CN115491755A - 一种单晶炉拉晶控制的方法及装置 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 317
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 92
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 27
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 7
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本申请公开了一种单晶炉拉晶控制方法及装置,可以应用于晶体生长技术领域。该方法中,根据等径长度计算晶棒的预估长度;判断晶棒的隔离最大长度与预估长度之差是否达到预设的保护长度;若晶棒的隔离最大长度与预估长度之差大于保护长度,则,控制单晶炉再次执行等径操作并获得该次等径操作的等径长度,并返回执行根据等径长度计算晶棒的预估长度的操作;若晶棒的隔离最大长度与预估长度之差达到保护长度,则,控制单晶炉执行收尾操作。如此,通过判断晶棒的隔离最大长度与预估长度之差是否达到预设的保护长度,保证制备合理长度的晶棒,使得晶棒提升至副炉室后能够关闭隔离阀,达到晶棒可以安全地从副炉室中取出的目的。
Description
技术领域
本申请涉及晶体生长技术领域,特别是涉及一种单晶炉拉晶控制的方法及装置。
背景技术
通常,采用连续拉晶工艺,将硅原料制备为完整的晶棒。晶棒作为一种性能优良的半导体材料,广泛应用于集成电路、太阳能电池等产品中。连续拉晶工艺进行拉晶的过程可以包括:将硅原料放置在单晶炉的主炉室中,进行加热融化并且调整留埚率之后,进行引晶、放肩、转肩、等径、收尾操作,拉制出一个完整的单晶棒,然后,将晶棒提升至副炉室冷却一定时间后,将晶棒取出。晶棒能够从单晶炉的副炉室中安全取出取决于晶棒的长度,晶棒长度的决定性因素之一是留埚率,留埚率为埚中最初投入原料量与晶棒制备后埚中最终剩下原料量的比值。
目前,人为根据所需晶棒的长度计算留埚率,并根据留埚率控制单晶炉进行拉晶操作,这种方式可能导致制备的晶棒长度不合理,例如,出现晶棒无法安全地从副炉室中取出的问题。
发明内容
本申请提供了一种单晶炉拉晶控制的方法及装置,可以结合晶棒的预估长度对拉晶工艺进行自动控制,保证制备合理长度的晶棒,达到晶棒可以安全地从副炉室中取出的目的。
第一方面,本申请提供了一种单晶炉拉晶控制方法,包括:
根据等径长度计算晶棒的预估长度,等径长度为等径操作产生的长度;
判断晶棒的隔离最大长度与预估长度之差是否达到预设的保护长度,保护长度用于保障预设长度的晶棒能够安全取出的长度,隔离最大长度表示隔离阀关闭后晶棒在副室中能够达到的最大长度;
若晶棒的隔离最大长度与预估长度之差大于保护长度,则,控制单晶炉再次执行等径操作并获得该次等径操作的等径长度,并返回执行根据等径长度计算晶棒的预估长度的操作;
若晶棒的隔离最大长度与预估长度之差达到保护长度,则,控制单晶炉执行收尾操作。
可选地,隔离最大长度的获得过程包括:
根据隔离阀最大高度和籽晶上限高度计算隔离最大长度。
可选地,根据等径长度计算晶棒的预估长度包括:
根据等径长度、预备长度、籽晶长度和收尾长度计算晶棒的预估长度。
可选地,根据等径长度计算晶棒的预估长度之前,该方法还包括:
控制单晶炉依次执行引晶操作、放肩操作和转肩操作,获得相应的引晶长度、放肩长度和转肩长度;
根据引晶长度、放肩长度和转肩长度计算预备长度。
可选地,控制单晶炉执行收尾操作之后,该方法还包括:
获得晶棒的最终长度,最终长度为晶棒的隔离最大长度与预估长度之差达到保护长度时晶棒的预估长度。
可选地,该方法还包括:
基于最终长度更新留埚率,留埚率用于表示最初埚中投料量与获得最终长度的晶棒后埚中留料量的比值。
第二方面,本申请还提供了一种单晶炉拉晶控制装置,包括:
第一计算单元,用于根据等径长度计算晶棒的预估长度,等径长度为等径操作产生的长度;
判断单元,用于判断晶棒的隔离最大长度与预估长度之差是否达到预设的保护长度,保护长度用于保障预设长度的晶棒能够安全取出的长度,隔离最大长度表示隔离阀关闭后晶棒在副室中能够达到的最大长度;
第一处理单元,用于当晶棒的隔离最大长度与预估长度之差大于保护长度时,控制单晶炉再次执行等径操作并获得该次等径操作的等径长度,并返回执行根据等径长度计算晶棒的预估长度的操作;
第二处理单元,用于当晶棒的隔离最大长度与预估长度之差达到保护长度时,控制单晶炉执行收尾操作。
可选地,该装置,还包括:
第二计算单元,用于根据隔离阀最大高度和籽晶上限高度计算隔离最大长度。
可选地,第一计算单元,具体用于:
