CN115525072A - 一种可控硅均热控制方法、装置和计算机可读存储介质 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种可控硅均热控制方法，包括：获取并联的至少第一可控硅的第一发热参数和第二可控硅的第二发热参数；将所述第一发热参数和所述第二发热参数分别与设定阈值进行比较，并基于比较结果调节所述第一可控硅和/或所述第二可控硅的触发角；重复执行所述步骤S1和步骤S2直至所述第一发热参数和所述第二发热参数的差值位于设定差值范围内。本发明不需要对并联的可控硅进行均流，而是通过比较发热参数直接调节可控硅的触发角，从而直接的从源头上解决并联可控硅的均热问题。
Description
技术领域
本发明涉及可控硅控制领域，更具体地说，涉及一种可控硅均热控制方法、装置和计算机可读存储介质。
背景技术
可控硅(Silicon Controlled Rectifier，简称可控硅)，也可称作晶闸管，是一种大功率电器元件。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率设备的驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。因此，在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统、不间断电源系统(UPS)中得到了广泛的应用。
单个可控硅的电流容量有限，为了承载更大的电流，可控硅往往并联运行。另外，在分布式供电方面，多台设备的并联运行也会涉及到可控硅的并联运行，如不间断电压并机系统在系统工作在旁路侧时，一般是各台UPS的旁路可控硅并联运行。
并联运行的各个可控硅发热不同会严重影响系统的可靠性，同时也引发系统带载容量的瓶颈。很多因素会导致并联的可控硅发热不均，如不均流、可控硅导通压降不同、散热条件差异等等。
在实际的应用场景，常见对并联的可控硅进行均流控制。例如，可以采用控制并联可控硅回路的线缆长度来降低各个回路的阻抗差异达到均流，也可以通过检测可控硅回路的输出电流值来调整对应可控硅的触发角。但是，这些方法有个共同的缺陷，即把并联可控硅回路的均流作为调节和控制的最终目标，而忽略可控硅并联使用所产生问题的本质，无法直接解决并联可控硅的均热问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种简单可靠，可以直接解决并联可控硅的均热问题的可控硅均热控制方法、装置和计算机可读存储介质。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种可控硅均热控制方法，包括：
S1、获取并联的至少第一可控硅的第一发热参数和第二可控硅的第二发热参数；
S2、将所述第一发热参数和所述第二发热参数分别与设定阈值进行比较，并基于比较结果调节所述第一可控硅和/或所述第二可控硅的触发角；
S3、重复执行所述步骤S1和步骤S2直至所述第一发热参数和所述第二发热参数的差值位于设定差值范围内。
在本发明所述的可控硅均热控制方法中，所述第一发热参数和所述第二发热参数分别包括温度参数或热量参数。
在本发明所述的可控硅均热控制方法中，所述步骤S1进一步包括：
S11、获取第一回路电流、第二回路电流、第一可控硅压降和第二可控硅压降；
S12、基于所述第一回路电流、所述第一可控硅压降、工频周期计算所述第一可控硅的第一热量参数；并基于所述第二回路电流、所述第二可控硅压降、所述工频周期计算所述第二可控硅的第二热量参数。
在本发明所述的可控硅均热控制方法中，所述步骤S1进一步包括：
S13、滤波所述第一热量参数和所述第二热量参数。
在本发明所述的可控硅均热控制方法中，所述步骤S11进一步包括：
S111、在线检测获取所述第一回路电流和所述第二回路电流，并根据所述第一可控硅的第一导通压降曲线获取所述第一可控硅压降，根据所述第二可控硅的第二导通压降曲线获取所述第二可控硅压降；
