CN115548224A - 一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 170
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 652
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 32
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 32
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 25
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 18
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 16
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 14
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 14
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 12
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 8
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 7
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 7
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 308
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 24
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 10
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- DTSBBUTWIOVIBV-UHFFFAOYSA-N molybdenum niobium Chemical compound [Nb].[Mo] DTSBBUTWIOVIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80517—Multilayers, e.g. transparent multilayers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/221—Static displays, e.g. displaying permanent logos
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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Abstract
本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置，显示基板包括设置在基底上的发光结构层，发光结构层包括依次叠设的阳极层、第一膜层组和第二膜层组，阳极层包括一个或多个阳极，第一膜层组包括OLED器件中位于阳极和阴极之间的至少一个膜层，第二膜层组包括阴极，以及OLED器件中位于阳极和阴极之间的至少一个膜层；第二膜层组在基底上的正投影包含第一膜层组在基底上的正投影，第一膜层组中所有膜层的交叠部分作为第一膜层组的第一部分，第一膜层组的第一部分的覆盖在阳极表面且与阳极表面直接接触的部分在基底上的正投影区域为显示基板的发光区域，第一膜层组的边缘与第二膜层组的边缘之间的距离在多个位置处不同。
Description
技术领域
本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置。
背景技术
一些有机电致发光二极管(OLED)显示装置的发光结构层中，位于阳极和阴极之间的膜层采用蒸镀工艺形成，在蒸镀过程中使用金属遮罩把基板上需要沉积材料的区域暴露在蒸镀材料蒸汽中，并遮住不需要沉积蒸镀材料的区域，如此可以在基板上形成图案与遮罩开口相同的膜层，按照OLED器件的膜层结构依次在相同的位置沉积相应膜层，最终形成可发光的OLED器件叠层结构，以及在基板上形成相应形状(可以是多个OLED器件排布形成的等效图形)的发光区域。但是，如图1所示，对于基板1’上某些形状的发光区域2’而言，如边缘形状复杂、曲率变化大、无任何对称性，以及舌形、环形等类似形状，制作相应形状的金属遮罩的难度大，存在金属遮罩的开口易形变、尺寸不易精确控制、不能一次成形等问题，因此，不易实现平面尺寸准确控制的膜层形状。
发明内容
本公开实施例提供一种显示基板，包括：设置在基底上的驱动电路层和设于所述驱动电路层的远离所述基底一侧的发光结构层，所述驱动电路层包括像素驱动电路，所述发光结构层包括与所述像素驱动电路连接的OLED器件，所述OLED器件包括依次叠设的阳极、发光功能层和阴极，所述发光功能层包括叠设的多个膜层；所述发光结构层包括依次叠设的阳极层、第一膜层组和第二膜层组，所述阳极层包括一个或多个所述阳极，所述第一膜层组包括所述发光功能层中的至少一个膜层，所述第二膜层组包括所述发光功能层中的至少一个膜层和所述阴极；所述第二膜层组在所述基底上的正投影包含所述第一膜层组在所述基底上的正投影，所述第一膜层组中所有膜层的交叠部分作为所述第一膜层组的第一部分，所述第一膜层组的第一部分的覆盖在所述阳极表面且与所述阳极表面直接接触的部分在所述基底上的正投影区域为所述显示基板的发光区域，所述第二膜层组的未与所述第一膜层组的第一部分交叠的部分在所述基底上的正投影区域设置为不发光；所述第一膜层组的边缘与所述第二膜层组的边缘之间的距离在多个位置处不同。
