CN115512660A - 显示装置 - Google Patents

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下田雅通
河内玄士朗
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Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
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Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
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Abstract

本发明涉及显示装置。该显示装置包括：显示像素电路，所述显示像素电路包括显示发光元件；参考发光元件；以及显示驱动电路。所述显示像素电路被配置为根据与视频数据对应的数据信号来控制所述显示发光元件的发光。所述参考发光元件被排除在根据所述视频数据进行的所述控制之外。所述显示驱动电路被配置为：获取指示所述参考发光元件的电流‑电压特性的参考信号；获取指示所述显示发光元件的电流‑电压特性的特性信号；以及基于所述特性信号与所述参考信号的差值生成指示所述显示发光元件的劣化程度的信号。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置，特别是涉及发光元件的亮度劣化的评估。
背景技术
有机发光二极管(OLED)元件是电流驱动型的发光元件，因此不需要背光源。除此之外，OLED元件还具有实现低功耗、宽视角和高对比度的优点。有望为平板显示设备的发展做出贡献。
诸如OLED元件的发光器件的特性会发生不可逆的变化，从而影响其发光寿命。具体地，该变化引起诸如图像老化或残留图像的问题，其中持续看到固定图像的痕迹。解决或减轻该问题的方法的示例补偿了OLED元件的亮度劣化。该方法估计每个OLED元件的劣化程度，并通过根据劣化程度调整亮度来控制其发光。因此，可以减少由OLED元件的劣化引起的像素之间的亮度差异。
发明内容
可以根据发光元件的电流-电压特性的变化来估计发光元件的亮度劣化。然而，发光元件的电流-电压特性的变化可能更多地取决于环境变化，而不是由累积的发光时间引起的劣化。例如，由温度变化引起的OLED元件的电流-电压特性的变化远大于由劣化引起的OLED元件的电流-电压特性的变化。
因此，测量发光元件的电流-电压特性需要覆盖较宽的电压(电流)范围，这使得更难以准确地测量由劣化引起的电流-电压特性。
本发明的一个方面是一种显示装置，包括：显示像素电路，所述显示像素电路包括显示发光元件；参考发光元件；以及显示驱动电路，其中，所述显示像素电路被配置为根据与视频数据对应的数据信号来控制所述显示发光元件的发光。所述参考发光元件被排除在根据所述视频数据进行的所述控制之外。所述显示驱动电路被配置为：获取指示所述参考发光元件的电流-电压特性的参考信号；获取指示所述显示发光元件的电流-电压特性的特性信号；以及基于所述特性信号与所述参考信号的差值生成指示所述显示发光元件的劣化程度的信号。
本发明的一方面使得能够评估发光元件的亮度劣化。
应当理解，上面的概述和以下详细描述都是示例性和解释性的，而不是对本发明的限制。
附图说明
图1示意性地示出了OLED显示装置的配置示例；
图2示意性地示出了像素电路和感测线驱动电路的配置示例；
图3是测量显示像素电路中的OLED元件的电流-电压特性的操作的示例的流程图；
图4示意性地示出了由温度变化引起的OLED元件的电流-电压特性的变化和由劣化引起的变化；
图5是图1和图2所示的配置示例中的控制信号的时序图；
图6示意性地示出了第二实施方式的OLED显示装置的配置示例；
图7是第二实施方式的控制信号的时序图；
图8示意性地示出了第三实施方式的OLED显示装置的配置示例；
图9是图8所示的配置示例中的控制信号的时序图；
图10示出了差值计算电路的另一配置示例；
图11示出了差值计算电路的又一配置示例；
图12示意性地示出了由温度变化引起的OLED元件的电流-电压特性的变化和由劣化引起的变化；以及
图13是示意性地示出评估帧时段内的发光元件的亮度劣化的示例的时序图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图描述本发明的实施方式。应当理解，实施方式仅是用于实施本发明的示例，并不用于限制本发明的技术范围。
本说明书的实施方式中的显示装置评估发光元件的亮度劣化。可以根据发光元件的电流-电压特性的变化来估计发光元件的亮度劣化。然而，发光元件特性的变化可能更多地取决于环境变化，而不是由累积发光时间引起的劣化。例如，由温度变化引起的OLED元件特性的变化远大于由OLED元件的劣化引起的变化。
因此，测量由劣化引起的特性变化需要覆盖较宽的电压(电流)范围，这使得更难以准确地测量由劣化引起的特性变化。为了测量宽范围内的小变化，需要具有高分辨率的测量电路，例如高分辨率模数转换器。例如，当温度从0℃变为85℃时，从OLED元件测得的电压变化约为1V。然而，在此变化中，由OLED元件的劣化引起的变化约为0.1V。
本说明书的一个实施方式中的显示装置测量用于显示图像的显示像素电路中的发光元件的特性，并与不显示图像的参考发光元件的特性进行比较。这种配置使得能够利用较低分辨率的测量电路准确地评估每个发光元件的亮度劣化。
第一实施方式
显示装置的配置
参考图1描述本说明书的实施方式中的显示装置的配置。附图中的元件可能在尺寸或形状上有所夸大，以便于理解描述。在下文中，OLED显示装置作为显示装置的示例被描述。本发明中的发光元件特性的测量适用于不同于OLED元件的发光元件。
图1示意性地示出了OLED显示装置10的配置示例。OLED显示装置10包括排列在基板上以形成显示区域125的多个显示像素电路210和设置在基板上但在显示区域125外部的虚拟像素电路220。
OLED元件由未示出的结构封装单元密封。显示驱动电路设置在显示区域125的外围。具体地，设置有显示扫描线驱动电路131、感测扫描线驱动电路132、感测线驱动电路133和数据线驱动电路134。OLED显示装置10还包括图像控制电路307。图像控制电路307可以安装在连接到基板的各向异性导电膜(ACF)上。这些用于控制OLED显示装置10的电路可以自由设置。
每个显示像素电路210包括OLED元件(发光元件)和用于控制OLED元件的发光的薄膜晶体管(TFT)电路。虚拟像素电路220包括OLED元件和TFT电路。在本说明书的一个实施方式中，虚拟像素电路220和显示像素电路210具有相同的电路配置。