S11A，在线检测获取所述第一回路电流和所述第二回路电流，并将分段固定或者固定设置的第一设置压降作为所述第一可控硅压降，将分段固定或者固定设置的第二设置压降作为所述第二可控硅压降；或
S11a，在线检测获取所述第一回路电流和所述第二回路电流，并分别检测位于所述第一可控硅两端的电压值以计算所述第一可控硅压降，分别检测位于所述第二可控硅两端的电压值以计算所述第二可控硅压降或
S11I，直接在线检测获取所述第一回路电流、所述第二回路电流、所述第一可控硅压降和第二可控硅压降。
在本发明所述的可控硅均热控制方法中，所述步骤S1进一步包括：
S1A、采用温度传感器检测所述第一可控硅以获取所述第一可控硅的第一温度参数；
S1B采用温度传感器检测所述第二可控硅以获取所述第二可控硅的第二温度参数。
在本发明所述的可控硅均热控制方法中，所述步骤S2进一步包括：
S21、设置第一设定阈值和第二设定阈值；
S22、将所述第一发热参数与所述第一设定阈值进行比较以获得第一比较结果，将所述第二发热参数与所述第二设定阈值进行比较以获得第二比较结果；
S23、基于所述第一比较结果和所述第二比较结果，调节所述第一可控硅和/或所述第二可控硅的触发角。
在本发明所述的可控硅均热控制方法中，在所述步骤S21中，所述第一设定阈值和所述第二设定阈值相等或所述第一设定阈值和所述第二设定阈值不相等且所述第一设定阈值大于所述第二设定阈值。
在本发明所述的可控硅均热控制方法中，在所述步骤S23中，在所述第一发热参数大于所述第一设定阈值且所述第二发热参数小于所述第二设定阈值时，加大所述第一可控硅的触发角且控制所述第二可控硅的触发角不变；在所述第一发热参数小于所述第二设定阈值且所述第二发热参数大于所述第一设定阈值时，加大所述第二可控硅的触发角且控制所述第一可控硅的触发角不变。
在本发明所述的可控硅均热控制方法中，所述第一设定阈值和所述第二设定阈值等于所述第一发热参数和第二发热参数的平均值。
在本发明所述的可控硅均热控制方法中，所述步骤S2进一步包括：
S2A、将所述第一发热参数和所述第二发热参数中的较低者作为所述设定阈值，并基于比较结果加大所述第一发热参数和所述第二发热参数中的较高者对应的可控硅的触发角和/或缩小所述第一发热参数和所述第二发热参数中的较低者对应的可控硅的触发角。
本发明解决其技术问题采用的另一技术方案是，构造一种可控硅均热控制装置，包括并联的至少第一可控硅和第二可控硅，以及用于控制所述第一可控硅和所述第二可控硅均热的处理器，所述处理器上存储有计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现所述的可控硅均热控制方法。
本发明解决其技术问题采用的另一技术方案是，构造一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现所述的可控硅均热控制方法。
实施本发明的可控硅均热控制方法、装置和计算机可读存储介质，不需要对并联的可控硅进行均流，而是通过比较发热参数直接调节可控硅的触发角，从而直接的从源头上解决并联可控硅的均热问题。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：
图1是本发明的可控硅均热控制方法的第一优选实施例的原理框图；
图2是本发明的可控硅均热控制方法适用的并联可控硅电路的电路原理图；
图3是本发明的可控硅均热控制装置的原理示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明涉及一种可控硅均热控制方法，包括：获取并联的至少第一可控硅的第一发热参数和第二可控硅的第二发热参数；将所述第一发热参数和所述第二发热参数分别与设定阈值进行比较，并基于比较结果调节所述第一可控硅和/或所述第二可控硅的触发角；重复执行所述步骤S1和步骤S2直至所述第一发热参数和所述第二发热参数的差值位于设定差值范围内。本发明的可控硅均热控制方法摒弃了现有技术中，可控硅均热控制必须首先进行均流控制的技术偏见。创造性地提出了不考虑对并联的可控硅进行均流，而直接通过比较发热参数的方式直接调节可控硅的触发角，从而直接地从源头上解决并联可控硅的均热问题。
