다.
도 6은 제 2 피드라인(102)이 4개 지점에만 연결되는 경우의 평면도이고, 도 7은 이 경우의 RF전기장 분포를 도시한 것으로서, 제 2 피드라인(102)이 8개 지점에 연결된 경우에 비하면, 중앙 부분에 RF전기장이 평균치보다 높은 A'영역 및 B영역이 나타나므로, 균일도가 낮게 나타난다.
여기서 A'영역은 A영역과 B영역의 중간 정도의 세기를 가지는 RF전기장을 나타내는 것이며, 도 2와 달리 3개 영역으로만 구분되기 때문에 종래 방식에 비하면 역시 균일도가 크게 향상된 것임을 알 수 있다.
도 8 및 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 RF출력 분배기를 도시한 사시도로서, RF출력 분배기를 이루는 다수의 제 2 피드라인을 판 형상으로 형성한 것이다.
도 8에 도시한 바와 같이, RF출력 분배기(200)는 RF전력이 공급되는 제 1 피드라인(70)과 연결되는 판 형상의 RF출력 분배부(202)와, RF출력 분배부(202)와 플라즈마 전극(40)을 연결하는 다수의 제 2 피드라인(204)으로 이루어 진다.
이때, 상기 다수의 제 2 피드라인(204)은 직사각형 판 형상의 제 1 및 제 2 판(204a, 204b)으로 이루어 질 수 있는데, 제 1 및 제 2 판(204a, 204b)은 서로 마주보며 상기 RF출력 분배부(202)와 플라즈마 전극(40)의 두 가장자리를 연결하도록 형성된다.
또한, 도 9에 도시한 바와 같이, RF출력 분배기(300)는 RF전력이 공급되는 제 1 피드라인(70)과 연결되는 판 형상의 RF출력 분배부(302)와, RF출력 분배부(302)와 플라즈마 전극(40)을 연결하는 다수의 제 2 피드라인(304)으로 이루어 질 수 있는데, 이때 상기 다수의 제 2 피드라인(304)은 직사각형 판 형상의 제 1 내지 제 4 판(304a, 304b, 304c, 304d)으로 이루어 진다. 즉, 상기 다수의 제 2 피드라인(304)은 서로 마주보는 두쌍의 제 1 및 제 2 판(304a, 304b)과 제 3 및 제 4 판(304c, 304d)으로 구성되며, 이들 제 1 내지 제 4 판(304a, 304b, 304c, 304d)은 상기 RF출력 분배부(302)와 플라즈마 전극(40)의 네 가장자리를 연결하도록 형성된다.
한편, 도 8 및 9에 도시하지는 않았지만, 또 다른 실시예에서는 상기 RF출력 분배부(202, 302)와 플라즈마 전극(40)을 연결하는 다수의 제 2 피드라인(204, 304)은 직사각형 판 형상의 다수의 판으로 구성될 수도 있다. 즉, 도 9의 제 1 및 제 2 판(204a, 204b)과 도 10의 제 1 내지 제 4 판(304a, 304b, 304c, 304d) 각각은 하나의 판이 아닌 서로 이격된 다수의 판으로 구성될 수도 있다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 RF출력 분배기(400)를 도시한 것으로서, 상술한 판 형상의 RF출력 분배부(102)와 분배판 하우징(110)이나 챔버리드(12)와의 사이에 발생할 수 있는 부유 또는 기생 커패시턴스(stray capacitance)를 감소시켜, RF출력의 누설을 방지하기 위해 안출된 것이다.
즉, RF출력 분배기(400)는 제 1 피드라인(70)과 연결되는 방사형 형상의 RF출력 분배부(402)와, 상기 RF출력 분배부(402)의 끝단과 플라즈마 전극(40)을 연결하는 다수의 제 3 피드라인(404)로 이루어진다.