图1的配置示例中的显示区域125包括M个显示像素电路行，每个显示像素电路行由沿X轴排列的多个显示像素电路210组成。显示像素电路行沿Y轴上下设置。显示区域125还包括N个显示像素电路列，每个显示像素电路列由沿Y轴排列的多个显示像素电路210组成。显示像素电路列沿X轴并排设置。像素电路210和220的布局可以根据设计来适当地确定。显示像素行或显示像素列是显示像素线。
显示像素电路210中的OLED元件发射特定颜色的光。例如，从所有显示像素电路210发射的光的颜色可以是相同的白色或为不同的红色、绿色和蓝色。包括在显示区域125中的显示像素电路210根据来自外部的视频数据显示图像。
虚拟像素电路220包括要被参考以评估显示像素电路210的亮度劣化的参考OLED元件。虚拟像素电路220用于评估显示像素电路210的亮度劣化并且被排除在显示与视频数据对应的图像之外。虚拟像素电路220可以用未示出的屏蔽罩覆盖，以便从正面看不到。
在图1的配置示例中，仅1个虚拟像素电路220设置在基板上，并且与一个显示像素电路行一起包含在一个像素电路行中。像素电路行是像素电路线。虚拟像素电路220中的OLED元件发射与显示像素电路210之一中的OLED元件相同颜色的光。在本说明书的一个实施方式中，期望的是，包括用于显示区域125中的OLED元件的每种颜色的光的OLED元件的多个虚拟像素电路220设置在显示区域125外部。每个虚拟像素电路220用于评估包括用于相同颜色的光的OLED元件的显示像素电路210的亮度劣化。因此，可以更准确地评估显示像素电路210的亮度劣化。
每个显示像素电路行连接到其中的显示像素电路共用的两条显示扫描线WS和ES。显示扫描线WS和ES沿X轴延伸；在图1中，作为示例，仅对一个显示像素电路行的显示扫描线标注了附图标记WS、ES。显示扫描线驱动电路131沿显示区域125的一侧设置在显示区域125的外部。显示扫描线驱动电路131驱动显示扫描线WS和ES输出用于控制连接到这些扫描线WS和ES的显示像素电路210和虚拟像素电路220(如果有的话)的信号。
如稍后将描述的，每条扫描线WS传输选择信号，该选择信号用于选择将确定OLED元件的亮度的数据信号写入其中的像素电路行。每条扫描线ES传输用于切换向OLED元件的电流供应的接通/断开的发光控制信号。虚拟像素电路220与对应的显示像素电路行中的显示像素电路连接到相同的扫描线WS和ES，并由这些扫描线WS和ES传输的信号控制。
每个显示像素电路行连接到其中的显示像素电路共用的一条感测扫描线。图1包括沿X轴延伸的M条感测扫描线SS1至SSM(M是大于1的整数)。感测扫描线驱动电路132在显示区域125外部与显示扫描线驱动电路131相对地设置。感测扫描线驱动电路132驱动感测扫描线SS1至SSM输出用于控制连接到这些感测扫描线的显示像素电路210和虚拟像素电路220(如果有的话)的信号。
如稍后将描述的，每条感测扫描线选择像素电路行以评估亮度劣化。像素电路行包括显示像素电路210和虚拟像素电路220，或者仅包括显示像素电路210。图1的配置示例中的虚拟像素电路220与显示像素电路行中的首先要被选择的最上部的显示像素电路行连接到相同的感测扫描线SS1。在显示区域125包括用于多种不同颜色的光的OLED元件的情况下，各自包括用于不同颜色的光的OLED元件的多个虚拟像素电路可以连接到感测扫描线SS1。
每个显示像素电路列连接到其中的显示像素电路共用的一条数据线DL。数据线DL沿Y轴延伸；在图1中，作为示例，其中一条数据线被标注了附图标记DL。数据线驱动电路134设置在显示区域125外部的与其他显示驱动电路不同的位置。图1的示例中的数据线驱动电路134沿显示区域125的上侧设置。数据线驱动电路134驱动数据线DL将指定OLED元件的发光强度的数据信号输出到数据线DL。
图1的配置示例中的虚拟像素电路220连接到没有连接到任何显示像素电路210的数据线DL。在本说明书的一个实施方式中，没有数据信号从数据线DL写入到虚拟像素电路220。在提供用于多种颜色的光的虚拟像素电路的情况下，虚拟像素电路可以连接到不同的数据线DL。
图1示出了沿Y轴延伸的(N+1)条感测线SLD和SL1至SLN(N是大于1的整数)。显示扫描线、感测扫描线和感测线是控制线。感测线驱动电路133在显示区域125外部与数据线驱动电路134相对地设置。感测线驱动电路133驱动感测线SLD和SL1至SLN以测量显示像素电路210的特性并从显示像素电路210和连接到感测线的虚拟像素电路220接收指示OLED元件的特性的信号。
在图1的配置示例中，感测线SLD连接到一个虚拟像素电路220并且不连接到任何显示像素电路210。感测线SL1至SLN各自连接到显示像素电路列。每条感测线将连接到感测线的像素电路中由感测扫描线选择的像素电路的特性信号传输到感测线驱动电路133。
感测线驱动电路133包括选择器电路301、差值计算电路303和AD转换器(ADC)305。选择器电路301选择从其接收信号的感测线。差值计算电路303计算所选择的显示像素电路和虚拟像素电路之间的特性信号的差值。AD转换器305将模拟信号转换为数字信号。稍后将描述这些电路元件的细节。
图像控制电路307根据从外部接收的视频数据生成数据信号以在显示区域125中显示与该视频数据对应的图像，并控制驱动电路131至134。图像控制电路307获取指示显示像素电路210中的OLED元件的特性的数据。具体地，图像控制电路307获取指示显示像素电路210中的显示OLED元件的特性与虚拟像素电路220中的参考OLED元件的特性的差值的数据。图像控制电路307基于该数据确定要供应给每个显示像素电路210的数据信号。
显示扫描线、感测扫描线、数据线和感测线的布局不限于图1的示例。在图1的配置示例中，连接到同一条显示扫描线的像素电路(显示像素电路和虚拟像素电路)连接到同一条感测扫描线。与此配置不同的是，连接到同一条显示扫描线的像素电路可以连接到不同的感测扫描线。虚拟像素电路220可以具有与显示像素电路210的电路配置不同的电路配置。
电路配置
显示像素电路210包括显示OLED元件，虚拟像素电路220包括参考OLED元件。像素电路210和220通过控制要供应给OLED元件的阳极电极的电流来控制它们的OLED元件的亮度。在以下描述的示例中，显示像素电路210和虚拟像素电路220具有相同的配置。因此，可以更准确地评估显示像素电路210中的OLED元件的亮度劣化。
图2示意性地示出了显示像素电路210和感测线驱动电路133的配置示例。虚拟像素电路220具有与显示像素电路210相同的电路配置。显示像素电路210包括OLED元件E1、驱动晶体管P1、用于显示图像的选择晶体管P2、发光晶体管P3和存储电容器C1。显示像素电路210还包括用于测量OLED元件E1的特性的选择晶体管P4。图2的配置示例中的晶体管是p型TFT。
选择晶体管P2是用于选择向其写入数据信号的像素电路的开关。选择晶体管P2的栅极连接到显示扫描线WS。源极连接到数据线DL。漏极连接到驱动晶体管P1的栅极。