图1是本发明的可控硅均热控制方法的第一优选实施例的原理框图。如图1所示，在步骤S1中，获取并联的至少第一可控硅的第一发热参数和第二可控硅的第二发热参数。在本发明的一个优选实施例中，所述第一发热参数和所述第二发热参数是温度参数，即采用温度传感器检测所述第一可控硅以获取的所述第一可控硅的第一温度参数和采用温度传感器检测所述第二可控硅以获取的所述第二可控硅的第二温度参数。在本发明的另一个优选实施例中，所述第一发热参数和所述第二发热参数是热量参数，即通过本领域中的任何已知方法获取或计算的设定周期范围内的所述第一可控硅的第一热量参数和所述第二可控硅的第二热量参数。在本发明的进一步的优选实施例中，还可以对所述第一可控硅的第一热量参数和所述第二可控硅的第二热量参数分别进行滤波，从而取出噪声点。当然，也可以直接采用第一可控硅的第一热量参数和所述第二可控硅的第二热量参数。
在步骤S2中，将所述第一发热参数和所述第二发热参数分别与设定阈值进行比较，并基于比较结果调节所述第一可控硅和/或所述第二可控硅的触发角。在本发明的优选实施例中，所述设定阈值可以是所述第一发热参数和所述第二发热参数的平均值，也可以是本领域技术人员根据实际情况设置的任何适合的阈值，也可以是所述第一发热参数或者所述第二发热参数自身。所述设定阈值可以是一个或者两个或者多个。
在本发明的优选实施例中，可以调节所述第一可控硅的触发角(即按照需要加大或者缩小)，而维持所述第二可控硅的触发角。也可以调节所述第二可控硅的触发角(即按照需要加大或者缩小)，而维持所述第一可控硅的触发角，也可以同时调节两者的触发角，即其中一者加大，而另一者减小。该调节的目的是使得所述第一发热参数和所述第二发热参数彼此接近，比如差值位于设定差值范围内，优选其差值设置成接近于0。
在本发明的一个优选实施例中，可以将所述第一发热参数和所述第二发热参数中的较低者作为所述设定阈值，并基于比较结果加大所述第一发热参数和所述第二发热参数中的较高者对应的可控硅的触发角和缩小所述第一发热参数和所述第二发热参数中的较低者对应的可控硅的触发角。当然，也可以只加大所述第一发热参数和所述第二发热参数中的较高者对应的可控硅的触发角而维持所述第二发热参数中的较低者对应的可控硅的触发角不变。或者只缩小所述第二发热参数中的较低者对应的可控硅的触发角不变而维持所述第一发热参数和所述第二发热参数中的较高者对应的可控硅的触发角不变。当然，也可以将所述第一发热参数和所述第二发热参数中的较高者作为所述设定阈值，进行判断，其控制过程类似。
在步骤S3中重复执行所述步骤S1和步骤S2直至所述第一发热参数和所述第二发热参数的差值位于设定差值范围内。优选在所述第一发热参数和所述第二发热参数相等或者大约相等时，认为第一可控硅和第二可控硅均热。
本领域技术人员知悉，虽然在图1所示实施例中，是以两个并联的可控硅为例。但是实际上，上述方法可以应用到多个可控硅并联的实施例。基于本发明的教导，本领域技术人员能够实现该方法在多个并联的可控硅上的应用。
因此，本发明创造性地提出了不考虑对并联的可控硅进行均流，而直接通过比较发热参数的方式直接调节可控硅的触发角，从而直接地从源头上解决并联可控硅的均热问题。
图2是本发明的可控硅均热控制方法适用的并联可控硅电路的电路原理图。下面结合图2，对于本发明的各个优选的实施例进行进一步说明如下。
在图2所示的并联可控硅电路中，两路双向可控硅S1和S2并联运行，其各自回路对应的回路阻抗Z1和Z2，第一回路电流和第二回路电流分别为i1和i2，第一可控硅S1两端压降为u1，第二可控硅S1两端压降为u2。一般Z1≠Z2，i1≠i2。
在本发明的一个优选实施例中，针对图2所示的并联可控硅电路，本发明的优选实施例的可控硅均热控制方法包括如下步骤。
