CN115513336A - 太阳电池隧穿氧化层的制备方法和太阳电池隧穿氧化层 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种太阳电池隧穿氧化层及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1：将插入石墨舟的硅片置于恒温且真空的炉管内；S2：在所述炉管内通入氧气和氩气的混合气体或氧气，同时控制所述炉管内压力恒定；S3：对所述硅片进行辉光放电；S4：辉光放电完成后，将所述炉管抽真空；S5：使用氮气或氩气吹扫所述炉管；S6：吹扫完成后，将所述炉管抽真空；S7：使所述炉管内的压力恢复正常大气压；S8：将石墨舟从所述炉管里取出。本发明的太阳电池隧穿氧化层的制备方法能够精确控制隧穿氧化层的厚度，同时可以减少工艺时间和降低使用成本。

Description

太阳电池隧穿氧化层的制备方法和太阳电池隧穿氧化层
技术领域
本发明涉及光伏行业晶硅电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池隧穿氧化层的制备方法和太阳电池隧穿氧化层。
背景技术
近年来，随着钝化发射极及背局域接触电池(Passivated Emitter RearContact，PERC)量产效率逐渐达到效率瓶颈，下一代高效太阳电池的研发和量产迫在眉睫。隧穿氧化层钝化接触(Tunnel Oxide Passivated Contact solar cell,TOPCON)太阳电池作为高效电池的一种技术路线，仅需在现有PERC产线上进行部分设备升级，即可转入TOPCON高效电池的生产，TOPCON太阳电池成为晶硅行业关注的焦点。超薄隧穿氧化层作为TOPCON电池关键技术之一，其隧穿氧化层质量的好坏对TOPCON太阳电池效率起关键作用。
目前隧穿氧化层制备技术主要有湿法和干法两种技术路线，湿法技术制备隧穿氧化层分为：浓硝酸法(NAOS)、双氧水法(H2O2)、臭氧水法(DIO3)；干法技术制备隧穿氧化层分为：热氧化法、紫外臭氧法(UV/O3)、笑气等离子体化学气相沉积法(N2O-PECVD)。目前笑气等离子体化学气相沉积法所采用的主要化学气体为笑气(N2O)，相较于氧气(O2)，笑气的单价相对较高，相同化学气体用量的条件下，使用笑气的成本较高。
因此，有必要提供一种新型的太阳电池隧穿氧化层的制备方法和太阳电池隧穿氧化层以解决现有技术中存在的上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种太阳电池隧穿氧化层的制备方法，能够增加等离子体化学气相沉积法制备隧穿氧化层的选择性，降低制备隧穿氧化层的局限性，同时也可降低制备隧穿氧化层的气体成本。
为实现上述目的，本发明的太阳电池隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：将插入石墨舟的硅片置于恒温且真空的炉管内；
S2：在所述炉管内通入氧气和氩气的混合气体或氧气，同时控制所述炉管内压力恒定；
S3：对所述硅片进行辉光放电；
S4：辉光放电完成后，将所述炉管抽真空；
S5：使用氮气或氩气吹扫所述炉管；
S6：吹扫完成后，将所述炉管抽真空；
S7：使所述炉管内的压力恢复正常大气压；
S8：将石墨舟从所述炉管里取出。
本发明的太阳电池隧穿氧化层的制备方法的有益效果在于：本发明在氧气和氩气的混合气体或氧气的氛围中制备隧穿氧化层，使用的气体成本低，有利于降低生产成本，给目前隧穿氧化层的制备方法提供了一个新的选择，降低了制备隧穿氧化层的局限性。
可选地，所述将插入石墨舟的硅片置于恒温且真空的炉管内包括：
S11：将插入石墨舟的硅片送入炉管；
S12：将所述炉管内温度升高，并将所述炉管抽真空；
S13：使所述炉管内保持恒温。