根据等径长度、预备长度、籽晶长度和收尾长度计算晶棒的预估长度。
可选地,该装置,还包括:
第三处理单元,用于在根据等径长度计算晶棒的预估长度之前,控制单晶炉依次执行引晶操作、放肩操作和转肩操作,获得相应的引晶长度、放肩长度和转肩长度;
第三处理单元,用于根据引晶长度、放肩长度和转肩长度计算预备长度。
可选地,该装置,还包括:
获得单元,用于获得晶棒的最终长度,最终长度为晶棒的隔离最大长度与预估长度之差达到保护长度时晶棒的预估长度。
第三方面,本申请还提供了一种单晶炉拉晶控制设备,设备包括存储器和处理器:
存储器用于存储计算机程序;
处理器用于根据计算机程序执行上述第一方面提供的方法。
第四方面,本申请还提供了一种计算机可读存储介质,计算机可读存储介质用于存储计算机程序,计算机程序用于执行上述第一方面提供的方法。
由此可见,本申请具有如下有益效果:
本申请提供了一种单晶炉拉晶控制的方法,在该方法中,单晶炉拉晶控制装置根据等径长度计算晶棒的预估长度,判断晶棒的隔离最大长度与预估长度之差是否达到预设的保护长度,若晶棒的隔离最大长度与预估长度之差大于保护长度,则,控制单晶炉再次执行等径操作并获得该次等径操作的等径长度,并返回执行根据等径长度计算晶棒的预估长度的操作;若晶棒的隔离最大长度与预估长度之差达到保护长度,则,控制单晶炉执行收尾操作。本申请的技术方案中,能够判断晶棒的隔离最大长度与预估长度之差是否达到预设的保护长度,当晶棒的隔离最大长度与预估长度之差大于保护长度时,控制单晶炉重复进行等径操作,直到晶棒的隔离最大长度与预估长度之差达到保护长度,控制单晶炉进行收尾操作,完成拉晶步骤,从而保证制备合理长度的晶棒,使得晶棒提升至副炉室后能够关闭隔离阀,达到晶棒可以安全地从副炉室中取出的目的。另一方面,即使技术人员调整留埚率时出现失误,通过单晶炉拉晶装置也可以调整晶棒长度,从而更新留埚率,使晶棒的最终长度在预设的范围内,达到晶棒安全取出的目的。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例中一种单晶炉拉晶控制的方法流程示意图;
图2为本申请实施例中一种单晶炉拉晶控制的方法的一实施例的流程示意图;
图3为本申请实施例提供的一种单晶炉拉晶控制装置300的结构示意图;
图4为本申请实施例提供的一种单晶炉拉晶控制设备400的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本申请实施例中提到的“第一计算单元”、“第一控制单元”等名称中的“第一”只是用来做名字标识,并不代表顺序上的第一。该规则同样适用于“第二”、“第三”等。
发明人发现在目前的拉晶工艺流程中,人为根据所需晶棒的长度计算留埚率,并根据该留埚率进行拉晶操作,这种方式可能导致制备的晶棒长度与预期晶棒长度不同,出现晶棒提升至单晶炉的副炉室时无法关闭隔离阀的问题。其中,留埚率用于表示最初埚中投料量与获得最终长度的晶棒后埚中留料量的比值。
本申请实施例中,可以根据晶棒的预估长度自动执行拉晶操作,实现自动化计算晶棒的长度,保证制备合理长度的晶棒,从而保证晶棒安全取出。具体实现,该方法例如可以包括:单晶炉拉晶控制装置根据等径长度计算晶棒的预估长度,判断晶棒的隔离最大长度与预估长度之差是否达到预设的保护长度,若晶棒的隔离最大长度与预估长度之差大于保护长度,则,控制单晶炉再次执行等径操作并获得该次等径操作的等径长度,并返回执行根据等径长度计算晶棒的预估长度的操作;若晶棒的隔离最大长度与预估长度之差达到保护长度,则,控制单晶炉执行收尾操作。
本申请实施例中,实现拉晶工艺的单晶炉包括:主炉室、副炉室和隔离阀。其中:主炉室,用于加热融化原料,并实施拉晶、放肩、转肩、等径和收尾操作。副炉室,用于利用充入的氩气对晶棒进行冷却,通常从单晶炉的副炉室取出制备完成的晶棒。隔离阀,是指籽晶或晶棒从主炉室进入副炉室的通道,用于隔离开主炉室和副炉室,保证副炉室中的氩气不进入主炉室。
本申请实施例中,实现拉晶工艺的操作包括:引晶操作、放肩操作、转肩操作、等径操作和收尾操作。其中:引晶操作,是指通过籽晶向上提拉,观察晶棒生长大小的操作。放肩操作,是指将晶棒的直径扩大到指定尺寸的操作。转肩操作,是指当晶棒的直径达到指定尺寸后,提高拉速使晶棒纵向生长的操作。等径操作,是指保持设定的直径尺寸进行拉晶的操作,可以重复执行等径操作以调节晶棒的长度。收尾操作,是防止等径部分产生晶裂和错位,将晶棒进行收尾的操作。
为便于理解本申请实施例提供的单晶炉拉晶控制方法的具体实现,下面将结合附图进行说明。