驱动晶体管P1是用于驱动OLED元件E1的晶体管(驱动TFT)。驱动晶体管P1的栅极连接到选择晶体管P2的漏极。驱动晶体管P1的源极连接到用于传输电源电位VDD的电源线108。驱动晶体管P1的漏极连接到发光晶体管P3的源极。存储电容器C1设置在驱动晶体管P1的栅极和源极之间。
发光晶体管P3是用于控制是否向OLED元件E1供应驱动电流的开关。发光晶体管P3的栅极连接到显示扫描线ES。发光晶体管P3的源极连接到驱动晶体管P1的漏极。发光晶体管P3的漏极连接到OLED元件E1的阳极。OLED元件E1的阴极被供应阴极电源电位VEE。
用于特性测量的选择晶体管P4是用于选择像素电路来测量其中的OLED元件E1的特性的开关。选择晶体管P4的栅极连接到感测扫描线SS。感测扫描线SS是指感测扫描线之一。源极/漏极的一端连接到OLED元件E1的阳极，另一端连接到感测线SLk。感测线SLk是指第k感测线。
接下来，描述显示图像的显示像素电路210的操作。显示扫描线驱动电路131向扫描线WS输出选择脉冲，使选择晶体管P2导通。通过数据线DL从数据线驱动电路134供应的数据电压被存储到存储电容器C1。存储电容器C1在一个帧时段内保持存储的电压。驱动晶体管P1的电导根据存储的电压以模拟方式改变，从而驱动晶体管P1向OLED元件E1供应对应于发光强度的正向偏置电流。
发光晶体管P3位于驱动电流的供应路径上。显示扫描线驱动电路131向扫描线ES输出控制信号以控制发光晶体管P3的导通/截止。当发光晶体管P3导通时，驱动电流被供应给OLED元件E1。当发光晶体管P3截止时，该供应停止。可以通过控制发光晶体管P3的导通/截止来控制一个帧时段中的发光时段(占空比)。
接下来，描述用于测量显示像素电路210中的OLED元件E1的特性的电路配置。选择器电路301包括各自与感测线相关联的开关。图2作为示例示出了连接到感测线SLk的给定开关SLkSW。选择器电路301包括用于所有感测线SLD和SL1至SLN的开关。选择器电路301串联地选择开关以选择用于传输待评估的OLED元件E1的信号的感测线。因此，可以减少差值计算电路303和AD转换器305的数量。
差值计算电路303包括电流源310、开关SW1和SW2、采样保持电路(S/H)311和312、以及差分放大器(运算放大器)电路313。图2中的感测线驱动电路133在恒定电流下测量感测线的电压(电压感测方法)。该电压表示OLED元件的电流-电压特性。
显示像素电路的特性的测量
描述测量显示像素电路210中的OLED元件E1的特性的操作。图3是测量显示像素电路210中的OLED元件E1的电流-电压特性的操作的示例的流程图。OLED显示装置10利用感测扫描线驱动电路132和感测线驱动电路133选择虚拟像素电路220，感测感测线SLD的Vsense电压，并将该电压保持在采样保持电路311中(S11)。
接下来，OLED显示装置10利用感测扫描线驱动电路132和感测线驱动电路133选择显示像素电路210，感测感测线的Vsense电压，并将该电压保持在采样保持电路312中(S12)。
接下来，OLED显示装置10利用差分放大器电路313测量虚拟像素电路的Vsense电压和显示像素电路的Vsense电压之间的电压差Vout(S13)。此外，OLED显示装置10利用感测扫描线驱动电路132和感测线驱动电路133依次选择显示像素电路210来测量电压差Vout(S14)。
图像控制电路307计算每个显示像素电路上的Vout电压相对于初始状态的变化，根据该变化估计每个OLED元件的亮度劣化，并基于该估计调整亮度(S15)。
描述更具体的电路操作。在显示图像的操作期间，用于特性测量的选择晶体管P4保持截止。OLED元件E1的特性的测量可以在除了显示视频数据的时段(显示时段)之外的时段中进行，例如，在显示装置10的启动序列或关闭序列期间进行。
为了测量OLED元件E1的特性，感测扫描线驱动电路132向感测扫描线SS输出选择脉冲以使选择晶体管P4导通。因此，感测线SLk和OLED元件E1电连接。感测线驱动电路133从感测线SLk接收指示OLED元件E1的特性的信号。
选择器电路301选择用于虚拟像素电路220的感测线SLD，或者在保持其他感测线的开关断开的同时接通感测线SLD的开关。电流源310通过感测线SLD的开关为感测线SLD供应恒定电流Is。差值计算电路303闭合开关SW1以将感测线SLD的电压供应给采样保持电路311，然后打开开关SW1。开关SW2保持断开。采样保持电路311保持开关SW1打开时的感测线SLD的电压。
接下来，选择器电路301选择要评估的显示像素电路210的感测线。假设要选择感测线SLk，则选择器电路301将用于感测线SLk的开关SLkSW导通并保持其他感测线的开关断开。电流源310通过开关SLkSW将恒定电流Is供应给感测线SLk。
差值计算电路303闭合开关SW2以将感测线SLk的电压供应给采样保持电路312，然后打开开关SW2。开关SW1保持断开。采样保持电路312保持开关SW2打开时的感测线SLk的电压。
差分放大器电路313输出与两个采样保持电路311、312所保持的电压之间的差值(Vsense1-Vsense2)成比例的信号Vout。换言之，差分放大器电路313输出与参考信号(Vsense1)和特性信号(Vsense2)的差值成比例的信号，所述参考信号(Vsense1)指示虚拟像素电路220的参考OLED元件的电流-电压特性，所述特性信号(Vsense2)指示待评估的显示像素电路210的显示OLED元件的电流-电压特性。AD转换器305将来自差分放大器电路313的模拟信号转换为数字值。
图2中的像素电路2是示例；像素电路可以具有其他电路配置。虽然图2中的像素电路包括p沟道型TFT，但像素电路可以包括n沟道型TFT。选择器电路301和差值计算电路303的开关可以是与像素电路中的TFT相同类型的TFT。
图4示意性地示出了由温度变化引起的OLED元件的电流-电压特性(I-V特性)的变化和由劣化引起的变化。在图4的曲线图中，横轴表示OLED元件的电压，纵轴表示电流。图4示意性地示出了在恒定电流Is下由温度变化引起的OLED元件的电压变化以及由劣化引起的变化。具体地，图4示出了在85℃、25℃和0℃的温度下由劣化引起的电流-电压特性的变化。随着温度从85℃下降到0℃，OLED元件响应恒定电流Is的电压显著增大。与该变化相比，在85℃、25℃和0℃的任何温度下，由劣化引起的电压变化都很小。
本实施方式中的OLED显示装置10通过参考参考OLED元件的电流-电压特性与待评估的OLED元件的电流-电压特性之间的差值，使温度对测得的电流-电压特性的影响较小。因此，可以降低AD转换器305所需的分辨率。
图5是图1和图2所示的配置示例中的控制信号的时序图。具体地，图5示出了感测扫描线SS1至SSM上的控制信号、选择器电路301中的开关SLDSW和SL1SW至SLNSW的控制信号、以及差值计算电路303中的开关SW1和SW2的控制信号的时间变化。开关SLDSW和SL1SW至SLNSW是选择器电路301中的用于感测线SLD和SL1至SLN的开关。