可选地，所述发光功能层包括发光层，以及下述膜层中的任意一个或多个：空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层。
可选地，所述第一膜层组或所述第二膜层组包括所述发光层。
可选地，所述第一膜层组包括所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述电子阻挡层中的任意一个或多个。
可选地，所述第二膜层组包括所述空穴阻挡层、所述电子传输层和所述电子注入层中的任意一个或多个。
可选地，所述第一膜层组包括两个或两个以上数目的膜层，所述第一膜层组中的任意两个膜层在所述基底上的正投影包含相同数目和位置的所述阳极在所述基底上的正投影。
可选地，所述第二膜层组的未与所述第一膜层组交叠的部分中的一部分覆盖在所述阳极表面。
可选地，所述第一膜层组的膜面连续或者不连续。
可选地，所述第二膜层组的任意一个膜层为一体结构。
可选地，所述第一膜层组的膜层采用喷墨打印、喷涂、原位生长、曝光显影和激光烧蚀中的任意一种或多种工艺形成。
可选地，所述发光结构层还包括设于所述阳极层的背离所述基底一侧的像素定义层，所述像素定义层包括多个沿第一方向延伸的第一分隔部和多个沿第二方向延伸的第二分隔部，所述多个第一分隔部和所述多个第二分隔部相互交叉限定出多个像素开口，所述像素开口将所述阳极表面暴露出；所述第一分隔部的厚度大于所述第二分隔部的厚度，所述第一膜层组被所述第一分隔部隔断。
可选地，所述第一分隔部在所述第二方向上的宽度大于等于10微米。
可选地，所述第二分隔部在所述第一方向上的宽度大于等于20微米。
可选地，所述第一膜层组的第一部分至少具有第一膜厚和第二膜厚，所述第一膜厚大于所述第二膜厚；
所述第一膜层组的第一部分的覆盖在所述第二分隔部上的部分具有所述第一膜厚，所述第一膜层组的第一部分的覆盖在所述阳极表面且与所述阳极表面直接接触的部分具有所述第二膜厚。
可选地，所述第一膜层组的厚度为10nm至300nm。
本公开实施例还提供一种显示面板，包括任一实施例所述的显示基板。
本公开实施例还提供一种显示装置，包括任一实施例所述的显示基板。
本公开实施例还提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括OLED器件，所述OLED器件包括依次叠设的阳极、发光功能层和阴极，所述发光功能层包括叠设的多个膜层；所述制备方法包括：
在基底上形成驱动电路层，所述驱动电路层包括像素驱动电路；
在所述驱动电路层的远离所述基底一侧形成阳极层，所述阳极层包括一个或多个所述阳极；
在所述阳极的背离所述基底的表面形成第一膜层组，所述第一膜层组包括所述发光功能层中的至少一个膜层；
在所述第一膜层组的背离所述基底的表面形成第二膜层组，所述第二膜层组包括所述发光功能层中的至少一个膜层和所述阴极；
其中，所述第二膜层组在所述基底上的正投影包含所述第一膜层组在所述基底上的正投影，所述第一膜层组中所有膜层的交叠部分作为所述第一膜层组的第一部分，所述第一膜层组的第一部分的覆盖在所述阳极表面且与所述阳极表面直接接触的部分在所述基底上的正投影区域为所述显示基板的发光区域，所述第二膜层组的未与所述第一膜层组的第一部分交叠的部分在所述基底上的正投影区域设置为不发光；所述第一膜层组的边缘与所述第二膜层组的边缘之间的距离在多个位置处不同。
可选地，所述第一膜层组的膜层采用喷墨打印、喷涂、原位生长、曝光显影和激光烧蚀中的任意一种或多种工艺形成。
可选地，所述第二膜层组的任意一个膜层为一体结构，所述第二膜层组的膜层采用蒸镀工艺或化学气相沉积工艺形成。
本公开实施例的显示基板，发光结构层包括依次叠设的阳极层、第一膜层组和第二膜层组，阳极层包括一个或多个阳极，第一膜层组包括OLED器件中位于阳极和阴极之间的至少一个膜层，第二膜层组包括阴极，以及OLED器件中位于阳极和阴极之间的至少一个膜层，第二膜层组在基底上的正投影包含第一膜层组在基底上的正投影，第一膜层组中所有膜层的交叠部分作为第一膜层组的第一部分，第一膜层组的第一部分的覆盖在阳极表面且与阳极表面直接接触的部分在基底上的正投影区域为显示基板的发光区域，第二膜层组的未与第一膜层组的第一部分交叠的部分在基底上的正投影区域设置为不发光，如此，可以通过限定第一膜层组的第一部分的形状来限定显示基板的发光区域的形状，当显示基板的发光区域的形状为不规则图形时，只需将第一膜层组的第一部分的形状制备成相应的不规则图形即可，从而不需要将第二膜层组的膜层的形状制备成相应的不规则图形，降低第二膜层组的制备难度，此外，第一膜层组的膜层材料可以选择能采用蒸镀工艺以外的成膜工艺制备膜层的材料，实现蒸镀工艺不易形成的膜层图案的制备，这样可降低发光结构层的制备难度，较为方便地形成仅靠蒸镀工艺难以形成的发光区域图形。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。附图中部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
图1为一些不同形状的发光区域的基板的结构示意图；
图2为一些示例性实施例的显示基板的平面结构示意图；
图3为在一些示例性实施例中图2中的A-A剖面结构示意图；
图4a为在一些示例性实施例中在基底上形成驱动电路层和隔垫柱后的平面结构示意图；
图4b为在一些示例性实施例中图4a中的A-A剖面结构示意图；
图5a为在一些示例性实施例中在阳极上形成第一膜层组后的平面结构示意图；
图5b为在一些示例性实施例中图5a中的A-A剖面结构示意图；
图6为另一些示例性实施例的显示基板的平面结构示意图；
图7为又一些示例性实施例的显示基板的平面结构示意图；
图8为又一些示例性实施例的显示基板的平面结构示意图。
附图标记为：
1’、基板，2’、发光区域；
51、第一膜层组，52、第二膜层组；
101、基底，102、驱动电路层，103、发光结构层，104、封装结构层，201、驱动晶体管，202、存储电容，301、阳极，302、像素定义层，303、空穴注入层，304、空穴传输层，305、发光层，306、电子注入层，307、阴极，401、第一封装层，402、第二封装层，403、第三封装层。
具体实施方式