可选地，所述将插入石墨舟的硅片送入炉管包括，将插入石墨舟的硅片送入温度大于等于280℃，且小于等于320℃的炉管内。
可选地，所述将所述炉管内温度升高包括，将所述炉管内温度升温至大于等于300℃，且小于等于550℃。
可选地，所述将所述炉管抽真空包括，通过真空泵和蝶阀控制所述炉管内的压力小于60mtorr。
可选地，所述使所述炉管内保持恒温包括，使所述炉管内温度控制在大于等于300℃，且小于等于550℃。
可选地，所述在所述炉管内通入氧气和氩气的混合气体或氧气，同时控制所述炉管内压力恒定包括，在所述炉管内通入氧气和氩气的混合气体，其中所述氧气的流量大于等于100sccm，且小于等于15000sccm，所述氩气的流量大于0sccm，且小于等于15000sccm，同时通过真空泵和蝶阀控制炉管内压力大于等于300mtorr，且小于等于2500mtorr。
可选地，所述在所述炉管内通入氧气和氩气的混合气体或氧气，同时控制所述炉管内压力恒定包括，在所述炉管内通入流量大于等于100sccm，且小于等于15000sccm的氧气，同时通过真空泵和蝶阀控制炉管内压力大于等于300mtorr，且小于等于2500mtorr。
可选地，所述氧气和氩气混合气体中，所述氧气与所述氧气和氩气混合气体的流量比大于等于1％，且小于100％。
可选地，所述氧气和氩气混合气体中，所述氧气与所述氧气和氩气混合气体的流量比大于等于60％，且小于100％。其有益效果在于：所述氧气与所述氧气和氩气混合气体的流量比大于等于60％，且小于100％时制备获得的隧穿氧化层与热氧化生成的隧穿氧化层成分更接近。
可选地，所述对所述硅片进行辉光放电的条件包括，温度大于等于300℃，且小于等于550℃，射频功率大于等于5Kw，且小于等于30Kw，射频脉冲开和关的时间比大于等于1:1，且小于等于1:5000，射频脉冲开和关交替进行下的总时间大于等于10s，且小于等于1000s，氧气流量大于等于100sccm，且小于等于15000sccm，氩气流量大于等于100sccm，且小于等于15000sccm，所述炉管内压力大于等于300mtorr，且小于等于2500mtorr。
可选地，所述射频功率大于等于5Kw，且小于等于25Kw。
可选地，所述射频脉冲开和关的时间比大于等于1:1，且小于等于1:1000。
可选地，所述射频脉冲开和关交替进行下的总时间大于等于10s，且小于等于600s。
可选地，所述使用氮气或氩气吹扫所述炉管中，所述氮气或所述氩气的流量大于等于9000sccm，且小于等于11000sccm。
可选地，所述将石墨舟从所述炉管里取出包括，控制所述炉管内温度大于等于300℃，且小于等于550℃并将石墨舟从所述炉管里取出。
本发明还提供一种太阳电池隧穿氧化层，通过所述的太阳电池隧穿氧化层的制备方法制得。
本发明的太阳电池隧穿氧化层的有益效果在于：本发明的隧穿氧化层和现有热氧化技术制备的隧穿氧化层相比，相同隧穿氧化层厚度下，本发明的隧穿氧化层少子寿命等于或高于热氧化法技术制备的隧穿氧化层，本发明的隧穿氧化层均匀性及钝化效果好，相对笑气氛围中制备的隧穿氧化层更纯净单一，便于产业化生产。
附图说明
图1为本发明太阳电池隧穿氧化层的制备方法流程图；
图2为本发明一些实施例中将插入石墨舟的硅片置于恒温且真空的炉管内的步骤的流程图；
图3为TOPCON电池结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
图1为本发明太阳电池隧穿氧化层的制备方法流程图。参照图1，本发明的太阳电池隧穿氧化层的制备方法包括以下步骤：
S1：将插入石墨舟的硅片置于恒温且真空的炉管内；
S2：在所述炉管内通入氧气和氩气的混合气体或氧气，同时控制所述炉管内压力恒定；
S3：对所述硅片进行辉光放电；
S4：辉光放电完成后，将所述炉管抽真空；
S5：使用氮气或氩气吹扫所述炉管；
S6：吹扫完成后，将所述炉管抽真空；
S7：使所述炉管内的压力恢复正常大气压；