(1)，获取第一回路电流i1、第二回路电流i2、第一可控硅压降u1和第二可控硅压降u2。
在本发明的一个优选实施例中，可以直接在线检测获取第一回路电流i1、第二回路电流i2、第一可控硅压降u1和第二可控硅压降u2。
在本发明的另一个优选实施例中，可以只在线检测获取第一回路电流i1、第二回路电流i2，不检测所述第一可控硅压降u1和第二可控硅压降u2。而是通过可控硅厂家提供的器件手册上的导通压降曲线分别计算第一可控硅压降u1和第二可控硅压降u2，即根据所述第一可控硅S1的第一导通压降曲线获取所述第一可控硅压降u1，根据所述第二可控硅S2的第二导通压降曲线获取所述第二可控硅压降u2。
在本发明的另一个优选实施例中，可以只在线检测获取第一回路电流i1、第二回路电流i2，不检测所述第一可控硅压降u1和第二可控硅压降u2。而将分段固定或者固定设置的第一设置压降作为所述第一可控硅压降u1，将分段固定或者固定设置的第二设置压降作为所述第二可控硅压降u2。所述第一设置压降和第二设置压降可以根据可控硅厂家提供的器件手册上的导通压降曲线选择设置，也可以根据电路需要进行设置。本领域技术人员可以根据任何已知的方法进行设置。
在本发明的再一个优选实施例中，可以只在线检测获取第一回路电流i1、第二回路电流i2，不检测所述第一可控硅压降u1和第二可控硅压降u2。而是并分别检测位于所述第一可控硅S1两端的电压值以计算所述第一可控硅压降u1，分别检测位于所述第二可控硅S2两端的电压值以计算所述第二可控硅压降u2。
本领域技术人员知悉，以上仅是优选实施例，本领域技术人员还可以根实际情况，以任何适合的方式获取第一回路电流i1、第二回路电流i2、第一可控硅压降u1和第二可控硅压降u2。比如测量获得第一可控硅压降u1和第二可控硅压降u2，而通过计算获得第一回路电流i1、第二回路电流i2等等。
(2)基于第一回路电流i1、第一可控硅压降u1，工频周期T计算n个工频周期的所述第一可控硅S1的第一热量参数Q1，以及基于第二回路电流i2、第二可控硅压降u2、工频周期T计算所述第二可控硅S2的第二热量参数Q2。
即
其中T为工频周期，n为整数。
(3)滤波第一热量参数Q1和第二热量参数Q2。当然在本发明的其他优选实施例，可以省略该滤波步骤。
(4)选择适合的设定阈值，将第一热量参数Q1和第二热量参数Q2分别与设定阈值进行比较，并基于比较结果调节所述第一可控硅和/或所述第二可控硅的触发角。
在本发明的一个优选实施例中，计算第一热量参数Q1和第二热量参数Q2的平均值Qavrg，将第一热量参数Q1和第二热量参数Q2分别与平均值Qavrg进行比较，如果Q1>Qavrg且Q2<Qavrg,则加大第一可控硅S1的触发角，维持第二可控硅S2触发角不变，反之若Q2>Qavrg，Q1<Qavrg，则加大第二可控硅S2的触发角，维持第一可控硅S1的触发角不变。
在本发明的另一个优选实施中，可以将平均值Qavrg替换成适合的固定阈值。
在本发明的另一个优选实施例中，设置第一设定阈值QS1和第二设定阈值QS2，且QS1>QS2。将第一热量参数Q1和第二热量参数Q2分别与第一设定阈值QS1和第二设定阈值QS2进行比较。在所述第一发热参数Q1大于所述第一设定阈值QS1且所述第二发热参数Q1小于所述第一设定阈值QS1时，加大所述第一可控硅S1的触发角且控制所述第二可控硅S1的触发角不变。当然也可以选择缩小所述第二可控硅S1的触发角且维持所述第一可控硅S1的触发角不变。或者加大所述第一可控硅S1的触发角且缩小所述第二可控硅S1的触发角。在所述第一发热参数Q1小于所述第二设定阈值QS2且所述第二发热参数Q2大于所述第一设定阈值QS1时，加大所述第二可控硅S2的触发角且控制所述第一可控硅S1的触发角不变。当然也可以选择缩小所述第一可控硅S1的触发角且维持所述第二可控硅S2的触发角不变，又或者缩小所述第一可控硅S1的触发角且加大所述第二可控硅S1的触发角。