本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开实施例的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开实施例技术方案的精神和范围，均应涵盖在本公开的权利要求范围当中。
本公开实施例提供一种显示基板，在一些示例性实施例中，如图2和图3所示，图2为一些示例性实施例的显示基板的平面结构示意图，图3为在一些示例性实施例中图2中的A-A剖面结构示意图，所述显示基板包括：设置在基底101上的驱动电路层102和设于所述驱动电路层102的远离所述基底101一侧的发光结构层103，所述驱动电路层102包括像素驱动电路，所述发光结构层103包括与所述像素驱动电路连接的OLED器件，所述OLED器件包括依次叠设的阳极301、发光功能层和阴极307，所述发光功能层包括叠设的多个膜层；所述发光结构层103包括依次叠设的阳极层、第一膜层组51和第二膜层组52，所述阳极层包括一个或多个所述阳极301，所述第一膜层组51包括所述发光功能层中的至少一个膜层，所述第二膜层组52包括所述发光功能层中的至少一个膜层和所述阴极307；所述第二膜层组52在所述基底101上的正投影包含所述第一膜层组51在所述基底101上的正投影，所述第一膜层组51中所有膜层的交叠部分作为所述第一膜层组51的第一部分，所述第一膜层组51的第一部分的覆盖在所述阳极301表面且与所述阳极301表面直接接触的部分在所述基底101上的正投影区域为所述显示基板的发光区域，所述第二膜层组52的未与所述第一膜层组51的第一部分交叠的部分在所述基底101上的正投影区域设置为不发光；所述第一膜层组51的边缘与所述第二膜层组52的边缘之间的距离在多个位置处不同。
本公开实施例中，显示基板的发光区域可理解为显示基板的显示区域，发光区域的形状可理解为显示基板的显示区域的形状。图2的示例中，显示基板的发光区域大致为虚线椭圆区域除去中间位置的虚线所围成的区域后剩下的区域。本公开实施例中，第一膜层组51的第一部分的形状可以设置成任意所期望的形状，第一膜层组51的边缘轮廓形状可以是规则形状或不规则形状，第二膜层组52的边缘轮廓形状可以是规则形状。
本公开实施例的显示基板，发光结构层103包括依次叠设的阳极层、第一膜层组51和第二膜层组52，阳极层包括一个或多个阳极301，第一膜层组51包括OLED器件中位于阳极301和阴极307之间的至少一个膜层，第二膜层组52包括阴极307，以及OLED器件中位于阳极301和阴极307之间的至少一个膜层，第二膜层组52在基底101上的正投影包含第一膜层组51在基底101上的正投影，第一膜层组51中所有膜层的交叠部分作为第一膜层组51的第一部分，第一膜层组51的第一部分的覆盖在阳极301表面(本文中，阳极301表面是指阳极301的背离所述基底101的表面)且与阳极301表面直接接触的部分在基底101上的正投影区域为显示基板的发光区域，第二膜层组52的未与第一膜层组51的第一部分交叠的部分在基底101上的正投影区域设置为不发光，如此，可以通过限定第一膜层组51的第一部分的形状来限定显示基板的发光区域的形状，当显示基板的发光区域的形状为不规则图形时，只需将第一膜层组51的第一部分的形状制备成相应的不规则图形即可，从而不需要将第二膜层组52的膜层的形状制备成相应的不规则图形，降低第二膜层组52的制备难度，此外，第一膜层组51的膜层材料可以选择能采用蒸镀工艺以外的成膜工艺制备膜层的材料，实现蒸镀工艺不易形成的膜层图案的制备，这样可降低发光结构层103的制备难度，较为方便地形成仅靠蒸镀工艺难以形成的发光区域图形。
在一些示例性实施例中，所述发光功能层包括发光层，以及下述膜层中的任意一个或多个：空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层。
本实施例的一个示例中，所述发光功能层可以包括沿远离所述阳极的方向依次叠设的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。本公开实施例中，第一膜层组的膜层和第二膜层组中除阴极之外的其余膜层按照本实施例中发光功能层中所涉及膜层的叠设顺序依次设置。
在一些示例性实施例中，所述第一膜层组或所述第二膜层组包括所述发光层。
在一些示例性实施例中，所述第一膜层组可以包括所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述电子阻挡层中的任意一个或多个。
在一些示例性实施例中，所述第二膜层组可以包括所述空穴阻挡层、所述电子传输层和所述电子注入层中的任意一个或多个。
在一些示例性实施例中，所述第一膜层组可以包括所述发光层，还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层中的任意一个或多个。本实施例的一个示例中，所述第二膜层组可以包括所述电子注入层和所述阴极。
示例性地，如图3所示，发光结构层103中，所述第一膜层组51可以包括沿远离所述阳极301的方向依次叠设的空穴注入层303、空穴传输层304和发光层305，所述第二膜层组52可以包括沿远离所述发光层305的方向依次叠设的电子注入层306和阴极307。图3中示出了三个阳极，左侧的阳极301表面未设置第一膜层组51，第二膜层组52直接覆盖在左侧的阳极301表面，则左侧的阳极301所在区域不发光；中间的阳极301和右侧的阳极301被第一膜层组51的所有膜层和第二膜层组52的所有膜层依次覆盖，则中间的阳极301和右侧的阳极301所在区域可以发光。本公开实施例中，第一膜层组51和第二膜层组52的膜层结构可以预先设计，发光结构层103中的OLED器件可以设置为缺少第一膜层组51和第二膜层组52中的任意一个或多个膜层则不发光。
在一些示例性实施例中，所述第一膜层组可以包括沿远离所述阳极的方向依次叠设的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层和发光层；所述第二膜层组可以包括沿远离所述发光层的方向依次叠设的空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极。