구체적으로 살펴보면, 상술한 RF출력 분배기(400)는, 제 1 피드라인(70)으로부터 RF출력 분배부(402)가 방사형 가지(branch)로 다수 연장 분기되고, 상기 RF출력 분배부(402)는 그 끝단이 절곡되어 다수의 제 3 피드라인(404)을 이루고, 상기 다수의 제 3 피드라인(404)은 플라즈마 전극(40)과 연결되어 있다.
이때 도 10의 경우에는 상기 RF출력 분배부(402)의 다수의 방사형 가지의 일부만이 길이가 동일하지만, 도시하지는 않았지만 또 다른 실시예에서는 그 전체가 동일한 길이를 가질 수 있다. 또한, 플라즈마 전극(40)에 결합되는 위치도 전체가 플라즈마 전극(40)의 중심에 대하여 대칭적일 수도 있고, 일부만 대칭적일 수도 있다.
정확한 위치는 해당 공정에 따라 시뮬레이션을 통해 결정하는 것이 바람직하다.
또한, RF출력 분배부(402)의 다수의 방사형 가지의 분기 방향도 플라즈마 전극(40)과 평행한 것이 바람직하나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
한편 도면에서는 플라즈마 전극(40)과 RF출력 분배기(400)만을 도시하고 있으나, 플라즈마 전극(40)과 RF출력 분배기(400) 사이에는 챔버리드(12)가 존재하고, 상기 제 3 피드라인(404)은 챔버리드(12)에 형성되는 관통홀을 통해 플라즈마 전극(40)에 연결됨은 물론이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 RF출력 분배기(500)를 도시한 것으로서, 플라즈마 전극(40)과 연결되는 지점의 개수 및 위치가 도 10의 RF출력 분배기(400)와 동일한 경우를 도시하고 있다. 이때, 도 10의 RF출력분배기(400)의 방사형 가지의 길이는 동일하지 않은 구성인데 비하여, 도 11의 RF출력 분배기(500)는 제 1 피드라인(70)에서 플라즈마 전극(40)의 각 연결 지점까지 RF출력이 전달되는 경로가 모두 동일한 특징이 있다.
이를 위해 RF출력 분배기(500)는, 중심의 제 1 피드라인(70)에서 대칭적으로 분기되는 4개의 제 1 RF출력 분배부(502a)와, 상기 제 1 RF출력 분배부(502a) 각각에서 분기되는 4개의 제 2 RF출력 분배부(502b)와, 상기 제 1 및 제 2 RF출력 분배부(502a, 502b) 각각의 끝단에서 절곡되어 플라즈마 전극(40)에 연결되는 다수의 제 3 피드라인(504)으로 구성될 수 있다. 이때 제 1 피드라인(70)에서 제 1 RF출력 분배부(502a) 끝단까지의 거리와 제 1 피드라인(70)에서 제 1 RF출력 분배부(502a)를 통한 제 2 RF출력 분배부(502b) 끝단까지의 거리는 실질적으로 동일하다. 따라서, 제 1 피드라인(70)을 통해 플라즈마 전극(40)상의 각 지점에 공급되는 RF전원의 경로는 동일하며, 이에 따라 RF전원이 플라즈마 전극(40)상의 각 지점에 동시에 인가되는 장점이 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자에 의해 다양한 변경이나 수정이 가능하며 그러한 변경이나 수정이 본 발명의 기술적사상을 기초로 하는 한 본 발명의 권리범위에 속하게 됨은 당연하다.
본 발명에 의하면 플라즈마 전극와 서셉터 사이에 형성되는 RF전기장의 균일성을 향상시킬 수 있게 되어, 박막증착, 에칭 등의 공정에 있어서 공정 균일도를 크게 향상시킬 수 있게 된다.