(5)重复步骤(1)-(4)，直到Q1≈Q2。在此，≈可以理解为其差值为可接受的误差，具体可以根据实际情况设置，也可以将其设置成第一热量参数Q1和第二热量参数Q2的差值位于设定范围内。
在本发明的另一个优选实施例中，针对图2所示的并联可控硅电路，本发明的优选实施例的可控硅均热控制方法包括如下步骤。
(1)采用温度传感器检测所述第一可控硅S1和所述第二可控硅S2以获取所述第一可控硅S1的第一温度参数t1和所述第二可控硅S2的第二温度参数t2。
(2)选择适合的设定阈值，将所述第一温度参数t1和所述第二温度参数t2分别与设定阈值进行比较，并基于比较结果调节所述第一可控硅S1和/或所述第二可控硅S2的触发角。
在本优选实施例中，如前所述，可以直接设置一个或多个温度设定阈值，也可以将所述第一温度参数t1和所述第二温度参数t2的平均值设置为设定阈值。在本实施例中，所述第一可控硅S1和/或所述第二可控硅S2的触发角的调节过程可以参见发热参数实施例中的步骤(4)，在此就不再累述了。
(3)重复步骤(1)-(2)，直到t1≈t2。在此，≈可以理解为其差值为可接受的误差，具体可以根据实际情况设置，也可以将其设置成所述第一温度参数t1和所述第二温度参数t2的差值位于设定范围内。
本发明的可控硅均热控制方法摒弃了现有技术中，可控硅均热控制必须首先进行均流控制的技术偏见。创造性地提出了不考虑对并联的可控硅进行均流，而直接通过比较发热参数的方式直接调节可控硅的触发角，从而直接地从源头上解决并联可控硅的均热问题。并且可以采用多种发热参数进行判断，因此灵活多变，适应各种应用场景。
图3是本发明的可控硅均热控制装置的原理示意图。如图3所示，所述可控硅均热控制装置包括并联的至少第一可控硅S1和第二可控硅S2，以及用于控制所述第一可控硅S1和所述第二可控硅S2均热的处理器100，所述处理器100上存储有计算机程序，所述计算机程序被所述处理器100执行时实现图1-2中任意实施例所述的可控硅均热控制方法。
本发明还涉及一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现图1-2中任意实施例所述的可控硅均热控制方法。所述计算机程序包含能够实现本发明方法的全部特征，当其安装到计算机系统中时，可以实现本发明的方法。本文件中的计算机程序所指的是：可以采用任何程序语言、代码或符号编写的一组指令的任何表达式，该指令组使系统具有信息处理能力，以直接实现特定功能，或在进行下述一个或两个步骤之后实现特定功能：a)转换成其它语言、编码或符号；b)以不同的格式再现。
本发明还可以可以通过硬件、软件或者软、硬件结合来实现。本发明可以在至少一个计算机系统中以集中方式实现，或者由分布在几个互连的计算机系统中的不同部分以分散方式实现。任何可以实现本发明方法的计算机系统或其它设备都是可适用的。常用软硬件的结合可以是安装有计算机程序的通用计算机系统，通过安装和执行程序控制计算机系统，使其按本发明方法运行。
虽然本发明是通过具体实施例进行说明的，本领域技术人员应当明白，在不脱离本发明范围的情况下，还可以对本发明进行各种变换及等同替代。另外，针对特定情形或材料，可以对本发明做各种修改，而不脱离本发明的范围。因此，本发明不局限于所公开的具体实施例，而应当包括落入本发明权利要求范围内的全部实施方式。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (13)
1.一种可控硅均热控制方法，其特征在于，包括：
S1、获取并联的至少第一可控硅的第一发热参数和第二可控硅的第二发热参数；
S2、将所述第一发热参数和所述第二发热参数分别与设定阈值进行比较，并基于比较结果调节所述第一可控硅和/或所述第二可控硅的触发角；
S3、重复执行所述步骤S1和步骤S2直至所述第一发热参数和所述第二发热参数的差值位于设定差值范围内。
2.根据权利要求1所述的可控硅均热控制方法，其特征在于，所述第一发热参数和所述第二发热参数分别包括温度参数或热量参数。
3.根据权利要求2所述的可控硅均热控制方法，其特征在于，所述步骤S1进一步包括：