描述用于测量显示像素电路210的电流-电压特性的控制信号的时间变化。在电流-电压特性的测量期间，像素电路中的晶体管P2和P3截止。
在时间T1，感测扫描线SS1上的信号由高电平变为低电平。因此，连接到感测扫描线SS1的像素电路行被选择，这意味着像素电路中的选择晶体管P4导通。感测扫描线SS1连接到虚拟像素电路220以及显示像素电路210。其他感测扫描线上的信号为高电平，并且连接到这些线的像素电路中的选择晶体管P4保持截止。
此外，选择器电路301中的开关SLDSW的控制信号从高电平变为低电平，从而开关SLDSW接通。其他开关SL1SW至SLNSW保持断开。此外，差值计算电路303中的开关SW1的控制信号从高电平变为低电平，使得开关SW1接通。开关SW2保持断开。
由于虚拟像素电路220中的选择晶体管P4导通并且选择器电路301中的开关SLDSW接通，因此来自差值计算电路303中的恒定电流源310的恒定电流流向感测线SLD和OLED元件E1。由于差值计算电路303中的开关SW1接通，因此采样保持电路311接收指示虚拟像素电路220中的OLED元件E1的电压的信号。
在随后的时间T2，选择器电路301中的开关SLDSW的控制信号从低电平变为高电平，从而开关SLDSW断开。此外，差值计算电路303中的开关SW1的控制信号从低电平变为高电平，从而开关SW1断开。其他控制信号不变。由于两个开关断开，因此指示虚拟像素电路220中的OLED元件E1的电压的信号被保持在采样保持电路311中。
在本说明书的一个实施方式中，开关SW1在开关SLDSW断开之后立即断开。因此，采样保持电路311可以更确定地将信号保持在正确的感测线SLD上。该配置适用于选择器电路301中的开关和差值计算电路303中的开关的其它开关对的控制以及适用于其他实施方式。
在随后的时间T3，选择器电路301中的开关SL1SW的控制信号从高电平变为低电平，从而开关SL1SW接通。其他开关SLDSW和SL2SW至SLNSW保持断开。此外，差值计算电路303中的开关SW2的控制信号从高电平变为低电平，从而开关SW2接通。开关SW1保持断开。
在随后的时间T4，选择器电路301中的开关SL1SW的控制信号从低电平变为高电平，从而开关SL1SW断开。此外，差值计算电路303中的开关SW2的控制信号从低电平变为高电平，从而开关SW2断开。其他控制信号不变。由于两个开关断开，因此指示连接到感测扫描线SS1和感测线SL1的显示像素电路210中的OLED元件E1的电压的信号被保持在采样保持电路312中。
差分放大器电路313输出与两个采样保持电路311、312所保持的电压(信号)的差值成比例的信号。该信号是与特性信号和参考信号的差值成比例的信号，所述特性信号指示通过感测扫描线SS1和开关SL1SW选择的显示像素电路210中的显示OLED元件的电流-电压特性，所述参考信号指示虚拟像素电路220中的参考OLED元件的电流-电压特性。AD转换器305将来自差分放大器电路313的模拟信号转换为数字值。图像控制电路307基于接收到的数据，确定所述显示像素电路210的亮度的调整参数。在确定调整参数时，可以考虑由温度传感器检测到的温度。
对于其余的感测线，对开关SL2SW至SLNSW执行关于开关SL1SW所述的前述处理。连接到感测扫描线SS1的显示像素电路210的特性信号依次从感测线SL2至SLN进入采样保持电路312。表示以下信号的数据被供应给图像控制电路307：与显示像素电路210的特性信号和保持在采样保持电路311中的虚拟像素电路220的参考信号的差值成比例的信号。
在随后的时间T5，感测扫描线SS1上的信号从低电平变为高电平。因此，连接到感测扫描线SS1的像素电路行变为未被选择。此外，感测扫描线SS2上的信号从高电平变为低电平。因此，连接到感测扫描线SS2的像素电路行被选择。感测扫描线SS2仅连接到显示像素电路210，而不连接到虚拟像素电路。另一条感测扫描线上的信号为高电平，并且连接到这些线的像素电路中的选择晶体管P4保持截止。
感测扫描线SS2上的信号从时间T5到时间T6保持为低电平。在此时段期间，由感测扫描线SS2选择的显示像素电路210的特性信号如前所述依次进入采样保持电路312。采样保持电路311保持指示虚拟像素电路220的特性的参考信号。因此，表示以下信号的数据被供应给图像控制电路307：与连接到感测扫描线SS2的显示像素电路210的特性信号和虚拟像素电路220的参考信号的差值成比例的信号。
随后，感测扫描线SS3至SSM逐个导通，并重复执行关于感测扫描线SS2所述的前述处理。因此，测量所有显示像素电路210中的OLED元件的电流-电压特性，并与虚拟像素电路220的OLED元件的电流-电压特性进行比较。
如上所述，可以采用用于不同颜色的光的虚拟像素电路。例如，用于红光、绿光和蓝光的虚拟像素电路连接到感测扫描线SS1。OLED显示装置10对用于第一颜色的光的显示像素电路进行测量并与用于第一颜色的光的虚拟像素电路进行比较，对用于第二颜色的光的显示像素电路进行测量并与用于第二颜色的光的虚拟像素电路进行比较，以及对用于第三颜色的光的显示像素电路进行测量并与用于第三颜色的光的虚拟像素电路进行比较。
第二实施方式
描述了本说明书的另一实施方式中的OLED显示装置。下面主要描述与第一实施方式中的OLED显示装置的不同之处。图6示意性地示出了本实施方式中的OLED显示装置10的配置示例。与图1的配置示例相比，虚拟像素电路D1至DM连接到感测扫描线SS1至SSM。虚拟像素电路D1至DM相对于Y轴设置在不同的位置。
虚拟像素电路Dk通过感测扫描线SSk(k是1至M的值之一)来选择。感测扫描线SSk连接到多个显示像素电路210和虚拟像素电路Dk。每个像素电路行包括多个显示像素电路210和一个虚拟像素电路。
虚拟像素电路D1至DM连接到感测线SLD。来自通过感测扫描线SSk选择的虚拟像素电路Dk的信号通过感测线SLD进入感测线驱动电路133。在本说明书的一个实施方式中，所有虚拟像素电路都具有相同的电路配置，其也可以与显示像素电路210的电路配置相同。
期望的是，每个像素电路行都包括虚拟像素电路，虚拟像素电路包括用于不同颜色的光的OLED元件E1。例如，包括用于红光的OLED元件、用于绿光的OLED元件和用于蓝光的OLED元件的三个虚拟像素电路连接到每条感测扫描线。在不同位置设置多个虚拟像素电路使得显示像素电路的劣化评估更多地依赖于基板上沿Y轴的温度分布。并非所有的感测扫描线都必须连接到虚拟像素电路。
图7是本实施方式的控制信号的时序图。下面主要描述与图5的时序图的不同之处。除了选择虚拟像素电路D1之外，从时间T1到紧接时间T5之前的操作与图5的时序图中的操作相同。
在时间T5，感测扫描线SS2上的信号从高电平变为低电平，从而选择连接到感测扫描线SS2的像素电路行。这意味着像素电路中的选择晶体管P4导通。感测扫描线SS2不仅连接到显示像素电路210，还连接到虚拟像素电路D2。其他感测扫描线上的信号为高电平，并且连接到这些感测扫描线的像素电路中的选择晶体管P4保持截止。