在一些示例性实施例中，所述第一膜层组的厚度可以为10nm至300nm。示例性地，所述第一膜层组可以包括沿远离所述阳极的方向依次叠设的空穴注入层、空穴传输层和发光层，其中，空穴注入层、空穴传输层和发光层的总厚度可以为10nm至300nm。
在一些示例性实施例中，所述发光结构层可以包括发射多种颜色(比如可以包括红色、绿色和蓝色)光线的多个OLED器件，则所述发光区域可以实现彩色画面显示；或者，所述发光结构层可以包括一个发射设定颜色光线的OLED器件，则所述发光区域可以发出设定颜色的光线。
在一些示例性实施例中，所述第一膜层组可以包括两个或两个以上数目的膜层，所述第一膜层组中的任意两个膜层在所述基底上的正投影包含相同数目和位置的所述阳极在所述基底上的正投影。本实施例中第一膜层组中的任意两个膜层在所述基底上的正投影区域大致相同，第一膜层组的平面形状与显示基板的发光区域的形状大致相同。
在一些示例性实施例中，如图2所示，所述第二膜层组52的未与所述第一膜层组51交叠的部分中的一部分覆盖在所述阳极301表面。本实施例中，所述第一膜层组51或所述第二膜层组52包括所述发光层。本实施例的一些示例中，所述第二膜层组52包括所述发光层，所述第二膜层组52的一部分可以直接覆盖在所述阳极301表面，比如图2的示例中，第二膜层组52的一部分直接覆盖在虚线椭圆内部的虚线所围成区域内的16个阳极301表面，但是，第二膜层组52的直接覆盖在所述阳极301表面的部分在基底101上的正投影区域可以设置为不发光。
在一些示例性实施例中，所述第一膜层组的膜面连续或者不连续。示例性地，所述第一膜层组的第一部分可以为一体结构，或者，所述第一膜层组的第一部分可以包括多个独立且不连接的子区域。本实施例中，所述第一膜层组的膜面连续，则形成的所述发光区域可理解为是一个连续的发光区域，所述第一膜层组的膜面不连续，则形成的所述发光区域可理解为包括多个不连续的子发光区域。
示例性地，如图2所示，本示例中，第一膜层组51的膜面连续，显示基板的发光区域大致为虚线椭圆区域除去中间位置的虚线所围成的区域后剩下的区域，发光区域的形状与第一膜层组51的平面形状大致相同。在另一些示例中，如图6所示，本示例中，第一膜层组51的膜面连续，显示基板的发光区域大致为虚线围成的呈倒V型的区域，发光区域的形状与第一膜层组51的平面形状大致相同。在另一些示例中，如图7所示，本示例中，第一膜层组的膜面51不连续，示例性地，第一膜层组51的平面形状为两个圆环形，发光区域的形状与第一膜层组的平面形状大致相同，显示基板的发光区域大致为虚线围成的两个圆环形区域。如图2、图6和图7所示，一些示例中，所述第一膜层组51的边缘可以为显示基板的发光区域的边缘。
在一些示例性实施例中，如图8所示，所述发光结构层可以包括一个OLED器件，第一膜层组51可以形成在阳极301表面，阳极301在基底101上的正投影可以包含第一膜层组51在基底101上的正投影，第二膜层组52在基底101上的正投影可以包含阳极301在基底101上的正投影。图8的示例中，第一膜层组51的膜面连续并为环形，显示基板的发光区域为第一膜层组51所在的区域，显示基板的发光区域为环形。
在一些示例性实施例中，所述第一膜层组的膜层可以采用喷墨打印、喷涂、原位生长、曝光显影和激光烧蚀中的任意一种或多种工艺形成，相较于蒸镀工艺来讲，较易实现多种图案的膜层的制备，且膜层尺寸较易控制。
本实施例的一个示例中，所述第一膜层组的膜层材料可以是有机材料，比如，芳香族有机小分子、金属有机络合物、共轭高分子材料等；或者，所述第一膜层组的膜层材料可以是无机材料，比如，非晶的金属氧化物、硫化物或无机纳米颗粒等。
在一些示例性实施例中，所述第二膜层组的任意一个膜层可以为一体结构。所述第二膜层组的膜层的制备工艺可以不受限制，比如可以采用蒸镀或化学气相沉积等具有固-气相转变过程的工艺制备。本实施例的一个示例中，所述第二膜层组中除阴极之外的膜层的材料可以是有机材料或无机材料，比如，可以包括金属氧化物、卤化物或金属等。
本实施例的一个示例中，所述第二膜层组的膜层形状可以不受限制，所述第二膜层组的膜层形状可以与第一膜层组的膜层形状不相关。所述第二膜层组可以将所述第一膜层组完全覆盖，第二膜层组的边缘超出第一膜层组的边缘的最小距离可以大于第二膜层组的膜层的成膜工艺的位置精度值的2倍。
在一些示例性实施例中，如图3所示，所述驱动电路层的像素驱动电路可以采用有源矩阵(AM)驱动方式，像素驱动电路可以包括多个薄膜晶体管和存储电容，图3示意性地示出了一个驱动晶体管201和一个存储电容202，每个像素驱动电路驱动对应的一个OLED器件发光。在其他实施方式中，所述驱动电路层的像素驱动电路可以采用无源矩阵(PM)驱动方式。示例性地，驱动电路层102可以包括：设置在基底101上的第一绝缘层；设置在第一绝缘层上的有源层；覆盖有源层的第二绝缘层；设置在第二绝缘层上的栅电极和第一电容电极；覆盖栅电极和第一电容电极的第三绝缘层；设置在第三绝缘层上的第二电容电极；覆盖第二电容电极的第四绝缘层，第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层上开设有过孔，该过孔暴露出有源层；设置在第四绝缘层上的源电极和漏电极，源电极和漏电极分别通过穿过第四绝缘层、第三绝缘层和第二绝缘层的两个过孔与有源层连接；覆盖前述结构的平坦层，平坦层上开设有过孔，过孔暴露出漏电极。其中，有源层、栅电极、源电极和漏电极组成像素驱动电路的驱动晶体管201，第一电容电极和第二电容电极组成像素驱动电路的存储电容202。
在一些示例性实施例中，如图3所示，发光结构层103还可以包括设于所述阳极层的背离所述基底101一侧的像素定义层302，像素定义层302设有像素开口，像素定义层302将阳极301表面的靠近周向边缘的部分覆盖，像素开口将阳极301表面的其余部分暴露出，阳极301表面被像素开口暴露出的部分依次叠设第一膜层组51和第二膜层组52，从而形成OLED器件。发光结构层103还可以包括其它膜层，比如设置在像素定义层302上的隔垫柱等。