需要说明的是,实施该单晶炉拉晶控制方法的主体可以为本申请实施例提供的单晶炉拉晶控制装置,该监单晶炉拉晶控制装置可以承载于电子设备或电子设备的功能模块中。本申请实施例中的电子设备,可以是任意的能够实施本申请实施例中的单晶炉拉晶控制方法的设备,例如可以是物联网(Internet of Things,IoT)设备。
图1为本申请实施例提供的一种单晶炉拉晶控制方法流程示意图。该方法可以应用于单晶炉拉晶控制装置,该单晶炉拉晶控制装置例如可以是如图3所示的单晶炉拉晶控制装置300,或者,该单晶炉拉晶控制装置也可以是集成于图4所示的单晶炉拉晶控制设备400中的功能模块。
参见图1所示,该方法包括以下步骤:
S101:根据等径长度计算晶棒的预估长度,所述等径长度为等径操作产生的长度。
为了保证制备完成的晶棒能够从单晶炉的副炉室成功取出,需要在单晶炉制备晶棒时准确地估计最终制备的晶棒的长度,本申请实施例中通过累加拉晶过程时各制备操作所对应的长度,获得晶棒的预估长度。由于除了收尾操作以外,各制备操作所对应的长度可以通过传感器准确地采集,而收尾操作对应的长度可以预设固定长度值,所以,晶棒的预估长度能够准确度反映晶棒制备完成时的实际长度。所以,本申请实施例通过S101获得的晶棒的预估长度,是单晶炉拉晶控制装置基于拉晶过程中的操作自动、准确地计算所获得的,为后续拉晶控制提供了准确和可靠的数据基础。
晶棒的预估长度是根据等径长度、预备长度、籽晶长度和收尾长度计算得到的。
根据等径长度计算晶棒的预估长度之前,本方法还包括控制单晶炉依次执行引晶操作、放肩操作和转肩操作,获得相应的引晶长度、放肩长度和转肩长度,根据引晶长度、放肩长度和转肩长度计算预备长度。
S102:判断所述晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差是否达到预设的保护长度,所述保护长度用于保障预设长度的晶棒能够安全取出的长度,所述隔离最大长度表示隔离阀关闭后晶棒在副室中能够达到的最大长度。
晶棒的隔离最大长度为隔离阀安全打开和关闭位置距离籽晶上限位置,根据隔离阀最大高度和籽晶上限高度计算得出,预设的保护长度是拉晶过程前设定的参数。
作为一个示例,S101例如可以包括:首先,计算晶棒的隔离最大长度与预估长度的差值;接着,比较该差值与预设的保护长度;最后,得出该差值与预设的保护长度的大小关系。当所述晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差大于预设的保护长度时,则执行S103,当晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差等于预设的保护长度时,则执行S104。
S103:若所述晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差大于所述保护长度,则,控制所述单晶炉再次执行等径操作并获得该次等径操作的等径长度,并返回执行所述根据等径长度计算晶棒的预估长度的操作。
当晶棒的隔离最大长度与预估长度之差大于保护长度时,则说明晶棒的长度还可以继续增加,控制单晶炉再次执行等径操作,增加晶棒的等径长度,并且获得该次的等径长度后,再次执行所述根据等径长度计算晶棒的预估长度的步骤,直到所述晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差达到所述保护长度。
S104:若所述晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差达到所述保护长度,则,控制所述单晶炉执行收尾操作。
当晶棒的隔离最大长度与所预估长度之差达到保护长度时,说明晶棒的长度不能再继续增加,否则会导致晶棒长度过长,则控制单晶炉进行收尾操作,固定晶棒的长度。
控制所述单晶炉执行收尾操作之后,本申请实施例提供的方法还包括:获得所述晶棒的最终长度,所述最终长度为所述晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差达到所述保护长度时所述晶棒的所述预估长度。
在一些实现方式中,本申请实施例提供的方法还可以包括:基于所述最终长度更新留埚率。即使拉晶过程之前设定的留埚率不合理,通过本申请实施例提供的方法也可以保证制备合理长度的晶棒,当晶棒制备完成后,根据获得最终长度的晶棒后埚中留料量,留埚率的数值会更新变化,以便其它地方所使用的留埚率为准确数值,为其它与留埚率相关的操作的顺利进行提高了可靠的数据基础。
可见,利用该方法,判断晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差是否达到所述保护长度,当判断晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差大于所述保护长度时,控制单晶炉再次执行等径操作,增加晶棒的长度;当晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差达到所述保护长度时,控制单晶炉进行收尾操作,完成拉晶步骤。相较于目前的拉晶过程,以此方式,可以实现自动化控制晶棒的长度为合理长度,避免出现隔离阀无法关闭的现象,从而达到晶棒安全取出的目的。