此外，选择器电路301中的开关SLDSW的控制信号从高电平变为低电平，从而开关SLDSW接通。其他开关SL1SW至SLNSW保持断开。此外，差值计算电路303中的开关SW1的控制信号从高电平变为低电平，使得开关SW1接通。开关SW2保持断开。
由于虚拟像素电路D2中的选择晶体管P4导通并且选择器电路301中的开关SLDSW接通，因此来自差值计算电路303中的恒定电流源310的恒定电流流向感测线SLD和OLED元件E1。由于差值计算电路303中的开关SW1接通，因此采样保持电路311接收感测线SLD的电压，换言之，接收指示虚拟像素电路D2中的OLED元件E1的电压的信号。
在随后的时间T7，选择器电路301中的开关SLDSW的控制信号从低电平变为高电平，从而开关SLDSW断开。此外，差值计算电路303中的开关SW1的控制信号从低电平变为高电平，从而开关SW1断开。其他控制信号不变。由于两个开关断开，因此指示虚拟像素电路D2中的OLED元件E1的电压的信号被保持在采样保持电路311中。
在随后的时间T8，选择器电路301中的开关SL1SW的控制信号从高电平变为低电平，从而开关SL1SW接通。其他开关SLDSW和SL2SW至SLNSW保持断开。此外，差值计算电路303中的开关SW2的控制信号从高电平变为低电平，从而开关SW2接通。开关SW1保持断开。
在随后的时间T9，选择器电路301中的开关SL1SW的控制信号从低电平变为高电平，从而开关SL1SW断开。此外，差值计算电路303中的开关SW2的控制信号从低电平变为高电平，从而开关SW2断开。其他控制信号不变。由于两个开关断开，因此指示连接到感测扫描线SS2和感测线SL1的显示像素电路210中的OLED元件E1的电压的信号被保持在采样保持电路312中。
差分放大器电路313输出与两个采样保持电路311、312所保持的电压(信号)之间的差值成比例的信号。该信号是与特性信号和参考信号的差值成比例的信号，所述特性信号指示通过感测扫描线SS2和开关SL1SW选择的显示像素电路210中的显示OLED元件的电流-电压特性，所述参考信号指示虚拟像素电路220中的参考OLED元件的电流-电压特性。AD转换器305将来自差分放大器电路313的模拟信号转换为数字值。
对于其余的感测线，对开关SL2SW至SLNSW执行关于开关SL1SW所述的前述处理。连接到感测扫描线SS2的显示像素电路210的特性信号依次从感测线SL2至SLN进入采样保持电路312。表示以下信号的数据被供应给图像控制电路307：与显示像素电路210的特性信号和保持在采样保持电路311中的虚拟像素电路220的参考信号的差值成比例的信号。
在随后的时间T6，感测扫描线SS2上的信号从低电平变为高电平。因此，连接到感测扫描线SS2的像素电路行变为未被选择。此外，图7中未示出的下一条感测扫描线SS3上的信号从高电平变为低电平。因此，连接到感测扫描线SS3的像素电路行被选择。对感测扫描线SS3执行关于感测扫描线SS2所述的处理。
随后，感测扫描线SS4至SSM逐个导通，并重复执行关于感测扫描线SS2所述的处理。因此，测量所有显示像素电路210中的OLED元件的电流-电压特性，并与虚拟像素电路D1至DM中的OLED元件的电流-电压特性进行比较。
第三实施方式
描述了本说明书另一实施方式中的OLED显示装置。下面主要描述与第一实施方式中的OLED显示装置的不同之处。图8示意性地图示了本实施方式中的OLED显示装置10的配置示例。代替图1的配置示例中的虚拟像素电路220，虚拟像素电路DC1和DC2设置在显示区域125的上侧。
虚拟像素电路DC1和DC2连接到感测扫描线SSD。没有显示像素电路210连接到感测扫描线SSD。在感测扫描线的依次选择中首先选择感测扫描线SSD。虚拟像素电路DC1连接到感测线SL1，虚拟像素电路DC2连接到感测线SLN/2+1。在本实施方式中，N为偶数。
如稍后将描述的，虚拟像素电路DC1提供用于测量连接到感测线SL1至SLN/2的显示像素电路的特性的参考特性信号，并且虚拟像素电路DC2提供用于测量连接到感测线SLN/2+1至SLN的显示像素电路的特性的参考特性信号。虚拟像素电路DC1和DC2相对于X轴处于不同的位置。因此，该配置使得显示面板上沿X轴的温度分布对测得的显示像素电路210的电流-电压特性的影响较小。
OLED显示装置10包括感测线驱动电路135来代替图1中的感测线驱动电路133。感测线驱动电路135包括用于测量显示像素电路210中的OLED元件的特性的两个电路组。一组包括选择器电路501A、差值计算电路503A和AD转换器505A。另一组包括选择器电路501B、差值计算电路503B和AD转换器505B。
第一电路组测量连接到感测线SL1至SLN/2的显示像素电路的特性，第二电路组测量连接到感测线SLN/2+1至SLN的显示像素电路的特性。这两个电路组并行执行它们的处理(第一处理和第二处理)。因此，可以增加每个像素电路的选择时间或者可加快处理。
类似于图2中所示的选择器电路301，选择器电路501A和501B中的每一者包括用于分配给它们的感测线的开关。如图9所示，选择器电路501A包括用于切换感测线SL1至SLN/2的连接和断开的开关SL1SW至SLN/2SW，选择器电路501B包括用于切换感测线SLN2+1至SLN的连接和断开的开关SLN/2+1SW至SLNSW。
类似于图2中所示的差值计算电路303，差值计算电路503A和503B中的每一者包括恒定电流源、两个开关以及两个采样保持电路。如图9所示，差值计算电路503A包括开关SW11和SW12，差值计算电路503B包括开关SW21和SW22。
图9是图8所示的配置示例中的控制信号的时序图。具体地，图9示出了感测扫描线SSD和SS1至SSM上的控制信号、选择器电路501A中的开关SL1SW至SLN/2SW的控制信号、以及选择器电路501B中的开关SLN2+1SW至SLNSW的控制信号的时间变化。开关SL1SW至SLNSW是感测线SL1至SLN的开关。
图9还示出了差值计算电路503A中的开关SW11和SW12的控制信号以及差值计算电路503B中的开关SW21和SW22的控制信号的时间变化。开关SW11和SW12中的每一者切换相关联的采样保持电路与选择器电路501A之间的连接和断开。开关SW21和SW22中的每一者切换相关联的采样保持电路与选择器电路501B之间的连接和断开。
在时间T11，感测扫描线SSD上的信号从高电平变为低电平。因此，连接到感测扫描线SSD的像素电路行被选择，这意味着两个虚拟像素电路DC1和DC2被选择。其他感测扫描线上的信号为高电平，连接到这些感测扫描线的像素电路行未被选择。
此外，选择器电路501A中的开关SL1SW的控制信号从高电平变为低电平，从而开关SL1SW接通。选择器电路501A中的其他开关SL2SW至SLN/2SW保持断开。