本实施例的一个示例中，所述像素定义层302可以包括多个沿第一方向延伸的第一分隔部和多个沿第二方向延伸的第二分隔部，所述多个第一分隔部和所述多个第二分隔部相互交叉限定出多个像素开口，所述像素开口将所述阳极301表面暴露出；所述第一分隔部的厚度可以大于所述第二分隔部的厚度，所述第一膜层组51可以被所述第一分隔部隔断。所述第一膜层组51可以不被所述第二分隔部隔断。所述第一分隔部在所述第二方向上的宽度可以大于等于10微米。所述第二分隔部在所述第一方向上的宽度可以大于等于20微米。像素定义层302可以通过一步或两步曝光显影工艺形成。
本实施例的一个示例中，所述第一膜层组的第一部分至少具有第一膜厚和第二膜厚，所述第一膜厚大于所述第二膜厚；所述第一膜层组的第一部分的覆盖在所述第二分隔部上的部分具有所述第一膜厚，所述第一膜层组的第一部分的覆盖在所述阳极表面且与所述阳极表面直接接触的部分具有所述第二膜厚。示例性地，所述阳极通过所述驱动电路层设置的阳极过孔与驱动电路层内的一个薄膜晶体管的漏电极连接，所述第二分隔部在基底上的正投影可以包括所述阳极过孔在基底上的正投影，所述第二分隔部的与阳极过孔位置对应的部分的背离基底的表面可以形成有凹坑，所述第一膜层组的第一部分的与所述凹坑位置对应的部分的厚度为所述第一膜厚，所述第一膜层组的第一部分的覆盖在所述阳极表面且与所述阳极表面直接接触的部分的厚度为所述第二膜厚。示例性地，所述第一膜层组的膜层可以采用喷墨打印工艺形成。
在一些示例性实施例中，如图3所示，显示基板还可以包括设置在发光结构层103的远离基底101一侧的封装结构层104，封装结构层104可以包括依次叠设的第一封装层401、第二封装层402和第三封装层403，第一封装层401和第三封装层403可以采用无机材料，第二封装层402可以采用有机材料，这样，可以有效保证外界水汽无法进入发光结构层103。显示基板还可以包括设置在封装结构层104的远离基底一侧的其它膜层，比如可以包括触控结构层、光取出层等。
下面结合图2至图5b说明本公开实施例的显示基板的制备方法，其中，所述显示基板包括OLED器件，所述OLED器件包括依次叠设的阳极、发光功能层和阴极，所述发光功能层包括叠设的多个膜层。在一些示例性实施方式中，显示基板的制备过程可以包括如下操作：
1)在基底101上形成驱动电路层102，所述驱动电路层102包括像素驱动电路。示例性地，如图4b所示，驱动电路层102的制备过程可以包括：
在基底101上依次沉积第一绝缘薄膜和有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成覆盖基底101的第一绝缘层，以及设置在第一绝缘层上的有源层图案，有源层图案至少包括每个子像素的有源层。
随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖有源层图案的第二绝缘层，以及设置在第二绝缘层上的第一栅金属层图案，第一栅金属层图案至少包括每个子像素的栅电极和第一电容电极。
随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成覆盖第一栅金属层的第三绝缘层，以及设置在第三绝缘层上的第二栅金属层图案，第二栅金属层图案至少包括每个子像素的第二电容电极，第二电容电极的位置与第一电容电极的位置相对应。第一电容电极和第二电容电极组成存储电容202。
随后，沉积第四绝缘薄膜，通过构图工艺对第四绝缘薄膜进行构图，形成覆盖第二栅金属层的第四绝缘层图案，每个子像素的第四绝缘层上开设有至少两个过孔，两个过孔内的第四绝缘层、第三绝缘层和第二绝缘层被刻蚀掉，暴露出每个子像素的有源层的表面。
随后，沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，在第四绝缘层上形成源漏金属层图案，源漏金属层至少包括每个子像素的源电极和漏电极，源电极和漏电极分别通过穿过第四绝缘层、第三绝缘层和第二绝缘层的两个过孔与有源层连接。
随后，在形成前述图案的基底101上涂覆有机材料的平坦薄膜，通过掩膜、曝光、显影等工序，在每个子像素的平坦薄膜上形成过孔，该过孔内的平坦薄膜被显影掉，暴露出漏电极的表面，从而形成覆盖基底101的平坦层(PLN)。
至此，在基底101上制备完成驱动电路层102，如图4b所示。驱动电路层102中，有源层、栅电极、源电极和漏电极组成像素驱动电路的驱动晶体管201，第一电容电极和第二电容电极组成像素驱动电路的存储电容202。像素驱动电路对每个子像素的OLED器件的驱动可以采用有源矩阵驱动方式。
本示例中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层可称为缓冲(Buffer)层，用于提高基底101的抗水氧能力，第二绝缘层和第三绝缘层可称为栅绝缘(GI)层，第四绝缘层可称为层间绝缘(ILD)层。第一金属薄膜、第二金属薄膜和第三金属薄膜可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。有源层薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等材料。
2)在所述驱动电路层102的远离所述基底101一侧形成阳极层，所述阳极层包括一个或多个所述阳极301，如图4b所示。示例性地，在形成前述图案的基底101上沉积阳极薄膜，通过构图工艺对阳极薄膜进行构图，形成包括多个阳极301的阳极层，阳极301形成在驱动电路层102的平坦层上，并通过平坦层上的过孔与驱动晶体管201的漏电极连接。
3)形成像素定义层302和隔垫柱，如图4b所示，在形成前述图案的基底101上涂覆像素定义薄膜，通过掩膜、曝光、显影等工序，形成具有像素开口的像素定义层302，其中，像素开口内的像素定义薄膜被显影掉，暴露出相应的阳极301表面，像素定义层302将阳极301表面的靠近周向边缘的部分覆盖，如图4a所示。像素定义层302的材料可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。随后，可以在像素定义层302上形成隔垫柱(PS)。