S8：将石墨舟从所述炉管里取出。
本发明在氧气和氩气的混合气体或氧气的氛围中制备隧穿氧化层，使用的气体成本低，有利于降低生产成本，给目前隧穿氧化层的制备方法提供了一个新的选择，降低了制备隧穿氧化层的局限性。同时本发明制备的隧穿氧化层和现有热氧化技术制备的隧穿氧化层相比，相同隧穿氧化层厚度下，本发明隧穿氧化层的少子寿命等于或高于热氧化法技术制备的隧穿氧化层，且能够精确控制隧穿氧化层的生长厚度，隧穿氧化层均匀性及钝化效果好，相对笑气氛围中制备的隧穿氧化层更纯净单一，便于产业化生产。
另外，本发明隧穿氧化层制备完成后，在同一炉管中，可抽真空后通入硅烷、磷烷、氩气气体或者通入硅烷、氩气气体，重新开启射频电源，在隧穿氧化层之上再进行原位掺杂层(d-poly)镀膜或本征层(i-poly)镀膜，因此使用本发明隧穿氧化层的制备方法可以和d-poly镀膜在同一炉管中完成，工业化生产方便快捷，能够与d-poly镀膜制备工艺进行非常好的衔接和匹配，具有工业化生产方便、快捷的特点。
图2为本发明一些实施例中将插入石墨舟的硅片置于恒温且真空的炉管内的步骤的流程图。参照图2，所述将插入石墨舟的硅片置于恒温且真空的炉管内包括：
S11：将插入石墨舟的硅片送入炉管；
S12：将所述炉管内温度升高，并将所述炉管抽真空；
S13：使所述炉管内保持恒温。
一些实施例中，所述将插入石墨舟的硅片送入炉管包括，将插入石墨舟的硅片送入温度大于等于280℃，且小于等于320℃的炉管内。
一些具体的实施例中，所述将插入石墨舟的硅片送入炉管包括：将插入石墨舟的硅片送入温度为300℃的炉管内。
一些具体的实施例中，所述将插入石墨舟的硅片送入炉管包括：将插入石墨舟的硅片送入温度为310℃的炉管内。
一些实施例中，所述将所述炉管内温度升高包括，将所述炉管内温度升温至大于等于300℃，且小于等于550℃。
一些具体的实施例中，所述将所述炉管内温度升高包括：将所述炉管内温度升温至320℃。
一些具体的实施例中，所述将所述炉管内温度升高包括：将所述炉管内温度升温至500℃。
一些实施例中，所述将所述炉管抽真空包括：通过真空泵和蝶阀控制所述炉管内的压力小于60mtorr。
一些实施例中，所述使所述炉管内保持恒温包括，使所述炉管内温度控制在大于等于300℃，且小于等于550℃。
一些具体的实施例中，所述使所述炉管内保持恒温包括：使所述炉管内温度控制在320℃。
一些具体的实施例中，所述使所述炉管内保持恒温包括：使所述炉管内温度控制在500℃。
一些实施例中，所述在所述炉管内通入氧气和氩气的混合气体或氧气，同时控制所述炉管内压力恒定包括，在所述炉管内通入氧气和氩气的混合气体，其中所述氧气的流量大于等于100sccm，且小于等于15000sccm，所述氩气的流量大于0sccm，且小于等于15000sccm，同时通过真空泵和蝶阀控制炉管内压力大于等于300mtorr，且小于等于2500mtorr。其有益效果在于：炉管内需要保持压力恒定，使得进行辉光放电时的稳定性更好，可以保证后续开启射频电源镀膜时制备的隧穿氧化层均匀性更好。
一些具体的实施例中，所述在所述炉管内通入氧气和氩气的混合气体或氧气，同时控制所述炉管内压力恒定包括：在所述炉管内通入氧气和氩气的混合气体，其中所述氧气的流量为15000sccm，所述氩气的流量为300sccm，同时通过真空泵和蝶阀控制炉管内压力为500mtorr。
一些具体的实施例中，所述在所述炉管内通入氧气和氩气的混合气体或氧气，同时控制所述炉管内压力恒定包括：在所述炉管内通入氧气和氩气的混合气体，其中所述氧气的流量为1000sccm，所述氩气的流量为15000sccm，同时通过真空泵和蝶阀控制炉管内压力为2500mtorr。
一些实施例中，所述在所述炉管内通入氧气和氩气的混合气体或氧气，同时控制所述炉管内压力恒定包括，在所述炉管内通入流量大于等于100sccm，且小于等于15000sccm的氧气，同时通过真空泵和蝶阀控制炉管内压力大于等于300mtorr，且小于等于2500mtorr。