此外，选择器电路501B中的开关SLN/2+1SW的控制信号从高电平变为低电平，从而开关SLN/2+1SW接通。选择器电路501B中的其他开关SLN/2+2SW至SLNSW保持断开。
另外，差值计算电路503A中的开关SW11的控制信号和差值计算电路503B中的开关SW21的控制信号从高电平变为低电平，从而开关SW11、SW21接通。开关SW12和SW22保持断开。
差值计算电路503A中的第一采样保持电路通过开关SL1SW和SW11从感测线SL1接收虚拟像素电路DC1中的参考OLED元件E1的参考特性信号。差值计算电路503B中的第一采样保持电路通过开关SL2+1SW和SW21从感测线SLN/2+1接收虚拟像素电路DC2中的参考OLED元件E1的参考特性信号。
在随后的时间T12，选择器电路501A中的开关SL1SW的控制信号从低电平变为高电平，从而开关SL1SW断开。选择器电路501B中的开关SLN/2+1SW的控制信号也从低电平变为高电平，从而开关SLN/2+1SW断开。
此外，差值计算电路503A中的开关SW11的控制信号从低电平变为高电平，从而开关SW11断开。差值计算电路503B中的开关SW21的控制信号也从低电平变为高电平，从而开关SW21断开。其他控制信号不变。由于这些开关断开，因此指示虚拟像素电路DC1和DC2中的OLED元件E1的电压的信号被保持在差值计算电路503A和503B中的第一采样保持电路中。
随后，依次选择感测线SL2至SLN/2和SLN/2+2至SLN。由于感测扫描线SSD仅连接到虚拟像素电路DC1和DC2，因此差值计算电路503A和503B中的第二采样保持电路不保持像素电路的任何信号。因此，可以省略关于感测扫描线SSD的时间T12之后的操作。
在随后的时间T13，感测扫描线SSD上的信号从低电平变为高电平，感测扫描线SS1上的信号从高电平变为低电平。因此，连接到感测扫描线SS1的像素电路行被选择。其他感测扫描线上的信号为高电平，连接到这些感测扫描线的像素电路行未被选择。
此外，选择器电路501A中的开关SL1SW的控制信号从高电平变为低电平，从而开关SL1SW接通。选择器电路501A中的其他开关SL2SW至SLN/2SW保持断开。
此外，选择器电路501B中的开关SLN/2+1SW的控制信号从高电平变为低电平，从而开关SLN/2+1SW接通。选择器电路501B中的其他开关SLN/2+2SW至SLNSW保持断开。
此外，差值计算电路503A中的开关SW12的控制信号和差值计算电路503B中的开关SW22的控制信号从高电平变为低电平，从而开关SW12、SW22接通。开关SW11和SW21保持断开。
差值计算电路503A中的第二采样保持电路通过开关SL1SW和SW12从感测线SL1接收显示像素电路210中的显示OLED元件E1的特性信号。差值计算电路503B中的第二采样保持电路通过开关SL2+1SW和SW22从感测线SLN/2+1接收显示像素电路210中的显示OLED元件E1的特性信号。
在随后的时间T14，选择器电路501A中的开关SL1SW的控制信号从低电平变为高电平，从而开关SL1SW断开。选择器电路501B中的开关SLN/2+1SW的控制信号也从低电平变为高电平，从而开关SLN2+1SW断开。
此外，差值计算电路503A中的开关SW12的控制信号从低电平变为高电平，从而开关SW12断开。差值计算电路503B中的开关SW22的控制信号也从低电平变为高电平，从而开关SW22断开。其他控制信号不变。由于这些开关断开，因此显示像素电路210中的OLED元件E1的特性信号被保持在差值计算电路503A和503B中的第二采样保持电路中。
差值计算电路503A通过AD转换器505A向图像控制电路307输出指示虚拟像素电路DC1和显示像素电路210之间的特性信号的差值的数据。差值计算电路503B也通过AD转换器505B向图像控制电路307输出指示虚拟像素电路DC2和显示像素电路210之间的特性信号的差值的数据。
感测扫描线SS1上的信号保持低电平直到时间T15。在从时间T14到时间T15的时段期间，选择器电路501A逐个选择感测线SL2至SLN/2。差值计算电路503A将显示像素电路210的OLED元件的特性信号从选择的感测线取入第二采样保持电路，并将指示所接收的显示像素电路210的特性信号与虚拟像素电路DC1的参考特性信号的差值的数据输出到图像控制电路307。
类似地，选择器电路501B逐个选择感测线SLN/2+2至SLN。差值计算电路503B将显示像素电路210的OLED元件的特性信号从选择的感测线取入第二采样保持电路，并将指示所接收的显示像素电路210的特性信号与虚拟像素电路DC2的参考特性信号的差值的数据输出到图像控制电路307。
随后，逐个选择感测扫描线SS2至SSM，并且重复执行关于感测扫描线SS1所述的前述处理。因此，测量了所有显示像素电路210中的OLED元件的电流-电压特性，并与虚拟像素电路DC1或DC2的OLED元件的电流-电压特性进行比较。
在图9的时序图中，每个开关接通的时段大约是图5的时序图中对应时段的两倍长。在参考图9描述的示例中，每个电路被选择用于测量的时段大约是参考图5描述的示例中的对应时段的两倍长。
参考图8和图9描述的配置示例使用两个虚拟像素电路和两个电路组来进行劣化评估。在另一个示例中，可以使用三个或更多个虚拟像素电路以及三个或更多个电路组来进行劣化评估。与在第二实施方式中一样，每个像素电路列可以包括虚拟像素电路，以将其电流-电压特性与同一像素电路列中的显示像素电路的电流-电压特性进行比较。像素电路列是像素电路线。如参考图1所描述的，多个虚拟像素电路可以连接到与连接到显示像素电路的感测线不同的感测线。
多个虚拟像素电路可以包括在不同的像素电路行中。例如，第一虚拟像素电路可以连接到感测扫描线SS1，第二虚拟像素电路可以连接到感测扫描线SSM/2+1。
测量连接到感测扫描线SS1至SSM/2的显示像素电路的电流-电压特性，并与第一虚拟像素电路的电流-电压特性进行比较。测量连接到感测扫描线SSM/2+1至SSM的显示像素电路的电流-电压特性，并与第二虚拟像素电路的电流-电压特性进行比较。如参考图8和图9所描述的，与第一虚拟像素电路的特性进行比较的测量和与第二虚拟像素电路的特性进行比较的测量是并行进行的。
第四实施方式
在下文中，描述差值计算电路的其他配置示例。图10示出了差值计算电路的另一个配置示例。下面主要描述与图2中的配置示例的不同之处。差值计算电路600包括相关双采样电路以生成与显示像素电路的特性信号和虚拟像素电路的参考特性信号的差值成比例的信号。相关双采样电路包括运算放大器601、电容元件CS、另一电容元件CF、和开关61。
电容元件CS连接在运算放大器601的反相输入端与选择器电路301之间。开关(SW)61和电容元件CF并联连接在运算放大器601的输出端与运算放大器601的反相输入端和电容元件CS之间的节点之间。电流源310连接到电容元件CS与选择器电路301之间的节点。