도 1은 종래 PECVD장치의 개략적인 구성도
도 2는 종래 방식에서 플라즈마 전극과 서셉터 사이에 형성되는 전기장 분포도
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전원공급장치의 구성도
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 전원공급장치의 평면도
도 5는 도 4의 경우에 형성되는 전기장 분포도
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따라 플라즈마 전극에 전원이 인가되는 위치를 도시한 평면도
도 7은 도 6의 경우에 형성되는 전기장 분포도
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 RF출력분배기의 사시도
도 9은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 RF출력분배기의 사시도
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 RF출력분배기의 사시도
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 RF출력분배기의 사시도
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10 : 공정챔버 11 : 챔버측벽
12 : 챔버리드(lid) 20 : 서셉터
30 : LCD기판 40 : 플라즈마전극
50 : RF전원 60 : 임피던스 정합기
70 : 제1 피드라인 80 : 배기구
100, 200, 300, 400, 500 : RF출력 분배기
102, 202, 302, 402 : RF출력 분배부
502a : 제 1 RF출력 분배부 502b : 제 2 RF출력 분배부
104, 204, 304 : 제2 피드라인 110 : 분배기 하우징
404, 504 : 제3 피드라인

Claims (11)

  1. RF출력을 발생하는 발진기와;
    일단은 상기 발진기에 연결되며, 상기 발진기의 내부 임피던스와 부하임피던스를 매칭하기 위한 임피던스 정합기와;
    플라즈마 전극과;
    제 1 피드라인을 통해 상기 임피던스 정합기로부터 공급되는 RF출력을 상기 플라즈마 전극의 다수 지점에 공급하는 RF출력 분배기
    를 포함하는 전원공급장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 RF출력은 상기 플라즈마 전극의 다수 지점에 대칭적으로 공급되는 전원공급장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 RF출력 분배기는
    상면 중심부가 상기 제 1 피드라인과 연결되는 평판 형상의 분배부와;
    상기 분배부 하면과 플라즈마 전극을 연결하는 다수의 제 2 피드라인
    을 포함하는 전원공급장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 다수의 제 2 피드라인은 원기둥 형상인 전원공급장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 다수의 제 2 피드라인은 판(plate) 형상인 전원공급장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 다수의 제 2 피드라인은 서로 마주보며 상기 분배부와 플라즈마 전극의 가장자리를 연결하는 제 1 및 제 2 판으로 이루어지는 전원공급장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 다수의 제 2 피드라인은 서로 마주보며 상기 분배부와 플라즈마 전극의 가장자리를 연결하는 두쌍의 제 1 내지 제 4 판으로 이루어지는 전원공급장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 RF출력 분배기는
    상기 제 1 피드라인과 연결되는 방사형 형태의 분배부와;
    상기 분배부와 상기 플라즈마 전극을 연결하는 다수의 제3 피드라인
    을 포함하는 전원공급장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 RF출력 분배기는
    상기 제 1 피드라인과 연결되는 방사형 형태의 제 1 분배부와;
    상기 제 1 분배부로부터 분기되는 제 2 분배부와;
    상기 제 1 및 제 2 분배부 각각과 상기 플라즈마 전극을 연결하는 다수의 제3 피드라인
    을 포함하는 전원공급장치.
  10. 제 8 항과 제 9 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 다수의 제 3 피드라인을 통하여 상기 플라즈마 전극까지 RF출력이 공급되는 각 경로의 길이는 동일한 전원공급장치.
  11. 기판을 처리하는 공정 챔버와;
    상기 공정 챔버 외부에서 RF출력을 발생하는 발진기와;
    일단은 상기 발진기에 연결되며, 상기 발진기의 내부 임피던스와 부하임피던스를 매칭하기 위한 임피던스 정합기와;
    상기 임피던스 정합기의 타단에 연결되는 제 1 피드라인과;
    상기 공정챔버 상부에서 상기 제 1 피드라인에 연결되는 분배부와;
    상기 공정챔버 내부에 배치되는 플라즈마 전극과;
    상기 분배부와 상기 플라즈마 전극을 연결하고, 상기 RF출력을 상기 플라즈마 전극의 다수 지점에 공급하는 다수의 제 2 피드라인과;
    상기 공정챔버 내부의 플라즈마 전극 하부에 배치되어 상기 기판이 안착되는 서셉터
    를 포함하는 플라즈마 장치.
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