4)在所述阳极301的背离所述基底101的表面形成第一膜层组51，所述第一膜层组51包括所述发光功能层中的至少一个膜层，如图5a和图5b所示，示例性地，在设定区域的阳极301表面依次形成空穴注入层303、空穴传输层304和发光层305，其中，空穴注入层303、空穴传输层304和发光层305作为第一膜层组51。图5b的示例中，示出了三个阳极301，左侧的阳极301表面未形成第一膜层组51的膜层，中间的阳极301和右侧的阳极301被第一膜层组51的所有膜层覆盖。其中，空穴注入层303、空穴传输层304和发光层305可以采用喷墨打印、喷涂、原位生长、曝光显影和激光烧蚀中的任意一种或多种工艺形成。
5)在所述第一膜层组51的背离所述基底101的表面形成第二膜层组52，所述第二膜层组52包括所述发光功能层中的至少一个膜层和所述阴极307，如图2和图3所示，在第一膜层组51表面依次形成电子注入层306和阴极307，电子注入层306和阴极307作为第二膜层组52，电子注入层306和阴极307将第一膜层组51完全覆盖。电子注入层306和阴极307可以均为一体结构，电子注入层306和阴极307可以采用蒸镀工艺或化学气相沉积工艺等工艺形成，本示例对电子注入层306和阴极307的制备工艺不做限制。至此，完成发光结构层103的制备。
其中，所述第二膜层组52在所述基底101上的正投影包含所述第一膜层组51在所述基底101上的正投影，即第二膜层组52将第一膜层组51完全覆盖，所述第一膜层组51中所有膜层的交叠部分作为所述第一膜层组51的第一部分，所述第一膜层组51的第一部分的覆盖在所述阳极301表面的部分在所述基底101上的正投影区域为所述显示基板的发光区域，所述第二膜层组52的未与所述第一膜层组51的第一部分交叠的部分在所述基底101上的正投影区域设置为不发光。如图3所示，示例性地示出了三个阳极301，由于左侧的阳极301表面未形成第一膜层组51，因此第二膜层组52直接覆盖在左侧的阳极301表面，则左侧的阳极301所在区域不发光，中间的阳极301和右侧的阳极301的第一膜层组51表面覆盖有第二膜层组52，则中间的阳极301和右侧的阳极301所在区域发光。
6)在发光结构层103的背离所述基底101的表面形成封装结构层104，如图3所示，示例性地，在发光结构层103的背离所述基底101的表面依次形成第一封装层401、第二封装层402和第三封装层403，第一封装层401和第三封装层403可以采用无机材料，第二封装层402可以采用有机材料，第一封装层401和第三封装层403将第二封装层402完全包裹，这样，可有效防止水氧侵入发光结构层103内。
基于上文内容，本公开实施例还提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括OLED器件，所述OLED器件包括依次叠设的阳极、发光功能层和阴极，所述发光功能层包括叠设的多个膜层；所述制备方法包括：
在基底上形成驱动电路层，所述驱动电路层包括像素驱动电路；
在所述驱动电路层的远离所述基底一侧形成阳极层，所述阳极层包括一个或多个所述阳极；
在所述阳极的背离所述基底的表面形成第一膜层组，所述第一膜层组包括所述发光功能层中的至少一个膜层；
在所述第一膜层组的背离所述基底的表面形成第二膜层组，所述第二膜层组包括所述发光功能层中的至少一个膜层和所述阴极；
其中，所述第二膜层组在所述基底上的正投影包含所述第一膜层组在所述基底上的正投影，所述第一膜层组中所有膜层的交叠部分作为所述第一膜层组的第一部分，所述第一膜层组的第一部分的覆盖在所述阳极表面且与所述阳极表面直接接触的部分在所述基底上的正投影区域为所述显示基板的发光区域，所述第二膜层组的未与所述第一膜层组的第一部分交叠的部分在所述基底上的正投影区域设置为不发光；所述第一膜层组的边缘与所述第二膜层组的边缘之间的距离在多个位置处不同。
在一些示例性实施例中，所述第一膜层组的膜层采用喷墨打印、喷涂、原位生长、曝光显影和激光烧蚀中的任意一种或多种工艺形成。
在一些示例性实施例中，所述第二膜层组的任意一个膜层为一体结构，所述第二膜层组的膜层采用蒸镀工艺或化学气相沉积工艺形成。
本公开实施例还提供一种显示面板，包括前文任一实施例所述的显示基板。示例性地，显示面板还可以包括依次叠设在所述显示基板的封装结构层的背离所述基底一侧的偏光片和盖板。在其他实施方式中，显示面板还可以包括设置在封装结构层和所述偏光片之间的触控结构层。
本公开实施例还提供一种显示装置，包括前文任一实施例所述的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的实施方式并不一定限定于该尺寸，附图中每个部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了一些例子，本公开的实施方式不局限于附图所示的形状或数值。
在本文描述中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，包括85°以上且95°以下的角度的状态。
在本文描述中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“内”、“外”、“轴向”、“四角”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开实施例的简化描述，而不是指示或暗示所指的结构具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。
在本文描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定连接”、“安装”、“装配”应做广义理解，例如，可以是固定连接，或是可拆卸连接，或一体地连接；术语“安装”、“连接”、“固定连接”可以是直接相连，或通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开实施例中的含义。
Claims (20)
1.一种显示基板，其特征在于，包括：设置在基底上的驱动电路层和设于所述驱动电路层的远离所述基底一侧的发光结构层，所述驱动电路层包括像素驱动电路，所述发光结构层包括与所述像素驱动电路连接的OLED器件，所述OLED器件包括依次叠设的阳极、发光功能层和阴极，所述发光功能层包括叠设的多个膜层；