当开关61接通时，来自虚拟像素电路的信号Vsense1被采样并保持。随后断开开关61并且输入来自显示像素电路的信号Vsense2。运算放大器601的输出Vout为(Cs/Cf*(Vsense1-Vsense2))。
图11示出了差值计算电路的又一配置示例。下面主要描述与图2中的配置示例的不同之处。差值计算电路650包括电流-电压转换器电路(I/V转换器电路)651来代替图2中的差值计算电路303中的恒定电流源310。电流-电压转换器电路651通过开关SLkSW和选择晶体管P4向OLED元件E1供应电压，并将通过感测线流过OLED元件的电流信号(Isense)转换为电压信号。
来自虚拟像素电路的电流-电压转换信号被保持在采样保持电路311中，来自显示像素电路的电流-电压转换信号被保持在采样保持电路312中。如参考图2所述的，差分放大器电路313将电压差Vout输出到ADC。差值计算电路650可以被配置为使得图10中所示的相关双采样电路连接到电流-电压转换器电路651的输出端。
差值计算电路650在恒定电压下测量OLED元件的电流。图12示意性地示出了由温度变化引起的OLED元件的电流-电压特性(I-V特性)的变化和由劣化引起的变化。在图12的曲线图中，横轴表示OLED元件的电压，纵轴表示电流。图12示意性地示出了在恒定电压Vs下由温度变化引起的OLED元件的电流变化和由劣化引起的变化。
具体地，图12示出了在85℃、25℃、0℃的温度下由劣化引起的电流-电压特性的变化。随着温度从85℃下降到0℃，OLED元件响应恒定电压Vs的电流显著增大。与该变化相比，在85℃、25℃和0℃的任何温度下，由劣化引起的电流变化都很小。
通过参考参考OLED元件的电流-电压特性与要评估的OLED元件的电流-电压特性之间的差值，可以减小温度对测量的OLED元件的电流-电压特性的影响。因此，可以降低AD转换器305所需的分辨率。
第五实施方式
本实施方式测量画面显示时段的I-V特性。因此，可获得与实际状态一致的测量。画面显示时段是显示区域125中的像素电路行根据来自外部的视频数据显示画面的时段。画面显示时段由多个连续的帧时段组成。在一个示例中，不同像素电路行的帧时段具有相同的长度。由于像素电路行被逐个选择以提供数据信号，因此不同像素电路行的帧时段的开始时间按照选择的顺序偏移。
该实施方式包括用于在一个帧时段中测量I-V特性(I-V感测)以测量OLED元件的I-V特性的时段。以下描述的示例基于OLED显示装置10具有图6所示的配置示例的假设。由于像素电路在I-V感测时段期间不根据数据信号执行发光控制，因此I-V感测时段是不显示画面的帧图像的时段。
感测扫描线驱动电路132逐个选择像素电路行，感测线驱动电路133逐个选择所选择的像素电路行中的像素电路以测量I-V特性。I-V特性的测量在一个帧时段内的与根据数据信号控制发光的时段(帧图像显示时段)不同的时段中执行。不测量未选择的像素电路的I-V特性。
图13是本实施方式的控制信号的时序图。图13示出了第(Y-1)、第Y和第(Y+1)像素电路行的两个连续帧时段。第Y像素电路行的第一帧时段和第二帧时段分别被标注附图标记701和702。第(Y-1)像素电路行的第一帧时段早于第一帧时段701特定时间开始，第(Y+1)像素电路行的第一帧时段晚于第一帧时段701上述特定时间开始。所有帧时段都具有相同的长度。
图13示出了选择第Y像素电路行来进行I-V特性测量的示例。在第一帧时段701中，选择第X显示像素电路列来进行I-V特性测量，并且在接下来的第二帧时段702中，选择第(X+1)显示像素电路列来进行I-V特性测量。在图13的示例中，在一个帧时段内仅选择一个像素电路用于I-V测量，并且随着时间从一个帧时段前进到下一个帧时段，来逐个选择其他像素电路。
第(Y-1)像素电路行紧接在第Y像素电路行之前被选择并且第(Y+1)像素电路行紧接在第Y像素电路行之后被选择以进行I-V特性测量。如上所述，所选择的像素电路行中的像素电路被依次选择用于连续的不同帧时段中的I-V特性测量。例如，首先选择一个虚拟像素电路，然后从最左边的显示像素电路到最右边的显示像素电路逐个选择显示像素电路。在图13的示例中，第Y像素电路行中的虚拟像素电路的I-V特性已经在比第一帧时段701早X个帧时段的帧时段中测量。
第一帧时段701由帧图像显示时段711和随后的第X像素电路列的I-V感测时段712组成。被选择用于I-V特性测量的像素电路在帧图像显示时段711中以对应于数据信号的亮度点亮OLED元件，以及在I-V感测时段712中测量I-V特性。
也就是说，在帧图像显示时段711期间晶体管P3导通且晶体管P4截止，而在I-V感测时段712期间晶体管P3截止且晶体管P4导通。
如图2所示，显示扫描线驱动电路131利用扫描线ES依次选择像素电路行。所选择的像素电路行中的晶体管P3导通，未被选择的像素电路行中的晶体管P3截止。在本示例中，所有像素电路行的扫描线ES所传输的扫描信号具有相同的脉冲宽度。因此，未被选择用于I-V特性测量的像素电路行和像素电路被提供具有与I-V感测时段712相同长度的帧图像非显示时段。在帧图像非显示时段中仅测量所选择的像素电路的I-V特性。
晶体管P4是导通还是截止由感测扫描线传输的选择信号控制。在图13所示的示例中，感测扫描线SSY上的选择脉冲722的宽度(信号的低电平状态时段)长于感测扫描线SSY-1上的选择脉冲721的宽度和感测扫描线SSY+1上的选择脉冲723的宽度。
感测扫描线驱动电路132分别向感测扫描线SSY-1、SSY、和SSY+1依次输出脉冲721、722、和723。感测扫描线驱动电路132可以通过控制用于偏移脉冲的时钟信号来调整要输出到各条感测扫描线的选择脉冲的宽度。
感测扫描线SSY-1的选择脉冲721在第(Y-1)像素电路行的图像非显示时段的前半段被输出，并且感测扫描线SSY+1的选择脉冲723在第(Y+1)像素电路行的图像非显示时段的后半段被输出。在与感测扫描线SSY-1的选择脉冲721相同的时间，输出感测扫描线SSY之上(之前)的感测扫描线的选择脉冲。在与感测扫描线SSY+1的选择脉冲723相同的时间，输出感测扫描线SSY之下(之后)的感测扫描线的选择脉冲。除了选择脉冲722之外的所有选择脉冲可以具有相同的宽度。
从以上描述可以理解，通过改变第Y像素电路行之前和之后的选择脉冲的输出时间，第Y像素电路行的选择脉冲可以具有用于适当I-V特性测量的长宽度。感测扫描线驱动电路132在第M像素电路行的感测扫描之后但在第一像素电路行的感测扫描之前的时段改变选择脉冲的输出时间。
图13描述的示例在一个帧时段内从所选择的像素电路行中仅选择一个像素电路来测量其I-V特性。与此配置不同，感测线驱动电路133可以依次选择多个像素电路来测量它们的I-V特性。然后，可以减少测量I-V特性的时间。