一些具体的实施例中，所述在所述炉管内通入氧气和氩气的混合气体或氧气，同时控制所述炉管内压力恒定包括，在所述炉管内通入流量大于等于10000sccm的氧气，同时通过真空泵和蝶阀控制炉管内为2000mtorr。
一些实施例中，所述氧气和氩气混合气体中，所述氧气与所述氧气和氩气混合气体的流量比大于等于1％，且小于100％。
一些具体的实施例中，所述氧气和氩气混合气体中，所述氧气与所述氧气和氩气混合气体的流量比为1％。
一些具体的实施例中，所述氧气和氩气混合气体中，所述氧气与所述氧气和氩气混合气体的流量比为99％。
一些具体的实施例中，所述氧气和氩气混合气体中，所述氧气与所述氧气和氩气混合气体的流量比为50％。
一些实施例中，所述氧气和氩气混合气体中，所述氧气与所述氧气和氩气混合气体的流量比大于等于60％，且小于100％，该条件下射频电源辉光更稳定，制备得到的隧穿氧化层的质量更好。
一些具体的实施例中，所述氧气和氩气混合气体中，所述氧气与所述氧气和氩气混合气体的流量比为70％。
一些具体的实施例中，所述氧气和氩气混合气体中，所述氧气与所述氧气和氩气混合气体的流量比为80％。
一些具体的实施例中，所述氧气和氩气混合气体中，所述氧气与所述氧气和氩气混合气体的流量比为90％。
一些实施例中，所述对所述硅片进行辉光放电的条件包括：所述对所述硅片进行辉光放电的条件包括，温度大于等于300℃，且小于等于550℃，射频功率大于等于5Kw，且小于等于30Kw，射频脉冲开和关的时间比大于等于1:1，且小于等于1:5000，射频脉冲开和关交替进行下的总时间大于等于10s，且小于等于1000s，氧气流量大于等于100sccm，且小于等于15000sccm，氩气流量大于等于100sccm，且小于等于15000sccm，所述炉管内压力大于等于300mtorr，且小于等于2500mtorr，该条件下能够精确控制隧穿氧化层的生长厚度。
一些实施例中，所述射频功率大于等于5Kw，且小于等于25Kw。
一些具体的实施例中，所述射频功率为20Kw。
一些实施例中，所述射频脉冲开和关的时间比大于等于1:1，且小于等于1:1000。
一些具体的实施例中，所述射频脉冲开和关的时间比为1:500。
一些实施例中，所述射频脉冲开和关交替进行下的总时间大于等于10s，且小于等于600s。
一些具体的实施例中，所述射频脉冲开和关交替进行下的总时间为500s。
一些实施例中，所述使用氮气或氩气吹扫所述炉管中，所述氮气或所述氩气的流量大于等于9000sccm，且小于等于11000sccm。
一些具体的实施例中，所述使用氮气或氩气吹扫所述炉管中：所述氮气或所述氩气流量为10000sccm。
一些实施例中，所述将石墨舟从所述炉管里取出包括：所述将石墨舟从所述炉管里取出包括，控制所述炉管内温度大于等于300℃，且小于等于550℃并将石墨舟从所述炉管里取出。
一些具体的实施例中，所述将石墨舟从所述炉管里取出包括：控制所述炉管内温度为320℃并将石墨舟从所述炉管里取出。
一些具体的实施例中，所述将石墨舟从所述炉管里取出包括：控制所述炉管内温度为500℃并将石墨舟从所述炉管里取出。
本发明还提供一种太阳电池隧穿氧化层，通过所述太阳电池隧穿氧化层的制备方法制得。
本发明的隧穿氧化层和现有热氧化技术制备的隧穿氧化层相比，相同隧穿氧化层厚度下，本发明的隧穿氧化层少子寿命等于或高于热氧化法技术制备的隧穿氧化层，本发明的隧穿氧化层均匀性及钝化效果好，相对笑气氛围中制备的隧穿氧化层更纯净单一，便于产业化生产。
图3为TOPCON太阳电池结构示意图。参照图3，TOPCON太阳电池结构依次包括减反射层1、钝化层2、发射极3、基极4、隧穿氧化层5、原位掺杂层6和金属化层7。