为了使得本申请实施例提供的方法更加清楚且易于理解,下面对该方法的一个具体实例进行说明。
如图2所示,本实施的具体步骤如下:
S201:根据隔离阀最大高度和籽晶上限高度计算隔离最大长度,所述隔离最大长度表示隔离阀关闭后晶棒在副室中能够达到的最大长度。
其中,隔离最大长度是隔离阀最大高度与籽晶上限高度的差值。
所述隔离阀最大高度为副炉室顶部距离隔离阀开启时位置的高度值,所述籽晶上限高度为籽晶达到上限位置时副炉室顶部距离籽晶底部位置的高度值。
所述隔离阀最大高度和所述籽晶上限高度是拉晶过程前设定的参数。
S202:根据引晶长度、放肩长度和转肩长度计算预备长度。
其中,预备长度为所述引晶长度、所述放肩长度和所述转肩长度之和。
单晶炉依次进行引晶操作、放肩操作和转肩操作后获得对应的引晶长度、放肩长度和转肩长度。
S203:根据等径长度、预备长度、籽晶长度和收尾长度计算晶棒的预估长度。
其中,籽晶长度为引晶过程前放置籽晶的长度,是拉晶操作前设定的参数,所述收尾长度为收尾操作所产生的长度,是拉晶操作前设定的参数。
预估长度为等径长度、预备长度、籽晶长度和收尾长度之和。
需要说明的是,本申请实施例中S201与S202~S203执行顺序不作限定,可以先执行S201再执行S202~S203,也可以先执行S202~S203再执行S201,还可以同时执行S202~S203和S201。
S204:判断所述晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差是否达到100毫米(mm)。
其中,100mm对应图1所示实施例中的保护长度,是拉晶操作前设定的参数,用于保障预设长度的晶棒能够安全取出的长度。需要说明的是,保护长度可以根据实际情况进行灵活设置,本实施例中的100mm仅是保护长度的一种可能的示例。
当所述晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差大于100mm时,则执行S205,当所述晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差等于100mm时,则执行S206。
S205:若所述晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差大于100mm,则,控制所述单晶炉再次执行等径操作并获得该次等径操作的等径长度,并返回执行所述根据等径长度计算晶棒的预估长度的操作。
S206:若所述晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差达到100mm,则,控制所述单晶炉执行收尾操作。
S207:获得晶棒的最终长度。
其中,晶棒的最终长度为所述晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差达到所述保护长度时所述晶棒的所述预估长度。
本申请提供了一种单晶炉拉晶控制的方法,首先提前设定已知参数包括隔离阀最大高度、籽晶上限高度、籽晶长度、收尾长度和100mm,根据隔离阀最大高度和籽晶上限高度计算隔离最大长度,根据引晶长度、放肩长度和转肩长度计算预备长度,之后根据等径长度、预备长度、籽晶长度和收尾长度计算晶棒的预估长度,通过判断晶棒的隔离最大长度与预估长度之差是否达到100mm,当晶棒的隔离最大长度与预估长度之差达到100mm时,控制单晶炉进行收尾操作,获得晶棒的最终长度。本申请实施例自动计算晶棒的预估长度,控制拉晶进行相应操作,可以保证晶棒制备合理的长度,避免出现晶棒的长度不合理的现象,保证晶棒可以安全地从副炉室中取出。
参见图3,本申请实施例还提供一种单晶炉拉晶控制的装置300。该单晶炉拉晶控制可以包括:
第一计算单元301,用于根据等径长度计算晶棒的预估长度,所述等径长度为等径操作产生的长度;
判断单元302,用于判断所述晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差是否达到预设的保护长度,所述保护长度用于保障预设长度的晶棒能够安全取出的长度,所述隔离最大长度表示隔离阀关闭后晶棒在副室中能够达到的最大长度;
第一处理单元303,用于当所述晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差大于所述保护长度时,控制所述单晶炉再次执行等径操作并获得该次等径操作的等径长度,并返回执行所述根据等径长度计算晶棒的预估长度的操作;