所述发光结构层包括依次叠设的阳极层、第一膜层组和第二膜层组，所述阳极层包括一个或多个所述阳极，所述第一膜层组包括所述发光功能层中的至少一个膜层，所述第二膜层组包括所述发光功能层中的至少一个膜层和所述阴极；
所述第二膜层组在所述基底上的正投影包含所述第一膜层组在所述基底上的正投影，所述第一膜层组中所有膜层的交叠部分作为所述第一膜层组的第一部分，所述第一膜层组的第一部分的覆盖在所述阳极表面且与所述阳极表面直接接触的部分在所述基底上的正投影区域为所述显示基板的发光区域，所述第二膜层组的未与所述第一膜层组的第一部分交叠的部分在所述基底上的正投影区域设置为不发光；
所述第一膜层组的边缘与所述第二膜层组的边缘之间的距离在多个位置处不同。
2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光功能层包括发光层，以及下述膜层中的任意一个或多个：空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层。
3.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一膜层组或所述第二膜层组包括所述发光层。
4.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一膜层组包括所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述电子阻挡层中的任意一个或多个。
5.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第二膜层组包括所述空穴阻挡层、所述电子传输层和所述电子注入层中的任意一个或多个。
6.如权利要求1至5任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一膜层组包括两个或两个以上数目的膜层，所述第一膜层组中的任意两个膜层在所述基底上的正投影包含相同数目和位置的所述阳极在所述基底上的正投影。
7.如权利要求1至5任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第二膜层组的未与所述第一膜层组交叠的部分中的一部分覆盖在所述阳极表面。
8.如权利要求1至5任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一膜层组的膜面连续或者不连续。
9.如权利要求1至5任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第二膜层组的任意一个膜层为一体结构。
10.如权利要求1至5任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一膜层组的膜层采用喷墨打印、喷涂、原位生长、曝光显影和激光烧蚀中的任意一种或多种工艺形成。
11.如权利要求1至5任一项所述的显示基板，其特征在于，所述发光结构层还包括设于所述阳极层的背离所述基底一侧的像素定义层，所述像素定义层包括多个沿第一方向延伸的第一分隔部和多个沿第二方向延伸的第二分隔部，所述多个第一分隔部和所述多个第二分隔部相互交叉限定出多个像素开口，所述像素开口将所述阳极表面暴露出；
所述第一分隔部的厚度大于所述第二分隔部的厚度，所述第一膜层组被所述第一分隔部隔断。
12.如权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述第一分隔部在所述第二方向上的宽度大于等于10微米。
13.如权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述第二分隔部在所述第一方向上的宽度大于等于20微米。
14.如权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述第一膜层组的第一部分至少具有第一膜厚和第二膜厚，所述第一膜厚大于所述第二膜厚；
所述第一膜层组的第一部分的覆盖在所述第二分隔部上的部分具有所述第一膜厚，所述第一膜层组的第一部分的覆盖在所述阳极表面且与所述阳极表面直接接触的部分具有所述第二膜厚。
15.如权利要求1至5任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第一膜层组的厚度为10nm至300nm。
16.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至15任一项所述的显示基板。
17.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至15任一项所述的显示基板。
18.一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括OLED器件，所述OLED器件包括依次叠设的阳极、发光功能层和阴极，所述发光功能层包括叠设的多个膜层；其特征在于，所述制备方法包括：
在基底上形成驱动电路层，所述驱动电路层包括像素驱动电路；
在所述驱动电路层的远离所述基底一侧形成阳极层，所述阳极层包括一个或多个所述阳极；
在所述阳极的背离所述基底的表面形成第一膜层组，所述第一膜层组包括所述发光功能层中的至少一个膜层；
在所述第一膜层组的背离所述基底的表面形成第二膜层组，所述第二膜层组包括所述发光功能层中的至少一个膜层和所述阴极；
其中，所述第二膜层组在所述基底上的正投影包含所述第一膜层组在所述基底上的正投影，所述第一膜层组中所有膜层的交叠部分作为所述第一膜层组的第一部分，所述第一膜层组的第一部分的覆盖在所述阳极表面且与所述阳极表面直接接触的部分在所述基底上的正投影区域为所述显示基板的发光区域，所述第二膜层组的未与所述第一膜层组的第一部分交叠的部分在所述基底上的正投影区域设置为不发光；所述第一膜层组的边缘与所述第二膜层组的边缘之间的距离在多个位置处不同。