另一些TOPCON太阳电池中，所述TOPCON太阳电池结构依次包括减反射层1、钝化层2、发射极3、基极4、隧穿氧化层5、本征掺杂层和金属化层7。
参照图3，本发明太阳电池隧穿氧化层的制备方法制备的隧穿氧化层5的厚度大于等于0.5nm，且小于等于3.0nm。
以下通过第一至第四实施例对本发明的技术方案进行详细阐述。
本发明第一至第四实施例提供了太阳电池隧穿氧化层的具体制备方法，并使用少子寿命测试仪WCT-120分别测试低压氧化方法和本发明制备方法制备的隧穿氧化层的少子寿命和电性能，所述电性能包括一个标准太阳强度下潜在的开路电压(1-sun_ImpliedVoc)、潜在的填充因子(Implied FF)以及反向饱和电流(Jo)，然后将测试结果进行对比。少子寿命越高，一个标准太阳强度下潜在的开路电压越高，潜在的填充因子越高，反向饱和电流越低，则TOPCON太阳电池隧穿氧化层的质量越好，此四项测试是表征太阳电池隧穿氧化层质量好坏的衡量参数。
第一实施例
本发明第一实施例太阳电池隧穿氧化层的制备方法为：
将插入石墨舟的硅片送入炉管，将所述炉管内温度控制在300℃；
将所述炉管内温度从300℃升高至550℃，并通过真空泵和蝶阀控制所述炉管内压力小于60mtorr；
在所述炉管温度为550℃以及压力为2500mtorr的条件下，向所述炉管内通入流量为15000sccm的氧气和流量为15000sccm的氩气；
在温度为550℃，射频功率为30Kw，射频脉冲开和关的时间比为1:5000，此过程具体为射频脉冲开1ms然后关5000ms，然后射频脉冲开和关交替进行，射频脉冲开和关交替进行下的总时间为1000s，氧气流量为15000sccm，氩气流量为15000sccm，所述炉管内压力为2500mtorr的条件下对所述硅片进行辉光放电；
辉光放电完成后，将所述炉管抽真空，通过真空泵和蝶阀控制所述炉管内压力小于60mtorr；
使用流量为10000sccm氮气或氩气吹扫所述炉管；
吹扫完成后，通过真空泵和蝶阀控制对所述炉管抽真空至压力小于60mtorr；
使所述炉管内的压力恢复正常大气压；
控制所述炉管内温度为550℃并将石墨舟从所述炉管里取出。
表1是本发明第一实施例制备方法和低压氧化方法制备的TOPCON太阳电池隧穿氧化层的性能评估结果。参照表1，本发明第一实施例制备的隧穿氧化层与相同隧穿氧化层厚度条件下的低压热氧化制备的隧穿氧化层少子寿命相当，表明本发明制备的隧穿氧化层能够满足太阳电池对隧穿氧化层的要求。
表1
Figure BDA0003869700910000111
Figure BDA0003869700910000121
第二实施例
本发明第二实施例的太阳电池隧穿氧化层的制备方法与第一实施例的区别在于辉光放电的条件不同。本发明第二实施例辉光放电的条件为：温度为350℃，射频功率为10Kw，射频脉冲开和关的时间比为1:20，此过程具体为射频脉冲开5ms然后关100ms，然后射频脉冲开和关交替进行，射频脉冲开和关交替进行下的总时间为80s，氧气流量为4000sccm，氩气流量为3000sccm，所述炉管内压力为1300mtorr。
表2是本发明第二实施例制备方法和低压氧化方法制备的TOPCON太阳电池隧穿氧化层的性能评估结果。参照表2，本申请第二实施例制备的隧穿氧化层与相同隧穿氧化层厚度条件下的低压热氧化制备的隧穿氧化层少子寿命相当，表明本发明制备的隧穿氧化层能够满足太阳电池对隧穿氧化层的要求。
表2
Figure BDA0003869700910000122
第三实施例
本发明第三实施例太阳电池隧穿氧化层的制备方法与第一实施例的区别在于辉光放电的条件不同。本发明第三实施例辉光放电的条件为：温度为350℃，射频功率为14Kw，射频脉冲开和关的时间比为1:20，此过程具体为射频脉冲开5ms然后关100ms，然后射频脉冲开和关交替进行，射频脉冲开和关交替进行下的总时间为80s，氧气流量为4000sccm，氩气流量为2000sccm，所述炉管内压力为1200mtorr。