S11、获取第一回路电流、第二回路电流、第一可控硅压降和第二可控硅压降；
S12、基于所述第一回路电流、所述第一可控硅压降、工频周期计算所述第一可控硅的第一热量参数；基于所述第二回路电流、所述第二可控硅压降、所述工频周期计算所述第二可控硅的第二热量参数。
4.根据权利要求3所述的可控硅均热控制方法，其特征在于，所述步骤S1进一步包括：
S13、滤波所述第一热量参数和所述第二热量参数。
5.根据权利要求3所述的可控硅均热控制方法，其特征在于，所述步骤S11进一步包括：
S111、在线检测获取所述第一回路电流和所述第二回路电流，并根据所述第一可控硅的第一导通压降曲线获取所述第一可控硅压降，根据所述第二可控硅的第二导通压降曲线获取所述第二可控硅压降；
S11A，在线检测获取所述第一回路电流和所述第二回路电流，并将分段固定或者固定设置的第一设置压降作为所述第一可控硅压降，将分段固定或者固定设置的第二设置压降作为所述第二可控硅压降；
S11a，在线检测获取所述第一回路电流和所述第二回路电流，并分别检测位于所述第一可控硅两端的电压值以计算所述第一可控硅压降，分别检测位于所述第二可控硅两端的电压值以计算所述第二可控硅压降；或
S11I，直接在线检测获取所述第一回路电流、所述第二回路电流、所述第一可控硅压降和第二可控硅压降。
6.根据权利要求2所述的可控硅均热控制方法，其特征在于，所述步骤S1进一步包括：
S1A、采用温度传感器检测所述第一可控硅以获取所述第一可控硅的第一温度参数；
S1B采用温度传感器检测所述第二可控硅以获取所述第二可控硅的第二温度参数。
7.根据权利要求1-6中任意一项所述的可控硅均热控制方法，其特征在于，所述步骤S2进一步包括：
S21、设置第一设定阈值和第二设定阈值；
S22、将所述第一发热参数与所述第一设定阈值进行比较以获得第一比较结果，将所述第二发热参数与所述第二设定阈值进行比较以获得第二比较结果；
S23、基于所述第一比较结果和所述第二比较结果，调节所述第一可控硅和/或所述第二可控硅的触发角。
8.根据权利要求7所述的可控硅均热控制方法，其特征在于，在所述步骤S21中，所述第一设定阈值和所述第二设定阈值相等或所述第一设定阈值和所述第二设定阈值不相等且所述第一设定阈值大于所述第二设定阈值。
9.根据权利要求8所述的可控硅均热控制方法，其特征在于，在所述步骤S23中，在所述第一发热参数大于所述第一设定阈值且所述第二发热参数小于所述第二设定阈值时，加大所述第一可控硅的触发角且控制所述第二可控硅的触发角不变；在所述第一发热参数小于所述第二设定阈值且所述第二发热参数大于所述第一设定阈值时，加大所述第二可控硅的触发角且控制所述第一可控硅的触发角不变。
10.根据权利要求9所述的可控硅均热控制方法，其特征在于，所述第一设定阈值和所述第二设定阈值等于所述第一发热参数和第二发热参数的平均值。
11.根据权利要求1-6中任意一项所述的可控硅均热控制方法，其特征在于，所述步骤S2进一步包括：
S2A、将所述第一发热参数和所述第二发热参数中的较低者作为所述设定阈值，并基于比较结果加大所述第一发热参数和所述第二发热参数中的较高者对应的可控硅的触发角和/或缩小所述第一发热参数和所述第二发热参数中的较低者对应的可控硅的触发角。
12.一种可控硅均热控制装置，包括并联的至少第一可控硅和第二可控硅，以及用于控制所述第一可控硅和所述第二可控硅均热的处理器，所述处理器上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被所述处理器执行时实现根据权利要求1-11中任意一项权利要求所述的可控硅均热控制方法。
13.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现根据权利要求1-11中任意一项权利要求所述的可控硅均热控制方法。
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