19.如权利要求18所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述第一膜层组的膜层采用喷墨打印、喷涂、原位生长、曝光显影和激光烧蚀中的任意一种或多种工艺形成。
20.如权利要求18所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述第二膜层组的任意一个膜层为一体结构，所述第二膜层组的膜层采用蒸镀工艺或化学气相沉积工艺形成。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110736015.4A CN115548224A (zh) | 2021-06-30 | 2021-06-30 | 一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置 |
| US18/022,525 US20240040897A1 (en) | 2021-06-30 | 2022-03-17 | Display substrate and manufacturing method therefor, display panel, and display device |
| EP22831254.2A EP4203644A4 (en) | 2021-06-30 | 2022-03-17 | DISPLAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE |
| PCT/CN2022/081465 WO2023273423A1 (zh) | 2021-06-30 | 2022-03-17 | 显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110736015.4A CN115548224A (zh) | 2021-06-30 | 2021-06-30 | 一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115548224A true CN115548224A (zh) | 2022-12-30 |
Family
ID=84691125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110736015.4A Pending CN115548224A (zh) | 2021-06-30 | 2021-06-30 | 一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240040897A1 (zh) |
| EP (1) | EP4203644A4 (zh) |
| CN (1) | CN115548224A (zh) |
| WO (1) | WO2023273423A1 (zh) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3622874B2 (ja) * | 1996-07-31 | 2005-02-23 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
| US7923919B2 (en) * | 2004-10-28 | 2011-04-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescent panel and production method thereof, and color filter substrate and production method thereof |
| CN101911832B (zh) * | 2008-12-18 | 2013-06-19 | 松下电器产业株式会社 | 有机电致发光显示装置及其制造方法 |
| JP6114664B2 (ja) * | 2013-08-29 | 2017-04-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置 |
| WO2015068779A1 (ja) * | 2013-11-07 | 2015-05-14 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンスモジュール |
| WO2021005434A1 (ja) * | 2019-07-05 | 2021-01-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
| CN111584564B (zh) * | 2020-05-09 | 2022-08-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示面板制程方法 |
-
2021
- 2021-06-30 CN CN202110736015.4A patent/CN115548224A/zh active Pending
-
2022
- 2022-03-17 US US18/022,525 patent/US20240040897A1/en active Pending
- 2022-03-17 EP EP22831254.2A patent/EP4203644A4/en active Pending
- 2022-03-17 WO PCT/CN2022/081465 patent/WO2023273423A1/zh active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP4203644A4 (en) | 2024-05-01 |
| US20240040897A1 (en) | 2024-02-01 |
| EP4203644A1 (en) | 2023-06-28 |
| WO2023273423A1 (zh) | 2023-01-05 |
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