表3是本发明第三实施例制备方法和低压氧化方法制备的TOPCON太阳电池隧穿氧化层的性能评估结果。参照表3，本申请第三实施例制备的隧穿氧化层与相同隧穿氧化层厚度条件下的低压热氧化制备的隧穿氧化层少子寿命结果相当，表明本发明制备的隧穿氧化层能够满足太阳电池对隧穿氧化层的要求。
表3
Figure BDA0003869700910000131
第四实施例
本发明第四实施例太阳电池隧穿氧化层的制备方法与第一实施例的区别在于辉光放电的条件不同。本发明第四实施例辉光放电的条件为：温度为400℃，射频功率为14Kw，射频脉冲开和关的时间比为3:100，此过程具体为射频脉冲开3ms然后关100ms，然后射频脉冲开和关交替进行，射频脉冲开和关交替进行下的总时间为100s，氧气流量为4000sccm，氩气流量为4000sccm，所述炉管内压力为1600mtorr。
表4是本发明第四实施例制备方法和低压氧化方法制备的TOPCON太阳电池隧穿氧化层的性能评估结果。参照表4，本发明第四实施例制备的隧穿氧化层对应的少子寿命比相同厚度下低压热氧化制备的隧穿氧化层少子寿命高，表明本发明制备的隧穿氧化层能够满足太阳电池隧穿氧化层的要求。
表4
Figure BDA0003869700910000132
本发明的制备方法与低压热氧化法制备的隧穿氧化层相比，相同隧穿氧化层厚度下，氧气等离子体化学气相沉积方法制备的隧穿氧化层效果等于或高于热氧化法制备的隧穿氧化层少子寿命。本发明为隧穿氧化层的制备提供了一种新的方法。
虽然在上文中详细说明了本发明的实施方式，但是对于本领域的技术人员来说显而易见的是，能够对这些实施方式进行各种修改和变化。但是，应理解，这种修改和变化都属于权利要求书中所述的本发明的范围和精神之内。而且，在此说明的本发明可有其它的实施方式，并且可通过多种方式实施或实现。

Claims (17)

1.一种太阳电池隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：将插入石墨舟的硅片置于恒温且真空的炉管内；
S2：在所述炉管内通入氧气和氩气的混合气体或氧气，同时控制所述炉管内压力恒定；
S3：对所述硅片进行辉光放电；
S4：辉光放电完成后，将所述炉管抽真空；
S5：使用氮气或氩气吹扫所述炉管；
S6：吹扫完成后，将所述炉管抽真空；
S7：使所述炉管内的压力恢复正常大气压；
S8：将石墨舟从所述炉管里取出。
2.根据权利要求1所述的太阳电池隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述将插入石墨舟的硅片置于恒温且真空的炉管内包括：
S11：将插入石墨舟的硅片送入炉管；
S12：将所述炉管内温度升高，并将所述炉管抽真空；
S13：使所述炉管内保持恒温。
3.根据权利要求2所述的太阳电池隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述将插入石墨舟的硅片送入炉管包括，将插入石墨舟的硅片送入温度大于等于280℃，且小于等于320℃的炉管内。
4.根据权利要求3所述的太阳电池隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述将所述炉管内温度升高包括，将所述炉管内温度升温至大于等于300℃，且小于等于550℃。
5.根据权利要求2所述的太阳电池隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述将所述炉管抽真空包括，通过真空泵和蝶阀控制所述炉管内的压力小于60mtorr。
6.根据权利要求2所述的太阳电池隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述使所述炉管内保持恒温包括，使所述炉管内温度控制在大于等于300℃，且小于等于550℃。