图13描述的示例在测量虚拟像素电路的I-V特性之后，依次测量显示像素电路的I-V特性。与这种配置不同，感测线驱动电路133可以在对一个像素电路行的I-V特性测量期间多次测量虚拟像素电路的I-V特性。每当完成预定数量的显示像素电路的I-V特性测量时，就进行虚拟像素电路的I-V特性测量。预定数量可以是一或大于一的数。这种配置减少了虚拟像素电路的测量和显示像素电路的测量之间的时间延迟。
图13中所示的示例使晶体管P4导通以测量帧时段内的I-V特性。因此，电流流向OLED元件以点亮OLED元件。由于这个原因，在I-V特性测量期间的发光可能很明显，特别是在以低发光强度显示图像时。为了减少I-V特性测量对所显示的图像的影响，可以根据要显示的帧图像来确定是否进行I-V特性测量。
参考图13提供的描述适用于与图6的电路配置不同的电路配置，例如图1或图8的电路配置，其中，根据需要进行修改。
如上所述，已经描述了本发明的实施方式；然而，本发明不限于上述实施方式。本领域技术人员可以在本发明的范围内容易地修改、添加或转换前述实施方式中的每个元素。可以将一个实施方式的配置的一部分替换为另一个实施方式的配置，或者可以将一个实施方式的配置并入到另一个实施方式的配置中。

Claims (13)

1.一种显示装置，包括：
显示像素电路，所述显示像素电路包括显示发光元件；
参考发光元件；以及
显示驱动电路，
其中，所述显示像素电路被配置为根据与视频数据对应的数据信号来控制所述显示发光元件的发光，
其中，所述参考发光元件被排除在根据所述视频数据进行的所述控制之外，以及
其中，所述显示驱动电路被配置为：
获取指示所述参考发光元件的电流-电压特性的参考信号；
获取指示所述显示发光元件的电流-电压特性的特性信号；以及
基于所述特性信号与所述参考信号的差值生成指示所述显示发光元件的劣化程度的信号。
2.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述参考发光元件包括在虚拟像素电路中，以及
其中，所述虚拟像素电路具有与所述显示像素电路的电路配置相同的电路配置。
3.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述显示驱动电路被配置为：
根据所述视频数据显示画面；
逐个选择包括发射与所述参考发光元件发射的光相同颜色的光的显示发光元件的所有显示像素电路；以及
基于逐个选择的所述显示像素电路的特性信号与所述参考信号的差值，依次生成指示所述显示像素电路中的显示发光元件的劣化程度的信号。
4.根据权利要求1所述的显示装置，包括多条像素电路线，
其中，所述多条像素电路线中的每一条都包括虚拟像素电路和连接到公共控制线的多个显示像素电路，
其中，所述虚拟像素电路包括参考发光元件，
其中，所述多个显示像素电路中的每一个都包括显示发光元件，以及
其中，所述显示驱动电路被配置为：针对所述多条像素电路线中的每一条，基于所述显示发光元件的特性信号与所述参考发光元件的参考信号的差值，生成指示所述显示发光元件的劣化程度的信号。
5.根据权利要求4所述的显示装置，还包括：
多条感测线，所述多条感测线被配置为传输指示发光元件的电流-电压特性的信号；以及
多条感测扫描线，所述多条感测扫描线被配置为传输选择信号，以选择测量其中的所述发光元件的电流-电压特性的像素电路，
其中，所述多条感测线中的每一条都连接到一个像素电路列，
其中，所述多条感测扫描线中的每一条都连接到一个像素电路行，以及
其中，所述多条像素电路线中的每一条都是连接到一条感测扫描线的像素电路行。
6.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
多条像素电路线；以及
第一虚拟像素电路和第二虚拟像素电路，所述第一虚拟像素电路和所述第二虚拟像素电路各自包括参考发光元件，
其中，所述多条像素电路线中的每一条都包括连接到公共控制线的多个显示像素电路，
其中，所述显示驱动电路被配置为：
基于第一组像素电路线中的显示发光元件的特性信号与所述第一虚拟像素电路中的参考发光元件的参考信号的差值，执行第一处理以生成指示所述第一组像素电路线中的显示发光元件的劣化程度的信号；以及
基于第二组像素电路线中的显示发光元件的特性信号与所述第二虚拟像素电路中的参考发光元件的参考信号的差值，执行第二处理以生成指示所述第二组像素电路线中的显示发光元件的劣化程度的信号，以及
其中，所述第一处理和所述第二处理并行执行。
7.根据权利要求6所述的显示装置，
其中，所述第一虚拟像素电路连接到第一显示像素电路线的控制线，以及
其中，所述第二虚拟像素电路连接到第二显示像素电路线的控制线。
8.根据权利要求6所述的显示装置，还包括：
多条感测线，所述多条感测线被配置为传输指示发光元件的电流-电压特性的信号；以及
多条感测扫描线，所述多条感测扫描线被配置为传输选择信号，以选择测量其中的所述发光元件的电流-电压特性的像素电路，
其中，所述多条感测线中的每一条都连接到一个像素电路列，
其中，所述多条感测扫描线中的每一条都连接到一个像素电路行，以及
其中，所述多条像素电路线中的每一条都是连接到一条感测线的像素电路列。
9.根据权利要求1所述的显示装置，包括：
多个显示像素电路；以及
多个参考发光元件，
其中，所述多个显示像素电路中的显示发光元件由用于不同颜色的光的显示发光元件组成，
其中，所述多个参考发光元件由用于所述不同颜色的光的参考发光元件组成，以及
其中，所述显示驱动电路被配置为：基于用于每种颜色的光的显示发光元件的特性信号与用于和所述显示发光元件颜色相同的光的参考发光元件的参考信号的差值，生成指示所述显示发光元件的劣化程度的信号。
10.根据权利要求1所述的显示装置，还包括相关双采样电路，所述相关双采样电路被配置为基于所述特性信号与所述参考信号的差值来生成指示所述显示发光元件的劣化程度的信号。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示驱动电路被配置为：
在一个帧时段内的第一时段中，显示与所述视频数据对应的帧图像；以及
在所述一个帧时段内的与所述第一时段不同的第二时段中，获取指示所述参考发光元件的电流-电压特性的参考信号或指示所述显示发光元件的电流-电压特性的特性信号。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述显示驱动电路被配置为：
在所述一个帧时段内，获取指示多个显示像素电路的显示发光元件的电流-电压特性的特性信号。
13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述显示驱动电路被配置为：
以预定数量的帧时段为间隔获取指示所述参考发光元件的电流-电压特性的参考信号；以及
在所述预定数量的帧时段内，获取指示多个显示像素电路的显示发光元件的电流-电压特性的特性信号。
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