第二处理单元304,用于当所述晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差达到所述保护长度时,控制所述单晶炉执行收尾操作。
可选地,所述装置300还包括:
第二计算单元,用于根据隔离阀最大高度和籽晶上限高度计算所述隔离最大长度。
可选地,所述第一计算单元301,具体用于:
根据所述等径长度、预备长度、籽晶长度和收尾长度计算所述晶棒的预估长度。
可选地,所述装置300还包括:
第三处理单元,用于在所述根据等径长度计算晶棒的预估长度之前,控制所述单晶炉依次执行引晶操作、放肩操作和转肩操作,获得相应的引晶长度、放肩长度和转肩长度;
第三处理单元,用于根据所述引晶长度、所述放肩长度和所述转肩长度计算所述预备长度。
可选地,所述装置300还包括:
获得单元,用于获得所述晶棒的最终长度,所述最终长度为所述晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差达到所述保护长度时所述晶棒的所述预估长度。
需要说明的是,该装置300的具体实现方式以及达到的技术效果,均可以参见图1所示的方法中的相关描述。
本申请实施例还提供了一种单晶炉拉晶控制设备400,如图4所示,所述设备400包括存储器401以及处理器402:
所述存储器401用于存储计算机程序;
所述处理器402用于根据所述计算机程序执行图1提供的方法。
此外,本申请还提供了一种计算机可读存储介质,计算机可读存储介质用于存储计算机程序,计算机程序用于执行图1提供的方法。
通过以上的实施方式的描述可知,本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法中的全部或部分步骤可借助软件加通用硬件平台的方式来实现。基于这样的理解,本申请的技术方案可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品可以存储在存储介质中,如只读存储器(英文:read-only memory,ROM)/RAM、磁碟、光盘等,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者诸如路由器等网络通信设备)执行本申请各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其,对于装置实施例而言,由于其基本相似于方法实施例,所以描述得比较简单,相关之处参见方法实施例的部分说明即可。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,其中作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的,作为模块显示的部件可以是或者也可以不是物理模块,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目标。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下,即可以理解并实施。
以上所述仅是本申请示例性的实施方式,并非用于限定本申请的保护范围。
Claims (13)
1.一种单晶炉拉晶控制方法,其特征在于,包括:
根据等径长度计算晶棒的预估长度,所述等径长度为等径操作产生的长度;
判断所述晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差是否达到预设的保护长度,所述保护长度用于保障预设长度的晶棒能够安全取出的长度,所述隔离最大长度表示隔离阀关闭后晶棒在副室中能够达到的最大长度;
若所述晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差大于所述保护长度,则,控制所述单晶炉再次执行等径操作并获得该次等径操作的等径长度,并返回执行所述根据等径长度计算晶棒的预估长度的操作;
若所述晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差达到所述保护长度,则,控制所述单晶炉执行收尾操作。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述隔离最大长度的获得过程包括:
根据隔离阀最大高度和籽晶上限高度计算所述隔离最大长度。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据等径长度计算晶棒的预估长度包括:
根据所述等径长度、预备长度、籽晶长度和收尾长度计算晶棒的所述预估长度。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述根据等径长度计算晶棒的预估长度之前,所述方法还包括:
控制所述单晶炉依次执行引晶操作、放肩操作和转肩操作,获得相应的引晶长度、放肩长度和转肩长度;
根据所述引晶长度、所述放肩长度和所述转肩长度计算所述预备长度。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述控制所述单晶炉执行收尾操作之后,所述方法还包括:
获得所述晶棒的最终长度,所述最终长度为所述晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差达到所述保护长度时所述晶棒的所述预估长度。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
基于所述最终长度更新留埚率,所述留埚率用于表示最初埚中投料量与获得所述最终长度的晶棒后埚中留料量的比值。
7.一种单晶炉拉晶控制的装置,其特征在于,包括:
第一计算单元,用于根据等径长度计算晶棒的预估长度,所述等径长度为等径操作产生的长度;
判断单元,用于判断所述晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差是否达到预设的保护长度,所述保护长度用于保障预设长度的晶棒能够安全取出的长度,所述隔离最大长度表示隔离阀关闭后晶棒在副室中能够达到的最大长度;
第一处理单元,用于当所述晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差大于所述保护长度时,控制所述单晶炉再次执行等径操作并获得该次等径操作的等径长度,并返回执行所述根据等径长度计算晶棒的预估长度的操作;
第二处理单元,用于当所述晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差达到所述保护长度时,控制所述单晶炉执行收尾操作。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:
第二计算单元,用于根据隔离阀最大高度和籽晶上限高度计算所述隔离最大长度。
9.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述第一计算单元,具体用于:
根据所述等径长度、预备长度、籽晶长度和收尾长度计算所述晶棒的预估长度。
10.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:
第三处理单元,用于在所述根据等径长度计算晶棒的预估长度之前,控制所述单晶炉依次执行引晶操作、放肩操作和转肩操作,获得相应的引晶长度、放肩长度和转肩长度;
第三处理单元,用于根据所述引晶长度、所述放肩长度和所述转肩长度计算所述预备长度。
11.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,还包括:
获得单元,用于获得所述晶棒的最终长度,所述最终长度为所述晶棒的隔离最大长度与所述预估长度之差达到所述保护长度时所述晶棒的所述预估长度。
12.一种单晶炉拉晶控制设备,其特征在于,所述设备包括存储器和处理器,所述处理器用于执行所述存储器中存储的程序,运行如权利要求1-6任一项所述的方法。
13.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质用于存储计算机程序,所述计算机程序用于执行权利要求1-6任一项所述的方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211162885.6A CN115491755B (zh) | 2022-09-22 | 2022-09-22 | 一种单晶炉拉晶控制的方法及装置 |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115491755A true CN115491755A (zh) | 2022-12-20 |
CN115491755B CN115491755B (zh) | 2023-11-24 |
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115491755B (zh) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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