7.根据权利要求1所述的太阳电池隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述在所述炉管内通入氧气和氩气的混合气体或氧气，同时控制所述炉管内压力恒定包括，在所述炉管内通入氧气和氩气的混合气体，其中所述氧气的流量大于等于100sccm，且小于等于15000sccm，所述氩气的流量大于0sccm，且小于等于15000sccm，同时通过真空泵和蝶阀控制炉管内压力大于等于300mtorr，且小于等于2500mtorr。
8.根据权利要求1所述的太阳电池隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述在所述炉管内通入氧气和氩气的混合气体或氧气，同时控制所述炉管内压力恒定包括，在所述炉管内通入流量大于等于100sccm，且小于等于15000sccm的氧气，同时通过真空泵和蝶阀控制炉管内压力大于等于300mtorr，且小于等于2500mtorr。
9.根据权利要求7所述的太阳电池隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述氧气和氩气混合气体中，所述氧气与所述氧气和氩气混合气体的流量比大于等于1％，且小于100％。
10.根据权利要求7所述的太阳电池隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述氧气和氩气混合气体中，所述氧气与所述氧气和氩气混合气体的流量比大于等于60％，且小于100％。
11.根据权利要求1所述的太阳电池隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述对所述硅片进行辉光放电的条件包括，温度大于等于300℃，且小于等于550℃，射频功率大于等于5Kw，且小于等于30Kw，射频脉冲开和关的时间比大于等于1:1，且小于等于1:5000，射频脉冲开和关交替进行下的总时间大于等于10s，且小于等于1000s，氧气流量大于等于100sccm，且小于等于15000sccm，氩气流量大于等于100sccm，且小于等于15000sccm，所述炉管内压力大于等于300mtorr，且小于等于2500mtorr。
12.根据权利要求11所述的太阳电池隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述射频功率大于等于5Kw，且小于等于25Kw。
13.根据权利要求11所述的太阳电池隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述射频脉冲开和关的时间比大于等于1:1，且小于等于1:1000。
14.根据权利要求11所述的太阳电池隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述射频脉冲开和关交替进行下的总时间大于等于10s，且小于等于600s。
15.根据权利要求1所述的太阳电池隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述使用氮气或氩气吹扫所述炉管中，所述氮气或所述氩气的流量大于等于9000sccm，且小于等于11000sccm。
16.根据权利要求1所述的太阳电池隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述将石墨舟从所述炉管里取出包括，控制所述炉管内温度大于等于300℃，且小于等于550℃并将石墨舟从所述炉管里取出。
17.一种太阳电池隧穿氧化层，其特征在于，通过权利要求1～16所述的太阳电池隧穿氧化层的制备方法制得。
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